Présentation CI
Présentation CI
Présentation CI
02
Les étapes de fabrication des CI
03
Filières et Technologie de fabrication
04
Exemple de réalisation
05
Techniques de caractérisation
06
Conclusion
01.Introduction aux circuits intégrés:
Les circuits intégrés (CI), également appelés puces électroniques, sont au cœur de la
révolution technologique moderne. Ils regroupent des milliers, voire des milliards de
composants électroniques miniaturisés, tels que des transistors, résistances et
condensateurs, sur une seule et même plaquette de silicium. Inventés dans les années
1950, les circuits intégrés ont permis une avancée majeure en électronique, en rendant
possible la fabrication de systèmes plus petits, plus rapides, plus fiables et plus
économes en énergie.
la salle blanche
Définition :
Que sont les salles blanches? La salle blanche, de l'anglais «cleanroom» est un
environnement à contamination contrôlée. L'objectif de la salle blanche est de fournir
un environnement de travail qui limite la présence de particules à l'intérieur de celui-
ci grâce à un système particulier de filtration de l'air
Importance de la salle blanche:
1.SUBSTRAT
L'étape du substrat permet à la fabrication d’un wafer de silicium qui est la base sur
laquelle tous les composants du circuit seront construits.
Fabrication du lingot de silicium: la réduction de la silice à une haute
température pour la production de silicium puis son raffinage pour une qualité
pure. Puis li sera fondu et transformé en des lingots cylindriques par la méthode
Czochralski ou Float Zone
Découpe en tranches (wafers): Le lingot est découpé en fines tranches à l'aide
de scies diamantées. le polissage des wafers pour obtenir une surface lisse et
plane.
2.NETTOYAGE
Les méthodes de nettoyage visent à éliminer les particules, les contaminants organiques et
inorganiques, ainsi que les oxydes indésirables. Principales étapes du nettoyage des wafers :
1.Bains à ultrasons, rinçage à haute pression: particules qui peuvent provenir de l’air ambiant, de
l’opértateur lors du polissage ou de sciage, ou du matériel de manipulation des substrats.
2. Nettoyage standard n°1 (RCA1): solution utilisée pour éliminer les contaminations organique.
1xH2O2(30%)+1xNH4OH(29%)+5xH2O
3. Nettoyage standard n°2 (RCA2): solution utilisée pour l’élimination des contaminations
inorganiques.
1xH2O2(30%)+1xHCl(37%)+6xH2O
3.DOPAGE
Il consiste à introduire des impuretés spécifiques (dopants) dans le matériau semiconducteur pour
en contrôler la conductivité.
Types de dopage:
1.Dopage de type N : Utilisation des éléments ayant 5 électrons de valence, comme le phosphore
(P),Comme effet Les atomes dopants ajoutent des électrons libres au réseau cristallin du silicium,
ce qui augmente le nombre de porteurs de charge négatifs (électrons).
2.Dopage de type P : Introduire des “trous”, ou des lacunes d’électrons, qui agiront comme des
porteurs de charge positifs en utilisant des éléments avec 3 électrons de valence, comme le
bore(B).
Méthodes de dopage:
1.Diffusion thermique
Principe : Le wafer de silicium est chauffé à haute température (800- 1200°C) dans une atmosphère
contenant un gaz dopant. Sous l’effet de la chaleur, les atomes du dopant diffusent à la surface du
silicium et pénètrent progressivement dans le matériau. Étapes :
2.Implantation ionique
Principe : Les ions dopants sont accélérés dans un champ électrique pour former un faisceau d’ions de
haute énergie, qui est dirigé vers la surface du wafer de silicium. Les ions pénètrent dans le silicium à des
profondeurs prédéfinies en fonction de leur énergie.
4.MÉTHODES DE DÉPOSITION:
La fabrication des circuits intégrés implique plusieurs étapes de déposition, qui sont essentielles
pour créer les différentes couches de matériaux sur le wafer.
Principe : Dans le processus CVD, un gaz contenant le matériau à déposer est introduit dans une
chambre de réaction, où il est décomposé chimiquement à haute température, formant ainsi un film
mince sur la surface du wafer.
Principe : Le dépôt est effectué à haute température dans une atmosphère contrôlée, où des
précurseurs gazeux comme le tétrachlorure de silicium (SiCl₄) réagissent pour former une couche
monocristalline de silicium sur le substrat.
Principe : Le wafer de silicium est placé dans un four à haute température (900 à 1100 °C) dans une
atmosphère contenant de l'oxygène (ou de la vapeur d’eau). L'oxygène réagit avec le silicium à la
surface du wafer pour former une fine couche d'oxyde de silicium.
SiO₂Si+O2 →SiO2
Principe : Un matériau cible (comme du cuivre, de l’aluminium ou du titane) est bombardé par des
ions dans une chambre à vide, provoquant l’évaporation ou la pulvérisation (sputtering) du matériau
sur la surface du wafer. Ce matériau se dépose ensuite en une couche mince.
