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Technologie de

fabrication des circuits


intégrés

Réalisé par : QAIDI AYMANE Encadré par : Pr. El Barbri


Sommaire
01
Introduction aux circuit intégrés

02
Les étapes de fabrication des CI

03
Filières et Technologie de fabrication

04
Exemple de réalisation

05
Techniques de caractérisation

06
Conclusion
01.Introduction aux circuits intégrés:

Les circuits intégrés (CI), également appelés puces électroniques, sont au cœur de la
révolution technologique moderne. Ils regroupent des milliers, voire des milliards de
composants électroniques miniaturisés, tels que des transistors, résistances et
condensateurs, sur une seule et même plaquette de silicium. Inventés dans les années
1950, les circuits intégrés ont permis une avancée majeure en électronique, en rendant
possible la fabrication de systèmes plus petits, plus rapides, plus fiables et plus
économes en énergie.

Types des circuits intégrés :

CI analogiques : Traitent des signaux continus. Exemples : amplificateurs


opérationnels, régulateurs de tension ...
CI numériques : Traitent des signaux discrets. Exemples : microprocesseurs,
mémoires, portes logiques...
CI mixtes : Combinaison de fonctions analogiques et numériques. Exemples :
circuits de conversion analogique-numérique (CAN)

les applications des circuits intégrés :

Électronique grand public : smartphones, ordinateurs, téliviseurs, console de jeux


Automobile : Systèmes de contrôle moteur, Aides à la conduite, Voitures
autonomes...
Télécommunications : Réseaux mobiles et Internet, Systèmes de communication
sans fil...
Dispositifs médicaux: moniteurs de santé, équipements d'imagerie médical,
Implants électroniques, systèmes de diagnostic automatisés.

la salle blanche

Définition :

Que sont les salles blanches? La salle blanche, de l'anglais «cleanroom» est un
environnement à contamination contrôlée. L'objectif de la salle blanche est de fournir
un environnement de travail qui limite la présence de particules à l'intérieur de celui-
ci grâce à un système particulier de filtration de l'air
Importance de la salle blanche:

La salle blanche a une grande importance comme environnement dans la fabrication


des CIs car elle permet de réduire considérablement le risque de contamination par
des poussières, des fibres, ou d'autres impuretés, permettant ainsi de garantir
l'intégrité des circuits. le fait d’assurer une précision des processus de fabrication (la
photolithographie, dépot de couches minces) , le contrôle de l'humidité et de la
température. La réduction des décharges électrostatiques ( l'utilisation de matériaux
conducteurs dans les sols, les outils, et les vêtements du personnel.)

02.les étapes de fabrication d’un CI:

1.SUBSTRAT
L'étape du substrat permet à la fabrication d’un wafer de silicium qui est la base sur
laquelle tous les composants du circuit seront construits.
Fabrication du lingot de silicium: la réduction de la silice à une haute
température pour la production de silicium puis son raffinage pour une qualité
pure. Puis li sera fondu et transformé en des lingots cylindriques par la méthode
Czochralski ou Float Zone
Découpe en tranches (wafers): Le lingot est découpé en fines tranches à l'aide
de scies diamantées. le polissage des wafers pour obtenir une surface lisse et
plane.
2.NETTOYAGE
Les méthodes de nettoyage visent à éliminer les particules, les contaminants organiques et
inorganiques, ainsi que les oxydes indésirables. Principales étapes du nettoyage des wafers :
1.Bains à ultrasons, rinçage à haute pression: particules qui peuvent provenir de l’air ambiant, de
l’opértateur lors du polissage ou de sciage, ou du matériel de manipulation des substrats.
2. Nettoyage standard n°1 (RCA1): solution utilisée pour éliminer les contaminations organique.

1xH2O2(30%)+1xNH4OH(29%)+5xH2O
3. Nettoyage standard n°2 (RCA2): solution utilisée pour l’élimination des contaminations

inorganiques.

1xH2O2(30%)+1xHCl(37%)+6xH2O

3.DOPAGE
Il consiste à introduire des impuretés spécifiques (dopants) dans le matériau semiconducteur pour
en contrôler la conductivité.

Types de dopage:

1.Dopage de type N : Utilisation des éléments ayant 5 électrons de valence, comme le phosphore
(P),Comme effet Les atomes dopants ajoutent des électrons libres au réseau cristallin du silicium,
ce qui augmente le nombre de porteurs de charge négatifs (électrons).
2.Dopage de type P : Introduire des “trous”, ou des lacunes d’électrons, qui agiront comme des
porteurs de charge positifs en utilisant des éléments avec 3 électrons de valence, comme le
bore(B).

