Diode

LA DIODE
A.RIEUBLANC
LA DIODE
La diode est un composant électronique qui appartient au domaine des semi-conducteurs.
GÉNÉRALITÉS SUR LES SEMI-CONDUCTEURS

Un semi-conducteur. est un corps dont la résistivité (r) est intermédiaire entre celle d’un conducteur
et celle d’un isolant.
Conducteur ᵨ10-8 Ωm
S.C ᵨ 10-4 à 10-8 Ωm
Isolant ᵨ 1010 Ωm
Par ailleurs, leur résistance électrique diminue avec l’élévation de température (a<0).Tous les
composants électroniques sont sensibles à l’élévation de température.
•Le dopage ou S.C extrinsèque (S.C avec des impuretés)
S.C de type N (Négatif)

On dope un S.C avec un matériau ayant des atomes comportant 5 e- sur l’orbite périphérique :
antimoine, phosphore, arsenic. Les électrons sont alors majoritaires car il y a 1 e- en trop pour une
structure stable. C’est un donneur d’électron, on dit qu’il est de type N.
S.C de type P (Positif)

On dope un S.C avec un matériau ayant des atomes comportant 3 e- sur l’orbite périphérique : bore,
gallium, indium. Pour une structure atomique stable (4 e-) il lui manque 1 e-. C’est un accepteur
d’électron, on dit qu’il est de type P.
Plus un semi-conducteur est dopé et plus sa résistivité diminue.
La diode ou jonction PN
Anode (A), Cathode (K) PN jonction
Par des moyens industriels, on fusionne un S.C dopé P avec un S.C dopé N.
A l’endroit de la jonction les atomes se recombinent (donneur et accepteur d’e-) formant une zone
neutre d’un point de vue électrique. Cette zone neutre est appelée barrière de potentiel ou seuil de
conduction.
A.RIEUBLANC
LA DIODE
•Représentation
Physiquement Schéma
•La diode un dipôle non linéaire
•Diode idéale
C’est un dipôle électrique unidirectionnel dont les bornes
sont l’anode (A) et la cathode (K).
En polarisation directe c’est-à-dire si UA > UK la résistance de
la diode est nulle. Elle se comporte alors comme un
interrupteur fermé.
En polarisa:on inverse (UA < UK), on a : R = ∞ .
La diode est équivalente à un interrupteur ouvert.
Une diode idéale ne dissipe donc aucune puissance
•Diode réelle à semi-conducteur

L’anode est la zone P d’une jonction P-N.
La zone de type N est la cathode.
En polarisation inverse, le courant inverse est
très faible mais il croît rapidement avec la température de la
jonction.P
En polarisation directe, au-delà de la tension
de seuil (VS ≈ 0,6 V U pour le silicium), la diode est
conductrice.
On peut définir en chaque U seuil point P de
la caractéristique une résistance statique (trait bleu) :nA RS =
V/I et une résistance dynamique (trait vert) : rD = dV/dI
Au-delà de la tension de seuil, la résistance dynamique est sensiblement constante
LA DIODE EN CONTINU
•Caractéristiques directe (la polarité + sur l’anode)
A.RIEUBLANC
LA DIODE
UAK Germanium = 0,3V

UAK Silicium = 0,65V (on utilise
pour le calcul 0,7V)
Le seuil de conduction diminue avec

l’élévation de température.
Si= 2,3 mV par °C
Ge= 2,1 mV par °C
•Caractéristique inverse (la polarité – sur l’anode)
A.RIEUBLANC
LA DIODE
•Exemple de caractéristiques d’une diode : 1N4007
CONTRÔLE D’UNE DIODE
Contrôle statique (hors tension) à l’ohmmètre
Contrôle statique (hors tension) au test diode
Contrôle dynamique (sous tension)
La mesure s’effectue avec un multimètre en position (Voltmètre en continu)
Source de tension continue :

