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    Memoire Ok Bou5848

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    Paul Zephyrin Awona
    Ce mémoire présente une étude sur la caractérisation des matériaux de construction par les méthodes électriques, en particulier la permittivité et la résistivité. Le document contient une revue de la littérature sur les principales propriétés des matériaux comme la permittivité et la classification des matériaux. Il présente également des méthodes non destructives de caractérisation des hétérostructures comme les méthodes électriques, diélectriques, thermiques et acoustiques.

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    Ce mémoire présente une étude sur la caractérisation des matériaux de construction par les méthodes électriques, en particulier la permittivité et la résistivité. Le document contient une revue de la littérature sur les principales propriétés des matériaux comme la permittivité et la classification des matériaux. Il présente également des méthodes non destructives de caractérisation des hétérostructures comme les méthodes électriques, diélectriques, thermiques et acoustiques.

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    MEMOIRE OK BOU5848

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    Ce mémoire présente une étude sur la caractérisation des matériaux de construction par les méthodes électriques, en particulier la permittivité et la résistivité. Le document contient une revue de la littérature sur les principales propriétés des matériaux comme la permittivité et la classification des matériaux. Il présente également des méthodes non destructives de caractérisation des hétérostructures comme les méthodes électriques, diélectriques, thermiques et acoustiques.

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    Memoire Ok Bou5848

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    Paul Zephyrin Awona
    Ce mémoire présente une étude sur la caractérisation des matériaux de construction par les méthodes électriques, en particulier la permittivité et la résistivité. Le document contient une revue de la littérature sur les principales propriétés des matériaux comme la permittivité et la classification des matériaux. Il présente également des méthodes non destructives de caractérisation des hétérostructures comme les méthodes électriques, diélectriques, thermiques et acoustiques.

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    REPUBLIQUE ALGERIENNE DEMOCRATIQUE ET POPULAIRE

    MI
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    ENSEI
    GNEMENTSUPERI
    EURETDELARECHERCHESCI
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    FIQUE
    UNIVERSITE MANTOURI DE CONSTANTINE
    FACULTEDESSCI
    ENCESDEL’
    INGENI
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    DEPARTEMENT DE GENIE CIVIL

    MEMOIRE
    Présenté e
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    obt
    ent
    ion du grade de Magistère en Génie Civil

    Option : Matériaux

    Par Med Abdelhafid Bouhamla

    CARACTERISATION
    Soutenue le
    DES
    2010de
    va
    MATERIAUX
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    CONSTRUCTION PAR LES METHODES
    ELECTRIQUES
    CAS DES INCLUSIONS DANS LES PATES PURES

    Président :
    Dr: HOUARI HACENE Professeur Université Mentouri Constantine.

    Rapporteur :
    Dr: AHMED BEROUAL M.C.A Université Mentouri Constantine.

    Examinateurs :
    Dr: MED NACER GUETTECHE M.C.A Université Mentouri Constantine.

    Dr: KAMEL ABDOU M.C.A Université Mentouri Constantine.


    A mes parents.
    A mon épouse et mes enfants.
    A tous les miens.
    Remerciements

    Ce travail a été réalisé au sein du laboratoire Matériaux et Durabilité des


    Cons
    truc
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    Microsystèmes et Instrumentations (LMSI) - Dé
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    que - Université
    Mentouri -Constantine.

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    Je remercie Monsieur le Pr e
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    Je remercie Monsieur le Président et Messieurs les membres du jury pour


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    cept
    antdejuger ce travail.

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    il.

    Je remercie également toutes les personnes qui ont contribué de près ou de loin à
    la réalisation de ce travail.
    Tables des matières

    Introduction Générale p5
    Bibliographie p7

    CHAPITRE I : PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DES


    MATERIAUX-PERMITTIVITE ET RESISTIVITE ELECTRIQUE
    I.1 Introduction p9
    I.2 Classification des matériaux p9
    I.2.1 Classification basée sur la conductivité électrique p9
    I.2.2 Cl
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    rgi
    e p9
    I.2.3 Classification basée sur la permittivité diélectrique p10
    I.2.4 Classification basée sur la susceptibilité magnétique p11
    1. 3 Permittivité électrique p11
    I.3.1 Phénomènes de polarisation p12
    I.3.1.2 Polarisation électronique p13
    I.3.1.3 Polarisation ionique (ou atomique) p13
    I.3.1.4 Polarisation dipolaire (oud’
    ori
    ent
    ati
    on) p14
    I.3.1.5 Polarisation macroscopique (ou de charge spatiale) p14
    I.3.1.6 Polarisation interfaciale p15
    I. 3.2 Permittivité p16
    I.3.2.1 Permittivité relative p16
    I.3.2.2 Permittivité absolue p16
    I.3.2.3 Permittivité relative complexe p17
    I.3.2.4 Facteur de dissipation diélectrique p17
    I.3.3 Facteurs influençant les propriétés diélectriques de matériaux p17
    I.3.3.1 Fréquence p18
    I.3.3.2 Température p19
    I.3.3.3 Humi
    dit
    éetd’
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    eté
    s p20
    I.3.3.4 Structure physique et chimique p20

    1
    I.3.3.5 Intensité du champ alternatif p20
    I.4 Pe
    rmi
    tt
    ivi
    tée
    ffe
    cti
    vee
    tcha
    mpd’
    exc
    ita
    tion p21
    I.5 Théories des milieux effectifs p23
    I.6 Influence de la géométrie des inclusions sur la permittivité p26
    I.7 Conclusion p27

    Bibliographie p28

    CHAPITRE II : METHODES NON DESTRUCTIVES DE


    CARACTERISATION DES HETEROSTRUCTURES
    II.1 Introduction p31
    II.2 Méthodes de caractérisation p31
    II.2.1 Inspection visuelle p31
    II.2.2 Méthode thermique p31
    II.2.3 Méthode électrique –résistivité p32
    II.2.4 Méthodes diélectriques p32
    II.2.4.1 Méthode capacitive p32
    II.2.4.2 Méthode T.D.R. (Time Domain Reflectometry) p33
    II.2.5 Méthode acoustique (ultra sons) p34
    II.2.6 Méthodes magnétiques p34
    II.2.7 Méthodes des rayons X p35
    II.8 Conclusion

    Bibliographie p36

    CHAPITRE III:METHODES DE MESURE DE LA PERMITTIVITE ET

    DE LA RESISTIVITE ELECTRIQUE

    III.1 Introduction p40


    III.2 Mesures au pont p40
    III.3 Méthodes du circuit résonnant p41

    2
    III.4 Méthode de la double résonnance p42
    III.5 Mesures par lignes de transmission p42
    III.6 Mesure dans le domaine des ondes micrométriques p43
    III.7 Conclusion p43

    Bibliographie p44

    CHAPITRE IV : CARACTERISATION EXPERIMENTALE DES


    MATERIAUX AVEC INCLUSIONS
    IV.1 Introduction p46
    IV.2 Caractérisation de la pâte de ciment p47
    I
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    et la résistivité de la pâte de ciment p47
    IV.2.2 I
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    ctrique
    et la résistivité de la pâte de ciment p53
    IV.2.3 Echantillons en pâte de ciment avec des inclusions en verre p58
    IV.2.4 Echantillons en pâte de ciment avec des inclusions en acier p62
    IV.3 Conclusion p67

    Conclusion générale p68


    Annexe p71

    3
    INTRODUCTION GENERALE

    4
    Introduction :

    L’
    ins
    pec
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    ffi
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    aus
    e
    des aspects environnementaux, économiques et sociopolitiques. Pratiquement toutes les
    s
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    faisait que par un processus destructif à savoir le prélèvement direct d’
    écha
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    ll
    onsdel
    a
    structure (carottage) ; ce qui laisse des dommages à divers degré et par conséquent affaiblit
    cette dernière (la structure) et affecte souvent sa performance et sa durabilité. De ce fait,
    l
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    nté
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    ima
    lesd’
    ent
    ret
    ien.
    Pour cela, de nouvelles techniques permettant de détecter la détérioration (défauts) interne
    d’
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    ejourà savoir les techniques non destructives
    (TND).
    Actuellement, ces techniques sont largement utilisées pourl
    ’éva
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    des structures en béton tels que les ponts, les bâtiments et particulièrement les centrales
    nucléaires. Leur importance résulte de leur nature non envahissante, de la vitesse des mesures,
    del
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    Il existe plusieurs TND ; c
    hac
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    urun principe physique donnée
    permettant de fournir différentes informations relatives aux propriétés physiques du matériau.
    Ces paramètres, telsquel
    avi
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    gné
    tiquee
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    asoni
    que
    ,lar
    ési
    st
    ivi
    té
    électrique etc. sont interprétées en termes de caractéristiques du matériau.
    Parmi ces techniques, nous pouvons citer: la méthode thermique [1], les méthodes
    nucléaires [2], la méthode basée sur la mesure de la résistivité appelée « méthode électrique »
    [3 - 5] et les méthodes basées sur la mesure de la permittivité diélectriques appelées
    « méthodes diélectriques » [6 - 8]. Ces dernières ont connu un développement remarquable
    ces dernières années. Ainsi, plusieurs techniques basées sur la détermination de la permittivité
    diélectrique relative (ou constante diélectrique) ont vu le jour : la méthode capacitive [1,6] :
    l
    amé
    thodeder
    éfl
    ect
    omé
    tri
    econnues
    ousl
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    tionT.
    D.R(Tim Domain Reflectometry)
    [7,8] et les méthodes radars [9,10].
    Les TND ont généralement des applications potentielles selon deux axes essentiels :
    - détection des inclusions
    - caractérisation et quantification de ces inclusions.

    5
    Le
    sexi
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    vec une
    approximation suffisante pour permettre une évaluation technique.

    Dans ce travail de recherche, nous proposons une nouvelle technique permettant la


    dé
    tec
    tiond
    ’unei
    ncl
    usi
    onda
    nsune matrice cimentaire ainsi que sa concentration (volume
    apparent) et sa nature. Cette méthode est basée sur la mesure de la permittivité diélectrique et
    de la résistivité électrique du matériau. Ce manuscrit comporte quatre chapitres.
    Le premier chapitre est consacré aux principales caractéristiques des matériaux et plus
    particulièrement à la permittivité diélectrique (constante diélectrique) et aux phénomènes de
    polarisation a
    ppa
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    qu’
    unc
    hampé
    lec
    tri
    quel
    eurest appliqué.
    Nous donnons également la définition de la résistivité électrique, autre paramètre important
    caractéristique des matériaux.
    Dans le deuxième chapitre, nous exposons les différentes méthodes de classification
    des matériaux ainsi que les différentes techniques non destructives permettant leur
    caractérisation.
    Dans le troisième chapitre, nous présentons les différentes techniques de mesure de la
    permittivité diélectrique et de la résistivité électrique.
    e
    Le quatrième chapitre, qui constitue l’ss
    ent
    ield
    enot
    ret
    rava
    il, présente le dispositif
    expérimental utilisé pour la mesure des deux caractéristiques principales de nos matériaux, à
    savoir la permittivité diélectrique et la résistivité électrique, ainsi que les résultats
    expérimentaux obtenus. Les applications de cette méthode y sont également discutées.

    6
    Bibliographie
    [1] B. Pincent, D. Méline and J. Auriol, Measurement of the moisture content variation in non
    satured, compacted clays, Geoconfine 93, Arnould, Barrès and Côme (eds), 1993.
    [2] J.P. Baron, La mesure de la teneur en eau par les méthodes nucléaires, Journées de
    Physique. L.C.P.C., 1987, pp.151-156.
    [3] P.J. Tumidajski, A.S. Schumacher, S. Perron, P. Gu and J.J. Beaudoin, On the relationship
    between porosity and electrical resistivity in cementitious systems, Cement and Concrete
    Research, Vol. 26, No. 4, 1996, pp. 539-544.
    [4] P.J. Tumidajski, Electrical conductivity of Portland cement mortars, Cement and Concrete
    Research, Vol. 26, No. 4, 1996, pp. 529-534.
    [5] Zhongzi Xu, Ping Gu, Ping Xie and J.J. Beaudoin, Application of A.C. impedance
    techniques in studies of porous cementituous materials, Cement and Concrete Research, Vol.
    23, 1993, pp. 1007-1015.
    [6] Davis J.L., Chudobiak W.J., In situ method for measuring relative permittivity of soils,
    Geological Survey of Canada, Ottawa, 1975, paper 75-1, A, pp.75-79.
    [7] G.C. Topp, J.L. Davis, A.P. Annan, Electromagnetic determination of soil water content
    using T.D.R. Evaluation of installation and configuration of parallel transmission lines, Soil
    Science Society of America. Journal, Vol. 46, 1982.
    [8] G.C. Topp, J.L. Davis, Measurement of soil water content using T.D.R. : a field
    evaluation, Soil Science Society of America. Journal, Vol. 49, 1985.
    [9] O. Buyukozturk, H.C. Rhim, Radar Imaging of concrete specimens for nondestructive
    testing, Construction and Building Materials, Vol. 11, N° 3, 1997, pp. 195-198.
    [10] H.C. Rhim, O. Buyukozturk, Electromagnetic properties of concrete at microwave
    frequency range, ACI Materials Journal, Vol. 95, N° 3, 1998, pp. 262-271.

    7
    CHAPITRE I

    PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DES

    MATERIAUX - PERMITTIVITE ET

    RESISTIVITE ELECTRIQUE

    8
    I.1. Introduction

    La c
    ara
    cté
    ris
    ati
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    un ma
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    nt un c
    ara
    ctè
    re de
    pluridisciplinarité. Selon leur application, on peut diviser les matériaux en : conducteurs et
    semi-conducteurs, diélectriques (ou électro- isolants) et magnétiques. Tout matériau est en
    général caractérisé par plusieurs constantes. En pratique, on ne considère que les
    caractéristiques qui semblent les plus importantes pour une application donnée.
    Une technique ( méthode ) de caractérisation non destructive (TND) est un examen, un
    e
    ssa
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    hange
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    apporter des modifications à cet objet de quelque façon que ce soit, afin de déterminer
    l
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    ’exa
    mend’
    uno
    bjet qui ne doit pas affecter sa fonctionnalité. Dans le
    domaine du Génie Civil, cet objet est généralement le matériau béton.
    Il existe plusieurs méthodes de caractérisation des matériaux [1, 2] : les méthodes
    nuc
    léa
    ire
    s,l
    esmé
    thode
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    Cha
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    détermination de la teneur en eau dans un sol,d’
    aut
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    ures ou de cavités
    dans un métal ….
    Dans ce chapitre, nous présentons les différentes classifications des matériaux ainsi
    qu’
    unc
    ert
    ainnombr
    edemé
    thode
    sse
    rva
    ntàl
    eurc
    ara
    cté
    ris
    ati
    on.

    I.2. Classification des matériaux


    I.2.1. Classification basée sur la conductivité électrique
    Cette classification est faite sur la base de la conductivité électrique , mesurée à 20°C
    (293K) :
    - Pour les conducteurs : > 106 S/m (
    < 10-4 cm)
    - Pour les semi-conducteurs : 10-6 < (S/m) < 104 (10-2 < (cm) < 108)
    - Pour les diélectriques (isolants) : < 10-10 S/m (> 1012 cm)

    I.2.2. Classification basée sur l


    esni
    veauxd’
    éne
    rgi
    e
    Unea
    utr
    efa
    çondec
    las
    serl
    esma
    tér
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    ’es
    tce
    llequic
    ons
    ist
    eàut
    il
    is
    erl
    esni
    vea
    ux
    d’
    éne
    rgi
    e.Lemodè
    ledel
    ’ét
    ats
    oli
    dedé
    cri
    tle
    sét
    atsé
    ner
    gét
    ique
    sde
    sél
    ect
    ronsda
    nsde
    s

    9
    domaines de la structure cristalline régulière et dont le degré de perturbation est faible. Pour
    l
    ’i
    nte
    rpr
    éta
    tiondepl
    usi
    eur
    sphé
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    nes
    ,ils
    uff
    itd’
    uti
    li
    sert
    roi
    sno
    tionsl
    ié
    esa
    umodè
    le: la
    ba
    ndedeva
    lenc
    e(ni
    vea
    ufonda
    ment
    ald’
    éne
    rgi
    e),l
    aba
    ndei
    nte
    rdi
    tee
    tlaba
    ndec
    onduc
    tion.
    La largeur de la bande interdite Ew influe de manière décisive sur la valeur de la conductivité
    électronique et sa dépendance de la température :
    
    Ew = 0 : matériau conducteur
    
    Ew = 0,5 à 2,0 eV : matériau semi-conducteur
    
    Ew ~di
    zai
    nesd’
    eV: matériau diélectrique (nombr
    ed’
    éle
    ctr
    onsda
    nsl
    aba
    ndede
    conduction très faible : faible).

    Cemodè
    le,ba
    sés
    url
    esni
    vea
    uxd’
    éne
    rgi
    e,e
    xpl
    iqueuni
    que
    mentl
    ephé
    nomè
    nede
    conduction électronique. Par contre, il ne décrit pas les autres phénomènes comme la
    conduction ionique dans l
    esdi
    éle
    ctr
    ique
    s,l
    ephé
    nomè
    nedepol
    ari
    sat
    ion…

    I.2.3. Classification basée sur la permittivité diélectrique


    Une manière intéressante de classer les matériaux est celle basée sur la permittivité
    diélectrique relative complexe : 
    r = 
    ’–j 
    ’’.Ce
    ttereprésentation complexe ne prend en
    ’
    compte que le courant de conduction et le courant de déplacement (’=
    p’+/
    ’ 0, 
    p’’
    étant le terme lié à la polarisation et  la conductivité électrique). Comme le montre les
    e
    xpé
    rie
    nce
    s,l
    ’ang
    ledepe
    rte
    sde
    smé
    taux, dans la gamme des fréquences les plus utilisées, est
    égal à /2 (=0) et donc tan= 
    ’’/ 
    ’te
    ndve
    rsl
    ’i
    nfi
    ni.Le
    spe
    rte
    sd’
    éne
    rgi
    eduea
    upa
    ssa
    ge
    du courant ont évidemment une valeur déterminée. De plus, 
    ’’doi
    tavoi
    runeva
    leurf
    ini
    e,
    c
    ’es
    tàdi
    re que pour les métaux, on peut supposer que 
    ’=0.Pourl
    esa
    utr
    est
    ype
    sde
    matériaux, tana une valeur déterminée qui dépend de la fréquence. Pour les matériaux quasi-
    conducteurs, tan> 1 et pour les matériaux quasi-diélectriques, tan< 1. Cependant, comme
    tane
    stf
    onc
    tiondel
    afr
    éque
    nce
    ,ce
    ttes
    ubdi
    vis
    ionn’
    estquer
    ela
    tive
    .Ene
    ffe
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    elonl
    a
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    réque
    nce
    ,unma
    tér
    iaupa
    ssed’
    uné
    tatqua
    si-conducteur à un état quasi-diélectrique. Cette
    fréquence par exemple pour un aussi bon matériau électro-isolant comme le mica, est de
    l
    ’or
    drede10-5 Hz
    ,al
    orsqueda
    nsl
    eca
    sde
    smé
    taux,e
    llee
    stdel
    ’or
    drede1020 Hz.
    Le fait de considérer un matériau donné comme quasi-conducteur ou encore comme
    quasi-diélectrique a une grande importance en particulier par rapport aux matériaux semi-
    conducteurs lesquels soumis à des signaux (contraintes) rapidement variables (par exemple

    10
    des impulsions), peuvent être considérés comme diélectriques. Ceci peut jouer un rôle
    e
    sse
    nti
    ell
    ors
    qu’
    ils
    ’agi
    t de di
    st
    ri
    but
    ion de pot
    ent
    iel da
    ns l
    es systèmes complexes
    (composites).
    Les valeurs de 
    ’pourl
    esma
    tér
    iauxs
    emi
    -conducteurs et diélectriques varient dans
    une large gamme ; elles sont toujours supérieures à 1. Les diélectriques de permittivité
    relative statique 
    r > 3 sont considérés en pratiques comme polaires alors que les diélectriques

    dont 
    r’<3s
    ontdi
    tsnonpol
    air
    esoup
    eupol
    air
    es.

