Chapitre 2

Chapitre 2 : Semi-conducteurs
2.1 . Densités de porteurs dans les bandes permises

2.1.1. Porteurs de charge
A. Notion de trous
L’agitation thermique a créé un déficit d’électrons dans la bande de valence. En réalité, cette
absence d’électrons va permettre un mécanisme de conduction au niveau de la bande de valence.
En effet, un électron de cette bande va pouvoir se déplacer vers un emplacement libéré par un
électron voisin qui est parti vers la bande de conduction. Nous pouvons aussi dire que l’électron
qui est parti vers la bande de conduction a laissé une vacance ou lacune d’électron derrière lui, cette
lacune pouvant être occupée par un électron de valence voisin, situé donc dans la même bande
d’énergie. Cet électron de la bande de valence venant occupé la lacune a lui-même laissé derrière
lui une lacune en faisant disparaître la première. Un nouvel électron de valence peut venir occuper
cette nouvelle lacune et ainsi de suite. La figure 2.1 donne une idée du mécanisme mis en jeu. On
retrouve un mécanisme similaire à celui des pièces d’un jeu de taquin ou « pousse-pousse ». On
peut noter que si les électrons se déplacent de la droite vers la gauche, les lacunes se déplacent de
la gauche vers la droite, c’est-à-dire dans le sens inverse.
Figure 2.1 : représentation symbolique du mécanisme de déplacement des

électrons dans la bande de valence. C’est en pratique un déplacement de lacunes
d’électrons. Le premier électron a laissé sa place qui est prise par le second.
En faisant le bilan, cela revient à avoir déplacé la lacune d’électron. L’absence d’électron
dans la bande de valence va s’appeler un trou et le phénomène s’appeler conduction par trous. En
effet, sous l’action d’un champ électrique extérieur, l’électron va se déplacer dans le sens inverse
du champ électrique. Ainsi, dans la bande de conduction, les électrons « remontent » le champ
électrique. Dans la bande de valence, le matériau étant globalement neutre, l’absence d’un électron
confère à la zone de départ (environnement de la lacune) une charge équivalente positive qui
provient de la non-compensation de la charge du noyau due aux protons.
18
Sous l’action du champ électrique, les électrons liés vont avoir tendance à se déplacer
dans le sens de la remontée du champ électrique, en laissant derrière eux une charge positive
correspondant à la lacune. Ainsi, les lacunes vont se déplacer dans le sens du champ et
correspondent donc au déplacement d’une charge positive dans le même sens que le champ
électrique.
En conclusion, la conduction par champ électrique dans le matériau pourra se faire à deux
niveaux :
- pour les électrons de la bande de conduction qui remontent le champ électrique

appliqué,
- par les trous de la bande de valence qui se déplacent dans le même sens que le champ
électrique.
Notons que du fait que les charges équivalentes sont de signe opposé, les courants
équivalents résultants seront dans le même sens en s’ajoutant. La figure 2.2 décrit très
simplement ce phénomène.
Figure 2.2 : représentation symbolique du mécanisme de conduction

dans les bandes de valence et de conduction. Les densités de courant
résultantes sont dans le même sens.
B. Masse effective des porteurs de charge
Les électrons ou les trous qui participent à la conduction doivent se déplacer dans le
matériau. Intuitivement, le déplacement dans le matériau ne pourra se faire de la même façon
que dans le vide en raison de l’interaction des porteurs avec les différents atomes constituant
le réseau cristallin. Il apparaît aussi intuitif que suivant les directions de déplacement à
l’intérieur du cristal les interactions seront différentes (pas la même périodicité des atomes par
exemple) et donc que le comportement électrique sera différent. Si nous analysons le
diagramme d’énergie dans l’espace des phases (vecteurs d’onde ou réseau réciproque). De
façon habituelle, à partir de la résolution de l’équation de Schrödinger, les variables relatives
aux vecteurs d’onde s’expriment par :
19
$=Y → 3=
,F ħ6 H 6
ħ6 ,
(2-1)
=
\6 F ħ6
\H 6 ,
En considérant m constante la masse m peut s’exprimer par :
.=
ħ6
]6 A
(2-2)
]D6
Si nous analysons le bas de la bande de conduction, la concavité est orientée vers le haut,
\6 F
\H 6
c’est-à-dire que le terme est positif. Ainsi, m est positif et dépend du rayon de courbure
de la courbe E(k) au point considéré. Suivant l’axe cristallographique considéré, la forme de la

courbe est différente, la courbure aussi et donc m pourra varier. La figure 2.3 donne un exemple
de diagramme de phase pour le silicium. Les courbures peuvent être différentes et les masses
\6 F
\H 6
effectives associées aussi. Si on analyse le sommet de la bande de valence, le terme est
négatif et la masse effective calculée de l’électron est alors négative. En réalité, il faut corriger
ce propos en se rappelant le principe fondamental de la dynamique : Fext=qζ=mγ. Changer le
signe de m revient tout simplement à changer le signe de la charge électrique ; autrement dit,
le déplacement d’un électron au sommet de la bande de valence, correspond au déplacement
d’une charge positive.
Figure 2.3 : représentation schématique du diagramme des phases pour le silicium. Nous
pouvons remarquer que suivant les orientations cristallographiques, les concavités sont
différentes et donc les masses effectives. Dans le cas du silicium, le gap, Eg est indirect, c’est-à-
dire que le bas de la bande de conduction et le sommet de la bande de valence ne coïncident pas
(d’après Chelikowski and Cohen).
20
Dans le silicium, pour un déplacement des charges électrons et trous dans la direction
<111>, la masse de l’électron au repos étant me, les masses effectives sont les suivantes :
- électrons : m*n= 0,9 me
- trous : m*p= 0,5 me
2.1.2. Concentrations des porteurs quasi-libres dans les bandes d’énergie.

Dans le cas de l’approximation parabolique des courbes E(k) au voisinage des extrema,
c’est-à-dire au minimum de la bande de conduction et au maximum de la bande de valence, les
d'énergie, NC et NV, sont données par la dérivée de ^_/^3 , soit :

densités d’états énergétiques (densité d’électrons ou de trous), les densités d'états par unité
1 2.W∗
/
! _W (3) = R S (3 − 3W ) /
2 ħ
(2-3)
1 2.X∗ /
_X (3) = R S (3X − 3) /
2 ħ
(2-4)
⁄
_= P (3 − 3W )Q
7 ,b∗
( ()a ħ6
Pour les électrons (2-5)
⁄
_=( P (3X − 3)Q
7 ,d
∗
()a ħ6
et pour les trous (2-6)
en se rappelant que nous avons fait un changement d’origine pour les énergies, E pour
C
la bande de conduction et E pour la bande de valence, et que le nombre total de places

V
disponibles pour les électrons dans les bandes tient compte du fait que sur un même niveau
d’énergie on peut placer deux électrons de spin différents.
Ces densités d’états énergétiques correspondent au nombre total de places disponibles

dans chacune des bandes par unité de volume et par niveau d’énergie. Pour connaître le nombre
effectif de porteurs qui occuperont les bandes, il faut tenir compte de la probabilité
d’occupation de ces niveaux par les porteurs.
A. Cas de la bande de conduction
Ainsi, pour la bande de conduction, nous pouvons calculer la concentration en électrons

