Mémoires à sc Informatique Industrielle

LES MEMOIRES A SEMI-CONDUCTEURS

Introduction
Les mémoires sont des dispositifs qui permettent de conserver puis de restituer les données
binaires.
Cette information, quelle que soit sa nature, doit être décomposée en une suite ordonnée
d’éléments binaires ou bits. Le bit représente l’unité d’information élémentaire.

La réalisation technique des mémoires repose sur divers principes : les mémoires magnétiques, les
mémoires optiques et les mémoires à semi-conducteurs.

I. Généralités sur les mémoires

1. Définition d’une mémoire
Les mémoires étant des dispositifs qui permettent de conserver puis de restituer des données
binaires, l’enregistrement de ces données dans la mémoire est appelé opération d’écriture
(WRITE) et leur restitution est l’opération de lecture (READ). Comme le montre la figure ci-
dessous, une mémoire peut être considérée comme un ensemble de cases mémoires ; chaque
case qui peut contenir un bit ou un ensemble de N bits appelé mot, est identifiée par un numéro
appelé adresse. Le dispositif de stockage associé s’appelle « point mémoire » ou cellule.
Donc afin de pouvoir lire ou écrire une information en mémoire, il faut connaître l’adresse à
laquelle elle a été stockée ou à laquelle elle va être écrite.

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Le nombre de fils d’adresses d’un boîtier mémoire définit donc le nombre de cases mémoire que
comprend le boîtier. Le nombre de fils de données définit la taille des données que l’on peut
sauvegarder dans chaque case mémoire.

On peut schématiser un circuit mémoire par la figure suivante où l’on peut distinguer :

Les entrées d’adresses.

Les entrées de données.
Les sorties de données.
Les entrées de commandes :
 Une entrée de sélection de lecture (Read) ou d’écriture (write). (R/W).
 Une entrée de sélection du circuit. (CS)

Une opération de lecture ou d’écriture de la mémoire suit toujours le même cycle :

 sélection de l’adresse
 choix de l’opération à effectuer (R/W)
 sélection de la mémoire (CS = 0)
 lecture ou écriture de la donnée

2. Caractéristiques d’une mémoire

Une mémoire est caractérisée par :

 La capacité : dite aussi taille de la mémoire, elle correspond au nombre total de bits que
contient la mémoire. Elle s’exprime aussi souvent en octet.
La table suivante résume les préfixes utilisés pour exprimer les capacités des mémoires :

 Le format des données : c’est le nombre de bits que l’on peut mémoriser par case
mémoire. On dit aussi que c’est la largeur du mot mémorisable (mot de 8, 16, 32 ou 64
bits).
 Le temps d’accès : c’est le temps qui s'écoule entre l'instant où a été lancée une opération
de lecture/écriture en mémoire et l'instant où la première information est disponible sur le
bus de données.( temps écoulé entre une demande de lecture et la présence de
l'information sur la sortie de la mémoire ).

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 Le temps de cycle : il représente l'intervalle minimum qui doit séparer deux demandes
successives de lecture ou d'écriture.( durée minimale à respecter entre deux accès à la
mémoire)
 Le débit : c’est le nombre maximum d'informations lues ou écrites par seconde.
 Mode d’accès à l’information : On distingue de ce point de vue deux grands types de
mémoires:
 Les mémoires à accès aléatoire ou direct, c’est-à-dire les circuits pour lesquels
chaque mot est accessible directement et individuellement grâce à une étiquette ou
adresse.
 Les mémoires à accès séquentiel, dont la bande magnétique est un exemple. Elles
sont caractérisées par une répartition des informations en file. Un mot est repéré
par sa position dans une suite d’éléments. C’est l’ordre d’enregistrement qui est
alors conservé.
3. Organisation d’une mémoire

Du point de vue de l’utilisateur, une mémoire est, en première approche, un tableau

contenant des informations binaires. On appelle organisation d’une mémoire les dimensions de ce
tableau. Elle est exprimée en mots de n bits, où n représente le nombre de colonnes du tableau.