    I.2.4. Classification basée sur la susceptibilité magnétique


    Selon leur comportement dans un champ magnétique et plus particulièrement selon la
    valeur de leurs susceptibilités magnétiques m, les matériaux sont divisés en :
    - diamagnétiques : m ~10-6 ; 0 < r < 1
    - paramagnétiques : m > 0 ; r > 1 (à 20°C, m ~ 10-2 … 10-5)
    - ferromagnétiques : m >> 0 ; r >>1s
    elonl
    ’i
    nte
    nsi
    téduc
    hampma
    gné
    tique
    .

    La susceptibilité magnétique est définie par la relation : m = r - 1.

    I.3 Permittivité diélectrique


    L’
    étu
    dedel
    ape
    rmi
    tt
    ivi
    tée
    ffe
    cti
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    ouc
    ons
    tant
    edi
    éle
    ctr
    iquema
    cros
    copi
    que
    )de
    s
    matériaux composites remonte au début du siècle dernier Le concept de la permittivité
    effective est pratiquement indispensable dans la modélisation des matériaux composites à
    basses fréquences [1].
    La pe
    rmi
    tt
    ivi
    tée
    ffe
    cti
    ve d’
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    pend de
    spe
    rmi
    tt
    ivi
    tésde
    sma
    tér
    iaux
    constituants, de leurs fractions volumiques et de la forme des inclusions. L'accès à la
    permittivité effective dépend du degré de complexité de la structure du composite.
    Plusieurs théories et modèles ont été développés pour calculer les grandeurs
    électriques effectives des matériaux hétérogènes constitués de deux ou plusieurs phases en
    fonction des permittivités de chaque constituant et de sa concentration. Ces théories sont
    basées soit sur une approche typiquement phénoménologique (théorie de Wiener [2, 3],
    Wagner [3-5], Rayleigh [3, 5]), soit sur des lois de mélanges moléculaires (théories de
    Clausius-Mossotti [4], Onsager [2, 3, 4]). Des théories plus générales consistant à étudier les

    11
    permittivités effectives des systèmes à deux composants sans se préoccuper des détails de
    leurs comportement (Looyenga [6], McLachlan [7 - 9]) ont été également développées.
    Dans ce qui va suivre nous présentons les différents types de polarisation, la
    pe
    rmi
    tt
    ivi
    téc
    ompl
    exed
    esma
    tér
    iauxa
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    iquel
    ’i
    nfl
    uenc
    edec
    espa
    ramè
    tre
    ssurl
    espe
    rte
    s
    diélectriques.

    I.3.1 Phénomènes de polarisation


    L’
    appl
    ica
    tiond’
    unc
    hampé
    lec
    tri
    que i
    ndui
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    har
    ges
    .
    L’
    eff
    etdec
    esmouve
    ment
    ses
    tappe
    lépol
    ari
    sat
    ioni
    ndui
    te.Mi
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    elFa
    rada
    yen1837é
    tai
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    pr
    emi
    eràdé
    couvr
    irl
    ’ef
    fetdel
    apol
    ari
    sat
    iondiélectrique. Plusieurs types de polarisation
    (Tableau I.1) sont à distinguer : électronique, ionique, dipolaire, macroscopique, interfaciale
    (ou du type Maxwell - Wagner), spontanée (Figure I.1); celles-ci peuvent co-exister ou
    apparaître séparément.

    Figure I.1. Variation de la permittivité diélectrique en fonction de la fréquence

    Selon leurs caractères, ces types de polarisation peuvent être classés en deux groupes :
    la polarisation élastique (ou de résonance) et la polarisation de relaxation. La polarisation
    totale P est la somme des différents types de polarisation [10-12] :

    P N k k 
    EL 
    k
    (I.1)
    k

    12
    k est la polarisabilité, Nk le nombre de dipôles k par unité de volume et EL le champ
    inducteur qui polarise le dipôle.

    I.3.1.2 Polarisation électronique

    Elle caractérise tous les diélectriques sans exception et résulte des déplacements
    d’
    orbi
    tesé
    lec
    troni
    que
    sext
    erne
    spa
    rra
    ppor
    taunoy
    aud'
    una
    tome
    .Cede
    rni
    er(
    atome
    )es
    t
    formé d'un noyau ponctuel, portant une charge Ze et entouré d'électrons confinés dans une
    sphère de rayon R, à l'intérieur de laquelle ils constituent une densité de charge uniforme.
    En l'absence de champ, le noyau se trouve au centre de la sphère. Un champ local EL crée des

    forces Fr tendant à extraire le noyau de la sphère chargée. Mais un déplacement du noyau

    par rapport au centre de la sphère, crée à son tour des forces d'attraction coulombienne Fa
    tendant à ramener le noyau au centre de cette sphère (Tableau I.1).

    Lapol
    ari
    sat
    ioné
    lec
    troni
    ques
    ’ét
    abl
    ite
    nque
    l s10-15s; elle est donc indépendante de la
    que
    f
    réque
    ncej
    usqu’
    àl'
    ul
    tr
    avi
    ole
    t.

    I.3.1.3 Polarisation ionique (ou atomique)

    Elle résulte du déplacement des atomes liés par des liaisons ioniques. Ces liaisons sont
    rencontrées dans la plupart des diélectriques solides non-organiques avec une structure
    cristalline (exemple: un monocristal ionique de structure cubique simple). Dans une structure
    donnée, le déplacement des ions sous l'action d'un champ local d'une quantité x par rapport à
    leurs positions de repos, donne naissance à une polarisation dite ionique (ou atomique). x
    correspond à l'équilibre entre les forces de rappel et la force due au champ local. Pour les
    petits déplacements, les forces de rappel peuvent être supposées proportionnelles à x
    (tableau I.1).

    Vu l'inertie des ions relativement lourds, ce type de polarisation s'établit en environ 10-13s,
    donc pl
    usl
    ent
    eme
    ntq
    ue l
    a pol
    ari
    sat
    ion é
    lec
    troni
    que
    .El
    lee
    xis
    tej
    usqu’
    aux f
    réque
    nce
    s
    correspondant à l'infrarouge; elle est propre à la plupart des matériaux céramiques.

    13
    I.3.1.4 Polarisation dipolaire (ou d'orientation)
    Le
    smol
    écul
    espr
    ése
    nta
    ntunmome
    ntdi
    pol
    air
    eso
    ntor
    ient
    éess
    ousl
    ’ac
    tionduc
    hamp
    électrique. La structure de ces molécules est asymétrique: le centre de gravité résultant de
    toutes les chargesné
    gat
    ive
    sd’
    unet
    ell
    emol
    écul
    enec
    oïnc
    idepa
    save
    cce
    luidet
    out
    ess
    es
    charges positives –la molécule est un dipôle électrique. Dans une molécule comprenant plus
    de deux atomes, plusieurs liens peuvent présenter un moment dipolaire spontané. Le moment
    dipolaire de la molécule est alors la somme vectorielle de ceux-ci. Le caractère dipolaire est
    généralement propre aux molécules des composés chimiques ayant des liaisons ioniques, mais
    également aux composés ayant des liaisons covalentes qui ont une structure asymétrique (par
    exemple H2O). La figure I.1.a correspond à la molécule CO2 qui, parfaitement symétrique, ne
    présente pas de moment dipolaire spontané. La figure I.1.b correspond à celle de H2O qui
    présente un moment dipolaire Pm (Tableau I.1).

    O C O O
    H H
    Pm1 Pm2

    Pm1 Pm1
    Pm=Pm1+Pm2=0

    (a) (b) Pm

    Figure I.1 Polarisation dipolaire ou d'orientation

    I.3.1.5 Polarisation macroscopique ( ou de charge spatiale )


    Elle décrit le processus du déplacement limité des charges libres. Elle peut être
    rencontrée dans les diélectriques liquides et solides, surtout avec une structure non-homogène
    ou amorphe. La polarisation macroscopique s'établit lentement. Selon le type de matériau et
    des conditions de mesure (température, hygrométrie), le courant de déplacement qui
    l'accompagne lorsqu'une tension constante est appliquée, peut être observé pendant quelques
    mi
    ll
    is
    econde
    sjus
    qu’
    à de
    sce
    nta
    ine
    s d’
    heur
    es.La pol
    ari
    sat
    ion ma
    cros
    copi
    que da
    ns l
    es
    diélectriques liquides résulte de l'amassement des ions au voisinage des électrodes. Dans les
    diélectriques solides, le mouvement des charges est limité à cause des états énergétiques
    locaux de capture ou des barrières de potentiel. Les deux phénomènes résultent de la non
    homogénéité du matériau.

    14
    I.3.1.6 Polarisation interfaciale
    qu’
    Elle peut apparaître lors ilya association de deux diélectriques non homogènes
    ’
    dont les permittivités (1 et 
    ’2) et les conductivités (1 et 2) des matériaux constituants 1 et

    2 sont telles que:



    1 /
    '
    2 
    '
    1 / 2 . (I.1)

    Elle résulte d’
    unea
    ccumul
    ati
    ondec
    har
    gesdue
    sàl
    ’ens
    embl
    ede
    sphé
    nomè
    nesdemi
    gra
    tionà
    la frontière des deux milieux à. En effet, les porteurs de charges, jamais totalement absents
    dans un diélectrique, migrent sous l'effet du champ et tendent à se concentrer autour de
    défauts tels que les impuretés, les lacunes et les joints de grains. Cette polarisation est
    caractérisée par le temps d'établissement le plus long de tous, qui peut atteindre plusieurs
    minutes et même davantage (Tableau I.1).

    Type de E=0 E
    polarisation

    Electronique

    Ionique

    Par
    orientation

    Interfaciale

    anion molécule
    atome
    grain
    cation polaire
    noyau

    Les déplacements des charges sont très fortement exagérés

    Tableau I.1

    15
    I.3.2 Permittivité

    I.3.2.1 Permittivité relative

    Un diélectrique est caractérisé par sa permittivité relative ou constante diélectrique 


    r.

    Da
    nsl
    eca
    sd’
    undi
    éle
    ctr
    iquepa
    rfa
    it,
    r est le quotient de la capacité Cx entre deux électrodes,

    supposées noyées dans ce diélectrique, par la capacité Cv de la même configuration


    d’
    éle
    ctr
    ode
    sdans le vide:
    C
    r  x (I.2)
    Cv
    I.3.2.2 Permittivité absolue
    La permittivité absolue est le produit de la permittivité relative 
    r par la permittivité

    du vide 
    0 (
    0 = 8,85. 10
    -12
    F/m) :
    = 
    r0. (I.3)

    Lape
    rmi
    tt
    ivi
    téa
    bsol
    uedé
    fini
    tlapo
    ssi
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    éd’
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    etr
    ave
    rsépa
    runc
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    lec
    tri
    que
    ,sous
    l
    ’ac
    tionduc
    hampé
    lec
    tri
    que
    .Ce
    cir
    ésul
    tededi
    ver
    sesc
    ont
    ri
    but
    ionsdedé
    pla
    ceme
    ntsde
    s
    charges : déplacement des électrons, déplacements des atomes et des ions, orientation des
    di
    pôl
    esé
    lec
    tri
    que
    setdé
    pla
    ceme
    ntde
    scha
    rge
    sd’
    espa
    ce.Ene
    ffe
    t,l
    ade
    nsi
    tédec
    our
    ant
    t
    rave
    rsa
    ntc
    edi
    éle
    ctr
    iquee
    npr
    ése
    nced’
    unc
    hampé
    lec
    tri
    ques
    inus
    oïda
    les
    t[13,
    14]:
    D(t )
    J (t ) E (t )  (I.4)
    t
    En passant par la transformé de Fourrier, on aura :

    J () E () jD () (I.5)


    J () 
    j0  
    1 ' () j" () E 
     (I.6)
    ou encore
    J () 
    c " () j' ()
    E () (I.7)
    où
    0 
    1 ' () j" () ' () j" () * () (I.8)

    ’e
    t”sont les composantes réelle et imaginaire de la susceptibilité électrique du milieu.

    ’et”s
    ontl
    esc
    ompos
    ant
    esr
    éel
    lee
    tima
    gina
    iredel
    ape
    rmi
    tt
    ivi
    téé
    lec
    tri
    quec
    ompl
    exedu

    16
    mi
    li
    eu.Ce
    ttepe
    rmi
    tt
    ivi
    téc
    ompl
    exet
    ie
    ntc
    ompt
    ededi
    ssi
    pat
    iond’
    éne
    rgi
    e,de
    spe
    rte
    spa
    r
    absorption et par diffusion.

    I.3.2.3 Permittivité relative complexe


    On définit également une permittivité complexe relative :

    r* r' jr" (I.9)

    où 
    ’r j
    ouel
    erôl
    equ’
    ava
    it
    r dans le cas des isolants parfaits. La permittivité complexe

    absolue est, de la même manière, égale au produit de la permittivité complexe relative par 
    0.

    Lac
    ompos
    ant
    eenpha
    sequepr
    ése
    nteJa
    vecEe
    stàl
    ’or
    igi
    nede
    spe
    rte
    sdi
    éle
    ctr
    ique
    s; elle
    r
    epr
    ése
    ntel
    adi
    ssi
    pat
    iond’
    unepui
    ssa
    nceda
    nsl
    edi
    éle
    ctr
    ique
    .Ce
    spe
    rtes sont dues au travail
    né
    ces
    sai
    reàl
    ’ét
    abl
    is
    seme
    ntdel
    apol
    ari
    sat
    ione
    tàl
    aconduc
    tionohmi
    quer
    ési
    due
    llec du
    diélectrique [15, 16].

    I.3.2.4 Facteur de dissipation diélectrique


    r"
    Le facteur de dissipation diélectrique est égale au quotient ; ce quotient est appelé
    r'
    a
    uss
    ita
    nge
    ntedel
    ’ang
    ledepe
    rteoutan
    ; e
    stl
    ’ang
    lec
    ompl
    éme
    nta
    iredudé
    pha
    sag
    eent
    rel
    a
    r"
    tension appliquée au diélectrique et le courant qui en résulte ( tan  ' ).
    r
    Enp
    rat
    ique
    ,iln’
    estpa
    spos
    sibl
    edes
    ’af
    fra
    nchi
    rde
    spe
    rte
    spa
    rconduc
    tion[
    13]; dans
    ce cas
    r" () (c / 0 )
    tan  . (I.10)
    r' ()

    I.3.3 Facteurs influençant les propriétés diélectriques de matériaux


    Lape
    rmi
    tt
    ivi
    tée
    tlef
    act
    eurdedi
    ssi
    pat
    iondi
    éle
    ctr
    ique
    sme
    sur
    ésd’
    unma
    tér
    iausont
    affectés par divers paramètres physiques externes ou internes tels que fréquence, température,
    ol
    intensité du champ électrique, rayonnements is a
    nts
    ,humi
    dit
    éetc
    himi
    que… [31].

    17
    I.3.3.1 Fréquence
    En général, les propriétés diélectriques des matériaux varient considérablement avec la
    f
    réque
    nceduc
    hampé
    lec
    tri
    quea
    ppl
    iqué
    e.L’
    appa
    rit
    ionde
    spe
    rte
    sdi
    éle
    ctr
    ique
    spe
    utê
    tre
    expliquée comme suit: aux très basses fréquences, la polarisation suit le champ alternatif, ce
    qui fait que sa contribution à la constante diélectrique est maximale et les pertes
    n’
    appa
    rai
    sse
    ntpa
    s.Auxf
    réque
    nce
    str
    èsé
    levé
    es,l
    echa
    mpa
    lte
    rnet
    ropvi
    tepourquel
    a
    pol
    ari
    sat
    ionpui
    ssea
    ugme
    nte
    reti
    ln’
    yaa
    ucunec
    ont
    ri
    but
    ionàl
    acons
    tant
    edi
    éle
    ctr
    iqu
    e–
    aucune énergie n'est perdue dans le milieu [11]. Mais quelque part entre ces deux extrêmes, la
    polarisation commence à prendre du retard par rapport au champ électrique d'où dissipation
    de l'énergie. Le facteur de pertes atteint une valeur maximale à une fréquence fm , liée au
    temps de relaxation caractéristique par la relation:

    1 1
      . (I.11)
    2f m m

    La permittivité et la polarisation de relaxation dépendent du temps; on distingue deux


    états d'équilibre pour chacune de ses caractéristiques. Dans un champ statique (   0 ), la

    s, et dans les fréquences optiques (   opt ), elle vaut 


    permittivité diélectrique vaut  .