(nombre d’électrons par unité de volume exprimé en général en cm-3) ;
f
= e _W (3). <(3). ^3
Fg
21
Où f(E) est la fonction de distribution de Fermi.
1 2.W∗ 1
f /
=e R S (3 − 3W ) /
^3
Fg 2 ħ 3 − 3j
1 + hi P Q
$
Comme dans l’intégration, E>EC et qu’en général EV<EF<EC, on peut simplifier f(E) sous
la forme :
1 1 3 − 3j
<(3) = ≈ ≈ hi R− S
3 − 3j 3 − 3j $
1 + hi P Q hi P Q
$ $
3 − 3W 3W − 3j
<(3) = hi R− S . hi R− S
$ $
Ce qui donne pour n :
/
= P Q hi P− Q lF (3 − 3W ) exp(−
,g
∗
Fb GFk f / FGFg
(6 ħ6 HI g HI
).dE
/
= P Q hi P− Q lF (3 − 3W ) exp(−
,g
∗
Fb GFk f / FGFg
(6 ħ6 HI g HI
).d(E-Ec)
Remarque : sans la simplification de f(E), la résolution aboutit sur des fonctions elliptiques de Fermi qui
ne sont pas intégrables analytiquement et qui sont tabulées. La démonstration est alors beaucoup plus complexe.
C’est ce qui se passera quand les simplifications ne seront plus acceptables, par exemple lorsque E devient égal
F
ou supérieur à E .
C
En posant h = m h = 0 ino' 3 = 3 , l’équation ci-dessus devient :

FGFg
HI
1 2.W∗ 3 − 3j
/ f
= R S hi R− S . ($ ) /
e h /
exp(−h) ^h
2 ħ $ p
L’intégrale peut aussi s’écrire :

f f
q = e o. exp(−o ).2o. ô = e 2o . exp(−o ). ô
p p
On peut remarquer que cette dernière intégrale est aussi le résultat de l’intégration par partie de :
f
√
q = e exp(−o ). ô =
p 2
22
En remplaçant ce résultat dans l’expression de n on obtient :

3/
1 2.∗! 2 3 − 3u 3 √
= s t hi R− S . ($ ) /2
2 2 ħ2 $ 2
$ .W∗ /
3W − 3j
= 2R 2S
exp(− )
2 ħ $
Expression que l’on note aussi sous la forme :
= _W . exp(−
Fg GFk
HI
) (2-7)
Avec N correspondant au nombre total de place par unité de volume effectivement occupées
C
par les électrons au niveau d’énergie équivalent E . N est appelé densité d’états électroniques dans
C C
la bande de conduction et s’exprime donc par :
$ .W∗ /
_W = 2 R S
2 ħ2
(2-8)
B. Cas de la bande de valence
Nous allons nous intéresser au nombre de trous dans cette bande d’énergie, puisque nous
avons vu que les porteurs de charges utiles pour la conduction étaient les trous dans cette bande.
Or les trous correspondent, comme nous l’avons vu, à une absence d’électrons. Nous allons
donc considérer la probabilité de non-occupation d’un état énergétique par un électron pour
déterminer la probabilité de présence d’un trou.
La probabilité de non-occupation correspond au complément à 1 de la probabilité

d’occupation. Ainsi, nous pouvons exprimer la densité de trous dans le matériau, p, par :
Fd
i = e _X (3). (1 − <(3)). ^3
Gf
1 2.X∗
Fd /
1
i=e R S (3X − 3) /
v1 − w ^3
Gf 2 ħ 3 − 3j
1 + exp( )
$
23
Comme dans l’intégration, E < E et qu’en général E < E < E , on peut simplifier f(E)
V V F C
sous la forme :
1 3 − 3j
<(3) = ≈ 1 − exp( )
3 − 3j $
1 + exp( )
$
et donc
1 − <(3) ≈ exp P Q = exp P− Q exp(−

FGFk Fd GF Fk GFd
HI HI HI
)
En remplaçant 1-f(E) par son expression ainsi que NV(E) nous obtenons :
3/
1 2.∗ 2 3u − 3 3 3 −3
i= exp R− S e (3 − 3) /2 exp R− S . ^3
1
s 2 t
2 ħ $ −∞ $
En menant le calcul de la même façon que pour n, nous déduisons l’expression de p,

après le changement de variable :h = −
Fd GF
HI
3/
1 2.∗ 2 3u − 3 ∞
exp R− S ($ ) e h /2 exp(−h) . ^3
3/
i=
1
s 2 t 2
2 ħ $ 0
Nous retrouvons ainsi exactement la même intégrale que précédemment, et donc nous
arrivons au résultat suivant :
3/
1 2.∗ 2 3u − 3 3 √
i= s 2 t exp R− S ($ ) /2
2 ħ $ 2
$ .X∗ /
3j − 3X
i = 2R S exp(− )
2 ħ2 $
Expression que l’on note aussi sous la forme :
i = _X . exp(−
Fk GFd
HI
) (2-9)
24
Avec N correspondant au nombre total de places par unité de volume effectivement

V
occupées par les trous au niveau d’énergie équivalent EV. NV est appelé densité d’états
électroniques dans la bande de valence et s’exprime donc par :
$ .X∗ /
_X = 2 R 2S
2 ħ
(2-10)
Nous pouvons remarquer que les densités d’états électroniques dans les bandes ne
dépendent que de la température et de la masse effective des porteurs électrons ou trous.
Comme ces masses effectives ont toujours le même ordre de grandeur, cela signifie que N et
C
NV seront toujours du même ordre de grandeur à une température donnée quel que soit le
matériau semi-conducteur. En pratique, ces densités d’états ont une valeur de quelques 1019
cm-3 à 300K.
Remarque : il ne faut pas confondre densités d’états énergétiques et densités d’états électroniques, ces
dernières en tenant compte de l’occupation des niveaux d’énergie par les électrons.
2.2. Semi-conducteur intrinsèque (extrinsèque) à l'équilibre

thermodynamique
Dans le matériau semi-conducteur à une température non nulle, on peut considérer la
création de porteurs électrons et trous comme le résultat de la réaction chimique :
G
+ ℎ= ↔ 0
qui peut donc se produire dans les deux sens, c’est-à-dire création d’une paire électron-trou
ou disparition d’une telle paire.
Comme pour toute réaction chimique, on peut associer à cette réaction, une constante
d’équilibre, K, mettant en jeu les concentrations des espèces, en l’occurrence, n et p :
$ = .i (2-11)
En remplaçant n et p par leur expression (2-7) et (2-9), nous obtenons :
3W − 3j 3j − 3X
" = _W _X exp R− S . exp(− )
$ $
(2-12)
Soit encore
3W − 3X
" = _W _X exp R− S
$
(2-13)
Comme EC - EV est égal au gap du matériau, Eg, nous pouvons aussi exprimer K par :
25
3V
" = _W _X exp R− S
$
(2-14)
E correspond dans ce cas à l’énergie de création d’un électron et d’un trou (c’est-à-dire
g
à la transition d’un électron lié de la bande de valence vers la bande de conduction).
2.2.1. Concentration intrinsèque

