Electronique Appliquee Aux Hautes Frequences
Electronique Appliquee Aux Hautes Frequences
Electronique Appliquee Aux Hautes Frequences
François de Dieuleveult
Olivier Romain
ÉLECTRONIQUE
APPLIQUÉE AUX
HAUTES FRÉQUENCES
Principes et applications
Algeria-Educ.com
2e édition
ÉLECTRONIQUE
APPLIQUÉE AUX
HAUTES FRÉQUENCES
DANS LA MÊME COLLECTION
Dominique Paret
RFID en ultra et super hautes fréquences
UHF-SHF, 496 p.
ÉLECTRONIQUE
APPLIQUÉE AUX
HAUTES FRÉQUENCES
Principes et applications
2e édition
© Dunod, Paris, 1999, 2008
ISBN 978-2-10-053748-8
A VANT-PROPOS
Dans le domaine des hautes fréquences ou radiofréquences il est coutume
d’entendre que le passage de la théorie à la pratique est un exercice périlleux qui
est une affaire de spécialiste où seule l’expérience compte. On peut s’étonner de
cette réflexion qui permettrait de conclure aisément qu’il existe, dans ce domaine,
deux approches du problème, l’une théorique, l’autre pratique, avec une faible
corrélation entre les deux approches.
Bien évidemment il n’en est rien. En radiofréquence, comme dans tous les
domaines, la pratique n’est qu’une mise en application des règles théoriques
élémentaires.
L’impression que, dans la pratique, un système, un sous-ensemble ou un compo-
sant ne suit pas les règles théoriques établies ne peut provenir que d’une mauvaise
compréhension, ou d’une simplification hasardeuse, desdites règles.
Admettre et répandre l’idée qu’en radiocommunication seule l’expérience est
importante semble quelque peu incorrect. L’expérience est certes un atout non
négligeable mais elle a le même poids quels que soient le sujet ou les techniques
traitées.
En radiocommunication la question posée au concepteur peut se mettre sous une
forme simple : comment transmettre à distance une information m(t), analogique
ou numérique, via un médium particulier avec un indice de qualité préalablement
défini puis réaliser les équipements émetteurs et récepteurs pour un coût maxi-
mum donné.
À ces critères de conception on ajoutera un paramètre supplémentaire relatif au
respect des normes en vigueur. Pour arriver aux produits finis, la méthodologie
utilisée est généralement descendante, de la spécification en passant par éventuel-
lement une phase de modélisation et simulation. Le premier travail consiste donc
à réunir les différentes données du problème afin d’envisager une ou plusieurs
solutions. Cette première étape, essentiellement théorique, permet de définir des
architectures d’émetteurs et récepteurs. Les outils de CAO peuvent être un complé-
ment intéressant en proposant une modélisation et une vérification fonctionnelle
VI ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
du système. Il est à noter qu’ils doivent être utilisés avec parcimonie et à bon escient
car il existe une part non déterministe d’une chaîne de transmission qui ne peut
être modélisée.
Ces synoptiques mettent en évidence les fonctions élémentaires telles que ampli-
ficateurs, mélangeurs, oscillateurs, PLL ou filtres, qui eux aussi pourront faire
l’objet de simulations.
La conception des différentes briques ou fonctions élémentaires est la suite logique
à l’affectation des performances pour chaque fonction.
Dans cet ouvrage les auteurs ont voulu donner aux lecteurs, qu’ils soient ingé-
nieurs, chercheurs ou étudiants, l’essentiel des informations nécessaires pour
mener à bien et réussir la conception d’équipements de transmissions. Aux règles
de base théoriques essentielles sont associés des exemples pratiques qui trouvent
leur justification dans l’ensemble des chapitres.
Les diverses descriptions et exemples n’ont qu’un but didactique, expliquant le
lien entre théorie et pratique, elles peuvent servir de source d’inspiration pour
d’autres systèmes mais n’ont pas vocation à une duplication immédiate.
Le parcours du concepteur est semé d’embûches, cet ouvrage voudrait être l’aide-
mémoire du concepteur qui ne doit pas oublier son objectif principal. Les études
théoriques, la CAO, les mesures, les prototypes, ne sont que des étapes intermé-
diaires, qui ne sont justifiées que par l’objectif final.
Quelle que soit la phase de conception dans laquelle se trouve le concepteur,
celui-ci ne devra pas manquer d’esprit critique. Dans une phase théorique on
s’intéressera à la dimension donnée par une formule. On s’inquiétera des résultats
numériques avec des ordres de grandeur déraisonnables.
On limitera les résultats numériques à une précision juste suffisante.
On évitera l’amas de résultats de simulation dans lequel il sera impossible d’extraire
l’essentiel.
Bien que l’on ait coutume de dire que l’expérience est difficilement transmissible,
les auteurs ont souhaité mettre ici, à disposition des concepteurs, tous les ingré-
dients utiles et nécessaires, garantissant un certain succès des implémentations.
Dans cette nouvelle édition, les auteurs vous proposent des suppléments en ligne
sur le site www.dunod.com qui correspondent aux modélisations des différentes
notions de modulation et démodulation abordées ainsi qu’un tutoriel sur le logiciel
Matlab.
T ABLE DES MATIÈRES
CHAPITRE 1 - RÈGLES DE BASE EN HAUTE FRÉQUENCE . . . . . . . . . . . 1
1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Puissance et dBm . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.3 Bruit et facteur de bruit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4 Rapport signal sur bruit et porteuse sur bruit . . . . . . . . . . . . . 6
1.5 Facteur de bruit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1.5.1 Facteur de bruit d’un atténuateur . . . . . . . . . . . . . . . . 8
1.5.2 Facteur de bruit de plusieurs étages en cascade . . . . . 8
1.6 Température de bruit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.6.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
1.6.2 Température de bruit de plusieurs étages en cascade . 12
1.7 Point de compression à 1 dB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
1.8 Distorsion d’intermodulation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
1.8.1 Amplitude des produits dus à la DIM . . . . . . . . . . . . . 17
1.8.2 Points d’interception IP2 et IP3 . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
1.8.3 Normographes pour le calcul des puissances
des produits dus à la DIM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
1.8.4 Point d’interception IP3 de plusieurs étages en cascade 21
© Dunod. La photocopie non autorisée est un délit.
1.11 Réglementation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
1.12 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
BIBLIOGRAPHIE . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 531
INDEX . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 533
C HAPITRE 1
ÈGLES DE BASE
R EN HAUTE FRÉQUENCE
1.1 Introduction
Ce chapitre est consacré à la présentation des notions fondamentales utilisées pour
la conception des systèmes de radiocommunications. Ces notions importantes
doivent être correctement assimilées avant d’envisager la conception de systèmes
performants.
Les résultats essentiels constituent un aide-mémoire du concepteur.
Les notions fondamentales permettront :
– l’analyse d’un circuit;
– la conception des sous-ensembles et leur association ;
– l’appréciation des performances d’un composant fourni : amplificateur,
mélangeur ou tout autre circuit intégré accomplissant une fonction complexe.
Ce chapitre est donc consacré aux :
– notions de puissance exprimée en unités relatives : dBm;
– bruit, rapport signal sur bruit, facteur et température de bruit;
– point de compression à 1dB;
– distorsion d’intermodulation d’ordre 2 et 3 ;
– bilan de liaison ;
– propagation des ondes.
où V est la tension efficace présente aux bornes de la charge. Dans cette relation
si V est exprimée en volt et R en ohm, P est en watt.
En radiocommunication, les puissances rencontrées sont comprises entre quel-
ques pW – puissance à l’entrée d’un récepteur par exemple – et plusieurs dizaines
de kW, en sortie d’un émetteur par exemple.
Pour simplifier les calculs, on préfère manipuler la puissance en unité relative
dBm ou dBW.
Le terme dBm fait référence à une puissance de 1 mW. Une puissance P(mW)
exprimée en mW est convertie en P(dBm), puissance exprimée en dBm en utili-
sant la relation :
P(dBm) = 10 log P(mW)
ce qui donne les conversions présentées au tableau 1.1.
Tableau 1.1
+ 30 1000
+ 20 100
+ 10 10
0 1
– 10 0,1
– 20 0,01
– 40 0,0001
– 60 0,000001
– 80 0,00000001
Tableau 1.2
0 1
– 10 0,1
– 20 0,01
– 30 0,001
– 40 0,0001
– 50 0,00001
– 70 0,0000001
– 90 0,000000001
– 110 0,00000000001
Dans certains cas la référence n’est plus une puissance mais une tension. On rencon-
tre alors des tensions exprimées en dB mV. La référence est une tension de 1 mV.
V (dBmV) = 20 log V (mV)
ce qui donne la table de conversion du tableau 1.3.
Tableau 1.3
1 0 + 107 223872
0,01 – 20 + 87 22387
0,0001 – 40 + 67 2238
0,000001 – 60 + 47 223,8
0,00000001 – 80 + 27 22,4
0,00000000002 – 107 0 1
Ces tableaux montrent tout l’intérêt de travailler en unités relatives, elles évitent
la manipulation de très grands ou très petits nombres.
Les émetteurs et les récepteurs sont constitués par la mise en cascade de quadri-
pôles de gain G I. Ces quadripôles peuvent être des amplificateurs, des filtres, des
mélangeurs, etc.
4 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
EXEMPLE
Soit une chaîne constituée, de l’entrée vers la sortie, d’un filtre de perte
d’insertion 3 dB, d’un amplificateur de 20 dB de gain, d’un second filtre de
6 dB de perte d’insertion et d’un second amplificateur de 27 dB de gain.
Le gain global G vaut alors : G = – 3 + 20 – 6 + 27 = 38 dB.
Amplificateur Amplificateur
G1 = –3 dB G2 = 20 dB G3 = –6 dB G4 = 27 dB
G = –3 + 20 – 6 + 27 = 38 dB
Signal Signal
audio Émetteur Récepteur audio
S/B initial 100 MHz 100 MHz S/B reçu
C/N Rapport
porteuse
sur bruit
Entrée Sortie
Entrée Sortie G
G Se GSe
Se Ss Ne FGNe
Ne Ns
F>1
Entrée Sortie
1 2 3
Se
Ne
G1 G2 G3
F1 F2 F3
F2 – 1
F 1,2 = F 1 + -------------
-
G1
On remarque que dans ces équations, le facteur de bruit du premier étage est
prépondérant. On dit en général que le bruit du premier étage masque le bruit
des étages suivants.
Dans ces relations, Fi et G i sont des valeurs sans unité ; dans la pratique Fi et G i
sont données en dB. Il faudra préalablement convertir les valeurs en dB en utili-
sant les relations suivantes :
F dB G dB
-------
- ---------
10 10
F = 10 G = 10
EXEMPLE
Un amplificateur A2, non performant, a un gain de 30 dB et un facteur de
bruit de 6 dB, il est précédé par un amplificateur de gain 20 dB et facteur
de bruit de 1 dB.
1
----
-
F1 = 10 10 = 1,259
20
-----
G1 = 10 10 = 100
6
----
-
F2 = 10 10 = 3,981
30
-----
G2 = 10 10 = 1000
3, 981 – 1
F1,2 = 1,259 + -----------------------
100
F1,2 = 1,259 + 0,029 = 1,289
F1,2 = 1,10 dB
10 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
L’étage d’entrée est donc primordial et il doit allier un faible facteur de bruit et
un fort gain.
Reprenons le cas des deux amplificateurs A1 et A2, de gain 20 et 30 dB ; si ces
deux amplificateurs sont précédés d’un filtre passe-bande ayant une perte d’inser-
tion de 1,5 dB, le facteur de bruit global devient :
1,5
-------
10
F1 = 10 = 1,412
Le facteur de bruit d’un élément passif est égal à sa perte d’insertion dans le
circuit.
– 1,5
------------
10
G1 = 10 = 0,707
1
------
10
F2 = 10 = 1,259
20
------
10
G2 = 10 = 100
6
------
10
F3 = 10 = 3,981
30
------
10
G3 = 10 = 1000
0,259 2,981
F1,2,3 = 1,412 + ------------- + ------------- = 1,82
0,707 70,7
F1,2,3 = 2,6 dB
Amplificateur idéal
Bruit Bruit de
thermique G sortie
kT0B
T eq1,2
F 1,2 = 1 + ------------
-
T0
T eq1
F 1 = 1 + ---------
-
T0
T eq2
F 2 = 1 + ---------
-
T0
T eq2
1 + --------- -–1
T eq1,2 T eq1 T0
1 + ------------- = 1 + ---------- + ----------------------------
T0 T0 G1
T eq2
T eq1,2 = T eq1 + ---------
-
G1
CHAPITRE 1 - RÈGLES DE BASE EN HAUTE FRÉQUENCE
13
EXEMPLE
Un filtre ayant une perte d’insertion de 3 dB et donc un facteur de bruit iden-
tique de 3 dB est placé en aval d’un amplificateur ayant une température de
bruit équivalente de 864 K.
Quelle est la température équivalente globale?
Le facteur de bruit de 3 dB est tout d’abord converti en température équiva-
lente de bruit :
Teq = T0 (F – 1)
Teq = 290(1,995 – 1) = 288,6 K
puis en utilisant la relation :
T eq 2
Teq1,2 = Teq1 + ---------
G1
G
30
28
8 10 12 14 16
Puissance d'entrée (dBm)
;; ;
Vbb Vcc
Puissance de sortie
RFC
Circuit d'adaptation
d'impédance
Circuit d'adaptation
d'impédance
;;
Vs
Ve sortie Zone Saturation
entrée linéaire
;;
Puissance d'entrée
Loi quadratique
EXEMPLE
Supposons qu’à l’entrée d’un récepteur, on soit en présence de deux
composantes à :
f1 = 411 MHz
f2 = 412 MHz.
Les produits d’intermodulation, en sortie de cet amplificateur, d’ordre 2 sont
respectivement :
2f1 = 822 MHz
2f2 = 824 MHz
f1 + f2 = 823 MHz
f2 – f1 = 1 MHz
Les produits d’intermodulation d’ordre 3 sont respectivement :
3f1 = 1233 MHz
3f2 = 1226 MHz
2f2 – f1 = 413 MHz
2f1 – f2 = 410 MHz
2f2 + f1 = 1234 MHz
2f1 + f2 = 1235 MHz.
CHAPITRE 1 - RÈGLES DE BASE EN HAUTE FRÉQUENCE
17
Fo 3 e rd e
nd or re
am dre
l
7 eord e
or re
e
rm o re
iq e
ue
Fréquence
3 e n ta
dr
o r
dr
on rdr
5 eord
5 e rd
ha t 2 eord
or
e
o
2e
7e
2 e ui 2 e
od
Pr
40
Point d'interception
du troisième ordre IP3
30
Saturation
en sortie
20
Fondamental
10
–10
–30 –20 –10 0 10 20 30
Puissance d'entrée (dBm)
1.8.3 Normographes pour le calcul des puissances des produits dus à la DIM
Les deux courbes des figures 1.11 et 1.12 permettent d’une manière graphique et
rapide l’évaluation du niveau des produits d’intermodulation d’ordre 2 et 3. La
courbe de la figure 1.11 donne directement le niveau des produits dus à la DIM
d’ordre 2 et 3 en dBm. La courbe de la figure 1.12 donne la réjection des produits
par rapport au signal utile en dB.
0 –20 20 40
–20 –40 –60 –80
–5 –30 25 50
–30 –50 –70 –90
D –10 –40 30 60
–40 –60 –80 –100 2
–15 –50 35 70
–90 –110
–20 –60 40 80
D3
–100 –120
D4
Exemple 2
Exemple 1
EXEMPLE
1. Soit un amplificateur défini de la manière suivante :
IP3 = + 30 dBm, IP2 = + 40 dBm
niveau de sortie : Sout = 0 dBm.
Sur la figure 1.11 on trace deux droites.
La première droite D1 passe par IP3, 30 dBm et amplitude de sortie de
0 dBm, elle coupe la quatrième échelle au point A à – 60 dBm.
L’amplitude des produits dus à la DIM d’ordre 3 est de – 60 dBm.
La deuxième droite D2 passe par IP2, + 20 dB et amplitude de sortie égale
à 0 dBm, et coupe la troisième échelle au point D = – 40 dBm.
Les points B et C n’ont pas de signification et ne doivent pas être interprétés.
2. Soit un amplificateur défini par :
IP2 = + 40 dBm, IP3 = + 35 dBm, Sout = – 10 dBm.
Sur le graphe de la figure 1.11, on trace deux droites D3 et D4, lesquelles
donnent les résultats suivants :
Amplitude des produits d’intermodulation d’ordre 3 = – 100 dBm;
Amplitude des produites d’intermodulation d’ordre 2 = – 60 dBm.
3. On utilise le graphe de la figure 1.12
Soit l’amplificateur défini dans le cas de l’exemple 1 :
IP2 = + 40 dBm, IP3 = + 30 dBm, Sout = 0 dBm
Les produits dus à la DIM d’ordre 3 sont rejetés de 60 dB par rapport au
signal utile; leur amplitude est de – 60 dBm.
Les produits dus à la DIM d’ordre 2 sont rejetés de 40 dB par rapport au
signal utile, leur amplitude est de – 40 dBm.
G
------i
10
gi = 10
IP
-------i
10
ii = 10
P
------i
10
pi = 10
i2
p 2 = ---------
-
g1 g2
i3
p 3 = ---------------
-
g1 g2 g3
i4
p 4 = ---------------------
-
g1 g2 g3 g4
i5
p 5 = ---------------------------
g1 g2 g3 g4 g5
Les puissances sont ensuite ajoutées de la manière suivante :
1
ip 3 (entrée) = ----------------------------------------------------------------
1 1 1 1 1
----- + ----- + ----- + ----- + … + -----
p1 p2 p3 p4 pn
Cette valeur est en mW et la valeur en dBm résultante sera obtenue classique-
ment par :
IP3(entrée) = 10 log gip 3 (entrée)
CHAPITRE 1 - RÈGLES DE BASE EN HAUTE FRÉQUENCE
23
EXEMPLES
1. Soient les deux étages en cascade définis dans le tableau 1.5 :
Tableau 1.5
Étage 1 Étage 2
G 20 dB (100) 10 dB (10)
1
10
IP3 (sortie) = 10 – 10 log 1 + ------ × -------------
10 2 000
IP3 (sortie) 10 dBm
24 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
2. Si l’ordre des deux amplificateurs est intervertit, l’étage ayant le plus fort
IP3 est placé en deuxième.
100
1 2 000
IP3 (sortie) = 33 – 10 log 1 + --------- × -------------
10
IP3 (sortie) = 28,2 dBm
EXEMPLE
1. Soient les deux étages en cascade définis de la manière suivante :
Tableau 1.6
Étage 1 Étage 2
G 20 dB (100) 10 dB (10)
Dans les deux cas (figures 1.13 et 1.15), on devra s’assurer que le banc de test ne
génère pas d’intermodulation. Ce contrôle est simple puisqu’il suffit de remplacer
l’amplificateur en test par un court-circuit. Une intermodulation pourra être due
à un couplage défectueux entre les deux générateurs ou à un défaut des étages
d’entrée de l’analyseur. On pourra constater qu’il faudra travailler avec les niveaux
d’entrée les plus faibles possible, ce qui milite en faveur de la configuration de la
figure 1.15.
Certains constructeurs ne spécifient pas directement la valeur du point d’inter-
ception IP3.
La relation liant la puissance de sortie et la réjection des produits d’intermodu-
lation d’ordre 3 à la valeur du point d’interception du troisième ordre peut aussi
être utilisée dans certains cas pour l’examen et la comparaison d’amplificateurs
intégrés.
28 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
PR
Le rapport des puissances ----- peut alors s’exprimer par la relation :
PE
PR λ2
----- = G E G R ---------------
-
PE 4π 2 D 2
GE et GR sont respectivement les gains d’antennes à l’émission et à la réception.
λ est la longueur d’onde transmise. D est la distance séparant l’émetteur et le
récepteur.
L’affaiblissement de puissance A, dit affaiblissement en espace libre, peut encore
s’écrire sous la forme suivante :
4πD 2
A = ⎛ -----------⎞
⎝ λ ⎠
c
λ = ----
f
A = 22 + 20 log ⎛ ----⎞
D
⎝ λ⎠
λ = 0,5 m
D = 25 km
Une antenne est un dipôle et son impédance est une valeur complexe. On peut
donc, pour une antenne, mesurer son paramètre S11.
Classiquement le paramètre S11 est lié à l’impédance Z par la relation :
Z–R
S 11 = --------------0-
Z + R0
Z–R
RL = – 20 log --------------0-
Z + R0
1 + S 11
ROS = ------------------
-
1 – S 11
L’antenne étant un dipôle ayant une impédance complexe, elle devra être adaptée
à l’étage d’entrée du récepteur ou à l’étage de sortie de l’émetteur, ou simultané-
ment aux deux étages dans le cas d’un émetteur récepteur.
Pour le calcul du réseau d’adaptation on utilise les méthodes et procédés exposés
dans le chapitre 9.
Les dimensions de l’ellipse sont données par les équations suivantes. On s’intéresse
principalement au rayon de l’ellipse à une distance donnée, ce résultat permettant
notamment de déterminer la hauteur minimale des antennes :
d (D – d)
R = 17, 3 ----------------------
Df
avec D et d en km, f en GHz et R en m.
Au milieu, le rayon est maximal et vaut :
D
rayon au milieu R = 17, 3 ----
4f
1.9.4 Propagation hors espace libre
Rares sont les cas où la propagation s’effectue en espace libre, les exemples d’une
liaison entre un satellite et une station au sol, ou une liaison point à point par un
faisceau hertzien sont des cas idéaux. Dans ces deux cas précis, la liaison est bien
CHAPITRE 1 - RÈGLES DE BASE EN HAUTE FRÉQUENCE
35
en espace libre et l’on peut utiliser la relation liant atténuation, longueur d’onde
et distance.
Hormis le cas précis de la propagation en espace libre il n’est pas possible de
calculer précisément l’atténuation. On cherche alors une ou plusieurs approxima-
tions pour faire une estimation du bilan de liaison. Dans la pratique, par exemple
en milieu urbain, on constate que l’atténuation diminue beaucoup plus rapide-
ment que ce qu’elle diminuerait en espace libre.
On utilise alors une formule approchée pour estimer l’atténuation :
4π 2
A ≈ ⎛ ------⎞ D n
⎝ λ⎠
Tableau 1.8
Indice de réfraction 0,99 (à 70 km) 0,95 (à 120 km) 0,31 (à 300 km)
de mètres. De ce fait, ces ondes sont particulièrement utilisées pour des applica-
tions militaires sous-marines.
Bande HF : 3 à 30 MHz
Les ondes HF se propagent essentiellement par réflexions ionosphériques qui
peuvent être multiples. De ce fait leur portée peut atteindre quelques milliers de
kilomètres. Dans cette bande on trouve :
– des services de radiodiffusion amateur :
• BLU : couvrant la bande de 3,5-30 MHz mais discrétisée :
– 3,5 à 3,8 MHz
– 7 à 7,1 MHz
– 10,1 à 10,15 MHz
– 14 à 14,35 MHz
– 18,068 à 18,168 MHz
– 21 à 21,45 MHz
– 24,89 à 24,99 MHz
– 28 à 29,7 MHz
• CB : 40 canaux de 26,96 à 27,41 MHz,
• radioastronomie : 25,55 à 25,67 MHz,
• modélisme : 26,81 à 26,92 MHz ;
– des services d’applications militaires de type radar HF : SuperDARN (Centre
d’étude des environnements terrestre et planétaires), Nostradamus (ONERA
– Office national d’études et de recherches aérospatiales), etc. ;
– des bandes libres ISM (Industriel, Scientifique et Médical) non soumises à des
réglementations nationales et qui peuvent être utilisées gratuitement et sans
autorisation. Les seules obligations à respecter sont les puissances d’émission et
42 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
• ISM :
– 433,05 à 434,79 MHz (utilisé essentiellement pour les télécommandes)
– 868 à 870 MHz
– 902 à 928 MHz
– 2,4 à 2,5 GHz.
• radar militaire
• ISM :
– 5,725 à 5,875 GHz
– 24 à 24,25 GHz.
Bande EHF
Les ondes EHF se propagent en vue directe. Ces ondes sont essentiellement utilisées
pour des applications de radioastronomie, de télédiffusion satellitaire et radio
amateur :
– des services de télédiffusion :
• TV par satellites : 40,5 à 42,5 GHz ;
– des services de radiodiffusion divers :
• radio amateur :
– 47 à 47,2 GHz
– 75,5 à 81 GHz
– 119,98 à 120,020 GHz
– 142 à 149 GHz
– 241 à 250 GHz ;
• radioastronomie :
– 31 à 31,8 GHz
– 42,5 à 43,5 GHz
– 48,540 à 49,440 GHz
– 52,6 à 54,25 GHz
– 76 à 116 GHz
– 123 à 158,5 GHz
– 164 à 231,5 GHz
– 241 à 275 GHz ;
• ISM :
– 61 à 61,5 GHz
– 122 à 123 GHz
– 244 à 246 GHz.
46 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
1.11 Réglementation
Depuis le XIXe siècle, le domaine des télécommunications n’a eu de cesse de se
développer, de se moderniser, de gagner en fréquence et de repousser les fron-
tières. Dès lors, des organismes internationaux ont été créés afin d’organiser, de
réglementer et de normaliser les communications entre les différents pays. L’UIT
(Union internationale des télécommunications), fondée en 1865, est une institu-
tion qui dépend de l’ONU pour les technologies de l’information et de la commu-
nication. Cet organisme mondial regroupe les pouvoirs publics de chaque État et
secteur privé. Elle a son siège à Genève (Suisse), compte 191 états membres et plus
de 700 membres du secteur privé. L’UIT a en charge trois secteurs fondamentaux,
les radiocommunications (UIT-R), le développement (UIT-D) et la normalisation
(UIT-N).
Le secteur des radiocommunications de l’UIT (UIT-R) est au cœur de la gestion
mondiale du spectre des fréquences radioélectriques et des orbites de satellite.
Ces ressources ne sont pas infinies et leur demande ne cesse de croître avec les
services mobiles, de radiodiffusion, d’amateur, de recherche spatiale ou encore les
télécommunications d’urgence, la météorologie, les systèmes mondiaux de radio-
repérage, la surveillance de l’´environnement, etc. L’UIT-R a pour mission d’assurer
l’utilisation rationnelle, équitable, efficace et économique du spectre des fréquences
radioélectriques par tous les services de radiocommunication. L’UIT-R veille à
l’application du règlement des radiocommunications et des accords régionaux.
Ses travaux de normalisation aboutissent à des Recommandations destinées à garantir
la qualité de fonctionnement des systèmes de radiocommunication. L’UIT-R
recherche également des moyens et des solutions pour économiser les fréquences
et assurer la souplesse voulue en prévision de l’expansion à venir des services et des
nouvelles avancées techniques.
Le secteur du développement des télécommunications (UIT-D) a pour objectifs
(extrait de la déclaration de Doha en 2006) :
– d’aider les pays dans le domaine des technologies de l’information et de la
communication (TIC), en facilitant la mobilisation des ressources techniques,
humaines et financières nécessaires à leur mise en œuvre et en favorisant l’accès
à ces technologies ;
– de permettre à tous de bénéficier des avantages qu’offrent les TIC ;
– de promouvoir les actions susceptibles de réduire la fracture numérique et d’y
participer ;
– d’élaborer et de gérer des programmes facilitant un flux de l’information adaptés
aux besoins des pays en développement.
Elle s’inscrit dans le cadre de la double mission de l’UIT, en tant qu’institution
spécialisée de l’Organisation des Nations unies et en tant qu’agent d’exécution de
CHAPITRE 1 - RÈGLES DE BASE EN HAUTE FRÉQUENCE
47
1.12 Conclusion
Toutes les notions fondamentales exposées dans ce chapitre seront utilisées pour
examiner le fonctionnement des émetteurs et des récepteurs et évaluer leurs
performances.
La distorsion d’intermodulation d’ordre 3 et le facteur de bruit sont les para-
mètres les plus importants. En règle générale, qu’il s’agisse d’un mélangeur ou d’un
amplificateur, ces deux paramètres accompagnent les spécifications techniques
des composants.
C HAPITRE 2
M ODULATIONS ANALOGIQUES
On dispose d’informations analogiques ou numériques à transmettre dans un
canal de transmission. Ce dernier désigne le support, matériel ou non, qui sera
utilisé pour véhiculer l’information de la source vers le destinataire. La figure 2.1
résume l’énoncé du problème posé. Les informations issues de la source peuvent
être, soit analogiques, soit numériques. Il peut s’agir par exemple, d’un signal
audio analogique, d’un signal vidéo analogique ou des mêmes signaux numérisés.
Perturbations
Dans ce cas, ce sont des séquences de caractères discrets, issus d’un alphabet fini
de n caractères, il peut donc s’agir d’une suite de 0 et de 1 par exemple. Dans ce
chapitre on s’intéresse uniquement au cas des signaux analogiques. Le chapitre 3
sera consacré aux modulations numériques.
m (t ) s (t ) x (t ) y (t )
Perturbations
A (V) A (dB)
–3 dB
t f
Largeur de bande
du signal
Représentation temporelle Représentation fréquentielle
Le signal qui sera transmis, sera s(t), il s’agit du signal appelé porteuse à la
fréquence f 0, modulé par le message m(t).
La figure 2.4 donne une représentation fréquentielle du signal transmis s(t). Le
signal s(t) occupe une bande B autour de la fréquence f 0. Cette largeur B est un
paramètre important et est fonction du type de modulation. Dans de nombreux
cas, on cherche à réduire B pour loger dans la bande B 1 un nombre maximum
d’information. On réalise ainsi un multiplex fréquentiel qui permet de transmet-
tre simultanément, sur le même médium, un plus grand nombre d’informations.
La représentation spectrale des signaux véhiculés dans le canal de transmission est
alors celle de la figure 2.5. Au sens général du terme, la modulation est une opéra-
tion qui consiste à transmettre un signal modulant au moyen d’un signal dit
porteur v(t) :
v(t) = A cos (wt + j)
52 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
A (dB)
B
f0 f
A (dB)
f0 f1 f2 f3 f4 fn f
Le tableau 2.1 résume les grands types de modulation qui seront traités dans les
chapitres 2 et 3.
Bien que l’on puisse aisément considérer qu’un signal numérique se résume à un
cas particulier du signal analogique, les modulations analogiques et numériques
sont traitées de manière différente. Dans les systèmes analogiques on s’intéresse
au rapport signal sur bruit du signal y(t), pour les modulations numériques on
s’intéresse au taux d’erreur bit pour le signal y(t).
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
53
w : fréquence FSK
FM CPFSK
MSK
GMSK
j : phase PSK
PM DPSK
QPSK
DQPSK
M-PSK
Principe
Soit le signal modulant :
m(t) = B cos w1t
et la porteuse :
n(t) = A cos wt
54 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
v (t)
2B
C
A D
t
A A
A mA A mA
2 2
ω – ω1 ω ω + ω1 ω
f – f2 f – f1 f f + f1 f + f2 f
B = 2f2
Dans le cas d’une porteuse modulée par un signal sinusoïdal unique de fréquence
f1, la puissance transmise par la porteuse vaut P et la puissance transmise
2
mA
par chaque bande latérale vaut P ------- .
4
La puissance totale transmise vaut :
2
mA
P tot = P ⎛ 1 + ------- ⎞
⎝ 2 ⎠
Si l’indice de modulation vaut 1, la porteuse qui ne contient pas d’information
transporte les deux tiers de la puissance.
Modulateur d’amplitude
D’une façon générale les modulateurs d’amplitude sont constitués par des systè-
mes à caractéristiques non linéaires. Tout multiplicateur, un mélangeur équilibré
à diode ou un multiplicateur quatre quadrants peut être utilisé pour réaliser un
modulateur d’amplitude.
La figure 2.8 représente le schéma synoptique d’un modulateur d’amplitude
double bande avec porteuse. La démonstration mathématique est donnée dans le
chapitre 7.
Trajet pour
la réinsertion
Atténuateur de la porteuse
Diviseur de 10 dB Combineur
Porteuse puissance Mélangeur de puissance Porteuse f
fréquence f équilibré modulée en
OL RF amplitude
Trajet pour la Atténuateur
multiplication 6 dB
IF
Signal
modulant
Le signal porteur à la fréquence f est scindé en deux voies. Sur la première voie,
ce signal est multiplié par le signal modulant. En sortie du multiplicateur, on
récupère les deux bandes latérales. Sur la seconde voie, le signal porteur est
simplement atténué. Le combineur de puissance réalise l’addition des deux
bandes latérales et de la porteuse.
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
57
Antenne
d'émission
Adaptation
d'impédance
Signal Filtre
modulant passe-bas
Le signal de sortie est envoyé au médium, une antenne par exemple, via un
réseau d’adaptation d’impédance.
Démodulation d’amplitude
Un des principaux avantages de la modulation d’amplitude est de permettre une
démodulation très simple par détection d’enveloppe. Il faut noter que la détec-
tion d’enveloppe n’est pas la seule méthode utilisable mais que sa simplicité en
fait la méthode la plus répandue.
On peut aussi envisager une démodulation cohérente dans le récepteur et multi-
plier le signal reçu par une porteuse identique en phase et en fréquence avec la
porteuse émise.
Ce type de démodulateur est décrit dans le chapitre 7.
Démodulation d’enveloppe
La figure 2.10 regroupe quatre solutions pour réaliser un détecteur d’enveloppe.
Il s’agit simplement d’effectuer un redressement monoalternance du signal reçu.
Le rôle de la self L peut être examiné avec le schéma (a) de la figure 2.10.
; ;; ;;;
;;
RF BF RF BF
D D
L R C L R C
(a) (b)
A+
;;; ;;;;
RF BF RF BF
C D1 C D
D2 R C L C
(c) (d)
Si cette self est absente et si le signal RF est injecté au travers d’une capacité de
liaison, la capacité C se chargera jusqu’à une valeur égale à deux fois la tension
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
59
1
-----2- – 1
m
RC --------------------
3,8f max
EXEMPLE
m = 0,99; R = 1 K; fmax = 4 kHz,
d’où C 9,37 nF
m = 0,5; R = 1 K; fmax = 15 kHz,
d’où C 30,3 nF
BF
RF
Démodulation cohérente
Le schéma synoptique du démodulateur d’amplitude cohérent est représenté à la
figure 2.12.
v1 (t )
Oscillateur
Comparateur contrôlé en
de phase tension
Filtre de
boucle
Si l’on admet que ce signal est parfaitement en phase avec le signal émis, alors
j = 0. Un multiplicateur effectue le produit de v(t) et v1(t); le signal de sortie du
multiplicateur s’écrit :
s(t) = v(t) v1(t)
mA mA
s(t) = A cos w t + A ------- cos ( w + w 1 )t + A ------- cos ( w – w 1 )t B cos w t
2 2
2 ABm A ABm A
s(t) = AB cos w t + -------------- cos w t cos ( w + w 1 )t + -------------- cos w t cos ( w – w 1 )t
2 2
AB ABm A
s(t) = ------- cos 2 w t + -------------- [ cos w 1 t + cos ( 2 w + w 1 )t ]
2 4
ABm A
+ -------------- [ cos w 1 t + cos ( 2 w – w 1 )t ]
4
Les termes en 2w correspondent à une fréquence 2f, modulée en amplitude par
le signal modulant à la fréquence f1. Il est aisé d’éliminer par filtrage les termes
centrés sur 2f.
Après filtrage, le signal s1 (t) s’écrit :
ABm A
s1 (t) = -------------- cos w 1 t
2
La sortie s1 (t) est proportionnelle au signal émis :
m(t) = B cos w1t
L’amplitude du signal de sortie est aussi proportionnelle à A. Comme dans le cas
de la démodulation par redressement un amplificateur à gain commandé doit
être prévu en amont du démodulateur. Dans ces conditions, les problèmes de
dynamique et de linéarité sont résolus.
Porteuse supprimée
f – f1–max
f2 f – f1 min f f + f1 min f +f f+1 fmax
2 Fréquence
p
Si j = --- , le message démodulé est nul. La démodulation n’a pas été effectuée.
2
Pour que la démodulation puisse avoir lieu, la porteuse doit être récupérée avec
exactitude de phase. Pour cette raison, il n’y a pas d’application directe de la
modulation d’amplitude sans porteuse, mais certaines applications dans le cas de
modulations composites.
Dans cette relation PBL est la puissance contenue dans une bande latérale et N est
le bruit dans les deux bandes latérales :
N = kTB
B = 2f1max
S1
+ G+D
Préaccentuation
Signal R+L x (t )
audio Sommateur
droit + Vers
R ou D modulateur
FM
– Multiplicateur
+ G–D
Préaccentuation
Signal L–R
audio
gauche S2
L ou G %2
38 kHz 19 kHz
Sous-porteuse
90
9
0 15 19 23 38 53 F (kHz)
Circuits de
désaccentuation
G+D + +2G 2G
Signal en
provenance +
du Filtrage passe-bas
démodulateur 15 kHz –
FM –2D 2D
–1
G–D
Multiplicateur
ou mélangeur
Filtrage passe-bande
23 à 53 kHz
%2
Comparateur Oscillateur
de phase 38 kHz
Filtrage passe-bande
19 kHz
R Y +
Retard
Additionneur
Additionneur
Mélangeur M1
V U
Matrice
Signal
composite
Additionneur +
B V +
+ Additionneur
Mélangeur M2
Signal d'enveloppe
de salve
ϕ + π/2
+π/2
ϕ – π/2
fSP alternance ligne
Synchronisation ϕ à la ligne
–π/2
Oscillateur
4,43361875 MHz
Signal ‡ l a demi-
fréquence ligne
f sp = ⎛ 284 – ---⎞ f H + 25
1
⎝ 4⎠
fH est la fréquence ligne et vaut 15625 Hz d’où :
fsp = 4,433 618 75 MHz
La précision demandée sur cette fréquence est de 5 Hz pour les systèmes B et
G. Ces systèmes sont utilisés partout en Europe, sauf en France, où l’on utilise les
systèmes L et L′.
Dans le codeur, la fréquence fsp est donc asservie à la fréquence ligne fH .
À partir de l’oscillateur délivrant le signal à la fréquence fsp , on élabore deux
signaux.
La porteuse fsp de phase j est envoyée au mélangeur M1.
p p
Une seconde porteuse de phase j + --- ou j – --- est envoyée au modulateur M2.
2 2
La phase du second signal change à chaque ligne.