    L'équation typique décrivant ce modèle simple de relaxation diélectrique est l'équation de


    dispersion de Debye
      ( )
    *   s 2 2 i s . (I.12)
    1   1 22

    L’
    équa
    tion de De
    bye pe
    utê
    treé
    cri
    tes
    ous di
    ff
    ére
    nte
    sfor
    mess
    elon l
    aca
    rac
    tér
    ist
    ique
    expérimentale cherchée.
    Plusieurs types de polarisation peuvent être décrits qualitativement de la même
    manière etc
    ’es
    tpour
    quoi
    ,da
    nsl
    apl
    upa
    rtde
    sca
    s,onpe
    uta
    ppl
    ique
    rl’
    équa
    tiondeDe
    bye
    .Il
    faut cependant rappeler que cette équation a été établie spécifiquement pour le cas de la
    relaxation dipolaire.
    L'
    i
    nconvé
    nie
    ntdec
    emodè
    lee
    stqu’
    ilnec
    ons
    idè
    requ’
    uns
    eul temps de relaxation et
    omet les interactions moléculaires alors que les diélectriques dipolaires réels correspondent
    rarement à ce modèle. De ce fait, on ne peut pas toujours décrire le phénomène de relaxation à
    l
    ’ai
    dedec
    ett
    eéqua
    tions
    impl
    edeDe
    bye
    , car bien souvent les diélectriques se caractérisent

    18
    pa
    rpl
    usi
    eur
    ste
    mps d
    ere
    laxa
    tion,c
    omme c
    ’es
    tlec
    as pa
    rexe
    mpl
    e de
    ssubs
    tan
    ces
    macromoléculaires, et des composites. Cole-Cole, Davidson-Col
    eai
    nsi que d’
    aut
    res
    chercheurs ont proposé des modificationsdel
    ’équa
    tiondeDe
    byee
    n yi
    ntr
    odui
    santde
    s
    exposants empiriques menant à une augmentation du nombre de temps de relaxation pris en
    considération.
    Néanmoins, toutes ces tentatives de description des phénomènes de dispersion et de
    relaxation diélectriquen’
    expl
    ique
    ntpa
    slac
    ompl
    exi
    téde
    sphé
    nomè
    nese
    tre
    lat
    ionsobs
    ervé
    s
    pour un grand nombre de corps solides, surtout dans le spectre des basses fréquences. Il
    semble que les processus résultant des interactions entre plusieurs molécules chargées et
    responsables de la polarisation du diélectrique, jouent un rôle fondamental. Par conséquent, la
    description des mécanismes physiques (à l'échelle microscopique) impliqués dans les
    propriétés diélectriques des matériaux demeure toujours ouverte. Et la dépendance
    exponentielle du courant i(t) ou de la polarisation du temps, ne sont pas les seules descriptions
    possibles de ce problème. Déjà au début du siècle dernier, une loi exponentielle, connue sous
    le nom de loi de Curie - von Schweidler, avait été proposée:

    i (t ) ~ t n , (I.13)

    Certains auteurs, en particulier R.M. Hill, A.K. Jonscher et L.A. Dissado , ont remarqué que
    cette loi possède un caractère universel. Ces auteurs ont présenté un modèle universel
    d’
    int
    era
    cti
    onsde pl
    usi
    eur
    scor
    ps,e
    n pa
    ssant du domaine du temps au domaine de la
    fréquence, pour obtenir des équations légèrement différentes pour des intervalles de basses et
    hautes fréquences [12].

    I.3.3.2 Température
    L’
    apt
    it
    ude d’
    un ma
    tér
    iau di
    éle
    ctr
    ique à ê
    tre pol
    ari
    sé dé
    pend é
    gal
    eme
    ntde la
    température. Par conséquent, les fréquences correspondant aux ma
    ximu
    mdel
    ’i
    ndi
    cedepe
    rte
    s
    (et ainsi à ceux du facteur de dissipation diélectrique)va
    rie
    nta
    vecl
    ate
    mpé
    rat
    ure
    .Ils
    ’ens
    uit
    quel
    ecoe
    ffi
    cie
    ntdet
    empé
    rat
    uredel
    ’i
    ndi
    cedepe
    rte
    spe
    utêtre positif ou négatif selon la
    pos
    it
    ionduma
    ximumdel
    ’i
    ndi
    cedepe
    rte
    spa
    rra
    ppor
    tàl
    ate
    mpé
    rat
    uredeme
    sur
    e.

    19
    I.3.3.3 Humidité et autres impuretés
    Lede
    grédepol
    ari
    sat
    ione
    sta
    ugme
    ntépa
    rl’
    abs
    orpt
    iond’
    eauoul
    afor
    mat
    iond’
    une
    pe
    lli
    cul
    ed’
    eauà la surface du diélectrique, ce qui affecte la permittivité, le facteur de
    dissipation et la conductivité en courant continu. Le conditionnement des éprouvettes est, de
    c
    efa
    it,d’
    unei
    mpor
    tanc
    eca
    pit
    alee
    tlar
    égul
    ati
    ondude
    gréd’
    humi
    dit
    é,t
    anta
    vantque pendant
    l
    ’es
    sai
    ,es
    tindi
    spe
    nsa
    blepourl
    ’i
    nte
    rpr
    éta
    tionc
    orr
    ect
    ede
    sré
    sul
    tat
    sd’
    ess
    ai.
    Le degré de polarisation dépend aussi des impuretés introduites par contamination
    physique ou par des ingrédients chimiques, par exemple solvants ou plastifiants. Par
    c
    ons
    éque
    nt,ondoi
    ts’
    ass
    ure
    rquel
    ema
    tér
    iauàe
    ssa
    yern’
    estpa
    saf
    fec
    téounel
    ’es
    tqued
    e
    f
    açonc
    onn
    uepa
    rle
    sopé
    rat
    iondepr
    élè
    veme
    ntd’
    épr
    ouve
    tte
    soubi
    enpa
    rde
    str
    ait
    eme
    nts
    appliqués ensuite, par exemple à des températures élevées.

    I.3.3.4 Structure physique et chimique


    La direction du vecteur polarisation du champ électromagnétique par rapport à la
    s
    truc
    tur
    edel
    ’épr
    ouve
    ttee
    xer
    ceunef
    ort
    einf
    lue
    nces
    url
    eré
    sul
    tatdeme
    sur
    e.De
    sré
    sul
    tat
    sde
    mesure différents peuvent être obtenus à cause duma
    nqued’
    homog
    éné
    ité(
    commeda
    nsl
    es
    stratifiés)oudel
    ’ani
    sot
    ropi
    e,pa
    rexe
    mpl
    eda
    nsl
    eca
    sde
    scr
    ist
    aux,s
    aufs
    itout
    esl
    esme
    sur
    es
    sur les éprouvettes sont effectuées en étant rapportées de la même façon à une caractéristique
    indentifiable du matériau.
    Des éprouvettes ayant la même composition chimique mais de structures chimiques
    différentes comme des résines durcissables soumises à des conditions différentes de
    durcissement ou de polymères polymérisés à des degrés différents donneront également des
    résultats différents.

    I.3.3.5 Intensité du champ alternatif


    Généralement la permittivité et le facteur de dissipation diélectrique ne dépendent pas
    del
    ’i
    nte
    nsi
    téduc
    hampt
    antqu’
    auc
    unedé
    cha
    rgepa
    rti
    ell
    enes
    epr
    odui
    tda
    nsl
    edi
    éle
    ctr
    ique
    .
    Toutefois dans le cas des matériaux ferroélectriques, un effet de variation en fonction du
    champ peut encore être observable aux fréquences inférieures du spectre hyperfréquence,
    mais il disparaît rapidement lorsque la fréquence croît.

    20
    I.4 Permittivité effective et champ d'excitation
    La permittivité effective, ou la permittivité macroscopique, 
    eff , est définie comme le

    rapport entre le déplacement et le champ électrique:

    D eff E (I.14)

    Le déplacement D dépend de la polarisation P dans le matériau:

    D 0 E P eff E . (I.15)

    La polarisation P est par définition la somme de tous les moments multipolaires


    induits. Elle peut donc être reliée à une caractéristique des constituants microscopiques du
    milieu: la polarisabilité. Dansl
    eca
    soùl
    esmome
    ntsmul
    ti
    pol
    air
    esd’
    ordr
    esupé
    rie
    uràde
    ux
    sont négligeables [11], on obtient une relation entre la polarisation (dipolaire) P et la
    polarisabilité de la forme:

    P N k k ( El ) k (I.16)
    k

    oùl
    asomma
    tions
    ’ef
    fec
    tues
    url
    esdifférents types de dipôles; Nk est le nombre de dipôles k
    par unité de volume et El est le champ inducteur qui polarise le dipôle. Cette équation permet
    de relier les caractéristiques microscopiques et macroscopiques du milieu [7]. En substituant
    (I.15) dans (I.16), il vient :

    eff 0 
    E  N k k ( El ) k . (I.17)
    k

    Par conséquent, si on peut établir une relation entre le champ macroscopique appliqué
    E et le champ local El, on peut alors obtenir une relation entre 
    eff, grandeur macroscopique

    caractéristique du milieu et k c
    ara
    cté
    ris
    ants
    esc
    ons
    ti
    tua
    ntsé
    léme
    nta
    ire
    s.L’
    éta
    bli
    sse
    mentde
    relations entre les grandeurs macroscopiques et les grandeurs microscopiques de la matière est
    unpr
    obl
    èmephy
    siqued’
    uneg
    randec
    omplexité et nécessite de nombreuses approximations
    quis
    ontl
    oind’
    êtr
    esa
    tis
    fai
    sant
    es.Ene
    ffe
    t,ons
    uppos
    equel
    ’équa
    tion(
    I.
    17)quir
    eli
    ela

    21
    fonction diélectrique 
    eff à la polarisabilité s
    ’appl
    iquea
    uss
    ibi
    ena
    uca
    sde
    sat
    ome
    setde
    s
    mol
    écul
    esqu’
    àce
    luid’
    unei
    ncl
    usi
    ondepl
    usi
    eur
    sce
    nta
    ine
    sd’
    Ang
    str
    öm d’
    unma
    tér
    iauk
    caractérisé lui même par une fonction diélectrique 
    k. Il faut pour cela que la relation linéaire

    (I.15) soit applicable, ce qui suppose que :(


    1)l
    ’appr
    oxi
    mat
    iondi
    pol
    air
    ees
    tva
    labl
    eaussi bien
    pourl
    ’at
    omequepourl
    ’i
    ncl
    usi
    on,c
    equil
    imi
    tel
    esf
    orme
    sac
    cept
    abl
    espourc
    ell
    e-ci, et (2) le
    c
    hamp e
    stuni
    for
    me s
    url
    e di
    pôl
    e,c
    e quil
    imi
    tel
    ata
    ill
    esupé
    rie
    ure de l
    ’i
    ncl
    usi
    on
    (approximation quasi-statique). Dans ces conditions, la fonction diélectrique effective 
    eff est

    donnée par :

    eff 0 
    E N k k ( E m ) k (I.18)
    k

    où Nk e
    stl
    enombr
    ed’
    inc
    lus
    ionsk par unité de volume, k leurs polarisabilité et (Em)k le
    c
    hampi
    nduc
    teurs
    url
    ’i
    ncl
    usonk, k est relié à la fonction diélectrique du matériau k par
    i
    l'équation:

    k 0 
    E Na k k ( El ) k (I.19)

    où Nak e
    stl
    enombr
    ed’
    atome
    sk par unité de volume du matériau k, et (El)k le champ local
    da
    nsl
    ema
    tér
    iaupur
    .L’
    équa
    tion(
    I.
    18)de
    vie
    nta
    lor
    s

    Na (E )
    (eff 0 )  k (k 0) ) m k . (I.20)
    k Nk ( El )k

    Nak/Nk est égal à la fraction volumique occupée par le matériau k dans le composite. Il faut
    maintenant déterminer la relation entre le champ inducteur mésoscopique (Em)k polarisant
    l
    ’i
    ncl
    usi
    one
    tlec
    hampl
    oca
    lmi
    cros
    copi
    que(El)k pol
    ari
    sants
    esa
    tome
    s.C’
    estt
    rèsprécisément
    le problème, à une échelle intermédiaire, traité à trois dimensions par Lorentz et qui conduit à
    l
    ’équa
    tiondeCl
    aus
    sius
    -Mos
    sot
    ti
    ,quenousdé
    cri
    ronsda
    nsl
    epa
    rag
    raphes
    uiva
    nt.D’
    aut
    res
    approches plus simples sont cependant envisageables; elles conduisent à des théories dont le
    c
    hampd’
    appl
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    .

    22
    I.5 Théories des milieux effectifs
    Lac
    ara
    cté
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    ati
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    unmi
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    eunonhomog
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    éle
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    ique
    sn'
    estpas
    si évidente, puisqu'on doit connaître l'arrangement géométrique exact des constituants du
    matériau. Cependant, si la longueur d'onde du rayonnement électromagnétique est beaucoup
    plus grande que la dimension de la particule, les théories classiques des milieux non
    homogènes présument que le matériau peut être traité comme une substance homogène avec
    une fonction diélectrique effective. Cette quantité dépend des propriétés des constituants,
    aussi bien que de leurs fractions de volume et que de leurs tailles.
    Les lois de mélange les plus célèbres sont celle du milieu effectif (EMT), connue sous
    le nom de théorie de Maxwell-Ga
    rne
    tt(
    MGT)
    ,etc
    ell
    edumodè
    ledel
    ’appr
    oxi
    mat
    iond
    u
    milieu effectif (EMA), connue sous le nom de théorie de Bruggman.
    La théorie de Maxwell-Garnett est dérivée de la relation de Claussius-Mossotti ; elle
    est basée sur la polarisation induite par un champ uniforme externe sur des inclusions
    sphériques isolées, placées dans le matériau hôte. La formule célèbre établie par Maxwell-
    Garnett en 1904 [17] a pour expression:

    eff m k m


    p (I.21)
    eff 2m k 2m

    où le constituant décrit par 


    m constitue une matrice continue dans laquelle sont immergées les

    inclusions 
    k (ou 
    i s
    ’ils
    ’ag
    itd’
    uns
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    inc
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    ions
    ),
    eff étant la permittivité effective du

    milieu. Dans un article original, “


    Colours in metal glasses and metallic films”daté de 1904,
    Maxwell- Ga
    rne
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    quantité de particules métalliques dans une matrice c
    ont
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    .Ledoma
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    appl
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    tionde
    cette théorie est clairement défini à la fois par les hypothèses de base et par sa formulation, à
    s
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    ,is
    oléda
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    tri
    ce,
    dont la polarisabilité est la somme des polarisabilités individuelles (Figure I.3). Les inclusions
    s
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    grandes distances inter particules.
    En pratique il peut être difficile de décider lequel des composants devrait être
    considéré comme le matériau hôte (le cas de la céramique poreuse). Et le modèle de Maxwell-
    Ga
    rne
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    sà50% [
    6,18,
    19]
    .

    23
    Figure I.3. La cellule unité représentative du milieu modélisé par la théorie
    de Maxwell-Garnett. Toutes les inclusions (modélisées par des sphères)
    sont ramenées à une inclusion unique: elles sont sans interactions.

    Pour traiter ce problème, une autre théorie a été proposée par Bruggman en 1935 [21].
    Dans le modèle de Bruggeman (ou modèle du milieu effectif approximatif), l'hypothèse de
    l
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    6,18,
    21]
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    éesencastrées dans
    un milieu effectif de permittivité égale à la permittivité du mélange 
    eff quel
    ’one
    ssa
    yede
    trouver (Figure I.4). Ainsi 
    eff doit être déterminé à partir de la relation:

    m eff eff
    (1 f ) f 0 . (I.22)
    m 2eff 2eff

    Figure I.4. Cellule unité de la théorie de Bruggeman. Elle est complexe et les deux inclusions
    types baignent dans le milieu moyen: elles sont donc en interaction.

    Pour les faibles fractions volumiques, les deux théories MGT et EMA donnent des
    résultats très proches pour les constantes diélectriques effectives. Cependant, le modèle EMA

    24
    assure la validité aux fractions volumiques plus élevées puisqu'il traite les deux constituants
    de manière symétrique [21]. La deuxième hypothèse dans la théorie EMA porte sur la
    géométrie de la particule, puisque il est nécessaire de relier entre eux les champs interne et
    externe associés à la particule. Habituellement on suppose que les particules sont sphériques.
    Les théories ci-de
    ssus
    ,ba
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    ramè
    tre
    taille des inclusions, ignoré jusque là dans la théorie des mélanges. En 1924, Fricke [22,23] a
    été le premier à inclure le facteur de forme pour prendre en compte la forme des particules. Le
    t
    erme d’
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    que de
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    sphéroïdales allongées ou aplaties aux pôles.
    Böttcher [21] a proposé une formule permettant de retrouver la permittivité effective
    des milieux où la concentration des particules est si élevée que chaque particule est entourée
    par le mélange plutôt que par un composant. Cette relation a pour expression:

    (eff 2 ) / eff 3(1 2 ) /(


    1 2eff ) . (I.23)

    où 
    1 est propre à la matrice et 
    2 est propre aux inclusions; est la fraction volumique du

    composant dispersé.
    Une autre équation intéressante a été développée par Looyenga [6] qui a supposé
    qu’
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    esque
    1
    eff eff et

    2 eff eff et vice versa, la permittivité effective 


    eff du mélange peut être écrite sous la

    forme suivante:

    eff 
    21/ 3 
     21/ 3 
    .
    1/ 3 3
    1 (I.24)

    L’
    équa
    tionc
    i-dessus a été également obtenue indépendamment par Landau et Lifschitz [28],
    comme indiqué dans la référence [26].
    Ce
    sfor
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    tbe
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    oupd’
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    resonté
    tépr
    opos
    ée uXXème siècle pour le calcul de
    sa
    la permittivité effective. Toutefois, les résultats obtenus par les différentes formules, pour le
    même milieu modèle, ne sont pas toujours en parfait accord. Ils diffèrent selon les équations
    utilisées. Néanmoins, toutes les prédictions obtenues à partir des différentes approches,

    25
    peuvent être englobées par une région sous forme de lentille. Celle-ci a été proposée par
    Bergman et Stroud [27] et Milton [28].

    I.6 Influence de la géométrie des inclusions sur la permittivité


    En considérant un mélange diélectrique contenant des inclusions formées, dispersées
    a
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    ema
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    ormeoul
    efa
    cte
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    forme aux inclusions en question pour expliquer les effets de la dépolarisation. Les inclusions
    (particules) sont appelées formées, quand au moins deux dimensions transversales diffèrent
    d’
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    ssphé
    roïdes allongés ou
    aplatis aux pôles, des disques ou des fissures.
    Pour introduire la forme des inclusions, Fricke [22,23] a développé une expression
    pourl
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    tionduc
    hamp
    électrique dans le système dispersé. La permittivité effective du mélange est exprimée en
    fonction des permittivités du matériau hôte 
    2 et des inclusions 
    1, de la fraction volumique 

    des inclusions et du facteur de forme x


    ’0 pour représenter les effets de la dépolarisation dans

    l
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    :

    12 (1 x'0 ) 22 x'0 (1 )


    eff  (I.25)
    1 (1 ) 2 ( x' 0 )

    où x
    ’0 dépend du rapport 
    1 /
    2. Cependant, les résultats obtenus à partir de la formule de

    Fr
    icke dé
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    ux.Ki
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    samy e
    t
    Neelakantaswamy [29] ont inclus l'aspect statistique dans la formule de Fricke sur les bases
    de la loi logarithmique, pour obtenir le facteur de forme modifié x0:

    x0 M
     
    12(1) (1) 
    2  12
     ) 
    2 2 1 1 2
    (1

     (1)
    (I.26)

    où M est une fonction du rapport de deux demi axes des inclusions a/b.
    Indépendamment de la forme, de la taille, de l'état physique, de la concentration
    volumique, ou de l'orientation de différentes phases, la réponse diélectrique effective du
    mélange se trouve toujours entre deux limites connues sous le nom de frontières de Wienner,

    26
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    30]
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    esystème par rapport à la direction du champ
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    constituants (Figure I.5). Quand les directions du champ et des stratifications coïncident
    (combinaison parallèle, Figure I.5a), la permittivité effective est donnée par la relation:

    eff 1 (1 )2 (I.27)

    Figure I.5. Frontières de Wienner.

    et quand les directions du champ et des stratifications sont perpendiculaires (combinaison


    série, Figure I.5b), elle est donnée par la relation:

    1
    eff  . (I.28)
     (1 )

    1 2

    I.7 Conclusion

    I
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    conséquent la détermination de sa permittivité effective, nécessite la connaissance des
    propriétés de
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    tre
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    les influencent. Il en est de même de la résistivité électrique.

