Architecture

des mémoires
 Les registres

Bascule D commandée par une horloge
 Le circuit de base pour mémoriser une information binaire.
 L ’ordre de mémorisation se fait par un top d ’horloge (Q=D).
 Ck = 1 ((Q=D) else (Q=Q(n-1))
 La valeur mémorisée ne change qu ’au prochain top d ’horloge.

D
Q
D Q

CK
Q CK

2
 Les registres

 Un registre à 8 bits est formé de 8 bascules D.

VCC
20 19 18 17 16 15 14 13 12 11

Q D D Q Q D D Q

CK CK CK CK

CK CK CK CK

Q D Q D Q D Q D

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
3
Organisation interne d ’une mémoire
 Une mémoire est un rassemblement de plusieurs bascules.


Elle est organisée sous forme d ’une matrice.

 Une Ligne de cette matrice forme un mot mémoire.

 Chaque ligne est adressée séparément.

 L ’accès à un mot mémoire peut se faire par lecture ou par écriture.

4
Organisation interne d ’une mémoire
I2 Donnée en entrée

I1
I0
D Q D Q D Q

CK CK CK
Mot 0

Ligne de
D Q D Q D Q
sélection
du mot 0
CK CK CK Mot 1

A1
A0 Ligne de D Q D Q D Q
sélection
du mot 1 CK CK CK Mot 2

Ligne de
D Q D Q D Q
sélection
du mot 2
CK CK CK Mot 3

Donnée
CS
en sortie

RW
5
Activation de la sortie = CS.RW.OE
OE
Organisation interne d ’une mémoire

La capacité de stockage est le nombre de bascules par mot multiplié par le nombre de mots (bits).

 Le nombre de lignes d ’adressage est Log2(nombre de mots)

 2 ^ n mots  bus d’adresses n = Log 2 (2 ^ n ).


La sélection du circuit mémoire prend effet quand CS=1.


RW= 1 précise une opération de lecture et RW= 0 précise une opération d ’écriture.


Les données ne seront en sortie que lorsque CS.RW.OE=1

6
 Organisation interne d ’une mémoire
I2 Vers bus de données
I1
I0
D Q D Q D Q

CK CK CK
Mot 0

Ligne de
D Q D Q D Q
sélection
du mot 0
Vers bus CK CK CK Mot 1
d ’adresses
A1
Ligne de D Q D Q D Q
sélection
A0 du mot 1 CK CK CK Mot 2

Ligne de
D Q D Q D Q
sélection
du mot 2
CK CK CK Mot 3

Vers bus
CS
de Donnée

RW

Activation de la sortie = CS.RW.OE 7

OE
Interface d ’un circuit de mémoire

A0
A1
A2 D0
A3
A4 D1
A5
A6 D2
A7 Mémoire
A8 de D3
A9 512K x8 D4
A10
A11 D5
A12 (4 Mbits) D6
A13
A14 D7
A15
A16
A17
A18

CS RW OE

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 Caractéristiques des circuits
mémoires
 Possibilités d ’extension de la mémoire :

 L ’ajout d ’un nombre de colonnes supplémentaires nécessite l ’ajout du même nombre de lignes d ’entrée et du même nombre de lignes de sortie.

 L ’ajout d ’un nombre de lignes supplémentaires nécessite l ’ajout de lignes d ’adresse.

 La commande CS permet de sélectionner le circuit de mémoire dans le cas où il y a plusieurs circuits de mémoire.

9
 Divers types de mémoires

Mémoire RAM (Random Access Memory) ou mémoire vive :

 Accès aléatoire aux données stockées en mémoire selon l ’adresse fixée par le bus d ’adresse.

 Le temps d ’accès à l ’information est le même quelque soit le mot sollicité.

 Ils existe deux familles de mémoires RAM : les RAM statiques (SRAM) et les RAM dynamiques (DRAM).

10
 Divers types de mémoires

Les RAM statiques (SRAM) :

 Elles sont basées sur des circuits élémentaires semblables à des bascules D.

 Les informations sont mémorisées aussi longtemps que l ’alimentation électrique est maintenue.

 Elles sont très rapide et offre un temps d ’accès de l ’ordre de quelques nanosecondes.

11
 Divers types de mémoires

Les RAM dynamiques (DRAM) :

 La structure interne est basée sur l ’association de transistors et de petits condensateurs.

