Chapitre 3

Semi-Conducteurs

37
3.1. INTRODUCTION

3.1 Introduction

Dans ce chapitre on va étudier les modèles simples de semi-conducteurs intrinsèques et

extrinsèques de type n ou de type p commençant par les notions des bandes énergétiques
où on va distinguer trois types de matériaux. La connaissance de ces modèles permet,
par la suite, de rendre compte du comportement des composants électroniques réalisés à
l’aide des semi-conducteurs tels que diode, transistor bipolaire, etc.... On focalise notre
étude beaucoup plus sur le type de semi-conducteur

3.2 Généralités

3.2.1 Structure de la matière

Les atomes sont formés d’un noyau entouré d’un nuage électronique. Le noyau est
composé de protons, particules élémentaires chargées électriquement à la valeur +e, et de
neutrons, sans charge. Les électrons sont des particules chargées électriquement à la va-
leur -e. Ils tournent autour du noyau sur des orbites définies et ont une masse négligeable
vis à vis des neutrons et protons (qui ont eux environ la même masse). Les électrons se
répartissent sur des orbites différentes qui forment des couches. Les couches sont rem-
plies par les électrons dans un ordre bien déterminé. Quand l’atome possède plusieurs
couches d’électrons, les couches profondes contiennent un nombre d’électrons indépen-
dant de l’atome considéré. C’est la couche périphérique ou la couche de valence qui fait
la différence. Dans la matière, les atomes se combinent entre eux, en mettant en commun
des électrons célibataires de la couche périphérique (électrons de valence), de manière à
lui donner une certaine cohésion. Macroscopiquement, ces liaisons, appelées valences, vont
donner la consistance du matériau : gaz, liquide, solide plus ou moins dur, structure cris-
talline. Le silicium (z=14) de structure électronique (K)2 (L)8 (M )4 , possède 4 électrons
dans la couche de valence (4 électrons de valence).

38 Chapitre 3
3.2. GÉNÉRALITÉS

Electrons
Couche de valence

Orbites

Noyau

Structure d’un atome (silicium)

3.2.2 Cristal

Lorsque des atomes ayant 4 électrons périphériques s’assemblent sous la forme d’un
solide, ils peuvent s’ordonner selon un motif régulier appelé cristal. Dans ce cristal, chaque
atome partage ses électrons avec ses voisins.

3.2.3 Milieux matériels

Selon les propriétés électriques, les matériaux sont classés en trois catégories :

Conducteurs :

Les metaux tels que le cuivre (Cu), l’or (Au) et l’argent (Ag)... sont des conducteurs de
courant électrique. La présence d’électrons libres dans la couche péripherique est à l’origine
de la conductivité électrique. A temperature ambiante la résistivité ρ des conducteurs est
très faible ρ ≤ 10−5 Ωcm.
 Remarque : ρ augmente si T augmente.

39 Chapitre 3
3.2. GÉNÉRALITÉS

Isolants

Dans le cas des matériaux isolants, on a affaire à des liaisons de type covalente : les
électrons célibataires de la couche périphérique forment tous des liaisons avec leurs ho-
mologues issus d’autres atomes adjacents. Les liaisons sont robustes, et les charges poten-
tiellement mobiles (les électrons) restent liées aux atomes auxquelles elles appartiennent.
Les materiaux qui ont une resistivité ρ très forte (ρ ≥ 1010 Ωcm) sont des isolants (ma-
teriaux non conducteurs de courant electrique). Parmi ces matériaux ; le verre, le bois et
les matières plastiques ....

Semi-conducteurs

Entre les métaux et les isolant se trouvent les semi-conducteurs (SC) dont la résistivité
varie 10−3 à 105 Ωcm. Un semi-conducteur peut etre soit pur auquel cas il est dit "intrin-
sèque", soit dopé par des impuretés auquel cas il est dit "extrinsèque". Remarque : Dans
le cas des semiconducteurs : ρ diminue si T augmente. ρ peut varier considérablement en
présence d’impuretés (dopage).
Exemple :
- Semi-conducteur intrinsèque : la resistivité du silicium pur est de l’ordre de 103 Ωcm.
- Semi-conducteur extrinséque : la resistivité du silicium dopé par le Bore ou le phosphore
est de l’ordre de 10−2 Ωcm.