Le signal U module, en AMDBSP, le signal fsp de phase j
p p
Le signal V module, en AMDBSP, le signal fsp de phase j – --- ou j + ---
2 2
Nous avons donc une modulation d’amplitude à porteuse supprimée, de deux
porteuses en quadrature. Ces deux porteuses sont additionnées et le résultat, lui-
même additionné au signal de luminance retardé. Ce retard est destiné à compenser
le retard de traitement dans les voies U et V, retard dû à l’opération de modulation.
À la réception un oscillateur devra être synchronisé en phase et en fréquence sur
le signal émis.
La porteuse étant supprimée, il faut envoyer une information permettant la
synchronisation. Une salve de référence est envoyée au début de chaque ligne, sur
le palier de suppression comme le montre la figure 2.18.
Les salves de synchronisation sont obtenues par l’addition d’un signal d’enve-
loppe de salve aux signaux U et V. Ce signal est rectangulaire.
En général on adopte j = p.
Dans ce cas la seconde porteuse est soit à + 135 soit à – 135, + 3 p/4 ou – 3 p/4.
Dans le récepteur, dès que l’on dispose d’un oscillateur asservi en phase et
fréquence sur les porteuses émises, le décodage ne pose pas de problème majeur.
70 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
2,25 ± 0,23 s
5,6 ± 0,1 s (10 cycles)
S
2
S
Signal de Salve de
synchronisation référence
ligne
Multiplexage temporel, Salve Sous-porteuse t
synchronisation et informations modulée
Conclusion
Ces deux exemples de modulation d’amplitude à porteuse supprimée sont inté-
ressants, car ils montrent que ce type de modulation est utilisé conjointement
avec l’envoi d’une information de synchronisation. Dans le cas de l’émission
audio stéréo, il y a un multiplexage fréquentiel des informations utiles et de la
synchronisation. Dans le cas du codage PAL il y a un multiplexage temporel des
informations utiles et de la synchronisation, salve de référence.
f – f1–max
f2 f – f1 min f f + f1 min f +f f+1 fmax
2 Fréquence f
2f1 min
dB
20 n
f – f1 min f + f1 min f
f + f1 min
10
Il apparaît clairement que plus la fréquence f est élevée, plus l’ordre devra être
important; plus la fréquence f 1min est basse, plus l’ordre devra être important.
EXEMPLE
Soit un signal audio contenu dans la bande f1min = 300 Hz et f1max = 3400 Hz,
modulant un signal f = 12800 Hz. Supposons que l’on souhaite une réjec-
tion de 40 dB :
n = 39,3
n 40
Un tel filtre est réalisable, mais le problème se complique rapidement si la
fréquence porteuse augmente. Avec l’exemple précédent, optons mainte-
nant pour une fréquence porteuse f = 128 kHz :
n = 385
Un tel filtre n’est plus réalisable.
Pour cette opération, la sélection d’une seule bande latérale ne peut pas s’effec-
tuer par un filtrage unique. On procède donc par une succession d’opérations de
filtrage et transposition de fréquence. Le schéma synoptique de la chaîne de trai-
tement qui permet cette opération est représenté à la figure 2.20. Le signal en
bande de base et un oscillateur local à la fréquence f sont envoyés à un premier
mélangeur M1. En sortie du premier mélangeur, un filtre sélectionne l’une des
deux bandes latérales, par exemple la bande latérale supérieure.
Ce signal et un oscillateur local à la fréquence f3 sont envoyés à un second
mélangeur M2. En sortie de M2, on dispose des deux bandes latérales centrées
autour de f3 .
Un second filtre permet de conserver l’une ou l’autre des bandes latérales. Dans
le cas de la figure 2.18 on ne conserve que la bande latérale supérieure.
L’ordre n1 du filtre nécessaire est alors donné par la relation :
9R ( f 3 + f + f 1 )
n 1 = -----------------------------------
400 ( f + f 1 )
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
73
f
Gabarit du second filtre
f – f2 f – f1 f + f1 f+
– f2
f3
f3 f––f f–2 f2 f3 – f – f1 f3 + f + f1 f3 f+–f f+2 f2
Mélangeur M1 Mélangeur M2
Filtrage Filtrage
Signal en
bande de base
[f1 , f2] f f3
EXEMPLE
Reprenons le cas précédent :
f1 = f1min = 300 Hz; f = 12,8 kHz; f3 = 30f = 384 kHz;
R = 40 dB,
d’où n1 27
Ce filtre est encore réalisable mais la fréquence n’est que de 384 kHz.
Pour pouvoir être utilisable, cette opération doit être réitérée jusqu’à l’obtention
de la fréquence désirée, une, deux ou trois fois supplémentaires.
Ces opérations ne sont pas très simples et on préfère souvent la solution indiquée
dans le schéma synoptique de la figure 2.21.
Le mélangeur équilibré reçoit la porteuse et le signal modulant puis en effectue
le produit. Soit :
m(t) = sin w1t
n(t) = sin wt
74 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
M2
B +
C
D1 D2
π/2 π/2
Oscillateur local
fréquence f
n (t)
M1 +
m (t) A –
D
Signal en bande
de base (fréquence f1)
10 k 10 k 10 k
10 k 10 k 10 k
– – – –
VS1
;; ; ;
+ + + +
1 000 pF 1 000 pF 1 000 pF
16,2 k 118 k 511 k
10 k 10 k 10 k
10 k 10 k 10 k
– – – –
VS2
+ + + +
1 000 pF 1 000 pF 1 000 pF
;; ; ;
54,9 k 237 k 1,74 k
Entrée
Les courbes de la figure 2.23 montrent que l’amplitude est constante dans la
bande comprise entre 10 Hz et 20 kHz. Le déphasage vaut p/2 = 90 degrés dans
la bande audio de 300 à 3 400 Hz au moins. Un déphasage constant à plus ou
moins un degré nécessitera le réglage précis des éléments. Cette solution est
techniquement intéressante mais d’une mise en œuvre délicate.
10 m
0m
–10 m
–20 m
180 d
π/2
–13 d
–207 d
–400 d
10 Hz 100 Hz 1 kHz 10 kHz 100 kHz
Démodulation en BLU
Comme pour la démodulation d’amplitude à porteuse supprimée on s’oriente
vers une démodulation cohérente. Il s’agit donc de régénérer localement une
porteuse de fréquence et de phase identique à celle utilisée à l’émission.
n ′(t) = cos(wt + j)
En modulation BLU, toute information relative à la porteuse a, par définition, disparu.
Si l’on prend le cas de la bande latérale supérieure, le signal reçu vaut :
x(t) = cos(w + w1)t
Un multiplicateur, ou mélangeur équilibré, effectue le produit de x (t) et n ′(t).
Le schéma synoptique du démodulateur BLU est représenté à la figure 2.24.
Le signal de sortie du multiplicateur s’écrit :
s(t) = cos(wt + j) cos(w + w1)t
1 1
s(t) = --- cos[(2w + w1)t + j] + --- cos(w1t + j)
2 2
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
77
x (t ) s (t ) Filtre s' (t )
passe-bas
m' (t )
Si l’on prend une modulation d’amplitude à porteuse supprimée avec une puis-
P BL
sance -------- dans chaque bande, le rapport signal sur bruit en sortie du démodula-
2
teur vaut :
⎛ ---
S⎞ P BL
- AMDBSP = 2 ------- -
⎝N ⎠ s N
N = 2kTB = 2kTf1max
f1 max
Signal en bande de base
fp – f1 max fp fp + f1 max
Gabarit de la
modulation BLA
fp – fo fp fp + f1 max
fp + fo
Spectre d'une
émission réelle
Porteuse Porteuse
vidéo audio
Porteuse
chrominance
Largeur du canal
8 MHz
La figure 2.25 montre que le signal modulé en BLA est obtenu par une modula-
tion d’amplitude classique suivie d’un filtrage. Le filtre est en général un filtre à
onde de surface et présente de fp – f0 à fp + f0, un flanc de symétrie autour de la
fréquence fp à laquelle il affaiblit le signal de moitié, flanc de Nyquist.
80 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Modulateur en BLA
La figure 2.26 donne le synoptique d’un modulateur BLA à double changement
de fréquence. Imaginons que l’on souhaite réaliser un modulateur ou émetteur,
couvrant l’intégralité des bandes IV et V, canaux 21 à 69. Le spectre du signal de
sortie doit être à bande latérale unique.
Une mauvaise solution consisterait à effectuer une modulation d’amplitude et de
placer en sortie autant de filtres commutés que l’on souhaite de canaux. Au prix
d’une complexité accrue, le schéma synoptique de la figure 2.26 résout le
problème.
Un premier modulateur d’amplitude, recevant le signal vidéo et un oscillateur
à la fréquence fixe de 38,9 MHz délivre un signal, dont le spectre est représenté
par S1. Un filtre à onde de surface donne à ce spectre une allure conforme à S2,
modulation BLA autour de 38,9 MHz en conservant la bande latérale inférieure.
Un premier mélangeur recevant un oscillateur local à 911,1 MHz transpose le
spectre S2 en deux bandes latérales autour de 911,1 MHz, spectre S3. Un filtre
passe-bande sélectionne la bande 940 à 960 MHz et l’on dispose alors du spectre
unique S4. Un second mélangeur transpose S 4, grâce à un oscillateur variable
compris entre 1421,25 MHz et 1 805,25 MHz. Le signal de sortie est alors un
signal d’émission en BLA dans les bandes IV et V.
Si la fréquence du deuxième oscillateur vaut 1421,25 MHz, le produit utile
résultant du mélange dans M 2 vaut :
1421,25 – 950 = 471,25 MHz, canal 21.
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
81
S1 S5
Canal Canal
21 69
Mélangeur Mélangeur
M1 M2
S2 S3 S4
Démodulation en BLA
En BLA, comme en modulation d’amplitude double bande avec porteuse, on
peut opter pour deux types de démodulation :
– démodulation par redressement et filtrage, détection d’enveloppe;
– démodulation cohérente par récupération de la porteuse et multiplication.
Les avantages de la BLA sont essentiellement une réduction de l’encombrement
spectral et une démodulation éventuellement simplifiée. Ils se traduisent par une
complexité accrue de l’émetteur.
2
m A ⁄ 2 P tot
2 2
––2 PBL P BL 2 + mA P
AMDB PBL/2 m PBL/2 2kTB ---2- P BL -----------
- BL
------- = ---------- -----
mA
2 2kTB 2 + mA
2 kTB
PBL/2 PBL/2 P BL P
BL
AMDB-SP 2kTB ---2- PBL -------
2kTB
PBL/2 P BL P BL P
BL
AM-BLU kTB ---2- ---2- -------
2kTB
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
83
m2 2PBL m2
––––––2 PBL –––– ––––––2 PBL 2 2
2(2 + m ) 2 + m2 2(2 + m ) mA P BL m A
AMDB 2kTB P BL --------------- PBL ----
- ----------
2(2 + m A )
2 kTB 2 + mA
2
PBL/2 PBL/2
P BL P BL
AMDB-SP 2kTB ---2- PBL ----
kTB
-
B
PBL
P BL
AM-BLU kTB PBL PBL ----
kTB
-
B
ω:v
i te
y ss
e
t1
de
ro
ta
t0
tion
ϕ1 A
ϕ2
ϕ0
O x
–∆ϕ
+∆ϕ
B
∞
sin(z sin q) = 2 ∑ J 2k + 1 (z) sin(2k + 1 ) q
k=0
En utilisant les relations :
cos(x sin y) = J0 (x) + 2[ J2 (x) cos 2y + J4 (x) cos 4y + J6 (x) cos 6y + …]
sin(x sin y) = 2[ J1 (x) sin y + J3 (x) sin 3y + J5 (x) sin 5y + J7 (x) sin 7y + …]
Jn (x) sont les fonctions de Bessel de la première espèce, n est l’ordre et x l’argument.
En développant n(t), il vient :
n(t) = A[J0 (mF ) sin(wt + F )+ J1 (mF ) [sin(wt + w1t) – sin(wt – w1t)]
+ J2 (mF ) [sin(wt + 2w1t) + sin(wt – 2w1t)]
+ J3 (mF ) [sin(wt + 3w1t) – sin(wt – 3w1t)]
+ J4 (mF ) [sin(wt + 4w1t) + sin(wt – 4w1t)] + …
n(t) peut se mettre sous une forme générale :
n(t) = A[J0 (mF ) sin(wt + F )+ Jn (mF )[sin(wt + nwt1) + (– 1)n sin(wt – n w1t)]]
Courants BF de modulation
i
I
t0 II
Signaux
a modulants
t
i
b
t
Porteuses
i modulées
en fréquence
c
t
Jn (mF ) 1
0,9
0,8
Jo (mF )
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0
–0,1
–0,2 0 1
–0,3 3 4 5 6
2
0 1
–0,4
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
mF
J0 J1 J2 J3 J4 J5 J6 J7 J8 J9
0 1,00
0,25 0,98 0,12
0,5 0,94 0,24 0,03
1 0,77 0,44 0,03
1,5 0,51 0,26 0,23 0,01
2 0,22 0,58 0,35 0,13 0,03
2,5 – 0,05 0,5 0,45 0,22 0,07 0,02
3,0 – 0,26 0,34 0,49 0,31 0,13 0,04 0,01
4,0 – 0,40 – 0,07 0,36 0,43 0,28 0,13 0,05 0,02
5,0 – 0,18 – 0,33 0,05 0,36 0,39 0,26 0,13 0,05 0,02
6,0 0,15 – 0,28 – 0,24 0,11 0,36 0,36 0,25 0,13 0,06 0,02
7,0 0,30 0,00 – 0,30 – 0,17 0,16 0,35 0,34 0,23 0,13 0,06
8,0 0,17 0,23 – 0,11 – 0,29 – 0,10 0,19 0,34 0,32 0,22 0,13
9,0 – 0,09 0,24 0,14 – 0,18 – 0,27 – 0,06 0,20 0,33 0,30 0,21
L
mF = 1
F = ∆F ∆F = F
L = 4F
F0 f
L
∆F mF = 5
∆F = 5F
F L = 12F
F0 f
L
∆F mF = 10
∆F = 10F
F L = 22F
F0 f
Bande de Carson
L’objectif est de donner une relation mathématique simple et assez précise de
l’occupation spectrale du signal modulé en fréquence par un signal quelconque.
En principe, le spectre du signal modulé est infini mais dans le tableau 2.5 on
remarque que les coefficients Jn (x) décroissent très rapidement en fonction de
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
91
l’ordre n. D’où l’idée de ne pas tenir compte des raies ayant une puissance « non
significative».
Il peut paraître étonnant d’utiliser un critère si subjectif, mais tel est le cas.
On obtient alors la célèbre formule de Carson :
B = 2(mF + 1)f1max
f1max est la fréquence maximale du signal modulant, mF est l’indice de modula-
tion :
Df
m F = -----------
f 1max
D f est l’excursion de fréquence.
La formule de Carson peut aussi s’écrire :
B = 2(D f + f1max)
Le critère de sélection des raies d’amplitude ou puissance significative étant par
nature arbitraire, il n’est pas étonnant de rencontrer quelquefois des variantes de
cette expression :
B1 = 2(D f + a f1max)
avec a compris entre 1 et 2.
EXEMPLE
Soit le cas de la radiodiffusion en modulation de fréquence dans la bande
88 à 108 MHz.
Df = 75 kHz
et
f1max = 15 kHz
On cherche l’occupation spectrale de la porteuse modulée.
75
m F = ------ = 5
15
B = 2(5 + 1)15 = 180 kHz
a = 2, d’où :
Modulateurs de fréquence
Oscillateur contrôle en tension (VCO)
Tout type d’oscillateur, un oscillateur LC fixe par exemple, peut être modifié en
oscillateur contrôle en tension. Cette opération consiste à remplacer une ou
plusieurs capacités fixes déterminant la fréquence d’oscillation par une ou
plusieurs diodes à capacité variable : varicap.
La figure 2.31 rend compte de cette opération. Pour l’oscillateur à fréquence fixe,
la fréquence d’oscillation est fonction notamment des valeurs L et C.
VCC VCC
Cd
VE R
C L
Sortie Sortie
;;;;;;; ;;;;;
Cd
Fonction de
f0 + ∆f transfert du VCO
f0
f0 – ∆f
VE
VO
Signal modulant
m (t) = sin ω1 t
Si Df f0, les variations autour de la fréquence centrale sont faibles et l’on peut
admettre que la relation est linéaire. À Df constant, la linéarité augmente si f0
augmente.
Les avantages de la configuration de la figure 2.31 sont l’extrême simplicité.
L’inconvénient majeur est l’absence de stabilisation. La fréquence de sortie de
l’oscillateur est donc sujette à des dérives en fonction de la température, des
tensions d’alimentation, de polarisation, etc.
Cet inconvénient principal rend cette solution inutilisable dans la plupart des cas.
LS CS RS
CP
Additionneur VCO
+
Signal f0 = N / fRef
modulant
m (t) +
Filtre de boucle
fRef %N
Démodulateurs de fréquence
Comme dans le cas des modulateurs, plusieurs configurations peuvent répondre
au problème posé. Les trois solutions les plus courantes ont été retenues pour
cette présentation. On parle soit de démodulateur de fréquence, soit de discrimi-
nateur de fréquence, les deux termes sont identiques.
Discriminateur de Foster-Seely
Le schéma de principe du discriminateur de fréquence de Foster-Seely est repré-
senté à la figure 2.36.
Soit le signal modulé en fréquence :
dn ( t )
------------- = 2 p A ( f + D f cos w 1 t ) cos ⎛ w t + ----- sin w 1 t + F⎞
Df
dt ⎝ f1 ⎠
La Ca Vs (t )
n (t ) 1
porteuse Signal BF
modulée démodulé
en fréquence
Lb Cb
Vs (t )
2
Circuits Détecteur
accordés d'enveloppe
Le signal obtenu est encore un signal modulé en fréquence dont l’enveloppe est
une fonction linéaire du signal modulant m(t). Pour récupérer le message origi-
nal émis, il suffit donc de mesurer l’enveloppe de ce signal.
On peut donc utiliser un procédé analogue à celui de la détection d’enveloppe en
modulation d’amplitude. Sur la figure 2.36, le circuit La Ca est accordé sur la
fréquence fa et le circuit Lb Cb est accordé sur la fréquence fb . Les fréquences fa et
fb sont décalées et symétriques par rapport à la fréquence f, fréquence de la
porteuse.
Les courbes de la figure 2.37 donnent la réponse en fréquence constituée par les
deux circuits accordés sur les fréquences fa et fb . Autour de la fréquence centrale
f, la courbe de réponse des deux circuits accordés et montés en opposition de
phase est assimilable à celle d’un dérivateur idéal. Il suffit ensuite de placer deux
détecteurs d’enveloppe, comme en modulation d’amplitude.
Le discriminateur de Foster-Seely a été, par le passé, largement utilisé. Son prin-
cipal intérêt réside dans sa simplicité et son faible coût. Pour cette raison, il était
largement employé dans tous les récepteurs grand public.
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
99
Amplitude
Détecteur 1 Détecteur 2
m (t )
fa fb Fréquence
n (t )
Réponse du
dérivateur idéal
Discriminateur à quadrature
● Principe
Détecteur de phase/multiplicateur
n (t) m (t)
π/2
Le signal modulé en fréquence n(t) est envoyé directement à une des entrées du
multiplicateur. La seconde entrée du multiplicateur reçoit un signal déphasé
d’une valeur proportionnelle à l’écart avec la fréquence centrale.
Soit le signal modulé en fréquence :
n (t ) m (t )
CO
VE
VS
;;
;;;
L C R
Vs ( p )
Nous nous intéressons à la fonction de transfert : ---------------
VE ( p )
2
Vs ( p ) C0 L ( C + C 0 )p
- = ---------------- ------------------------------------------------------
--------------
VE ( p ) C + C0 2 L
L ( C + C 0 )p + --- p + 1
R
Cette fonction peut se mettre sous la forme :
2
p
-----2
Vs ( p ) C0 w0
- = ---------------- ---------------------------------
--------------
VE ( p ) C + C0 p 2
1 p
-----2 + ---- ----- + 1
w Q w0
0
1
avec w 0 = -----------------------------
L ( C + C0 )
R C+C
et Q = --------- = R ---------------0- = R ( C + C 0 ) w
L w0 L
Il s’agit, ayant posé ces notations, de chercher la réponse en phase circuit R, L,
C, C0.
Vs ( p ) C0 w2 1
- = – ---------------- -----2 ----------------------------------------
--------------
VE ( p ) C + C0 w ⎛ w 2⎞ 1 w
0
⎜ 1 – -----2⎟ + j ---- w -----
⎝ w ⎠ Q 0
0
1 w
– ---- -----
Q w0
Soit j la phase recherchée : j = arctan --------------2-
w
1 – -----2
w0
p
w est voisin de w0, la phase j est proche de – --- .
2
La phase j peut être obtenue en posant :
p
j = – --- + a
2
2
w
1 – -----2
w
tan a = --------------0-
1 w
---- -----
Q w0
a étant petit, on pourra adopter l’approximation suivante : tan a = a
102 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
soit :
2 2
Q ( w0 – w ) Q ( w0 + w ) ( w0 – w )
a = --------------------------- = ----------------------------------------------
ww 0 ww 0
2Q ( w 0 – w )
a = ----------------------------
w0
en posant : w0 + w = 2w
Finalement on obtient :
p 2Q ( w 0 – w ) p Df
j = – --- + ---------------------------- = – --- + 2Q -----
2 w 0 2 f0
Cette relation est bien conforme à l’hypothèse posée. La phase est proportion-
nelle à l’écart de fréquence entre la fréquence centrale du circuit oscillant et la
fréquence instantanée du signal modulé. Le démodulateur à quadrature fonc-
tionne donc de manière linéaire.
Les courbes de la figure 2.40 représentent la phase de la fonction de transfert du
circuit R, L, C, C0, pour diverses valeurs du coefficient de surtension Q.
200
Phase
Q = 100
175 Q = 80
Q = 60
150
125
Q = 20
Q = 10
100
π/2
75
50
25
0
0,95 0,975 1 1,025 1,05
∆ω/ω0
Dw w0 – w
Figure 2.40 – Expression de la phase en fonction du rappor t ------- = --------------
-.
w0 w0
Démodulateur à PLL
● Principe
Le démodulateur à PLL est une variante intéressante des démodulateurs de
fréquence. Le fonctionnement d’un démodulateur de ce type peut se compren-
dre de manière qualitative.
Supposons, avec la configuration de la figure 2.41, que le démodulateur reçoive
la porteuse non modulée en fréquence, sur l’entrée du comparateur de phase.
104 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Le système étant bouclé et stable, la tension de sortie du filtre de boucle est une
tension continue.
km ( p ) K 0 V ( p )
V ( p ) = F ( p )K D --------------- – ------------------
p p
EXEMPLE
Soit un signal vidéo modulant une porteuse à la fréquence centrale de 90 MHz.
L’objectif est de savoir si l’on peut choisir la pulsation naturelle de la boucle
et obtenir une valeur répondant aux critères établis.
Pour un signal vidéo la fréquence maximale vaut environ 5 MHz, f1max = 5 MHz.
Si l’on choisit wn = 2pfn et fn = 9 MHz, la condition est juste remplie :
5 MHz 9 MHz 90 MHz
La pulsation naturelle de la boucle est égale au dixième de la fréquence
centrale, ce qui constitue une limite en deçà de laquelle on évite générale-
ment de descendre.
Il ne faut pas perdre de vue que les entrées du comparateur de phase reçoi-
vent un signal à la fréquence f0.
● Applications
La plupart des récepteurs de télévision analogique par satellite sont équipés
d’un démodulateur de ce type. En général la démodulation s’effectue au voisi-
nage de 480 MHz.
La structure de la figure 2.41 se prête particulièrement bien à l’intégration dans
un circuit. Certains éléments comme les selfs, fixant la fréquence centrale, ou les
capacités fixant la pulsation naturelle de la boucle, sont extérieurs au circuits.
Dans la majorité des cas, ces circuits intégrés répondent à des besoins provenant
d’applications spécifiques.
La structure de la figure 2.41 peut aussi être utilisée avec des composants
discrets.
Une attention particulière doit être portée au comparateur de phase qui doit
être comparateur de phase et de fréquence pour que la capture puisse avoir lieu.
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
107
DSP
f2
fP Fréquence
0 f1 max Fréquence
B : bande de Carson
Figure 2.42 – Spectre de bruit blanc Figure 2.43 – Densité spectrale de bruit
à l’entrée du démodulateur de fréquence. en sortie du démodulateur de fréquence.
m F = 0
mF =1
m F = 5
m F = 3
m
F = 2
1
P
BS
D
S/B (dB) sortie du démodulateur
50
M
A
40
30
Seuil
FM
20
10
0
0 10 20 30 40 50 60
C/N (dB) entrée du démodulateur
2
Gain de modulation = 3m F
Ces courbes montrent aussi que plus l’indice de modulation est élevé, plus la
valeur du seuil est importante.
D’autre part, la bande occupée par le signal porteur modulé par le signal en
bande de base suit la loi donnée par la formule de Carson :
B = 2(mF + 1) f1max
Le bruit dans cette bande de fréquence est donné par la relation :
N = kTB
Même si on néglige l’occupation spectrale, il apparaît clairement qu’il n’est pas
possible d’opter pour une valeur importante de mF sans augmenter simultané-
ment la puissance d’émission.
S’il existe une limitation sur le paramètre puissance émise, les courbes de la
figure 2.44 montrent qu’il est préférable d’opter pour mF égal à 1 au lieu de mF
égal à 5 lorsque le rapport C/N vaut 15 dB.
110 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Préaccentuation et désaccentuation
La figure 2.45 rend compte de l’allure des spectres de bruit et d’un signal analo-
gique réel à transmettre. Le spectre d’un signal audio ou d’un signal vidéo réel
aura une allure voisine de celui de la figure 2.45.
Spectre du message
DSP (dB)
à transmettre Spectre de bruit f 2
f1 max Fréquence
Figure 2.45 – Spectre du bruit et message réel en sor tie du démodulateur FM.
Dans la plupart des cas pratiques, le spectre est globalement décroissant en fonc-
tion de la fréquence. Les signaux ont donc peu d’énergie dans les bandes où,
précisément, le bruit est le plus important. L’idée de la préaccentuation consiste
donc à relever le niveau des composantes les plus élevées avant la modulation.
Après la démodulation, une fonction inverse de la préaccentuation, la
désaccentuation permet de récupérer le signal original.
La chaîne de transmission de la figure 2.46 est alors généralement utilisée.
m (t ) m (t )
Modulateur
Préaccentuation Démodulateur Désaccentuation
Préaccentuation
Qu’il s’agisse d’un signal audio ou d’un signal vidéo, les deux circuits représentés
à la figure 2.47 sont utilisables comme réseaux de préaccentuation.
Ces deux circuits sont identiques et ont pour fonction de transfert :
V R3 R 2 Cp + 1
-----S- = ----------------- ----------------------------------
VE R2 + R3 R2 R3
-----------------Cp + 1
R2 + R3
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
111
C C R3
; ;;
; ;; ; ;;
R2 R2 R3
+
VE R3 VS VE
VS
VS /VE
Réponse asymptotique
Courbe réelle
1 R3
=
N R2 + R3
f1 f2 Fréquence
Désaccentuation
Le réseau de la figure 2.49 peut être utilisé comme réseau de désaccentuation. La
fonction de transfert de ce réseau simple s’écrit :
V RCp + 1
-----S- = -------------------------------------
VE ( R + R 1 )Cp + 1
R1
R
; ;;
VE VS
C
Courbe réelle
R
N1 =
R + R1
f3 f4 Fréquence
EXEMPLE
Soit un signal vidéo désaccentué par une cellule donnant une fonction de
transfert proche de la norme CCIR 401 – transmission vidéo par satellite.
R1 = 1200 W; R = 270 W; C = 390 pF
Ceci conduit aux valeurs suivantes pour la préaccentuation :
R2 = 1470 W; R3 = 330 W; C = 390 pF
6 MHz Fréquence
Signal en bande de base
Signal porteur
modulé en
fréquence
En télévision par satellite, le multiplex peut être beaucoup plus chargé car,
comme le montre la figure 2.52, on peut ajouter un grand nombre de voies audio
supplémentaires.
A (dB)
Vidéo
etc.
En FM, les étages finaux pourront donc travailler en classe C et donner un bien
meilleur rendement que les étages fonctionnant en classe A pour la modulation
d’amplitude. L’inconvénient majeur de la modulation de fréquence r este donc
l’occupation spectrale définie par la formule de Carson.
116 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
k=1
∞
sin (z cos q) = 2 ∑ ( – 1 ) J2k + 1(z) cos (2k + 1) q
k
k=0
soit :
cos (Dq cos w1t) = J0 (Dq) – 2[ J2 (Dq) cos 2w1t – J4 (Dq) cos 4w1t + J6 (Dq) cos 6w1t
– J8 (Dq) cos 8w1t]
sin (Dq cos w1t) = 2[ J1(Dq) cos w1t – J3 (Dq) cos 3w1t + J5 (Dq) cos 5w1t
– J7 (Dq) cos 7w1t]
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
117
Modulateur de phase
Il existe deux méthodes assez différentes pour obtenir un signal modulé en phase.
L’inconvénient majeur de ces méthodes est que l’on obtient des modulations à
faible indice.
Réactance variable
Le schéma de la figure 2.53 représente un circuit à réactance variable recevant
simultanément le signal porteur et le signal modulant en bande de base.
Le principe d’un tel circuit se comprend aisément. Il suffit de disposer d’un
élément actif dont la composante L ou C est variable en fonction d’une tension
de commande. Une diode à capacité variable pourrait aussi être utilisée.
La fréquence d’entrée est issue d’un générateur stable, oscillateur à quartz par
exemple. L’indice de modulation est faible. Pour obtenir des indices de modula-
tion importants, la sortie modulée en phase est envoyée à une chaîne de multipli-
cateurs et transposée en fréquence comme dans le cas de la figure 2.34.
118 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Sortie RF
modulée
Entrée RF en phase
Entrée du signal
modulant
en bande de base
;;
; ;; +V
;;
Sortie RF
;;
modulée
en phase
Entrée RF
fréquence centrale f
VP
Accord sur
la fréquence
centrale f
; ;
Entrée du signal
modulant
en bande de base
Filtre passe-bas
intégrateur
On admet que l’indice de modulation est suffisamment petit pour pouvoir faire
les approximations suivantes :
cos (Dq cos w1t) = 1
sin (Dq cos w1t) = Dq cos w1t
Ce qui donne pour la porteuse :
n(t) = A[sin (wt + j) + Dq cos w1t cos (wt + j)]
Le terme A Dq cos w1t cos ( wt + j) correspond à l’équation d’une porteuse
A cos (wt + j) modulée en amplitude à porteuse supprimée par le signal modu-
lant Dq cos w1t.
Le terme A sin (wt + j) correspond à une porteuse en quadrature non modulée.
À partir de ces conclusions, la construction du schéma synoptique de la
figure 2.54 ne pose aucune difficulté. Si le signal modulant traverse un intégra-
teur on dispose alors d’un modulateur en fréquence à faible indice.
Mélangeur
+
Intégrateur
Signal modulant n (t)
en bande de base +
A cos (ωt + ϕ)
–π/2
A sin (ωt + ϕ)
Comme précédemment, le signal n(t) n’est pas utilisé directement mais envoyé
vers une chaîne de circuits non linéaires et de filtres pour multiplier à la fois la
fréquence porteuse et l’excursion de fréquence.
Démodulateur de phase
La modulation de phase n’est pas utilisée. Il ne s’agit en général que d’une étape
intermédiaire dans l’élaboration d’un modulateur de fréquence.
En conséquence, la démodulation est une simple démodulation de fréquence.
Toutefois, on peut noter qu’une pure modulation de phase peut être démodulée
par un démodulateur de fréquence suivi d’un circuit dérivateur.
120 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Modulation Modulation
de fréquence FM de phase ⌽M
Indice ∆F
de modulation
∆θ
f1max
Déviation ∆F f1max ∆θ
de fréquence
Schéma BF FM BF ΦM
synoptique Φ Φ
avec
modulateur Modulateur Modulateur
de phase de phase de phase
Schéma BF FM BF d ΦM
synoptique FM FM
avec dt
modulateur Modulateur Modulateur
de fréquence de fréquence de fréquence
⎛ --S- ⎞ = m 2 ( m + 1 ) ⎛ ---
C⎞
-
⎝B ⎠ S F F ⎝N ⎠
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
121
Encombrement Étage
Ampli
spectral Complexité d’amplification Complexité
Rapport S/B de Applications
bande de base modulateur FI démodulation
sortie
f1max en réception
multiplex
simple : moyenne stéréo FM
AM DBSP 1 2f1max un mélangeur C.A.G réception chrominance
A
équilibré cohérente PAL
NTSC
complexe
téléphonie
pour obtenir
AM BLU 1 f1max A G.A.G. complexe par satellite
d’excellentes
radio-amateur
performances
radiodiffusion
simple
mA
2 simple qualité
- réception
AM DBAB ---------2 2f1max mélangeur A C.A.G.
cohérente
moyenne
2+ m A équilibré BW 5 KHz
- redressement
G.O/O.M/O.C
simple
- réception transmission
AM BLR 1 f1max assez simple A C.A.G.
cohérente télévision
- redressement
simple radiodiffusion
simple
2 - discriminateur audio
FM 3m F 2(mF + 1)f1max - VCO C limiteurs
à quadrature télévision
- PLL
- PLL par satellite
122 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Il ne s’agit pas ici d’examiner un point particulier, rapport signal sur bruit ou
occupation spectrale, comme cela a été fait dans les descriptions théoriques, mais
bien d’avoir une vue panoramique des avantages et inconvénients propres à
chaque type de modulation.
Le rapport signal sur bruit et l’encombrement spectral figurent en bonne place
dans le tableau 2.7 mais les autres paramètres ne doivent surtout pas être ignorés.
Les critères de complexité doivent être observés attentivement. Bien que
complexité ne soit pas synonyme de difficulté, des difficultés techniques peuvent
survenir.
Dans le cas de la modulation BLU par exemple, même si l’on opte pour des
modulateurs à réjection d’image, l’objectif du taux de réjection de l’image ne
s’envisage pas à la légère. Choisir une réjection de 100 dB par exemple, condui-
rait à de réels difficultés techniques. Hormis le cas particulier de la BLU, la
conception et la mise en œuvre des modulateurs et démodulateurs ne posent
pas de problème particulier. Il faudra aussi intégrer les données concernant
l’émetteur.
Si la modulation est en amplitude, les étages de sortie devront être linéaires, c’est-
à-dire fonctionner en classe A ou AB.
Le fonctionnement en classe A implique un mauvais rendement de l’étage ampli-
ficateur, – 25%, dans le meilleur des cas. Ce paramètre peut être extrêmement
important si l’émetteur est autonome et qu’on lui associe des impératifs de poids,
encombrement et durée minimale d’autonomie.
A contrario, si l’on opte pour une modulation de fréquence, l’étage de sortie peut
fonctionner en classe C. La linéarité en amplitude n’a que peu d’importance et le
rendement est optimum.
À la réception, la démodulation ne s’effectue que très rarement à la fréquence de
la porteuse.
La fréquence de la porteuse est transposée en une fréquence que l’on a coutume
d’appeler fréquence intermédiaire. Cette fréquence est en général choisie de
manière à faciliter l’amplification et la démodulation.
Dans le cas de la modulation d’amplitude, comme pour les étages finaux de
l’émetteur, on doit travailler dans les plages linéaires des amplificateurs pour
conserver l’information contenue dans l’amplitude. Il faut donc amplifier pour
pouvoir traiter le signal, mais éviter toute saturation des étages à la fréquence
intermédiaire. Une saturation complète d’un ou plusieurs étages entraînera la
perte totale du message.
Une compression dans la fonction de transfert entrée/sortie entraînera une
distorsion dans le message démodulé.
CHAPITRE 2 - MODULATIONS ANALOGIQUES
123
Tableau 2.8
M ODULATIONS NUMÉRIQUES
On se propose dans ce chapitre d’examiner le cas de la transmission, autour
d’une fréquence porteuse, de signaux numériques.
Comme dans le cas d’une transmission analogique on dispose d’une porteuse :
n(t) = A cos (wt + j)
w = 2 pf
Les trois paramètres de cette porteuse sont l’amplitude A, la fréquence f et la
phase j. On aura donc trois types de modulations possibles :
– modulation d’amplitude;
– modulation de fréquence ;
– modulation de phase.
3.1 Définitions
Le schéma de principe d’une chaîne de transmission numérique est représenté sur
la figure 3.1. Ce schéma synoptique diffère quelque peu de celui que l’on a l’habi-
tude de rencontrer pour les modulations analogiques. Le cas du signal numérique
est un cas bien particulier et pour cette raison il est traité de manière différente.
Signal numérique émis
Code
correcteur Correction
Compression d'erreur Modulateur Démodulateur des erreurs Décompression
1 0 0 1 1 0 1
+V
0
erf ( x ) = ------- e dt
2 x –t 2
p 0
2 ∞ –t 2
erfc ( x ) = ------- e dt = 1 – erf ( x )
p x
EXEMPLE
Soit un canal de largeur de bande B = 10 kHz dans lequel le rapport signal
sur bruit vaut
S/N = 15 dB.
La capacité ou débit théorique maximal vaut :
C = 10000 log2 (32,622) = 50288 bits . s– 1
x p(x)dx
x2
P{x1 x x2} =
1
P{– x1 x x1} =
+ x1
p(x)dx
– x1
138 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
1
p (x )
0,8
0,6
0,4
0,2
0
–1,5 –1 –0,5 0 0,5 1 1,5
x
x
En posant : u = ---------- , on a : dx = du s 2
s 2
Il s’agit de la fonction que l’on définit comme fonction d’erreur. Dans la plupart
des cas, le bruit présent peut être assimilé à une variable de valeur moyenne nulle
et ayant une distribution gaussienne. La valeur moyenne de la puissance de bruit
est égale à la variance. Le rapport signal sur bruit peut alors s’écrire :
S S
---- = ----2-
N s
Filtrage de
(a) l'implusion
Seuil Interférence
(b)
S log 2 M E b
---- = --------------- ------
N Tb B N0
Eb /N0 est une valeur indépendante du procédé de modulation.
En utilisant les relations antérieures on obtient aussi :
1 D
D = ----- et h = ----
Tb B
S Eb
---- = h log 2 M ------
N N0
A
1
A
–5 –3 –1 0 1 3 5 f f
1 0
8 2 2 8
2 Tb – –
Tb Tb Tb Tb
Figure 3.5 – Décomposition en série d’un Figure 3.6 – Représentation spectrale d’un
signal rectangulaire normalisé à 1 ⁄ 2T b . signal numérique NRZ de débit D = 1 ⁄ T b .