Méthodes de dopage:

1.Diffusion thermique
Principe : Le wafer de silicium est chauffé à haute température (800- 1200°C) dans une atmosphère
contenant un gaz dopant. Sous l’effet de la chaleur, les atomes du dopant diffusent à la surface du
silicium et pénètrent progressivement dans le matériau. Étapes :
2.Implantation ionique
Principe : Les ions dopants sont accélérés dans un champ électrique pour former un faisceau d’ions de
haute énergie, qui est dirigé vers la surface du wafer de silicium. Les ions pénètrent dans le silicium à des
profondeurs prédéfinies en fonction de leur énergie.
4.MÉTHODES DE DÉPOSITION:
La fabrication des circuits intégrés implique plusieurs étapes de déposition, qui sont essentielles
pour créer les différentes couches de matériaux sur le wafer.

Dépôt par vapeur chimique (CVD - Chemical Vapor Deposition):

Principe : Dans le processus CVD, un gaz contenant le matériau à déposer est introduit dans une
chambre de réaction, où il est décomposé chimiquement à haute température, formant ainsi un film
mince sur la surface du wafer.

Dépôt par épitaxie (Epitaxy):

Principe : Le dépôt est effectué à haute température dans une atmosphère contrôlée, où des
précurseurs gazeux comme le tétrachlorure de silicium (SiCl₄) réagissent pour former une couche
monocristalline de silicium sur le substrat.

Dépôt par oxydation thermique:

Principe : Le wafer de silicium est placé dans un four à haute température (900 à 1100 °C) dans une
atmosphère contenant de l'oxygène (ou de la vapeur d’eau). L'oxygène réagit avec le silicium à la
surface du wafer pour former une fine couche d'oxyde de silicium.
SiO₂Si+O2 →SiO2

Dépôt physique en phase vapeur (PVD - Physical Vapor Deposition):

Principe : Un matériau cible (comme du cuivre, de l’aluminium ou du titane) est bombardé par des
ions dans une chambre à vide, provoquant l’évaporation ou la pulvérisation (sputtering) du matériau
sur la surface du wafer. Ce matériau se dépose ensuite en une couche mince.

Dépôt par électrodéposition:

Principe : Le wafer est immergé dans une solution électrolytique contenant des ions métalliques. Un
courant électrique est appliqué à travers le wafer, ce qui entraîne la réduction des ions métalliques à
la surface du wafer, formant ainsi une couche métallique.

5.LA GRAVURE:

Gravure est une réaction en surface du matériau à graver avec des espèces chimiques ou/et
physiques pour enlever une partie du matériau quelque soit son orientation cristalline, délimité par
un masquage.

types de gravure:

Le choix de la méthode de gravure dépend du type de matériau à graver, de la précision requise, et de


la géométrie des structures à réaliser. Les deux méthodes principales sont la gravure humide et la
gravure sèche.
Gravure sèche(plasma) : Utilisée pour des gravures plus précises et anisotropes (attaque
préférentielle dans une direction), elle fait appel à des gaz réactifs qui forment un plasma dans une
chambre à vide. Le plasma attaque de façon directionnelle le matériau exposé, sans affecter les
côtés latéraux, ce qui permet des gravures plus profondes et mieux contrôlées
Gravure humide : Cette méthode utilise des solutions chimiques pour dissoudre le matériau exposé.
Elle est généralement utilisée pour des processus moins critiques nécessitant une gravure
isotrope (attaque du matériau dans toutes les directions).
6.Photolithographie:
Elle permet de transférer les motifs des circuits électroniques sur le wafer de silicium. Ce processus
est utilisé à plusieurs reprises dans le cycle de fabrication pour créer les différentes couches des
composants d’un CI. Voici les étapes clés du processus de photolithographie :
L'étape d'étalement de la résine photosensible: Le substrat est recouvert de résine liquide, puis mis
en rotation rapide. La force centrifuge étale la résine en une couche homogène dont l'épaisseur
dépend de la vitesse de rotation et de la viscosité de la résine.
Séchage de la résine photosensible: consiste à chauffer le substrat après l’étalement de la résine pour
éliminer les solvants restants.
Exposition de la résine à un rayonnement ultraviolet à travers un masque: Elle permet de transférer
les motifs de circuits électroniques du masque à la couche de résine photosensible (photo-résist) .
Développement de la résine: Le but de l’étape est de retirer sélectivement les parties de la résine
photosensible qui ont été exposées à la lumière UV (pour un photo-résist positif) ou, au contraire, les
parties qui n'ont pas été exposées (pour un photo-résist négatif).

