PSI - Lycée Bellevue Électromagnétisme -Corrigé du TD n˚3

Physique Distributions de courant et conducteurs ohmiques

Électromagnétisme - TD n˚3
Distributions de courant et conducteurs ohmiques

Solutions

Exercice I : Vitesse moyenne des porteurs de charge

1. La masse d’un atome de cuivre est m = M/NA tandis que la masse volumique µ est reliée à m
par µ = nm. On en déduit la densité numérique :
µ NA
n= = 8, 34.1028 atomes.m−3
M
2. Soit j = I/s la densité volumique de courant : j = ρ < v > avec ρ = ne. On en déduit la vitesse
moyenne des porteurs de charge
j I
< v >= = = 7, 5.10−4 m.s−1
ne nes
Il s’agit de la vitesse moyenne des porteurs de charge et non de la vitesse de propagation du signal
électrique, cette dernière étant généralement proche de la célérité de la lumière dans les conducteurs
métalliques.

Exercice II : Distributions de courant

1. Le courant passe dans tout le volume du fil. L’intensité I est égale au flux de − → à travers n’importe
→
−
quelle section du fil (vrai si  est à flux conservatif, c’est-à-dire dans l’A.R.Q.S.). En choisissant une
section S droite (perpendiculaire à l’axe du fil) :
−−→
ZZ ZZ ZZ
I= →
− 2
 ·d S = 2
jd S = j d2 S = jS
S S S

On en déduit
− = I ~u
→
z
πR2
2. Considérons le cylindre intérieur. Le courant passe uniformément à travers toute la surface. L’intensité
correspond à l’intégrale du courant surfacique sur toute ligne fermée entourant le cylindre. On choisit
un cercle C de rayon a de sorte que
Z Z Z
I= →
−
s · ~ndℓ = js dℓ = js dℓ = js 2πa
C C C

Finalement
−
→ I
s = ~uz
2πa
On procède de même pour le cylindre extérieur. Le rayon est désormais b et le sens du courant est
inversé
→
− I
s = − ~uz
2πb

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Figure 1 –

Figure 2 –

3. Si les fils sont très serrés, on a quasiment une distribution surfacique de courants. En effet, chaque
point de la surface est le siège d’un courant, de direction ~uθ en coordonnées cylindriques d’axe Oz
(axe du solénoïde).
Exprimons de deux manières différentes le courant qui traverse une longueur dz de solénoïde.
Dans la modélisation filiforme (cas des fils) la longueur dz contient n dz fils, traversés chacun
par un courant I. La longueur dz est donc parcourue par le courant nIdz.
Dans la modélisation surfacique l’intensité parcourant la longueur dz vaut − →
s · dz ~uθ = js dz
En égalant ces deux expressions, on obtient
nI dz = js dz soit −
→
s = nI ~uθ

4. Le graphe de j est représenté sur la figure 1. On s’aperçoit que pour z supérieur à quelques δ, le
courant est quasi-nul. Ainsi, le courant volumique n’existe que près de la surface. Il est légitime de
chercher à simplifier la description et à modéliser la distribution de courants par une distribution
surfacique.
Considérons une longueur h selon ~ux (2). L’intensité la traversant dans une modélisation surfacique
vaut I = js h.
Dans le cas volumique, il faut considérer tout le courant traversant la surface indiquée sur la figure 2.
→
−
La surface dS = hdz est parcourue par l’intensité dI = − → · d S = jdS. On en déduit
Z +∞ Z +∞
I= j(z)hdz = h j0 e−z/δ dz = hδj0
0 0

Par identification, on trouve

−
→
s = j0 δ ~uy

Exercice III : Surfaces chargées en rotation

1. (a) Un point M à la surface du disque est en rotation à la vitesse
→
− −−→
v =− →
ω ∧ OM = ω ~uz ∧ ρ ~uρ = ωρ ~uθ
où l’on a utilisé les coordonnées cylindriques d’axe (Oz).