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
141
0 1 1 0 1 0 0
+A
t
–A
1
Tb
Signal modulé
en amplitude Fréquence f
A
f f
1 1
f– f+
2Tb 2Tb
1 1
f– f+
Tb Tb
1
B = -----
Tb
1
Le débit binaire D vaut D = ----- et on a donc l’efficacité spectrale :
Tb
D 1 Tb
h = ---- = ----- ⋅ ----- = 1
B Tb 1
1 1
Une limitation entre les fréquences f – ----- et f + ----- , plus simple à réaliser,
Tb Tb
conduit évidemment à une efficacité réduite de moitié, η = 1 ⁄ 2 . Cette valeur
de h est telle que ce type de modulation est classé dans les modulations peu
efficaces.
Ce procédé de modulation est souvent appelé ASK (amplitude shift keying) ou
plus rarement OOK (on off keying).
142 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Oscillateur
fréquence Filtrage Amplification
porteuse
Signal NRZ
Oscillateur
fréquence Modulateur Amplificateur
porteuse d'amplitude
Signal ASK
limité en
largeur de
bande
Signal
d'entrée
NRZ
Filtre passe-bas
Circuit de décision
Seuil
Démodulation cohérente
Le schéma synoptique d’un démodulateur ASK cohérent est représenté à la
figure 3.11.
Seuil
Mélangeur
Intégrateur Circuit de
décision
Oscillateur
fréquence f2
f2 = f + ∆f
Signal NRZ = 0
u (t)
Signal modulé FSK
Signal NRZ = 1
Oscillateur
fréquence f1
f1 = f – ∆f
Aux instants de commutation, la phase relative des deux générateurs est quelconque.
La figure 3.13 est une représentation temporelle du signal u(t) en sortie du
commutateur sélectionnant alternativement les oscillateurs aux fréquences f1 ou
f2. Cette figure met en évidence les deux modulations ASK des porteuses f1 et f2.
0 1 1 0 1 0 0
Modulation de f2 ASK
t
Modulation de f1 ASK
t
FSK FSK
t
f2 = f1 =
f + ∆f f – ∆f
Discontinuité de phase aux
instants de commutation
Le spectre du signal numérique NRZ est donc transposé autour des fréquences f1
et f2 comme dans une modulation ASK. La DSP (densité spectrale de puissance)
de ce signal FSK présente des raies discrètes aux fréquences f1 et f2.
Soit 2B1 l’occupation spectrale du signal NRZ autour de chaque porteuse.
Les schémas de la figure 3.14 permettent d’aboutir rapidement à une valeur
approchée de l’occupation spectrale du signal FSK :
B2 = 2(B1 + Df )
B1 : largeur de bande maximale du signal modulant,
Df : excursion de fréquence.
Cette relation est analogue à la formule de Carson adaptée pour les modulations
de fréquence analogiques.
Le modulateur FSK de la figure 3.12 est peu utilisé bien que sa simplicité puisse
être éventuellement intéressante. Il faut aussi noter que l’emploi d’oscillateurs à
quartz ou d’oscillateurs contrôlés numériquement NCO peut résoudre tous les
problèmes de stabilité.
148 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
f1
B1 f
f2
f1 f2
FSK
2∆f f
B2 = 2 (B1 + ∆f)
f2
VCO
f1
Signal Signal
d'entrée CPFSK
NRZ
VINL VINH V
Fonction de transfert du VCO
Dans ces conditions, les discontinuités de phase, visibles sur la figure 3.13, aux
instants de commutation, disparaissent.
La DSP du signal CPFSK ne présente plus de raie discrète aux fréquences f1 et
f 2.
L’enveloppe de la DSP présente des maximums espacés approximativement de
f2 – f1 = 2Df et d’autant plus accentués que Df est grand par rapport à B1, donc au
débit binaire 1/Tb.
On pose :
f2 – f1 2Df
x = ------------
- = --------
D D
Les courbes de la figure 3.16 donnent l’allure de la DSP du signal modulé FSK
pour diverses valeurs de x.
DSP
DSP
x = 1,25
x = 0,5
x = 0,75
x = 1,5
x = 0,63 = 1/π
x = 1,75
x=1 x=2
(f – fp)/D (f – fp)/D
f2 – f1
Figure 3.16 – DSP des signaux FSK en fonction de -----------
D
-.
0 0 1 0 1
Signal
num.
NRZ
D = 1 200 bauds
f1 = 1 200 Hz f2 = 1 800
200 Hz
Pour chacun des éléments binaires transmis, la phase du signal FSK à l’instant de
commutation est soit 0 soit p et la continuité de phase est assurée pendant la transition.
Ce procédé de modulation, MSK, est très souvent utilisé pour des modems à basse
vitesse jusqu’à quelques centaines de kbits . s–1. Malgré tout le procédé MSK est
jugé insuffisant, en ce qui concerne la puissance des lobes secondaires, dans des cas
critiques où le nombre et l’espacement des canaux sont les critères essentiels.
F (ω) A
ΩC
1 Amax =
2 πln 2
1/2 Amax
2 8 (ln 2)2
ωC
–ω 1 ωC ω t
Un tel filtre analogique est assez difficilement synthétisable mais peut être
approché. Des filtres numériques sont en général mis en service.
Posons :
f
BT = ---c-
D
w
f c = ------c
2p
La courbe de la figure 3.19 représente deux cas où la réponse gaussienne a été
approchée avec deux coefficients BT différents.
Dans le cas BT = 0,5 la réponse s’étale sur deux temps bit ;
dans le cas BT = 0,3 la réponse s’étale sur trois temps bit environ.
152 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Les DSP des modulations MSK et GMSK pour BT = 0,5 et BT = 0,3 sont
donnés à la figure 3.20.
1
Amplitude
Signal
0,9 d'entrée BT = 0,5
0
0,8
0,7 BT = 0,3 MSK
–10
0,6
–20
0,5
0,4 –30
0,3 GMSK
BT = 0,3
0,2 –40
0,1
–50 GMSK
0 BT = 0,5
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4 –60
Temps bit 0 0,5 1 1,5
Figure 3.19 – Mise en forme du signal NRZ Figure 3.20 – DSP des modulations
par filtrage de Gauss MSK et GMSK.
pour deux valeurs de BT.
Absence d'interférence
intersymbole
BT = 0,5 Data Input = 1 1 0 1 1 1 1 1
1
GMSK Filter Output
0
Bit 0 Bit 1 Bit 2 Bit 3 Bit 4 Bit 5 Bit 6
1
Pulse Outputs
in Isolation
0
1
Logic Input
0
Présence d'interférence
intersymbole
BT = 0,3 Data Input = 1 1 0 1 1 1 1 1
1
GMSK Filter Output
0
Bit 0 Bit 1 Bit 2 Bit 3 Bit 4 Bit 5 Bit 6
1
Pulse Outputs
in Isolation
0
1
Logic Input
0
1 2 3 4 5 6 7 8
f2 – f1
- = 0,5
------------
D
154 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
f2 – f1
= 0,5
D
Débit = D
Signal Signal
d'entrée modulé
NRZ GMSK
VCO
Filtre à réponse
gaussienne
Le signal numérique en bande de base doit être codé pour faire disparaître la raie
à la fréquence 0. Le problème peut être résolu, synoptique de la figure 3.23, en
codant le signal NRZ en un signal Manchester.
Filtre VCO
Additionneur
+
Codage
Signal Manchester Signal
d'entrée FSK
NRZ +
Filtre de
boucle
Fréquence de
référence
Comparateur
de phase
Entrée modulation
Additionneur VCO
+
Signal fRF
d'entrée +
NRZ Filtre à réponse
gaussienne
Filtre de Diviseur de
boucle %N fréquence
fXTAL
Oscillateur Comparateur
à quartz de phase
VCXO
Signal Filtrage
reconstitué de sortie
Signal d'entrée NRZ
Oscillateur
contrôlé Signal de
Sélection du débit numériquement sortie MSK
Figure 3.25 – Signal MSK généré à partir d’un oscillateur contrôlé numériquement.
Filtre
passe-bande f1 Détecteur
Filtre
passe-bande f1
f1 en phase
Signal FSK Circuits de Signal NRZ
avec f1 émis décision
Filtre de sortie
passe-bande f2
f2 en phase
avec f2 émis
TEB
Cohérent FSK
10–2
10–3
BPSK
DPSK
10–4
10–5
0 2 4 6 8 10 12 14
Eb /N0 (dB)
Figure 3.28 – Taux d’erreur bit pour les modulations FSK, BPSK et DPSK.
Eb S
Le rapport ------ n’est pas le rapport ---- .
N0 N
Ces deux rapports sont liés par la relation :
E S B IF
-----b- = ---- -------
N0 N D
avec :
BIF : largeur du filtre à la fréquence intermédiaire; il s’agit alors du filtre placé en
amont du démodulateur,
D : débit binaire en bits . s–1.
B IF
------- est donc équivalent à l’inverse de l’efficacité spectrale.
D
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
159
3.3.9 Applications
Plusieurs systèmes de radiotéléphones cellulaires comme le GSM à 950 MHz
utilisent des procédés dérivés de la FSK.
– Le radiotéléphone GSM utilise le GMSK ;
– DCS 1800 en Europe, procédé de modulation GMSK avec BT = 0,3;
– DECT en Europe et en Chine, procédé de modulation GFSK avec BT = 0,5.
Ceci montre l’importance de ces procédés.
1 0 0 1 0 1 1
Signal
modulant
NRZ
Signal PSK
t
Modulateur
de phase
RF OL
Porteuse Signal
modulé
IF BPSK
R
Mise en forme
Translation
de niveau
Clock
D
Signal NRZ Data
À chaque temps bit la porteuse peut prendre deux valeurs de phase différentes 0
ou p. Le spectre du signal BPSK est représenté à la figure 3.32.
H (f)
Porteuse Enveloppe
0 0 1 0 1 1 1 0 spectrale
BPSK
fa – 1/t1 fa + 1/t1
fa f
Figure 3.31 – Signal modulé BPSK Figure 3.32 – Spectre du signal BPSK.
avec synchronisation du signal NRZ
sur la porteuse.
Largeur de bande
L’allure du spectre du signal modulé montre que l’occupation autour de la
fréquence porteuse vaut 2/Tb , soit deux fois le débit binaire B si on limite la
sin x
bande au premier lobe. La DSP du signal est une fonction en ---------- .
x
Pour la transmission, la largeur de bande peut, au maximum, être réduite de
moitié et limitée à la valeur D.
Modulateur BPSK
Un mélangeur équilibré ou un multiplicateur peut être utilisé comme modula-
teur BPSK. Le principe de ce composant essentiel est examiné dans le chapitre
relatif aux mélangeurs.
Le schéma de la figure 3.33 représente la structure interne du mélangeur. Le
signal NRZ est translaté vers deux niveaux – V et + V et envoyé via une résistance
R à l’entrée IF du mélangeur. La résistance R n’a pour but que de limiter le
courant dans les diodes à une valeur I = V/R. Alternativement, en fonction du
niveau – V ou + V, deux diodes sont passantes et deux diodes sont bloquées :
– Pour une tension + V, D1 et D2 sont passantes, D3 et D4 sont bloquées;
– Pour une tension – V, D3 et D4 sont passantes, D1 et D2 bloquées.
Les quatre diodes agissent comme un commutateur.
162 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
RF OL
;
D1 D4
D3 D2
;;
Signal modulant
+V
–V
R
IF
;
Figure 3.33 – Modulateur BPSK.
Démodulateur BPSK
Comme dans les cas précédents, il existe deux méthodes fondamentalement
différentes pour démoduler le signal, une démodulation cohérente ou une
démodulation non cohérente.
Démodulation cohérente
Le schéma synoptique du démodulateur est représenté à la figure 3.34.
M1
RF IF
Signal BPSK Signal NRZ
OL Filtrage passe-bas
élimination de
Cos ωt la composante ‡ 2 ω
M1
RF IF
Signal Signal
BPSK logique
Diviseur OL Filtre Translation NRZ
M2 par 2 passe-bas de niveau
RF IF
%2
OL Filtrage
passe-bande 2ω
Tableau 3.2
A B S
0 1 0
0 0 1
1 1 1
1 0 0
Tableau 3.3
Message 0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1
Codage 1 préambule 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 0
Pour le récepteur qui reçoit le message BPSK émis, il s’agit d’effectuer l’opération
inverse. Ceci ne pose pas de problème car le premier bit transmis vaut 1. Le
récepteur ayant connaissance de ce premier bit, le décodage s’effectue grâce à une
structure équivalente à celle de la figure 3.36 en positionnant à 1 le premier bit
reçu.
Registre
Horloge au
rythme des
données
Si le premier bit reçu vaut 1, la phase est récupérée avec la valeur 0. Si le premier
bit reçu vaut 0, il convient d’inverser le signal démodulé avant l’opération de
décodage.
Les opérations de codage et décodage du système mettent en évidence la
deuxième faiblesse du procédé qui nécessite tant à l’émission qu’à la réception,
une connaissance précise du rythme, débit binaire D.
Le schéma synoptique de la figure 3.37 permet d’effectuer de manière simple une
démodulation DBPSK en intercalant un circuit de retard analogique de durée
égale à 1 bit. Dans le cas de la séquence précédente émise, le fonctionnement du
démodulateur est résumé par le tableau 3.4.
RF IF
Signal Signal
d'entrée NRZ
DBPSK OL Filtre
passe-bas
Retard 1 bit
Phase reçue p 0 0 0 0 p p 0 p 0 0 0
Phase retardée p 0 0 0 0 p p 0 p 0 0 0
Sortie détecteur
0 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1
de phase
Les deux courbes correspondantes sont tracées à la figure 3.28. Elles ne diffèrent
que de 1 à 3 dB.
Mélangeur
M1
RF IF
Signal Signal
BPSK logique
OL Filtre Translation NRZ
passe-bas de niveau
%2
Multiplicateur
Comparateur
M2 de phase VCO
Signal
RF IF bruité
OL Filtre
passe-bande 2ω
Filtre de
boucle
DSP
– 3 – 2 – 1 ω 1 2 3 f
Tb T b T b 1 Tb Tb Tb
Tb
Modulateurs IQ
Les structures simples de modulateur de phase, utilisables pour la modulation
BPSK, ne conviennent pas lorsque le nombre d’états est supérieur à 2. On opte
alors pour une autre configuration, représentée à la figure 3.40, qui a pour nom
modulateur IQ.
Modulateur
cos ωt
π/2 +
Sortie
Additionneur modulée
+ v0 (t)
Oscillateur
sin ωt
Modulateur
Q
f
Q 0°
A
QA 2f
4f Q 180°
CK Q
O CK
IA I
Q CK Q 90°
Bascule D
%2
Q 270°
p
Le tableau 3.5 résume la configuration à adopter de la forme ( 2m + 1 ) --- avec
n = 0, 1, 2, 3. 4
La représentation sous forme d’un tableau de données n’est en général pas utilisée
et l’on préfère une représentation graphique dans le repère IQ et dans ce cas on
dispose les n points correspondant aux n combinaisons, on parle alors de constel-
lation.
Pour la modulation BPSK, la constellation comporte deux points.
Pour la modulation QPSK, la constellation comporte quatre points. La figure 3.43
représente la constellation pour la modulation QPSK.
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
171
Tableau 3.5
2 2 7p
11 A ------ – A -----
- ---4-
2 2
2 2 5p
10 – A -----
2
- – A -----
2
- ---4-
2 2 3p
00 – A -----
2
- A ------
2
---4-
2 2 p
01 A ------ A ------ -4
2 2
00 01
10 11
Démodulateur QPSK
Le schéma synoptique du démodulateur QPSK est donné à la figure 3.44. Ce
démodulateur est applicable à toutes les modulations PSK quel que soit le
nombre d’états.
La démodulation est cohérente et l’on suppose que l’oscillateur local est synchro-
nisé sur le signal émis. Les problèmes de synchronisation, qui sont en général les
plus complexes seront abordés ultérieurement. Chaque branche du modulateur I
ou Q est analogue à un démodulateur BPSK. Les mélangeurs M 1 et M2 effectuent
la multiplication entre le signal incident et le signal d’oscillateur local sin wt
ou cos wt.
En sortie des mélangeurs, des filtres éliminent les fréquences au double de la
fréquence de l’oscillateur local et le signal est envoyé vers des circuits à seuil.
172 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Mélangeur
M1
Q
I
Filtrage Circuit à
seuil
π/2 Déphaseur
90 degrés
Entrée du
signal
modulé Oscillateur
local
I
Q
Mélangeur
Filtrage Circuit à
M2 seuil
Q Q
A
S4
°
,5
S3
22
I O S1 S2 I
10–1
TEB
PSK
M = 32
10–2
QAM
M = 16
PSK
QAM M = 16 QAM
10–3 + M = 64
PSK
M=4
10–4
10–5
10–6
–6 –2 2 6 10 14 18 22
Eb /N0
Figure 3.47 – Taux d’erreur bit pour les modulations PSK et QAM.
174 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Q
MSB's = 10 MSB's = 00
7
1111 1110 1010 1011 0111 0101 1101 1111
Q
5
1101 1100 1000 1001 0110 0100 1100 1110
0110 0010 B
0111 0001 3
0101 0100 0000 0001 0010 0000 1000 1010
0100 0101 0011 A 0000 1
ϕA ϕB 0111 0110 0010 0011 0011 0001 1001 1011
1100 1111 1001 1000 I –7 –5 –3 –1 –1 1 3 5 7 I
1011 1001 0001 0011 0011 0010 0110 0111
1110 1010 –3
1101 1011
1010 1000 0000 0010 0001 0000 0100 0101
–5
1110 1100 0100 0110 1001 1000 1100 1101
–7
1111 1101 0101 0111 1011 1010 1110 1111
MSB's = 11 MSB's = 01
1
(1 + cos x )/2 A
0,8 α=0
α = 0,3
0,6
α = 0,5
0,4 α = 1,0
0,2
0
–180° 0° 180° x 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1
D
1
Gain
0,8
0,6
0,2
Roll-off = 0,5
0
–0,4
0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 4
Mélangeur
Filtrage
π/2 +
Translation
vers les
Signal valeurs Signal
NRZ modulé
I et Q
+
Mélangeur
Filtrage
Mélangeur
D
Filtrage
numérique A
Convertisseur
D-A
π/2 +
Calcul
des
valeurs
Signal Signal
I et Q
NRZ + modulé
Filtrage D
numérique A
Convertisseur Mélangeur
D-A
Bit 0
(impulsion) dB
–10
Spectre
–20
t
–30
1 bit
+1 v "1"
–40
Œil
0v t
–50
–1 v "0"
–60
f0
f0 – 1 f0 + 2
T T
f0 – 2 f0 + 1
T T
Débit binaire D = 1/T
Figure 3.54 – Spectre PSK non filtré; bit isolé ; diagramme de l’œil.
0
Bit dB
(impulsion)
–10
Spectre
–20
t
–30
Œil –40
t
–50
1,64 D
–60
f0
f0 – 1 f0 + 2
T T
f0 – 2 f0 + 1
T T
Débit binaire D = 1/T
Figure 3.55 – Spectre PSK filtré par un filtre actif d’ordre 8; bit isolé ;
diagramme de l’œil.
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
179
j = q
p
j = q + ---
4
3p
j = q + ------
4
7p
j = q + ------
4
j′ = 4q
j′ = 4q + p
j′ = 4q + 3p
j′ = 4q + 7p
Mélangeur
π/2
Signal
PSK
%M
Mélangeur
Élévation à
la puissance M Comparateur
de phase
M
VCO
Filtre de boucle
– S’il n’y a pas d’erreur de phase la sortie I est la sortie démodulée, la valeur de I
est utilisée par le troisième multiplicateur pour modifier la tension d’erreur
envoyée au VCO.
Mélangeur
M1
Composante
I de phase I Sortie
démodulée
Filtre passe-bas
VCO
Multiplicateur
M3
Filtre de boucle
Signal π/2 de l'asservissement
Modulé
Q Q
Composante
en quadrature
Mélangeur
Filtre passe-bas
M2
Mélangeur
M2 Filtre passe-bas Multiplicateur
Q
LPF
+
Vers les Vd
90° détecteurs
Signal de niveau
modulé –
QPSK
Mélangeur Filtre
M1 Limiteur
passe-bas
I
LPF
Multiplicateur
F (p)
0,6 0,6
Volts
Volts
0,4 0,4
0,2 0,2
0 0
–0,2 –0,2
–0,4 –0,4
–0,6 –0,6
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
Temps Temps
0,6 0,6
Volts
Volts
0,4 0,4
0,2 0,2
0 0
–0,2 –0,2
–0,4 –0,4
–0,6 –0,6
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
Temps Temps
0,6
Volts
0,4
0,2
0
–0,2
–0,4
–0,6
0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 2
Temps
MSK 1
BPSK 1
QPSK 2
16 QAM 4
32 QAM 5
64 QAM 6
256 QAM 8
Pour les modulations PSK et QAM l’efficacité spectrale est donnée par la relation :
h = log2 M
Le tableau 3.7 résume les rapports Eb /N0 nécessaires pour atteindre un taux
d’erreur bit de 10–5 en fonction du type de modulation et du nombre d’états M.
Le cas de la modulation FSK doit être examiné avec attention. Les résultats
peuvent sembler étonnants, puisque le rapport Eb /N0 nécessaire décroît lorsque
le nombre d’états augmente.
Pour comprendre ce phénomène il faut noter que :
Tableau 3.7
Type de modulation 2 4 8 16 32 64
Modulation d’amplitude 10 14 18
PSK 10 10 13,4 18 23
La transmission des signaux sous leur forme numérisée n’est alors plus réservée
aux applications professionnelles ou industrielles, comme les liaisons par fais-
ceaux hertziens ou liaisons par satellite.
Les courbes de la figure 3.78 représentent un taux d’erreur bit dans un canal AWGN
et dans un canal non stationnaire avec évanouissements, modèle de Rayleigh.
Pour conserver un taux d’erreur de 10–4 il faut augmenter le rapport signal sur bruit
de 27 dB environ.
À ce stade on peut faire une remarque très importante. Si l’on observe la
figure 3.66, on peut considérer que les fréquences pour lesquelles on observe du
fading, ou évanouissement, sont des bandes interdites. On ne peut en effet utiliser
ces bandes de fréquences puisqu’elles ne sont pas transmises entre l’émetteur et le
récepteur.
La figure 3.79 représente un canal dans lequel on rencontre trois brouilleurs, ces
brouilleurs pouvant être intentionnels ou non. Les brouilleurs condamnent
évidemment les bandes qu’ils occupent. Le canal non stationnaire avec fading est
donc similaire au canal brouillé, dans chacun des cas des bandes de fréquences,
éventuellement mobiles, sont interdites et inutilisables.
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
197
Il est clair que le canal non stationnaire avec fading comme il a été décrit précé-
demment est le type de canal que l’on rencontrera lors de communications avec
des mobiles en milieu urbain par exemple, et que le canal avec des brouilleurs
intentionnels est celui que peut rencontrer une armée en cas de conflit. Cette
remarque est très importante car les procédés qui vont être décrits dans la suite
198 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Pour lutter contre le fading ou les brouilleurs, la solution va donc consister à étaler
le spectre du signal à transmettre. En répartissant l’énergie sur une très large plage,
on espère ainsi que l’influence du fading ou des brouilleurs sera négligeable.
Ce procédé est représenté à la figure 3.81 : un signal étalé et deux brouilleurs.
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
199
Une autre approche est celle qui consiste à voir que, dans la relation de Shannon
donnant la capacité d’un canal, on peut échanger de la bande contre du rapport
signal sur bruit :
C = B log 2 ( 1 + S ⁄ N )
Différentes méthodes peuvent être employées pour étaler le spectre d’une trans-
mission à bande étroite. On utilise l’abréviation SS pour Spread Spectrum : étale-
ment de spectre.
Trois méthodes principales seront brièvement décrites dans la suite :
– FHSS (Frequency Hopping Spread Spectrum) : saut de fréquence ou évasion de
fréquence ;
– DSSS (Direct Sequence Spread Spectrum) : étalement par séquence directe ;
– COFDM (Coded Orthogonaly Frequency Division Multiplex) : multi-porteuses.
Dans le cas de l’émetteur on constate que le signal modulé est transposé, par un
synthétiseur de fréquence, vers la fréquence à émettre. Le synthétiseur de fréquence
reçoit ses informations d’un générateur pseudo-aléatoire. À la réception il suffit
d’effectuer l’opération inverse : la bande de fréquence d’entrée est transmise vers
le démodulateur.
La figure 3.83 montre que le message est successivement émis sur les fréquences
f1, f4, f3, f2…
Ce procédé a été un des premiers à être utilisé, principalement parce qu’il est
assez simple à mettre en œuvre. Il suffit effectivement de disposer de deux synthé-
tiseurs de fréquence actionnés par deux générateurs pseudo-aléatoires synchrones.
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
201
Les coefficients a1, a2, …, ak sont choisis égaux à 0 ou 1 et les opérations sont
effectuées dans l’arithmétique modulo 2, les résultats sont égaux à 0 ou 1.
On cherche le polynôme caractéristique P ( x ) de la matrice B définie de la manière
suivante :
B = A – xI
P ( x ) = det [ A – xI ]
204 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
a1 – x a2 a3 . ak – 2 ak – 1 ak
1 –x 0 . 0 0 0
0 1 –x . 0 0 0
B = 0 0 0 . 0 0 0
. . . . . . .
0 0 0 . 1 –x 0
0 0 0 . 0 1 –x
7 127 x7 + x3 + 1
9 511 x9 + x4 + 1
10 1 023 x 10 + x 3 + 1
11 2 047 x 11 + x 2 + 1
15 32 767 x 15 + x + 1
16 65 535 x 16 + x 12 + x 3 + x + 1
17 131 071 x 17 + x 3 + 1
18 262 143 x 15 + x 7 + 1
21 2 097 151 x 15 + x 2 + 1
22 4 194 303 x 22 + x + 1
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
205
Tableau 3.8 (suite) – Polynômes primitifs pour des degrés compris entre 7 et 33.
23 8 388 607 x 23 + x 5 + 1
24 16 777 215 x 24 + x 7 + x 2 + x + 1
25 33 554 431 x 25 + x 3 + 1
Fonction d’auto-corrélation
La fonction d’auto-corrélation A ( τ ) est définie de la manière suivante :
L
+ ---
2
A(τ) = ∫ f ( t )f ( t + τ )dt
L
– ---
2
–l –1 1 –1 1 1 1 xi ⊕ yi
–1 –1 1 –1 1 1 1 7
1 –1 –1 1 –1 1 1 –1
1 1 –1 –1 1 –1 1 –1
1 1 1 –1 –1 1 –1 –1
–1 1 1 1 –1 –1 1 –1
1 –1 1 1 1 –1 –1 –1
–1 1 –1 1 1 1 –1 –1
Les séquences obtenues avec des polynômes primitifs ont une excellente fonction
d’auto-corrélation ; pour un polynôme d’ordre n la fonction d’auto-corrélation
vaut au maximum 2 n – 1 lorsque les séquences sont en phase et –1 partout
ailleurs.
Fonction d’intercorrélation
On s’intéressera aussi à la fonction d’intercorrélation entre deux séquences de
longueur identique. Cette fonction aura une importance toute particulière
lorsqu’on est en présence d’utilisateurs multiples.
Dans le cas des générateurs pseudo-aléatoires ayant une longueur maximale, la
fonction d’auto-corrélation est maximale mais il n’y a aucune garantie en ce qui
concerne la fonction d’intercorrélation.
Automate cellulaire
L’expression automate cellulaire peut paraître comme une antilogie. Le mot auto-
mate suggère l’artificiel, la logique, le déterminisme tandis que le mot cellulaire
renvoie au naturel, à la biologie et au vivant et donc à l’imprévisible. Ces deux
notions radicalement opposées, lorsqu’elles sont associées permettent de générer
des séquences pseudo-aléatoires nécessaires aux modulations numériques. Leurs
architectures possèdent la particularité d’être auto-reproductrices.
Les automates cellulaires datent du début des années 1940. Le mathématicien
Stanislas Ulam leur donna naissance en modélisant la croissance des cristaux sur
une grille. Son point de départ était un espace à deux dimensions définissant un
nombre fini de cases ou de cellules. Chacune des cellules était booléenne : allumée
ou éteinte. À l’état de départ t0, certaines cellules de façon arbitraire étaient
allumées. À partir de cette configuration initiale, les états des cellules évoluaient en
fonction de règles de voisinage entre cellules. Ces mécanismes simples permettaient
de générer des figures complexes qui, dans certains cas, pouvaient se répliquer.
Dans les mêmes années, John von Neumann travaillait sur les fonctions mathé-
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
209
Si, par exemple, à un temps t donné, une cellule est à l’état 1, sa voisine de gauche
à l’état 1 et sa voisine de droite à l’état 0, au temps t + 1 elle sera à l’état 0.
L’équation de la fonction de transition régit complètement le séquencement de
l’automate cellulaire. Il existe des équations qui permettent d’obtenir un compor-
tement pseudo-aléatoire par exemple en prenant l’équation ci-dessous et en
initialisant l’automate à 1 :
c ( i )t + 1 = ( c ( i – 1 )t + c ( i )t ) ⊕ c ( i – 1 )t
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
211
En prenant l’une des sorties de l’automate c(i) on récupère alors une séquence
pseudo-aléatoire comparable aux générateurs obtenus à l’aide de la bascule D et
rebouclés par une porte OU exclusif suivant un polynôme caractéristique.
Implémentation VHDL
Les architectures numériques des émetteurs et récepteurs font de plus en plus
appel à des circuits programmables de type FPGA (Field Programmable Gate Array)
où des fonctions électroniques sont implémentées à partir d’une modélisation en
VHDL, Verilog ou SystemC. Ces langages de description matériel permettent de
décrire les systèmes suivant plusieurs niveaux (comportemental, structurel, data-
flow, RTL, etc.), de le simuler et de le synthétiser en vue d’une implémentation
matérielle programmable ou spécifique (FPGA ou ASIC).
Le code VHDL suivant décrit un générateur de séquence pseudo-aléatoire basé
sur un automate cellulaire sur 16 bits avec une fonction de transition pour chaque
cellule donnée par la relation suivante. La sortie du générateur pseudo-aléatoire
correspond à l’une des sorties de l’automate cellulaire :
c ( i )t + 1 = ( c ( i – 1 )t + c ( i )t ) ⊕ c ( i – 1 )t
--------------------------------------------------
-- Générateur Pseudo Aléatoire basé sur un
-- Automate cellulaire de type Wolfram
--
-- Authors : O. Romain & F. de Dieuleveult
--
-- Nombre de bits (Generic) : 16
--
-- Reset : Initialise l’automate
-- clk : clock système
-- Etat_automate : Sorties de l’automate
-- Pseudoa : sortie du générateur pseudo aléatoire
--------------------------------------------------
LIBRARY ieee;
USE ieee.std_logic_1164.all;
ENTITY automate_cellulaire IS
GENERIC
(
N : integer := 16
);
PORT
(
reset : IN STD_LOGIC;
clk : IN STD_LOGIC;
Etat_automate : OUT STD_LOGIC_VECTOR((N-1) downto 0);
pseudoa : OUT STD_LOGIC
212 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
);
END automate_cellulaire;
ARCHITECTURE a OF automate_cellulaire IS
SIGNAL TEMP : STD_LOGIC_VECTOR((N-1) downto 0);
SIGNAL Q : STD_LOGIC_VECTOR((N-1) downto 0);
BEGIN
-- Mise à jour des sorties
Etat_automate <= Q;
PROCESS (clk, reset)
BEGIN
if (reset = ’1’) then
Q <= (others = >‘0’);
Q(0) <= ‘1’;
elsif (clk’event and clk = ’1’) then
Q <= TEMP;
end if;
END PROCESS;
-- Calcul des fonctions de transition
TEMP(0) <= (Q(N-1) or Q(0)) xor Q(1);
TEMP(N-1) <= (Q(N-2) or Q(N-1)) xor Q(0);
FT : FOR i IN 1 to N-2 GENERATE
TEMP(i) <= (Q(i-1) or Q(i)) xor Q(i +1);
END GENERATE FT;
-- On a N sorties possibles pour la séquence pseudo aléatoire
-- On en choisit une au hasard
pseudoa <= Q(2);
END a;
Ces méthodes peuvent être employées pour décrire les générateurs pseudo-aléa-
toires utilisés dans les émetteurs et récepteurs à étalement de spectre.
Le schéma de la figure 3.92 donne les DSP d’un signal à bande étroite et du
même signal après étalement.
Le diagramme de la figure 3.93 donne l’allure des signaux que l’on pourrait obte-
nir en utilisant le synoptique de la figure 3.90. La séquence pseudo-aléatoire c ( t )
égale à 0010111 est multipliée avec le signal binaire à transmettre d ( t ) .
Le résultat de cette opération q ( t ) = d ( t ) ⊕ c ( t ) module la porteuse. Dans
l’exemple de la figure 3.93 la porteuse est modulée en phase par q ( t ) .
Si, dans cet exemple, le débit binaire vaut 1 Mbit/s, la longueur de la séquence
étant 7, le débit à transmettre vaut 7 Mchips/s.
Le schéma synoptique de la figure 3.94 montre qu’à la réception une opération
similaire, et aussi simple que celle qui a été faite à l’émission, permet la récupération
des données.
Le démodulateur reçoit le signal transmis s ( t ) et délivre, après démodulation, le
signal q ( t ) .
Le signal q ( t ) est multiplié par la séquence pseudo-aléatoire pour obtenir le signal
de donnée :
c(t) ⊕ q(t) = d(t)
Dans le cas de la figure 3.93 on suppose que la séquence pseudo-aléatoire est
synchronisée sur le signal de donnée, la séquence commence en même temps que
le symbole.
Dans la pratique il n’y a évidemment aucune raison pour que les systèmes soient
synchrones.
Dans les récepteurs à étalement de spectre par séquence directe il faudra donc
prévoir un mécanisme supplémentaire qui aura pour but de synchroniser la
séquence et le signal transmis.
216 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Puisque le débit à transmettre est divisé par le nombre de porteuses le système est
plus résistant vis-à-vis des échos. Pour augmenter encore cette résistance on
ménage un intervalle de garde comme le représente le schéma de la figure 3.97.
On dispose donc d’un temps de latence avant de réutiliser chacune des porteuses.
Pendant ce temps les échos potentiels pourraient éventuellement arriver sans avoir
aucune conséquence en terme d’interférence intersymbole puisque la porteuse
n’est pas encore modulée.
On conçoit donc un système très résistant aux trajets multiples, et par définition
résistant au fading ou aux brouilleurs intentionnels ou non.
A contrario des systèmes précédents il n’y a aucune notion de discrétion ou de
communication protégée. La seule protection pourrait éventuellement venir du
codage.
A contrario avec les systèmes précédents il n’y a aucune caractéristique particulière
en ce qui concerne le mode d’accès au canal.
CHAPITRE 3 - MODULATIONS NUMÉRIQUES
219
Intervalle de garde
Procédé Code
de modulation correcteur
1/4 1/8 1/16 1/32
3.13.5 Conclusions
Les modulations conventionnelles, d’amplitude, de fréquence ou de phase, sont
peu appropriées lorsque le canal est avec des évanouissements, des trajets multiples,
des brouilleurs et non stationnaire.
Les modulations à étalement de spectre FHSS, DSSS ou OFDM répondent aux
conditions d’un tel canal. Chacun des procédés peut avoir des avantages ou des
inconvénients : discrétion de la communication, mode d’accès au canal, simplicité
ou difficulté de la réalisation.
Il existe d’assez nombreuses variantes des procédés OFDM, ce qui tendrait à
prouver qu’en matière il n’y a pas de solution définitive et idéale à tout point de vue.
C HAPITRE 4
Émetteur Récepteur
m (t ) E Canal R m' (t )
4.1 Émetteurs
L’émetteur simplifié de la figure 4.2 comprend les trois sous ensembles suivants :
– un circuit de traitement en bande de base ;
– un modulateur;
– un amplificateur de puissance.
Traitement du
signal en bande Amplification
de base
;;;
;;;;;;
;;;
Gabarit du filtre
Gain (dB)
Puissance indésirable
dans les canaux adjacents
;;;;;;
Amax
0 f1 max Fréquence
Courbe de réponse
réelle du filtre
Fréquence
porteuse
B
Fréquence
De la valeur finie de Amax, il résulte des puissances indésirables dans les canaux
adjacents. Le niveau des puissances indésirables sera inversement proportionnel
à Amax et la complexité du filtre proportionnelle à Amax.
Dans le cas d’un signal audio, l’oreille n’étant pas ou peu, sensible à la phase rela-
tive, on ne s’intéressera qu’à cette valeur Amax.
Dans le cas d’un signal vidéo on s’intéressera simultanément à la valeur de Amax
et à la régularité du temps de propagation de groupe. La nécessité du filtrage du
signal vidéo est évidente, si l’on envisage le cas de l’addition d’une ou plusieurs
sous-porteuses audio ou données à faible débit. Si le signal modulant est injecté
à un modulateur de fréquence, on trouvera aussi un filtre de préaccentuation.
Dans le cas d’une modulation numérique, les circuits de traitement en bande de
base regroupent éventuellement les circuits de codage et les filtres limiteurs de
bande. Le codage consiste à transformer le signal en bande de base en un autre
signal en bande de base par exemple. Un signal NRZ pourra être codé en duobi-
naire ou Manchester par exemple.
Finalement, le spectre du signal en bande de base sera limité à la valeur stricte-
ment nécessaire à sa démodulation et restitution.
Les filtres d’entrée pourront être soit de type passif soit de type actif. On s’inté-
ressera donc au gabarit du filtre ayant une incidence directe sur la largeur de
bande occupée et au choix de la fonction d’approximation ayant une influence
sur la déformation des régimes transitoires.
226 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
4.1.2 Modulateurs
Le choix du modulateur résulte évidemment du choix du type de modulation.
Ceci ne signifie pas que le concepteur n’a plus aucune marge de manœuvre, bien
au contraire. Examinons les divers cas regroupés par type de modulation.
f0 + f1
Filtrage f1 – f0
Amplificateur
préaccentuation
codage Modulateur Mélangeur de sortie
Traitement en
Signal bande de base
Signal
en émis
bande Filtre
de f0 f1
base basse-
bande
VCO
Diviseur
Oscillateur
Filtre de %N stable et
boucle précis
Dans le cas
d'une transposition
de fréquence
Référence
stable fref
Oscillateur stable
et précis. PLL ou
oscillateur à quartz
Amplitude du courant
dans l'étage de sortie (A)
Classe A
conduction 360°
A Temps (t )
Classe B
conduction 180°
A t
Classe AB
conduction supérieure
à 180°
A t
Classe C
conduction inférieure
à 180°
t
Dans la configuration push pull, représentée à la figure 4.7, chaque transistor est
chargé de l’amplification d’une alternance.