Dans un semi-conducteur parfait, pour T≠0, chaque fois qu’un électron part de la bande
de valence, et passe dans la bande de conduction, un trou apparaît dans la bande de valence.
La quantité d’électrons est ainsi rigoureusement égale à la quantité de trous ; leur concentration
commune est appelée concentration intrinsèque, ni. Le matériau est dit dans ce cas intrinsèque.
i= = z
(2-15)
3V
" = .i = = _W _X hi R− S ^n
z
$ (2-16)
i. = z
Notons que cette relation reste toujours valable dans le matériau semi-conducteur tant
que celui-ci est à l’équilibre thermodynamique ; cette relation sera utilisée en permanence dans
la suite. Nous pouvons donc exprimer la concentration intrinsèque par :
3V
= {_ _X . exp(− )
z
$ (2-17)
Dans cette relation nous constatons que la concentration intrinsèque dépend très
fortement de la température. C’est la loi exponentielle qui l’emporte largement sachant que les
densités d’états ne dépendent de la température qu’avec une puissance 3/2. Pour avoir des
ordres de grandeur, dans le cas du silicium, à T = 0K, ni= 0 cm-3, à T = 300K, ni = 1,6.1010 cm-
3
et à T = 1300K, ni = 2,5.1017 cm-3. Les variations sont donc très importantes ce qui explique
le très grand changement de comportement électrique de ces matériaux en fonction de la
température. En pratique, dans les calculs, on utilise plus souvent le carré de la concentration
intrinsèque, relation qu’il vaut mieux savoir en permanence et qui est la suivante :
26
3V
= _W _X . hi(− )
z
$ (2-18)
2.2.2. Position du niveau de Fermi dans un matériau intrinsèque

Pour déterminer la position du niveau de Fermi on repart des équations (2.7) et (2.9)
donnant les concentrations d’électrons et de trous :
= _W . exp(− i = _X . exp(−
Fg GFk Fk GFd
HI HI
) )
puisque p = n, à partir de ces deux équations nous obtenons :
_W . exp(− )= _X . exp(−
Fg GFk Fk GFd
HI HI
)
_W 1 1
% R S= (−3j + 3X + 3W − 3j ) = (3X + 3W − 23j )
_X $ $
3j = + $ % P|dQ
Fd =Fg |
g
(2-19)
Ainsi, le niveau de Fermi intrinsèque (correspondant au matériau intrinsèque), se trouve

à peu près au milieu de la bande interdite du matériau (figure 2.4), théoriquement au milieu à
T = 0K. Pour T ≠ 0K, on peut déterminer le terme correctif à partir des expressions de N et de
C
NV (relations (2.8) et (2.10)).
3X + 3W 3 .X∗
3j = + $ % s ∗t
2 4 .W
Puisque k = 8,85.10-5 eV/K, à T = 300K, kT = 26meV. Pour le silicium, à 300K,

Eg=1,12eV, et le rapport des masses effectives est de 0,55. Dans ce cas, EF = 560meV-11meV,
ce qui est encore très proche du milieu de la bande interdite.
Il peut être noté que le niveau de fermi se trouve dans la bande interdite, c’est-à-dire à
un niveau énergétique non accessible aux électrons. Le niveau de fermi traduit un niveau
statistique et non pas un niveau effectivement occupé.
27
Figure 2.4 : position du niveau de Fermi intrinsèque dans

un monocristal parfait. Il se situe approximativement au milieu
de la bande interdite à température ambiante.
2.2.3. Semi-conducteur extrinsèque

Nous pouvons modifier de façon considérable la concentration de porteurs de charge
d’un semi-conducteur intrinsèque en lui ajoutant de faibles quantités d’atomes astucieusement
choisis et que nous appelons impuretés dopantes ou tout simplement dopants. Nous obtenons
alors un semi-conducteur extrinsèque ou dopé.
Selon la nature des atomes introduits, soit le nombre d’électrons devient très supérieur
au nombre de trous et le semi-conducteur est appelé de type n, soit le nombre de trous devient
très supérieur à celui des électrons et le semi-conducteur est appelé de type p. Cette différence
sera exploitée judicieusement dans la suite. Dans l’immédiat, nous allons expliquer le
phénomène de dopage et ses conséquences sur le nombre d’électrons et de trous ainsi que sur
la position du niveau de Fermi (niveau statistique moyen) dans le semi-conducteur.
A. Notion de dopage
Dans un cristal semi-conducteur, il est possible d’introduire des atomes étrangers de

valence 3 ou 5 par exemple (colonne III ou V du tableau de Mendéléev). Si tout va bien
technologiquement (cf. cours de technologie microélectronique intégrée), les atomes vont
prendre la place des atomes du réseau, c’est-à-dire se mettre en site substitutionnel comme
représenté figures 2.5 et 2.6. Nous allons voir que cet apport va transformer considérablement
l’état électronique du monocristal.
28
Dopage de type n ou donneur
Prenons le cas d’un atome de la colonne V, par exemple du phosphore. La couche externe
de cet atome comporte, a priori, 5 électrons, comme représenté sur la figure 2.5. Inclus dans
le réseau cristallin, cet atome va se retrouver avec 9 électrons sur sa couche externe. Dès que
l’énergie thermique sera suffisante, cet électron va quitter son orbite pour circuler dans le
cristal. Il rejoint dans ce cas la bande de conduction du cristal. Le noyau de l’atome de
phosphore ayant une charge (due à ses protons) qui n’est plus compensée, cet atome va
s’ioniser positivement. Cet atome a ainsi un comportement dopant et puisqu’il a fourni un
électron au cristal (dans sa bande de conduction), Nous l’appelons atome donneur. Notons que
la charge totale du cristal reste nulle, le cristal étant globalement neutre.
Figure 2.5 : dopage d’un monocristal de silicium par un atome de phosphore.

L’électron excédentaire autour de l’atome de phosphore, vis-à-vis de la situation la plus
stable qu’est l’octet, quitte l’atome pour rejoindre la bande de conduction et ioniser
l’atome positivement. Nous constituons un dopage donneur de type n.
Pour résumer, un atome dopant de type donneur :
• donne un électron au réseau cristallin,

• s’ionise positivement,
• crée un dopage de type n.
Dopage de type p ou accepteur

Prenons le cas d’un atome de la colonne III, par exemple l’atome de bore. La couche
externe de cet atome comporte, a priori, 3 électrons, comme représenté sur la figure 2.6. Inclus
dans le réseau cristallin, cet atome va se retrouver avec 7 électrons sur sa couche externe. Dès
que l’énergie thermique sera suffisante, un électron de valence voisin va quitter son orbite pour
venir créer un octet autour de l’atome de bore. Il crée dans ce cas une lacune dans la bande de
29
valence du cristal, c’est-à-dire qu’il crée un trou. Le noyau de l’atome de bore ayant une charge
due à ses protons insuffisante, cet atome va s’ioniser négativement. Cet atome a ainsi un
comportement dopant et puisqu’il a fourni un trou au cristal (dans sa bande de valence), on
l’appelle atome accepteur, puisqu’il accepte un électron. Notons que la charge totale du cristal
reste toujours nulle, le cristal étant globalement neutre.
Figure 2.6 : dopage d’un monocristal de silicium par un atome de bore. L’électron
déficitaire autour de l’atome de bore, vis-à-vis de la situation la plus stable qu’est l’octet,
sera apporté par le réseau qui créera simultanément un trou. Nous constituons un dopage
accepteur de type p.
Pour résumer, un atome dopant de type accepteur :
• donne un trou au réseau cristallin,