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On en déduit la densité surfacique de courant

→
−
 = σ− →
v = ω σ ρ ~u
s θ

(b) Sur une période T = 2π/ω, les charges du disque ont parcouru un tour complet. On en déduit
l’intensité du courant traversant une couronne élémentaire du disque définie par l’énoncé
dQ σ 2πρ dρ
dI = = ⇒ dI = σ ω ρ dρ
dt T
On en déduit la densité surfacique de charge, c’est-à-dire l’intensité par unité de longueur
transverse qui traverse la couronne élémentaire :

−
→ dI
s = ~uθ ⇒ →
−
s = σ ω ρ ~uθ
dρ
On retrouve bien la même expression de la densité surfacique de courant.
2. (a) Un point M à la surface de la sphère est en rotation à la vitesse
→
− −−→
v =−→
ω ∧ OM = ω ~uz ∧ a ~ur = aρ ~uϕ avec ρ = a sin θ
où ρ représente la distance du point M à l’axe (Oz).

On en déduit la densité surfacique de courant

→
−s = σ −
→
v = ω σ a sin θ ~uϕ

(b) Sur une période T = 2π/ω, les charges sur la sphère ont parcouru un tour complet. On en déduit
l’intensité du courant traversant une couronne élémentaire de la sphère définie par l’énoncé
dQ σ 2πa sin θ a dθ
dI = = ⇒ dI = σ ω a2 sin θ dθ
dt T
On en déduit la densité surfacique de charge, c’est-à-dire l’intensité par unité de longueur
transverse qui traverse la couronne élémentaire :

−
→ dI
s = ~uϕ ⇒ −→
s = σ ω a sin θ ~uϕ
a dθ
On retrouve bien la même expression de la densité surfacique de courant.

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Exercice IV : Conduction non ohmique : diode en charge d’es-

pace
1. Le théorème de l’énergie cinétique appliqué à un électron dans le référentiel du laboratoire supposé
galiléen donne
s
1 2 2eV
mu = eV soit u =
2 m

2. La densité volumique de courant est donnée par

j(x) = −n(x)eu(x)

où q = −e < 0 est la charge des électrons.

3. L’équation de Poisson s’écrit

ρ d2 V n(x)e
∆V + = 0 soit − =0
ε0 dx2 ε0

4. En introduisant la surface S de la portion d’anode et de cathode considérée, l’équation de Poisson

devient
d2 V n(x)e j(x) I
= = − = −
dx2 ε0 u(x) ε0 u(x)S ε0
En remplaçant u(x) par son expression en fonction du potentiel électrostatique, on trouve
s
2
d V A I m
=p avec A=−
dx2
V (x) Sε0 2e

On constate que j > 0 ⇒ I < 0. La constante A est donc positive.

dV
5. En multipliant l’équation différentielle par , on trouve
dx
d2 V dV 1 dV
= A p
dx2 dx V (x) dx

En intégrant une fois cette relation, on trouve

!2
1 dV p
; = 2 A V (x) + C1
2 dx

où C1 est une constante d’intégration.

dV
Sur la cathode : V (x = 0) = 0 et E(x = 0) = − (x = 0) = 0. On en déduit que la constante est
dx
nulle de sorte que
dV √ dV √
= 2 A V 1/4 soit V −1/4 =2 A
dx dx
En intégrant à nouveau cette relation, on trouve

4 3/4 √
V = 2 Ax + C2
3

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où C2 est une constante. Sur la cathode, x = 0 et V = 0 de sorte que C2 = 0. On en déduit

!4/3
3
V (x) = A2/3 x4/3
2

Pour x = L, V (L) = Va , potentiel de l’anode de sorte que

!4/3 !4/3  s 2/3
3 3L I m
Va = A2/3 L4/3 = − 
2 2 Sε0 2e

où l’on a tenu compte de l’expression de A.

On en déduit s
2e 4
−I = Sε0 × 2 Va3/2
m 9L
soit
√ s
4 2 ε0 S m
I = −KVa3/2 avec K= = 3, 66.10−8 SI
9 L2 e
Le signe − vient du fait que l’on s’est placé en convention générateur.
6. Pour Va = 100 V, I = 36, 6 µA. En ce point, la résistance de la diode est
Va
R= = 2, 73 MΩ
I
En écrivant cette résistance sous la forme R = ρL/S, on trouve la résistivité ρ :

