東北大学は2月6日、スピン同士が非共線的(ノンコリニア)に並んで全体の磁力を打ち消しあっている磁性材料「ノンコリニア反強磁性体」に特有の性質を利用した、記憶と演算の機能を併せ持つ新たなスピントロニクス素子を開発したことを発表した。

同成果は、東北大 電気通信研究所のユン・ジュヨン研究員、同・深見俊輔教授、東北大 材料科学高等研究所のハン・ジャーハオ准教授、物質・材料研究機構(NIMS)の竹内祐太朗研究員、日本原子力研究開発機構の家田淳一研究主幹らの共同研究チームによるもの。詳細は、英オンライン科学誌「Nature Communications」に掲載された。

AIの普及により情報機器の消費電力量が著しく増大しており、深刻な社会問題となっている。そのため急務とされているのが、高いエネルギー効率で処理するAIチップの開発だ。現在の汎用型の半導体チップにおいて消費電力量が大きくなっている要因の1つが、演算装置とメモリ間のデータ転送にある。つまり、演算とメモリ機能を統合したAIチップを実現できれば、大幅な省エネルギー化が期待できる。さらに、人間の脳が情報をアナログ的に処理している点にも着目され、アナログ情報処理に適した素子の活用も、省エネ化に向けた有望なアプローチとして注目されている。

スピントロニクス分野では、多様な原理に基づき、磁性体の磁気構造を電気的に制御する技術を応用した素子開発が活発だ。しかし従来の素子では、制御される磁性材料(受け手)と、制御の駆動力を供給する材料(出し手)は明確に区別されており、素子完成後の動作様式は一義的に決定されていた。たとえば正電流の印加で「0→1」、負電流の印加で「1→0」といった具合に情報書き込みを行うのが、典型的な動作モードである。この技術は、不揮発性メモリの一種である磁気抵抗メモリ(MRAM)として、すでに産業応用されている。

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