si diode passante = 0,7 V (maximum 1V)
si diode bloquée = suivant source d’alimentation
A.RIEUBLANC
LA DIODE
Association de diodes
En série :
la caractéristique du dipôle équivalent s’obtient graphiquement en considérant que la
tension aux bornes de l’ensemble est la somme des tensions aux bornes des deux diodes.
On peut aussi utiliser cette construction pour étudier l’association d’une diode avec un autre
dipôle passif comme par exemple une résistance pure
En parallèle :
on peut utiliser une construction analogue en considérant cette fois qu’il y a additivité des courants
dans les deux dipôles.
L’association en parallèle des deux diodes ne présente aucun intérêt pratique car tout le courant
traverse la diode dont la tension de seuil est la plus faible.
A.RIEUBLANC
LA DIODE
EXERCICE
Calculer le courant I ou les courants I1 et I2 dans chaque diode
A.RIEUBLANC
LA DIODE
A.RIEUBLANC
LA DIODE
LES DIODES PARTICULIÈRES
Diode de commutation rapide (diode Schottky)
Ce sont des diodes qui ont des temps de commuta:on très courts (bloquée → passante
→ bloquée). On peut les employer avec des signaux ayant une fréquence de l’ordre du MHz
voir du GHz.
• Une diode de commutation particulière : la diode Schottky :
Fréquence de travail : GHz
U AK = 0,2V
Dopage à l’or
LED ou DEL ( Light Emitting Diode / Diode Electroluminescente)
La tension U AK dépend de la couleur de la LED et cette couleur dépend de la nature du matériau

utilisé pour le dopage de la jonction
• Infrarouge : U AK = 1,3V – dopage à l’arséniure de gallium

• Rouge : U AK = 1,6V – dopage au phospho-arséniure de gallium
• Verte : U AK = 2,3V – dopage au phosphure de gallium
• Intensité directe maximum : I FM = 50mA.

• La tension inverse supérieure à 5V est destructrice. (U RM )
• Exemple :
A.RIEUBLANC
LA DIODE
La diode zéner
• En polarisation directe (+ sur anode), elle se comporte comme une diode

normale (U AK = 0,7V).
• En polarisation inverse (+ sur cathode), elle a la particularité de stabiliser la
tension à ses bornes.
Puissance dissipée par une zener : P = U Z x I Z

Exemple : une zener de 1W stabilisant à 5,6V
I ZM = P / U Z = 1 / 5,6 = 0,178 = 178mA
Exercice :
A.RIEUBLANC
LA DIODE
La photodiode
Elle s’utilise en polarisation inverse
I = 0A dans l’obscurité
I= qqes µA en éclairement
Applications : mesure d’éclairement, capteurs optiques, asservissement.

Le temps de réponse est minime (fréquence d’utilisation pouvant aller au GHz), mais elles
pilotent des courants faibles
Les opto-coupleurs
Un opto-coupleur est composé d’un émetteur (généralement une led infrarouge) et d’un
récepteur (une photodiode ou plus souvent un phototransistor)
L’avantage d’un optocoupleur est l’isolation galvanique entre le récepteur et l’émetteur

(environ 4kV)
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GÉNÉRALITÉS SUR LES SEMI-CONDUCTEURS

•Le dopage ou S.C extrinsèque (S.C avec des impuretés)

S.C de type N (Négatif)

S.C de type P (Positif)

Plus un semi-conducteur est dopé et plus sa résistivité diminue.

Anode (A), Cathode (K) PN jonction

•La diode un dipôle non linéaire

•Diode réelle à semi-conducteur

UAK Germanium = 0,3V

Le seuil de conduction diminue avec

•Caractéristique inverse (la polarité – sur l’anode)

CONTRÔLE D’UNE DIODE

Contrôle statique (hors tension) à l’ohmmètre

Contrôle statique (hors tension) au test diode

Contrôle dynamique (sous tension)

La mesure s’effectue avec un multimètre en position (Voltmètre en continu)

Source de tension continue :

Diode de commutation rapide (diode Schottky)

LED ou DEL ( Light Emitting Diode / Diode Electroluminescente)

La tension U AK dépend de la couleur de la LED et cette couleur dépend de la nature du matériau

• Infrarouge : U AK = 1,3V – dopage à l’arséniure de gallium

• Intensité directe maximum : I FM = 50mA.

• En polarisation directe (+ sur anode), elle se comporte comme une diode

Puissance dissipée par une zener : P = U Z x I Z

Elle s’utilise en polarisation inverse

Applications : mesure d’éclairement, capteurs optiques, asservissement.

L’avantage d’un optocoupleur est l’isolation galvanique entre le récepteur et l’émetteur

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