VCC
VBB
Entrée
;; ;;
;;
Sortie
; ;
VBB
4.1.6 Conclusion
Lors de la conception de l’émetteur les points essentiels sont :
– la stabilisation de la porteuse;
– le principe adopté pour la modulation ;
– l’amplification, l’adaptation et le rendement des étages finaux.
Les notions de coût ne seront pas écartées et intégrées avec le coefficient de
pondération correspondant à l’application.
4.2 Récepteurs
Le récepteur est très souvent beaucoup plus complexe que l’émetteur. La struc-
ture finale d’un récepteur découle d’une suite de compromis entre les différents
paramètres influant sur les performances. Tous ces paramètres sont étroitement
imbriqués, il n’y a ni solution idéale ni solution universelle.
Amplification
Modulation Amplification
Préaccentuation
en fréquence
;
Signal
en bande Diode
de base d'émission Fibre otique
PLL
Stabilisation de
la fréquence centrale
Émetteur
Vp
Diode de
réception Démodulateur
de fréquence Déaccentuation Signal
Fibre otique en bande
PLL de base
démodulateur à
quadrature
D’autre part, plus la fréquence d’entrée est élevée, plus la largeur de bande du
filtre d’entrée est importante, si l’on admet que le coefficient de surtension est
fixe. Toute l’amplification est reportée sur les étages d’entrée, et ceci pose d’autant
plus de problèmes que la fréquence d’entrée est élevée. Les raisons d’abandonner
cette structure sont donc nombreuses.
On opte alors pour une transposition de fréquence et le schéma synoptique du
récepteur devient celui de la figure 4.10.
Amplificateur Amplificateur
Mélangeur
fR fI
Démodu-
lateur
Entrée
porteuse
modulée fOL
Filtre Filtre Filtre Filtre
fR
Commande de
l'oscillateur local
Oscillateur
local
Admettons que la fréquence de la porteuse modulée fR soit telle que l’on ne sache
pas reporter toute l’amplification sur l’étage d’entrée, la solution consiste donc à
transposer la fréquence d’entrée en une fréquence que l’on a coutume d’appeler
fréquence intermédiaire fI .
Un mélangeur reçoit la fréquence reçue fR et le signal issu d’un oscillateur local
fOL . Le mélangeur est assimilable à un multiplicateur. La fréquence transposée fI
est soit la somme, soit la différence des fréquences d’entrée :
fI = f OL ± f R
Il y a donc deux solutions pour choisir cette fréquence intermédiaire. Si la
fréquence intermédiaire est égale à la somme des fréquences, elle est plus élevée
que la fréquence d’entrée et ceci rentre en contradiction avec le but recherché. Si
la fréquence intermédiaire est égale à la différence entre les fréquences, elle est
inférieure à la fréquence d’entrée fR .
Chacune des deux solutions présente simultanément des avantages et des incon-
vénients.
Fréquence intermédiaire basse
Supposons un récepteur recevant une fréquence fR transposée par un oscillateur
fOL à la fréquence intermédiaire fI avec :
fI = fOL – fR
CHAPITRE 4 - STRUCTURE DES ÉMETTEURS ET RÉCEPTEURS
235
fI = fOL – fR = fOL – fR
fI = f R′ – fOL = f R′ – fOL
La fréquence f R′ injectée à l’entrée du récepteur est reçue simultanément avec la
fréquence fR. Cette fréquence est dite fréquence image :
f R′ = fR + 2fI
Il apparaît alors que les fréquences image ne seront pas gênantes si elles sont tota-
lement hors bande du filtre d’entrée :
fRmin + 2fI fRmax
La fréquence intermédiaire peut alors être sélectionnée par :
f Rmax – f Rmin
fI -----------------------------
2
236 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
A
Gabarit du filtre d'entrée
Fréquence d'entrée
A
fI Fréquence
EXEMPLE
On souhaite recevoir tous les canaux dans la bande 88 à 108 MHz,
fRmin = 88 MHz
fRmax = 108 MHz
108 – 88
fI --------------------- d’où fI 10 MHZ
2
Dans la pratique la valeur de la fréquence intermédiaire vaut 10,7 MHz.
fOLmin = fI + fRmin
fOLmax = fI + fRmax
CHAPITRE 4 - STRUCTURE DES ÉMETTEURS ET RÉCEPTEURS
237
fR min f1 – ∆ f1 f1 + ∆ Fréquence
Gabarit du filtre
passe-bande à la
fréquence intermédiaire
A
Transposition de
la bande d'entrée
filtrée
f1 – ∆ f1 f1 + ∆ Fréquence
BWIF
EXEMPLE
Soit :
fRF = 100 MHz
f1 = 10 MHz
BWIF = 200 kHz
alors :
QIF = 50
QRF = 500
Un filtre ayant la valeur QRF = 500, pour une fréquence de 100 MHz est diffici-
lement réalisable. Ajoutons à cela une difficulté supplémentaire : il devrait être
variable en terme de fréquence centrale et fixe en terme de coefficient de surten-
CHAPITRE 4 - STRUCTURE DES ÉMETTEURS ET RÉCEPTEURS
239
Niveau
fI constant
G G G Tension
Entrée en de sortie
provenance
du filtre fI
Mesure de
niveau
–
Asservissement + Référence
Filtre Filtre
d'entrée d'entrée
Mélangeur
Démodu- Filtrage
G G G en bande
fR lateur de base
Entrée fI
Amplificateur fOL
HF
Fonction du type
Tension de de modulation
DES ÉMETTEURS ET RÉCEPTEURS
commande VCO
du VCO
Signal transmis en
bande de base
Oscillateur
local Nref
fref %
Comparateur
de phase
m 1 2 3 4
n
f OL – f I f OL – f I f OL – f I
fOL – fI ------------
- ------------- -------------
2 3 4
1
f OL + f I f OL + f I f OL + f I
fOL + fI ------------
- ------------
- ------------
-
2 3 4
f 2f OL – f I f OL f
2 fOL – fI fOL – -I ----------------
3 - – -I
------
2 2 4
2 2f OL + f I
2 fOL + fI f ---------------
- f OL f I
fOL + -I 3 ------- + -
2 2 4
3f OL – f I f 3f OL – f I
3 fOL – fI ----------------
2 fOL – -I ---------------
4
-
3
3 3f OL + f I 3f OL + f I
3 fOL + fI ---------------
- f ---------------
-
2 fOL + -I 4
3
f 4f OL – f I f
4 fOL – fI 2fOL – -I ----------------
3 fOL – -I
2 4
4 4f OL + f I
4 fOL + fI f ---------------
- f
2fOL + -I 3 fOL + -I
2 4
Signal à
Amplitude
recevoir
fRF – fI /4 fRF + fI /4
fRF – fI /3 fRF + fI /3
fRF – fI /2 fRF + fI /2
A (dB)
Raie parasite
fréquence de
comparaison
d'un PLL par Bruit de phase
exemple ‡ ∆ de la porteuse
Oscillateur
parfait
Sensibilité du récepteur
Un paramètre important du récepteur est sa sensibilité. Il s’agit simplement
d’établir une relation entre le niveau de signal présent à l’entrée et le rapport
signal sur bruit en sortie du récepteur. Le rapport signal sur bruit est relatif
CHAPITRE 4 - STRUCTURE DES ÉMETTEURS ET RÉCEPTEURS
245
⎛ --S- ⎞ = f ⎛ ⎛ ---
C⎞ ⎞
-
⎝ B ⎠S ⎝ ⎝ N ⎠E ⎠
dans cette relation, Fi et Gi sont sans unité. Le facteur de bruit global en dB vaut :
--F-
FdB = 10 10
Le niveau de bruit présent à l’entrée du démodulateur :
Nentrée = F kTB
en dBm
(Nentrée)dBm = FdB + 10 log kTB
(Nentrée)dBm = FdB + 10 log B – 174 dBm
⎛ --S- ⎞ = G ⎛ ---
C⎞
-
⎝B ⎠ S m ⎝N ⎠
246 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
EXEMPLE
Soit un récepteur fonctionnant en modulation de fréquence avec :
B = 20 MHz
mF = 1
CdBm = – 80 dBm
F = 3 dB
Dans ces conditions, le rapport signal sur bruit après démodulation vaut :
--BS S
= 4 – 80 – 3 – 73 + 174 = 22 dBm
d’autant plus facile que la fréquence est élevée. On placera ensuite des circuits de
transposition de fréquence vers des fréquences plus basses. Ce cas sera traité dans
le paragraphe relatif aux récepteurs dits à double changement de fréquence.
Il existe un second cas pour lequel la transposition vers une fréquence supérieure
représente l’unique solution. Supposons que la fréquence centrale soit une
fréquence basse modulée en fréquence sur une très large bande. La théorie des
démodulateurs de fréquence, abordée dans le chapitre 2, modulations analogi-
ques, ne s’applique que lorsque les variations de fréquence autour de la fréquence
centrale sont faibles. À cette condition un démodulateur de fréquence à quadra-
ture est linéaire. Pour un démodulateur à PLL, la linéarité dépend du gain du
VCO, K0 et l’on admet que celui-ci est linéaire pour des faibles variations autour
de la fréquence centrale.
La configuration résultante est celle de la figure 4.18. La structure est identique
aux structures précédentes, seules les fréquences intermédiaires sont différentes.
À l’entrée du récepteur le signal occupe une largeur de bande BW autour de la
fréquence centrale fR . Après le changement de fréquence le signal occupe une
largeur BW autour de la fréquence fI . La fréquence intermédiaire fI sera choisie
de manière à ce que BW fI .
fR fI
BW BW Quadrature
PLL Désaccentuation
Signal en
fOL bande de
Démodulation
Filtrage base
BW fI
EXEMPLE
Supposons que l’on reçoive, par l’intermédiaire d’un canal optique par
exemple, trois canaux centrés sur 40 MHz, 70 MHz et 100 MHz.
Chacune de ces fréquences porteuses est modulée en fréquence par un
signal vidéo de manière à ce que la largeur occupée ne dépasse pas
20 MHz. Le spectre reçu à l’entrée est représenté à la figure 4.19.
Si l’objectif est de recevoir simultanément ces trois canaux on place autant
de récepteurs que de canaux.
Pour le premier canal centré sur 40 MHz, il est clair que la linéarité ne
pourra être obtenue sur une plage de 20 MHz. Les trois fréquences reçues
seront transposées vers une fréquence intermédiaire haute à 140 MHz par
248 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Fréquence
40 MHz 70 MHz 100 MHz
20 MHz 20 MHz 20 MHz
Figure 4.19 – Spectre de trois canaux FM sur des fréquences por teuses basses.
Signal en
RF FI bande de base
fR
OL
Amplification
fOL = fR
EXEMPLE D’APPLICATION
Soit un récepteur ayant les valeurs de fréquence intermédiaire suivantes :
fI1 = 21,4 MHz
fI2 = 455 kHz
BWcanal = 5 kHz
BWfI2 = 5 kHz
La fréquence du second oscillateur local peut être choisie par l’une ou
l’autre des relations :
fOL2 = fI1 – fI2 = 21,4 – 0,455 = 20,945 MHz
fOL2 = fI1 + fI2 = 21,4 + 0,455 = 21,855 MHz
Supposons que le premier canal se situe à 200 MHz, pour sélectionner ce
canal l’oscillateur local est à 221,4 MHz. Supposons que, dans l’objectif de
supprimer les fréquences image, le filtre d’entrée sélectionne la bande 200
à 240 MHz. Le récepteur est alors capable de recevoir tous les canaux
présents dans cette bande de 40MHz. Il s’agit maintenant de comparer ce
récepteur à double changement à un récepteur unique ayant une fréquence
intermédiaire égale à fI2 soit 455 kHz.
Soit comme précédemment le premier canal à 200 MHz, la fréquence
image est à 200,190 MHz.
Même avec l’hypothèse optimiste que l’on puisse sélectionner la bande
d’entrée de 200 à 200,5 MHz, il est clair que la couverture du récepteur
n’est que de 500 kHz alors qu’elle était de 40 MHz dans le cas précédent.
Les avantages du récepteur à double changement de fréquence sont alors
évidents. La première fréquence intermédiaire facilite la réjection de la
fréquence image à l’entrée. Le deuxième changement de fréquence facilite
le filtrage pour des canaux pouvant être très étroits.
Première fréquence intermédiaire Deuxième fréquence intermédiaire
CHAPITRE 4 - STRUCTURE
Filtre Filtre
1er 2e
passe-bande passe-bande Filtre Filtre Filtre Filtre
mélangeur mélangeur
Démodu-
RF IF RF IF lateur
Entrée RF
DES ÉMETTEURS ET RÉCEPTEURS
fref
IF RF RF IF
Amplificateur OL OL
large bande
OL1 OL2
Dans ce cas, la fréquence image est située à 1 800 MHz de la fréquence à recevoir.
Bien que la fréquence intermédiaire soit élevée, le filtrage de l’image ne pose pas
de difficulté.
L’amplification est sensiblement plus compliquée pour une telle fréquence que
pour une fréquence de quelques MHz. Mais cette fréquence intermédiaire n’est
qu’une étape.
Un second changement de fréquence est ensuite effectué vers le bas. Les étages
d’amplification et de filtrage sont classiques et identiques à ceux de la figure 4.21.
Pour un tel type de récepteur, les limitations proviennent de l’étage d’entrée et du
premier mélangeur recevant simultanément toutes les composantes pouvant être
présentes dans la bande. Pour ces deux éléments, les points d’interception du
troisième et second ordre seront primordiaux.
En outre, comme pour tout récepteur, le facteur de bruit du premier étage limite
la sensibilité. Il faut alors allier gain dans une large bande, IP3 élevé et facteur de
bruit faible.
Amplificateurs d’entrée
Cet amplificateur est le maillon le plus délicat. On lui demande les performances
suivantes :
– faible bruit, puisque sa participation au facteur de bruit global est importante;
– grand gain, pour les mêmes raisons ;
– point d’interception IP3 élevé.
254 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Ces performances influent sur la réjection des réponses parasites (IP3) et sur la
sensibilité du récepteur (facteur de bruit et gain).
Mélangeurs
Les performances du mélangeur agissent sur la réjection des réponses parasites.
Les points IP2 et IP3 sont primordiaux. La perte de conversion est de moindre
importance si l’amplificateur d’entrée a un gain important.
L’isolation entre les ports RF-OL et OL-IF est importante pour éviter la propa-
gation du signal OL ayant un fort niveau, et susceptible de générer des problèmes
de distorsion d’intermodulation dans l’étage d’entrée et dans les étages à
fréquence intermédiaire.
Oscillateur local
L’oscillateur local doit être stable. Le bruit de phase et les raies parasites au voisi-
nage de la porteuse limiteront les performances. Le niveau des harmoniques a
une influence directe sur le nombre et l’importance des réponses parasites.
Démodulateur
Le paramètre le plus important du démodulateur est sa linéarité qui influe direc-
tement sur les distorsions du signal reçu. Le choix d’une structure particulière
peut aussi avoir une influence sur le rapport signal sur bruit, comme l’emploi
d’un démodulateur à PLL en FM par exemple.
4.3 Conclusion
Il apparaît clairement que le récepteur est le sous-ensemble à la fois le plus
complexe et le plus délicat de la chaîne de transmission. Il est malheureusement
impossible d’optimiser simultanément tous les paramètres, facteur de bruit,
sensibilité, plage de couverture, réponses parasites.
Le choix d’une structure et des performances demandées à chaque étage résulte
d’un compromis. La conception d’un émetteur reste un exercice plus simple si la
puissance de sortie est faible.
Finalement, et ceci s’applique tant à l’émetteur qu’au récepteur, le concepteur
devra s’assurer que les équipements n’agissent pas en tant que perturbateurs pour
d’autres systèmes.
Il devra donc s’assurer que tous les rayonnements, hors bande, sont compatibles
avec les normes et réglementations en vigueur.
C HAPITRE 5
OMPOSANTS PASSIFS
C EN HAUTE FRÉQUENCE
5.1 Inductance
Z Self Capacité
e
éal
r b e id
R L Cou
Courbe réelle
C fR Fréquence
1 000
Impédance (Ω)
900
800
Self 2
700
600
500
400
Self 1
300
200
100
0
1 10 100 1 000
Fréquence (MHz)
120
Q 39 nH 8,8 nH
100
80
60
40
100 nH
20
0
10 50 100 500 1 000 5 000
Fréquence (MHz)
Ces deux exemples montrent l’importance du choix des selfs dans les circuits
haute fréquence.
Quelle que soit sa valeur, une self L ne peut jamais être considérée comme
parfaite.
;; ;
Ligne d'alimentation
RE
C2 C4
; ;
VE Source de
tension
L1 L2
C1 C3
B A
;
Étage 1 ;
Étage n
Dans la pratique, cette impédance interne est une valeur complexe et les différen-
tes connexions, pistes imprimées ou fils de câblage ont une impédance propre,
non nulle. Ceci justifie la présence des deux cellules de filtrage. Les selfs L1 et L2
étant elles-mêmes non parfaites, la valeur appropriée au filtrage est fonction de la
fréquence de fonctionnement ou de la valeur d’une fréquence parasite dont on
veut éviter la propagation.
Une absence de filtrage dans les circuits d’alimentation permet aux composantes
haute fréquence, de se propager dans les lignes d’alimentation. La fréquence d’un
oscillateur local peut alors être réinjectée dans un ou plusieurs étages d’un
récepteur. Le niveau des oscillateurs locaux est en général important, ceci se
traduit par des problèmes d’intermodulation d’autant plus importants. Le même
raisonnement peut aussi s’appliquer avec le signal parasite présent sur l’alimenta-
tion d’un microcontrôleur ou microprocesseur.
Le filtrage des alimentations ne s’applique pas seulement aux composantes haute
fréquence, amplificateurs, mélangeurs, démodulateurs, modulateurs mais aussi
CHAPITRE 5 - COMPOSANTS PASSIFS EN HAUTE FRÉQUENCE
261
Adaptation
d'impédance S
;
E Adaptation
d'impédance ZS
ZE
S S
; ;; ;
E E
; ;;;
L1 L2 Zbb Zcc
Vbb Vcc
Deux selfs L1 et L2 polarisent le transistor avec les valeurs VBB et VCC. Les impé-
dances de ces deux selfs L1 et L2, ZBB et ZCC shuntent respectivement les impé-
dances d’entrée et de sortie ZE et ZS.
On peut envisager deux solutions. En connaissant la fréquence de fonctionne-
ment, les deux selfs sont choisies de manière à ce que leurs impédances soient
négligeables devant ZE et ZS.
Les imperfections des selfs sont prises en compte naturellement. Dans le second
cas les selfs L1 et L2, toujours imparfaites, font partie intégrante des circuits
d’adaptation d’impédance, accessoirement elles véhiculent les courants de pola-
risation.
Dans le cas des circuits intégrés amplificateurs, préadaptés à 50 ohm, représentés
à la figure 5.7, une self L polarise l’amplificateur et une résistance R limite le
courant.
262 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
;
Vcc
E ;
;
R
R L C C L
VE
L1 C1 R
; ;; ;
Figure 5.8 – Filtre passif LC passe-bande.
CHAPITRE 5 - COMPOSANTS PASSIFS EN HAUTE FRÉQUENCE
263
W
S
B
D
S
D
(a) (b)
Self imprimée
La self imprimée de la figure 5.9b est très différente de celle de la figure 5.9a. En effet,
le coefficient de surtension est faible, mais elle est extrêmement peu sensible aux
vibrations. Cette self est constituée d’un ruban (conducteur imprimé) de largeur W,
disposé dans un carré D et constitué de n spires espacées d’une distance S.
Le motif peut être rectangulaire ou circulaire. Un motif circulaire donne une
valeur L plus élevée. Un plan de masse est envisageable sur la face opposée du
circuit mais réduit la valeur de la self dans un rapport de 10 à 15 %. Dans la
pratique, l’extrémité du conducteur située au centre du motif débouche sur la
face opposée du circuit grâce à un trou métallisé.
La valeur approchée de la self de la figure 5.9, motif rectangulaire sans plan de
masse, est donnée par la relation :
5
---
3
L = 8,5 Dn
riaux sont caractérisés par une valeur AL fournie par le fabricant dont la dimen-
sion est en henry par spires carré :
L
AL = ------2-
N
La valeur d’une self ou le nombre de spires à bobiner pour obtenir une self d’une
valeur donnée s’obtient grâce à cette relation.
L
N= ------
AL
N est le nombre de tours à bobiner,
L est la valeur de la self en nH,
AL est le coefficient caractéristique du matériau en nH/spires carrés.
Le choix des matériaux permet d’obtenir des valeurs AL très importantes,
adaptées à des fortes valeurs de selfs. En radiofréquence, les valeurs de AL sont
faibles et comprises entre 10 et 50 environ.
La principale application des selfs bobinées sur des tores est la réalisation de
transformateurs.
5.1.3 Transformateurs
Un transformateur radiofréquence est un ensemble de deux selfs primaire et secon-
daire LP et LS bobinés sur un tore conformément au schéma de la figure 5.10.
Enroulement LP LS Enroulement
primaire secondaire
Les transformateurs sont largement utilisés dans les circuits RF. Leur rôle ne se
limite pas à l’isolement en régime continu, ils sont utilisés notamment pour :
– l’adaptation d’impédance large bande ;
– l’adaptation d’impédance avec des circuits accordés;
– les diviseurs et combineurs de puissance.
CHAPITRE 5 - COMPOSANTS PASSIFS EN HAUTE FRÉQUENCE
267
Transformateur idéal
Dans le cas idéal, le transformateur est connecté conformément au schéma de la
figure 5.11. L’enroulement primaire est constitué de Np spires et la self équiva-
lente a une valeur Lp . L’enroulement secondaire est constitué de NS spires et la
self équivalente a une valeur LS . Pour le transformateur parfait on a :
V I N
-----S = ----p = ------S
Vp IS Np
ZP
VP ZS VS
LP LS
NP NS
Transformateur réel
Le schéma du transformateur réel est représenté à la figure 5.12. Les deux selfs Lp
et LS du transformateur idéal sont remplacées par le schéma équivalent de la self,
schéma de la figure 5.1.
Rp et RS sont les résistances des conducteurs et Cp et CS sont les capacités réparties
des deux enroulements. Il existe, en outre, une capacité Cm résultant du couplage
entre les deux enroulements primaire et secondaire. L’ensemble des composants
de la figure 5.12 constitue un filtre qui limite la plage d’utilisation du transforma-
teur large bande.
RG RP RS
;;;;;;
; ;;
VG CP LP LS CS Rch
(a)
Cm
ZP RP RS
VP CP CS ZS VS
LP LS
NP NS
(b)
Autotransformateur
Lorsque le transformateur ne comporte qu’un seul enroulement et que l’on a
prévu une prise sur l’une des spires, on parle d’autotransformateur (figure 5.13a).
La self L1 comporte n1 spires du point A au point B. La self L2 comporte n2 spires
du point B au point C. L’entrée peut être soit X soit Y; l’autotransformateur est
alors soit élévateur soit abaisseur.
Les deux résistances R1 et R2, résistances de source ou de charge sont liées par la
relation :
n1 2
R1 ⎛ -----------------⎞ R2
⎝ n 1 + n 2⎠
C Y
L2
R1
X B R2 V2
V1 L1
A
(a)
; ;;
R R 16R R
; ;;; ;
4R R
;
9R
;;;
R
;
;; (b)
a - Couplage par
mutuelle inductance R1 C1 LP LS C2 R2
CK
b - Couplage capacitif
R1 L1 CP CS L2 R2
CP CS
c - Couplage capacitif R1 L1 L2 R2
Cb
Les deux enroulements, primaire et secondaire sont bobinés par exemple, sur un
tore. Le coefficient de couplage k est une valeur sans unité comprise entre 0 et 1 :
M
k = ---------------
Lp LS
Les deux circuits RLC résonnent sur des pulsations w telles que :
2 1
ω 1 = ------------
L1 C1
2 1
ω 2 = ------------
L2 C2
L1 = Lp (1 – k2)
L2 = LS (1 – k2)
Les coefficients de surtension de chacun des circuits oscillant sont identiques.
Couplage capacitif
Les schémas b et c de la figure 5.14 correspondent à un couplage capacitif entre
les deux circuits RLC.
Dans le cas du schéma b le coefficient de couplage vaut :
Ck
k = --------------------------------------------------
( Cp + Ck ) ( Cs + Ck )
C 1 = Cp + Ck
C2 = Cs + Ck
2 1
ω 1 = ------------
L1 C1
2 1
ω 2 = ------------
L2 C2
Dans le cas du schéma c le coefficient de couplage vaut :
Cp Cs
k= ---------------------------------------------
-
( Cp + Cb ) ( Cs + Cb )
Cp ( Cb + Cs )
C1 = ------------------------------
Cp + Cb + Cs
Cs ( Cb + Cp )
C2 = ------------------------------
Cs + Cb + Cp
272 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
A (dB)
Amax
Amax – 3
k > kc
k < kc k = kc
f1 fa ω0 ω2 fb ω
C1
RS 2
C1 + C2
L
C1
VS C2
2Q ⎛ R⎞
C 1 ≈ -------------------------- ⎜ 1 + -----S⎟
ω ( RL – RS ) ⎝ R L⎠
Ce circuit est très répandu, on peut le rencontrer par exemple en entrée ou en sortie
de mélangeurs tels que celui décrit dans le chapitre 6.
Pour adapter les deux impédances on peut aussi avoir recours à deux selfs et un
condensateur, et on obtient alors le schéma de la figure 5.16bis.
274 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
RL RS
L 2 = ---------------------------- 2Q – ----- ( 4Q 2 + 1 ) – 1
ω ( 4Q + 1 ) 2 RL
Comme précédemment la quantité sous la racine doit être positive et ceci implique
la condition suivante :
1 R
C min = ---------- -----L – 1
RL ω RS
On peut ensuite faire l’approximation suivante :
2Q 1
Les valeurs calculées des deux selfs L1 et L2 deviennent :
RS R
L 1 ≈ ------------ -----L
2Qω R S
RL R
L 2 ≈ ------------ 1 – -----S
2Qω RL
Z Z
e1 A1 E1 Z Z
Z S s
Z E2
e2 A2 Combineur
de puissance
Les diviseurs et combineurs de puissance étant imparfaits, ceci se traduit par une
perte d’insertion supérieure à la valeur théorique et une isolation entre les ports finie.
;
Port 2
;;
R/2 n
2R
Port 1 n
; Port 3
La somme de ces deux courants est nulle sur le port 3. Le port 1 est connecté au
point milieu du transformateur. Cet autotransformateur a un rapport élévateur
de 2. L’impédance vue du point milieu vaut 25 ohm.
Sur le schéma de la figure 5.18 une résistance R/2 réalise l’adaptation. Ceci ne
constitue pas une bonne solution car la moitié de la puissance est dissipée par la
résistance R/2. La solution consiste à placer un second transformateur d’impé-
dance, conformément au schéma de la figure 5.19.
L’impédance Z vue du point A vaut 25 ohm. Le transformateur T2 ayant un
rapport 3m/2m, l’impédance Z′ qui est ramenée au primaire de T1 vaut :
3 2
Z′ = ⎛ ---⎞ Z
⎝ 2⎠
Soit Z′ = 56,25 ohm.
CHAPITRE 5 - COMPOSANTS PASSIFS EN HAUTE FRÉQUENCE
277
Port 1
T1
2m
A
Z
n
T2
2R
;
Port 2
; ;; ;
n
C
Port 3
Dans la pratique, la résistance 2R a une valeur voisine de 120 ohm qui compense
les pertes dans le circuit magnétique. Une capacité C d’une valeur voisine de
10 pF augmente la largeur de bande utilisable. Cette structure permet une isola-
tion de plus de 20 dB entre les ports 2 et 3 et une perte d’insertion réduite à 4 dB.
La figure 5.20 donne un exemple de construction des transformateurs T1 et T2.
Il existe de nombreuses variantes de réalisation de combineurs et diviseurs de
puissance. L’objectif n’est pas d’examiner chaque cas mais seulement de donner
quelques exemples.
Rouge
56,25 Ω
T1 Orange Rouge T2
25 Ω
Vert Vert
Rouge
Orange Rouge
0Ω
Vert Vert
Les figures 5.21 et 5.22 représentent des structures plus performantes pour l’isola-
tion entre les ports d’entrée mais la perte d’insertion est de 6 dB. Dans le cas de
la figure 5.21, le transformateur a un rapport 1 et ne présente pas de difficulté de
réalisation. Dans le cas de la figure 5.22, le transformateur est le transformateur
T2 de la figure 5.20. Dans les cas précédents la phase est identique sur les ports
de sortie du diviseur.
278 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
; ;;; ;
Port 1 entrée R Port 3 sortie
R
n n
;
Port 2 entrée
;
Port 3 sortie
;
;;
n/2
; n
Port 2 entrée
; ;
Port 1 entrée R n/2
;;
R
T2
1: 2
Entrée
Z = 50 Ω Sortie 1
25 Ω en phase
0 degré
–3 dB
Z = 50 Ω
Sortie 2
opposition de phase
180 degrés
–3 dB
Z = 50 Ω
T1 T2
Sortie 1
m 25 Ω 0 degré
Entrée 50 Ω
Z = 50 Ω 2m
Sortie 2
180 degrés
50 Ω
Les deux sorties 1 et 2 sont en phase et en opposition de phase avec le signal d’entrée.
Entrée Sortie
Z = 50 Ω en phase
ϕ = 0 degré
Z = 50 Ω
L L
Sortie
déphasée de C
90 degrés R=Z
Z = 50 Ω
λ/4
Ligne Z = 35,4 Ω
Entrée Sortie
Z0 = 50 Ω en phase
Z0 = 50 Ω
Ligne Z0
Ligne Z0
λ/4
λ/4
λ/4
Ligne Z = 35,4 Ω
Sortie
Z0 = 50 Ω en quadrature
Z0 = 50 Ω
5.2 Résistance
Le schéma équivalent d’une résistance accompagnée de ses éléments parasites est
donné à la figure 5.27. Les deux selfs L/2 sont dues aux liaisons et C est la capacité
répartie. L/2 et C sont petits et sont sans importance en basse fréquence, mais
deviennent prépondérants en haute fréquence. L’impédance complexe de ce
circuit se calcule aisément et l’on a :
2
RLCp + Lp + R
Z = ---------------------------------------
RCp + 1
La courbe d’impédance est donnée à la figure 5.28. Elle doit être comparée à la
courbe d’impédance d’une résistance parfaite. En basse fréquence, les impédan-
ces parasites n’ont pas d’influence; en haute fréquence, les impédances parasites
deviennent primordiales et la résistance se transforme en une self. La fréquence
de résonance vaut :
1
fR = ------------------
2 π LC
2 2 2 4 2 2 2 2 2
R L C ω + L ω – 2R LC ω + R
Z = --------------------------------------------------------------------------------------
2 2 2
-
R C ω +1
Résistance Courbe
Z shuntée par d'impédance
une capacité réelle
L/2 R L /2
Résistance
R
Self
Résistance
parfaite
C
fC fR Fréquence
Si f fR , alors Z = R
1
Si f = fR , alors Z = L --------------------------
2 2
-
R C + LC
Si f fR , alors Z = Lw
282 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Asymétrique Symétrique
2 N Z1 Z2
R1/2 R2/2 R3 =
R1 R2 N–1
R3 R1 = Z1 N+1
– R3
T
R3 Z1 Z2 N–1
Z1 Z2
R1/2 R2/2 R2 = Z2
N+1
N–1
– R3
N–1 Z1 Z2
R3/2 R3 =
R3 2 N
1
=
1
N+1
–
1
Π
R1 R2
R1 R2 Z1 Z2 R1 Z1 N – 1 R3
Z1 Z2
R3/2
1
R2
=
1
Z2 N – 1
N+1
–
R3
1
R1 R3
R4 = Z (k – 1)
R2
Z Z Z
R2 R3 =
Z Z k–1
R1/2 R /2 R1/2
4
Za Zb + Zb Zc + Za Zc
Zab = -----------------------------------------------
Zc
Za Zb + Zb Zc + Za Zc
Zbc = -----------------------------------------------
Za
Za Zb + Zb Zc + Za Zc
Zac = -----------------------------------------------
Zb
Triangle vers étoile :
Z ab Z ac
Za = -----------------------------------
Z ab + Z bc + Z ac
Z ab Z bc
Zb = -----------------------------------
Z ab + Z bc + Z ac
Z ac Z bc
Zc = -----------------------------------
Z ab + Z bc + Z ac
Zc Za Zac
1 3 1 3
Zb Zbc Zab
2 4 2 4
Étoile Triangle
Tableau 5.2
p T
dB Atten R1 (ohm) R2 (ohm) en série E-S dB Atten R1 (ohm) en série E-S R2 (ohm)
1 870,0 5,8 1 2,9 433,3
2 436,0 11,6 1 5,7 215,2
3 292,0 17,6 3 8,5 141,9
4 221,0 23,8 4 11,3 104,8
5 178,6 30,4 5 14,0 82,2
6 105,5 37,3 6 16,6 66,9
7 130,7 44,8 7 19,0 55,8
8 116,0 52,8 8 21,5 47,3
9 105,0 61,6 9 23,8 40,6
10 96,2 71,2 10 26,0 35,0
11 89,2 81,6 11 28,0 30,6
12 83,5 93,2 12 30,0 26,8
13 78,8 106,0 13 31,7 23,5
14 74,9 120,3 14 33,3 20,8
15 71,6 136,1 15 35,0 18,4
16 68,8 153,8 16 36,3 16,2
17 66,4 173,4 17 37,6 14,4
18 64,4 195,4 18 38,8 12,8
19 62,6 220,0 19 40,0 11,4
20 61,0 247,5 20 41,0 10,0
21 59,7 278,2 21 41,8 9,0
22 58,6 312,7 22 42,6 8,0
23 57,6 351,9 23 43,4 7,1
24 56,7 394,6 24 44,0 6,3
25 56,0 443,1 25 44,7 5,6
30 53,2 789,7 30 47,0 3,2
35 51,8 1405,4 35 48,2 1,8
40 51,0 2500,0 40 49,0 1,0
45 50,5 4446,0 45 49,4 0,56
50 50,3 7905,6 50 49,7 0,32
55 50,2 14058,0 55 49,8 0,18
60 50,1 25000,0 60 49,9 0,10
286 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Ces relations sont utilisables quelles que soient les impédances complexes Zi et
Zij .
Ces transformations peuvent être utiles pour modifier des structures complexes
résultant de la mise en cascade de quadripôles simples. Ces transformations
s’appliquent bien à la simplification éventuelle de filtres en échelle.
Diviseurs et combineurs de puissance résistifs
N résistances disposées conformément au schéma de la figure 5.30 constituent un
diviseur ou combineur de puissance. N est supérieur ou égal à 3.
r
Port 2
;; Z
;;
r r
Port 1 Port 3
Z r r Z
Z Z
VE Port n Port 4
;;; ;
Figure 5.30 – Diviseur et combineur de puissance résistif à N voies.
N–2
r = Z -------------
N
1
A = 20 log -------------
N–1
Tableau 5.3
Z N r A
50 3 18 6
50 4 25 9,5
50 5 30 12
75 3 25 6
75 4 37,5 9,5
75 5 45 12
5.3 Condensateur
Le schéma équivalent d’un condensateur accompagné de ses éléments parasites
est donné à la figure 5.31. Les deux selfs L/2 sont dues aux liaisons et R est la résis-
tance de fuite.
L/2 et R sont négligeables en basse fréquence, mais deviennent importants en haute
fréquence. L’impédance complexe de ce circuit se calcule aisément et l’on a :
2
RLCp + Lp + R
Z = ---------------------------------------
RCp + 1
288 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
1
fR = ------------------
2π LC
2 2 2 4 2 2 2 2 2
R L C ω + L ω – 2R LC ω + R
Z = --------------------------------------------------------------------------------------
2 2 2
R C ω +1
Courbe
Z d'impédance
Capacité Self réelle
L /2 C L/2
Courbe
d'impédance
R parfaite
fR Fréquence
Si la résistance de fuite est importante, ce qui est en général le cas, seul le terme
en R 2 est prépondérant au numérateur et R 2C 2w2 est prépondérant au dénomina-
teur.
1
f fR Z = -------
Cω
1
f = fR Z =L ---------------------------
2 2
R C + LC
f fR Z = Lw
Les condensateurs sont utilisés principalement dans les trois cas suivants :
– découplage des alimentations ;
– liaison entre étage;
– participation au filtrage dans les filtres passifs LC.
CHAPITRE 5 - COMPOSANTS PASSIFS EN HAUTE FRÉQUENCE
289
CS LS RS
A B A B
Représentation
schématique
CP
Z
fS fP Fréquence
1 C
fp = ----------------------------------- = fS 1 + ------S
Cp CS Cp
2 π L S ------------------
Cp + CS
5.4.1 Quartz
Les quartz sont réalisés sur un matériau SiO2. Ce cristal est taillé selon une
coupe dite AT qui permet de couvrir une plus large plage de fréquence.
VCC
VCC
Sortie fP
Xtal
Sortie fP
C2
; ; ; ; ;;;
Xtal
C1 C2 C1
VCC
C1
;;;
Xtal Sortie fP
C2
Oscillateur Colpitts
+5 V +5 V +5 V
Sortie 16,7 MHz
10 kΩ 1 kΩ
100 pF
0 dBm
Sortie 16,7 MHz
10 kΩ
47 pF
56 pF 100 pF 470 Ω 180 pF 39 pF
CS
fX fS 1 + ----------------------------------
-
⎛
2 C p – -----------
1 ⎞
⎝ Xv ωS ⎠
CV
LV
LV CV
CS
fX fS 1 – -------------------------------
-
⎛ 1
2 ---------- - – Cp ⎞
⎝ ω2 L ⎠
S v
CS
fX fS 1 + -----------------------------------------------
⎛ Cv ⎞
2 ⎜ C p – -------------------------
2
-⎟
⎝ ω S L v C v – 1⎠
294 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Ces relations s’appliquent avec une bonne précision sur une plage s’étendant
jusqu’à 10–3.
Ces configurations sont intéressantes car elles permettent un calage de la
fréquence en cas de besoin. Le calage de la fréquence est très peu utilisé puisque,
par construction, le quartz a une fréquence de résonance série fixe et précise. En
remplaçant le condensateur Cv par une diode à capacité variable, on peut envisa-
ger la réalisation d’un oscillateur contrôlé en tension.