RS
ρ= = 3, 42.103 Ω.m
L
valeur particulièrement grande devant la résistivité du cuivre par exemple (de l’ordre de 10−7 Ω .m).
Cette diode à vide est donc un milieu médiocrement conducteur, dont la conductivité est comparable
à celle d’un sol.
Remarque : à partir de l’expression de V (x), on peut calculer n(x) qui est de la forme

B
n(x) =
x2/3
En particulier, on constate que limx→0 n(x) = ∞ : tout se passe comme si au niveau de la cathode,
on disposait d’une réserve infinie d’électrons. Ceci ne peut s’approcher de la réalité que si le courant
n’est pas trop important, c’est-à-dire si Va n’est pas trop important. Pour des valeurs élevées de Va ,
I tend vers une valeur limite Is : le courant de saturation.

Exercice V : Équation de conservation de la charge

1. L’intensité du courant transporté à travers la surface fermée d’une sphère de rayon r (a < r < b) est
donnée par

− · −−→ I
ZZ ZZ
I= → d2 S = j(r) d2S = j(r)4πr 2 soit j(r) =
sphère sphère 4πr 2

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2. Le courant I n’est pas nul bien que la surface considérée soit fermée. On peut imaginer deux raisons
à cela :
⋆ soit une certaine charge, contenue à l’intérieur de la sphère intérieure de rayon a est en train
de diminuer et le régime n’est pas permanent. On peut par exemple imaginer un condensateur
sphérique en cours de décharge.

⋆ soit un fil amène de l’extérieur le courant I jusqu’à la sphère intérieure et dans ce cas, correspondant
au régime permanent, le courant total à travers la sphère envisagée ci-dessus est bien nul.

Exercice VI : Conductivité dans un électrolyte : dosage d’un acide

fort par conductimétrie
1. Tous les ions participent à la conduction du courant de sorte que

ni = NA ci

→
− →
−
X
 = ni qi v i avec qi = Zi e
i −
 → →
−
v i = ui E
où NA est la constante d’Avogadro.
On en déduit !
− =
→
X −
→
N A e ci Z i u i E
i

En tenant compte de NA e = F (constante de Faraday) et en posant Λ0,i = F ui , on trouve

→
− →
− X
 = σ E avec σ = Zi ci Λ0,i
i

2. L’équivalence est obtenue pour v = v0 .

(a) Pour v < v0 , [HO− ] est négligeable. Les autres concentrations sont alors

cv
[Na+ ] =


V



(v0 − v)c

+
[H3 O ] =

 V


[Cl− ] =
 v 0 c
V
Pour l’application numérique, on doit exprimer les concentrations en mol.m−3 . Ici c = 102 mol.m−3
. On obtient ainsi
!
v
σ = A 426 − 300 pour v < v0 avec A = 5.10−4 S.m−1
v0

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(b) Pour v > v0 , [H3 O+ ] est négligeable. Les autres concentrations sont alors

cv
[Na+ ] =


V



(v − v0 )c

−
[HO ] =

 V


[Cl− ] =
 v 0 c
V
En reportant dans l’expression générale de σ, on trouve
!
v
σ = A 248 − 122 pour v > v0
v0

avec A = 5.10−4 S.m−1 .

(c) Les courbes se coupent pour v = v0 : on en déduit une méthode de dosage.
Le rapport des pentes est
248
α= = 0, 826
300
ce qui est confirmé par l’expérience.
3. Pour v = v0 , [H3 O+ ] = [HO− ] = 10−4 mol.m−3 et [Na+ ] = [Cl− ] = v0 c/V = 5 mol.m−3 .
On en déduit
σ0 = 6, 30.10−2 S.m−1
valeur que l’on peut retrouver à partir des expressions précédentes.

