NABLI LOTFI Cours Electronique

Sommaire
Chapitre 1 : Les semi-conducteurs [Dopage, Jonction PN]
Chapitre 2 : Composants électroniques et mise en œuvre [Jonction PN, Zener,
Transistors bipolaire, Transistors à effet du champs (FET, MOS), ]
Chapitre 3 : Amplificateur de puissance [Différentes classes]
Chapitre 4 : Amplificateur opérationnel [Différentiel, réel, en régime linéaire, en
régime non linéaire]
Chapitre 5 : Les multivibrateurs [Astables et monostables réalisés avec des AOP]
Chapitre 6 : Les filtres actifs (Rauch et Sallen et Key)

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Chapitre 1 :Les Semi-conducteurs

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CH1.1. Définition

Un semi-conducteur est un matériau qui a

les caractéristiques électriques d'un isolant,
mais pour lequel la probabilité qu'un électron
puisse contribuer à un courant électrique,
quoique faible, est suffisamment importante.
En d'autres termes, la conductivité électrique
d'un semi-conducteur est intermédiaire entre
celle des métaux et celle des isolants

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CH1.2. théorie des bandes

La théorie des bandes est une modélisation des valeurs
d'énergie que peuvent prendre les électrons d'un solide à
l'intérieur de celui-ci. De façon générale, ces électrons
n'ont la possibilité de prendre que des valeurs d'énergie
comprises dans certains intervalles, lesquels sont séparés
par des bandes d'énergie interdites. Cette modélisation
conduit à parler de bandes d'énergie ou de structure de
bandes.
Selon la façon dont ces bandes sont réparties, il est
possible d'expliquer au moins schématiquement les
différences de comportement électrique entre un isolant,
un semi-conducteur et un conducteur.

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Lorsque la température tend vers 0 kelvin, on distingue donc trois cas selon le
remplissage des bandes et la valeur du gap.
Premier cas
la bande de conduction est vide et le gap est grand (de l'ordre de 10 eV par exemple).
Le solide ne contient alors aucun électron capable de participer à la conduction. Le solide est
isolant
Deuxième cas
la bande de conduction est vide mais le gap est plus faible (de l'ordre de 1 à 2 eV). Le solide
est donc isolant à température nulle, mais une élévation de température permet de faire
passer des électrons de la bande de valence à la bande de conduction. La conductivité
augmente avec la température : c'est la caractéristique d'un semi-conducteur.
Troisième cas
la bande de conduction est partiellement occupée, même à une température de zéro kelvin,
alors un faible champ électrique peut faire passer un électron aux niveaux d'énergies
supérieurs, sans dépenser beaucoup d'énergie, le solide est alors conducteur.

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CH1.3. Description
Le comportement électrique des semi-conducteurs est généralement modélisé à l'aide de
la théorie des bandes d'énergie. Selon celle-ci, un matériau semi-conducteur possède une
bande interdite suffisamment petite pour que des électrons de la bande de valence puissent
facilement rejoindre la bande de conduction. Si un potentiel électrique est appliqué à ses
bornes, un faible courant électrique apparait, provoqué à la fois par le déplacement des
électrons et par celui des « trous » qu'ils laissent dans la bande de valence.

La conductivité électrique des semi-conducteurs peut être contrôlée par dopage, en
introduisant une petite quantité d'impuretés dans le matériau afin de produire un excès
d'électrons ou un déficit. Des semi-conducteurs dopés différemment peuvent être mis en
contact afin de créer des jonctions, permettant de contrôler la direction et la quantité de
courant qui traverse l'ensemble. Cette propriété est à la base du fonctionnement des
composants de l’électronique moderne : diodes, transistors, etc.

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Le silicium est le matériau semi-conducteur le plus utilisé commercialement, du

fait de ses bonnes propriétés, et de son abondance naturelle même s'il existe
également des dizaines d'autres semi-conducteurs utilisés, comme le germanium,
l'arséniure de gallium ou le carbure de silicium.

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CH1.4. Structure électronique des semi-

conducteurs
1.4.1. Principe
Le comportement des semi-conducteurs, comme celui des métaux et des
isolants est décrit via la théorie des bandes. Ce modèle stipule qu'un électron
dans un solide ne peut que prendre des valeurs d'énergie comprises dans
certains intervalles que l'on nomme « bandes », plus spécifiquement bandes
permises, lesquelles sont séparées par d'autres « bandes » appelées bandes
d'énergie interdites ou bandes interdites.
Lorsque la température du solide tend vers le zéro absolu, deux bandes
d'énergie permises jouent un rôle particulier :

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 la dernière bande complètement remplie, appelée « bande de

valence »
 la bande d'énergie permise suivante appelée « bande de

conduction »
La bande de valence est riche en électrons mais ne participe pas aux
phénomènes de conduction (pour les électrons). La bande de conduction, quant
à elle, est soit vide (comme aux températures proches du zéro absolu dans un
semi-conducteur) soit semi-remplie (comme dans le cas des métaux) d'électrons.
Cependant c'est elle qui permet aux électrons de circuler dans le solide.
Dans les conducteurs (métaux), la bande de conduction et la bande de valence
se chevauchent. Les électrons peuvent donc passer directement de la bande de
valence à la bande de conduction et circuler dans tout le solide.