• s’ionise négativement,
• crée un dopage de type p.
B. Concentration des porteurs quasi-libres dans un semi-conducteur dopé
concentration des atomes ionisés
Dans le cas d’un atome donneur, à condition que la température soit « suffisamment »
élevée comme nous le verrons dans la suite, nous pouvons écrire la relation de dissociation
suivante :
} ↔ }= + G
Du point de vue statistique, si cette réaction se produit facilement dans le matériau

considéré, c’est que l’énergie d’ionisation de l’atome donneur est relativement faible. En
30
d’autres termes, l’écart énergétique entre un électron lié à l’atome donneur et ce même électron
quasi-libre dans le cristal, c’est-à-dire situé dans le bas de la bande de conduction, sera
relativement faible. On peut alors exprimer le nombre d’atomes ionisés ou plus exactement
leur concentration, en fonction du nombre total d’atomes ou de leur concentration, N ,
D
introduits dans le cristal. Cette concentration tient compte de la statistique d’occupation d’un
niveau d’énergie par un fermion et des échanges possibles entre le niveau de l’électron lié et
+
celui de la bande de conduction. Cette concentration d’atomes donneurs ionisés, ND s’exprime
par :
1
_~= = _~
3 − 3~
1 + 2 hi P j Q
$
(2-20)
ED est le niveau d’énergie donneur, c’est-à-dire le niveau d’énergie statistique auquel se
trouve l’électron lié à l’atome dopant. Le facteur pré-exponentiel, 2, est appelé facteur de
dégénérescence et provient du choix possible ou non de spins différents dans l’échange
énergétique : dans le cas d’un départ de l’atome, le spin de l’électron peut être quelconque,
alors que pour le retour, le spin est imposé par le nuage électronique existant.
Dans le cas d’un atome accepteur, nous pouvons mener un raisonnement analogue, et
nous pouvons écrire la relation d’ionisation suivante :
+ G
↔ G
Du point de vue statistique, si cette réaction se produit facilement dans le matériau

considéré, c’est que l’énergie d’ionisation de l’atome accepteur est relativement faible. En
d’autres termes, l’écart énergétique entre un électron lié à l’atome accepteur et ce même
électron lié au cristal de semi-conducteur, c’est-à-dire situé au sommet de la bande de valence,
sera relativement faible. Nous pouvons alors exprimer la concentration des atomes ionisés en
fonction de la concentration totale d’atome dans le cristal, NA. Cette concentration tient compte
de la statistique d’occupation d’un niveau d’énergie par un fermion et des échanges possibles
entre le niveau de l’électron lié et celui de la bande de valence. Cette concentration d’atomes
-
donneurs ionisés, NA s’exprime par :
31
1
_•G = _~
3 − 3j
1 + 2 hi P • Q
$
(2-21)
E est le niveau d’énergie accepteur, c’est-à-dire le niveau d’énergie statistique auquel

A
se trouve l’électron lié à l’atome dopant. Le facteur pré-exponentiel, 2, est toujours le facteur
de dégénérescence et provient du choix possible ou non de spins différents dans l’échange
énergétique.
cas d’un semi-conducteur de type n
Le semi-conducteur est globalement neutre : la somme des charges positives est égale à
celle des charges négatives. En faisant le bilan des charges présentes, il n’y a que des électrons,
des trous et des ions donneurs.
_~= + i1 = 1 (2-22)
En raisonnant à température ambiante, si l’élément ajouté a effectivement le

comportement de dopant, pratiquement tous les atomes de cet élément sont ionisés, c’est-à-
+
dire ND ≈ ND. Par ailleurs, nous avons vu que le produit p.n était toujours égal au carré de la
2
concentration intrinsèque, n , à l’équilibre thermodynamique. Nous avons donc :
i
i1 . 1 = z
L’équation de neutralité devient :
_~ + =
z
1
1
Charge+ charge-
D’où : 1 − _~ . 1 − z =0
Equation qui admet une solution de type :
32
_~ + Y_~ + 4 z
=
1
2
(2-23)
Ainsi, si _~ ≫ = _~ et i1 =
1€6
z alors : 1 |• (2-24)
Pour donner un exemple classique à 300K, nous supposons une concentration de dopant
de 1017cm-3, la concentration intrinsèque étant de 1,6 1010 cm-3 et la concentration totale
d’atomes de silicium étant de 5. 1022 cm-3, ce dernier calcul se fait à partir du nombre
d’Avogadro, de la masse molaire et de la densité du silicium (2,7g/cm3). La concentration en
électrons est alors de 1017 cm-3 et la concentration en trous de 1,6.103 cm-3. Nous voyons bien
dans ce cas que le décalage des concentrations est énorme puisque les électrons sont cent
trillions de fois plus nombreux que les trous alors qu’ils étaient en quantité identique au départ.
En conclusion, dans un semi-conducteur de type n affirmé,
• les électrons sont majoritaires,

• la concentration en électrons est pratiquement égale à la concentration de dopant,
• les trous sont minoritaires.
cas d’un semi-conducteur de type p

Le semi-conducteur est globalement neutre : la somme des charges positives est égale à
celle des charges négatives. En faisant le bilan des charges présentes, il n’y a que des électrons,
des trous et des ions accepteurs.
_•G + 8 = i8 (2-25)
En raisonnant à température ambiante, si l’élément ajouté a effectivement le

comportement de dopant, pratiquement tous les atomes de cet élément sont ionisés, c’est-à-
-
dire NA ≈ NA. Par ailleurs, nous avons vu que le produit p.n était toujours égal au carré de la
2
concentration intrinsèque, n , à l’équilibre thermodynamique. Nous avons donc :
i
i8 . 8 = z
L’équation de neutralité devient :
33
_• + = i8
z
i8
Charge+ charge-
D’où : i8 − _• . i8 − z =0
équation qui admet une solution du type :
_• + Y_• + 4 z
i8 =
2
(2-26)
Ainsi, si _• ≫ i8 = _• = |€
16
z 8
‚
alors : et (2-27)
En conclusion, dans un semi-conducteur de type p affirmé,
• les trous sont majoritaires,

• la concentration en trous est pratiquement égale à la concentration de dopant,
• les électrons sont minoritaires.
Cas général
Dans le cas général, les deux types de dopants peuvent exister simultanément dans le
matériau. C’est en fait ce qui se passe en pratique pour des raisons purement technologiques.
Le semi-conducteur est toujours globalement neutre et la somme des charges positives est égale
à celle des charges négatives. En faisant le bilan des charges présentes, il y a des électrons, des
trous et des ions accepteurs et donneurs.
_•G + = i + _~= (2-28)
Charge- charge+
Le semi-conducteur sera de type n ou de type p, si à la température considérée, la
concentration en donneurs ionisés ou en accepteurs ionisés respectivement est la plus grande
(le plus nombreux l’emporte).
(|• G|‚ )=Y(|• G|‚ )6 =71€6

Si ND>NA 1 = (2-29)
(|‚ G|• )=Y(|‚ G|• )6 =71€6

i8 =
(2-30)
Si NA>ND
34
Nous pouvons remarquer que si les concentrations des donneurs et accepteurs sont
identiques, le matériau à un comportement intrinsèque. Si mathématiquement ce résultat est
facilement accessible, physiquement il est quasi impossible puisqu’il faudrait des précisions
énormes sur les concentrations des atomes dopants pour espérer avoir un comportement
22
intrinsèque. Puisque la concentration d’atomes de silicium est de 5.10 cm-3, pour avoir un
comportement intrinsèque il faut que la différence des concentrations soit inférieure à ni, c’est-
à-dire à 1010cm-3. Il faut donc une précision ou une pureté chimique du silicium supérieure à
mille milliardièmes pour espérer contrôler le procédé, ce qui n’est jamais atteint !
C. Position du niveau de Fermi – Diagrammes d’énergie
cas d’un semi-conducteur de type n, affirmé
Pour déterminer la position du niveau de Fermi à l’équilibre thermodynamique, il faut