Exercice VII : Calcul de résistance

Les lignes de courant n’étant pas parallèles entre elles, nous ne pouvons pas appliquer la relation
R = ℓ/σs directement. En revanche, on peut découper le cône en tranches infiniment fines de largeur dx
et perpendiculaires aux lignes de courant. Dans ce cas, chaque tranche de largeur dx et de section s(x)
possède une résistance dR telle que

1 dx
dR = avec s(x) = πr(x)2
σ s(x)

où r(x) est le rayon de la section située en x, l’origine étant prise au niveau de. Étant donnée la forme du
conducteur :
RB − RA
r = RA + x
L
Tous ces conducteurs mis en série forment le conducteur total de sorte que
L
1 dx
Z Z
R= dR = !2
σπ 0 RB − RA
RA + x
L

Posons
RB − RA RB − RA
u = RA + x de sorte que du = dx
L L

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L’intégrale devient
" #RB !
RB
L du L 1 L 1 1
Z
R= = − = −
σπ(RB − RA ) RA u2 σπ(RB − RA ) u σπ(RB − RA ) RA RB
RA

Au final, on obtient l’expression recherchée

L
R=
πσRA RB

On retrouve le cas du cylindre droit lorsque RA = RB .

Exercice VIII : Résistance de fuite d’un condensateur cylindrique

1. Déterminons le champ électrique entre les armatures en appelant Q la charge, supposée être unifor-
mément répartie sur la surface de l’armature intérieure de ce condensateur.
Symétries : Soit un point M entre les armatures.
Le plan passant par M et contenant l’axe (Oz) du condensateur est un plan de symétrie pour la
distribution de charges.
Le plan passant par M et orthogonal à l’axe (Oz) est aussi un plan de symétrie pour la distribution
de charges, à condition de négliger les effets de bord.
→
−
Le vecteur E étant polaire, il appartient, au point M, à tout plan de symétrie pour les charges
→
−
passant par M. On en déduit ici que E (M) appartient à l’intersection des plans de symétrie soit, en
coordonnées cylindriques :
→
−
E (M) = E(M) ~ur

Invariances : La distribution de charges est invariante par rotation autour de (Oz) et par translation
→
−
de vecteur ~uz (effets de bord négligés). On en déduit que les composantes de E ne dépendent ni
de θ, ni de z en coordonnées cylindriques d’axe (Oz).
Finalement, on trouve
−
→
E (M) = E(r) ~ur

Choisissons comme surface de Gauss un cylindre droit Σ, d’axe (Oz), de rayon r tel que a < r < b
et de hauteur h, égale à la hauteur des armatures. Le théorème de Gauss appliqué à Σ s’écrit :

→ −−
− →
R
2
ZZ
→
− −
−→ Qint

 Σ
E · d S = E(r)2πrh
E · d2 S = avec, ici Q int Q
Σ ε0  =
ε0 ε0


d’où
Q
E(r) =
2π ε0 rh
soit, vectoriellement,
−
→ Q
E (M) = ~ur
2π ε0 rh

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2. La différence de potentiel entre les armatures vaut

!
2 b
− −
→ → Q Q b
Z Z
U = V1 − V2 = E · dℓ = dr ⇒ U = ln
1 a 2π ε0 rh 2πε0 h a

On en déduit la capacité du condensateur

Q 2πε0 h
C= = !
U b
ln
a

3. On en déduit la densité volumique de courant entre les armatures

− = γ −
→ → Q
E =γ ~ur
2π ε0 rh

L’intensité qui traverse une surface cylindrique S d’axe (Oz), de rayon r et de hauteur h vaut donc

− · −−→ h 2π
Q Q
ZZ Z Z
I= → d2 S = γ ~ur · (rdθ dz ~ur ) = γ
S z=0 θ=0 2π ε0 rh ε0

En exprimant la charge Q en fonction de U et de C, on trouve

γ
I= CU = U
ε0

4. On en déduit la résistance du condensateur cylindrique

!
b
ln
U a
R= =
I 2π γ h

ε0
On constate que RC = , résultat valable pour tous les systèmes cylindriques, même à base non
γ
circulaire.
5. Numériquement, avec a = 0, 10 cm, b = 0, 30 cm, h = 1 cm et γ = 50 S.m−1 , on trouve

2π × 8, 85.10−12 × 10−2 ln(3)

C= ⇒ C = 0, 51 pF et R = ⇒ R = 0, 35 Ω
ln(3) 2π × 50 × 10−2

La capacité est assez faible : la permittivité relative du diélectrique séparant les armatures n’a pas
été prise en compte. D’autre part, les condensateurs cylindriques usuels sont constitués de plusieurs
enroulements.
En revanche, la résistance de fuite du condensateur calculée possède l’ordre de grandeur des résis-
tances mesurées expérimentalement.

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