    27
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    claw ofmi
    xing, Electron Letts. vol. 20,
    (1984), pp. 291-293.
    [30] R.W. Sillars, Properties of dielectric containing semi-conducting particles of various
    shapes, J. Inst. Elect. Engr., vol. 80, (1937), pp. 378-392.
    [31] NF C26-231,231] Norme AFNOR 2004

    29
    CHAPITRE II
    METHODES NON DESTRUCTIVES DE
    CARACTERISATION DES
    HETEROSTRUCTURES

    30
    II.1 Introduction
    Dans ce chapitre, nous décrivons les principales techniques non destructives de
    caractérisation des matériaux.
    II.2 Méthodes de caractérisation :

    II.2.1 Inspection visuelle


    L’
    essai visuel est probablement le plus important de tous les essais non destructifs. Il
    est rapide, commode et relativement peu coûteux. Les spécialistes du domaine peuvent, à
    pa
    rti
    rdec
    ons
    tat
    svi
    sue
    lle
    s,di
    st
    ing
    uerl
    ess
    igne
    sd’
    impe
    rfe
    cti
    ons
    uruné
    léme
    ntd’
    unes
    truc
    tur
    e
    et les lier à la fonctionnalité de celle-ci ; ce qui permet de donner une indication préliminaire
    del
    ’ét
    atdel
    ast
    ruc
    tur
    e,def
    ormul
    erl
    esr
    ecomma
    nda
    tionsné
    ces
    sai
    rese
    tét
    abl
    irl
    eprogramme
    d’
    ess
    aisa
    ppr
    opr
    ié.Cependant, cette technique est limitée par les obstructions de la vue
    c
    (éla
    ira
    ge,obs
    tac
    lese
    mpê
    cha
    ntl
    avi
    sua
    lis
    ati
    on…)e
    tpa
    rfoi
    sauxf
    aus
    sesi
    nte
    rpr
    éta
    tions
    .

    II.2.2 Méthode thermique


    Ce
    ttemé
    thodee
    stba
    sées
    url
    are
    lat
    ione
    ntr
    elac
    onduc
    tivi
    tét
    her
    miqued’
    unmi
    li
    euou
    sa chaleur spécifique, et sa teneur en eau [3, 4]. Il existe plusieurs techniques de mesure de la
    t
    ene
    ure
    nea
    ud’
    unmi
    li
    eu.Pa
    rmic
    ell
    es-ci, la méthode de la sonde cylindrique à régime
    transitoire ; elle consiste à placer un élément chauffant dissipant une énergie constante dans le
    mi
    li
    eu,e
    tàs
    uivr
    el’
    évolution de la température à la surface de la sonde. Comme la
    température est fonction de la conductivité thermique, elle même dépendant de la teneur en
    eau, on peut déterminer la teneur en eau du milieu considéré. La teneur en eau peut être
    également mesurée par des méthodes calorimétriques et des sondes à choc thermiques. Ces
    méthodes permettent de mesurer la chaleur spécifique du milieu qui est une grandeur
    phy
    siquel
    iéel
    iné
    air
    eme
    ntàl
    ate
    neure
    nea
    uma
    ssi
    quedumi
    li
    eu.L’
    ava
    nta
    gede
    smé
    thode
    s
    sc
    thermique ’
    estl
    eurc
    ara
    ctè
    repe
    ude
    str
    uct
    ife
    tlef
    aibl
    ecoûtde
    sca
    pte
    urse
    tdus
    yst
    èmede
    mesure. Cependant, elles ne suffisent pas à compenser les difficultés à disposer de
    bi
    bli
    othè
    que
    sdec
    our
    besd’
    éta
    lonna
    ge,àé
    limi
    nerl
    ese
    ffe
    tsdel
    ate
    mpé
    rat
    uredumi
    lieu qui
    c
    ompl
    iquel
    ’i
    nte
    rpr
    éta
    tione
    tàs
    upp
    rime
    rl’
    int
    era
    cti
    ondel
    asondes
    url
    ’ét
    athy
    dri
    quedu
    mi
    li
    euqu’
    ell
    eme
    sur
    e.Ce
    ttemé
    thodee
    stt
    rèsbi
    ena
    dapt
    éea
    umi
    li
    eus
    ol.

    31
    II.2.3Méthode électrique –résistivité
    Cette méthode est basée sur la mesure de la résistivité (ou la conductivité électrique
    
    
    = 1/)dumi
    li
    eu[
    3,4]
    .Ene
    ffe
    t,l
    aconduc
    tibi
    li
    téé
    lec
    tri
    qued’
    unmi
    li
    eudé
    penddes
    a
    teneur en eau et des ions en présence. De ce fait, la conductibilité électrique globale du milieu
    est directement liée à sa teneur en eau. En mesurant la conductibilité du milieu, on peut
    déterminer indirectement sa teneur en eau. Malheureusement, cette méthode est sensible aux
    fluctuations thermiques et demeure imprécise pour la mesure des fortes teneurs en eau.

    II.2.4 Méthodes diélectriques


    Cette méthode est basée sur la détermination de la permittivité diélectrique, résultat de
    phénomènes de polarisation des porteurs de charge liés. En effet, les porteurs libres se
    dé
    pla
    cents
    ousl
    ’ef
    fetduc
    hampélectrique donnant lieu à des phénomènes de conduction
    électrique. Lape
    rmi
    tt
    ivi
    tédi
    éle
    ctr
    iquedé
    penddel
    afr
    éque
    ncedus
    igna
    ld’
    exc
    ita
    tion.On
    distingue trois domaines de fréquences : le domaine des fréquences inférieures à 10 MHz,
    celui de la polarisation ionique, celui entre 10 MHz et 10 GHz, et enfin le domaine des
    fréquences supérieures à 10 GHz où la permittivité de nombreux matériaux diminue
    f
    ort
    eme
    nt.Lavi
    tes
    sedepr
    opa
    gat
    iond
    ’uneondeé
    lec
    troma
    gné
    tiqueda
    nsunmi
    li
    euva
    riee
    n
    fonction de sa permittivité. La constante diélectrique (ou permittivité relative) des matériaux
    ut
    il
    is
    éss
    urt
    oute
    ngé
    niec
    ivi
    lva
    ries
    urunel
    arg
    ega
    mme
    .El
    lee
    stde80pourl
    ’ea
    u,2à5pour
    l
    apa
    rti
    eso
    lide
    ,1pourl
    ’ai
    ret4à5pourl
    agl
    ace
    .Compt
    etenu de ces contrasts, la constante
    di
    éle
    ctr
    iqued’
    unmi
    li
    euva
    ries
    urt
    oute
    nfonc
    tiondes
    ate
    neure
    nea
    u.
    Il existe deux méthodes de mesure :l
    amé
    thodec
    apa
    cit
    iveoùonme
    sur
    elac
    apa
    cit
    éd’
    un
    condensateur formé du matériau étudié et la méthode par réflectométrie dans le domaine
    temporel [4 - 6] qui est une méthode tout à fait nouvelle. Les électrodes de mesure capacitives
    peuvent être de très petite taille et concerner des volumes de quelques cm3 à plusieurs dm3. La
    é
    méthode TDR exige une longueur de 10 cm donc des échantillons de matri
    auxd’
    unvol
    ume
    dé
    cimé
    tri
    que
    .Ce
    smé
    thode
    sontl
    aré
    put
    ati
    on d’
    êtr
    ese
    nsi
    ble
    sàl
    ate
    mpé
    rat
    uree
    tàl
    a
    résistivité du milieu.

    II.2.4.1 Méthode capacitive


    Pour mesurer la teneur en eau, on utilise le fait que la fréquence varie avec la teneur en
    e
    aud’
    unmi
    li
    eudonné
    .Pourc
    ela
    ,onpl
    acel
    esé
    lec
    trode
    sda
    nsl
    eci
    rcui
    td’
    unos
    cil
    lat
    eur
    électronique de fréquence élevée, 38 MHz environ, bien adaptée à la mesure de teneur en eau.

    32
    L’
    uti
    li
    sat
    iond’
    uns
    yst
    èmeàdoubl
    efr
    éque
    nce
    s,i
    sol
    antpr
    ovi
    soi
    reme
    nt les électrodes, permet
    d’
    amé
    lior
    erl
    apr
    éci
    si
    ondeme
    sur
    e.L’
    éta
    lonna
    gef
    réque
    nce
    -te
    neure
    nea
    u,c
    orr
    igédel
    ’ef
    fet
    de température, permet de mesurer en continu la teneur en eau du sol. La forme des électrodes
    des sondes capacitives est très variée. Pour les mesures de surface, le système pointe-anneau
    (30 mm de longueur) est bien adapté.
    Pour optimiser ce capteur et limiter les effets (capacités en particulier) parasites,
    l
    ’él
    ect
    roni
    quea
    ssoc
    iéee
    stpl
    acé
    elepl
    uspr
    èspos
    sibl
    ede
    sél
    ect
    rode
    s.D’
    aut
    repa
    rt,c
    es
    circuits doivent résister aux différentes contraintes environnementales auxquelles elles sont
    exposées sur site : pluie, température, foudre ... Si cette protection est envisageable lorsque le
    capteur est en surface, une fois enterrée, donci
    nac
    ces
    sibl
    e,l
    amoi
    ndr
    epa
    nnedel
    ’él
    ect
    roni
    que
    le rend inutilisable.

    II.2.4.2Méthode T.D.R. (Time Domain Reflectometry)


    La méthode par réflectométrie dans le domaine temporel (Time Domain
    Re
    fle
    ctome
    try
    )es
    tba
    sées
    url
    ’ana
    lys
    educ
    ompor
    teme
    ntd’
    uneondeé
    lec
    troma
    gné
    tiqueé
    mis
    e
    dans le milieu étudié. Elle utilise le fait que : (1) la vitesse de propagation de cette onde est
    fonction de la permittivité du milieu ; et (2) cette onde se réfléchit en partie à chaque
    di
    scont
    inui
    té d’
    impé
    danc
    e de l
    ali
    gne de t
    rans
    mis
    sion.L’
    onde quie
    stune i
    mpul
    si
    on
    électrique à très haute fréquence délivrée par un générateur à impulsions, parcourt la ligne,
    pui
    slas
    onde
    ,ens
    eré
    flé
    chi
    ssa
    ntàl
    ’ent
    réee
    tàl
    ’ext
    rémi
    tédel
    asonde
    .Lame
    sur
    edut
    emps
    aller-retour del
    ’onde
    ,auni
    vea
    udel
    asonde
    ,aumoy
    end’
    unos
    cil
    los
    copeul
    tr
    a-rapide permet
    d’
    endé
    dui
    rel
    ape
    rmi
    tt
    ivi
    téa
    ppa
    rent
    edus
    ol.
    Les sondes sont le plus souvent bifilaires, formées de deux électrodes métalliques
    pa
    ral
    lèl
    esr
    eli
    éesà un c
    âbl
    eél
    ect
    ri
    que d’
    impédance adaptée qui rejoint le générateur-
    oscilloscope de mesure.
    Notons que les méthodes capacitives et T.D.R. permettent toutes deux de mesurer la
    pe
    rmi
    tt
    ivi
    tédi
    éle
    ctr
    ique
    .Etc
    ’es
    tpour
    quoie
    lle
    ssonts
    ouve
    ntr
    egr
    oupé
    ese
    nse
    mbl
    e.

    D’
    aut
    resmé
    thode
    sba
    sée
    ssurl
    epr
    inc
    ipedel
    ’émi
    ssi
    ond’
    uneondeé
    lec
    troma
    gné
    tique
    da
    nsl
    ’hé
    tér
    ost
    ruc
    tur
    eetdel
    ’ana
    lys
    edes
    onc
    ompor
    teme
    nt(
    abs
    orpt
    ion,r
    éfl
    exi
    on,r
    éfr
    act
    ion)
    ont été également développées ces dernières années. Parmi celles-ci, les méthodes utilisant
    des radars à ultra large bandes [8 - 18] et plus particulièrement la méthode de la coupe radar
    verticale (Vertical Radar Profiling –VRP) qui connaît un intérêt croissant [12 - 18]. Les
    mé
    thode
    sra
    dar
    spe
    rme
    tte
    ntd’
    eff
    ect
    uerdel
    ’i
    mag
    eri
    eàha
    uter
    ésol
    uti
    on pour visualiser les

    33
    variations de fissures et de cavités dans les hétérostructures, de déterminer la permittivité
    di
    éle
    ctr
    iquedel
    ’hé
    tér
    ost
    ruc
    tue
    ,sat
    ene
    ure
    aue
    tsapor
    osi
    tée
    tde localiser les inclusions. Ces
    méthodes permettent, à travers la mesure de
    s pr
    opr
    iét
    és di
    éle
    ctr
    ique
    s,d’
    éva
    lue
    rle
    s
    performances des hétérostructures ou de nouveaux matériaux de construction.

    II.2.5 Méthode acoustique (ultrasons)


    Elle est basée sur les propriétés acoustiques de la matrice et des inclusions [18 - 19].
    C’
    estune méthode connue et utilisée pour la détection des défauts dont les dimensions
    sont supérieures à 200 m.Song
    randa
    vant
    agee
    stqu’
    ell
    epe
    rme
    td’
    eff
    ect
    uerde
    sme
    sur
    ese
    n
    t
    empsr
    éele
    td’
    ana
    lys
    erdeg
    randsvol
    ume
    s,pe
    rme
    tta
    nta
    ins
    idedi
    minue
    rle
    ssour
    cesd’
    err
    eur
    s
    [21 - 22].
    Les systèmes de mesure à ultrasons conventionnels ont des fréquences de
    fonctionnement inférieures à 10 MHz et, par conséquent, ne permettent pas de détecter des
    inclusions de petites tailles (50 –100 m). Le développement de systèmes ultrasons à hautes
    fréquences, utilisant des sondes travaillant dans la gamme 30 –100 MHz, permettent de
    détecter des inclusions (trous ou autres) de diamètres inférieurs à 100 m [23]. Cependant,
    plus la fréquence est augmentée pour détecter des inclusions plus petites, plus les signaux
    ul
    tr
    asonsp
    énè
    tre
    ntmoi
    nsda
    nsl
    ’hé
    tér
    ost
    ruc
    ure
    .

    II.2.6 Méthodes magnétiques


    Ce
    smé
    thode
    ssontu
    til
    is
    éesda
    nsl
    ’i
    nspe
    cti
    oni
    nte
    rnede
    sma
    tér
    iauxmé
    tal
    li
    que
    setde
    s
    a
    lli
    age
    s[19]
    .L’
    unede
    smé
    thode
    sle
    spl
    usc
    ommuné
    mentut
    il
    is
    éese
    stl
    amé
    thodeduf
    luxde
    fuite magnétique [26 - 29]. Le principe de base de cette méthode est que lorsque une
    di
    scont
    inui
    té,c
    ’es
    tàdi
    reundé
    fauto
    uunei
    ncl
    usi
    ons
    ontpr
    ése
    ntspr
    èsdel
    asur
    fac
    ed’
    un
    matériau ferromagnétique, un flux de fuite se développe. La résistance magnétique dans cette
    pos
    it
    iona
    ugme
    ntej
    usqu’
    àuneva
    leurt
    rèsé
    levé
    epar rapport au reste du matériau. Si le
    matériau ferromagnétique est magnétisé près de la saturation, le flux magnétique est perturbé
    par la discontinuité et est dévié dans la région au dessus de la partie défectueuse comme le
    flux de fuite, qui peut être détecté par un capteur magnétique. Cette méthode est sensible
    surtout aux inclusions allongées.

    34
    II.2.7 Méthode des rayons X
    La micro-radiographie à rayons X est une autre méthode non destructive utilisée pour
    la détection des inclusions dans les métaux. On peut avoir facilement une image agrandie avec
    uné
    qui
    peme
    nts
    tanda
    rd.L’
    ass
    oci
    ati
    ond’
    unmi
    cro-objectif avec des tubes à rayons X permet
    d’
    obt
    eni
    runa
    gra
    ndi
    sse
    mentdel
    ’i
    magede5à10[
    30,31
    ].Pouré
    vit
    erl
    ’ut
    il
    is
    ati
    ondef
    il
    ms
    radiographiques, on peut faire appel à la fluoroscopie ; cette technique permet
    l
    ’agr
    andi
    sse
    mentdel
    ’i
    magee
    nte
    mpsr
    éel
    .
    L’
    unde
    sinc
    onvé
    nie
    ntsdec
    ett
    emé
    thode
    ,c’
    ests
    adi
    ff
    icul
    téàs
    épa
    rerl
    est
    rousde
    s
    inclusions. En effet, comme les trous ont un coefficient de transmission plus élevé que celui
    des inclusions, ils apparaissent plus foncés sur les radios, que les inclusions de mêmes
    dimensions. Cette méthode est une option intéressante pour la détection des inclusions.
    L’
    inve
    sti
    sse
    mente
    sti
    mpor
    tante
    tle
    scoût
    sopé
    rat
    ionnels sont élevés.

    II.8 Conclusion

    La permittivité diélectrique et la résistivité (ou la conductivité) électrique apparaissent


    comme deux paramètres importants pour caractériser une hétérostructure. Les diverses
    méthodes actuelles dont nous avons exposé quelques unes dans ce chapitre, n’
    uti
    li
    sentqu’
    un
    seul de ces paramètres séparément. Pour caractériser nos matériaux, nous utiliserons
    simultanément deux caractéristiques à savoir la permittivité diélectrique (constante
    diélectrique) et la résistivité électrique.