partir des relations (2-7) et (2-9), c’est-à-dire :
3W − 3j i = _X . exp(−
Fk GFd
= _W . exp(− ) (2-7)
$
HI
et ) (2-9)
Dans le cas d’un matériau de type n affirmé, à température ambiante, n ≈ ND, et l’équation
(2-7) devient :
3W − 3j
_~ = _W exp(− )
$
D’où nous déduisons aisément :
_W
3W − 3j = $ %
_~ (2-31)
En appelant Ei, la position du niveau de Fermi dans le cas où le matériau serait intrinsèque,
nous aurions la relation suivante :
= _W . exp(− ) et 3W − 3z = $ %
Fg GF€ |g
z HI |€
_W _W
3W − 3z + 3z − 3j = $ % =$ % + 3z − 3j
_~ z
_~
3j − 3z = $ %
z
35
Le niveau de Fermi se décale donc progressivement du milieu de la bande interdite vers

la bande de conduction lorsque le dopage de type n augmente comme représenté sur la figure
2.7. Il faut se rappeler qu’à 300K, kT=26meV, et que le niveau de Fermi se décale donc de 60meV
chaque fois que le dopage est multiplié par 10 (nous dirons que la variation est de 60 meV par
décade).
Figure 2.7 : position du niveau de Fermi et valeur correspondante des

concentrations de dopants de type n à température ambiante. EF est d’autant plus
proche de la bande de conduction que le dopage est élevé. Nous se limiterons dans
ce cours aux cas pour lesquels EF reste situé dans la bande interdite. A température
ambiante (300K) le décalage est de 60meV par décade de concentration.
cas d’un semi-conducteur de type p, affirmé
Dans le cas où le matériau est de type p affirmé de concentration de dopant accepteur,

NA, à partir de la relation (2-9), nous obtenons :
3j − 3X
_• = _X exp(− )
$
D’où nous pouvons déduire aisément :
_X
3j − 3X = $ %
_•
(2-32)
Ainsi, dans le cas d’un semi-conducteur dopé de type p, le niveau de Fermi se trouvera
d’autant plus près du sommet de la bande de valence, que le matériau sera plus dopé (Figure
2.8).
Il peut être noté que dans ce cours, nous nous limiterons au cas où le niveau de Fermi
reste dans la bande interdite, c’est-à-dire que le dopage reste inférieur à la densité d’états
36
électroniques dans les bandes (N et N ) ; dans le cas contraire, on dit que le semi-conducteur
C V
est dégénéré.
Figure 2.8 : position du niveau de Fermi et valeur correspondante de

la concentration des dopants dans un semi-conducteur de type p affirmé, à
température ambiante. Au plus le dopage est fort, au plus le niveau de Fermi
s’approche de la bande de valence.
cas général en fonction de la température
Dans un cas plus général, il faut tenir compte du fait que les atomes dopants sont ionisés
en fonction de la température, cette température d’ionisation intervenant aux environs de la
température de liquéfaction de l’azote liquide, et que l’activité de création de porteurs dans le
semi-conducteur devient très importante à des températures de plusieurs centaines de degrés
Celsius. Si nous souhaitons comprendre les phénomènes physiques dans les dispositifs dans
une large gamme de température d’utilisation, il faut analyser ces effets.
Nous pouvons réécrire l’équation d’électro-neutralité (2-33) en tenant compte de toutes

les charges en présence (équations 2-7, 2-9, 2-20 et 2-21).
3W − 3j
= _W . exp(− )
$
3j − 3X
i = _X . exp(− )
$
1
_~= = _~
3 − 3~
1 + 2exp( j )
$
37
1
_•G = _•
3 − 3j
1 + 2exp( • )
$
_•G + = i + _~= (2-33)
La détermination de E peut alors se faire graphiquement dans un diagramme semi-

F
logarithmique pour aller rapidement, sachant qu’un calcul analytique est toujours possible.
Les équations ci-dessus s’écrivent aussi :
3j − 3X
ln(i) = % _X −
$
3W − 3j
ln( ) = % _W −
$
3j − 3~
ln(_~= ) = ln(_~ ) − ln(1 + 2 hi )
$
3• − 3j
ln(_•G ) = ln(_• ) − ln(1 + 2 hi )
$
Dans ce diagramme, l’échelle étant semi-logarithmique, on raisonne comme dans le cas

d’un diagramme de Bode (somme des courbes asymptotiques). Les pentes des courbes
résultantes dans les domaines où elles varient exponentiellement sont en 1/kT et dépendent
donc directement de la température. Nous pouvons résoudre l’équation de neutralité
directement sur le graphe en cherchant l’intersection des courbes de la somme des charges
+ -
positives (p et ND ) et de la somme des charges négatives (n et NA ). Nous constatons aisément
que la position de EF dépendra de la température, les pentes variant en 1/kT.
Figure 2.9 : détermination graphique de la position du niveau de Fermi dans

un semi-conducteur. En vérifiant l’équation d’électro-neutralité, on détermine
facilement EF. Les droites inclinées ont une pente proportionnelle à 1/kT
38
Nous pouvons noter que si le dopage de type N est prépondérant, c’est le cas de la figure
2.9, le niveau de Fermi se trouve proche de la bande de conduction. Le niveau de Fermi se
retrouvera au niveau ED lorsque la température sera égale à la température de Fermi, TF, située
autour de 100K. Pour des températures élevées, plusieurs centaines de degrés Celsius (autour
de 1000K), les pentes diminuant, le niveau de Fermi se déplace vers le milieu de la bande
interdite. Lorsque n et p atteignent la valeur supérieure de ND et NA, le matériau retrouve un
comportement intrinsèque (température Ti). Cet aspect sera très important dans la fabrication
des circuits intégrés mais aussi dans les dispositifs fonctionnant à très haute température.
Variations du niveau de Fermi en fonction du type de dopage à température

ambiante
Figure 2.10 : évolution du

nombre de porteurs dans les bandes
d’énergie en fonction de la nature du
dopage et de la concentration des
porteurs. La première figure
correspond au semi-conducteur
intrinsèque, la deuxième au dopage de
type n et la dernière au dopage de type
p. Lorsque le niveau de Fermi est près
de la bande de conduction, la
concentration des électrons augmente
et celle des trous diminue. Le
phénomène est contraire du côté de la
bande de valence. La distribution des
porteurs dans les bandes obéit toujours
à la statistique de Fermi-Dirac.
39
Sur la figure 2.10, nous présentons les différentes situations obtenues lorsque le matériau
est intrinsèque ou dopé de type n puis de type p. Pour les besoins de la figure, les
représentations des concentrations dans les bandes d’énergie ne sont absolument pas à
l’échelle, les variations pouvant être de 10 ordre de grandeurs. Le niveau de Fermi se déplace
vers la bande de valence lorsque le matériau est de type p, vers la bande de conduction lorsqu’il
est de type n.
2.3. Semi-conducteur hors équilibre