Photo-résist positif : Les zones qui ont été exposées à la


lumière UV deviennent solubles dans le développeur. Cela
signifie que seules les zones exposées sont retirées, laissant
un motif correspondant aux zones opaques du masque.
Photo-résist négatif : Les zones qui n'ont pas été exposées à
la lumière UV restent solubles dans le développeur. Ici, les
parties non exposées sont retirées, laissant les zones
exposées qui ont été durcies par la lumière UV

7.Masque:
Le masque est utilisé pour transférer des motifs complexes sur un wafer de silicium.

Étapes de fabrication d’un masque


a. Conception du motif (layout design): Le motif du masque est conçu numériquement à l'aide de
logiciels de conception assistée par ordinateur (CAO). Ce design représente le schéma du circuit
intégré.
b. Écriture du motif sur le masque: Le motif du circuit est gravé sur une plaque de quartz ou de verre
en utilisant un procédé de lithographie par faisceau d'électrons (e-beam lithography) ou d’écriture
laser.
Gravure : Une fois le motif dessiné, il est gravé dans la couche de chrome ou d'un autre matériau
opaque, laissant des parties transparentes là où la lumière UV devra passer.
c. Contrôle et inspection: Le masque doit être inspecté pour s'assurer qu'il ne comporte pas de
défauts. Des techniques de métrologie et d’inspection optique sont utilisées pour garantir la qualité du
masque avant son utilisation en production.
03.les étapes de fabrication d’un CI:

Téchnologie cmos:
La technologie CMOS est une technologie planaire destinée au développement des systèmes à très
haute échelle d’intégration (VLSI). Grâce aux propriétés des transistors MOS complémentaires (notées
CMOS pour Complementary Metal Oxyde Silicon), cette technologie permet de réaliser des circuits à
faible coût et à basse consommation. Cet avantage lui a permis d’être reconnue dans le domaine de la
micro-électronique.

Les types de la téchnologie cmos:


Parmi les types de la téchnologie cmos on cite:

1.la technologie CMOS à caisson n:


Une technologie CMOS à caisson n utilise un substrat en silicium de type p dans lequel est formé un
caisson en silicium de type n. Des transistors pMOS sont alors réalisés dans ce caisson et des
transistors nMOS dans le substrat

2.la technologie CMOS à caisson p:


Une technologie CMOS à caisson p, permet de réaliser des transistors pMOS sur le substrat de type n
et des transistors nMOS dans un caisson p.

3.la technologie CMOS à double caisson :


la technologie CMOS à double caisson utilise un substrat en silicium de type quelconque, sur lequel
sont déposés des caissons de type n et des caissons de type p

Les étapes de la fabrication:

1.Fabrication des tranché d’isolation et des caissons :


Formation des caissons :on commence par un dépôt de résine photosensible sur le wafer, suivi d'une
étape de photolithographie pour exposer la zone souhaitée. Ensuite, un dopage est effectué. Dans les
technologies CMOS, le substrat de silicium est généralement de type p, donc pour un puits de type n,
des ions dopants tels que le phosphore ou l’arsenic sont implantés.Cette étape est répétée pour créer
les deux types de puits (n et p), ce qui permet de réaliser à la fois des transistors de type nMOS et
pMOS dans le même circuit.

Fabrication des tranchées d’isolation :Pour empêcher les courants parasites entre les composants,
des tranchées d’isolation sont creusées dans le substrat. On utilise une technique d'isolation appelée
STI (Shallow Trench Isolation)..Les tranchées sont d'abord définies par photolithographie, puis
gravées dans le silicium par une technique de gravure plasma pour créer des cavités.Une fois les
tranchées gravées, elles sont remplies d’un matériau isolant, typiquement de l’oxyde de silicium (SiO₂).