    35
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    tionofi
    ncl
    usi
    onsi
    ncl
    eans
    tee
    ls:ar
    evi
    ew

    i
    ncl
    udi
    ngt
    hes
    tat
    is
    ti
    csofe
    xtr
    eme
    sme
    thods
    ”,Pr
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    tee
    ls‘
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    lat
    onf
    ure
    d,Hung
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    ,

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    38
    CHAPITRE III

    METHODES DE MESURE DE LA

    PERMITTIVITE ET DE LA RESISTIVITE

    ELECTRIQUE

    39
    III.1 Introduction

    Les méthodes de mesure de la permittivité et de la résistivité électrique sont multiples


    [1]. Lamé
    thodepa
    rti
    cul
    ièr
    eàa
    dopt
    erdé
    penddel
    ana
    tur
    edel
    ’éc
    hant
    il
    lonàc
    ara
    cté
    ris
    ere
    tde
    é
    la bande de fréquence explorepourunea
    ppl
    ica
    tiondonné
    e.Lapr
    éci
    si
    ond’
    uneme
    sur
    e
    de
    manded
    usoi
    nda
    nsl
    echoi
    xdel
    ’appa
    rei
    ll
    ageut
    il
    is
    é.La méthode la plus utilisée est la
    méthode de compensation. Elle consiste à utiliser un pont, système à quatre branches plus une
    branche centrale permettant de vérifier le zéro du courant c'est-à-di
    rel
    ’équi
    li
    bre;l
    ’unede
    s
    qua
    tre br
    anc
    hesc
    ompor
    tel
    ’éc
    hant
    il
    lon à c
    ara
    cté
    ris
    er,l
    est
    roi
    saut
    ress
    ontc
    ons
    ti
    tué
    es
    d’
    élé
    ment
    sfi
    xes(
    élé
    ment
    sét
    alon)ouva
    ria
    bledema
    niè
    reàpouvoi
    réqui
    li
    bre
    rlepont. Il
    e
    xis
    tedi
    ff
    ére
    ntst
    ype
    sdepontdontl
    espe
    rfor
    manc
    esdé
    pende
    ntdel
    ’or
    drede
    sgr
    ande
    ursà
    mesurer. Le pont le plus utilisé est le pont de Schering. Il permet de mesurer les capacités
    a
    ins
    iquel
    esr
    ési
    st
    anc
    es.Etc
    ’es
    tàpa
    rti
    rdec
    esde
    uxg
    rande
    ursqu’
    ondé
    dui
    tlac
    ons
    tant
    e
    diélectrique (permittivité diélectrique) et la résistivité, connaissant la géométrie de
    l
    ’éc
    hant
    il
    lon.Lame
    sur
    edel
    aré
    sis
    ti
    vit
    édef
    açons
    ing
    uli
    èrepe
    uts
    efa
    ireégalement par un
    simple pont de Wheastone, c'est-à-dire avec des branches dont les éléments sont uniquement
    des résistances. Dans le cas général, les matériaux sont caractérisés par au moins deux
    pa
    ramè
    tre
    s.Da
    ns l
    eca
    s de
    s ma
    tér
    iaux de c
    ons
    truc
    tion,c
    ’es
    tsur
    toutl
    a pe
    rmi
    tt
    ivi
    té
    diélectrique et la résistance électrique qui sont les plus aptes àdé
    cri
    rec
    esma
    tér
    iaux.Etc
    ’es
    t
    a
    vecl
    ame
    sur
    edec
    esde
    uxc
    ara
    cté
    ris
    ti
    que
    squ’
    estc
    ons
    acr
    énot
    rer
    eche
    rchee
    xpé
    rime
    nta
    le.
    En général, la partie réelle de la permittivité relative 
    est obtenue à partir de la
    uné
    mesure de la capacité de l’ cha
    nti
    ll
    onintroduit entre ses électrodes planes et la partie
    imaginaire 
    est fournie par la mesure du facteur de pertes tg, connaissant la relation

    entre les parties réelle et imaginaire (tg= 


    ’’
    /’).

    Dans ce qui suit, nous décrivons et discuterons brièvement sur les méthodes
    adaptables à chaque bande de fréquence et de leurs applications.

    III.2 Mesures au pont

    Ce type de système est utilisé pour des fréquences allant de 102 à 107 Hz et même pour
    des fréquences un peu plus grandes (100 MHz). La figure III.1 donne le schéma de principe
    d’
    unpont de mesure de la permittivité et de la résistivité.

    40
    Z1 Zx

    Z2 Z3

    ~
    Figure III.1.Sc
    hémadepr
    inc
    iped’
    unpont

    Zx représente la branche où est i


    nsé
    réel
    ’échantillon. Les autres branches sont celles sur
    lesquelles on agit pour équilibrer le pont. Le pont sera équilibré lorsque le courant Id
    traversant le détecteur D s
    ’annul
    e: Id = 0 ; le détecteur (ou indicateur de zéro) peut être un
    l
    gava
    nomè
    treouunos
    cil
    los
    cope
    .Al
    ’équi
    li
    bre
    ,ona:

    Z
    Z X  1 Z3 (III.1)
    Z2

    Les systèmes utilisés actuellement sont des systèmes auto-compensés (c'est-à-dire auto
    r
    égl
    abl
    es)qu’
    ona
    ppe
    llei
    mpé
    danc
    e-mètre. Il suffit de connecter dans la branche inconnue
    l
    ’hé
    tér
    ost
    ruc
    tur
    eàc
    ara
    cté
    ris
    ere
    tdec
    hoi
    si
    rda
    nsl
    eme
    nul
    esé
    léme
    ntsdé
    sir
    és(Rp, Cp, Rs, Cs,
    ….
    tgδ .)
    .Ce
    rta
    insi
    mpédance-mètres fournissent les spectres de variations des différents
    é
    léme
    ntse
    nfonc
    tiondel
    afr
    éque
    nced
    ’uns
    igna
    l

    III.3 Méthodes du circuit résonnant


    Les mesures au pont deviennent difficiles pour des fréquences variant de 10 MHz à
    100MHzàc
    aus
    edel
    ’aug
    ment
    ati
    onde
    sef
    fet
    sdec
    apa
    cit
    éspa
    ras
    it
    es.Da
    nsc
    eca
    s, les mesures
    s
    ontgé
    nér
    ale
    mente
    ffe
    ctué
    esàl
    ’ai
    ded’
    unc
    irc
    uitr
    ésonna
    ntoùt
    out
    elac
    apa
    cit
    éouunepa
    rti
    e
    est celle de la cellule de mesure. Le système d’
    électrodes est toujours utilisé ; le circuit est

    41
    amené à la résona
    ncei
    nit
    ial
    eaumoy
    end’
    unec
    apa
    cit
    éd’
    acc
    orde
    npa
    ral
    lèl
    eave
    clac
    ell
    ule
    deme
    sur
    eeta
    prè
    savoi
    renl
    evél
    ’éc
    hant
    il
    lon; le circuit est ramené à la résonance par
    a
    jus
    teme
    ntdel
    ’él
    ect
    rode
    .Ce
    cipe
    rme
    tdes mesures relativement faciles et précises de la partie
    réelle de la permittivité. La mesure du facteur de perte est réalisée plus facilement en repérant
    la largeur de la courbe de résonance aux points où la tension aux bornes du condensateur est
    1
    tombée à de sa valeur à la résonance. Les pertes doivent dans ce type de mesure être
    2
    faibles :t
    gδ0 ,05.

    III.4 Méthode de la double résonance


    Dans le cas où tgδe
    stpl
    usgr
    and,l
    afr
    équence de résonance ne peut être déterminée
    avec précision. Comme beaucoup de matériaux ont des facteurs de perte de 0,1 ou plus ; la
    né
    ces
    sit
    éd’
    avoi
    runemé
    thodepe
    rme
    tta
    ntl
    ame
    sur
    edel
    eur
    spe
    rmi
    tt
    ivi
    tése
    nfonc
    tiond
    ela
    f
    réque
    nces
    ’impos
    e,d’
    oùl
    ’appa
    rit
    ionde la méthode de la double résonance. Dans cette
    ul
    méthode la cell ec
    ont
    ena
    ntl
    ’éc
    hant
    il
    lonc
    ons
    ti
    tuel
    aca
    pac
    itéd’
    uns
    econdc
    irc
    uitr
    ésonna
    nt
    qui est couplé à un premier circuit résonnant alimenté par un générateur de signal. Le principe
    del
    amé
    thodee
    stquel
    eci
    rcui
    tré
    son
    nantc
    ont
    ena
    ntl
    ’éc
    hant
    il
    lonàf
    ort
    espe
    rtes est couplé
    par un petit condensateur au premier circuit résonnant ; la résonance de ce dernier est plus
    poi
    ntuequec
    ell
    educ
    irc
    uita
    vecl
    ’éc
    hant
    il
    lon.
    [2]
    .Lapa
    rti
    eré
    ell
    edel
    ape
    rmi
    tt
    ivi
    tépe
    utê
    tre
    déterminée dans ce cas indépendamment des pertes.

    III.5 Mesures par lignes de transmission


    Dans le domaine des hautes fréquences : 100-1000 MHz, il est impossible de réaliser
    un circuit résonnant à constantes localisées.L’
    uti
    li
    sat
    ionde
    sci
    rcui
    tsà paramètres répartis
    devient inévitable, les plusc
    our
    ant
    sdec
    esc
    irc
    uit
    ssontl
    esl
    igne
    setl
    esg
    uide
    sd’
    onde
    s.
    Cependant les méthodes faisant appel aux lignes sont généralement les plus employées pour la
    me
    sur
    edel
    ape
    rmi
    tt
    ivi
    téc
    arl
    esg
    uid
    esd’
    onde
    sontl
    ’i
    nconvé
    nie
    ntd’
    êtr
    eenc
    ombr
    ant
    sda
    ns
    cette gamme de fréquences.
    I
    lexi
    st
    eune
    nse
    mbl
    edemé
    thode
    sba
    sée
    ssurde
    sme
    sur
    esd’
    onde
    spr
    ogr
    ess
    ive
    set
    d’
    onde
    sst
    at
    ionna
    ire
    s.Da
    ns l
    a pl
    us c
    our
    ant
    e,l
    ’éc
    hant
    il
    lon r
    epr
    ése
    nte une i
    mpé
    danc
    e
    xi
    terminale pour une ligne co-a a
    le,e
    nyé
    tabl
    is
    santuns
    yst
    èmed’
    ondes stationnaires. La
    mesure des positions et des grandeurs des maximums et des minimums permet la
    dé
    ter
    mina
    tiondel
    ape
    rmi
    tt
    ivi
    tédel
    ’éc
    hant
    il
    lon.

    42
    III.6 Mesure dans le domaine des ondes micrométriques : Méthode des
    gui
    desd’
    ondes et des cavités résonnantes [4]
    Lorsque les fréquences dépassent les 100 MHz, on a recours à la technique des
    g
    uide
    sd’
    onde
    soudec
    avi
    tésr
    ésonna
    nte
    s.Lana
    tur
    eetl
    aqua
    nti
    téduma
    tér
    iauàme
    sur
    er
    dé
    fini
    sse
    ntl
    amé
    thodedeme
    sur
    epa
    rti
    cul
    ièr
    eempl
    oyé
    e.Da
    nsl
    eca
    sd’
    uneg
    rosse quantité de
    ma
    tér
    iau,l
    amé
    thodeut
    il
    is
    éee
    stc
    ell
    ede
    sgui
    desd’
    onde
    sal
    orsquel
    amé
    thodede
    sca
    vit
    és
    résonnantes est utilisée quant on a affaire à de petites quantités de matériau [3]. Dans le
    pr
    emi
    erc
    asl
    egui
    ded’
    ondee
    str
    empl
    icompl
    ète
    mentpa ’
    r le matériau (léc
    hant
    il
    lon).Pourun
    échantillon de longueur donnée, si la fréquence croit graduellement, la puissance transmise
    passera par une succession de maximums. Il est montré que la permittivité (partie réelle) est
    en relation avec la longueur del
    ’éc
    hant
    il
    lon,l
    ’i
    nte
    rva
    lledef
    réque
    ncee
    ntr
    ele
    sma
    ximumse
    t
    la vitesse de la lumière ; de là tg et par conséquent la partie imaginaire de la permittivité
    peut être calculée [3] Dans le second cas, si une cavité résonnante est perturbée par
    l
    ’i
    ntr
    oduc
    tio
    nd’
    unpe
    tité
    cha
    nti
    ll
    on,s
    afr
    éque
    nceder
    ésonna
    ncee
    sta
    bai
    ssé
    e.Ledé
    pla
    ceme
    nt
    de fréquence est directement lié à la partie réelle de la permittivité du matériau tandis que la
    variation du facteur Q de cavité est liée à sa partie imaginaire.

    III.7 Conclusion
    Le choix de la méthode de mesure est important. Il dépend de divers
    facteurs dont le plus marquant est la fréquence. La méthode la plus simple et que
    nous utiliserons pour nos applications est la méthode de compensation, c'est-à-
    dire celle des ponts ou impédance- mètres.

    43
    Bibliographie
    [1] J.C. Anderson, Diélectriques, Dunod 1966.

    [2] B. Ichijo, 1953 J , Appl. Phys, 24, 307.

    [3] Lurio et Stern : 1960 J. Appl. 31 .180

    [4] H. M. Barlow and A. L. Cullen, 1950, Microwave Measurements, Constable.

    44
    CHAPITRE IV
    CARACTERISATION EXPERIMENTALE DES
    MATERIAUX AVEC INCLUSIONS

    45
    IV.1 Introduction
    Ce chapitre constituel
    ’es
    sent
    ie
    ldenot
    re travail. Il est consacré à la caractérisation
    d’
    écha
    nti
    ll
    onsc
    ons
    ti
    tué
    sd’
    unema
    tri
    ce(
    mat
    éri
    auhôt
    e) en ciment CPA (Hamma Bouziane),

    de 40x40x30 cm dont le rapport E 0,5 , séchés dans un four à 110° C pendant 24 H et


    C
    contenant plusieur
    sty
    pesd’
    inclusions, en utilisant une méthode basée sur la mesure de la
    permittivité diélectrique et de la résistivité électrique effectives. De
    uxt
    ype
    sd’
    inc
    lus
    ionss
    ont
    considérés :
    - diélectriques : air et verre
    - conductrices : eau et acier
    Ces inclusions sont de concentrations connues mais différentes.
    La permittivité effective et la résistivité effective sont mesurées pour chaque matrice
    avec son inclusion pour différentes concentrations de cette dernière et pour différentes
    fréquences.I
    ls’
    agi
    tdonc d’
    ana
    lys
    erl
    ava
    ria
    tiondec
    esde
    uxpa
    ramè
    tre
    sca
    rac
    tér
    ist
    ique
    s
    (permittivité et résistivité) en fonction de la concentration des inclusions et de la fréquence.
    Les résultats des mesures sont traduits par des courbes. Nous en déduirons comment
    différencier les différentes hétérostructures ainsi que l
    esc
    hampsd’
    appl
    ica
    tionsdec
    ett
    e
    méthode.
    Le système de mesure est constitué de deux électrodes carrées en cuivre de 40 mm de
    c
    ôté
    .Unr
    ess
    orte
    stpl
    acés
    url
    ’él
    ect
    rodes
    upé
    rie
    urepoura
    ssur
    erunbonc
    ont
    act entre les
    e
    élct
    rode
    setl
    ’éc
    hant
    il
    lon;c
    ecipe
    rme
    td’
    évi
    terl
    esc
    apa
    cit
    éspa
    ras
    ites induites par la présence
    d’
    int
    ers
    ti
    cese
    ntr
    el’
    écha
    nti
    ll
    one
    tle
    sél
    ect
    rode
    s.Laf
    igur
    e(IV.1) donne une vue schématique
    du système de mesure.

    Ressort Electrodes

    Echantillon

    Figure IV.1. Schéma du dispositif de mesure.

    46
    Il est à noter que ce système dont le principe est connu, a été réalisé au laboratoire
    « Matériaux et durabilité des constructions ».
    La mesure de la capacité C P et de la résistance RP sont effectuées avec un impédance-
    mètre du type : HEWLETT PACKARD - 4284A - 20 Hz à 1MHz du département
    d’
    éle
    ctr
    oni
    que
    .
    La permittivité effective e et la résistivité effective e sont déduites par la suite à
    partir des formules suivantes :
    C .S
    e  p et C0  0
    C0 h

    0 = 8,85. 10-12 F/m (la permittivité du vide)


    he
    stl
    aha
    ute
    urdel
    ’éc
    hant
    il
    lon
    S est la section effective del
    ’él
    ect
    rodedudi
    spos
    it
    if

    R .S
    e  p
    h

    Les mesures sont effectuées à température ambiante.

    IV.2. Caractérisation de la pâte de ciment

    i
    IV.2.1. Influence de la concentratond’
    eaus
    url
    acons
    tant
    edi
    éle
    ctr
    iquee
    t
    la résistivité

    Les essais effectués sur différents échantillons de pâte de ciment (P1, P2, P3, P4 :
    Annexe)c
    ont
    ena
    ntde
    sinc
    lus
    ionsc
    yli
    ndr
    ique
    sre
    mpl
    iesd’
    eaumont
    rentunea
    ugme
    nta
    tion
    a
    significative de la constnt
    edi
    éle
    ctr
    iquee
    ffe
    cti
    vedel
    ’hé
    tér
    ost
    ruc
    tur
    e(Figures 1 à 6) lorsque
    la concentration en eau augmente, et ce quelle que soit la fréquence; la constante diélectrique
    del
    ’ea
    uét
    antpl
    usi
    mpor
    tant
    equec
    ell
    edel
    apâ
    tedec
    ime
    nt.Cer
    ésul
    tatc
    onf
    ir
    mel
    es
    pr
    édi
    cti
    onsde
    sloi
    sdemé
    lang
    es.Aus
    si,l
    aré
    sis
    ti
    vit
    édel
    ’ea
    uét
    antpl
    usf
    aibl
    equec
    ell
    edel
    a
    pâ
    tedec
    ime
    nt,l
    aré
    sis
    ti
    vit
    éef
    fec
    tivedel
    ’hé
    tér
    ost
    ruc
    tur
    edi
    minuea
    vecl
    ’aug
    ment
    ati
    ondel
    a
    c
    onc
    ent
    rat
    iond’
    eauda
    nsl
    apâ
    tedec
    ime
    nt.

    47
    Ces résultats s
    ontd’
    une i
    mpor
    tanc
    efonda
    ment
    ale pour l
    aca
    rac
    tér
    isa
    tion de
    s
    matériaux composites. Les caractéristiques donnant la constante diélectrique et la résistivité
    e
    ffe
    cti
    vec
    ons
    ti
    tue
    ntunout
    ilpe
    rme
    tta
    ntdes
    uivr
    elet
    auxd’
    humi
    dit
    édel
    apâ
    tedec
    ime
    nt.On
    peuta
    ins
    isui
    vrel
    ’humi
    dif
    ica
    tiondel
    apâ
    tel
    ors
    quel
    ape
    rmi
    tt
    ivi
    tée
    ffe
    cti
    vea
    ugme
    ntee
    tla
    résistivité diminue ou encore le séchage lorsque la constante diélectrique diminue ou que la
    resistivité augmente. On peut se servir de cette technique pour suivre l
    egonf
    leme
    ntd’
    uns
    ol
    pa
    rexe
    mpl
    eoul
    ’i
    nfi
    lt
    rat
    iond’
    eauda
    nsde
    sst
    ruc
    tur
    es.A l
    ’i
    nve
    rse
    ,ce
    ttemé
    thodepe
    uta
    uss
    i
    ê
    treut
    il
    epourl
    esui
    vededé
    pôt
    sdes
    abl
    e(voi
    red’
    aff
    lue
    nts
    )da
    nsl
    esl
    it
    sder
    ivi
    èreout
    out
    a
    utr
    epl
    and
    ’ea
    u.Lame
    sur
    edel
    aré
    sis
    tivité constitue une information complémentaire venant
    confirmer le diagnostic avancé sur la base de la mesure de la constante diélectrique.