2.3.1 Conductivité – Dérive dans un champ électrique
A. Mobilité - Conductivité
De façon générale, lorsque nous appliquons un champ électrique, nous avons tendance à
déplacer les porteurs de charge, électrons et trous. En réalité, le mécanisme physique
d’entraînement par un champ électrique se produit sur des porteurs qui se déplacent de façon
aléatoire, dans toutes les directions de l’espace, dans le matériau, en raison de l’agitation
thermique (aux températures normales de fonctionnement) et qui effectuent un libre parcourt
moyen sans choc. L’ordre de grandeur de ce libre parcourt moyen est de 200 Å, soit environ
une centaine de distances atomiques. Au niveau du choc, un échange d’électrons peut se
produire, comme dans le cas d’un relais. Le champ électrique va agir entre ces chocs. La vitesse
thermique est très grande (107 cm.s-1 à 300K). Les porteurs ont ainsi une vitesse thermique
moyenne, orientée dans toutes les directions de l’espace qui est légèrement modifiée en
imposant une direction statistique préférentielle par la présence du champ électrique.
La figure 2.11 montre de façon très schématique ces phénomènes. Nous ne rentrerons
pas dans les détails au niveau phénoménologique et microscopique et nous n’allons considérer
dans la suite que l’aspect de moyenne statistique.
Figure 2.11 : déplacement

statistique des électrons dans le
semi-conducteur et effet du
champ électrique sur ces
déplacements. Le mouvement
erratique est perturbé par la
présence du champ. Le
déplacement effectif peut être de
plusieurs ordres de grandeurs
plus faible que le déplacement
réel des électrons.
40
La densité de courant d’électrons s’exprime de façon la plus simple par :
1 = (−L). . ††††‡
…†††‡ m1
avec, n, concentration des électrons,
q, charge de l’électron q=1.6 10-19 coulomb
m
††††‡
1 vitesse moyenne des électrons,
…†††‡
1 densité de courant exprimée en général en Ampères par cm .
2
Si, dans un semi-conducteur, nous traçons la vitesse des électrons en fonction du champ
électrique, nous obtenons alors la courbe présentée sur la figure 2.12. Pour les forts champs
électriques, la vitesse sature et tend en pratique vers la vitesse thermique. L’explication
simplifiée de cette limite est que les trajectoires entre chocs sont suffisamment incurvées pour
prendre la direction du champ mais que l’énergie apportée entre ces chocs (et donc sur le libre
parcourt moyen) est négligeable par rapport à l’énergie thermique. Pour les très forts champs
électriques, nous verrons que d’autres phénomènes interviennent.
Figure 2.12 : variation

de la vitesse des électrons dans
le silicium et l’arséniure de
gallium. Pour les champs
faibles, la pente correspond à la
mobilité. Pour les champs
forts, la vitesse tend vers une
limite qui est la vitesse
thermique. Il peut être noté que
le GaAs présente une meilleure
mobilité (rapport 5 environ) et
une survitesse qui est exploitée
dans certains composants très
rapides (HF) (d’après Jacobini
et al., Smith et al., Ruch et al.).
Pour les faibles champs électriques, la courbe réelle est linéarisée et la pente définit la
mobilité des électrons, µ .
n
m‡1 = −ˆ1 . 3†‡
…1 = L ˆ1 3†‡
Ainsi,
†††‡ (2-34)
41
De façon tout à fait analogue, il est possible de définir la mobilité des trous (déplacement
des électrons liés). L’expression de la densité de courant de trous est alors la suivante en se
rappelant que les trous se déplacent dans le même sens que le champ électrique :
…†††‡8 = Liˆ8 3†‡ (2-35)
Ces deux densités de courant sont en fait des courants de dérive dans le champ électrique.
Dans certains ouvrages, ces densités de courant sont appelées courant de conduction, ce qui
est un pléonasme et une terminologie non appropriée pour traduire le phénomène. Nous verrons
dans ce chapitre que d’autres phénomènes permettent la conduction.
Il peut être noté que nous retrouvons la loi d’Ohm, …‡ = ‰3†‡ pour chacun des deux types
de porteur. Avec σ est la conductivité.
On peut donc définir une conductivité pour les électrons, σn, et une conductivité pour les
trous, σp, comme suit :
‰1 = L ˆ1 ‰8 = Liˆ8
Puisque la mobilité est liée au libre parcourt sans choc, il est évident que toute
perturbation du réseau cristallin va entraîner une modification de la mobilité. Tout
particulièrement, l’ajout d’atomes dopants crée des distorsions dans le cristal et affecte la
mobilité qui diminue lorsque le niveau de dopage augmente. La figure 2.13 montre la variation
des mobilités des électrons et des trous en fonction du niveau de concentration d’impureté ou
de dopage, dans le silicium. Notons que c’est la quantité totale d’atomes dopants qui intervient
et non pas le dopage effectif (après compensation éventuelle). Dans un cristal de silicium quasi-
pur, à 300K, la mobilité des électrons est de 1350 cm2/Vs et la mobilité des trous de 480
cm2/Vs.
Figure 2.13 : variation de

la mobilité des électrons et
des trous dans le silicium à
300K en fonction de la
concentration d’impuretés
ou de dopants. (D’après
Beadle, Plummer, and
Tsai).
42
B. Densité totale de courant de dérive dans un champ électrique. Résistivité
L’application d’un champ électrique au semi-conducteur induit la conduction des deux

types de porteurs, simultanément. Les électrons se déplacent au niveau de la bande de
conduction, les trous (et donc les électrons liés) au niveau de la bande de valence. La densité
de courant totale est donc la somme des deux densités de courant.
…‡ŠéŒ = …‡1 + …‡8
…‡ŠéŒ = L ˆ1 3†‡ + Liˆ8 3†‡
…‡ŠéŒ = •L ˆ1 + Liˆ8 Ž 3†‡ = ‰3†‡ (2-36)
Puisque • = , la résistivité du matériau s’exprime par :

•
1
•=
L( ˆ1 + iˆ8 )
(2-37)
Cette résistivité dépend très fortement de la concentration de dopant puisque celle-ci

varie jusqu’à 6 ordres de grandeur. Les mobilités, quant à elles, bien que dépendantes du niveau
de dopage, seront donc beaucoup moins influentes sur l’amplitude de variation de la résistivité.
Exemples numériques :
Pour du silicium intrinsèque, µ = 1350 cm2/Vs, µ = 480 cm2/Vs, ni= n = p = 1,5.1010

n p
cm-3, alors σ = 2,9.10-6 Ω-1.cm-1 et ρ = 3,4.105 Ω.cm
Pour du silicium dopé, nno = ND = 1018 cm-3, pno = 2,2.102 cm-3, µn = 280 cm2/V.s, µp = 90
cm2/V.s, alors σ = 48 Ω-1.cm-1 et ρ = 2,2.10-2 Ω.cm (avec nno et pno sont les concentrations des
électrons et des trous, respectivement, à l’équilibre thermodynamique).
Il peut être noté, que même pour des très forts dopages, la résistivité du semi-conducteur,
bien qu’ayant fortement diminué, reste très supérieure à celle d’un métal dont l’ordre de
grandeur est le µΩ.cm.
La figure 2.14 montre la variation de la résistivité en fonction du niveau de dopage.

L’écart à la linéarité en échelle logarithmique est dû à la variation des mobilités en fonction du
niveau de dopage. Lorsque le dopage atteint le niveau 1016 cm-3, la probabilité d’une interaction
avec un atome dopant durant le libre parcourt moyen augmente fortement ; en effet, à ces
niveaux, on trouve un atome dopant à peu près tous les 100 atomes du réseau soit autour de
200 Å, qui est l’ordre de grandeur du libre parcourt moyen.
43
Figure 2.14 : variation de la

résistivité en fonction du
niveau de dopage pour le
silicium à 300K. La non-
linéarité en échelle
logarithmique est due à la
modification des mobilités
lorsque le dopage atteint
1016cm-3 (d’après Beadle,
Plummer, and Tsai).
2.3.2. Diffusion des porteurs