2.Fabrication des transistors NMOS et PMOS (front end ) :


Comme expliqué précédemment, des caissons de type n (n-well) et p (p-well) sont créés dans le
substrat de silicium pour accueillir respectivement les transistors PMOS et NMOS. Les transistors
NMOS sont formés dans des puits p, le contraire pour les PMOS. La formation de l'oxyde de grille(Une
fine couche d'oxyde de silicium (SiO₂)) par oxydation thermique sur la surface du substrat. Puis une
couche de polysilicium est déposée sur l'oxyde de grille pour former la grille des transistors.Ensuite
Implantation des ions pour le canal, le Dépôt et la formation de l'espacement de la grille (spacers).
Dopage de source et de drain, Enfin Formation des contacts métalliques (silicidation)
3.Fabrication des interconnexions (back end).

Cette étape passe par le processus suivant : le Dépôt d’une couche isolante (diélectrique)
géneralement l’oxyde de silicium, la gravure des vias et des tranchées, le Dépôt du métal de
connexion, la Planarisation par polissage chimico-mécanique (CMP),la Réitération pour les couches
supplémentaires et la Passivation finale.

04.Exemple de réalisation

Transistor bipolaire NPN:

les étapes de la fabrication:


05.Techniques de caractérisation
La caractérisation des circuits intégrés (CI) est le processus d’évaluation et de mesure des
performances, des fonctionnalités et des propriétés physiques d'un circuit intégré. Cela inclut la
collecte de données sur divers paramètres pour déterminer comment le circuit fonctionne dans
différentes conditions.

Méthodes de caractérisation:
Caractérisation mécanique :
Résistance à la traction : Mesurer la force maximale qu'un matériau peut supporter avant de se
rompre.
Dureté : Évaluer la résistance d'un matériau à la déformation ou à l'indentation.
Module d'élasticité : Mesurer la rigidité d'un matériau, c'est-à-dire sa capacité à se déformer sous
contrainte.
Fatigue : Évaluer la résistance d'un matériau à des cycles répétés de charge et décharge.
Dilatation thermique : Mesurer l'expansion ou la contraction d'un matériau en réponse à des
variations de température.
Résistance aux chocs : Tester la capacité d'un CI à résister à des impacts ou à des chocs
mécaniques.
Caractérisation optique :
Transmittance et réflectance : Mesurer la quantité de lumière qui passe à travers un matériau ou
qui est réfléchie par sa surface.
Absorption : Évaluer combien de lumière est absorbée par un matériau, ce qui peut indiquer des
défauts ou des impuretés.
Photoluminescence : Étudier l'émission de lumière par un matériau lorsqu'il est excité par un
rayonnement lumineux.
Spectroscopie : Analyser le spectre de la lumière pour identifier les matériaux et leurs
caractéristiques.
Caractérisation électrique :
Courant-tension (I-V) : Mesurer la relation entre le courant et la tension pour différents
composants (transistors, diodes, etc.) afin d'évaluer leur comportement.
Impédance: Analyser la résistance d'un circuit à différentes fréquences pour comprendre son
comportement dans des applications AC.
Gains et pertes :Évaluer les gains d'amplificateurs et les pertes dans des circuits passifs.
Temps de réponse: Mesurer le temps que met un circuit à réagir à une entrée
Consommation d'énergie : Mesurer l'expansion ou la contraction d'un matériau en réponse à des
variations de température.
Caractérisation physico chimique et structurales :
Spectroscopie de fluorescence X (EDX) : Détecter les éléments présents dans les matériaux semi-
conducteurs.
Spectroscopie infrarouge (IR) : Analyser les liaisons chimiques et les groupes fonctionnels.
Analyse thermogravimétrique (TGA) : Évaluer la stabilité thermique et la
décomposition des matériaux.
Analyse différentielle à balayage (DSC) : Mesurer les transitions
thermiques (fusion, verre, etc.).
06.CONCLUSION

En conclusion, l’étude des circuits intégrés révèle leur rôle fondamental dans l'évolution de
l'électronique moderne. Les étapes de fabrication, de la conception à la réalisation, témoignent de
l'innovation continue qui permet d'améliorer les performances et de réduire les coûts. La
technologie CMOS, avec son efficacité énergétique et sa capacité à intégrer un grand nombre de
fonctions, s'est imposée comme la norme dans l'industrie. Enfin, les techniques de caractérisation
sont essentielles pour garantir la fiabilité et la performance des circuits intégrés, permettant ainsi de
répondre aux exigences croissantes des applications actuelles. En somme, la compréhension de ces
éléments est cruciale pour anticiper les tendances futures et innover dans un domaine en
perpétuelle évolution.

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