3.2.4 Notion de bande d’énergie :

Dans un cristal, du fait d’un grand nombre d’atomes, il y aura des interactions, et
les niveaux d’énergie discrets deviennent des bandes d’énergie occupées par les électrons
appelées : bande de conduction et bande de valence, et des bandes interdites.
Bande de valence : c’est l’ensemble des niveaux d’énergie qui peuvent être occupés par les
électrons de valence. Ces derniers fournissent les liaisons de covalence entre les différents
atomes d’un solide.
Bande de condition : elle regroupe les niveaux d’énergie qui peuvent être occupés par les
électrons qui arrivent de la bande de valence, dite les électrons de conduction (ou les
électrons libres) et qui sont responsables de la conduction d’électricité.
Les bandes sont séparées par une région inoccupée appelée bande interdite, dont la largeur
correspond à l’énergie du gap Eg (ou un écart énergétique). Selon la largeur de la bande
interdite on peut distinguer trois types de matériaux :

40 Chapitre 3
3.3. SEMICONDUCTEUR NON DOPÉ ET DOPÉ

E (eV) E (eV) E (eV)

Bande de conduction
Bande de conduction
Bande de conduction
Un grand écart énergétique
entre les bandes. Les électrons
Eg de valence ne peuvent sauter Bande de valence

vers la bande de conduction.

Bande de valence

Bande de valence

Semi conducteur Conducteur

Isolant
Diagrammes de bandes d’énergie d’un isolant, semi-conduteur et conducteur

Un semi-conducteur possède un écart énergétique plus restreint, permettant à quelques

électrons de sauter vers la bande de conduction et devenir des électrons libres.
Matériau Eg (eV) Remarque
C 5,5 isolant à T=300 K
Si 1,12 semi-conducteur à T=300 K
Ge 0,67 semi-conducteur à T=300 K

Exemples : Energie de gap Eg de carbone, silicium et germanium ( énergie minimale pour

créer une paire électron-trou.)

3.3 Semiconducteur non dopé et dopé

3.3.1 Semiconducteurs intrinsèques

Un semi-conducteur intrinsèque est un SC pur qui ne possède aucun atome étranger.

Les éléments uniques les plus utilisés pour les semi-conducteurs sont le Silicium et le
Germanium (colonne IV), qui se cristalisent en engageant des liaisons covalantes.

41 Chapitre 3
3.3. SEMICONDUCTEUR NON DOPÉ ET DOPÉ

Liaisons
covalentes

Grâce à l’organisation cristalline, chaque atome est entouré de quatre atomes voisins
qui vont combiner leurs électrons de valence de fait que chaque atome se trouve entourer
de huits électrons périphériques donc la liaison très stable.
 Remarque : A très basse température (T≈ 0 K) : Les liaisons covalentes sont faibele-
ment brisées. Le semi-conducteur est alors isolant.
Dès que la température augmente, l’agitation des atomes entre eux va bousculer l’ordre
établi et des électrons périphériques peuvent se retrouver arrachés à la liaison cristalline

42 Chapitre 3
3.3. SEMICONDUCTEUR NON DOPÉ ET DOPÉ

des atomes. Ces électrons se retrouvent à une distance des noyaux qui leur permet de se
déplacer dans la plaquette de silicium. Le semi-conducteur est alors conducteur. L’ordre

e- libre

trou

de grandeur de l’energie d’agitation thermique, liée à la temperature T (en K), est kB T ,

avec kB , la constante de Boltzmann, qui vaut : kB = 8, 6 ∗ 10−5 eV.K −1 .

3.3.2 Conduction des semi-conducteurs

Electrons de conduction et Notion de trous

Un cristal de silicium intrinsèque (pur ) à la température ambiante tire de l’énergie

thermique de l’air environnant. Quelques électrons de valence absorbent alors l’énergie
suffisante pour traverser l’écart entre la bande de valence et la bande de conduction,
devenant ainsi des électrons libres de dévier, non liés à l’atome. Les électrons libres sont
aussi appelés électrons de conduction, où leur densité est noté n.
L’augmentation de la température fait croître l’énergie de l’électron et le libère de la bande
de valence, mais en quittant cette dernière, il laisse un vide qui se manifeste comme une
absence d’une charge négative. Cette absence est interprétée comme la présence d’une
charge positive appelée trou, où leur densité est noté p. Donc l’agitation thermique crée
des paires ”électron - trou” dont le nombre est qualifié par la concentration intrinsèque

43 Chapitre 3
3.3. SEMICONDUCTEUR NON DOPÉ ET DOPÉ

ni :
−Eg
ni (T ) = AT 3/2 exp( )
2KB T
A : constante dépendant du type de semi-conducteur.
KB : constante de Boltzman.

Electron libre
Bande de conduction

Création d’une paire électron-trou

dans un atome excité de silicium.
Eg Un électron dans la bande de
conduction est un électron libre
Bande de valence Trou

Exemple : pour le silicium : ni (T = 300K) ≈ 1, 5 ∗ 1010 cm−3 . pour le germanium :

ni (T + 300K) ≈ 2, 4 ∗ 1013 cm−3 .