A. Loi de Fick. Coefficient de diffusion
Le phénomène de diffusion dans son sens le plus général, est un phénomène

thermodynamique résultant de l’accroissement de l’entropie ; ceci signifie que la nature tend
toujours vers la désorganisation maximale, globalement. Si nous considérons des porteurs de
charges, leur mouvement s’effectuera dans une direction qui a tendance à uniformiser leur
distribution spatiale ; ce phénomène est équivalent à celui de l’équilibre de la pression d’un
gaz dans une enceinte, par exemple. La loi de Fick traduit cette tendance ; cette loi s’écrit dans
un repère mono-dimensionnel correspondant à la direction de l’étalement par :
u = −} Š‘
ŠW
La loi de Fick (2-38)
F, est le flux de l’espèce considérée,
C, la concentration de l’espèce,
D, coefficient de proportionnalité aussi appelé coefficient de diffusion,
ce qui s’énonce par : le flux est proportionnel au gradient de concentration. Le signe

moins vient du fait que pour qu’il y ait étalement, le gradient doit être négatif, comme cela est
indiqué sur la figure 2.15.
44
Figure 2.15 : mouvement

des espèces dans le cas
d’un gradient de
concentration. La
tendance est toujours à
l’étalement maximal,
c’est-à-dire à la
disparition du gradient de
concentration.
Cette loi est très générale et s’applique aussi bien aux électrons et trous qu’aux atomes
ou aux ions (cf. cours de technologie microélectronique intégrée)
B. Densités de courant de diffusion
En considérant macroscopiquement la diffusion des électrons et des trous, leur

déplacement est équivalent à un courant. Nous pouvons ainsi exprimer les densités de courant
des électrons et des trous en multipliant le flux des porteurs par la charge élémentaire, négative
pour les électrons et positive pour les trous.
- Cas des électrons :

La figure 2.16 met en évidence le déplacement des électrons par diffusion.
Figure 2.16 : mouvement

des électrons par
mécanisme de diffusion.
La densité de courant est
de sens opposé à celui des
électrons.
1
u=− ’
L
La densité de courant s’exprime par :
^
’1 = +L}1
^h
(2-39)
45
D est le coefficient de diffusion des électrons. Ce coefficient est positif. Par convention,
n
la densité de courant est de sens opposé au déplacement des électrons.
Les électrons se déplaçant vers les x positifs, la charge étant négative, et le gradient de
concentration étant négatif, la densité de courant est négative.
- Cas des trous :
La figure 2.17 met en évidence le déplacement des trous par diffusion. La densité de
courant s’exprime par :
î
’8 = −L}8
^h
(2-40)
Dp est le coefficient de diffusion des trous. Ce coefficient est positif. Par convention, la
densité de courant est de même sens que celui du déplacement des trous. Les trous se déplaçant
vers les x positifs, le gradient de concentration étant négatif, et la charge étant positive, la
densité de courant résultante est positive.
Figure 2.17 :
mouvement des trous
par mécanisme de
diffusion. La densité
de courant de trous est
dans le même sens que
celui du déplacement
des trous.
2
Les coefficients de diffusion, Dn et Dp, s’expriment en général en cm /s. Dans ces unités,
elles sont de l’ordre de grandeur de l’unité, Dn étant toujours un peu supérieur à Dp. Densités
de courant totales dans un semi-conducteur
Nous avons vu que dans un semi-conducteur nous pouvions avoir des courants de dérive
d’électrons et de trous et que la diffusion concernait aussi ces deux types de porteurs. Nous pouvons
ainsi exprimer, dans un modèle unidimensionnel, la densité de courant totale d’électrons, la densité
de courant totale de trous et la densité de courant totale (incluant les deux types de porteurs de
charge).
46
^
’1 = +L}1 + L ˆ1 . 3
^h
(2-41)
î
’8 = −L}8 + Liˆ8 . 3
^h
(2-42)
’ = ’1 + ’8 (2-43)
Remarques : ces équations restent valables tant que le matériau semi-conducteur reste
homogène, et la température constante à travers la structure. Elles sont modifiées quand le
dopage, le gap ou la température varient. Le modèle est ici unidimensionnel ; il permet des
calculs analytiques pas trop complexes. Il est bien évidemment possible de créer un gradient
vectoriel.
2.4. Phénomènes de Génération – Recombinaison

2.4.1. Génération-recombinaison thermique
Nous avons vu qu’à 0K, il n’y avait aucun porteur libre (ou quasi-libre) dans le semi-
conducteur. Le fait de chauffer le matériau permet de donner une énergie suffisante à une
fraction des électrons de valence pour quitter l’état lié et atteindre la bande de conduction. Ce
départ d’un électron correspond à la création simultanée d’une paire électron-trou, phénomène
appelé génération thermique d’une paire électron-trou. Si ce processus n’était pas réversible,
au bout d’un certain temps, tous les électrons de valence se retrouveraient dans la bande de
conduction. Or nous savons que leur nombre est limité à ni, ce qui signifie que statistiquement,
il y a autant de création que de disparition de ces paires, l’équilibre étant atteint, à température
fixée à la valeur de ni correspondante. Le processus global s’appelle génération-recombinaison
thermique. A l’équilibre thermodynamique, ce phénomène se traduit par la constance du
produit p.n.
2.4.2. Génération-lumineuse
En envoyant des photons d’énergie suffisante, au moins égale à celle du gap, on peut
créer une paire électron-trou. Nous pouvons alors définir un terme de génération lumineuse par
GL, qui est une concentration de porteurs créés par unité de volume et unité de temps (cm-3.s-
1
). Nous allons ainsi imposer un excès de porteurs dans le cristal par rapport à l’équilibre
thermodynamique tant que cette génération se produira. En stoppant l’envoi de photons, le
matériau aura tendance à retourner progressivement à l’équilibre thermodynamique. Dans un
élément de volume donné, si ce phénomène est seul à intervenir, nous pouvons écrire :
47
= +”• = +”•
\1 \8
\“ \“
(2-44) (2-45)
2.4.3. Niveaux pièges dans un semi-conducteur

Dans un cristal parfait, il n’existe aucun état électronique dans le gap (bande interdite).
Mais tout cristal perd son aspect idéal dès que nous y introduisons des impuretés, qu’elles
soient dopantes ou non dopantes, ou dès que le matériau présente des défauts
cristallographiques (dislocations, distorsion des angles de liaisons).
Ces perturbations détruisent la périodicité parfaite du cristal et entraînent la création

d’états énergétiques dans le gap qui vont pouvoir être électriquement actifs, c’est-à-dire
permettre des échanges entre les bandes de valence et de conduction et ces états. La figure 2.18
met en évidence que ces états peuvent servir d’intermédiaire entre la bande de valence et la
bande de conduction et vont modifier en particulier la cinétique de ces échanges par rapport à
l’effet thermique pur.
Figure 2.18 : effet des

niveaux pièges sur le
transfert des électrons
entre les bandes de
valence et de conduction.
Le niveau piège sert de
marche intermédiaire.
La figure 2.19 montre de façon détaillée les différents mécanismes possibles. Un piège
peut capturer un électron de la bande de conduction ou émettre un électron vers cette bande.
Un piège peut capturer un trou en envoyant un électron vers la bande de valence ou émettre un
trou en récupérant un électron de valence qui laisse un trou derrière lui. Ces échanges se font
en obéissant à la statistique de Fermi-Dirac. Le processus complet de génération met en jeu
une émission d’un trou et une émission d’un électron (transit de la bande de valence vers la
bande de conduction) alors que la recombinaison met en jeu la capture d’un électron puis d’un
trou (transit de la bande de conduction vers la bande de valence).
48
2.4.4 Résultats de la théorie simplifiée de Shockley-Read-Hall