Lorsqu’un oscillateur contrôlé en tension est pourvu d’un quartz il prend le nom
de VCXO. Le gain du VCXO, K0, est égal au rapport de l’excursion de fréquence
à l’excursion de tension responsable de cette excursion de fréquence :
∆f
K0 = -------
∆V
Ce gain est en général, faible et compris entre 100 et 400 ppm soit 10–4 à
4,10–4.
Si une excursion de tension de 4 V donne un décalage de 400 ppm sur une
fréquence centrale de 20 MHz, K0 = 2 kHz/V.
Un VCXO peut contribuer, par exemple, à la réalisation d’un PLL fonctionnant
dans une plage très étroite. Un PLL bâti autour d’un VCXO permettra la récupé-
ration du rythme dans le cas de transmissions numériques.
L’emploi d’une self fait apparaître une fréquence de résonance série supplémen-
taire qui provient de la résonance entre Lv et Cp. Cette fréquence peut se situer
plus ou moins loin de la résonance principale mais sa présence peut être très
gênante car il arrive que l’oscillateur fonctionne sur cette fréquence de résonance
parasite.
Le circuit de la figure 5.38 permet le décalage de la fréquence de résonance paral-
lèle fp .
LP
avec :
1
Lp = -----------2-
Cp ωS
Les réseaux de décalage des fréquences, figures 5.37 et 5.38, peuvent être combinés.
Dans ce cas les nouvelles fréquences de résonance série deviennent fX1.
CS
Avec Lp et Cv fX1 fS ⎛ 1 + --------- ⎞
⎝ 2C v ⎠
CS 2
Avec Lp et Lv fX1 fS ⎛ 1 – ------ ω S L v⎞
⎝ 2 ⎠
CS 2
fX1 fS ⎛ 1 – ------ ⎛ ω S L v – ----- ⎞ ⎞
1
Avec Lp , Lv et Cv
⎝ 2⎝ Cv ⎠ ⎠
1 LP
LV CV CV
Nr LV 2
CV
1 8,44 H
2 12,66 H
3 14,62 H
4 25,33 H 3 LP
∆f CV LV
f
500
x 10–6 (ppm)
400
4
300 CV LV
1 ∆f
200
2 f
x 10–6 (ppm)
100 1 000
3
0 900
CV
–100 800
1
–200 700
4
–300 600
–400 500
2
–500 400
–600 300
–700 200
–800 100
–900 0
CV
–1 000 –100
4
–1 100 –200
3
–1 200 –300
0 10 20 30
–400
pF 0 10 20 30
pF
VCC
X1 X2
Sortie
;;;;; ;
D1
SW
I
D2
R
VCC
CP
CS LS RS
CS 3 LS 3 RS 3
CS 5 LS 5 RS 5
CS 7 LS 7 RS 7
jX
fP fP 3 fP 5 fP 7
fS fS 3 fS 5 fS 7 Fréquence
Une règle approximative veut que l’on compense le quartz par une self Lp au-delà
de 100 MHz :
1
Lp = -----------
2
-
ωS Cp
VCC
L
VCC
;;;
C1 C RL
;;
;;;; ;
A
RE C2
LP
10 kΩ 290 nH
27 pF
Sortie
f = 50,1 MHz
16,7 MHz N = –2 dBm
27 pF 27 pF
10 kΩ 470 kΩ 10 nF
Tous les schémas d’oscillateurs à quartz, figures 5.35 et 5.36 et figures 5.41, 5.44
et 5.45 sont bâtis autour de transistors bipolaires NPN. Ces structures peuvent
facilement être transposées avec des transistors JFET qui donnent de meilleurs
résultats en terme de bruit.
Le schéma de la figure 5.46 représente un oscillateur à quartz équipé d’un tran-
sistor à effet de champ.
VCC
1MΩ D Sortie
Filtres à quartz
La deuxième application des quartz est leur participation à l’élaboration de filtres
passe-bande étroits.
La figure 5.47 regroupe 5 cas usuels de filtres à quartz passe-bande.
E E
S S
E
S
∆f/f = 6
Amplitude (dB)
Amax
Amax – 3 dB
f Fréquence
∆f
9,9894 MHZ
CS = 12 fF
E S
10,0006 MHZ
4,7 pF CS = 12 fF 4,7 pF
ZE = ZS = 1 180 Ω
X1 X1
X2 10,3 H X2
E S
7,5 pF 7,5 pF
X1 : 21,3921 MHz , CS = 8 fF
X2 : 21,3362 MHz , CS = 8 fF
ZE = ZE = 3 475 Ω
Les filtres à quartz sont élaborés à partir de la structure dite en treillis. Le schéma
d’un tel filtre est représenté à la figure 5.51. La fonction de transfert de ce filtre a
une forme particulière :
V 1 Z2 ⁄ Z0 – Z1 ⁄ Z0
-----S- = --- -----------------------------------------------------------
-
VE 2 ( 1 + Z1 ⁄ Z0 ) ( 1 + Z2 ⁄ Z0 )
avec : Z0 = Z1 Z2
CHAPITRE 5 - COMPOSANTS PASSIFS EN HAUTE FRÉQUENCE
303
Z0 Z1
Z2
VE Z0 Z0 Z0 VS
Z2
Z1
Z0 = Z1 • Z2
2Z1
E 2Z2 S
;;
entrée sortie
1:1
Rapport de transformation : 1
Sortie en opposition de phase
C1 L1 R1
(6 pF) (20 mH) (100 Ω)
Entrée Sortie
C01 C02
(170 pF) (170 pF)
GND
–0,5 : 1
La seconde méthode est représentée à la figure 5.54, où l’on utilise un résonateur série et
un résonateur parallèle. Chacun des résonateurs est équivalent à un circuit RLC série.
C1 L1 R1
Résonateur série
C2
C01
Résonateur
parallèle C02 L2
R2
jX
Résonateur Résonateur
série parallèle
–jX
Atténuation (dB)
A B
f 2 f1 f2 f 1 f
Différents filtres
Filtres à 455 kHz
La fréquence de 455 kHz est en général, destinée à la réception de signaux audio
en modulation d’amplitude et la bande audio est limitée à 3 kHz ou 5 kHz. En
modulation d’amplitude double bande, ce signal occupe donc une largeur de
6 kHz ou 10 kHz autour de la porteuse. En conséquence, les filtres standard à
455 kHz sont calés avec un écart de 1 kHz ou 2 kHz sur la fréquence
centrale et la largeur de bande à – 3 dB est, en fonction du type de composant,
comprise entre 4 et 10 kHz.
L’impédance d’entrée est élevée et de l’ordre de quelques kHz et la perte d’inser-
tion de 4 à 6 dB environ. Cette perte d’insertion n’a aucune importance, puisque
cette fréquence n’est que rarement la première fréquence intermédiaire.
306 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
VCC
; ;; VCC
Sortie
Entrée
;;
;;
VCC; ;;
;;
; VCC
Transformateurs accordés
VCC VCC
R
VCC VCC
Sortie
R
Entrée
;;;;;;
;
;;; Filtres céramiques
Les filtres à 455 kHz se situent alors après un deuxième changement de fréquence
et se situent loin en aval de l’entrée du récepteur. L’intérêt essentiel des filtres
céramiques est de simplifier la conception des étages amplificateurs et filtrage à la
fréquence intermédiaire.
Les schémas de la figure 5.56 donnent deux exemples de chaînes d’amplification.
Les filtres céramiques remplacent les transformateurs accordés. L’avantage de
cette solution est multiple, simplification de la conception, miniaturisation de
l’ensemble et finalement élimination des réglages finaux.
CHAPITRE 5 - COMPOSANTS PASSIFS EN HAUTE FRÉQUENCE
307
Résonateurs céramiques
Les résonateurs sont principalement utilisés pour cadencer des systèmes logiques.
Associés à une porte CMOS ils assurent la génération d’un signal d’horloge dont
la fréquence est comprise entre 100 kHz et 1 MHz.
Les résonateurs n’ont pas d’application directe dans la chaîne émission réception.
Éventuellement, ils sont associés à un microcontrôleur chargé par exemple de
l’interface utilisateur et de la programmation des synthétiseurs.
Il existe un dernier cas d’application intéressant où le résonateur céramique est
spécialement conçu pour remplacer le circuit déphaseur de p/2 dans le
démodulateur à quadrature.
Le résonateur est équivalent à un circuit Rp Lp Cp parallèle et est spécialement
conçu pour s’adapter à un circuit intégré démodulateur à quadrature spécifique.
Il s’agit encore d’une solution, combinant faible coût, miniaturisation et élimina-
tion des réglages, idéale pour les applications grand public.
308 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
;; ;
poli
La figure 5.58 donne l’allure très générale de la fonction de transfert d’un tel
filtre, fonction de transfert en sin x/x. Cette fonction de transfert dépend de la
géométrie des électrodes, de leur nombre et du matériau utilisé. L’objectif n’est
pas ici de savoir concevoir un filtre à onde de surface mais de savoir l’utiliser.
Les composants à onde de surface sont soit des filtres soit des résonateurs.
0
Atténuation (dB)
∆f = 2
f0 N
10
20
f0
30
∆f ∆f ∆f ∆f ∆f ∆f
2 2 2 ∆f 2 2 2
Z0
Sortie
;;; ;;;
VE Z0
E S
F1 = A1 F2
A1 = 1 G2
G1
Amplification globale G
Mélangeur Démodulateur
Signal démodulé
Oscillateur local
Figure 5.61 – Filtre à onde de sur face dans les étages à fréquence inter médiaire.
+5 V
15 kΩ 56 Ω B 3550
Siemens 33 nH
Sortie
33 nH 2 5
4,7 pF
Entrée BFR92 3 6
4 7 8
18 nH
10 kΩ 1,2 kΩ 1 nF
39 pF
Cette fréquence est une fréquence européenne normalisée pour toutes les appli-
cations de télécommande, télémesure, télétransmission à courte distance. Pour
312 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
RS LS CS LS CS RS
CT CT
CP
Résonateur 1 port Résonateur 2 ports
Dans le cas du résonateur un port, le schéma équivalent est analogue à celui d’un
quartz et par conséquent, tous les schémas d’oscillateurs à quartz en mode fonda-
mental peuvent convenir.
Pour un quartz, le schéma équivalent pour le mode fondamental n’est valable que
jusqu’à 30 MHz.
Un oscillateur à quartz délivre une fréquence très stable et très précise mais pour
une fréquence limitée à 30 MHz. Au-delà de cette fréquence on a recours aux
modes overtone.
Le résonateur à onde de surface un port outrepasse cette limite et le schéma équi-
valent est valable jusqu’à des fréquences supérieures au GHz.
Un étage oscillateur unique permet donc de délivrer une fréquence de référence
définie par les caractéristiques de construction du résonateur, le résonateur opère
toujours en mode fondamental.
En contrepartie, le calage en fréquence des résonateurs ne peut être précisément
contrôlé comme dans le cas d’un quartz. La fréquence de résonance série fS ne
sera définie qu’à 100 kHz près environ.
Pour fs au voisinage de 500 MHz on a :
1
fS = ----------------------
2 π LS CS
CHAPITRE 5 - COMPOSANTS PASSIFS EN HAUTE FRÉQUENCE
313
Le calage en fréquence d’un quartz étant, dans le pire des cas, égal à 10–6 il est à
comparer au calage du résonateur à onde de surface qui sera dans le meilleur des
cas, de 10–4.
Les applications sont nombreuses. Comme pour les filtres à onde de surface, les
résonateurs à onde de surface sont largement employés dans les équipements de
transmission grand public où l’on peut admettre qu’un manque de performance
est compensé par un faible coût, une simplification de la conception des équipe-
ments et leur miniaturisation.
Le schéma de la figure 5.64 représente un oscillateur à résonateur à onde de
surface avec un unique transistor BFR92. Cet oscillateur fonctionne de 200 à
400 MHz.
Seul le résonateur à onde de surface est responsable de la fréquence de l’oscilla-
tion. Le réseau LC permet de réinjecter la tension de sortie avec la phase correcte
de manière à obtenir un régime d’oscillations entretenu.
+9 V
470 kΩ
22 kΩ
C
Signal de
sortie
L
SAWR
C = 4,7 pF
BFR 92 f = 220 MHz, L = 47 nH
f = 440 MHz, L = 15 nH
Conducteur extérieur
Conducteur intérieur
a Court-circuit
entre les
b conducteurs
extérieur et intérieur
ᐉ = λ/4
LP
RP
CP
Pour un résonateur céramique coaxial à 450 MHz avec eR = 88, les valeurs du
schéma équivalent deviennent :
Cp = 49,7 pF
Lp = 2,52 nH
Rp = 2,5 kW
VACC +5 V +5 V +5 V
R1
12 kΩ 100 Ω 330 Ω
12 kΩ 470 pF 39 kΩ
Sortie
C2 C1
10 pF f = C/λ
0,5 – 3 pF 0,5 – 3 pF
T1 C3 T2
1 ‡ 5 pF
C L C L C L
Entrée Sortie
Les résonateurs peuvent être couplés soit par des circuits LC, série soit faiblement
couplés par uniquement des condensateurs C.
5.5 Conclusion
Tous ces composants simplifient la conception des circuits et éliminent les régla-
ges. Si le niveau de performance des oscillateurs n’est pas suffisant, dans la
plupart des cas, ils peuvent être associés à une boucle à verrouillage de phase. La
référence d’une telle boucle est toujours un oscillateur à quartz.
C HAPITRE 6
OMPOSANTS ACTIFS
C ET APPLICATIONS
rb'c
rbb' Cc
B C
C
IB' B
rb'e Ce rce βIB' =
E
E E
Comme dans le modèle basse fréquence la source de courant bIB ′ est liée au
courant IB ′ circulant dans la résistance rb ′e .
Le modèle de la figure 6.1, bien qu’étant parfaitement utilisable, est assez peu
pratique et incomplet. Le schéma équivalent de la figure 6.1 donne une représen-
tation simplifiée, ne tenant pas compte des conducteurs. Ces fils conducteurs, de
dimensions variables en fonction du type de transistor, sont inévitables pour
connecter le semi-conducteur aux divers autres éléments du circuit.
Le schéma de la figure 6.2 fait intervenir les trois selfs LB , LE et LC correspondant
aux liaisons électriques. On cherche bien entendu, à minimiser la valeur de ces selfs
parasites. Ceci explique qu’en haute fréquence, la plupart des composants sont
des composants dits CMS, à montage de surface. En réduisant simplement la
longueur des connexions, on réduit la valeurs des selfs.
rb'c
LB rbb' Cc Lc
B C
IB'
rb'e Ce rce βIB'
RL
LE
E E
Le transistor sera relié aux autres composants via des pistes d’un circuit imprimé,
en général. La longueur de ces pistes sera aussi courte que possible, afin de
réduire au strict minimum, la valeur des selfs parasites additionnelles résultant de
ces longueurs.
Le modèle de la figure 6.2 peut finalement se simplifier, tout d’abord, en
négligeant la résistance rb ′c . En utilisant les propriétés de l’effet Miller, la résis-
tance Cc est ramenée à l’entrée du circuit en parallèle sur la capacité Ce , pour
constituer une capacité totale CT :
CT = Ce + Cc 1 – b RL
relation que l’on peut simplifier :
CT = Ce + b RL Cc
Dans cette relation, RL est la résistance de charge. Le résultat de ces transformations
est représenté par le schéma équivalent de la figure 6.3.
LB rbb' Lc
B C
IB'
rb'e CT rce βIB'
LE
E E
LB rbb'
rbb' Cc
CT rb'e
Zin Ib' Zout
RS rb'e Ce
(β + 1) LE
Matrice Y
Une admittance Y est l’inverse d’une impédance Z. La figure 6.6 représente le
quadripôle transistor ; le fonctionnement est totalement défini par la relation :
⎛ I 1⎞ ⎛ Y 11 Y 12⎞ ⎛ V 1⎞
⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ I 2⎠ ⎝ Y 21 Y 22⎠ ⎝ V 2⎠
Ces relations s’écrivent :
I1 = Y11 V1 + Y12 V2
I2 = Y21 V1 + Y22 V2
CHAPITRE 6 - COMPOSANTS ACTIFS ET APPLICATIONS
323
I1
Y11 = ------ dans le cas où V2 = 0
V1
I1
Y12 = ------ dans le cas où V1 = 0
V2
I2
Y21 = ------ dans le cas où V2 = 0
V1
I2
Y22 = ------ dans le cas où V1 = 0
V2
I1 I2
V1 Transistor V2
Matrice Z
La figure 6.6 peut aussi représenter le quadripôle transistor associé à une matrice
de transfert Z.
324 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
⎛ V 1⎞ ⎛ Z 11 Z 12⎞ ⎛ I 1⎞
⎜ ⎟ = ⎜ ⎟ ⎜ ⎟
⎝ V 2⎠ ⎝ Z 21 Z 22⎠ ⎝ I 2⎠
Ce qui s’écrit :
V1 = Z11 I1 + Z12 I2
V2 = Z21 I1 + Z22 I2
V1
Z11 = ------ dans le cas où I2 = 0
I1
V1
Z12 = ------ dans le cas où I1 = 0
I2
V2
Z21 = ------ dans le cas où I2 = 0
I1
V2
Z22 = ------ dans le cas où I1 = 0
I2
Les valeurs Zij sont des valeurs complexes.
Comme précédemment, la mesure de ces paramètres est difficilement envisa-
geable.
Matrice S
La matrice S doit son nom au terme scattering parameters, on parle aussi de coef-
ficients ou matrice de répartition.
Le schéma de la figure 6.7 représente le quadripôle transistor.
a1 a2
R0 b1 b2
+
Transistor R0
À l’entrée :
– a1 est l’onde transmise;
– b1 est l’onde réfléchie;
b
– GE est le coefficient de réflexion à l’entrée et vaut : G E = ----1- .
a1
À la sortie :
– a2 est l’onde réfléchie;
– b2 est l’onde transmise;
b
– GS est le coefficient de réflexion à la sortie et vaut : G S = ----2- .
a2
La matrice S est définie de la manière suivante :
⎛ b 1⎞ ⎛ S 11 S 12⎞ ⎛ a 1⎞
⎜ ⎟ = ⎜ ⎟⎜ ⎟
⎝ b 2⎠ ⎝ S 21 S 22⎠ ⎝ a 2⎠
Ce qui peut s’écrire :
b1 = S11 a1 + S12 a2
b2 = S21 a1 + S22 a2
Les coefficients a1, a2, b1 et b2 ont la dimension d’une racine carrée de la puis-
1
---
2
sance, [ W ] .
G et Ginv sont alors exprimés en dB. Les paramètres S sont universellement utili-
sés. Les principaux avantages sont la simplicité relative des mesures. Les mesures
peuvent être précises et réalistes, puisque le quadripôle à mesurer est inséré dans
un système d’impédance caractéristique Z0 en général égal à 50 ohm.
Dans le système Z0 = 50 ohm, l’impédance du générateur Z0 est égale à l’impé-
dance de charge Z0.
Impédance de source ZS et de charge ZL quelconques
En utilisant les paramètres S, il est possible de calculer les coefficients de réflexion
et les gains pour des impédances de source et de charge quelconques.
Aux impédances ZL et ZS de charge et de source de valeur quelconque, corres-
pondent les coefficients de réflexion GL et GS .
ZL – Z0
G L = ------------------
ZL + Z0
ZS – Z0
G S = ------------------
ZS + Z0
′ et à la sortie S 22
Les coefficients de réflexion à l’entrée S 11 ′ sont donnés par les
relations :
b S 11 ( 1 – S 22 G L ) + S 21 S 12 G L
′ = ----1- = -------------------------------------------------------------
S 11
a1 1 – S 22 G L
S 21 S 12 G L
′ = S 11 + ----------------------
S 11 -
1 – S 22 G L
b S 22 ( 1 – S 11 G S ) + S 21 S 12 G S
′ = ----2- = ------------------------------------------------------------
S 22 -
a2 1 – S 11 G S
S 21 S 12 G
′ = S 22 + ---------------------S-
S 22
1 – S 11 G S
2 2 2
( 1 – G L ) ( 1 – G S ) S 21
G T = -----------------------------------------------------------------------------------------------
-
2
( 1 – S 22 G L ) ( 1 – S 11 G S ) – S 12 S 21 G L G S
Stabilité
Les deux conditions pour assurer la stabilité sont :
′ 1 et S 22
S 11 ′ 1
On peut alors définir un facteur de stabilité k donné par la relation :
2 2 2
1 – S 11 – S 22 + D
k = --------------------------------------------------------
2 S 12 S 21
CHAPITRE 6 - COMPOSANTS ACTIFS ET APPLICATIONS
327
S212
ZS
G
GA
GT
La figure 6.8 représente le quadripôle transistor recevant le signal issu d’un géné-
rateur d’impédance interne via un réseau d’adaptation d’impédance M1 et
débitant sur une charge ZL via un réseau d’adaptation d’impédance M2.
Lorsque le quadripôle transistor est inséré dans un système 50 ohm, le gain en
puissance du transistor GT est donné par la relation simple suivante :
GT = S21 2
Lorsque les impédances de source ZS et de charge ZL sont quelconques, le gain
GT donné dans le paragraphe précédent vaut :
2 2 2
( 1 – G L ) ( 1 – G S ) S 21
G T = -----------------------------------------------------------------------------------------------
-
2
( 1 – S 22 G L ) ( 1 – S 11 G S ) – S 12 S 21 G L G S
328 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
On parle aussi de gain unilatéral lorsque l’on peut faire l’approximation S12 = 0.
Si S12 = 0 les équations fondamentales du système s’écrivent :
b1 = S11 a1
b2 = S21a1 + S22 a2
Ceci signifie qu’il n’y a aucune interaction entre la puissance réfléchie à la sortie
et la puissance réfléchie à l’entrée. En d’autres termes, l’isolement entrée-sortie
est parfait.
La relation précédente donnant la valeur de GT peut alors se simplifier et le gain
en puissance unilatéral GTU est donné par la relation :
2 2 2
( 1 – G L ) ( 1 – G S ) S 21
G TU = ----------------------------------------------------------------
2 2
-
1 – S 11 G S 1 – S 22 G L
Si le transistor est adapté en entrée et en sortie, le gain en puissance unilatéral est
maximum, et devient GTU max .
Cette condition est réalisée si :
G L = S *22
G S = S 11
*
Les coefficients de réflexion sont égaux aux valeurs conjuguées des coefficients Sij
et GTU max vaut :
2
S 21
G TU max = --------------------------------------------------------
2 2
-
( 1 – S 11 ) ( 1 – S 22 )
Au schéma de la figure 6.8, on définit en outre, les gains GA et G.
Le gain GA est le gain en puissance disponible lorsque la sortie est adaptée.
2 2
S 21 ( 1 – G S )
G A = --------------------------------------------------------------
2 2
1 – S 11 G G ( 1 – S 22 ′ )
Si le circuit est aussi adapté à l’entrée, le gain GA devient :
2
S 21
G A = ------------------------
2
1 – S 22
Le gain G est le gain en puissance disponible lorsque l’entrée est adaptée :
2 2
S 21 ( 1 – G L )
G = -----------------------------------------------------------
2
1 – S 22 G L ( 1 – S 11 ′ )
CHAPITRE 6 - COMPOSANTS ACTIFS ET APPLICATIONS
329
S 21
G mast = --------
S 12
Exemple 1
Soit le transistor CLY 5 ayant une tension Drain-Source de 4V et un courant ID
de 200 mA.
À la fréquence de 2 400 MHz les valeurs de S11 et S22 sont données de la manière
suivante :
S11 MAG : 0,7952 ANG : 104,0
S22 MAG : 0,6995 ANG : 126,8
Le terme MAG représente la racine carrée du module du nombre complexe et
ANG, l’argument de ce nombre.
Ces données donnent pour S11 et S22 :
S11 = – 0,1923 + j 0,7715
S22 = – 0,4190 + j 0,560
En remplaçant dans les relations donnant Z11 et Z22, pour l’impédance d’entrée,
Z11 :
0,8077 + j 0,7715
Z 11 = 50 -----------------------------------------
1,1923 – j 0,7715
Z 11 = 9,118 + j 38,25 = R E + jL E w
R E = 9,118 W
L E = 2,536nH
9,11 Ω 39,23 Ω
Entrée Sortie
2,536 nH 5,7 nH
Exemple 2
Dans les mêmes conditions de polarisation à la fréquence de 400 MHz, les para-
mètres sont les suivants :
S11 MAG : 0,8098 ANG : – 90,1
S22 MAG : 0,3726 ANG : – 126,0
S11 = – 0,0014 – j0,8097
CE = 8,15 pF
1
Z22 = 22,99 – j4,834 = RS – j ----------
CS w
RS = 22,99 W
CS = 82,3pF
Le schéma de la figure 6.10 regroupe les résultats donnant la représentation des
impédances d’entrée et de sortie. Lorsque les paramètres S11 et S22 du transistor
sont donnés sous la forme de l’amplitude MAG et de l’angle ANG, les impédan-
ces Z11 et Z22 peuvent être obtenues par la relation suivante :
2
1 – MAG 2MAG sin ANG
Z ij = R O -----------------------------------------------------------------------
2
- + jR O -----------------------------------------------------------------------
2
-
1 + MAG – 2MAG cos ANG 1 + MAG – 2MAG cos ANG
332 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
CE = 8,15 pF CS = 82,3 pF
Entrée Sortie
RE = 10,38 Ω RS = 22,99 Ω
( 1 – m 2 ) 2 + ( 2m sin θ ) 2
R = R 0 ------------------------------------------------------------------
-
( 1 + m 2 – 2m cos θ ) ( 1 – m 2 )
R 1 – m2
L = ---- ------------------
ω 2m sin θ
ω = 2πf
R 0 = 50Ω
( 1 – m 2 ) 2 + ( 2m sin θ ) 2
R = R 0 ------------------------------------------------------------------
-
( 1 + m 2 – 2m cos θ ) ( 1 – m 2 )
1 2m sin θ
C = ------- --------------------
-
Rω 1 – m 2
ω = 2πf
R 0 = 50Ω
EXEMPLE
On cherche à adapter le transistor BFG235 à la fréquence de 70 MHz.
Les valeurs des paramètres S sont données par le constructeur, pour un point
de fonctionnement VCE et IC particulier, dans le listing ci-dessous :
Cela donne :
R = 36,2 Ω
C = 72,2 pF
R1
L
R2
Sortie
;
Entrée T
V V
R1 Rc
;;
I
Q2
D1
Q2 Lc
; ;;
C
R2 Ic
Rb Sortie
Vc
;
Entrée T
Le schéma de la figure 6.11 est utilisé principalement pour les étages à faible puis-
sance (quelques dizaines de dBm), lorsque le courant collecteur ne dépasse pas
une centaine de mA.
Les équations permettant de calculer les deux résistances R1 et R2 sont simples et
le calcul du circuit ne pose pas de problème.
V – V CE
R 1 = ------------------
-
IC
b
R 2 = ( V – V BE – R 1 I C ) ----
IC
IC
b est le gain du transistor : b = ----
IB
La tension VBE est la tension base-émetteur et vaut 0,7 V. La tension V est la
tension d’alimentation du circuit, il suffit alors de choisir un courant collecteur
IC et une tension collecteur-émetteur pour obtenir les valeurs des deux résistances
R1 et R2.
En régime alternatif le self L shunte l’impédance de sortie du transistor T.
En général, la valeur de la self L est choisie de manière à ce qu’elle soit négligeable
devant l’impédance de sortie du transistor. Dans certains cas particuliers, la self L
peut intervenir comme un des éléments du circuit d’adaptation d’impédance.
336 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Amplificateur
Le transistor est polarisé conformément à l’un des schémas précédents, figure 6.11
ou figure 6.12. Il reçoit un signal d’entrée en provenance d’une source d’impé-
dance interne, RG et délivre le signal de sortie sur une charge RL . Deux circuits
d’adaptation d’impédance placés en entrée et en sortie adaptent l’impédance
complexe d’entrée RE jXE à l’impédance RG et l’impédance complexe de sortie
RS jXS à la résistance de charge RL , conformément au schéma de la figure 6.13.
R1
L
R2
Adaptation
;
d'impédance
en sortie
Adaptation
RG d'impédance RL
;;;; ; ; ;; ;
en entrée
VE
; ; ;;;
Figure 6.13 – Polarisation du transistor et adaptation d’impédance.
Les circuits d’adaptation peuvent être calculés en utilisant les paramètres impé-
dance et en calculant les impédances d’entrée Z11 et de sortie Z22 complexes. Il
suffit alors de choisir le réseau d’adaptation et d’appliquer les relations données
dans le chapitre relatif à l’adaptation (chap. 9). L’adaptation d’impédance peut
aussi être réalisée à l’aide des paramètres S en considérant que l’isolation entrée-
sortie est parfaite c’est-à-dire que S12 = 0.
On peut alors exploiter la relation donnant la valeur du gain unilatéral GTU :
2 2 2
( 1 – G L ) ( 1 – G S ) S 21
G TU = ----------------------------------------------------------------
2 2
-
1 – S 11 G S 1 – S 22 G L
En exprimant les gains en dB, la valeur du gain GTU peut se mettre sous la forme :
2 2
1 – GS 2 1 – GL
10 log G TU = 10 log ---------------------------2- + 10 log S 21 + 10 log ----------------------------2-
1 – S 11 G S 1 – S 22 G L
2
G TU = GS + 10 log S 21 + G L
dB dB dB
338 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Cet examen prend tout son sens en examinant le schéma de la figure 6.14. Pour
que le gain soit maximum il suffit que :
G S = S 11
*
G L = S *22
1
G S max = 10 log ---------------------2-
dB
1 – S 11
1
G L max = 10 log ---------------------2-
dB
1 – S 22
RS
GS GL
dB S1*1 S11 S22 S2*2 dB
Oscillateurs
Les oscillateurs sont des sous ensembles, bâtis autour de transistors, extrêmement
importants dans les systèmes de communication. Le rôle des oscillateurs est la
génération d’un signal sinusoïdal stable et précis. La stabilité est assurée soit en
utilisant un circuit résonnant à très fort coefficient de surtension, quartz ou réso-
nateur à onde de surface, soit en utilisant un circuit LC et l’oscillateur est alors
associé à une boucle à verrouillage de phase.
Les oscillateurs à quartz sont utilisés principalement comme source de référence
pour les boucles à verrouillage de phase. Les oscillateurs associés aux boucles à
verrouillage de phase sont utilisés dans les émetteurs pour générer la fréquence à
émettre.
Dans les récepteurs, l’ensemble oscillateur et boucle génère le signal dit oscilla-
teur local qui, après mélange avec le signal reçu permet de disposer du signal à la
fréquence intermédiaire.
La structure des émetteurs et des récepteurs est traitée dans le chapitre 4.
Le schéma de la figure 6.15 représente le schéma électrique d’un type d’oscillateur
extrêmement répandu.
CHAPITRE 6 - COMPOSANTS ACTIFS ET APPLICATIONS
339
A
VBB +V
;
;
L3
C1
R3
OUT
;;;;;
C3 C2
I Ib
I – Ib
L β+1 . 1
C1 –
h11 C1 C2 ω2
Z
V
C1 + C2
R C2
I + βIb
b+1
Z ≈ ( X C1 + X C2 ) + ------------ X C1 X C2
h 11
1 C1 + C2 b + 1
Z ≈ ------ ⎛ ------------------⎞ – ------------ ------------------2
1
j w ⎝ C1 C2 ⎠ h 11 C C w
1 2
Sur le schéma de la figure 6.15, un réseau L3R3C3 est connecté aux bornes de cette
impédance Z.
Le rôle du condensateur C3 est de ne pas modifier la tension de polarisation de
base du transistor VBB . C’est donc une capacité de forte valeur qui n’intervient
pas dans le calcul.
La condition d’oscillation est donnée par la relation :
b+1 1
R3 ------------ ------------------2
h 11 C C w
1 2
Et la fréquence d’oscillation vaut :
1
f 0 = ---------------------------------
C1 C2
2 p L ------------------
C1 + C2
CHAPITRE 6 - COMPOSANTS ACTIFS ET APPLICATIONS
341
f0 Fréquence
–180°
1
2
Phase
GHz sont aisément obtenues avec des transistors NPN bipolaires ou des tran-
sistors FET As Ga.
– Le coefficient de surtension Q du circuit oscillant.
Il dépend des éléments L et C du circuit oscillant, qui ne peuvent être consi-
dérés comme des éléments parfaits. Des résistances, selfs et capacités parasites
limitent le coefficient Q du circuit oscillant seul. D’autre part, le circuit
oscillant LC est couplé au transistor, les éléments de couplage et l’impédance
du transistor limitent encore ce coefficient Q.
– Le facteur de bruit du transistor utilisé.
Le rapport signal/bruit dépend de la puissance de sortie de l’oscillateur et du
facteur de bruit du transistor utilisé.
Stabilité de phase
Les courbes de la figure 6.17 représentent la fonction de transfert phase-
fréquence d’un circuit RLC parallèle.
La phase q s’écrit en fonction de la pulsation w :
w w0
q = arctanQ ⎛ ----- – -----⎞
⎝ w0 w ⎠
1 R
avec w 0 = ----------- et Q = ---------
LC L w0
dq
On s’intéresse aux variations de la phase q en fonction de w soit ------
dw
2 2
dq Q w + w0
------ = ------------------------------------------2- -----------------
2
-
dw 2 w w0 w0 w
1 + Q ----- – -----
w0 w
dq 2Q
Lorsque w = w0 alors ------ = -------
dw w0
w = w0
Le facteur de stabilité de phase SF est défini comme étant égal à 2Q.
En conséquence, plus le coefficient de surtension est élevé, meilleure sera la stabi-
lité. Ceci constitue donc un argument supplémentaire pour employer un circuit
oscillant ayant le plus fort coefficient de surtension Q.
Caractéristiques essentielles des VCO
Un VCO est un oscillateur contrôlé en tension. En général, une ou plusieurs
capacités fixes du circuit oscillant sont remplacées par des éléments dont la capa-
cité est fonction de la tension appliquée à ses bornes : diode à capacité variable.
CHAPITRE 6 - COMPOSANTS ACTIFS ET APPLICATIONS
343
; ;
V
D
G
S
L
TUNE OUT
; ;;;
Figure 6.18 – Schéma d’oscillateur VCO à transistor à ef fet de champ.
A+
; ; L3 C5 L1 C1 C4
D
G
Q1
;;
D3
L5
C7 C2 S C8 R1 D1
L4 Tension
d'accord
;; ; ;
C9
D4
C6
L2
D2
C3
;; ;;
R2
Les figures 6.20 et 6.21 représentent deux cas concrets ou les VCO ont été conçus
pour un faible bruit de phase. Pour bien concevoir ou sélectionner un VCO, il
est important de bien comprendre les caractéristiques de ce module ou sous
ensemble, essentiel en radiocommunication.
+10 V
;; ;;;
+
220 470 200
22 F 100
HSMS2800 0,0012
VCO 74–105 MHz
;
;;
+
56 0,001
12 x BB809
74–105 MHz
RF OUT
U310 0,001
Ferrite 3,9 k
Bead
680
6,8 H
92 nH
4,7
;;;;
; ; ;;
BFR193
470
470 1k
;;;;
330
3,3 H
10 H
1,8 k
–10 V
;;;;;;
0,01 0,01 0,01 22 F
+
Figure 6.20 – Schéma d’un VCO avec transistor à ef fet de champ et étage tampon.
f = 74 MHz – 105 MHz.
● Bruit de phase
Le schéma de la figure 6.22 représente le spectre de sortie d’un oscillateur. Le
bruit de phase B est mesuré à une distance f de la porteuse et est exprimé en
dbc/Hz (dBcarrier).
Si la mesure s’effectue avec un analyseur de spectre utilisant un filtre d’analyse
de largeur BW, le bruit de phase est donné par la relation :
B[dBc/Hz] = B + 10 log BW
CHAPITRE 6 - COMPOSANTS ACTIFS ET APPLICATIONS
345
GL200-GL205
L200
R200
OUT
580 680
L203 L205
C201 C203
680 680
Tension
d'accord
RF OUT +
Figure 6.21 – Schéma d’un VCO à transistor à ef fet de champ. f = 110 MHz – 210 MHz.
● Puissance de sortie
La puissance de sortie est exprimée en dBm sur une charge de 50 ohm. À cette
notion de puissance on doit associer une notion de variation x dB sur toute
l’étendue de fréquence.
● Taux d’harmoniques
Outre le fondamental, l’oscillateur contrôlé en tension ou oscillateur fixe, déli-
vre les harmoniques du fondamental.
Le niveau de réjection de ces harmoniques doit être spécifié. Il est en général de
l’ordre de 20 dB et peut être amélioré par filtrage externe. Le niveau de réjec-
tion d’harmonique est un paramètre important dans les émetteurs et dans les
récepteurs. Dans les étages changeurs de fréquence, la présence des harmoni-
ques sur les oscillateurs locaux est la cause principale des réponses parasites.
346 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
P = puissance de la porteuse
B
1
f4 Sens positif
1
f3 1
f2 1
f
Bruit
thermique
f Fréquence
Porteuse
ID (mA)
B Vgs = 0 V
120
Vgs = 0,5 V
100
Vgs = 1,0 V
80
Vgs = 1,5 V
60
Vgs = 2,0 V
40
Vgs = 2,5 V
20
C A Vgs = 3,0 V
0
0 1 2 3 4 5 6
VDS (V)
Le transistor à effet de champ est dit à loi quadratique, car le courant ID est lié à
la tension grille source par la relation :
V GS ⎞ 2
I D = I DSS ⎛ 1 – ---------------------
-
⎝ V GS ( OFF ) ⎠
VGS(OFF) est appelée tension de pincement Vp . Lorsque l’on applique cette
tension, le courant ID est réduit au strict minimum, ce courant minimum varie
entre 1 et 10 mA en fonction du type de transistor (point A de la courbe de la
figure 6.23).
Lorsque la tension de polarisation VGS est nulle, le courant drain atteint la valeur
IDSS maximale (point B de la courbe de la figure 6.23).
La caractéristique quadratique du transistor FET est intéressante car elle indique
que la distorsion par harmonique d’ordre impair sera plus faible que celle obte-
nue avec un transistor bipolaire NPN par exemple.
En régime continu, on définit la transconductance gm comme étant le rapport :
D ID
g m = -----------
-
D V GS
En amplification basse fréquence, gm peut être utilisée pour caractériser le gain
d’un étage à transistor à effet de champ.
348 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
En haute fréquence, cette notion n’a plus de sens et l’on utilise comme pour le
transistor bipolaire les paramètres S.
Toutes les définitions données en paramètres S pour le transistor bipolaire sont
applicables au transistor à effet de champ. Un étage amplificateur à transistor,
qu’il soit à transistor FET ou à transistor bipolaire sera donc calculé suivant les
mêmes procédés.