Principe : Le wafer est immergé dans une solution électrolytique contenant des ions métalliques. Un
courant électrique est appliqué à travers le wafer, ce qui entraîne la réduction des ions métalliques à
la surface du wafer, formant ainsi une couche métallique.
5.LA GRAVURE:
Gravure est une réaction en surface du matériau à graver avec des espèces chimiques ou/et
physiques pour enlever une partie du matériau quelque soit son orientation cristalline, délimité par
un masquage.
types de gravure:
7.Masque:
Le masque est utilisé pour transférer des motifs complexes sur un wafer de silicium.
Téchnologie cmos:
La technologie CMOS est une technologie planaire destinée au développement des systèmes à très
haute échelle d’intégration (VLSI). Grâce aux propriétés des transistors MOS complémentaires (notées
CMOS pour Complementary Metal Oxyde Silicon), cette technologie permet de réaliser des circuits à
faible coût et à basse consommation. Cet avantage lui a permis d’être reconnue dans le domaine de la
micro-électronique.
Fabrication des tranchées d’isolation :Pour empêcher les courants parasites entre les composants,
des tranchées d’isolation sont creusées dans le substrat. On utilise une technique d'isolation appelée
STI (Shallow Trench Isolation)..Les tranchées sont d'abord définies par photolithographie, puis
gravées dans le silicium par une technique de gravure plasma pour créer des cavités.Une fois les
tranchées gravées, elles sont remplies d’un matériau isolant, typiquement de l’oxyde de silicium (SiO₂).
Cette étape passe par le processus suivant : le Dépôt d’une couche isolante (diélectrique)
géneralement l’oxyde de silicium, la gravure des vias et des tranchées, le Dépôt du métal de
connexion, la Planarisation par polissage chimico-mécanique (CMP),la Réitération pour les couches
supplémentaires et la Passivation finale.
04.Exemple de réalisation
Méthodes de caractérisation:
Caractérisation mécanique :
Résistance à la traction : Mesurer la force maximale qu'un matériau peut supporter avant de se
rompre.
Dureté : Évaluer la résistance d'un matériau à la déformation ou à l'indentation.
Module d'élasticité : Mesurer la rigidité d'un matériau, c'est-à-dire sa capacité à se déformer sous
contrainte.
Fatigue : Évaluer la résistance d'un matériau à des cycles répétés de charge et décharge.
Dilatation thermique : Mesurer l'expansion ou la contraction d'un matériau en réponse à des
variations de température.
Résistance aux chocs : Tester la capacité d'un CI à résister à des impacts ou à des chocs
mécaniques.
Caractérisation optique :
Transmittance et réflectance : Mesurer la quantité de lumière qui passe à travers un matériau ou
qui est réfléchie par sa surface.
Absorption : Évaluer combien de lumière est absorbée par un matériau, ce qui peut indiquer des
défauts ou des impuretés.
Photoluminescence : Étudier l'émission de lumière par un matériau lorsqu'il est excité par un
rayonnement lumineux.
Spectroscopie : Analyser le spectre de la lumière pour identifier les matériaux et leurs
caractéristiques.
Caractérisation électrique :
Courant-tension (I-V) : Mesurer la relation entre le courant et la tension pour différents
composants (transistors, diodes, etc.) afin d'évaluer leur comportement.
Impédance: Analyser la résistance d'un circuit à différentes fréquences pour comprendre son
comportement dans des applications AC.
Gains et pertes :Évaluer les gains d'amplificateurs et les pertes dans des circuits passifs.
Temps de réponse: Mesurer le temps que met un circuit à réagir à une entrée
Consommation d'énergie : Mesurer l'expansion ou la contraction d'un matériau en réponse à des
variations de température.
Caractérisation physico chimique et structurales :
Spectroscopie de fluorescence X (EDX) : Détecter les éléments présents dans les matériaux semi-
conducteurs.
Spectroscopie infrarouge (IR) : Analyser les liaisons chimiques et les groupes fonctionnels.
Analyse thermogravimétrique (TGA) : Évaluer la stabilité thermique et la
décomposition des matériaux.
Analyse différentielle à balayage (DSC) : Mesurer les transitions
thermiques (fusion, verre, etc.).
06.CONCLUSION
En conclusion, l’étude des circuits intégrés révèle leur rôle fondamental dans l'évolution de
l'électronique moderne. Les étapes de fabrication, de la conception à la réalisation, témoignent de
l'innovation continue qui permet d'améliorer les performances et de réduire les coûts. La
technologie CMOS, avec son efficacité énergétique et sa capacité à intégrer un grand nombre de
fonctions, s'est imposée comme la norme dans l'industrie. Enfin, les techniques de caractérisation
sont essentielles pour garantir la fiabilité et la performance des circuits intégrés, permettant ainsi de
répondre aux exigences croissantes des applications actuelles. En somme, la compréhension de ces
éléments est cruciale pour anticiper les tendances futures et innover dans un domaine en
perpétuelle évolution.