Tels que représentés figure 2.19, les niveaux pièges vont servir d’étapes intermédiaires
pour les phénomènes de génération et recombinaison. La statistique des porteurs obéit à une
loi exponentielle de la probabilité de transfert entre deux niveaux d’énergie ; pour avoir une
transition complète entre les bandes de valence et de conduction, le trajet se fera par les niveaux
pièges puisque la probabilité de transiter entre les bandes et les pièges est sans commune
mesure supérieure à la transition directe bande à bande. Les niveaux pièges vont donc servir
de marche-pied aux porteurs. La position la plus efficace pour les pièges pour permettre cette
transition sera située en milieu de bande interdite ; pour comprendre simplement ceci, 2
marches de moyenne hauteur sont plus faciles à gravir par un être humain qu’une très petite et
une très grande, cette dernière représentant la difficulté !
Figure 2.19 : mécanismes de génération-recombinaison assistés par pièges. La transition

s’effectue via un piège qui échange un électron avec la bande de conduction ou avec la bande
de valence. Dans ce dernier cas l’électron se recombine avec un trou ou crée un trou en quittant
la bande de valence. Ces échanges sont conditionnés par la statistique de Fermi-Dirac. Pour
avoir une probabilité importante de transfert, le niveau piège doit être situé en milieu de bande
interdite. Pour déterminer le taux de recombinaison génération, il faut exprimer les quatre
processus présentés, émissions et captures des trous et électrons.
49
Ainsi, en ne considérant que les pièges situés en milieu de bande interdite, qui seront les
plus efficaces, on peut déterminer le taux de recombinaison-génération résultant, U, qui traduit
la variation de la concentration de porteurs (électrons ou trous) par unité de temps ; il faut pour
cela exprimer les quatre processus présentés, émissions et captures des trous et électrons. Nous
ne donnons ici que les résultats de ce calcul relativement long qui suppose des simplifications
supplémentaires et qui aboutit à :
1 i. − z
–=
—p i + + 2 z
(2-46)
Avec τo, durée de vie des porteurs,
p, concentration des trous,
n, concentration des électrons,
ni, concentration intrinsèque.
Nous allons analyser dans ce qui suit les différentes situations rencontrées dans le semi-
conducteur qui aboutissent à des comportements différents.
A. Cas d’un semi-conducteur à l’équilibre thermodynamique
Nous avons vu qu’à l’équilibre thermodynamique, l’activité thermique imposait i. = z .

En reportant ce résultat dans l’équation (2-40), on aboutit à :
U=0
Cela signifie que la génération thermique est compensée par la recombinaison et donc
que le bilan de la recombinaison-génération est nul.
B. Cas d’un excès d’électrons et de trous dans le matériau
Nous allons analyser le cas d’un matériau de type n, à température ambiante. En utilisant les
= _~ ˜1p = |€ et en supposant un excès de paires électron-trou,

16
1
•
relations :
∆i1 = ∆ 1 % Lo _~ ≫ ∆i1 ≫ i1p , %n'™ 1 ≈ _~ i1 ≫ i1p io&™Lo i1 = ∆i1 + i1p
Ainsi, d’après la relation (2-46) :
1 i1 . _~ − z
–=
—p i1 + _~ + 2 z
50
Comme _~ ≫ i1 _~ ≫ z
1 i1 − i1p
–= si − t no n' – =
z
—p 1 _~ —p
(2-47)
Ceci signifie que la disparition des porteurs en excès est proportionnelle à l’écart des
concentrations par rapport à l’équilibre thermodynamique. Nous pouvons donner un exemple
pratique :
ND = 1017 cm-3, τo = 10-7 s, ni2 = 2.1020 cm-6, pno = 2.103 cm-3, pn = 1010 cm-3,
17 -3 -1
alors U = 10 cm .s
C. Déficit d’électrons et de trous dans le matériau
Dans certaines conditions que nous verrons plus loin, le semi-conducteur peut être
déserté par les électrons et les trous. En supposant, pour simplifier que : n << ni et p << ni :
–=− , no n' –=−

z z
2. —p . z 2—p
(2-48)
Dans cette expression, le signe moins (U négatif) traduit le phénomène de génération de

paires électron-trou alors que dans la formule (2-41) le signe plus (U positif) traduit un
phénomène de recombinaison.
51

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Chapitre 2 : Semi-conducteurs

2.1 . Densités de porteurs dans les bandes permises

Figure 2.1 : représentation symbolique du mécanisme de déplacement des

- pour les électrons de la bande de conduction qui remontent le champ électrique

Figure 2.2 : représentation symbolique du mécanisme de conduction

B. Masse effective des porteurs de charge

de la courbe E(k) au point considéré. Suivant l’axe cristallographique considéré, la forme de la

- électrons : m*n= 0,9 me

- trous : m*p= 0,5 me

2.1.2. Concentrations des porteurs quasi-libres dans les bandes d’énergie.

d'énergie, NC et NV, sont données par la dérivée de ^_/^3 , soit :

la bande de conduction et E pour la bande de valence, et que le nombre total de places

Ces densités d’états énergétiques correspondent au nombre total de places disponibles

A. Cas de la bande de conduction

Ainsi, pour la bande de conduction, nous pouvons calculer la concentration en électrons

Où f(E) est la fonction de distribution de Fermi.

Ce qui donne pour n :

En posant h = m h = 0 ino' 3 = 3 , l’équation ci-dessus devient :

L’intégrale peut aussi s’écrire :

En remplaçant ce résultat dans l’expression de n on obtient :

Expression que l’on note aussi sous la forme :

la bande de conduction et s’exprime donc par :

B. Cas de la bande de valence

La probabilité de non-occupation correspond au complément à 1 de la probabilité

1 − <(3) ≈ exp P Q = exp P− Q exp(−

En menant le calcul de la même façon que pour n, nous déduisons l’expression de p,

Expression que l’on note aussi sous la forme :

Avec N correspondant au nombre total de places par unité de volume effectivement

électroniques dans la bande de valence et s’exprime donc par :

2.2. Semi-conducteur intrinsèque (extrinsèque) à l'équilibre

En remplaçant n et p par leur expression (2-7) et (2-9), nous obtenons :

à la transition d’un électron lié de la bande de valence vers la bande de conduction).

2.2.1. Concentration intrinsèque

2.2.2. Position du niveau de Fermi dans un matériau intrinsèque

puisque p = n, à partir de ces deux équations nous obtenons :

Ainsi, le niveau de Fermi intrinsèque (correspondant au matériau intrinsèque), se trouve

NV (relations (2.8) et (2.10)).

Puisque k = 8,85.10-5 eV/K, à T = 300K, kT = 26meV. Pour le silicium, à 300K,

ce qui est encore très proche du milieu de la bande interdite.

Figure 2.4 : position du niveau de Fermi intrinsèque dans

2.2.3. Semi-conducteur extrinsèque

Dans un cristal semi-conducteur, il est possible d’introduire des atomes étrangers de

Dopage de type n ou donneur

Figure 2.5 : dopage d’un monocristal de silicium par un atome de phosphore.

Pour résumer, un atome dopant de type donneur :

• donne un électron au réseau cristallin,

Dopage de type p ou accepteur

Pour résumer, un atome dopant de type accepteur :

• donne un trou au réseau cristallin,

concentration des atomes ionisés

Du point de vue statistique, si cette réaction se produit facilement dans le matériau

ED est le niveau d’énergie donneur, c’est-à-dire le niveau d’énergie statistique auquel se

Du point de vue statistique, si cette réaction se produit facilement dans le matériau

E est le niveau d’énergie accepteur, c’est-à-dire le niveau d’énergie statistique auquel

cas d’un semi-conducteur de type n

En raisonnant à température ambiante, si l’élément ajouté a effectivement le

L’équation de neutralité devient :

Equation qui admet une solution de type :

En conclusion, dans un semi-conducteur de type n affirmé,