 Rafraîchissement nécessaire pour maintenir la mémorisation : ralentissement de l ’accès par rapport à un SRAM .

 Le coût de fabrication est moins élevé comparé aux SRAMs.

 Une capacité de mémorisation plus importante que les SRAMs.

12
 Divers types de mémoires
 Les mémoires mortes ROM (Read Only Memory) :

 Ce sont des mémoires à écriture seule.

 L ’information écrite ne peut plus être ni modifiée ni effacée

 L ’information est écrite lors du processus de fabrication du ROM.

 Le coût de fabrication est élevé comparé à une mémoire RAM.

 Application : conversion de code, la génération de caractères pour l ’affichage sous forme de matrice de points, le stockage de certains programmes systèmes, la microprogrammation, etc ...

13
 Divers types de mémoires

Les mémoires PROM (Programmable ROM):

 Les PROM sont des ROM programmables une seule fois par l ’utilisateur et de manière irréversible.


Les mémoires EPROM (Erasable PROM) :

 Ce sont des mémoires PROM programmables, effaçables et reprogrammables.

 Effacement par un rayonnement ultraviolet ( de 15 à 30 min).

 Elles sont utilisées lors de la mise au point de programmes destinés à être stockés en ROM.

14
 Divers types de mémoires

Les mémoires EEPROM (Electrically Erasable PROM):

 Effacement par une impulsion électrique (~ 1 min).


Les mémoires flash :

 Ressemblent à une EEPROM : programmable, effaçable et reprogrammable par impulsion électrique.

 Offre une grande capacité de stockage comparée à une EEPROM.

 Le temps d ’accès est plus faible (~100ns) qu ’un disque dur (une dizaine de millisecondes).

 Peut être un jour remplacera les disques durs !

15
 Mémoire centrale et cache

La mémoire centrale (ou principale) :

 Contient les instructions et les données des programmes à

exécuter, ainsi qu ’une partie du système d ’exploitation.

 Le processeur interroge la mémoire par lecture ou écriture.

 Le temps d ’accès et la capacité de stockage de la mémoire

centrale sont des éléments déterminants dans la puissance de

l ’ordinateur.

 Elle peut être de type SRAM ou DRAM.

16
 Mémoire centrale et cache

La mémoire cache (ou antémémoire) :

 Une mémoire rapide de type SRAM à faible capacité de stockage.

 Insérée entre la mémoire centrale et le processeur afin de

résoudre le problème de la grande différence de vitesse entre les

deux. UC Mémoire
principale

Cache

 La mémoire cache contient les instructions et les données

fréquemment utilisées.
17
 Mémoires auxiliaires

Les mémoires auxiliaires (mémoire secondaire)

 Elles sont des mémoires permettant le stockage permanent d ’un très grand nombre d ’informations.

 Elles sont composées de disques magnétiques (disques durs), magnéto-optiques (disquettes), optiques

(CD-ROM ou DVD), ou de bandes magnétiques.

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 Endieness : Little endien (petit
boutiste) / big endien ( Gros boutiste)

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 Exercices
1. En Informatique, on parle souvent de Kilos (1 Kilo, noté 1 K = 2^10 = 1024)
Convertir en hexadécimal les valeurs suivantes :
1 K = 40016 ; 2 K = 80016 ; 4 K = 100016 ; 7 K = 1C0016

2. Calculer le nombre NB(x) de chiffres nécessaires pour représenter x dans la

base B.
Xmax représentable dans la base B sur N bits est Xmax= B^N - 1 donc Nmax = logB (X+1).

3. Quel est l’intervalle des entiers naturels que l’on peut coder sur N bits. [0…
2^ (N-1)] soit [0…255] sur 8 bits et [0…65535] sur 16 bits .

4. Quel est l’intervalle des entiers relatifs que l’on peut coder en complément à
2 sur N bits.
[-2^(N-1)…+2^(N-1)-1] soit [-128…+127] sur 8 bits et [-32768…+32767] sur 16 bits

5. Soit une mémoire 512k X 8. Convertir en Mbits et déterminer le nombre de

bits nécessaires pour l’adressages.
512K x 8 = 2^9 2^10 2^ 3 = 4 2^20 = 4 Mbits = 8 (taille du mot) x 2^19 (19 bits
d’adresses) = 2^9x2^10x2^3= 2^9 Ko= 512ko.
20
Opérations Arithmétiques et logiques

21
Questions de Cours

22
Cours 2

23
Cours 3

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