Deux circuits d’adaptations sont placés à l’entrée et à la sortie du transistor. La
seule différence réside dans les circuits de polarisation en régime continu, adaptés
à l’un ou l’autre type de transistor. Les performances des transistors FET As Ga
diffèrent de celles des transistors bipolaires NPN. Le facteur de bruit F d’un tran-
sistor FET As Ga peut être inférieur à 1 dB à 10 GHz.
Cette caractéristique destine naturellement le FET As Ga aux étages d’entrée des
récepteurs pour les raisons qui ont été exposées au chapitre 1.
La loi quadratique permettant de réduire la distorsion par harmonique d’ordre
impair, les transistors As Ga de puissance ou moyenne puissance trouveront leur
place dans les étages de sortie des émetteurs en facilitant les circuits de filtrage et
d’adaptation en sortie.
C RS LS
RP C0
1
f 0 = --------------------
2 p LS C
Ceq = C0 + C
K
C eq = --------------------------n
( VR + VD )
La diode varicap peut aussi être modélisée en utilisant une autre équation :
m
C eq = C 0 ⎛ ----------------⎞
A
⎝ A + V R⎠
C max C eq [ V R min ]
---------- = --------------------------
-
C min C eq [ V R max ]
BB141
n = 0,75
C (3V ) 5
C (VD + VR ) 4
3 n = 0,5
n = 0,33
2
1
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
VD + VR
3
D1
R
L0 C0
C1 C2 VR
C1
R
L0 C0
D1 C2 VR
D1
R
L0 C0
D2 C2 VR
D1
R
L0 C0
C1
CD1
C'.CD1
= C'1
L0 C0 C' C' + CD1
R' = R
R 2 C 21 ω 2 + 1
L0 C0 C'' R''
VS CD1 C1 VE
f max C max
-------
- = ----------
f min C min
Ceci montre qu’il est extrêmement difficile d’obtenir les plages de variation
fmax/fmin supérieures à trois.
Le schéma équivalent de la diode PIN est représenté à la figure 6.29. Les compo-
santes Lp et Cp sont dues au boîtier de la diode et donc au matériau d’enrobage.
LP RS Rj
CP Cj
R1 D1
R = Z0 R = Z0 R = Z0 R = Z0
Z0 Z0 Z0 Z0
; ;
R4 D4
Polarisation fixe
R5
L2
C1 D1 C2
RF IN RF OUT
R0 R0
C3 L1
D4
;
R7
Tension de R6
commande
C4
;
Figure 6.31 – Transposition du schéma de la figure 6.29.
Tension de Tension de
polarisation fixe commande
R5 R7
L2 L3
C1 C5 D3 C2
RF IN RF OUT
D1 D2
R4 L1
; ;;; C3
6.4.2 Commutateurs
Le schéma de la figure 6.33 représente un commutateur élémentaire. Les selfs L1
et L2 sont négligeables dans la bande passante, leur rôle se limite à la circulation
du courant direct de commande :
– Lorsque le courant est nul, la résistance de la diode PIN est élevée, ce qui
correspond à l’interrupteur ouvert.
– Lorsque le courant direct circule dans la diode, la résistance diminue et ceci
correspond à la fermeture de l’interrupteur.
Cet interrupteur est bidirectionnel, la combinaison de plusieurs structures iden-
tiques permet de réaliser un commutateur avec un nombre quelconque de
circuits et de positions.
;
Diode PIN
IN OUT
L1 L2
Tension de commande
;
+ V : interrupteur fermé
0 : interrupteur ouvert
M ÉLANGEURS
Les mélangeurs sont probablement les composants les plus utilisés et les plus
importants dans les circuits haute fréquence. Ce chapitre est consacré à la théorie
et à la présentation des différents types de mélangeurs, ainsi qu’à leurs nombreu-
ses applications.
e2 = sin ω2t
Les termes w1 et w2 sont les pulsations des signaux d’entrée aux fréquences f1 et f2.
Le schéma de la figure 7.2 rend compte de la multiplication des deux signaux
d’entrée aux fréquences f1 et f2, donnant naissance à deux signaux de sortie aux
fréquences f1 – f2 et f1 + f2. Les deux signaux de sortie à f1 + f2 et f1 – f2 sont dits
fréquences images.
Amplitude A
A1
A2
K A1 A2
f2 f1 Fréquence f
f1 – f2 Entrée f1 + f2
Sortie Sortie
Fréquence f
f1 – f2 + f f2 f1 + f f1 + f2 + f
f1 – f2 f1 f1 + f2
f1 – f2 – f f1 – f f1 + f2 – f
Si les deux signaux e1 et e2 sont appliqués à un élément non linéaire dont la carac-
téristique est celle de la figure 7.4, le courant de sortie résultant s’écrit :
I = a2 (A1 sin w1t + A2 sin w2t)2
soit :
2 2
I = a2 A 1 sin2 w1t + a2 A 2 sin2 w2t + 2A1A2a2 sin w1t sin w2t
ou encore :
2 2
a2 2 2 a2 A1 a2 A2
I = ---- ( A 1 + A 2 ) – ------------ cos 2w1t – ------------ cos 2w2t
2 2 2
+ A1A2a2 [cos (w1 – w2)t – cos (w1 + w2)t]
Dans ce cas, le spectre de sortie se compose non seulement de la transposition
w1 – w2 et w1 + w2, mais aussi des harmoniques 2 des signaux incidents 2 w1 et 2w2.
Dans un cas réel, la fonction de transfert n’est pas aussi simple que celle de la
figure 7.4. Le système est non linéaire et peut se mettre sous la forme plus générale :
I = a0 + a1V + a2V 2 + a3V 3 + ...
où V représente la somme des deux signaux d’entrée e1 et e2. Dans ce cas la
tension de sortie comporte des raies aux fréquences : m w1 n w2 où m et n sont
des entiers 0, 1, 2, 3…
Dans une application typique, en général, on ne s’intéresse qu’à l’un ou l’autre des
produits w1 + w2 ou w1 – w2. Ces produits correspondent au cas m = n = 1.Toutes
les autres combinaisons linéaires engendrent des produits indésirables dont la
présence doit être prise en compte. Ceci signifie que ces produits doivent être
éliminés par filtrage en sortie du mélangeur.
CHAPITRE 7 - MÉLANGEURS
363
RF Filtre Filtre FI
Filtre
OL
La configuration la plus usuelle de mélangeurs est celle de la figure 7.6 qui repré-
sente un mélangeur double équilibré ou DBM double balanced mixers.
Les entrées e1 et e2 utilisées dans le cas du multiplicateur idéal sont rebaptisées RF
et OL et la sortie s, rebaptisée IF :
– RF : Radio Frequency, en général le signal à traiter ;
– OL : Oscillateur Local, le signal utilisé pour la transposition ;
– IF : Fréquence Intermédiaire.
Les entrées et sorties sont généralement appelées ports.
; ; ;
T1 T2
e2 C e1
OL D4 D1 RF
B A
; ;;
D3 D2
D
s
IF
Fonctionnement du mélangeur
Pour analyser le fonctionnement de ce mélangeur, on utilise le modèle simplifié
de la figure 7.7. La non-linéarité des diodes D1 et D2 permet la multiplication,
imparfaite, des deux signaux d’entrée injectés sur les ports OL et RF. Les produits
d’intermodulation m w1 n w2, sont récupérés sur le port de sortie IF.
;;
;;; ; ;;
OL
D1
IF RF
D2
+ iOL1 iRF1
;;
OL
RFI RRF
– – +
VFI VRF
;
+
iOL2
iRF2
–
Si le signal OL est injecté seul, il donne naissance aux courants iOL1 et iOL2 au
secondaire du transformateur. Dans la résistance RRF , ces deux courants iOL1 et
iOL2 s’annulent s’ils sont parfaitement identiques. L’isolation OL-RF est en théo-
rie parfaite. Il en est de même dans la résistance RFI . L’isolation OL-FI est en
théorie parfaite.
Si on injecte le signal RF seulement, celui-ci génère les courants iRF1 et iRF2. Ces
deux courants s’ajoutent dans RFI . Il n’y a pas d’isolation ente RF et FI. Par
contre, les courants s’annulent dans le secondaire du transformateur, l’isolation
est donc théoriquement parfaite entre RF et OL.
CHAPITRE 7 - MÉLANGEURS
365
Toutes ces considérations s’appliquent si les courants iOL1 et iOL2 ainsi que iRF1 et
iRF2 sont rigoureusement identiques. Dans la pratique, les diodes ne sont pas
exactement appairées, le transformateur n’est pas idéal et ceci conduit à une isola-
tion imparfaite entre les ports.
Aux fréquences les plus hautes, les inductances de câblage et les capacités parasi-
tes réduisent encore les performances. On peut alors s’intéresser à l’isolation dans
le cas du mélangeur symétrique équilibré de la figure 7.6. Supposons que le signal
OL soit le seul présent ; si le transformateur T est parfaitement symétrique et que
les diodes D1 et D2 sont identiques, on obtient : VA = 0.
Le même raisonnement est applicable pour les diodes D3 et D4 soit : VB = 0.
Il n’y a donc pas de signal OL aux bornes du transformateur T2. Le pont consti-
tué par les quatre diodes D1 à D4 est équilibré. L’isolation est théoriquement
parfaite entre le port OL et les ports RF et IF.
Supposons maintenant que l’on applique seulement le signal RF, comme précé-
demment le pont constitué par les quatre diodes D1 à D4 est équilibré, la tension
VC – VD , due au signal RF, est nulle. En conséquence, l’isolation théorique entre
les ports RF et OL est parfaite. De la même manière, si le transformateur T 2 est
parfait, il n’y a pas de signal RF sur le port de sortie IF.
Dans la pratique, bien que l’on cherche à appairer au mieux les quatre diodes et
les transformateurs, les isolations entre les ports ont des valeurs finies. Ces valeurs
sont fonction des fréquences et des puissances des signaux présents sur les diffé-
rents ports et sont spécifiées par le constructeur du mélangeur.
L’isolation est en général une valeur comprise entre 10 et 60 dB et dépend du
niveau de performances. L’isolation étant liée à l’appariement des composants,
un tri en fabrication différencie les mélangeurs par leur niveau de performances
différent.
fRF RF IF fIF
pRF pIF
OL
fOL
pOL
Perte de conversion
La perte de conversion est la première caractéristique importante d’un mélangeur.
Elle est définie comme le rapport de puissance de l’une des deux composantes
résultant du mélange à la puissance du signal présent sur le port RF :
P IF
Pc = --------
P RF
Si Pc est exprimé en dB :
Pc dB = P IF dBm – P RF dBm
Cette perte de conversion est fonction du niveau injecté sur le port OL. En
général, les mélangeurs sont spécifiés pour des niveaux POL nominaux, + 7 dBm,
+ 17 dBm, ou + 23 dBm.
La courbe de la figure 7.10 représente la perte de conversion typique d’un
mélangeur devant recevoir un niveau OL de + 7 dBm. Cette perte varie de 9,5
dB à 6 dB lorsque le niveau OL varie de 0 à + 10 dBm.
dBm
5
6
7
8
9
10
0 2 4 6 8 10 dBm
EXEMPLE
Soit un mélangeur recevant :
– sur le port RF, fRF = 1300 MHz, PRF = – 50 dB;
– sur le port OL, fOL = 1440 MHz, POL = + 7 dB.
Sur la sortie IF on s’intéresse au produit :
fIF = fOL – fRF = 1440 – 1300 = 140 MHz
PIF = PRF – Pc = – 50 – 6 = – 56 dBm.
Les produits d’ordre 3 sont alors rejetés à 80 dB. La courbe de la figure 7.11
montre clairement que la réjection des produits d’ordre 3 est fonction du niveau
d’entrée. Cette caractéristique, qui est exploitée dans le chapitre traitant de la
structure des émetteurs et récepteurs (chap. 4), n’est en général pas précisée par
les fabricants de mélangeur bien qu’elle soit essentielle.
40
Niveau de sortie (dBm)
RF
IF
20
–20
des produits
Réjection
d'ordre 3
–40
–60
–80
–80 –60 –40 –20 0 20 40
Niveau d'entrée (dBm)
EXEMPLE
Prenons le cas précédent du mélangeur recevant :
fRF1 = 1300 MHz
fRF2 = 1330 MHz
fOL = 1440 MHz
La fréquence IF intéressante est : f1 = fOL – fRF1 = 140 MHz
Les produits d’intermodulation d’ordre 3 sont situés aux fréquences suivan-
tes :
80 MHz, 170 MHz, 2710 MHz et 2800 MHz.
Le produit à 170 MHz est le plus proche de la fréquence FI et il peut être
difficile à éliminer, en devenant plus important que le signal utile à
140 MHz.
Pour diminuer les produits dus à la distorsion d’intermodulation d’ordre 3, il
faut soit diminuer les niveaux d’entrée, soit sélectionner un mélangeur ayant
un point IP3 plus élevé.
CHAPITRE 7 - MÉLANGEURS
369
EXEMPLE
Soit un mélangeur ayant un point de compression à 1 dBm et des signaux
d’entrée NRF de – 10 dBm.
La puissance des produits d’intermodulation d’ordre 3 vaut :
NDIM3 = 1 + 15 – (1 + 15 – (– 10))3 = – 62 dBm
RF IF IF 1
OL
OL1
fRF RF1 fOL + fRF
RF Diviseur de Diviseur de Combineur
puissance OL puissance de puissance
90° 90° 90°
;
RF2 fOL fOL – fRF
OL2
OL
RF IF IF2
On peut soit additionner, en phase, ces signaux, soit effectuer une soustraction.
La soustraction est analogue à l’addition d’un premier signal déphasé de p/2 au
second signal. On obtient alors sur les deux sorties, les deux composantes corres-
pondant aux deux produits d’intermodulation.
eIF1 + eIF2 = cos (wRF – wOL )t
eIF1 – eIF2 = cos (wRF + wOL )t
A+ +V' +V
IF IF IF IF
OL
circuit circuit
RF RF
circuit OL
RF
a
+V
Circuit accordé IF
IF
RF RF
circuit OL
b
+9 RF
10 kΩ
1:1 1:1
10 H 1 kΩ 100 nF
IF
OL
15 à 17 dBm 51 Ω
2N5179 2N5179
51 Ω
22 Ω 22 Ω
1:4
51 Ω IP3 = +33 dBm
G = –6 dB
Pour le mélangeur réalisé autour d’un transistor à effet de champ à simple grille,
il y a très peu d’isolation entre les ports. Les signaux RF et OL doivent donc être
appliqués via des filtres passe-bande étroits. La sortie IF devra en outre compor-
ter un filtre pour ne conserver que le produit d’intermodulation désiré.
Par ces limites, cette structure n’est utilisée que dans les applications à bande
étroite, elle n’est donc pas recommandable dans le cas de signaux fRF et fOL , si ces
derniers doivent couvrir une large bande de fréquence.
L’impédance de charge du transistor à effet de champ doit être élevée pour l’une
ou l’autre des fréquences f RF ± f OL et la plus faible possible pour les autres
fréquences : fRF , fOL, 2fRF , 2fOL. Cette charge est en général un circuit accordé.
Il est important d’éliminer les 4 fréquences parasites dans l’étage de sortie pour
éviter les phénomènes de DIM d’ordre 2 et 3 dans les étages suivants. Les seuls
avantages de cette configuration sont sa relative simplicité et son faible coût qui
permettent malgré tout un gain de conversion PIF PRF . Un transistor à effet de
champ à double grille peut être utilisé en tant que mélangeur.
Cette configuration élimine les problèmes dus à l’injection des signaux d’entrée
sur les ports RF et OL. L’isolation RF-OL est assurée. Les fréquences RF et OL
peuvent couvrir une large plage.
Sur le port IF, une circuiterie identique à celle utilisée dans le cas du transistor
FET à grille unique doit être prévue. Cette structure est recommandée pour des
utilisations avec IF à bande étroite.
;;
A+ TR2
IF
TR1
;
RF T1 T2
LO
;
; ;;
Figure 7.14 – Mélangeur symétrique actif.
A+
T3
IF
; ;
;;
U1 C
T1
;;
LO
;; ;
C
RF
;
C C
;
T2
RS
A+
T3
IF
;; ;
C
T1
R1 R3 C
; ;;
LO
;;
C
C
; ;
RF
;;
;; ;
C
T2
;;
;; ;
C R4 R2
Ces résultats sont à comparer avec un mélangeur passif à diodes. Dans ce cas, le
point d’interception du troisième ordre est supérieur d’environ 10 dB à celui
d’un mélangeur à diode recevant la même puissance d’oscillateur local. La perte
de conversion n’est que de 1 dB alors que l’on devrait s’attendre à 6 dB pour un
mélangeur à diode.
VP
OL1
IF1 IF2
OL2
VPB 1 VPB 2
RF2
RF1
VPB 4 VPB 3
; ; ;;
Figure 7.17 – Cellule de Gilber t : multiplicateur quatre quadrants utilisé en mélangeur.
Pour simplifier le schéma, les éléments destinés à générer les quatre tensions
de polarisation VPB1 à VPB4 ont été éliminés. La raison d’être de cette structure
est sa possibilité d’intégration dans un circuit. Dès lors, la fonction mélange peut
être assurée par un circuit intégré miniature.
Des fonctions d’amplification annexes peuvent être regroupées dans le même
circuit de manière à simplifier la production d’émetteur ou de récepteur. Des
CHAPITRE 7 - MÉLANGEURS
377
amplificateurs peuvent être utilisés soit dans les trajets d’entrée RF et OL, soit
dans le trajet de sortie IF.
Dans certains cas les éléments actifs destinés à la production du signal OL,
oscillateur local, sont intégrés dans le même circuit.
Les composants passifs tels que les filtres et les transformateurs sont extérieurs au
circuit intégré. Si les transistors sont parfaitement identiques, les isolations entre
les ports OL et IF et RF et IF sont théoriquement parfaites.
En fabriquant les transistors simultanément sur le même substrat, on a une espé-
rance maximale d’appariement entre transistors ; cette structure est donc naturel-
lement destinée à une intégration. Les performances typiques de cette structure
sont extrêmement variables et fonction notamment des procédés de fabrication
et de la cible visée par le fabricant.
Le tableau 7.1 regroupe les performances essentielles pour deux circuits intégrés,
NE 602 Philips et IAM 81008 Hewlett Packard.
Tableau 7.1 – Comparaison des paramètres
de deux mélangeurs à cellule de Gilber t.
P1 db dm – 25 (entrée) –6
F dB +5 + 17
G dB + 18 6 – 10
POL dB +3 –5
Les informations sont telles que chacun des deux constructeurs les donne. Or,
pour le circuit NE 602, les termes P1 dB et IP3 sont spécifiés en entrée, ce qui
est assez inhabituel. Pour comparer effectivement ces valeurs il faut tenir compte
du gain de conversion. Nous avons donc en sortie du mélangeur NE 602 :
P1 dB = P1 dB (entrée) + G = – 25 + 18 = – 7 dBm
IP3 = IP3 (entrée) + G = – 15 + 18 = + 3 dBm
Dans ces conditions les caractéristiques en terme de P1 dB et IP3 sont extrê-
mement voisines.
Dans le tableau 7.1, il ne s’agit pas de comparer les deux circuits intégrés. Les
fréquences de fonctionnement sont notablement différentes. La comparaison que
378 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
l’on doit effectuer est entre les mélangeurs à cellule de Gilbert et les modulateurs
à diodes en anneau. Le principal reproche fait au mélangeur équilibré à diode
était la puissance du signal OL devant être injecté.
Avec les mélangeurs utilisant la cellule de Gilbert, l’objectif de réduction de puis-
sance à fournir au port OL est atteint. Si le niveau OL est moins important,
l’isolation étant constante, les niveaux dus aux défauts d’isolation, présents sur les
ports RF et IF seront d’autant moins importants.
On remarque que le circuit NE 602 est plutôt destiné aux applications à bande
étroite et l’IAM 81008 aux applications à large bande. En termes de facteur de
bruit, le circuit NE 602 est légèrement supérieur à un DBM à diodes, et l’IAM
nettement moins performant. Le facteur de bruit du mélangeur peut être assi-
milé à sa perte de conversion bien que ce résultat soit optimiste.
Finalement les DBM à diodes en anneau restent très supérieurs aux mélangeurs
actifs en terme de point de compression à 1 dB et IP3.
Pour un mélangeur à diode P1 dB est de l’ordre de 1 dBm et IP 3 = POL + Pc
varie de + 13 à + 30 dBm en fonction de la puissance fournie sur le port OL.
Conclusion
La description des mélangeurs, qu’ils soient passifs ou actifs, montre que nous
sommes en présence de structures différentes ayant des performances et carac-
téristiques différentes. On ne peut donc pas conclure en désignant un
mélangeur idéal et universel, mais à chaque application correspondra un choix
optimum.
Le concepteur devra, avant toute chose, établir le cahier des charges et effec-
tuer un compromis entre complexité, encombrement, coût, consommation et
performances en terme de P1 dB, IP2, IP3 et isolation.
CHAPITRE 7 - MÉLANGEURS
379
RF IN RF1 RF1
;; ;
RF IN
RF2 RF2
RF1
RF IN
RF2
IF1 IF1
IF2 IF2
Changeur de fréquence
On utilise aussi les termes de transposition de fréquence ou transposition d’une
bande de fréquences.
Soit le mélangeur de la figure 7.19 recevant :
– sur le port OL, un signal fOL ;
– sur le port RF, un signal dont le spectre s’étend de f – Df à f + Df.
En sortie IF, le spectre d’entrée est transposé en deux spectres.
Le premier est compris entre fRF – fOL – D f et fRF – fOL + D f
et le second entre fRF + fOL – D f et fRF + fOL + D f
380 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
RF IF
OL
fRF f fRF – fOL + ∆f fRF + fOL + ∆f f
f R + ∆f fRF – fOL fRF + fOL
fR – ∆f
fRF – fOL – ∆f fRF + fOL – ∆f
fOL f
RF IF IF RF
IF IF
OL OL
Détecteur de phase
Soit le mélangeur de la figure 7.21 recevant sur ses entrées RF et OL les signaux
suivants :
vRF = V1 cos (wt + j1)
vOL = V2 cos (wt + j2)
Tension de sortie (V)
0,3 RF IF
V1 cos (ωt + ϕ1)
OL
0
0 45 90 135 180
Phase relative ϕ1 – ϕ2 ()
V2 cos (ωt + ϕ2)
–0,3
Les signaux vRF et vOL sont de fréquence identique, mais de phase différente. Le
mélangeur effectue le produit des deux tensions d’entrée vRF et vOL. La tension de
sortie vIF s’écrit :
vIF = V1V2 cos (wt + j1) cos (wt + j2)
V1 V2
vIF = ------------ [cos (2w + j1 + j2)t + cos (j1 – j2)]
2
Modulateur d’amplitude
Une application particulièrement intéressante des mélangeurs à diodes est la
génération d’un signal modulé en amplitude. Deux configurations sont repré-
sentées à la figure 7.22.
RF OL
Porteuse fc
IF
fc + fm
Signal modulant fm fc
fc – fm
OL RF
Porteuse fc
IF
fc + fm
Signal modulant fm fc
fc – fm
Le signal sinusoïdal porteur de fréquence fc est injecté soit sur l’entrée RF, soit sur
l’entrée OL et le signal modulant sur l’entrée FI. Ce signal modulant peut être
soit une fréquence fixe, mais plus généralement le signal en bande de base à trans-
mettre, un signal audio ou un signal vidéo, par exemple. Le cas d’un signal
numérique sera traité ultérieurement.
Les deux spectres de sortie sont donnés à la figure 7.22. Lorsque la porteuse est
injectée sur RF, le signal résultant est prélevé sur la sortie OL. Si l’isolation entre
CHAPITRE 7 - MÉLANGEURS
383
les ports RF et OL est suffisante, l’opération ainsi réalisée est proche d’une
modulation d’amplitude à porteuse supprimée. Dans ce cas fc n’apparaît pas dans
le spectre de sortie qui se compose uniquement de fc + fm et fc – fm.
Le deuxième cas représente une isolation insuffisante entre les ports OL et RF. Il
s’agit aussi d’une modulation d’amplitude avec un taux de modulation très
supérieur à 1, mA 1.
Pour réaliser la fonction modulation d’amplitude double bande avec
porteuse, celle-ci doit être réinsérée dans le spectre de sortie avec un niveau tel
que l’indice de modulation mA ne dépasse pas 100 %. La configuration de la
figure 7.23 répond au problème posé.
+10 dBm
–3 dBm
Atténuateur OL RF
6 dB +4 dBm
IF
fc + fm
Signal modulant fm fc
fc – fm
Modulateur de phase
Le modulateur de la figure 7.24 reçoit sur l’entrée RF une porteuse pure à la
fréquence fRF et sur l’entrée IF un signal logique compris entre les valeurs – V et
+ V.
R +V
IF
RF OL –V
BPSK
IF
RF OL
D1 D4
; D2 D3
; ;
RF OL RF OL
; Si VIF > 0
D2 et D4 ON
D1 et D3 bloquées
;;; Si VIF < 0
D2 et D4 bloquées
D1 et D3 ON
;;
Figure 7.24 – Modulation de phase à deux états.
RF OL
IF
Circuit de Clock Q
mise en
forme
Phase 0 Phase –π
D
Doublage de fréquence
Sur le schéma de la figure 7.26, deux des trois ports du mélangeur reçoivent le
même signal d’entrée :
vE = A cos (wt + j)
D Q
VE = A cos (ωt – π ± π )
2
VS = A cos 2ωt Horloge
f= ω
2 2 2 Mise en Clock
forme 2π
Q
Bascule D
Démodulation BPSK
Si l’on combine le système de récupération de porteuse de la figure 7.26 et le
multiplicateur de la figure 7.21, comme le montre le schéma de la figure 7.27, on
réalise simplement la démodulation du signal BPSK.
M2
RF IF
Signal BPSK
M1 OL
+0,3
Mise en –0,3
forme %2
Élévation
au carré
Démodulateur de fréquence
Considérons une porteuse pure non modulée :
v(t) = A sin Wt
Cette porteuse est modulée en fréquence par le signal ou message à transmettre :
m(t) = sin wt
La démonstration donnée dans le chapitre consacré aux modulations donne
l’équation du signal modulé en fréquence :
OL
Retard θ
θ = π/2 à Ω
Retard fonction
de la fréquence
Si l’on admet que le retard q est une fonction linéaire du message m(t) :
p
q = --- – a m(t)
2
Dans l’équation du signal de sortie, le terme en cos 2Wt correspond à un spectre
centré sur 2W . Si ces composantes sont éliminées par filtrage, la sortie se limite à :
2
A p
s(t) = ----- cos --- – a m ( t )
2 2
2
A
s(t) = ----- sin[am(t)]
2
388 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Toutes les variations de a m(t) sont proches de p/2. Le terme a m(t) est petit. On
peut donc faire l’approximation suivante :
sin [a m(t)] a m(t)
Le signal de sortie s’écrit simplement :
2
A
s(t) = ----- a m(t)
2
Ce signal, proportionnel au message modulant, montre que la configuration de
la figure 7.28 correspond à une démodulation de fréquence. Ce type de
démodulateur est dit à quadrature et on trouvera une démonstration plus
complète dans le chapitre relatif aux modulations analogiques (chap. 2).
Il existe un grand nombre de circuits intégrés spécifiques, destinés à la fonction
démodulation par le principe de la multiplication des signaux incidents en
quadrature. On peut imaginer que dans certains cas, aucun circuit spécifique ne
résolve le problème du concepteur.
La structure bâtie autour d’un mélangeur équilibré, s’adaptant à toute fréquence
centrale et toute largeur de bande peut répondre efficacement au problème posé
en sacrifiant l’intégration.
Démodulation d’amplitude
Un mélangeur équilibré répond parfaitement à la démodulation d’amplitude
qu’elle soit avec ou sans porteuse, simple ou double bande.
Le schéma de la figure 7.29 montre que cette opération, démodulation d’ampli-
tude est extrêmement simple et se résume à la multiplication du signal modulé
en amplitude par un signal local dont la fréquence est identique à celle de la
porteuse.
RF IF
Signal modulé Filtrage Signal démodulé
en amplitude = message original
OL
et la porteuse :
g(t) = A cos wt
L’équation de la porteuse modulée s’écrit :
mA mA
v(t) = A cos wt + A ------- cos (w + w1)t + A ------- cos (w – w1)t
2 2
Sous cette forme, on fait apparaître clairement la porteuse et les deux bandes laté-
rales.
Le signal injecté à l’entrée de l’oscillateur local vaut :
vOL (t) = B cos wt
Le signal de sortie, prélevé sur le port IF du mélangeur résulte de la multiplica-
tion des deux signaux d’entrée :
s(t) = v(t) . vOL (t)
AB mA
s(t) = ------- cos 2 w t + ------- ( cos ( 2 w + w 1 )t + cos w 1 t )
2 2
mA
+ ------- ( cos ( 2 w – w 1 )t + cos ( – w 1 t ) )
2
Les termes en 2w , 2w + w1 et 2w – w1 correspondent au spectre du signal d’entrée
transposé autour de 2w . Ce signal est éliminé par filtrage et la tension de sortie se
résume à :
AB
s(t) = ------- mA cos w1t
2
s(t) est proportionnel au signal modulant m(t)
m(t) = B cos w1t
La présence du signal s(t) en bande de base en sortie est due à la multiplication
de la porteuse générée localement et multipliée à l’une ou l’autre des bandes laté-
rales.
Ce type de démodulation convient à tous les types de modulation d’amplitude :
– double bande avec porteuse;
– double bande sans porteuse;
– bande latérale unique inférieure ou supérieure;
– bande latérale réduite.
Cette démodulation correspond à une transposition autour de la fréquence 0,
comme le montre le schéma de la figure 7.30. Il s’agit en fait d’un cas particulier
de transposition de fréquence.
390 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Porteuse ω
générée localement
0 ω1 ω 2ω
ω – ω1 ω + ω1 2ω – ω1 2ω + ω1
Transposition Transposition
vers le bas vers le haut
40
30
Modèles
Models SAM-1
SAM-1 SAM-2
SAM-2 SAM-3
20
10
0 OL RF
e (t ) s (t )
0,01 0,1 1 10 100
6
SAM-2
5
SAM-1 i
4
3
2
SAM-3
1
0 0,1 1 10 100 1 000
Intensité (mA)
Mélangeur
OL RF
e (t )
IF
Limitation du courant
+ –
Référence
Redressement
Amplificateur
d'asservissement
Filtrage
7.3 Conclusion
Les mélangeurs sont des composants essentiels en radiocommunication. Qu’ils
soient actifs ou passifs, ils peuvent être utilisés dans tous les étages d’une chaîne
d’émission ou de réception.
Dans les récepteurs, ils seront utilisés dans les étages d’entrée en changeur de
fréquence et dans les étages à la fréquence intermédiaire, comme détecteurs ou
démodulateurs.
Dans les émetteurs, ils seront utilisés dans les étages de sortie en changeur de
fréquence et éventuellement dans les étages d’entrée, comme modulateurs.
C HAPITRE 8
OUCLE À VERROUILLAGE
B DE PHASE
Les PLL, Phase Locked Loop, ou boucles à verrouillage de phase sont des structu-
res essentielles, non seulement dans le domaine des radiocommunications, mais
dans toute l’électronique moderne. Les boucles à verrouillage de phase sont aussi
appelées synthétiseur de fréquence, car elles permettent de disposer d’une
fréquence stable et précise dont la valeur est définie par les caractéristiques de la
boucle.
Dans les appareils de transmission professionnels et grand public les PLL sont
utilisés pour :
– la génération des porteuses en émission et la génération des oscillateurs locaux
en réception;
– la démodulation des signaux analogiques ou numériques modulés en
fréquence;
– les systèmes de récupération d’horloge en transmission numérique.
En métrologie, les PLL sont utilisés pour générer des signaux de fréquence parfai-
tement connus et stables. Tous les bancs de test en émission ou en réception sont
bâtis autour de nombreux PLL.
Les oscillateurs à quartz sont intéressants lorsqu’il faut générer localement une et
une seule fréquence et que cette fréquence n’est pas modulée en fréquence. Des
commutations de quartz peuvent être éventuellement envisagées.
Les oscillateurs à résonateurs à onde de surface SAWR peuvent travailler en mode
fondamental jusqu’à plus de 1 GHz. Leur stabilité est excellente, bien que moins
importante que celle des quartz, mais le calage de fréquence est leur faiblesse. Ils
présentent en outre, les mêmes inconvénients que les quartz quant à la possibilité
de modulation et indice de modulation.
Les oscillateurs à résonateurs diélectriques en l/4, comme les oscillateurs à
SAWR fonctionnent en mode fondamental jusqu’à plusieurs GHz. Les coeffi-
cients de surtension des lignes l/4 étant voisins de ceux des SAWR, les résultats
sont identiques pour la stabilité et la modulation éventuelle.
Une modulation de fréquence quelconque peut être obtenue avec un oscillateur
LC. En contrepartie, la stabilité est fonction des éléments L et C dont les valeurs
sont sujettes à des dérives, notamment en fonction de la température et du temps.
Ceci montre bien qu’aucune des quatre configurations précédentes ne peut offrir
simultanément :
– une excellente stabilité ;
– des possibilités de modulation ;
– un choix aisé de la fréquence.
La boucle à verrouillage de phase répond au problème et délivre simultanément
les trois critères précédents.
FI1
Convertisseur
Filtre Filtre Mélangeur Filtre Mélangeur analogique/
passe-bande passe-bande M1 passe-bande M2 digital
A/D DSP
Amplificateur
faible bruit
LO1 LO2 fs1 fs2 CLK
Filtre à capacité
variable
Figure 8.1 – Schéma de principe simplifié d’un récepteur et utilisation d’un PLL
pour la génération des signaux d’horloge ou oscillateurs.
+
Yi A (p) yo
–
Yf
Y'f
B (p)
Gain (dB)
Log f
0
Marge de
gain
Phase (°)
0
Log f
Marge de phase
–180
Gain (dB)
0
Log f
Phase (°)
0
Log f
–180
Filtre de
Comparateur boucle F (p) Oscillateur contrôlé
de phase en tension
+ Vd Vc
Entrée Sortie
FR FS
ϕi – ϕo
f1 Pente K0
f0
0
V1 Vc
Cette relation est importante. On doit noter que par définition, on admet que le
VCO est linéaire et que le coefficient K0 est constant.
Dans la pratique, ceci ne peut pas être le cas, les caractéristiques des diodes vari-
cap ne permettent pas une variation linéaire de la fréquence en fonction de la
tension de commande.
Il s’agit donc d’une approximation néanmoins suffisante, à la description du
modèle de la boucle à verrouillage de phase. La fréquence étant la dérivée de la
phase instantanée on peut écrire :
df = K0Vc
d ϕ0 ( t )
--------------
- = K0Vc
dt
En calcul opérationnel, la fonction de transfert du VCO s’écrit simplement :
K0 Vc ( p )
j0( p) = --------------------
p
8.6.2 Comparateur de phase
Le comparateur de phase effectue la différence entre les phases des signaux
d’entrée et délivre un signal de sortie VD proportionnel à un coefficient KD appelé
gain du comparateur de phase.
VD (t) = KD[ji (t) – j0(t)]
CHAPITRE 8 - BOUCLE À VERROUILLAGE DE PHASE
401
Vc ( p) = F( p) VD ( p)
Filtre de
Comparateur boucle F (p) Oscillateur contrôlé
de phase en tension
+ Vd Vc
Entrée Sortie
FR FS
ϕi – ϕo
FS/N
ϕo/N
%N
d ϕ0 ( t )
Sachant que --------------- = W0(t) on peut écrire W0( p) = pj0( p)
dt
Soit pour la fonction de transfert du système bouclé :
Ω0 ( p ) NK 0 K D F ( p )
--------------
- = --------------------------------------
-
Ωi ( p ) Np + K 0 K D F ( p )
Si le gain en boucle ouverte est beaucoup plus grand que 1
K0 KD F ( p )
------------------------- 1
Np
Finalement, cette relation se simplifie :
f0 = Nfi
fi est la fréquence de référence envoyée au comparateur de phase et f0 est la
fréquence de sortie du VCO. Ce résultat n’est valable que si le gain en boucle
ouverte est élevé.
Il existe plusieurs méthodes pour que le gain en boucle ouverte soit élevé. On
peut évidemment choisir K0 et KD en conséquence, mais ces paramètres sont en
général, surtout pour KD , des données. La meilleure solution consiste à bâtir le
filtre de boucle autour d’un amplificateur opérationnel.
Filtre de
Oscillateur Diviseur de Comparateur boucle F (p)
à quartz fréquence de phase VCO
%M Sortie
FS = N XTAL
XTAL M
Fréquence de
comparaison
%N
Diviseur de
fréquence
FR
FR N
%N
+
–
N+1
FR M1
FS = M 1 + M2 +
N
+
F
% M1 mix
M1
FR
N –
M2
FR
FR N+1
N+1
%N+1
+
–
% M2
FR
FR N1
% N1
+
–
N
M1 M2 M3
FS = FR + +
1 N2P2 N3P2P3
+
% M1 mix
–
N P F
M2 M3
+ R
2 2 N3P2P3
% P2
N F
M2 M3
+ R
FR 2 N3P3
N2
% N2
+
–
N F
M2 M3
+ R
2 N3P3
+
% M2 mix
– M3
FR
N3P3
% P3
M3
FR
FR N3
N3
% N3
+
– M3
FR
N3
% M3
Compteur C2 Prédiviseur P, P + 1
Compteur C1
C Cnt
C>A
A A
N=C.P+A
Composants
passifs
Oscillateur
contrôlé
en tension
;
Comparateur
de phase VCO Sortie
XTAL + FS
%M
Oscillateur –
Filtre de
à quartz boucle
FXTAL
C2 P, P + 1
C1
Circuit intégré
C A
Le VCO est, en général, externe au circuit intégré. Cette solution est idéale, car
elle permet au concepteur d’adapter un circuit intégré, fonction générique PLL,
à un problème particulier. Le quartz XTAL est naturellement externe mais
l’oscillateur est intégré dans le circuit.
CHAPITRE 8 - BOUCLE À VERROUILLAGE DE PHASE
409
L’ensemble des deux mots A et C peut être aussi long que 20 bits. Une program-
mation en parallèle impliquerait un nombre de broches égal au nombre de bits.
Une programmation via un bus série deux ou trois fils réduit le nombre de broches
du circuit intégré. La miniaturisation du circuit intégré se traduit impérativement
par la présence d’un microcontrôleur qui, via le bus deux ou trois fils charge, après
calcul éventuel, les valeurs A et C dans le circuit intégré synthétiseur.