    70,00 permittivité
    Résistivité
    p erm ittivité/R ésistivité

    60,00

    50,00

    40,00

    30,00

    20,00

    10,00

    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( EAU)

    Figure 1: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration C%


    d’e auà100kHz .

    48
    permittivité
    60,00
    Résistivité
    50,00
    p e rm it t iv it é /R é s is t iv it é

    40,00

    30,00

    20,00

    10,00

    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( EAU)

    Figure 2: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration C%


    d’e auà200kHz .

    Permittivité
    50,00
    Résistivité
    45,00
    perm ittivité/Résistivité

    40,00
    35,00
    30,00
    25,00
    20,00
    15,00
    10,00
    5,00
    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( EAU)

    Figure 3: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration C%


    d’ea uà400kHz

    49
    Permittivité
    40,00 Résistivité
    35,00
    p e r m ittiv ité /R é s is tiv ité

    30,00
    25,00
    20,00
    15,00
    10,00
    5,00
    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( EAU)

    Figure 4: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration C%


    d’ea uà600kHz

    70,00 Permittivité
    Résistivité
    60,00
    perm ittivité/Résistivité

    50,00

    40,00

    30,00

    20,00

    10,00

    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( EAU)

    Figure 5: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration C%


    d’ea uà800kHz

    50
    Permittivité
    35,00
    Résitivité
    p e rm it t iv it é /R é s is t iv it é 30,00
    25,00
    20,00
    15,00
    10,00
    5,00
    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16

    (concentration) C%( EAU)

    Figure 6: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration C%


    d’eauà1000kHz .

    Notons que la constante diélectrique et la résistivité effectives diminuent avec


    l
    ’aug
    ment
    ati
    ondel
    afr
    éque
    nce(
    Fig
    ure
    s7e
    t8)
    .Pourunec
    onc
    ent
    rat
    iond’
    inc
    lus
    ionsdonn
    ée,
    l
    ’ef
    fetdel
    afr
    éque
    ncee
    stpl
    usma
    rquéàba
    ssef
    réque
    nce
    .

    60,00

    50,00

    40,00 P4
    permittivité

    P1
    P2
    30,00
    P3

    20,00

    10,00

    0,00
    100 200 400 600 800 1000
    fréquence en Khz

    Figure 7: Variation de la permittivité effective en fonction de la fréquence (fr) avec des


    inc lus i
    onsr empl iesd’ e
    a u

    51
    14,00

    12,00

    10,00 P4
    P1
    Résistivité

    8,00 P2
    P3
    6,00

    4,00

    2,00

    0,00
    100 200 400 600 800 1000
    fré que nce s en Khz

    Figure 8: Variation de la résistivité en fonction de la fréquence (fr) avec des inclusions


    rempl i
    esd’ eau

    52
    IV.2.2.I nfl
    ue nc e de sc a
    vit
    ésd’
    airs
    ur l
    acons
    tant
    e di
    él
    ect
    rique e
    tla
    résistivité de la pâte de ciment

    La mise en évidence de cavités et de leur volume apparent (total) peut se faire à travers
    la mesure de la constante diélectrique et de la résistivité effective. Contrairement au cas
    pr
    écé
    dentoùl
    esi
    ncl
    usi
    onsé
    tai
    entc
    ons
    ti
    tué
    esd’
    eau,l
    aconstante diélectrique effective de la
    pâ
    te de c
    ime
    ntc
    ont
    ena
    ntde
    sca
    vit
    és(
    inc
    lus
    ions r
    empl
    ies d’
    air
    ),di
    minue l
    ors
    que l
    a
    c
    onc
    ent
    rat
    ion(
    vol
    ume
    )d’
    aira
    ugme
    ntevuquel
    acons
    tant
    edi
    éle
    ctr
    iquedel
    ’ai
    res
    tbe
    auc
    oup
    plus faible que celle de la pâte de ciment, quelle que soit la fréquence (Figures 9 à 14).
    D’
    aut
    repa
    rt,l
    ’ai
    rét
    antunt
    rèsboni
    sol
    ant
    ,sar
    ési
    st
    ivi
    tée
    stt
    rèsé
    levé
    epa
    rra
    ppor
    tàc
    ell
    ede
    l
    apâ
    tedec
    ime
    nt.Lar
    ési
    st
    ivi
    tédel
    ’hé
    tér
    ost
    ruc
    tur
    eaug
    ment
    eave
    clac
    onc
    ent
    rat
    iond
    ’ai
    r
    comme le montre les figures 9 et 14.

    Permittivité
    120,00 Résistivité

    100,00
    perm ittivité/Résistivité

    80,00

    60,00

    40,00

    20,00

    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( AIR)

    Figure 9: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration C%


    d’airà100kHz

    53
    Permittivité
    70,00 Résistivité

    pe rm ittiv ité /R é s is tiv ité 60,00

    50,00

    40,00

    30,00

    20,00

    10,00

    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( AIR)

    Figure 10: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ airà200kHz

    permittivité
    45,00
    Résistivité
    40,00
    perm ittivité/Résistivité

    35,00
    30,00
    25,00
    20,00
    15,00
    10,00
    5,00
    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( AIR)

    Figure 11: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ airà400kHz

    54
    Permittivité
    35,00
    Résistivité
    30,00
    perm ittivité/R ésistivité

    25,00

    20,00

    15,00

    10,00

    5,00

    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( AIR)

    Figure 12: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ airà600kHz

    permittivité
    30,00 résistivité

    25,00
    perm ittivité/Résistivité

    20,00

    15,00

    10,00

    5,00

    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( AIR)

    Figure 13: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ airà800kHz

    55
    Permittivité
    25,00 Résistivité

    perm ittivité/Résistivité 20,00

    15,00

    10,00

    5,00

    0,00
    4,91 19,63 30,66 44,16
    (concentration) C%( AIR)

    Figure 14: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ airà800kHz

    25,00

    20,00

    15,00
    permittivité

    P1
    P4
    P2
    P3
    10,00

    5,00

    0,00
    100 200 400 600 800 1000
    fréquence en Khz

    Figure 15: Variation de la permittivité effective en fonction de la fréquence (fr) avec des
    inc lusionsr e mpl iesd’air

    56
    120,00

    100,00

    80,00
    P1
    Résistivité

    P4
    60,00
    P2
    P3
    40,00

    20,00

    0,00
    100 200 400 600 800 1000
    fréquences en Khz

    Figure 16: Variation de la permittivité en fonction de la fréquence (fr) avec des inclusions
    rempl i
    esd’ air

    Commeda
    nsl
    eca
    sde
    sinc
    lus
    ionsd’
    eau,l
    acons
    tant
    edi
    éle
    ctr
    iquee
    tlar
    ési
    st
    anc
    e
    e
    ffe
    cti
    veduc
    ompos
    it
    e(ma
    tri
    cec
    ons
    ti
    tué
    edel
    apâ
    tedec
    ime
    nta
    vecde
    sca
    vit
    ésd’
    airc
    omme
    i
    ncl
    usi
    ons
    )di
    minue
    ntl
    ors
    quel
    afr
    éque
    ncea
    ugme
    nte
    .L’
    eff
    ete
    sta
    uss
    itr
    èspr
    ononc
    éàba
    sse
    fréquence.

    Il ressort des résultats présentés ci-dessus que la mesure de la constante diélectrique


    complétée par celle de la résistivité en fonction de la fréquence permettent de différencier de
    ma
    niè
    ret
    rèsc
    lai
    rel
    apr
    ése
    nced’
    eau(
    humi
    dit
    é)oudec
    avi
    tésd’
    air
    .

    57
    IV.2.3. Echantillons en pâte de ciment avec des inclusions en verres

    é
    La variation de la constante diélectrique de la pâte de ciment en prse
    nced’
    inc
    lus
    ions
    de verre (échantillons V1, V2, V3 et V4: Annexe) montre une diminution de la constante
    diélectrique effective et une augmentation de la résistivité effective lorsque la concentration
    en verre augmente (Figure 17 à 19). Cependant, la variation de la constante diélectrique est
    moi
    nsi
    mpor
    tant
    equeda
    nsl
    esde
    uxc
    aspr
    écé
    dent
    s(i
    ncl
    usi
    onsd’
    eauouc
    avi
    tésd’
    air
    ).Ce
    ci
    est dû au fait que la constante diélectrique du verre est légèrement inférieure à celle de la pâte
    de ciment. La variation de la résistivité est par contre très significative du fait que la résistivité
    du verre est beaucoup plus importante que celle de la pâte de ciment.

    f=100khz

    11,80
    11,60
    11,40
    permittivité

    11,20
    11,00 Permittivité
    10,80
    10,60
    10,40
    10,20
    18,75 37,50 56,25 75,00
    (concentration en Verre)C%

    f=100khz

    250,00
    m)

    200,00
    é(kΩ,

    150,00
    vit

    Résistivité
    sti

    100,00
    Rési

    50,00

    0,00
    18,75 37,50 56,25 75,00
    (concentration en Verre)C%

    Figure 17: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ inc lusionse nve rreà100kHz

    58
    f=200khz
    Permittivité
    11,20
    11,00
    perm ittivité

    10,80
    10,60
    10,40
    10,20
    10,00
    18,75 37,50 56,25 75,00
    (concentration en Verre)C%

    f=200khz

    Résistivité
    140,00

    120,00
    m)

    100,00
    é(kΩ,

    80,00
    stvi
    i t

    60,00
    Rési

    40,00

    20,00

    0,00
    18,75 37,5 56,25 75
    (concentration en Verre)C%

    Figure 18: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ inc lusionse nve rreà200kHz

    59
    f=800khz

    10,10
    10,00
    9,90
    permittivité

    9,80
    Permittivité
    9,70
    9,60
    9,50
    9,40
    18,75 37,50 56,25 75,00
    (concentration en Verre)C%

    f=800khz

    50,00
    m)
    kΩ,

    40,00
    é(

    30,00
    vit

    Résistivité
    sti

    20,00
    Rési

    10,00

    0,00
    18,75 37,5 56,25 75
    (concentration en Verre)C%

    Figure 19: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ inc lusionse nve rreà800kHz

    L’
    eff
    etdel
    afr
    éque
    ncee
    stbe
    auc
    oupp
    lusma
    rquéàba
    ssef
    réque
    nce(
    Fig
    ure20)
    .Lava
    ria
    tion
    est beaucoup plus importante sur la caractéristique de la résistivité effective (Figure 21).

    60
    12,00

    p e r m it t iv it é 11,00 V1
    V2
    V3
    10,00 V4

    9,00
    100 200 400 600 800 1000
    fréquence en Khz

    Figure 20: Variation de la permittivité effective en fonction de la fréquence (fr) pour des
    inclusions en verre

    V1
    300,00 V2
    250,00 V3
    V4
    R ésistivité

    200,00
    150,00
    100,00
    50,00
    0,00
    100 200 400 600 800 1000
    fréquences en Khz

    Figure 21: Variation de la résistivité effective en fonction de la fréquence (fr) pour des
    inclusions en verre

    61
    IV.2.4. Echantillons en pâte de ciment avec des inclusions en acier

    Les Figures 22 à 27 montrent une augmentation de la constante effective de


    l
    ’hé
    tér
    ost
    ruc
    tur
    eetuner
    éduc
    tiondel
    aré
    sis
    ti
    vit
    éef
    fec
    tivel
    ors
    quel
    aconc
    ent
    rat
    iond’
    aci
    er
    a
    ugme
    nte
    .Ce
    cie
    stdûa
    ufa
    itquel
    ’ac
    ieraunec
    ons
    tant
    epl
    usi
    mpor
    tant
    equec
    ell
    ede la pâte
    de ciment.

    f=100khz
    p e r m ittiv ité /R é s is tiv ité

    Permittivité
    80,00
    Résistivité
    70,00
    60,00
    50,00
    40,00
    30,00
    20,00
    10,00
    0,00
    0 4,91 19,63 44,16
    concentration%(Acier)

    Figure 22: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ inclus i
    onse na cierà100kHz

    62
    f=200khz

    50,00
    permittivité
    45,00
    résistivité
    40,00
    permittivité/Résistivité

    35,00
    30,00
    25,00
    20,00
    15,00
    10,00
    5,00
    0,00
    0 4,91 19,63 44,16
    concentration%( Acier)

    Figure 23: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ inclus i
    onse na cierà200kHz

    f=400khz Permittivité
    40,00 Résistivité

    35,00
    permittivité/Résistivité

    30,00
    25,00
    20,00
    15,00
    10,00
    5,00
    0,00
    0 4,91 19,63 44,16
    concentration-C% ( Acier)

    Figure 24: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ inclus i
    onse na cierà400kHz

    63
    f=600khz
    Permittivité
    Résistivité
    40,00
    permittivité/Résistivité 35,00

    30,00

    25,00

    20,00

    15,00

    10,00

    5,00

    0,00
    0 4,91 19,63 44,16
    concentration-C% ( Acier)

    Figure 25: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ inclusions en acier à 600 kHz

    f=800khz
    Permittivité
    40,00 Résistivité

    35,00
    Permittivité/Résistivité

    30,00

    25,00

    20,00

    15,00

    10,00

    5,00

    0,00
    0 4,91 19,63 44,16
    concentration-C% ( Acier)

    Figure 26: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ inclus i
    onse na cierà800kHz

    64
    f=1000khz Permittivité
    Résistivité
    40,00
    35,00
    30,00
    perm ittivité

    25,00
    20,00
    15,00
    10,00
    5,00
    0,00
    0 4,91 19,63 44,16
    concentration-C%( Acier)

    Figure 27: Variation de la permittivité/résistivité effectives en fonction de la concentration


    C% d’ inclus ionse na cierà1000kHz

    La variation de la constante diélectrique en fonction de la fréquence est également


    moi
    nsi
    mpor
    tant
    equeda
    nsl
    eca
    sde
    sinc
    lus
    ionsd’
    eau(
    humi
    dit
    é)oudec
    avi
    tés(
    inc
    lus
    ions
    d’
    air
    )(Figure 28).

    M11
    M22
    50,00 M3
    45,00
    40,00
    35,00
    permittivité

    30,00
    25,00
    20,00
    15,00
    10,00
    5,00
    0,00
    100 200 400 600 800 1000
    fréque nce e n Khz

    Figure 28: Variation de la permittivité effective en fonction de la fréquence (fr) pour des
    inclusions en acier

    65
    40,00

    35,00

    30,00
    éρ

    25,00
    stvi
    i t

    20,00
    Rési

    M11
    15,00 M22
    M3
    10,00

    5,00

    0,00
    100 200 400 600 800 1000

    fréquences en Khz

    Figure 29: Variation de la résistivité effective en fonction de la fréquence (fr) pour des
    inclusions en acier

    66
    IV.3. Conclusion

    Il ressort de cette étude expérimentale sur une pâte de ciment avec différents types
    d’
    inc
    lus
    ion(
    eau,a
    ir,ve
    rree
    tac
    ier
    )quel
    esc
    ara
    cté
    ris
    ti
    que
    sdonna
    ntl
    acons
    tant
    edi
    éle
    ctr
    ique
    et la résistivité diélectrique effectives des hétérostructures constituent des outils de grande
    i
    mpor
    tanc
    epourdi
    ff
    ére
    nci
    erl
    ety
    ped
    ’inc
    lus
    ionsc
    onna
    iss
    antl
    ama
    tri
    cemè
    re.I
    les
    tpos
    sibl
    e,
    g
    râc
    eàc
    esc
    ara
    cté
    ris
    ti
    que
    s,des
    uivr
    el’
    humi
    dif
    ica
    tionoul
    esé
    cha
    gedel
    apâte de ciment. Ce
    r
    ésul
    tatpe
    utê
    trea
    ppl
    iquéàt
    outa
    utr
    ety
    pedema
    tér
    iaux(
    arg
    ile…)
    .Ile
    sté
    gal
    eme
    ntpos
    sibl
    e
    de distinguer entre les différents types d’inclusions ( eau , acier…)
    .
    Notons également que pour toutes les structures étudiées, il existe une corrélation
    entre la constante diélectrique et la résistivité effective : quand la constante diélectrique
    augmente, la résistivité diminue et vis versa.

    67
    CONCLUSION GENERALE

    68
    Dans cette étude, nous avons montré que la permittivité diélectrique (ou constante

    di
    éle
    ctr
    ique
    )etl
    aré
    sis
    ti
    vit
    éél
    ect
    ri
    quee
    ffe
    cti
    vesd’
    unma
    tér
    iauc
    ompos
    it
    edé
    pende
    ntde
    s

    permittivités diélectriques et des résistivités des matériaux constituants et de leurs fractions

    volumiques. Pour cela, nous avons réalisé des échantillons de matériaux composites modèles

    à deux phases en prenant comme matériau hôte la pâte de ciment, matériau largement utilisé

    en génie civil. Les inclusions que nous avons utilisées sont des cavités de forme cylindrique

    r
    empl
    iesd’
    eauoud’
    air
    ,etde
    sinc
    lus
    ionss
    oli
    desé
    gal
    eme
    ntdef
    ormec
    yli
    ndr
    iquedeve
    rreou

    d’
    aci
    er.Laf
    ormedel
    amatrice considérée est de forme cubique.

    Nous avons montré à travers cette étude expérimentale que les deux caractéristiques :

    donnant la constante diélectrique et la résistivité électrique effectives des hétérostructures

    c
    ons
    ti
    tue
    ntde
    sout
    il
    sdeg
    randei
    mpo
    rta
    ncepourdi
    ff
    ére
    nci
    erl
    ety
    ped’
    inc
    lus
    ionsc
    onna
    iss
    ant

    la matrice mère. En effet, les caractéristiques de la constante diélectrique et de la résistivité

    électrique évoluent en fonction de la concentration volumique des inclusions et de leur nature.

    Ainsi, il est possible, grâce à ces caractéristiques, de s


    uivr
    el’
    humi
    dif
    ica
    tionoul
    esé
    cha
    gede

    la pâte de ciment, de faire la di


    st
    inc
    tione
    ntr
    ede
    sinc
    lus
    ionsd’
    eaue
    td’
    aci
    er.Cer
    ésul
    tatpe
    ut

    ê
    trea
    ppl
    iquéàt
    outa
    utr
    ety
    pedema
    tér
    iaux(
    arg
    ile…)
    .Pourt
    out
    esl
    ess
    truc
    tur
    esé
    tudi
    ées
    ,il

    existe une corrélation entre la constante diélectrique et la résistivité effectives : quand la

    constante diélectrique augmente, la résistivité diminue et vis versa.