Exemples:
 Une mémoire de 64K x 1 est constituée de 64K mots de 1 bit. Sa capacité est donc de 64K
bits.
 Une mémoire de 8K x 8 a également une capacité de 64K bits, mais le nombre de lignes du
tableau, donc le nombre de mots, est de 8K.
4. Notion de hiérarchie mémoire

Une mémoire idéale serait une mémoire de grande capacité, capable de stocker un maximum
d’informations et possédant un temps d’accès très faible afin de pouvoir travailler rapidement sur
ces informations. Mais il se trouve que les mémoires de grande capacité sont souvent très lentes
et que les mémoires rapides sont de petites tailles et très chères.

On utilise des mémoires de faible capacité mais très rapide pour stocker les informations dont le
microprocesseur se sert le plus et on utilise des mémoires de capacité importante mais beaucoup
plus lente pour stocker les informations dont le microprocesseur se sert le moins.

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Ainsi on du point de vue utilisation de la mémoire par le microprocesseur on a une certaine

hiérarchisation qui s’établit comme suit :

Hiérarchie mémoire
 Les registres sont les éléments de mémoire les plus rapides. Ils sont situés au niveau du
processeur et servent au stockage des opérandes et des résultats intermédiaires.
 La mémoire cache est une mémoire rapide de faible capacité destinée à accélérer
l’accès à la mémoire centrale en stockant les données les plus utilisées.
 La mémoire centrale est l’organe principal de rangement des informations. Elle contient
les programmes (instructions et données) et est plus lente que les deux mémoires
précédentes.
 La mémoire d’appui sert de mémoire intermédiaire entre la mémoire centrale et les
mémoires de masse. Elle joue le même rôle que la mémoire cache.
 La mémoire de masse est une mémoire périphérique de grande capacité utilisée pour le
stockage permanent ou la sauvegarde des informations. Elle utilise pour cela des supports
magnétiques (disque dur, clé usb ..) ou optiques (CDROM, DVDROM).

II. Les Mémoires à semi-conducteur.

Mémoires à semi-
conducteurs

Mémoires mortes Mémoires Vives

Accès aléatoires Accès

RAM séquentiels
ROM PROM OTPROM EEPROM (piles)
UVPROM
FLASH EPROM

Statique FIFO LIFO

Dynamiq
ue
II.1. Les mémoires vives
1. Les mémoires RAM (Random Access Memories)

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L’appellation RAM signifie littéralement « mémoire à accès aléatoire ». Ceci qualifie

l’organisation et non la nature (écriture ou lecture) de l’accès à l’information. Suivant la structure
du point mémoire utilisé, il existe deux types de mémoires RAM:
 Les mémoires vives statiques (RAM statiques ou SRAM). Elles conservent l’information tant
que le circuit reste sous tension. Le bit mémoire d'une RAM statique (SRAM) est composé
d'une bascule. Chaque bascule contient entre 4 et 6 transistors.

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 Les mémoires vives dynamiques (RAM dynamiques ou DRAM), dont le point mémoire est
associé à un condensateur. L’information est représentée par la charge du condensateur.
Cependant la décharge naturelle de celui-ci ne permet la conservation de l’information que
pendant un temps relativement court (de l’ordre de quelques millisecondes). Les mémoires
dynamiques doivent donc être réécrites périodiquement; cette opération s’appelle le
(rafraîchissement).

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2. Les piles

Ce sont des mémoires vives à accès séquentiel. Suivant l’ordre d’entrée et de sortie plusieurs
appellations leur sont données:
 les piles FIFO (first in - first out ou premier entré - premier sorti) sont des circuits pour
lesquels les informations sont disponibles en sortie dans l’ordre d’entrée (file d’attente);
 les piles LIFO (last in - first out ou dernier entré - premier sorti), pour lesquelles les
informations sont disponibles en sortie dans l’ordre inverse de leur entrée (exemple: une
pile d’assiettes).

II.2 Les mémoires mortes

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Les mémoires mortes sont appelées des ROM (Read Only Memories = mémoires à lecture
seule), car en usage normal elles sont destinées uniquement à être lues (l’opération d’écriture
étant considérée comme un événement exceptionnel).