Les éléments passifs du filtre de boucle, fonction de l’application, sont externes.
L’amplificateur autour duquel est bâti ce filtre de boucle est soit interne, soit
externe au circuit.
;
R
;;; ;
– VE C VS
VE + VS
C1 R1
R2
;;; ;
R2
– VE R1 VS
C1
VE + VS
b - Intégrateur avec réseau correcteur de phase d - Filtre passe-bas avec correcteur de phase
Le déphasage vaut – p quelle que soit la valeur de la pulsation ; la boucle est insta-
ble et oscille à la pulsation w 0dB.
Ceci peut aussi se vérifier en remarquant que le dénominateur de la fonction de
transfert H( p) s’annule pour w = w 0dB.
Filtre intégrateur et réseau correcteur par avance de phase
La fonction de transfert du filtre de la figure 8.13b s’écrit :
R1 C1 p + 1
F( p) = – ------------------------
R2 C1 p
Un amplificateur de gain = – 1 est inséré à la suite de ce filtre pour assurer l’asser-
vissement.
Les fonctions de transfert, en boucle ouverte G( p) et du système bouclé H( p) valent :
R1 C1 p + 1
G( p) = K0KD ----------------------- 2
-
R2 C1 p
K0 KD ( R1 C1 p + 1 )
H( p) = ------------------------------------------------------------------
2
-
R2 C1 p + K0 KD ( R1 C1 p + 1 )
Le diagramme de Bode de la fonction G( p) est représenté à la figure 8.14.
GdB
–2
–1
0
0,1 1 1 103 104 ω
τ1
K0 KD
θrad ωn = τ2
0
–
π
2
–π
0,1 1 1 102 103 104 ω
τ1
On pose :
t1 = R1C1
t2 = R2C1
Ce diagramme montre que la courbe de phase est entièrement située au-dessous
de – p.
En posant :
2 K0 KD
ω n = -------------
τ2
et
K0 KD τ1
2zwn = ------------------
τ2
Le paramètre z est appelé coefficient d’amortissement de la boucle.
La fonction de transfert du système bouclé peut s’écrire :
p
2 ζ ----- + 1
ωn
H( p) = ---------------------------------
2
-
p p
-----2 + 2 ζ ----- + 1
ωn ωn
La boucle est inconditionnellement stable. La marge de phase est d’autant plus
importante que :
1
wn ----
τ1
Filtre passe-bas
La fonction de transfert du filtre passe-bas de la figure 8.13.c s’écrit :
1
F( p) = ------------------------
R1 C1 p + 1
Les fonctions de transfert, en boucle ouverte G( p) et du système bouclé H( p)
valent :
K0 KD
G( p) = --------------------------------
p ( R1 C1 p + 1 )
1
H( p) = ---------------------------------------------------
R1 C1 2 1
------------- p + ------------- p + 1
K0 KD K0 KD
On pose t1 = R1C1.
Le diagramme de Bode de la fonction G( p) est représenté à la figure 8.15. Le
déphasage est toujours compris entre – p/2 et – p, la boucle est donc incondition-
CHAPITRE 8 - BOUCLE À VERROUILLAGE DE PHASE
413
1
H( p) = ---------------------------------
2
-
p p
-----2 + 2 ζ ----- + 1
ωn ωn
GdB
–1
–2
0
0,1 1 1 K 103 K 104 ω
τ1 τ1
θrad
0
–
π
2
–π
0,1 1 10 1 102 103 104 ω
τ1
Figure 8.15 – Diagramme de Bode pour une boucle avec fi ltre passe-bas.
GdB
–1
–2
–1
τ
K τ1
2
0
0,1 1 1 1 K K ω
θrad τ2 τ1 τ2
0
–
π
2
–π
0,1 1 10 102 103 104 ω
1 1
τ2 τ1
K0 KD 1 + K0 KD R1 C1
On pose wn = ----------------------------
- et 2zwn = -----------------------------------
( R 1 + R 2 )C 1 ( R 1 + R 2 )C 2
La fonction de transfert peut alors s’écrire :
ωn ⎞ p
⎛ 2 ζ – ------------ - ----- + 1
⎝ K 0 K D⎠ ω n
H( p) = ----------------------------------------------
2
p p
-----2 + 2 ζ ----- + 1
ωn ωn
C2
C1 R1 C1 R1
;VE ;
;; ;;;; ;;
R3
–
a
VS VE
R3
–
b
R2
C2 VS
τ3 p + 1
H( p) = ------------------------------------------------------------------------
τ1 τ2 3 τ1 2
------------- p + ------------ - p + τ3 p + 1
K0 KD K0 KD
Les deux courbes de la figure 8.18 donnent le diagramme de Bode pour les deux
filtres de la figure 8.17.
Pour que le système soit stable, il faut que t2 t3. Pour que la marge de sécurité
soit importante, il faut que les constantes de temps t2 et t3 soient éloignées. Si
l’on examine le cas d’un intégrateur parfait suivi d’un filtre passe-bas, on remar-
que que le système n’est pas stable. Dès que l’ordre du polynôme D( p) obtenu
CHAPITRE 8 - BOUCLE À VERROUILLAGE DE PHASE
417
GdB
–2
–3
0
0,1 1 10 1 1 103 104 ω
θrad τ2 τ3
0 –2
–
π
2
–π
0,1 1 10 104 ω
3π
–
2
ω
------------- [ ( 3 α 2 τ 1 τ 3 + 2 ατ 1 + K 0 K D τ 3 ) – ω 2 τ 1 τ 2 ] = 0
K0 KD
418 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Saut de phase
À l’instant t = 0, un saut de phase d’amplitude qi est appliqué au signal d’entrée.
ji (t) = qi g (t)
g (t) est la fonction échelon unité.
En calcul opérationnel, on peut écrire :
θi
ji ( p) = ----
p
On s’intéresse à l’erreur de phase je ( p) :
je ( p) = ji ( p) – j0( p)
ϕe ( p )
------------
- = 1 – H( p)
ϕi ( p )
ϕe ( p )
On cherche donc la réponse temporelle de la fonction -------------
θi
ϕe ( p ) 1 – H(p)
------------- = ---------------------
θi p
422 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
8.11.2 Réponse pour des systèmes d’ordre 2 ou ordre 3 quel que soit N
Les tableaux 8.1 et 8.2 regroupent les fonctions de transfert F( p) des filtres les
plus usuels, les fonctions de transfert du système bouclé correspondantes H( p) et
la fonction erreur de phase 1 – H( p).
ω
ζ ωn p
p
R1C1p + 1
2 – n +1 p2
(R1 + R2) C1p + 1 K0KD ωn +
K0KD ωn
R2 ω 2n
τ1 = R1C1 p2 p
+ 2ζ +1 p2 p
τ2 = (R1 + R2) C1 ω 2n ωn + 2ζ +1
R1 ω 2n ωn
K0KD
ωn =
C1 (R1 + R2) C1
1 + K0KDR1C1
2ζωn =
(R1 + R2) C1
R C p+1 p p2
– 1 1 2ζ +1
R2C1p ωn ω 2n
R1 C1
τ1 = R1C1 p2 p
+ 2ζ +1 p2 p
R2
τ2 = R2C1 ω 2n ωn + 2ζ +1
– ω 2n ωn
+
K0KD
ωn =
R2C2
ωnR1C1
ζ=
2
R C p+1 1 τ3 p + 1 τ1τ2 τ1
– 1 1 p3 + p2
R3C1p R2C2p + 1 τ1τ2 τ1 K0KD K0KD
p3 + 2 p + τ3 p + 1
τ1 = R3C1 K0KD K0KD τ1τ2 τ1
p3 + p2 + τ3 p + 1
τ2 = R2C2 K0KD K0KD
R1 C1
τ3 = R1C1 ωn =
K0KDm
,m>1 m>1
R3
R2 R3C1
–
p3 p2
+ τ3 +m
τ2 = , τ3 = m ω 3n ω 2n
C2 m2 ωn
p p3 p2 p
m +1 +m +m +1
ωn ω 3n ω 2n ωn
p3 p2 p
+m +m +1
ω 3n ω 2n ωn
Le tableau 8.1 est établi dans le cas d’une boucle à retour unitaire et le tableau
8.2, pour une boucle comportant un diviseur par N. Ces tableaux regroupent des
résultats obtenus précédemment.
424 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Nωn p
R2
R1C1p + 1
(R1 + R2) C1p + 1 ζ
2 –
K0KD ωn
+1
p2
ω 2n
+
N ωn p
K0KD ωn
τ1 = R1C1 p2 p
+ 2ζ +1 p2 p
τ2 = (R1 + R2) C1 ω 2n ωn + 2ζ +1
R1 ω 2n ωn
K0KD
ωn =
C1 N (R1 + R2) C1
N + K0KDR1C1
2ζωn =
N (R1 + R2) C1
R C p+1 p p2
– 1 1 2ζ +1
R2C1p ωn ω 2n
R1 C1
τ1 = R1C1 p2 p
+ 2ζ +1 p2 p
R2
τ2 = R2C1 ω 2n ωn + 2ζ +1
– ω 2n ωn
+
K0KD
ωn =
NR2C2
ωnR1C1
ζ=
2
R C p+1 1 τ3 p + 1 N τ1τ2 3 N τ1 2
– 1 1 p + p
R3C1p R2C2p + 1 N τ1τ2 3 N τ1 2 K0KD K0KD
p + p + τ3 p + 1
τ1 = R3C1 K0KD K0KD N τ1τ2 3 N τ1 2
p + p + τ3 p + 1
τ2 = R2C2 K K
0 D K 0KD
R1 C1
τ3 = R1C1 K K m
ωn = 0 D , m > 1 m>1
R3
R2 N R3C1
–
p3 p2
+ τ3 +m
τ2 = , τ3 = m ω 3n ω 2n
C2 m2 ωn
p p3 p2 p
m +1 +m +m +1
ωn ω 3n ω 2n ωn
p3 p2 p
+m +m +1
ω 3n ω 2n ωn
On ne s’intéresse qu’au cas où le filtre est bâti autour d’un amplificateur opéra-
tionnel mais le type d’analyse pourrait être appliqué au cas du filtre passif.
Le cas des deux filtres actifs est intéressant car ils permettent un choix indépen-
dant des deux paramètres z et wn ou m et wn. Des hypothèses simplificatrices
exposées dans les tableaux 8.1 et 8.2 généralisent les fonctions de transfert du
système bouclé. Les analyses peuvent alors être effectuées simplement.
Le tableau 8.3 regroupe les fonctions dont on doit rechercher l’original en fonc-
tion du stimuli d’entrée et du signal que l’on observe.
CHAPITRE 8 - BOUCLE À VERROUILLAGE DE PHASE
425
Stimulus
Saut de phase Saut de fréquence Rampe de fréquence
Signal observé
H(p) H(p)
Tension d’entrée du VCO H(p) ------
p
- ------
2
-
p
p
Dans les fonctions de transfert des tableaux 8.1 et 8.2 la variable ------ est rempla-
cée par p et l’on recherche l’original en t. ωn
a 2
0
0 0,5 1 1,5 2
ωn t
1,5
ζ = 0,1
ζ=2 ζ = 0,2
1,25
ζ = 0,3
1
b 0,75
0,5
0,25
0
0 5 10 15 20
ωn t
20
15
c 10
ζ = 0,1
0
0 5 10 15 20
ωn t
Figure 8.19 – a) Boucle du deuxième ordre, tension VCO pour saut de phase,
b) boucle du deuxième ordre, tension VCO pour saut de fréquence,
c) boucle du deuxième ordre, tension VCO pour rampe de fréquence.
CHAPITRE 8 - BOUCLE À VERROUILLAGE DE PHASE
427
0,75
0,5 ζ = 0,1
ζ = 0,2
a 0,25
ζ=2
0
–0,25
–0,5
0 5 10 15 20
ωn t
ζ = 0,1
0,6
ζ = 0,2
ζ = 0,3
0,4
ζ = 0,4
ζ = 0,5
b 0,2
–0,2
–0,4
0 5 10 15 20
ωn t
ζ = 0,1
1,4 ζ = 0,2
ζ = 0,3
1,2 ζ = 0,4
ζ = 0,5
1
0,8
c
0,6
0,4
0,2
0
0 5 10 15 20
ωn t
Figure 8.20 – a) Boucle du deuxième ordre, erreur de phase pour saut de phase,
b) boucle du deuxième ordre, erreur de phase pour saut de fréquence,
c) boucle du deuxième ordre, erreur de phase pour rampe de fréquence.
428 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
1
m=1+ε
m=2
m=3
0,5
m=4
a 0
–0,5
–1
0 5 10 15 20
ωn t
2
m=1
m=2
1,5
m=3
m=4
b 1
m=5
m=6
m = 10
0,5
0
0 5 10 15 20
ωn t
20
15
c 10
m=1+ε
5
m = 10
0
0 5 10 15 20
ωn t
Figure 8.21 – a) Boucle du troisième ordre, tension VCO pour saut de phase,
b) boucle du troisième ordre, tension VCO pour saut de fréquence,
c) boucle du troisième ordre, tension VCO pour rampe de fréquence.
CHAPITRE 8 - BOUCLE À VERROUILLAGE DE PHASE
429
1
m=1+ε
0,5
a 0
m=4
m=3
–0,5
m=2
–1
0 5 10 15 20
ωn t
1
m = 10
0,5
m=5
m=4
b 0 m=3
m=2
–0,5
m=1+ε
–1
0 5 10 15 20
ωn t
c
4
0
0 5 10 15 20
ωn t
Figure 8.22 – a) Boucle de troisième ordre, erreur de phase pour saut de phase,
b) boucle de troisième ordre, erreur de phase pour saut de fréquence,
c) boucle de troisième ordre, erreur de phase pour rampe de fréquence.
430 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Entrée modulation
de fréquence
Vf
+ VCO
ϕi VD + VC fVCO
fCOMP Sortie
VC K0
Additionneur Oscillateur ϕ0 =
p
ϕ0 Filtre de boucle contrôlé
F (p) en tension
N
%N
fVCO
N Diviseur par N
éventuel
Ω0 ( p )
Pour la modulation de fréquence, la fonction de transfert --------------- se limite à :
Vf ( p )
Ω0 ( p )
--------------
- = K0[1 – H( p)] Vf ( p)
Vf ( p )
Les courbes de la figure 8.24 représentent les fonctions de transfert des fonctions
H( p) et 1 – H( p) pour un système d’ordre 3 avec m = 3.
G (p) dB
6
4 H (p) 1 – H (p)
2
0
0,01 0,05 0,1 0,5 1 5 10
–4
–8
–12
–16
–20
K0 Vf
Comparateur
α= K1 de phase + VCO
K1
Vf + VC
α VCXO
Entrée α Vf α Vf K1
modulation ϕi (p) = Additionneur
p Filtre de
boucle VC K0
ϕ0 (p) =
p
%N fOUT
Diviseur par N
éventuel
Figure 8.25 – Schéma synoptique d’une boucle à verr ouillage de phase modulée
par un signal BF incluant la fréquence O.
teur avec réseau correcteur par avance de phase, accompagné ou non d’un filtre
passe-bas complémentaire.
L’opération suivante consiste à choisir le coefficient d’amortissement z, pour le
filtre d’ordre 1 ou le facteur m, pour le filtre d’ordre 2. Ces valeurs sont choisies
de manière à assurer la stabilité de la boucle et en fonction d’une réponse
particulière à un stimulus. Les paramètres K0, KD, N et éventuellement K1 sont
des données.
La procédure se termine en calculant les valeurs des éléments A et C du filtre.
Si les gains de conversion du ou des VCO, K0 et K1 sont exprimés en Hz/V, le
gain du comparateur de phase KD sera exprimé en V/Hz et le produit K0KD sera
sans unité.
Signal ‡ l a
fréquence de
référence UP
Q IUP
D
R
R
D R
Q C C1
Signal de DN
sortie du IDN + ∆I Ileak
diviseur
i cp
On pose KD = ------ .
2π
Le gain du comparateur de phase est alors exprimé en ampères par radian par
seconde : A . rad –1 . s.
Le gain du VCO exprimé en hertz par volt, Hz . V –1, est converti en radian par
seconde par volt, rad . s –1 . V –1.
K0 → K0 2 π
Le produit K0KD a finalement la dimension ampère par volt, A . V –1. Cette
dimension est l’inverse d’une résistance. Le produit K0KD a la dimension W –1.
K0 peut aussi être exprimé en Hz . V–1 et KD en A.
La fonction de transfert du filtre de boucle F( p) est définie de la manière
suivante :
V
F( p) = -----
i cp
CHAPITRE 8 - BOUCLE À VERROUILLAGE DE PHASE
437
Les gains en boucle ouverte et boucle fermée ont les mêmes définitions :
K0 KD F ( p )
G( p) = -------------------------
Np
1
H( p) = ----------------------
1
1 + ------------
G( p)
K0 KD RC NC
On pose wn = - et z = -------
------------ -------------
NC 2 K0 KD
RCp + 1
H( p) = --------------------------------------------------------------------------------------------
NRCC 1 3 N ( C + C 1 ) 2
------------------- p + -------------------------- p + RCp + 1
K0 KD K0 KD
438 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
En posant :
m
RC = -----
ωn
C = C1 (m2 – 1)
mK 0 K D
wn = -------------------------
-
N ( C + C1 )
La fonction de transfert H( p) se ramène au cas général antérieurement traité.
p
m ------ + 1
ωn
H( p) = ------------------------------------------------------
3 2
-
p p p
-----3- + m -----2- + m ------ + 1
ω ω ωn
n n
Vd (t )
f0
f4 Aller f1
0
f3 Retour f2 FR
Plage de
capture
Plage de verrouillage
+ +
RB
RC RC
RA
–
Vd
;
+
RA
RB
vi
vo
;
RE
IE IE
– –
Circuit ou exclusif
La figure 8.29 représente deux signaux rectangulaires de fréquences identiques et
de rapports cycliques identiques et valant 1/2. La sortie de la porte ou exclusif est
à l’état haut, lorsque les niveaux d’entrée diffèrent et à l’état bas, lorsque les
niveaux d’entrée sont identiques.
Si le déphasage j1 – j2 entre les deux signaux d’entrée est nul, la sortie de la porte
est au niveau logique bas en permanence.
Si le déphasage j1 – j2 entre les deux niveaux d’entrée vaut p, la sortie de la porte
est au niveau logique haut en permanence.
442 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Entrée 1
Entrée 2
VH
Sortie 1 2 0
VS
VH
π 0 π π ϕ1 – ϕ2
–
2 2
Bascule RS
La figure 8.31 représente une simple bascule RS utilisée en tant que comparateur
de phase.
Entrée en
provenance
du VCO
Entrée en
provenance
du signal de
référence
Les états de sortie de la bascule changent avec les transitions des signaux d’entrée,
en conséquence, la caractéristique de transfert du comparateur de phase sera
indépendante des rapports cycliques des signaux d’entrée. Les deux entrées de la
bascule RS sont équivalentes à des entrées Set et Reset pour des transitions néga-
tives, niveau haut vers niveau bas.
La tension moyenne du signal de sortie est proportionnelle à l’écart de phase :
V D = V H ( j 1 – j 2)
Le diagramme des temps, pour la bascule RS est donné au schéma de la figure
8.32 pour différentes valeurs du déphasage qd = j1 – j2.
Input signal
θd
VCO output
(θd = T )
2
FF outputs
Vd (t) VH
θd = T 0
2
θd = 0+
θd = T
θd = 3T
2
VS
VH
VH
2
0 π 2π ϕ1 – ϕ2
V1
entrée 1 Q = UP
Q = DOWN
V2
entrée 2
Les deux sorties UP et DOWN sont à l’état haut, lorsqu’elles sont inactives.
Le filtre de boucle est connecté conformément au schéma de la figure 8.35.
La fonction de transfert de ce filtre est identique à celle des filtres de la
figure 8.14.
R1 C1
Comparateur de
phase/fréquence Vers l'entrée de
V1 R3
R2 commande
entrée 1 DOWN – du VCO
V2 UP +
entrée 2 R3
;;
R1 C2
;
C1
Dans la pratique, la bascule JK n’est pas utilisée. Une analyse complète qui sort
du cadre de cet ouvrage met en évidence les défaillances de ce comparateur dans
certaines situations bien précises. Ce modèle est néanmoins utile pour introduire
la notion des deux sorties UP et DOWN fonctionnant alternativement.
Comparateur phase/fréquence
Le comparateur phase/fréquence de la figure 8.36 est le comparateur de phase
le plus utilisé. On le rencontre soit sous la forme d’un circuit intégré spécia-
lisé dédié à cette unique fonction, comme le circuit intégré Motorola, par
exemple MC12040, soit intégré dans des circuits synthétiseurs de fréquence
plus complexes.
La fréquence maximale de fonctionnement est fonction de la technologie avec
laquelle sont constituée les portes logiques, CMOS HCMOS TTL ou ECL.
Avec les technologies CMOS, les fréquences de comparaison peuvent atteindre
quelques centaines de KHz, en ECL le bon fonctionnement est assuré jusqu’à
plusieurs MHz.
La fonction de transfert de ce comparateur est linéaire, entre – 2p et + 2p ; il est
représenté à la figure 8.37.
446 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
R (signal)
V (VCO)
dU
0 2π θd
dD
–2π 0 θd
dU – dD
–2π 0 2π θd
V1 Vd
–π
2 π
V1 –π π θ
V2 Vd 2
V2
V1
V1 Vd
Q –π
V2 2 π
V2 –π π θ
Q 2
Exclusive OR
Q = UP
V1
V1 Vd
V2 –2π 2π
–π π θ
Q
V2
JK master/slave FF Q = DOWN
V1
G1
V2
V1
S I G2
UP FF UP
R Q Vd
DOWN
–2π –π
DOWN
V1 π 2π θ
R Q
V2 FF
S I G4
V2
UP
G3
DOWN
Bruit du détecteur
de phase Oscillateur
Filtre de
Comparateur boucle contrôlé
de phase + en tension
ϕi +
ϕr
Sortie
+ +
%N
+ +
Sur les courbes de la figure 8.40 on remarque en outre, la présence d’une raie
parasite à 10 MHz de la porteuse. Cette raie peut être due soit à la fréquence de
comparaison égale à 10 MHz, soit directement à la présence d’un oscillateur à
quartz, la fréquence de comparaison étant 10 MHz/M.
Amplitude
–60
–100
–120
Résistance
VCO
–140
Cette raie peut, en général, être éliminée par filtrage. Cette composante peut être
véhiculée par les alimentations, des précautions élémentaires de filtrage devront
être prises pour les circuits d’alimentation du filtre actif et du VCO.
Dans les cas les plus critiques, on peut envisager l’insertion de filtres réjecteurs de
bande centrés sur la fréquence de comparaison. Si cette raie est due à la présence
de l’oscillateur local, elle peut aussi être éliminée par blindage de l’ensemble de la
circuiterie oscillateur.
Le schéma de principe de la figure 8.41 représente l’interface typique entre un
VCO et le diviseur. On suppose que ce VCO est adapté pour une valeur Z = 50
ohm. Un diviseur résistif envoie le signal de sortie simultanément vers l’utilisa-
tion finale et vers le diviseur de fréquence via un atténuateur de 10 à 20 dB.
Cet atténuateur masque l’influence de la charge variable constituée par l’entrée
du diviseur de fréquence. Si le niveau de sortie, en sortie de l’atténuateur, est
insuffisant, on place un amplificateur d’isolement.
CHAPITRE 8 - BOUCLE À VERROUILLAGE DE PHASE
451
VCO
Diviseur
de puissance
18
18
Sortie
18
Atténuateur
;
Diviseur ou
amplificateur
d'isolement
x x
N = N1 + 10 logR
à x Hz de la porteuse
N = N1 + 10 log 3 000
à x Hz de la porteuse
Remontée
du bruit
fc fc
Filtre d'analyse 3 kHz
R = 3 kHz
8 0 0 0
128 0 0 1
256 0 1 0
512 0 1 1
1 024 1 0 0
2 048 1 0 1
2 410 1 1 0
8 192 1 1 1
454 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Dans le cas où l’on réalise une boucle à verrouillage de phase avec ce circuit seul,
la fréquence du VCO sera liée à la fréquence de référence, fréquence de l’oscillateur
à quartz, par la relation :
N
f VCO = ---- f XTAL
R
Le plus petit écart de fréquence est donné par l’expression : f XTAL ⁄ R . Les valeurs
de R et de l’oscillateur à quartz devront être choisies conjointement. En général on
cherche des écarts de fréquence égaux aux espacements entre canaux, par exemple
12,5 ou 25 kHz. On peut aussi demander des valeurs décimales entières, par
exemple 1, 5 ou 10 kHz.
Par exemple, pour un espacement entre canaux de 12,5 kHz, on opte pour un
diviseur R de 512 ou 1 024 ce qui conduit à un quartz de 6,4 ou 12,8 MHz.
Dans ces conditions les fréquences maximales sont de l’ordre de 30 MHz. Pour
traiter des valeurs plus élevées on devra intercaler entre le VCO et le circuit intégré
un prédiviseur. Si l’on note P ce rapport de division, la relation liant la fréquence
du VCO et la fréquence de référence devient :
N⋅P
f VCO = ------------ f XTAL
R
Si l’on opte pour une valeur de P de 10, la fréquence maximale devient 300 MHz
et ceci peut encore être insuffisant. Prenons comme exemple une valeur de 64,
qui donnerait une fréquence maximale de 2 GHz et qui correspondrait à une
utilisation normale d’un prédiviseur ECL.
Si l’on conserve les valeurs choisies précédemment le plus petit écart de fréquence
est multiplié par la valeur de P.
Un quartz de 6,40 MHz, qui est une valeur standard, associé à une valeur de P
= 64 et de R = 8192, donnerait un plus petit écart de fréquence de 50 kHz. On
pourrait encore diviser la fréquence de l’oscillateur à quartz par 2 ou par 4, valeurs
non standard, pour obtenir des écarts de fréquence plus petits.
Dans le cas d’un écart de fréquence de 50 kHz, la fréquence maximale du VCO
est de 819,15 MHz puisque le compteur N est un compteur 14 bits. Si l’on opte
pour un pas de fréquence plus petit, dans un rapport 2 par exemple, ce qui peut
sembler raisonnable, la fréquence maximale est divisée dans le même rapport.
Ces exemples montrent que cette configuration, simple au premier abord, ne
permet pas de choisir librement tous les paramètres du PLL. Les limitations sont
dues aux valeurs fixes du prédiviseur, aux valeurs fixes du diviseur de référence et
à la valeur finie du compteur N.
Le schéma de la figure 8.44 représente un exemple d’application autour de ce
circuit intégré.
CHAPITRE 8 - BOUCLE
À VERROUILLAGE DE PHASE
1 1 64
0 1 128
1 0 128
0 0 256
Au premier abord on pourrait penser que ce circuit est très voisin de l’exemple
précédent. Cela est vrai bien entendu puisqu’il s’agit de la même fonction mais cette
seconde génération de composant apporte son lot d’améliorations. Un prédiviseur
par 10/11 est inclus dans le circuit, ce qui permet de traiter directement des
fréquences jusqu’à 2 200 MHz. Le diviseur par M est un compteur 9 bits et le
diviseur par R, pour la fréquence de référence, est un compteur 6 bits.
Les différents diviseurs peuvent être programmés suivant trois modes différents,
deux modes nécessitent un microcontrôleur : un mode bus parallèle et un mode bus
série, le troisième mode est similaire à celui du circuit Motorola traité précédem-
ment où une broche est affectée à un bit.
Le prédiviseur par 10/11 peut être mis en ou hors service.
Si le prédiviseur est mis en service la relation liant la fréquence de référence et la
fréquence du VCO est la suivante :
10 ( M + 1 ) + A
f VCO = ----------------------------------- f XTAL
R+1
Si le prédiviseur est mis hors service la relation liant la fréquence de référence et la
fréquence du VCO est la suivante :
M+1
f VCO = -------------- f XTAL
R+1
Cette relation s’applique aussi au mode de programmation direct : une broche
pour un bit.
Les trois évolutions apportées par ce circuit sont donc l’intégration du prédiviseur,
peu ou pas de restriction dans le choix des paramètres M, A ou R, et différents
modes d’accès aux paramètres du circuit.
Le compteur M est un compteur 9 bits, le compteur A un compteur 4 bits et le
compteur R un compteur 6 bits. Bien que l’accès aux paramètres de ces compteurs
soit total, contrairement au cas précédent, le compteur R peut poser un problème.
La fréquence de l’oscillateur à quartz peut être divisée par 64 au maximum et ceci
peut poser un véritable problème dans le cas d’une faible résolution. Si par exem-
ple le plus petit écart de fréquence est fixé à 12,5 kHz, la fréquence de référence
vaut 800 kHz. Ceci implique probablement un oscillateur à quartz externe et un
prédiviseur annexe supplémentaire.
Les compteurs M et A sont assimilables à un compteur 13 bits, dans le cas précé-
dent nous avions un compteur 14 bits. En comparant les deux premiers circuits
on constate que l’amélioration relative aux compteurs est peu significative.
Le tableau 8.6 résume les trois modes de programmation différents du circuit.
CHAPITRE 8 - BOUCLE À VERROUILLAGE DE PHASE
459
Les éléments complémentaires ont été repris dans le schéma d’application précé-
dent relatif au circuit MC145151. On retrouve donc : le filtre de boucle autour
de l’amplificateur U3, le VCO U5, un circuit de modulation U1 et U2 et le choix
de deux oscillateurs de référence U7 ou T2.
460 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Les éléments suivants déterminent les caractéristiques du filtre de boucle : R7, R8,
R9, R23, C12, C64, R28 et C63.
Bien que ce circuit représente une nette évolution par rapport au circuit précédent
il nécessite l’emploi de nombreux composants périphériques.
Les deux sorties J2 et J3 permettent de visualiser les signaux de sortie des diviseurs
mais ne sont utilisées normalement que dans les phases de test.
L’application représentée à la figure 8.46 exploite le mode de programmation
parallèle. Dans ce cas le prédiviseur interne n’est pas utilisé.
Il est clair que les deux blocs pouvant être intégrés ensuite sont le filtre de boucle
et l’oscillateur contrôlé en tension.
Dans le milieu des années 1990 un grand nombre de circuits sont apparus, inté-
grant toutes les fonctions du PLL, une partie du filtre de boucle restant externe :
en général un transistor associé à quelques composants passifs. Ces circuits étaient
souvent destinés aux récepteurs audio ou vidéo grand public. Le mode de program-
mation retenue était un mode série via un bus I2C.
Diviseur par N Interne accès complet Interne accès complet Interne accès complet
N 14 bits M 9 bits B 13 bits
A 4 bits A 6 bits
Diviseur par R Interne accès restreint Interne accès complet Interne accès complet
3 bits 8 valeurs fixes R 6 bits R 14 bits
8.19 Conclusion
Les boucles à verrouillage de phase sont des structures essentielles dans les radio-
communications. Le niveau de performance des boucles agit naturellement sur
les performances globales du système. L’optimisation des paramètres de la boucle
ne pose, en général, que peu de problèmes.
La réalisation pratique fait appel à un bon niveau d’expérience. La conception
d’un oscillateur commandé, VCO, à très faible bruit de phase reste un exercice
d’autant plus délicat que l’excursion est importante.
Dans la plupart des cas, l’oscillateur contrôlé en tension est un composant qui peut
être fourni par un fabriquant spécialisé. Cette approche réduit considérablement
les difficultés de mise en œuvre d’une boucle à verrouillage de phase performante.
C HAPITRE 9
A DAPTATION D’IMPÉDANCE
L’adaptation d’impédance, surtout lorsque celle-ci doit être réalisée sur une large
bande, a toujours été considérée comme un exercice difficile, redouté de la
plupart des électroniciens.
Ce point est pourtant très important, car de cette adaptation découle l’optimisa-
tion des émetteurs et des récepteurs donc optimisation de la liaison.
Les premiers travaux relatifs à l’adaptation d’impédance datent, comme la plupart
des travaux théoriques, des années 1950-1960.
Plusieurs voies d’investigations ont été envisagées, donnant autant de procédures
permettant de résoudre le problème posé. À l’heure actuelle, il n’est pas possible
de conclure sur l’efficacité ou la précision de l’une ou l’autre de ces méthodes et
de ne conserver que celle-ci. Des travaux récents et abondants montrent que tout
n’a pas encore été dit sur l’adaptation large bande. Quelle que soit la méthode, les
résultats numériques sont voisins. Il s’agit en général, de déterminer les valeurs de
trois ou quatre éléments passifs, selfs ou capacités.
C’est une étape longue et fastidieuse bien que l’on puisse disposer des n équa-
tions à n inconnues. Cette situation est alors propice à une estimation rapide des
éléments, pour lesquels le calcul peut être simplifié. La solution finale est obtenue
par une suite d’essais pratiques complémentaires. Les progrès technologiques des
années 1990, appliqués aux calculateurs ont permis le développement d’algo-
rithmes d’optimisation qui allègent encore la tâche du concepteur.
Ce chapitre est consacré à l’adaptation d’impédance, par la méthode dite des impé-
dances conjuguées et du calcul du coefficient de surtension du circuit chargé.
RG
VE RL VS
Dans le cas simple de la figure 9.1 les impédances RG et RL sont des résistances pures.
On peut certainement rencontrer ce cas concret, mais il ne s’agit pas du cas réel le plus
fréquent. Généralement, les impédances ZG et ZL sont des impédances complexes.
Une impédance complexe Z peut se mettre sous la forme :
N (p)
Z ( p ) = -------------
D (p)
L’impédance se met sous la forme d’un rapport de deux polynômes fonction de
p = jw. L’impédance Z( p) est constituée d’un nombre quelconque d’éléments
passifs élémentaires, résistance, selfs et condensateurs. Les degrés des polynômes
N( p) et D( p) diffèrent de 1 au maximum.
RS RS
RP XP RP XP
XS XS
XS RP
QS = QP =
RS XP
Rp
RS ------2-
Qp
Si Qp 1 alors
XS Xp
CHAPITRE 9 - ADAPTATION D’IMPÉDANCE
471
Circuit Circuit
Relations
original transformé
R2C2ω2 + 1
R' = R
R R2C2ω2
R' C'
C 1
C' = C
R2C2ω2 + 1
1
R' = R
R' R2C2ω2 + 1
R C
C' R2C2ω2 + 1
C' = C
R2C2ω2
R2+ L2ω2
R' = R
R R2
R' L'
L R2+ L2ω2
L' = L
L2ω2
L2ω2
R' = R
R' R2+ L2ω2
R L
L' R2
L' = L
R2+ L2ω2
Q = 10
Module (Z/ Z0) 40
35
30
25
20
a
15
10
5
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
Fréquence normalisée
90
Argument (°)
60
30
0
b –30
–60
–90
0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
Fréquence normalisée
LS CS RS
Q = 10
1,2
Module (Z/Z0)
1
0,8
a
0,6
0,4
0,2
0
0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
Fréquence normalisée
90
Argument (°)
60
30
0
b –30
–60
–90
0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8
Fréquence normalisée
RP
LP
CP
G (dB)
ZG
Réseau
VE d'adaptation ZL
d'impédance
G (dB)
Gmax
Gain en puissance
maximum dans
une bande B
;; ;;; ;
L CA L CB
;;;;;; ; ;
RG C1 C2 RL
RA RB
Z Z*
RG jXG RG
A
ZG
–jXL
;; ;; ; ;
ZL
RL RL
a b
ZG ZL
CG Circuit CL
d'adaptation
;; ; ;;;
RG d'impédance RL
Z Z*
L
A
;; ;; R1
Z Z*
1 R2 – R1
C = ---------- ----------------
-
R2 w R1
R1 R2 – R1
L = ----- ----------------
-
w R1
Les deux inconnues du système sont les valeurs des composants L et C. En
égalant les parties réelles et parties imaginaires dans l’équation Z1 = Z *, on
obtient deux équations qui permettent de résoudre immédiatement le problème.
Dans ces conditions le coefficient de surtension du circuit chargé est défini par
les éléments calculés et ne peut pas être choisi indépendamment.
Dans le cas du schéma de la figure 9.12, le coefficient Q est donné par la relation :
1 R2 – R1
Q = --- ----------------
-
2 R1
À partir de ces résultats, on peut constater que ce circuit n’est utilisable que si
R2 R1.
N Circuit L C Q
L R1 R2 – R1 1 R2 – R1 1 R2 – R1
L= C= Q=
ω R1 R2ω R1 2 R1
1
R1 C R2 R1 2Q
L= 2Q C=
ω R2ω
C R2 R1 1 R1 1 R2 – R1
L= C= Q=
ω R2 – R1 R1ω R2 – R1 2 R1
2
R1 L R2 R2 1
L= C=
2ωQ 2R1Qω
C R1 R2 1 R2 1 R1 – R2
L= C= Q=
ω R1 – R2 R2ω R1 – R2 2 R2
3
R1 L R2 R1 1
L= C=
2ωQ 2R2Qω
L R2 R1 – R2 1 R1 – R2 1 R1 – R2
L= C= Q=
ω R2 R1ω R2 2 R2
4
R1 C R2 R2 2Q
L= 2Q C=
ω R1ω
Tableau 9.3 – Adaptation entre source complexe et char ge réelle par deux éléments réactifs.
ÉLECTRONIQUE
APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Tableau 9.4 – Adaptation entre source réelle et char ge complexe par deux éléments réactifs.
CHAPITRE 9 - ADAPTATION D’IMPÉDANCE
481
482
Tableau 9.5 – Adaptation entre source réelle et char ge complexe par deux éléments réactifs.
ÉLECTRONIQUE
APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
CHAPITRE 9 - ADAPTATION D’IMPÉDANCE
483
L’emploi des deux éléments réactifs L et C entraîne une contrainte sur le coeffi-
cient de surtension du circuit chargé Q qui est alors fonction de R1 et R2, unique-
ment si les impédances sont réelles.
Si l’une ou l’autre des impédances de source ou de charge est complexe, le coeffi-
cient de surtension Q est fonction des parties réelles des impédances et de la
partie imaginaire. Ce coefficient Q fixe la largeur de bande sur laquelle les impé-
dances sont adaptées.
L1 C1
A
;; R1
Z Z1
L1 C1
R 22C 22ω2 + 1
C2
R 22C 22ω2
R1 R2
R 22C 22ω2 + 1
1 R2 – R1
R 2 R1 et Q --- ----------------
-
2 R1
Pour les circuits des figures 9.14 et 9.16 :
1 R1 – R2
R 1 R2 et Q --- ----------------
-
2 R2
CHAPITRE 9 - ADAPTATION D’IMPÉDANCE
485
Tableau 9.6 – Adaptation entre source et char ge réelle avec trois éléments réactifs.