    Ce
    ttemé
    thodedec
    ara
    cté
    ris
    ati
    onpe
    utê
    treé
    tendueàd’
    aut
    resa
    ppl
    ica
    tionsc
    ommel
    esui
    vide
    s

    a
    dépôts ou des variations des épaisseurs de dépôts dans les lits de rivière ou autres plnsd’
    eau,

    l
    apr
    ése
    ncedepoc
    hesd’
    airoudega
    zda
    nsuns
    ol,l
    apr
    ospe
    cti
    onpé
    trol
    if
    èreoug
    azi
    ère.
    ..

    69
    Même si ces méthodes macroscopiques ne permettent pas de déterminer la forme et les

    dimensions des inclusions contenues dans une matrice mère, elles permettent de prédire le

    t
    ypee
    tlevo
    lumet
    ota
    lappa
    rentde
    sinc
    lus
    ions
    ,cequie
    std’
    unei
    mpor
    tanc
    eca
    pit
    alepourl
    e

    contrôle non destructif des hétérostructures.

    En pe
    rspe
    cti
    ve,nousc
    ompt
    onspour
    sui
    vrec
    ett
    eét
    udepourl
    ’ét
    endr
    eàd’
    aut
    res

    matériauxe
    tenc
    ons
    idé
    rantde
    sma
    tér
    iauxc
    ompos
    it
    esa
    vecunnombr
    ed’
    inc
    lus
    ionsi
    mpor
    tant
    .

    70
    ANNEXES

    71
    P1,P2,P3,P4: échantillons testés. (en pâte de ciment)

    V1,V2,V3,V4:échantillons en pâte de ciment avec inclusions en verres testés

    M11,M22,M3:échantillons en pâte de ciment avec inclusions en aciers testés

    Valeurs mesurées de Cp, et Rp des échantillons pleins et avec inclusion en air

    fréq(khz) 100 200 400 600 800 1000


    P1(Ø=1cm) Cp(Pf) 11,08 9,71 8,66 8,17 7,85 7,66
    (air) Rp( kΩ) 396,66 259,77 170,14 133,61 112,72 99,90
    P4(Ø=2cm) Cp(Pf) 10,10 9,10 8,31 7,92 7,66 7,51
    (air) Rp(
    kΩ) 527,03 349,79 223,74 173,36 144,78 127,56
    P2(Ø=2,5cm) Cp(Pf) 7,12 6,61 6,18 5,97 5,83 5,76
    (air) Rp(
    kΩ) 1081,00 684,55 431,11 334,20 279,82 249,43
    P3(Ø=3cm) Cp(Pf) 5,79 5,48 5,20 5,07 4,97 4,93
    (air) Rp(
    kΩ) 1830,40 1127,50 691,42 532,12 444,51 400,52

    Valeurs mesurées de Cp, et Rp des échantillons pleins et avec inclusion (eau)

    fréq(khz) 100 200 400 600 800 1000


    P1(Ø=1cm) Cp(Pf) 21,28 17,05 13,63 11,95 10,83 9,86
    (eau) Rp( kΩ) 188,43 120,36 78,02 64,92 58,29 54,24
    P4(Ø=2cm) Cp(Pf) 24,95 20,42 16,78 15,03 14,07 13,46
    (eau) Rp( kΩ) 160,79 107,03 65,11 50,88 45,39 43,92
    P2(Ø=2,5cm) Cp(Pf) 27,24 24,78 19,83 16,08 15,66 15,01
    (eau) Rp( kΩ) 139,51 89,25 57,52 45,81 41,59 39,45
    P3(Ø=3cm) Cp(Pf) 30,16 26,55 21,73 18,76 17,06 16,22
    (eau) Rp( kΩ) 121,00 75,04 44,47 34,16 31,09 29,45

    72
    Variation de la permittivité/résistivité en fonction de la concentration C%
    (différentes fréquences) [Cas de la concentration en eau]
    valeurs des permittivités εc
    alc
    ulées pour une fréquence =100Khz

    f=100khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    P1 21,28 8,85 16,00 2,90 48,83 43,58 4,91
    P4 24,95 8,85 16,00 2,60 54,46 45,81 19,63
    P2 27,24 8,85 16,00 2,70 52,44 51,94 30,66
    P3 30,16 8,85 16,00 2,80 50,57 59,64 44,16

    valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =100Khz

    f=100 R S H  C
    khz (
    kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ,m) %
    P1 188,43 16 2,9 10,40 4,91
    P4 160,79 16 2,6 9,89 19,63
    P2 139,51 16 2,7 8,27 30,66
    P3 121,00 16 2,8 6,91 44,16

    valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =200Khz

    0 
    f=200khz Cp(pF) S(cm²) h(cm) C0 (pF) C%
    P1 17,05 8,85 16,00 2,90 48,83 34,92 4,91
    P4 20,42 8,85 16,00 2,60 54,46 37,49 19,63
    P2 24,78 8,85 16,00 2,70 52,44 47,25 30,66
    P3 26,55 8,85 16,00 2,80 50,57 52,50 44,16

    73
    valeurs des résistivités ρc
    alc
    ulées pour une fréquence =200Khz

    F=200 R S H  C
    khz (
    kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ,m) %
    P1 120,36 16 2,9 6,64 4,91
    P4 107,03 16 2,6 6,59 19,63
    P2 89,25 16 2,7 5,29 30,66
    P3 75,04 16 2,8 4,29 44,16

    valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =400Khz

    f=400khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    P1 13,63 8,85 16,00 2,90 48,83 27,91 4,91
    P4 16,78 8,85 16,00 2,60 54,46 30,81 19,63
    P2 19,83 8,85 16,00 2,70 52,44 37,81 30,66
    P3 21,73 8,85 16,00 2,80 50,57 42,97 44,16

    Valeur des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =400Khz

    f=400 R S H  C
    khz (kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩm) %
    P1 78,02 16 2,9 4,30 4,91
    P4 65,11 16 2,6 4,01 19,63
    P2 57,52 16 2,7 3,41 30,66
    P3 44,47 16 2,8 2,54 44,16

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =600Khz

    f=600khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    P1 11,95 8,85 16,00 2,90 48,83 24,47 4,91
    P4 15,03 8,85 16,00 2,60 54,46 27,60 19,63
    P2 16,08 8,85 16,00 2,70 52,44 30,66 30,66
    P3 18,76 8,85 16,00 2,80 50,57 37,10 44,16

    74
    Valeurs des résistivités ρc
    alc
    ulées pour une fréquence =600Khz

    R S H  C
    f=600khz (
    kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ,m) %
    P1 64,92 16 2,9 3,58 4,91
    P4 50,88 16 2,6 3,13 19,63
    P2 45,81 16 2,7 2,71 30,66
    P3 34,16 16 2,8 1,95 44,16

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =800Khz

    f=800khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    P1 10,83 8,85 16,00 2,90 48,83 22,18 4,91
    P4 14,07 8,85 16,00 2,60 54,46 25,83 19,63
    P2 15,66 8,85 16,00 2,70 52,44 29,86 30,66
    P3 31,09 8,85 16,00 2,80 50,57 61,48 44,16

    Valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =800Khz


    F=800 R S H (kΩ, C
    Khz (kΩ) (cm²) (cm) m) %
    P1 58,29 16 2,9 3,22 4,91
    P4 45,39 16 2,6 2,79 19,63
    P2 41,59 16 2,7 2,46 30,66
    P3 31,09 16 2,8 1,78 44,16

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =1000Khz

    f=1000khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    P1 9,86 8,85 16,00 2,90 48,83 20,19 4,91
    P4 13,46 8,85 16,00 2,60 54,46 24,71 19,63
    P2 15,01 8,85 16,00 2,70 52,44 28,62 30,66
    P3 16,22 8,85 16,00 2,80 50,57 32,07 44,16

    75
    Valeurs des résistivités ρc
    alc
    ulées pour une fréquence =1000Khz

    f=1000 R S H  C
    khz (kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ, m) %
    P1 54,24 16 2,9 2,99 4,91
    P4 43,92 16 2,6 2,70 19,63
    P2 39,45 16 2,7 2,34 30,66
    P3 29,45 16 2,8 1,68 44,16

    Variation de la permittivité/résistivité en fonction de la concentration C%


    (différentes fréquences) [Cas de la concentration en Air]

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =100Khz

    f=100khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    P1 11,08 8,85 16,00 2,90 48,83 22,69 4,91
    P4 10,10 8,85 16,00 2,60 54,46 18,55 19,63
    P2 7,12 8,85 16,00 2,70 52,44 13,58 30,66
    P3 5,79 8,85 16,00 2,80 50,57 11,45 44,16

    Valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =100Khz

    f=100 R S H  C
    khz (kΩ) (cm²) (cm) (kΩ, m) %
    P1 396,66 16 2,9 21,88 4,91
    P4 527,03 16 2,6 32,43 19,63
    P2 1081,00 16 2,7 64,06 30,66
    P3 1830,40 16 2,8 104,59 44,16

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =200Khz

    f=200khz Cp(pF) 0 S(cm²) H(cm) C0 (pF)  C%


    P1 9,71 8,85 16,00 2,90 48,83 19,89 4,91
    P4 9,10 8,85 16,00 2,60 54,46 16,71 19,63
    P2 6,61 8,85 16,00 2,70 52,44 12,60 30,66
    P3 5,48 8,85 16,00 2,80 50,57 10,84 44,16

    76
    Valeurs des résistivités ρc
    alculées pour une fréquence =200Khz

    f=200 R S H  C
    khz (kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ, m) %
    P1 259,77 16 2,9 14,33 4,91
    P4 349,79 16 2,6 21,53 19,63
    P2 684,55 16 2,7 40,57 30,66
    P3 1127,50 16 2,8 64,43 44,16

    Valeurs des permittivités εcalculées pour une fréquence =400Khz

    0 
    f=400khz Cp(pF) S(cm²) h(cm) C0 (pF) C%
    P1 8,66 8,85 16,00 2,90 48,83 17,74 4,91
    P4 8,31 8,85 16,00 2,60 54,46 15,26 19,63
    P2 6,18 8,85 16,00 2,70 52,44 11,78 30,66
    P3 5,20 8,85 16,00 2,80 50,57 10,28 44,16

    Valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =400Khz

    f=400 R S H  C
    khz (kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ, m) %
    P1 170,14 16 2,9 9,39 4,91
    P4 223,74 16 2,6 13,77 19,63
    P2 431,11 16 2,7 25,55 30,66
    P3 691,42 16 2,8 39,51 44,16

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =600Khz

    f=600khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    P1 8,17 8,85 16,00 2,90 48,83 16,73 4,91
    P4 7,92 8,85 16,00 2,60 54,46 14,54 19,63
    P2 5,97 8,85 16,00 2,70 52,44 11,38 30,66
    P3 5,07 8,85 16,00 2,80 50,57 10,03 44,16

    77
    Valeurs des résistivités ρc
    alc
    ulées pour une fréquence =600Khz

    f=600khz R(kΩ) S(cm²) H (cm) ( kΩ, m) C%


    P1 133,61 16 2,9 7,37 4,91
    P4 173,36 16 2,6 10,67 19,63
    P2 334,20 16 2,7 19,80 30,66
    P3 532,12 16 2,8 30,41 44,16

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =800Khz

    f=800khz Cp(pF) 0 S(cm²) H(cm) C0 (pF)  C%


    P1 7,85 8,85 16,00 2,90 48,83 16,08 4,91
    P4 7,66 8,85 16,00 2,60 54,46 14,06 19,63
    P2 5,83 8,85 16,00 2,70 52,44 11,12 30,66
    P3 4,97 8,85 16,00 2,80 50,57 9,83 44,16

    Valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =800Khz

    f=800khz R(kΩ) S(cm²) H(cm)  (kΩ, m) C%


    P1 112,72 16 2,9 6,22 4,91
    P4 144,78 16 2,6 8,91 19,63
    P2 279,82 16 2,7 16,58 30,66
    P3 444,51 16 2,8 25,40 44,16

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =1000Khz

    f=1000khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    P1 7,66 8,85 16,00 2,90 48,83 15,69 4,91
    P4 7,51 8,85 16,00 2,60 54,46 13,79 19,63
    P2 5,76 8,85 16,00 2,70 52,44 10,98 30,66
    P3 4,93 8,85 16,00 2,80 50,57 9,75 44,16

    Valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =1000Khz

    F=1000 R S H  C
    khz (kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ, m) %
    P1 99,90 16 2,9 5,51 4,91
    P4 127,56 16 2,6 7,85 19,63
    P2 249,43 16 2,7 14,78 30,66
    P3 400,52 16 2,8 22,89 44,16

    78
    Variation de la permittivité en fonction de la fréquence (fr) -inclusion=Air-

    P1: échantillon avec inclusion en air


    Cp 0 S h C0  f
    11,08 8,85 16,00 3,00 47,20 23,47 100
    9,71 8,85 16,00 3,00 47,20 20,57 200
    8,66 8,85 16,00 3,00 47,20 18,35 400
    8,17 8,85 16,00 3,00 47,20 17,31 600
    7,85 8,85 16,00 3,00 47,20 16,63 800
    7,66 8,85 16,00 3,00 47,20 16,23 1000

    P4: échantillon avec inclusion en air


    Cp 0 S h C0  f
    10,10 8,85 16,00 3,00 47,20 21,40 100
    9,10 8,85 16,00 3,00 47,20 19,28 200
    8,31 8,85 16,00 3,00 47,20 17,61 400
    7,92 8,85 16,00 3,00 47,20 16,78 600
    7,66 8,85 16,00 3,00 47,20 16,23 800
    7,51 8,85 16,00 3,00 47,20 15,91 1000

    P2: échantillon avec inclusion en air


    Cp 0 S h C0  f
    7,12 8,85 16,00 3,00 47,20 15,08 100
    6,61 8,85 16,00 3,00 47,20 14,00 200
    6,18 8,85 16,00 3,00 47,20 13,09 400
    5,97 8,85 16,00 3,00 47,20 12,65 600
    5,83 8,85 16,00 3,00 47,20 12,35 800
    5,76 8,85 16,00 3,00 47,20 12,20 1000

    P3: échantillon avec inclusion en air

    Cp 0 S h C0  f
    5,79 8,85 16,00 3,00 47,20 12,27 100
    5,48 8,85 16,00 3,00 47,20 11,61 200
    5,20 8,85 16,00 3,00 47,20 11,02 400
    5,07 8,85 16,00 3,00 47,20 10,74 600
    4,97 8,85 16,00 3,00 47,20 10,53 800
    4,93 8,85 16,00 3,00 47,20 10,44 1000

    79
    Variation de la permittivité en fonction de la fréquence (fr) -inclusion=Eau-

    P4-Concentration C=19,63% eau


    Cp 0 S h C0  f
    24,95 8,85 16,00 2,60 54,46 45,81 100
    20,42 8,85 16,00 2,60 54,46 37,49 200
    16,78 8,85 16,00 2,60 54,46 30,81 400
    15,03 8,85 16,00 2,60 54,46 27,60 600
    14,07 8,85 16,00 2,60 54,46 25,83 800
    13,46 8,85 16,00 2,60 54,46 24,71 1000

    P1-Concentration C=4,91% eau


    Cp 0 S h C0  f
    21,28 8,85 16,00 2,60 54,46 39,07 100
    17,05 8,85 16,00 2,60 54,46 31,31 200
    13,63 8,85 16,00 2,60 54,46 25,03 400
    11,95 8,85 16,00 2,60 54,46 21,94 600
    10,83 8,85 16,00 2,60 54,46 19,89 800
    9,86 8,85 16,00 2,60 54,46 18,10 1000

    P2-Concentration C=30,66% eau


    Cp 0 S h C0  f
    27,24 8,85 16,00 2,60 54,46 50,02 100
    24,78 8,85 16,00 2,60 54,46 45,50 200
    19,83 8,85 16,00 2,60 54,46 36,41 400
    16,08 8,85 16,00 2,60 54,46 29,53 600
    15,66 8,85 16,00 2,60 54,46 28,75 800
    15,01 8,85 16,00 2,60 54,46 27,56 1000

    P3-Concentration C=44,16% eau


    Cp 0 S h C0  f
    30,16 8,85 16,00 2,60 54,46 55,38 100
    26,55 8,85 16,00 2,60 54,46 48,75 200
    21,73 8,85 16,00 2,60 54,46 39,90 400
    18,76 8,85 16,00 2,60 54,46 34,45 600
    17,06 8,85 16,00 2,60 54,46 31,32 800
    16,22 8,85 16,00 2,60 54,46 29,78 1000

    80
    Variation de la résistivité ρe
    nfonc
    tiondela fréquence -inclusion=eau-

    P4-Concentration C=19,63% eau


    R( kΩ) S(cm²) H (cm) (
    kΩ,
    m) f(en Khz)
    160,79 16 2,6 9,89 100
    107,03 16 2,6 6,59 200
    65,11 16 2,6 4,01 400
    50,88 16 2,6 3,13 600
    45,39 16 2,6 2,79 800
    43,92 16 2,6 2,70 1000

    P1-Concentration C=4,91% eau


    R( kΩ) S(cm²) H (cm) ( kΩ, m) f(en Khz)
    188,43 16 2,6 11,60 100
    120,36 16 2,6 7,41 200
    78,02 16 2,6 4,80 400
    64,92 16 2,6 4,00 600
    58,29 16 2,6 3,59 800
    54,24 16 2,6 3,34 1000

    P2-Concentration C=30,66% eau


    R( kΩ) S(cm²) H (cm) (kΩ, m) f(en Khz)
    139,51 16 2,6 8,59 100
    89,25 16 2,6 5,49 200
    57,52 16 2,6 3,54 400
    45,81 16 2,6 2,82 600
    41,59 16 2,6 2,56 800
    39,45 16 2,6 2,43 1000

    P3-Concentration C=44,16% eau


    R( kΩ) S(cm²) H (cm) (
    kΩ,
    m) f(en Khz)
    121,00 16 2,6 7,45 100
    75,04 16 2,6 4,62 200
    44,47 16 2,6 2,74 400
    34,16 16 2,6 2,10 600
    31,09 16 2,6 1,91 800
    29,45 16 2,6 1,81 1000

    81
    Variation de la résistivité ρe
    nfonc
    tiondela fréquence -inclusion=Air-

    P1-Concentration C=4,91% Air


    R( kΩ) S(cm²) H (cm) ( kΩ, m) f(en Khz)
    396,66 16 2,6 24,41 100
    259,77 16 2,6 15,99 200
    170,14 16 2,6 10,47 400
    133,61 16 2,6 8,22 600
    112,72 16 2,6 6,94 800
    99,90 16 2,6 6,15 1000