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Dans un semi-conducteur, comme dans un isolant, ces deux bandes sont

séparées par une bande interdite, appelée couramment par son équivalent
anglais plus court « gap ». L'unique différence entre un semi-conducteur et un
isolant est la largeur de cette bande interdite, largeur qui donne à chacun ses
propriétés respectives.

Dans un isolant cette valeur est si grande (aux alentours de 6 eV pour le

diamant par exemple) que les électrons ne peuvent passer de la bande valence
à la bande de conduction: les électrons ne circulent pas dans le solide.

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Dans les semi-conducteurs cette valeur est plus petite (1,12 eV pour le
silicium, 0,66 eV pour le germanium, 2,26 eV pour le phosphure de gallium
).
 Si on apporte cette énergie (ou plus) aux électrons, par exemple en
chauffant le matériau, ou en lui appliquant un champ électromagnétique, ou
encore dans certains cas en l'illuminant, les électrons sont alors capables
de passer de la bande de valence à la bande de conduction, et de circuler
dans le matériau.

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CH1.5. Modification des caractéristiques

électriques
1.5.1. Semi-conduction intrinsèque
Un semi-conducteur est dit intrinsèque lorsqu'il est pur : il ne comporte
aucune impureté et son comportement électrique ne dépend que de la structure
du matériau. Ce comportement correspond à un semi-conducteur parfait, c'est-
à-dire sans défaut structurel ou impureté chimique. Un semi-conducteur réel
n'est jamais parfaitement intrinsèque mais peut parfois en être proche comme le
silicium monocristallin pur.

Dans un semi-conducteur intrinsèque, les porteurs de charge ne sont créés

que par des défauts cristallins et par excitation thermique. Le nombre
d'électrons dans la bande de conduction est égal au nombre de trous dans la
bande de valence.

Ces semi-conducteurs ne conduisent pas, ou très peu, le courant, excepté si

on les porte à haute température.

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Modification des caractéristiques électriques

1.5.2. Dopage
 Le dopage consiste à implanter des atomes correctement sélectionnés
(nommés « impuretés ») à l'intérieur d'un semi-conducteur intrinsèque afin
d'en contrôler les propriétés électriques.

La technique du dopage augmente la densité des porteurs à l'intérieur du

matériau semi-conducteur. Si elle augmente la densité d'électrons, il s'agit d'un
dopage de type N. Si elle augmente celle des trous, il s'agit d'un dopage de type P.
Les matériaux ainsi dopés sont appelés semi-conducteurs extrinsèques.

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Modification des caractéristiques électriques

1.5.3. Dopage N

Le dopage de type N consiste à augmenter la densité en électrons dans le

semi- conducteur intrinsèque. Pour ce faire, on inclut un certain nombre
d'atomes riches en électrons dans le semi-conducteur.

Par exemple, dans le cas du silicium (Si), les atomes de Si ont quatre
électrons de valence, chacun étant lié à un atome O voisin par une liaison
covalente formant un tétraèdre. Pour doper le silicium en N , on inclut un
atome ayant cinq électrons de valence, comme ceux de la colonne V (VA) de
la table périodique: le phosphore (P), l'arsenic (As) ou l'antimoine (Sb)...

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Modification des caractéristiques électriques

Cet atome incorporé dans le réseau cristallin présentera quatre liaisons

covalentes et un électron libre. Ce cinquième électron, qui n'est pas un électron
de liaison, n'est que faiblement lié à l'atome et peut être facilement excité vers la
bande de conduction. Aux températures ordinaires, quasiment tous ces électrons
le sont. Comme l'excitation de ces électrons ne conduit pas à la formation de
trous dans ce genre de matériau, le nombre d'électrons dépasse de loin le
nombre de trous.

 Les électrons sont des porteurs majoritaires et les trous des porteurs
minoritaires.

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Modification des caractéristiques électriques

1.5.4. Dopage P

Le dopage de type P consiste à augmenter la densité en trous dans le semi-

conducteur intrinsèque. Pour le faire, on inclut un certain nombre d'atomes pauvres
en électrons dans le semi-conducteur afin de créer un excès de trous. Dans
l'exemple du silicium, on inclura un atome trivalent (colonne III du tableau
périodique), généralement un atome de bore.
Cet atome n'ayant que trois électrons de valence, il ne peut créer que trois liaisons
covalentes avec ses quatre voisins créant ainsi un trou dans la structure, trou qui
pourra être rempli par un électron donné par un atome de silicium voisin, déplaçant
ainsi le trou. Quand le dopage est suffisant, le nombre de trous dépasse de loin le
nombre d'électrons. Les trous sont alors des porteurs majoritaires et les électrons
des porteurs minoritaires.
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1.5.5. Jonction P-N

Une jonction P-N est créée par la mise en contact d'un semi-conducteur dopé
N et d'un semi-conducteur dopé P.

Si l'on applique une tension positive du côté de la région P, les porteurs
majoritaires positifs (les trous) sont repoussés vers la jonction. Dans le même
temps, les porteurs majoritaires négatifs du côté N (les électrons) sont attirés
vers la jonction
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Merci pour votre attention

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