Conductivité électrique d’un semiconducteur :

Pour un semi-conducteur, la conductivité s’exprime en fonction des densités de por-

teurs et de leurs mobilités. La conductivité a donc pour expression :

σ = σn + σp = e(µn n + µp p)

qui, dans le cas d’un semiconducteur intrinsèque se réduit à

σ = eni (µn µp )

Avec µn la mobilité pour les électrons, µp la mobilité pour les trous, n est la densité des
porteurs électrons, p est la densité des porteurs trous et ni est la concentration intrinsèque

44 Chapitre 3
3.3. SEMICONDUCTEUR NON DOPÉ ET DOPÉ

de chaque type de porteurs libres.

Exemple : Pour le silicium pur à température ambiante on a : µn ≈ 0, 12m2 /V.s,
µn ≈ 0, 05m2 /V.s et nn = np = ni = 1, 5 ∗ 1016 m−3 . Calculer la conductivité.

3.3.3 Semiconducteur extrinsèque : Dopage

Afin d’améliorer la conduction d’un semi-conducteur, les fabricants injectent dans
une plaquette semi-conductrice, des matériaux étrangers (ou impuretés) qui possèdent
un nombre d’électrons périphériques juste inférieur ou juste supérieur aux 4 électrons du
semi-conducteur.
Ce procédé, appelé dopage, permet d’augmenter le nombre de porteurs de courant (
électrons et trous ). Les catégories d’impuretés sont de type N et de type P.

Dopage par donneurs :

Pour augmenter le nombre d’électrons de la bande de conduction dans un silicium

intrinsèque, on ajoute des atomes d’impureté pentavalents. Ce sont des atomes possédants
cinq électrons périphériques, tels l’arsenic ( As), le phosphore ( P), le bismuth ( Bi) et
l’antimoine ( Sb). Ces atomes sont susceptibles de donner un électron libre. On parle
d’un dopage de type N. Dans un semi-conducteur de type N, les électrons libres sont
majoritaires alors que les trous sont minoritaires.
Electro
ctron libre de l’atome
d’arsen
rsenic

Atome d’impu
impureté pentavalent
dans un crista
ristal de silicium. Un
atome d’impu
impureté d’arsenic (As)
est illustréé au centre

Représentation schématique de la substitution d’un atome d’arsenic à un atome de sili-

cium.

45 Chapitre 3
3.3. SEMICONDUCTEUR NON DOPÉ ET DOPÉ

Dopage par accepteur :

Pour augmenter le nombre de trous dans le silicium intrinsèque, on ajoute des atomes
d’impureté trivalents. Ce sont des atomes avec trois électrons de valence, tels l’aluminium
( Al ), le bore (B) et la gallium ( Ga). Ces atomes sont susceptibles d’accepter un électron
de valence. On parle d’un dopage de type P. Le nombre de trou peut être contrôlé
par la quantité d’impureté trivalents ajoutée au silicium. Un trou crée par cette méthode
de dopage n’est pas accompagné d’un électron de conduction ( libre). Dans un semi-
conducteur de type P, les trous sont majoritaires et les électrons sont minoritaires.

Trou de l’atome de Bore

Atome d’impureté trivalent dans

un cristal de silicium. Un atome
d’impureté de Bore (B) est illustré
au centre

Représentation schématique de la substitution d’un atome de bore à un atome de silicium..

3.3.4 Populations des porteurs de charge dans le régime extrin-

sèque

Les populations des porteurs de charge sont régies par deux équilibres :
l’équilibre entre la création et la recombinaison de paires électron-trou, qui est exprimé
par :
−Eg
np = n2i = A2 T 3 exp( ) (3.1)
KB T

46 Chapitre 3
3.3. SEMICONDUCTEUR NON DOPÉ ET DOPÉ

Où n et p sont respectivement les densités volumiques des électrons et des trous.

l’équilibre électrique (ou neutralité électrique), qui conduit à la relation :

p + Nd = n + Na (3.2)

Où Na et Nd représentent les concentrations en atomes accepteurs et donneurs ionisés.

Exemple d’un dopage de type n :
dopage de type n avec Nd ≫ ni (en supposant que Na = 0). Equations d’équilibre :

np = n2i

p + Nd = n

On s’attend à ce que les électrons, issus des donneurs, soient plus nombreux que les trous,
issus de la génération thermique : p ≪≪ n

=⇒

n ≈ Nd

=⇒
n2i n2
p= ≈ i
n Nd

47 Chapitre 3