    P4-Concentration C=19,63% Air


    R(kΩ) S(cm²) H (cm) ( kΩ, m) f(en Khz)
    527,03 16 2,6 32,43 100
    349,79 16 2,6 21,53 200
    223,74 16 2,6 13,77 400
    173,36 16 2,6 10,67 600
    144,78 16 2,6 8,91 800
    127,56 16 2,6 7,85 1000

    P2-Concentration C=30,66% Air


    R(kΩ) S(cm²) H (cm) (kΩ, m) f(en Khz)
    1081,00 16 2,6 66,52 100
    684,55 16 2,6 42,13 200
    431,11 16 2,6 26,53 400
    334,20 16 2,6 20,57 600
    279,82 16 2,6 17,22 800
    249,43 16 2,6 15,35 1000

    P3-Concentration C=44,16% Air


    R(kΩ) S(cm²) H (cm) (kΩ, m) f(en Khz)
    1830,40 16 2,6 112,64 100
    1127,50 16 2,6 69,38 200
    691,42 16 2,6 42,55 400
    532,12 16 2,6 32,75 600
    444,51 16 2,6 27,35 800
    400,52 16 2,6 24,65 1000

    82
    Valeurs mesurées de Cp, et Rp des échantillons pleins et avec inclusion -
    acier et verres-

    fréq(khz) 100 200 400 600 800 1000


    V1(Ø=1cm) Cp(Pf) 5,51 5,23 5,00 4,86 4,75 4,71
    (Verre) Rp( kΩ) 2530,00 1410,00 795,00 584,52 478,23 409,22
    V2(Ø=2cm) Cp(Pf) 5,38 5,11 4,90 4,77 4,69 4,59
    (Verre) Rp( kΩ) 3200,00 1706,00 908,37 615,22 541,51 472,89
    V3(Ø=2,5cm) Cp(Pf) 5,17 4,95 4,76 4,65 4,58 4,52
    (Verre) Rp( kΩ) 3430,00 1860,00 1030,00 755,12 618,25 530,43
    V4(Ø=3cm) Cp(Pf) 5,06 4,89 4,72 4,63 4,57 4,49
    (Verre) Rp( kΩ) 4363,00 2313,00 1268,00 913,19 748,68 642,65
    T3 Cp(Pf) 6,40 6,00 5,69 5,53 5,43 5,38
    (plein) Rp( kΩ) 1366,21 883,83 568,25 444,63 374,83 335,79

    100 200 400 600 800 1000


    fréq(khz)
    M11(Ø=1cm) Cp(Pf) 9,01 7,84 6,91 6,45 6,15 5,94
    (acier) Rp( kΩ) 445,85 289,99 186,63 143,95 119,91 104,32
    M22(Ø=2cm) Cp(Pf) 16,27 15,09 14,16 13,69 13,39 13,16
    (acier) Rp( kΩ) 468,22 300,24 191,94 147,96 123,39 107,69
    M3(Ø=3cm) Cp(Pf) 21,04 20,03 19,18 18,72 18,43 18,21
    (acier) Rp( kΩ) 585,00 354,77 217,50 164,44 136,08 118,09
    T3 Cp(Pf) 6,40 6,00 5,69 5,53 5,43 5,38
    (plein) Rp( kΩ) 1366,21 883,83 568,25 444,63 374,83 335,79

    Variation de la permittivité/résistivité en fonction de la concentration C%


    (différentes fréquences)[Cas de la concentration en VERRE]
    Valeurs des permittivités εc
    alc
    ulées pour une fréquence =100Khz

    f=100khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    V1 5,51 8,85 16,00 3,00 47,20 11,67 18,75
    V2 5,38 8,85 16,00 3,00 47,20 11,40 37,50
    V3 5,17 8,85 16,00 3,00 47,20 10,95 56,25
    V4 5,06 8,85 16,00 3,00 47,20 10,72 75,00

    83
    Valeurs des résistivités ρc
    alc
    ulées pour une fréquence =100Khz

    f=100khz R(kΩ) S(cm²) H (cm) (kΩ,m) C%


    V1 2530,00 16,00 3,00 134,93 18,75
    V2 3200,00 16,00 3,00 170,67 37,50
    V3 3430,00 16,00 3,00 182,93 56,25
    V4 4363,00 16,00 3,00 232,69 75,00

    Valeurs des permittivités εcalcul


    ées pour une fréquence =200Khz
    f=200khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%
    V1 5,23 8,85 16,00 3,00 47,20 11,08 18,75
    V2 5,11 8,85 16,00 3,00 47,20 10,83 37,50
    V3 4,95 8,85 16,00 3,00 47,20 10,49 56,25
    V4 4,89 8,85 16,00 3,00 47,20 10,36 75,00

    Valeurs des résistivités ρc al


    cul
    ées pour une fréquence =200Khz
    f=200khz R(kΩ) S(cm²) H (cm) ( kΩ, m) c%
    V1 1410,00 16 3 75,20 18,75
    V2 1706,00 16 3 90,99 37,5
    V3 1860,00 16 3 99,20 56,25
    V4 2313,00 16 3 123,36 75

    Valeurs des permittivités εcalcul


    ées pour une fréquence =800Khz
    f=800khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%
    V1 4,75 8,85 16,00 3,00 47,20 10,06 18,75
    V2 4,69 8,85 16,00 3,00 47,20 9,94 37,50
    V3 4,58 8,85 16,00 3,00 47,20 9,70 56,25
    V4 4,57 8,85 16,00 3,00 47,20 9,68 75,00

    Valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =800Khz

    f=800khz R(kΩ) S(cm²) H (cm) (kΩ, m) c%


    V1 478,23 16,00 3,00 25,51 18,75
    V2 541,51 16,00 3,00 28,88 37,5
    V3 618,25 16,00 3,00 32,97 56,25
    V4 748,68 16,00 3,00 39,93 75

    84
    Variation de la permittivité/résistivité en fonction de la concentration C% (différentes
    fréquences)[Cas de la concentration en ACIER]

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =100Khz

    0 
    f=100khz Cp(pF) S(cm²) H(cm) C0 (pF) C%
    T3 6,40 8,85 16,00 3,00 47,20 13,56 0
    M11 9,01 8,85 16,00 2,90 48,83 18,45 4,91
    M22 16,27 8,85 16,00 2,60 54,46 29,87 19,63
    M3 21,04 8,85 16,00 2,70 52,44 40,12 44,16

    Valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =100Khz

    f=100 R S H  C
    khz (kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ, m) %
    T3 1366,21 16 3 72,86 0
    M11 445,85 16 3 23,78 4,91
    M22 468,22 16 3 24,97 19,63
    M3 585,00 16 3 31,20 44,16

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =200Khz

    f=200khz Cp(pF) 0 S(cm²) H(cm) C0 (pF)  C%


    T3 6,00 8,85 16,00 3,00 47,20 12,71 0
    M11 7,84 8,85 16,00 2,90 48,83 16,06 4,91
    M22 15,09 8,85 16,00 2,60 54,46 27,71 19,63
    M3 20,03 8,85 16,00 2,70 52,44 38,19 44,16

    Valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =200Khz

    R S H  C
    f=200khz (kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ, m) %
    T3 883,83 16 3 47,14 0
    M11 289,99 16 3 15,47 4,91
    M22 300,24 16 3 16,01 19,63
    M3 354,77 16 3 18,92 44,16

    85
    Valeurs des permittivités εc
    alc
    ulées pour une fréquence =400Khz

    f=400khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    T3 5,69 8,85 16,00 3,00 47,20 12,06 0
    M11 6,91 8,85 16,00 2,90 48,83 14,15 4,91
    M22 14,16 8,85 16,00 2,60 54,46 26,00 19,63
    M3 19,18 8,85 16,00 2,70 52,44 36,57 44,16

    Valeurs des résistivités ρc a


    lcul
    ées pour une fréquence =400Khz
    F=400 R S H  C
    khz (kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ,m) %
    T3 568,25 16 3 30,31 0
    M11 186,63 16 3 9,95 4,91
    M22 191,94 16 3 10,24 19,63
    M3 217,50 16 3 11,60 44,16

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =600Khz

    f=600khz Cp(pF) 0 S(cm²) H(cm) C0 (pF)  C%


    T3 5,53 8,85 16,00 3,00 47,20 11,72 0
    M11 6,45 8,85 16,00 2,90 48,83 13,21 4,91
    M22 18,72 8,85 16,00 2,60 54,46 34,37 19,63
    M3 18,72 8,85 16,00 2,70 52,44 35,69 44,16

    Valeurs des résistivités ρc a


    lcul
    ées pour une fréquence =600Khz
    f=600 R S H  C
    khz (kΩ) (cm²) (cm) (
    kΩ, m) %
    T3 444,63 16 3 23,71 0
    M11 143,95 16 3 7,68 4,91
    M22 147,96 16 3 7,89 19,63
    M3 164,44 16 3 8,77 44,16

    86
    Valeurs des permittivités εc
    alc
    ulées pour une fréquence =800Khz

    f=800khz Cp(pF) 0 S(cm²) h(cm) C0 (pF)  C%


    T3 5,43 8,85 16,00 3,00 47,20 11,50 0
    M11 6,15 8,85 16,00 2,90 48,83 12,60 4,91
    M22 13,39 8,85 16,00 2,60 54,46 24,59 19,63
    M3 18,43 8,85 16,00 2,70 52,44 35,14 44,16

    Valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =800Khz

    f=800khz R(
    kΩ) S(cm²) H (cm) (
    kΩ,
    m) C%
    T3 374,83 16 3 19,99 0
    M11 119,91 16 3 6,40 4,91
    M22 123,39 16 3 6,58 19,63
    M3 136,08 16 3 7,26 44,16

    Valeurs des permittivités εc


    alc
    ulées pour une fréquence =1000Khz

    f=1000khz Cp(pF) 0 S(cm²) H(cm) C0 (pF)  C%


    T3 5,38 8,85 16,00 3,00 47,20 11,40 0
    M11 5,94 8,85 16,00 2,90 48,83 12,17 4,91
    M22 13,16 8,85 16,00 2,60 54,46 24,16 19,63
    M3 18,21 8,85 16,00 2,70 52,44 34,72 44,16

    Valeurs des résistivités ρc


    alc
    ulées pour une fréquence =1000Khz

    f=1000khz R(kΩ) S(cm²) H (cm) ( kΩ, m) C%


    T3 335,79 16 3 17,91 0
    M11 104,32 16 3 5,56 4,91
    M22 107,69 16 3 5,74 19,63
    M3 118,09 16 3 6,30 30,66

    87
    Variation de la permittivité en fonction de la fréquence (fr) -
    inclusion=VERRE-

    V1-Concentration C=18,75% verre


    Cp 0 S H C0  f
    5,51 8,85 16,00 3,00 47,20 11,67 100
    5,23 8,85 16,00 3,00 47,20 11,08 200
    5,00 8,85 16,00 3,00 47,20 10,59 400
    4,86 8,85 16,00 3,00 47,20 10,30 600
    4,75 8,85 16,00 3,00 47,20 10,06 800
    4,71 8,85 16,00 3,00 47,20 9,98 1000

    V2-Concentration C=37,50% verre


    Cp 0 S H C0  f
    5,38 8,85 16,00 3,00 47,20 11,40 100
    5,11 8,85 16,00 3,00 47,20 10,83 200
    4,90 8,85 16,00 3,00 47,20 10,38 400
    4,77 8,85 16,00 3,00 47,20 10,11 600
    4,69 8,85 16,00 3,00 47,20 9,94 800
    4,59 8,85 16,00 3,00 47,20 9,72 1000

    V3-Concentration C=56,25% verre


    Cp 0 S H C0  f
    5,17 8,85 16,00 3,00 47,20 10,95 100
    4,95 8,85 16,00 3,00 47,20 10,49 200
    4,76 8,85 16,00 3,00 47,20 10,08 400
    4,65 8,85 16,00 3,00 47,20 9,85 600
    4,58 8,85 16,00 3,00 47,20 9,70 800
    4,52 8,85 16,00 3,00 47,20 9,58 1000

    88
    V4-Concentration C=75% verre
    Cp 0 S H C0  f
    5,06 8,85 16,00 3,00 47,20 10,72 100
    4,89 8,85 16,00 3,00 47,20 10,36 200
    4,72 8,85 16,00 3,00 47,20 10,00 400
    4,63 8,85 16,00 3,00 47,20 9,81 600
    4,57 8,85 16,00 3,00 47,20 9,68 800
    4,49 8,85 16,00 3,00 47,20 9,51 1000

    Variation de la permittivité en fonction de la fréquence (fr) -inclusion=Acier-

    M11-Concentration C=4,91% Acier


    Cp 0 S H C0  f
    9,01 8,85 16,00 3,00 47,20 19,09 100
    7,84 8,85 16,00 3,00 47,20 16,61 200
    6,91 8,85 16,00 3,00 47,20 14,64 400
    6,45 8,85 16,00 3,00 47,20 13,67 600
    6,15 8,85 16,00 3,00 47,20 13,03 800
    5,94 8,85 16,00 3,00 47,20 12,58 1000

    M22-Concentration C=19,63% Acier


    Cp 0 S h C0  f
    16,27 8,85 16,00 3,00 47,20 34,47 100
    15,09 8,85 16,00 3,00 47,20 31,97 200
    14,16 8,85 16,00 3,00 47,20 30,00 400
    13,69 8,85 16,00 3,00 47,20 29,00 600
    13,39 8,85 16,00 3,00 47,20 28,37 800
    13,16 8,85 16,00 3,00 47,20 27,88 1000

    89
    M3-Concentration C=30,66% Acier
    Cp 0 S H C0  f
    21,04 8,85 16,00 3,00 47,20 44,58 100
    20,03 8,85 16,00 3,00 47,20 42,44 200
    19,18 8,85 16,00 3,00 47,20 40,64 400
    18,72 8,85 16,00 3,00 47,20 39,66 600
    18,43 8,85 16,00 3,00 47,20 39,05 800
    18,21 8,85 16,00 3,00 47,20 38,58 1000

    Variation de la résistivité en fonction de la fréquence (fr)-


    inclusion=VERRE-

    V1-Concentration C=18,75% verre


    R(
    kΩ) S(cm²) H (cm) (
    kΩ,
    m) f(en Khz)
    2530,00 16 2,6 155,69 100
    1410,00 16 2,6 86,77 200
    795,00 16 2,6 48,92 400
    584,52 16 2,6 35,97 600
    478,23 16 2,6 29,43 800
    409,22 16 2,6 25,18 1000

    V2-Concentration C=37,50% verre


    R(kΩ) S(cm²) H (cm) ( kΩ, m) f(en Khz)
    3200,00 16 2,6 196,92 100
    1706,00 16 2,6 104,98 200
    908,37 16 2,6 55,90 400
    615,22 16 2,6 37,86 600
    541,51 16 2,6 33,32 800
    472,89 16 2,6 29,10 1000

    90
    V3-Concentration C=56,25% verre
    R(kΩ) S(cm²) H (cm) ( kΩ, m) f(en Khz)
    3430,00 16 2,6 211,08 100
    1860,00 16 2,6 114,46 200
    1030,00 16 2,6 63,38 400
    755,12 16 2,6 46,47 600
    618,25 16 2,6 38,05 800
    530,43 16 2,6 32,64 1000

    V4-Concentration C=75% verre


    R(kΩ) S(cm²) H (cm) ( kΩ, m) f(en Khz)
    4363,00 16 2,6 268,49 100
    2313,00 16 2,6 142,34 200
    1268,00 16 2,6 78,03 400
    913,19 16 2,6 56,20 600
    748,68 16 2,6 46,07 800
    642,65 16 2,6 39,55 1000

    91
    Abstract

    Most of building materials nowadays are composite materials. These materials knew a
    big success which results from their capacity to be conceived "à la carte". Indeed, one can
    modify their behaviour by acting on the nature and properties of the constituent materials, the
    geometry of inclusions (shape and dimensions), their concentration, orientation and position
    within the host material (matrix). However, some problems that can affect their performances
    can occur during their exploitation leading to the appearance of cracks, cavities, water within
    these cavities and to the deterioration of reinforcements resulting of various stresses (chemical
    attack,he a t
    ing ,e ar t
    hqua ke ,non a de qua t
    e pr oporti
    oni ng …) .Thus i t’si mpor tantt o
    characterise these composite materials at their conception and to follow the evolution of their
    properties during their exploitation.
    This work is aimed at the characterisation of building materials consisting of three
    dimensions homogeneous matrices (host matrix) and dielectric/conducting inclusions using a
    non destructive method. This method combines two methods: dielectric and electric. These
    both methods enable to evaluate the presence of inclusions, their concentration and their
    nature in a given heterostructure. The samples we considered are of cubic shape; they consist
    of cement paste containing air cavities, cavities filled with water, steel and glass inclusions.
    The obtained results are very encouraging and makes the method we developed an interesting
    tool for building engineering applications.

    Résumé

    De nos jours la majorité des matériaux de construction sont des matériaux composites.
    Ces matériaux ont connu un grand succès qui provient de leur aptitude à être conçus « à la
    carte ». En effet, le concepteur peut en modifier à volonté les comportements en jouant sur la
    nature des matériaux constituants et leurs propriétés, la géométrie des inclusions (forme et
    taille), leur concentration et leur disposition dans la matrice. Cependant, des problèmes
    affectant la performance de ces matériaux peuvent surgir au cours de leur exploitation et de ce
    fait menacer la sûreté de fonctionnement des structures dont ils f ontpa r
    tie.I ls ’agite n
    pa rticulierdel ’apparition de fissures, de cavités, d’ eaudans ces cavités et de détérioration de
    renforts résultants de différentes contraintes (agression chimique, échauffement, séisme,
    ma uva isdo sage,…) .Ile stparc ons éq uenti mpor ta ntdecaractéri
    se rcesma t
    ériaux lors de leur
    conception et de s uivrel ’
    é volut
    ionde leurs propriétés durant leur exploitation.
    L’obje ct
    ifdec et ravailestdec ara ct
    ériserde smatéria
    uxdec ons tr
    uc ti
    onc onstituésde
    matrices homogènes à trois dimensions (matrice hôte)e td’ incl
    us ionsdi électri
    que sou
    conductrices en utilisant une méthode non destructive.
    Cette méthode rallie deux méthodes :l ’unedi él
    ect
    riquee tl’ a
    utreé lectri
    que .
    Ils’ag i
    tpa rti
    culièreme ntd’ év al
    ue rl apr é senc
    ed’ incl
    us ions,l eursc onc entrationse t
    leur nature dans une structure donnée.
    Les échantillons considérés sont constitués de pâte de ciment en forme de cubes
    ca rrés,c ontenantde sinc l
    us i
    onsd’ air,d’ eau,d’ac ieroudeve r
    re.
    Les résultats obtenus sont très intéressants.
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