On distingue plusieurs types de mémoires mortes suivant les possibilités d’écriture voire
d’effacement des informations:

 Les ROM proprement dites, qui sont «écrites» une fois pour toutes lors de la fabrication du
circuit.

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 Les PROM (Programmable ROM = ROM programmable) désignent les circuits pour lesquels
l’utilisateur peut, par destruction de fusibles ou de jonctions, inscrire lui-même les
informations dans les cellules mémoires : ce sont les OTP (one time programmable).

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 Les EEPROM ou EAROM (Electrically Erasable PROM ou, Electrically Alterable ROM soit
PROM effaçable ou modifiable électriquement) constituent une catégorie de mémoires
mortes pour lesquelles le contenu est modifiable électriquement.

 Les UVPROM ou EPROM des mémoires mortes effaçables, par exposition aux
rayonnements ultra-violets.

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 FLASH EPROM : Les mémoires FLASH sont similaires aux mémoires EEPROM, mais
l’effacement peut se faire sélectivement par blocs et ne nécessite pas le démontage du
circuit. La Flash EPROM a connu un essor très important ces dernières années avec le
boom de la téléphonie portable et des appareils multimédia (appareil photo numérique,
lecteur MP3, etc...).

III. Mise en œuvre des boîtiers mémoire

Etant donné la structure même des circuits mémoire à accès aléatoire, trois groupes de signaux
s’avèrent nécessaires:
 les adresses,
 les données,
 les commandes.
Dans un système numérique, l’ensemble des fils véhiculant une information (donnée, adresse,
commande) est communément appelé bus.
On distingue donc dans un système comportant ces types de circuit trois bus :
 Le bus d’adresse (BA), qui présente le numéro du mot sélectionné. Physiquement il est
constitué de m fils; on peut alors accéder à 2 m mots mémoires. Ce bus est unidirectionnel,
en effet l’utilisateur impose toujours l’adresse, et l’information est donc propagée à sens
unique.
 Le bus de donnée (BD), composé de n fils, est par contre bidirectionnel dans le cas des
mémoires vives. En effet les données sont soit imposées par le circuit mémoire dans le cas
d’une lecture, soit imposées par l’utilisateur dans le cas d’une écriture.
 Le bus de commande, de dimension variable suivant les systèmes, comprend généralement
les signaux suivants:
o CS ou CE (Chip Select ou Chip Enable) représente l’entrée de sélection d’un boîtier.
Dans la plupart des cas cette entrée est active au niveau électrique bas. La barre de
complément logique est alors placée sur le symbole de la commande.Cette entrée
permet l’activation ou non du boîtier. Ceci est particulièrement utile dans le cas
d’architecture mettant en oeuvre plusieurs circuits mémoires partageant les
mêmes bus. Seul le boîtier sélectionné a alors accès aux bus de données.
o 0E (output enable) est une commande parfois utilisée en plus de la sélection du
boîtier, pour contrôler l’activité des amplificateurs de sortie. Elle assure une
sécurité supplémentaire dans la gestion des bus. (On parle de conflit de bus

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lorsque deux circuits essayent en même temps d’imposer des valeurs sur les
mêmes fils, ceci pouvant entraîner la destruction des circuits.)
o R/W ou WE (Read/ Write ou Write Enable). Cette entrée n’a de raison d’être que
dans le cas des mémoires vives. Elle constitue la commande d’écriture des données
en mémoire.
o D’autres commandes peuvent être ajoutées afin de répondre à certains emplois
spécifiques de circuits particuliers. Citons les entrées de programmation des ROM
programmables, les commandes de rafraîchissement des mémoires dynamiques, la
sortie MRDY (Memory Ready - mémoire prête) de certains boîtiers, etc.
Enfin signalons la possibilité de fournir l’adresse d’un mot mémoire en deux temps, adresse ligne
puis adresse colonne. Sont alors associées deux entrées appelées /CAS et /RAS (Column Address
Select et Row Address Select)

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