N Circuit L1 C1 L2 ou C2
L1 C1 2QR1 1 1 1 R2 – R1
L1 = C1 =
ω ω 2QR1 – R1(R2 – R1)
C2 =
R2ω R1
13
R1 C2 R2
L1 C1 2QR2 1 1 1 R1 – R2
L1 = C1 =
ω ω 2QR2 – R2(R1 – R2)
C2 =
R1ω R2
14
R1 C2 R2
L1 C1 R1 R2 – R1 1 R2 R1
C1 =
L1 =
ω
2Q –
R1 2QR1ω L2 =
ω R2 – R1
15
R1 L2 R2
L1 C1 R2 R1 – R2 1 R1 R2
C1 =
L1 =
ω
2Q –
R2 2QR2ω L2 =
ω R1 – R2
16
R1 L2 R2
9.7.1 Circuits en PI et en T
Le cas des circuits en PI et en T est un cas intéressant qui permet de généraliser
la combinaison des réseaux d’adaptation. On peut chercher les valeurs des
éléments réactifs L, C1 et C2 de la figure 9.15, en posant les trois équations du
système : adaptation et coefficient de surtension du circuit chargé. Ceci conduit
à la résolution d’un système relativement complexe. Une solution plus simple
consiste à scinder le réseau de la figure 9.15 en deux réseaux simples en L, confor-
mément au schéma de la figure 9.16.
R1
;;;; C1 C2
Réseau d'adaptation
R2
L1 L2
;;;;; ;;;;;
R1 C1 R R C2 R2
Q1 Q2
Circuits en PI
Il s’agit alors de traiter un ensemble de deux circuits simples, liés par une valeur
commune de la résistance intermédiaire virtuelle R. Chacun des deux circuits a
un coefficient de surtension chargé Q1 et Q2.
Le coefficient de surtension du circuit en PI, Q, est lié à Q1 et Q2 par la relation :
Q = Q1 + Q2
On peut écrire les équations suivantes :
– pour le premier réseau (équations du circuit 4) :
R R1 – R 2Q 1 R
L 1 = --- --------------
- = -------------
w R w
1 R1 – R 2Q
- = ---------1-
C 1 = --------- --------------
R1 w R w R1
1 R1 – R
Q 1 = --- --------------
-
2 R
– pour le second réseau (équations du circuit 1) :
R R2 – R 2Q 2 R
L 2 = --- --------------
- = -------------
w R w
1 R2 – R 2Q
- = ---------2-
C 2 = --------- --------------
R2 w R R2 w
1 R2 – R
Q 2 = --- --------------
-
2 R
La première opération consiste à calculer les valeurs de Q1 et Q2.
Dans certains ouvrages, ce cas est traité en imposant une valeur arbitraire pour la
valeur R. Ceci peut conduire à un résultat inexact ou approximatif. La résistance
intermédiaire R peut simplement être éliminée du système d’équations. Il suffit
alors de résoudre le système d’équations.
CHAPITRE 9 - ADAPTATION D’IMPÉDANCE
487
Q = Q1 + Q2
1 R1 – R
Q 1 = --- --------------
-
2 R
1 R2 – R
Q 2 = --- --------------
-
2 R
Ce qui peut aussi s’écrire :
Q = Q1 + Q2
2 2
R 1 ( 4Q 2 + 1 ) = R 2 ( 4Q 1 + 1 )
Pour ce système, il n’existe qu’une seule solution donnant simultanément Q1 0
et Q2 0 :
2 2 2
2QR 1 – 2 ( 1 + 2Q )R 1 R 2 – ( R 1 + R 2 )
Q 1 = -------------------------------------------------------------------------------------------
-
2 ( R1 – R2 )
2 2 2
– 2QR 2 – 2 ( 1 + 2Q )R 1 R 2 – ( R 1 + R 2 )
Q 2 = ------------------------------------------------------------------------------------------------
-
2 ( R1 – R2 )
Cette solution donne directement le résultat pour les valeurs des deux condensa-
teurs C1 et C2. La valeur de la self L est donnée par la relation :
L = L1 + L2
2 2 2
On pose A = 2 ( 1 + 2Q )R 1 R 2 – ( R 1 + R 2 )
Le résultat final est alors :
2QR 1 – A
C 1 = -------------------------------
-
( R 1 – R 2 )R 1 w
– 2QR 2 + A
C 2 = -------------------------------
-
( R 1 – R 2 )R 2 w
2R 2R
L = L 1 + L 2 = ------ Q 1 + ------ Q 2
w w
2R
L = ------ Q
w
R1
Sachant que : R = ------------------
-
2
1 + 4Q 1
2Q R 1 ( R1 – R2 )
L = ------- ------------------2- = ------------------------------------------------
-
w 1 + 4Q 2 w [ Q ( R1 + R2 ) – A ]
1
Les résultats sont regroupés dans le tableau 9.7 pour les deux filtres en PI.
488 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Pour le circuit 18, la même procédure est appliquée. Le circuit est scindé en
deux; le condensateur C est remplacé par deux condensateurs C1 et C2 chargés
par une résistance intermédiaire de valeur R. La valeur du condensateur C est liée
à C1 et C2 par la relation :
C1 C2
C = -----------------
-
C1 + C2
La même procédure est appliquée, calcul des éléments de chacun des circuits en fonc-
tion de Q1 et Q2 puis calcul de Q1 et Q2. Ceci conduit au résultat final sans difficultés.
Tableau 9.7 – Adaptation entre source et char ge réelle par des circuits en PI.
N Circuit L L1 ou C1 L2 ou C2
L (R1 – R2)2 2Q R1 – A – 2Q R2 + A
L= C1 = C2 =
2ω [Q (R1 + R2) – A] ωR1 (R1 – R2) ωR2 (R1 – R2)
17
R1 C1 C2 R2
Circuits en T
Le cas des circuits en T se traite d’une manière identique à celle utilisée pour les
circuits en PI.
Le réseau en T est scindé en deux réseaux simples en L, adaptés sur une résistance
intermédiaire R de valeur inconnue et les résultats sont consignés dans le tableau 9.8.
Tableau 9.8 – Adaptation entre source et char ge réelle par des circuits en T.
N Circuit L1 ou C1 L2 ou C2 L ou C
L1 L2 R1 –2Q R + A
2
R2 2Q R – A
1
2Q (R1 – R2)2
L1 = L2 = C=
ω R1 – R2 ω R1 – R2 ωR1 (R1 – R2)2 + (–2QR2 + A)2
19
R1 C R2
C1 C2 R1 – R2 R1 – R2 2R1R2
C1 = C2 = L= [Q (R1 + R2) – A]
ωR1 (–2QR2 + A) ωR2 (–2QR1 – A) ω(R1 – R2)2
20
R1 L R2
Structures Conditions
;;;;;
1 R2 – R1
Q=
2 R1
;;;
R1 R2
R2 > R 1
1 R1 – R2
Q=
;;;;
R1 R2 2 R2
R1 > R 2
RINT > R1
;;;;;
R1 R2
RINT > R2
RINT < R1
;; ;;
R1 R2
RINT < R2
;;;;;
R1 R2 R2 > RINT > R1
;;;;;
R1 R2 R2 < RINT < R1
R1 C1 C3 C4 R2 C2
Impédance de Impédance de
source complexe charge complexe
L1 L2
R1 C1 C3 R3 R3 C4 R2 C2
Circuit n° 8 Circuit n° 9
Figure 9.17 – Filtre en PI pour adaptation entre deux char ges complexes.
1 R1 – R3
Q 1 = --- ----------------
-
2 R3
Pour le deuxième réseau, on a :
R3
L 2 = ----- 2Q 2
w
1
C 4 = – C 2 + --------- 2Q 2
R2 w
2R 1 Q
La valeur de la self recherchée L vaut : L = L 1 + L 2 = --------- ------------------
-
w 4Q 2 + 1
1
Ce résultat est identique à celui que l’on obtiendrait avec deux impédances réelles
R1 et R2 adaptées par un circuit en PI à trois éléments L, C1 + C3 et C2 + C4.
C3 C4
R1 C1 L3 R3 R3 L4 R2 C2
C3 C4
R1 C1 L R2 C2
Figure 9.18 – Filtre en T pour adaptation entre deux char ges complexes.
1 R2 – R1
C 3 = --------- ----------------
-
R2 w R1
1
C 2 = ------------------------------------------------------------------------------
w ⎛ 2QR 1 – ---------- – R 1 ( R 2 – R 1 )⎞
1
⎝ C1 w ⎠
CHAPITRE 9 - ADAPTATION D’IMPÉDANCE
493
L2 C2
C1
C3 R2
R1
C2 L2
R1 C1 L1 C3 R2
C2 L2
R1 C1 L1 R3 R3 C3 R2
Ce réseau d’adaptation comporte quatre éléments L1, L2, C2 et C3, et il est scindé
en deux réseaux élémentaires à deux éléments.
Le premier de ces réseaux correspond au cas numéro 7 et le second, au cas
numéro 1.
494 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
1 R3
C 2 = --------- ----------------
-
R3 w R1 – R3
1 R1 – R3
Q 1 = --- R 1 C 1 w + ----------------
-
2 R3
Pour le second réseau :
2Q 2 R
L 2 = ---------------3-
w
2Q 2
C = ----------
R2 w
1 R2 – R3
Q 2 = --- ----------------
-
2 R3
Les solutions sont données en résolvant le système suivant :
2 2
R 1 ( 4Q 2 + 1 ) = R 2 ( ( 2Q 1 – R 1 C 1 w ) + 1 )
Q = Q1 + Q2
La valeur de la self L2 s’obtient en exprimant R3 en fonction de Q2 et en rempla-
çant R3 par cette valeur dans la relation donnant L2 en fonction de R3.
Filtre basse-bande
et/ou réjecteur
R1 C1 Circuit Circuit C2 R2
d'adaptation d'adaptation
RINT RINT
R2 ⎛ R2 C2 ⎞
Z ch = ---------------------------
2 2 2
- + jω ⎜ L 2 – R 2 2 2 2⎟
---------------------------
-
1 + R2 C2 ω2 ⎝ 1 + R 2 C 2 ω 2⎠
On note que pour des raisons de simplicité des calculs le réseau a été scindé en
son point milieu. On peut établir les équations d’adaptation en un point quel-
conque du circuit, cela ne change pas les résultats. On aurait pu calculer les impé-
dances vues de part et d’autre de R1, cela ne change ni les résultats ni la méthode.
Pour que l’adaptation d’impédance puisse avoir lieu il faut que les parties réelles
soient identiques et que les parties imaginaires soient conjuguées.
Ces égalités doivent avoir lieu pour deux fréquences distinctes f1 et f2.
On est donc en présence d’un système de quatre équations à quatre inconnues.
Les inconnues sont les quatre valeurs des composants L1, L2, C1 et C2.
Le système d’équations à résoudre est le suivant :
R2 R1
---------------------------
2 2 2
- = -----------------------------------------------------------
2 2 2 2
-
2
1 + R2 C2 ω1 R1 C1 ω1 + ( L1 C1 ω1 – 1 )
498 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
R2 R1
---------------------------
2 2 2
- = -----------------------------------------------------------
2 2 2 2
-
2
1 + R2 C2 ω2 R1 C1 ω2 + ( L1 C1 ω2 – 1 )
2 2
R2 C2 L1 ( – 1 + L1 C1 ω1 ) + R1 C1
L 2 – R 2 ---------------------------
2 2 2
- = -------------------------------------------------------------
2 2 2 2 2
-
1 + R2 C2 ω1 R1 C1 ω1 + ( L1 C1 ω1 – 1 )
2 2
R2 C2 L1 ( – 1 + L1 C1 ω2 ) + R1 C1
L 2 – R 2 ---------------------------
2 2 2
- = -------------------------------------------------------------
2 2 2 2 2
-
1 + R2 C2 ω2 R1 C1 ω2 + ( L1 C1 ω2 – 1 )
1 R2 – R1
L 1 C 1 = ------------- ----------------
-
ω1 ω2 R2
Ce premier résultat indique que ce type de réseau ne pourra être adopté que si
R 2 > R 1 . On posera :
R2
α = ----------------
-
R2 – R1
Lors des calculs, les résultats donnant des valeurs négatives sont bien entendu
éliminés.
En manipulant les deux dernières équations on trouve :
L1 = R1 R2 C2
puis ensuite :
L2 = R1 R2 C1
Ces résultats simples sont inattendus.
En reportant dans les premières équations les valeurs trouvées on peut finalement
obtenir la valeur de C1. On posera :
A = 2αω 1 ω 2
2 2
B = ω1 + ω2
A2
C 1 = --------- A – B + B 2 – ⎛ -----2- – 2A ( B – A )⎞
2
AR 1 ⎝α ⎠
À partir de cette valeur on peut calculer la valeur des trois autres composants :
CHAPITRE 9 - ADAPTATION D’IMPÉDANCE
499
L2 = R1 R2 C1
2
L 1 = ----------
AC 1
L1
C 2 = -----------
R1 R2
Ce réseau peut être utilisé entre deux impédances réelles à condition que R 2 > R 1 .
Le condensateur C2 peut être dissocié en deux parties, une partie qui devient la
partie complexe de l’impédance du côté de R2 et une partie qui reste du côté du
circuit d’adaptation d’impédance, la figure 9.25 représente alors le réseau d’adap-
tation modifié.
1 R2
L 1 C 1 = ------------- ----------------
-
ω1 ω2 R2 – R1
On remarque que ce résultat diffère de celui trouvé précédemment, le facteur α
étant inversé.
Ce premier résultat indique que ce type de réseau, comme le précédent, ne pourra
être adopté que si R 2 > R 1 . On posera :
R2
α = ----------------
-
R2 – R1
Lors des calculs, les résultats donnant des valeurs négatives sont bien entendu
éliminés.
En manipulant les deux dernières équations on trouve :
L1 = R1 R2 C2
puis ensuite :
L2 = R1 R2 C1
Ces résultats sont identiques à ceux trouvés précédemment.
En reportant dans les premières équations les valeurs trouvées on peut finalement
obtenir la valeur de C1.
Comme précédemment on posera :
A = 2αω 1 ω 2
2 2
B = ω1 + ω2
A2
C 1 = --------- A – B + B 2 – ⎛ -----2- – 2A ( B – A )⎞
2
AR 1 ⎝α ⎠
Comme précédemment la self L2 peut être scindée en deux parties : une partie
complexe de l’impédance et une partie dans le réseau d’adaptation comme le montre
la figure 9.28.
La valeur de L2 est obtenue par calcul sans tenir compte de la présence de L3. La
valeur de L4 qui doit finalement être utilisée est donnée par la relation :
L2 L3
L 4 = ----------------
-
L3 – L2
Comme précédemment la solution n’est pas simple. Seuls les résultats sont exposés.
On posera :
D = ω1 ω2
2 2
B = ω1 + ω2
La valeur de la self L1 est donnée par la relation suivante :
1 R
L 1 = ------------- ----1- R 2 ( B – 2D ) – 2R 1 ( B – D ) + R 2 R 2 ( B – 2D ) 2 + 4R 1 D ( B – D )
B–D 2
Les trois autres éléments sont calculés à partir de cette première valeur :
L1 L1
C 1 = ------------------------------------------------------------
2 2 2 2
- = ------------------------------------
2 2
R1 + L1 ( ω1 – ω1 ω2 + ω2 ) R1 + L1 ( B – D )
et finalement :
R1 R2
L 2 = ------------------
-
L1 ω1 ω2
1
C 2 = --------------------------------
R1 R2 C1 ω1 ω2
Un dernier cas reste à traiter, il s’agit du circuit passe-bande de la figure 9.30. Les
quatre éléments du réseau d’adaptation sont obtenus en résolvant le système
d’équations suivant :
2 2 4
R2 R1 L1 C1 ω1
---------------------------
2 2 2
- = -----------------------------------------------------------
2 2 2 2
-
2
1 + R2 C2 ω1 R1 C1 ω1 + ( L1 C1 ω1 – 1 )
2 2 4
R2 R1 L1 C1 ω1
---------------------------
2 2 2
- = -----------------------------------------------------------
2 2 2 2
-
2
1 + R2 C2 ω2 R1 C1 ω2 + ( L1 C1 ω2 – 1 )
504 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
2 2 2 2 2
R2 C2 –R1 C1 ω1 + ( L1 C1 ω1 – 1 )
L 2 – ---------------------------
2 2 2
- = L 1 ------------------------------------------------------------
2 2 2 2
-
2
1 + R2 C2 ω1 R1 C1 ω1 + ( L1 C1 ω1 – 1 )
2 2 2 2 2
R2 C2 –R1 C1 ω2 + ( L1 C1 ω2 – 1 )
L 2 – ---------------------------
2 2 2
- = L 1 ------------------------------------------------------------
2 2 2 2
-
2
1 + R2 C2 ω2 R1 C1 ω2 + ( L1 C1 ω2 – 1 )
La valeur de C1 est donnée par la relation suivante et les trois autres valeurs sont
obtenues successivement :
1 1
C 1 = -------------------- -------------------------- – R 2 ( B – 2D ) – 2R 1 ( B – D ) + R 2 R 2 ( B – 2D ) 2 + 4R 1 D ( B – D )
R1 ω1 ω2 2 ( R2 – R1 )
On obtient ensuite :
2 2
ω1 + ω2 – ω1 ω2 2 B–D 2
L 1 = -------------------------------------
- + R 1 C 1 = -------------2 + R 1 C 1
C1 ω1 ω2 C1 D
L1 1
L 2 = ---------------------------------
- = -------------------------
L1 C1 ω1 ω2 – 1 L1 C1 D – 1
1 1
C 2 = -------------------------------- = -----------------------
R1 R2 C1 ω1 ω2 R1 R2 C1 D
CHAPITRE 9 - ADAPTATION D’IMPÉDANCE
505
Pour obtenir une fonction de transfert telle que celle de la figure 9.31 il faut avoir
recours au schéma de principe de la figure 9.32.
La méthode exposée dans ce chapitre ne change pas, en un point du circuit on
décompose les impédances, vue vers la source et vue vers la charge, en une impé-
dance réelle et une impédance complexe.
R1 ⎛ L 1 ( 1 – L 1 C 1 ω 2 ) – R 21 C 1 ⎞
Z s = ------------------------------------------------------------
2 2 2
+ jω ⎜ ------------------------------------------------------------
2 2
+ L 2⎟
R1 C1 ω + ( L1 C1 ω 2 – 1 )2 ⎝ R1 C1 ω 2 + ( L1 C1 ω 2 – 1 )2 ⎠
1 2 2 2 2
Z ch = --- ( R 2 + jω ( – ( – 1 + L 3 C 2 ω 2 ) ( L 3 – R 2 C 3 + R 2 L 3 C 3 ω 2 ) + R 2 C 2 ( – 1 + L 3 C 3 ω 2 ) ) )
F
2
F = ( L3 C2 ω 2 – 1 )2 + R2 ω 2 [ C3 + C2 ( 1 – L3 C3 ω 2 ) ]
9.9 Conclusion
Bien que l’énoncé du problème correspondant aux conditions d’adaptation soit
simple, les équations exactes peuvent donner naissance à des calculs complexes.
Un calculateur analytique simplifie le maniement des équations fondamentales.
Les formules approchées, lorsqu’elles existent, doivent être manipulées avec
précaution. De telles formules doivent être accompagnées des conditions pour
lesquelles les simplifications ont été envisagées.
Un réseau d’adaptation, aussi compliqué soit-il, peut être traité en considérant
qu’il résulte de la mise en série de réseaux élémentaires en p, T ou L, ce qui
permet d’obtenir les solutions exactes.
C HAPITRE 10
M ICROSTRIP
En basse fréquence, la sortie d’un étage est connectée à l’entrée de l’étage suivant
par une simple liaison électrique qui n’a, en général, aucune spécificité.
Par exemple, pour interconnecter des circuits logiques fonctionnant à basse
vitesse, il suffit d’assurer la liaison électrique entre les différents points devant être
réunis au même potentiel.
En radiocommunication, les fréquences peuvent être très élevées, la liaison élec-
trique, reliant par exemple, la sortie d’un amplificateur à l’entrée de l’étage
suivant, ne peut plus être considérée comme parfaite. On est en présence d’une
ligne de transmission. Un exemple de ligne de transmission peut être un câble
coaxial ou un guide d’onde. Dans ce chapitre, nous nous intéressons à un type
particulier de ligne de transmission, les microstrips ou lignes microruban, cons-
titués par la piste imprimée, ruban de cuivre, assurant les liaisons entre les diffé-
rents étages sur un circuit imprimé.
A C∆x G∆x
Tronçon élémentaire
Zin de longueur dx
V = V 0 Ch g x – Z 0 I 0 Sh g x
Z0 est l’impédance caractéristique de la ligne. Z0 est l’impédance que l’on mesu-
rerait au point A-B si la ligne était infinie ou si la ligne était de longueur finie et
fermée par cette même impédance Z0.
L’impédance caractéristique est définie de la manière suivante :
R + jL w
Z0 = --------------------
G + jC w
Le terme g est la constante de propagation de la ligne et c’est, en général, un
terme complexe.
g = a + jb = ( R + jL w ) ( G + jC w )
a est le facteur d’amortissement et b le facteur de phase.
2 1 2 2 2 2 2 2 2
a = --- [ ( R + L w ) ( G + C w ) + ( RG – LC w ) ]
2
2 1 2 2 2 2 2 2 2
b = --- [ ( R + L w ) ( G + C w ) – ( RG – LC w ) ]
2
A partir de ces résultats, on définit la vitesse de propagation ou vitesse de phase :
w
v j = ---
b
Son inverse est appelé temps de propagation de phase et sa dérivée, le temps de
propagation de groupe :
db
t g = ------
dw
CHAPITRE 10 - MICROSTRIP
509
b = w LC
Il n’y a pas d’affaiblissement si la ligne est sans perte.
La vitesse de phase vj vaut :
1
v j = -----------
LC
Si Z0 est exprimé en fonction de vj :
1
Z 0 = Lv j = ---------
Cv j
10.2.3 Stripline
La figure 10.2c représente un conducteur, stripline, noyé dans un matériau de
constante diélectrique eR . Cette ligne de transmission est prise en sandwich entre
deux plans de masse.
Dans les deux premiers cas les lignes sont tracées sur des circuits imprimés double
face. La réalisation des lignes est donc relativement aisée. Dans le cas du stripline,
le circuit imprimé est nécessairement un circuit multicouche. La réalisation des
striplines est à peine plus compliquée.
510 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
εr εr
2a εr
εr
Plans de masse 2b
Conducteur Stripline
Les caractéristiques principales de cette ligne sont obtenues par les relations
suivantes :
2 pe
C = ----------R-
b
ln --a
mR b
L = ------ ln --
2p a
m b
Z 0 = ------ ln --
2p a
CHAPITRE 10 - MICROSTRIP
511
l c = 2 p ⎛ -----------⎞
b+a
⎝ 2 ⎠
Conducteur microstrip
t εr
h
Plan de masse
Ligne de transmission
impédance caractéristique Z0
ZG
ΓE ΓS
VE ZL
Lorsqu’il s’agit de composants discrets soudés sur un circuit imprimé, la ligne est
très souvent un microstrip.
Coefficient de réflexion
On définit deux termes GE et GS qui sont appelés coefficients de réflexion à
l’entrée et à la sortie de la ligne.
ZG – Z0
G E = -------------------
ZG + Z0
ZL – Z0
G S = ------------------
ZL + Z0
Ces deux coefficients sont toujours compris entre 0 et 1. Dans le cas idéal, il n’y a
pas de réflexion et la puissance transmise, de la source vers la charge, est maximale.
Pour que la puissance transmise soit maximale, GE = GS = 0.
Il vient finalement :
ZG = ZL = Z0
Dans la pratique ZG et ZL valent 50 ohm. Il est alors impératif de ménager une ligne
de transmission d’impédance caractéristique égale à 50 ohm reliant les deux étages.
d
h
Le substrat et l’air ont par définition même du problème, des constantes diélec-
triques eR relatives différentes. Le rapport eR substrat/eR air est en général compris
entre 2 et 10.
eR + 1 eR – 1 1
e RE = -------------- + ------------- ------------------------
2 2 h
1 + 12 ---
w
Pour évaluer l’impédance caractéristique Z0, on dissocie les deux cas en fonction
w
du rapport --- .
h
–1
Z 0 = ----------- --- + 1,393 + 0,667 ln ⎛ --- + 1, 444⎞
w h w w
Si --- 1
h e h ⎝ h ⎠
RE
c : vitesse des ondes électromagnétiques dans le vide = 2,997 925 · 108 m/s
c 3 · 108 m/s
–7
4 p 10 2 –7
h = ----------------
7
- 4 p c = 4 p · 10 c
10
En conséquence, h = 120 p.
La précision obtenue en utilisant les relations approchées donnant eRE et Z0 est
meilleure que 2 %. Ces relations ne sont pas d’un emploi pratique pour le
concepteur.
Pour ce dernier, le problème est inverse, eRE et Z0 sont les données du problème.
Il s’agit alors de calculer w et h; le paramètre h est finalement choisi.
Le but est enfin atteint, connaître la largeur w d’une piste pour une impédance
caractéristique donnée (50 ohm par exemple) lorsque le matériau est connu, eR
et h sont fonction du substrat choisi, époxy ou alumine par exemple.
CHAPITRE 10 - MICROSTRIP
515
w 2 eR – 1 0,61
A 1,52 --- = --- B – 1 – ln ( 2B – 1 ) + ------------- ln ( B – 1 ) + 0,39 – ----------
h p 2 eR eR
Comme précédemment, ces expressions donnent des résultats avec une précision
meilleure que 2 %. Ces expressions sont obtenues en négligeant l’épaisseur du
microstrip.
4πw
D w = ---------- t ⎛ 1 + ln ---------- ⎞
w 1 1,25
Si --- ------ alors
h 2p p ⎝ t ⎠
D w = ---------- t ⎛ 1 + ln ------ ⎞
w 1 1,25 2h
Si --- ------ alors
h 2p p ⎝ t ⎠
516 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
w
Si --- 1 alors
h
wE
0,667 ------
1 2h R S Z 0 e RE w
1 + ------- ⎛ 1 + --- ln ------ ⎞ ------------------- -----E- + --------------------------
5 h h
a c [ dB/m ] = 6,110
wE ⎝ p t ⎠ h h wE
------ + 1,444
h
w 1
Si --- ------ , C = 2 pw
h 2π
w 1
Si --- ------ , C=h
h 2π
RS = p f m 0 r avec r conductivité du conducteur.
l0 c
l g = ----------- avec l0 = -
e RE f
CHAPITRE 10 - MICROSTRIP
519
c = 3 · 108 m/s
lg longueur d’onde dans le microstrip,
vj vitesse de propagation dans le microstrip.
La constante diélectrique effective eR est fonction du rapport w/h, en consé-
quence, il en est de même pour vj et lg . La longueur d’onde dans le microstrip
est donc fonction des dimensions géométriques de la ligne.
Entrée
Entrée
Sortie
Résonateur
Entrée Sortie
Z0 l ε
L = ----------------R-
c
l
C = -----------
vj Z0
Z0 L1 L3 L5
L2 L4
C6 Z0
; ;;;;
C2 C4
C2
L2 L5
Z0 Z0
L1 L3
L4
C4 C6
longueur de la ligne d’une valeur Dl obtenue par l’une ou l’autre des formules
suivantes :
w
e RE + 0,3 h
--- + 0,264
D l = 0,412h --------------------------- ------------------------
e RE – 0,258 w
--- + 0,8
h
w 2
l0
--- + ln ------ e RE h ln 2
h 2π
D l = ------------------ arctan ---------------------- tan -------------------------
l0
-
2 p e RE w 2
--- + 2 ln ---
h π
Résonateurs
Le tableau 10.2 regroupe les cas des lignes de longueur nl/2 ou (2n – 1) l/4
lorsque ces lignes sont soit en circuit ouvert, soit en court circuit.
Longueur de
la ligne l nλg λg
(2n – 1)
2 4
État de la ligne
Ligne ouverte
L
L G C C
Ligne en
court circuit
L
C L G C
Dans les deux cas, les lignes ont des longueurs l/4 et sont en court circuit.
L’impédance présentée à l’entrée est donc un circuit RLC parallèle, le filtre est
alors un filtre passe-bande.
Si la longueur de la ligne est de n l g/2 le filtre est un filtre réjecteur.
Il est intéressant de faire un rapprochement avec les résonateurs dits diélectri-
ques, présentés dans le chapitre 5. Il s’agit bien évidemment des mêmes techni-
ques, les seules différences résident dans la configuration de la ligne et de la
valeur de eRE .
Dans le cas des résonateurs diélectriques, la ligne est coaxiale et la valeur de eRE
est très élevée, de l’ordre de 100. Ces caractéristiques permettent de réduire
l’encombrement. Dans le cas présent, la ligne est un microstrip et la valeur de eRE
est voisine de 10 pour le cas de l’alumine Al2O3.
E S E S
λ λ
4 4
λg λg
λg
4 4
4
RS RL
Z'0 Z"0
W1 W2 RS Z0 RL
Transformation d’impédance
Une ligne de longueur l quelconque et d’impédance caractéristique Z0 peut être
utilisée pour transformer une impédance quelconque ZT .
La ligne de longueur l est fermée sur l’impédance ZT et l’on s’intéresse à l’impé-
dance vue de l’entrée Z.
L’impédance Zin vue de l’entrée peut s’écrire :
Z T + Z 0 th g l
Z in = Z 0 -----------------------------
Z 0 + Z T th g l
La constante de propagation de la ligne g vaut :
g = a + jb
Si la ligne est sans perte, a = 0 et le facteur de phase b vaut :
w 2p l0
b = ---- = ------ l g = -----------
vj lg e RE
L’impédance Zin vue de l’entrée vaut finalement :
2p
g = j ------
lg
thjx = jtanx
CHAPITRE 10 - MICROSTRIP
525
Z T + j Z 0 tan 2 p l / l
Z in = ------------------------------------------------g
ZT
1 + j ------ tan 2 p l / l g
Z0
Une impédance quelconque ZT peut donc être transformée lorsqu’elle est vue,
via une longueur l, d’une ligne d’impédance caractéristique Z0. Des longueurs
multiples de lg donnent des résultats intéressants.
Quart d’onde, l = lg /4
l
Si l = ----g , l’impédance Zin vaut simplement :
4 2
Z0
Z in = ------
ZT
Huitième d’onde, l = lg /8
Deux cas particuliers sont intéressants, ZT = 0, Z T = ∞ .
ZT = 0 : ligne en court circuit Zin = jZ0 ;
Z T = ∞ : ligne en circuit ouvert Zin = – jZ0 .
Coupleurs directifs
Coupleurs à lignes
Le schéma de la figure 10.11 représente un coupleur directif. Ce système est cons-
titué de quatre ports E, S, X et Y. Le coupleur directif s’intercale entre la source
RS et la charge RL .
PR
PT
RS E S
Z0 λ/4
C C
V Z0 λ/4 RL
X PR – CF Y PT – CF
Z0 Z0
35,4 ohms
50 ohms 50 ohms
Entrée Sortie
Z0 Z0
Z Série
Z Shunté Z Shunté
λ/4 50 ohms 50 ohms
λ/4
50 ohms Z Série 50 ohms
Z0 Z0
Port X Port Y
35,4 ohms
Il s’intercale dans un circuit par les entrées sorties E-S. Le périmètre du carré ainsi
constitué par les quatre lignes est voisin de la longueur d’onde. Le coefficient de
couplage, fonction du rapport des impédances caractéristique des lignes, est
compris entre 3 et 26 dB généralement.
R PE
Entrée
PS
;;
R1 Sortie
PT – CF R
; ; ; ;;
R R
1:1
T
R2
Les performances du système ne sont limitées que par les performances du trans-
formateur et la présence inévitable des divers éléments parasites.
La configuration de la figure 10.14 ne fait appel qu’à deux transformateurs T1 et
T2 de rapport n :
nombre de spires au primaire
n = ------------------------------------------------------------------------
nombre de spires au secondaire
La valeur du coefficient de couplage CF est donnée par la relation :
CF = 20 log n
Le nombre de spires aux primaires des transformateurs doit rester très faible.
Cette structure ne peut donner de bons résultats pour des fréquences supérieures
à 500 MHz.
1
P
E S
T1
S
n
T2 S
Puissance Puissance
transmise – CF P réfléchie – CF
1
Z1 = 2Z 0
R = 2Z 0
Les deux lignes ont des longueurs l/4. L’isolation entre les ports est meilleure que
20 dB et la largeur de bande peut atteindre 40 % de la fréquence centrale.
Ces résultats peuvent être comparés aux résultats obtenus avec un diviseur de
puissance passif, constitué de trois résistances câblées en étoile.
CHAPITRE 10 - MICROSTRIP
529
λ/4
Z0 = 35,4 Ω
Entrée Sortie en phase
Z0 = 50
Z0 = 50
λ/4
λ/4
λ/4
Z0 = 35,4 Ω
Sortie en quadrature
50
BW 10 % . f
Voie 1
Z1 = 70,7 Ω
Z0 Z0
50 Ω
R 50 Ω
100 Ω
Voie 2
Z1 = 70,7 Ω
Z0
50 Ω
Pour le diviseur résistif, il n’y a pas de restriction sur la largeur de bande mais en
contre-partie, l’isolation est égale à la perte d’insertion.
La configuration de la figure 10.17 est connue sous le nom de rat-race hybrid.
Cette structure résulte de la précédente. Comme dans le cas précédent l’impé-
dance caractéristique de la ligne Z1 vaut :
Z1 = 2Z 0
Z0 représente les impédances de source et de charge sur chacun des ports. La
largeur de bande BW est d’environ 20 % de la fréquence centrale.
Lorsque le signal d’entrée est injecté sur le port 3, les signaux de sortie sont
récupérés sur les ports 1 et 2 en phase et atténués de 3 dB.
Lorsque le signal d’entrée est injecté sur le port 4, les signaux de sortie sont récupé-
rés sur les ports 1 et 2 et atténués de 3 dB. Au port 1, le signal est déphasé de – p/2
et au port 3, de – 3p/2.
530 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
Sortie voie 1
50 Ω
Entrée voie 4
Z0
λ/4
50 Ω
0
Z
λ/4
Entrée voie 3
Z0 = 70,7 Ω λ/2
Z0
50 Ω λ/4
Z0
λ/4
Sortie voie 2
Voie 3 3λ/4
50 Ω
λ/4
Voie 2
10.8 Conclusion
En radiofréquence, aucune interconnexion ne peut être assimilée à une résistance
nulle, chaque ligne conductrice tracée sur un circuit imprimé est une ligne de
transmission.
En général, cette ligne est déterminée de manière à transmettre une puissance
maximale de la source vers le générateur, mais cette application n’est pas la seule.
Les caractéristiques des discontinuités dans les lignes sont telles qu’elles permet-
tent la réalisation de filtres, diviseurs et combineurs de puissance.
Dans la plupart des cas, les calculs résultants de l’emploi de formules approchées
peuvent être longs et fastidieux. Des calculateurs et simulateurs spécialisés allè-
gent la tâche du concepteur.
B IBLIOGRAPHIE
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532 ÉLECTRONIQUE APPLIQUÉE AUX HAUTES FRÉQUENCES
D F
dB µV 3 facteur de bruit 4, 6, 232, 245, 253, 309
dBm 2 FHSS 199
DBPSK 164 filtre
dBW 2 à onde de surface 80, 145, 228, 243, 248,
débit binaire 134 308
DECT 159, 186 à quartz 243, 300
démodulateur Butterworth 176
à PLL 103 Cauer 176
de fréquence 387 céramique 243
démodulation de Bessel 151
ASK Matlab 188 de boucle 399, 439
BPSK Matlab 192 de Gauss 175
cohérente 60 en cosinus surélevé 175
CPFSK Matlab 190 en treillis 303
d’amplitude 388 fonction d’erreur 136
Matlab 126 Foster-Seely (discriminateur de) 97
d’enveloppe 58 FPGA 211
de fréquence Matlab 130 fréquence
de phase Matlab 130 image 235, 310
FSK Matlab 188 intermédiaire 122, 234, 305, 310
désaccentuation 110 intermédiaire nulle 248
détecteur de phase 381 FSK 135, 146
détection d’enveloppe 143
diagramme de l’œil 184
diode PIN 353
discriminateur G
à quadrature 99
de Foster-Seely 97 gains en puissance 327
distorsion d’intermodulation 14 Gauss (filtre de) 175
diviseur 286 générateur pseudo-aléatoire 202, 208
de fréquence 439 Gilbert (cellule de) 170, 376
de puissance 275, 528 GMSK 150
doublage de fréquence 385 GSM 159, 186
DOWN converter 380
DSP 50
DSSS 213
H–I
HF 41
E impédance caractéristique 508
inductance 257
efficacité spectrale 135 interférence intersymbole 138
EHF 45 intermodulation
émetteur 223 distorsion 14
étalement de spectre 195 produits 16
INDEX
535
P S
PAL 67 S /B 6
paramètres S 326 saut
perte de fréquence 422
d’insertion 253 de phase 421
self
de conversion 366
imprimée 265
PLL 96, 155, 393
sur air 263
point de compression 13, 232 sur ferrite 265
polarisation 334 sensibilité 244
pompe de charge 436 SHF 44
porteur 51 signal
porteuse (récupération de la) 179, 249 modulant 51
préaccentuation 110, 225 porteur 51
produit d’intermodulation 16 spectre 50
propagation 36 stabilité 397
PSK 135 surtension (coefficient de) 470, 474
synthétiseur 404
push pull 229
système bouclé
d’ordre 2 409
d’ordre 3 415
Q
QAM 135, 174
QPSK 168
T
quartz 289 taux d’erreur bit 135
température de bruit 11
tores 265
R transformateur 266
d’impédance 519
transformation
récepteur 233 d’impédance 469
à un changement de fréquence 233 triangle étoile 284
réflexion transistor bipolaire 319
coefficient de ~ 326, 512
ionosphérique 37
réglementation 46
résistance 281
U
résonateur 519 UHF 43
à onde de surface 145, 289, 312 UIT-D 46
céramique 289, 307 UIT-N 46
diélectrique 314 UIT-R 46
RFID 40, 43 UP converter 380
INDEX
537
V VHF 42
VLF 39
varicap 92, 348
VCO 92, 314, 342, 399, 433, 439
gain 93, 352
VCXO 94, 155, 433
Z
verrouillage (plage de) 438 zone de Fresnel 34
VHDL 211
TECHNIQUE ET INGÉNIERIE GESTION INDUSTRIELLE
Série EEA
CONCEPTION
CHIMIE