Conduo eltrica nos slidos

Propriedade eltrica:
Slidos cristalinos so basicamente: rede cristalina = rede matemtica + base. So tomos que
esto dispostos em uma estrutura peridica (rede cristalina).
Tijolo fundamental: clula unitria


Propriedades de slidos, do ponto de vista eltrico:
Resistividade r temperatura ambiente
Coeficiente de temperatura de resistividade a
Concentrao de portadores de carga n


A resistividade temperatura ambiente, possui como unidade no S.I o ohm-metro .m.
Para definirmos experimentalmente o de um slido, precisamos medir a resistividade para
vrias temperaturas.
No caso da concentrao dos portadores de cargas n, para medir esta grandeza utiliza-se o
efeito Hall.


As propriedades definem se o material um metal, isolante, ou semicondutor.





Nveis de energia em um slido cristalino.
Teoria das bandas: Podemos considerar, por exemplo, um conjunto de N tomos. As
distncias de separao so relativamente grandes, cada tomo independente de todos os
demais, e tem os mesmos nveis de energia atmica e as mesmas configuraes eletrnicas
que teria se estivesse isolado. Mesmo assim, medida que esses tomos vo se aproximando
uns dos outros, os eltrons sentem a ao dos eltrons e dos ncleos dos tomos adjacentes ou
ento so perturbados por eles. Essa influncia acontece, tanto que cada estado atmico de
forma nica pode se dividir em uma srie de estados eletrnicos espaados de forma prxima
no slido, formando assim a banda de energia eletrnica.
A dimenso dessa diviso depende da separao interatmica e comea com as camadas
eletrnicas mais externas, sendo que estas so as primeiras a serem perturbadas quando os
tomos se agitam. Dentro de cada banda, os estados de energia so discretos, embora a
diferena de energia entre os estados adjacentes seja bem pequena.
Bandas de energia eletrnica para um material slido formado por N tomos:
Vemos aqui uma representao da estrutura da banda de energia eletrnica para um material
slido na separao interatmica de equilbrio.
A energia eletrnica est em funo da separao interatmica para um agregado de N
tomos, mostrando assim como a estrutura da banda de energia na separao interatmica de
equilbrio formada.


No caso dos slidos cristalinos:
Um slido como referncia possui ~ 10
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tomos de cobre, e os nveis de energia so muito
prximos, que indicam as bandas de energia.
Nveis de energia em um isolante
Sistema isolante: quando se aplica uma diferena de potencial, no h corrente eltrica
significante.
Para T = 0: A energia do ltimo eltron que vai ser preenchida define a energia de Fermi E
F
Ento, nas bandas de energia de isolantes, a banda de valncia ( que a banda de energia
preenchida) ela separada da banda de conduo ( que representa a banda de energia no-
preenchida) por um GAP DE ENERGIA (uma banda de energia proibida, ou seja, uma
barreira de energia) de largura relativamente grande (>2 eV). Sendo assim, no h espao
para os eltrons caminharem pelo sistema formado.


Nveis de energia em um metal
Para T = 0:
A energia do ltimo eltron a ser preenchida que define a energia de Fermi est no meio de
uma banda permitida. Dessa forma, ao aplicarmos uma diferena de potencial vai ter uma
corrente eltrica, j que existem nveis de energia ligeiramente acima dos ocupados para que
os eltrons caminhem pelo sistema.
Tambm existem bandas de energia de metais como, por exemplo, o cobre (Z = 29, 3d^10
4s^1) nos quais encontramos disponveis, na mesma banda de energia, estados eletrnicos no
preenchidos acima e que so adjacentes a estados eletrnicos preenchidos. E tambm h as
bandas de energia de metais como, por exemplo, o magnsio (Z = 12, 1s^2 2s^2 2p^6 3s^2)
nos quais ocorre a superposio das bandas de energia mais externas, e nestas ocorre a
superposio das bandas de energia mais externas.



Para calcular quantos eltrons de conduo existem, faz-se a relao:
(eltrons amostra) = (tomos amostra) (eltrons de valncia por tomo)
E para calcular a concentrao de eltrons de conduo n:




Analisando condutividade para T > 0:
O que ser que ocorre com a distribuio de eltrons quando T aumenta? Ento ocorre energia
trmica: E = k
B
T e esta pode modificar a distribuio de eltrons prximo ao nvel de Fermi.
Clculo da energia de Fermi:
A integral de N
0
(E)dE nos d o nmero de eltrons de conduo por unidade de volume do
material observado.

Para T = 0, P(E) = 1 para E < E
F
:


Analisando nos metais, um eltron se torna livre quando ele passa para um estado de energia
disponvel que est preenchido acima de Ef; interessante saber que pequena a energia
necessria para tal mudana acontecer.



Semicondutores
Analisemos para T = 0:
A energia do ltimo eltron a ser preenchida vai definir a energia de Fermi E
F
. Enquanto a
ltima banda ocupada est totalmente ocupada, que a banda de valncia, sendo que a
primeira banda desocupada (banda de conduo) est separada por uma energia E
g
(band
gap).

Para T > 0:
A probabilidade que um eltron, por sua agitao trmica passe para um estado da banda de
conduo no algo desprezvel no caso do semicondutor. Deve-se dar ateno pois ocorre
conduo por eltrons e buracos.

Semicondutores intrnsecos: so aqueles que seu comportamento eltrico depende
basicamente da estrutura eletrnica do material puro analisado. A sua condutividade eltrica
geralmente bem pequena e tambm varia muito com a temperatura.
Semicondutores extrnsecos: so aqueles em que seu comportamento eltrico depende muito
do tipo e tambm da concentrao dos tomos de impurezas. A adio dessas impurezas para
moldar o comportamento eltrico dos semicondutores chamada de dopagem.
A maioria dos semicondutores comerciais so extrnsecos, ou dopados; um bom exemplo o
Si (silcio), mas tambm esto nesta categoria o Ge e o Sn. Isso garante a possibilidade de
adicionar impurezas diversas a um material que puro permitindo assim a fabricao de uma
variedade de dispositivos eletrnicos a partir de um mesmo material semicondutor.
Os semicondutores intrnsecos que so de compostos dos grupos III-V e II-VI, ultimamente
vem adquirindo uma crescente e notvel importncia tanto na indstria eletrnica e eltrica
em geral.
Comparando metais, semicondutores e isolantes:

Metal Semicondutor Isolante
Resistividade ~ 10
-8
.m ~ 10
3
.m ~ 10
16
.m
Band gap

pequeno (E
g
~ 0 3
eV)
grande (E
g
> 3 eV)
Coeficiente de
temperatura da
resistividade
positivo negativo negativo
Concentrao de
portadores
~ 10
26
m
-3
~ 10
15
m
-3




Semicondutores dopados
Quando se deseja aumentar a aplicao dos semicondutores preciso dop-los com
impurezas. Um exemplo o silcio dopado (1 impureza para cada ~10
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tomos de silcio).
Estes semicondutores dopados possuem uma condutividade que varia pouco com a
temperatura e esse valor controlado pela concentrao de impurezas. As concentraes que
geralmente so utilizadas, variam de 10^14 cm^-3 (1 parte em 10^8, considerando 10^22
tomos por cm) a 10^20 cm^-3 (1 parte em 10^2, que muito alta).








Dispositivos eletrnicos um exemplo de semicondutores dopados.

Semicondutores dopados do tipo n:
Para citar um exemplo, a dopagem do Si j mencionado que tem (valncia 4) com P (valncia
5) , este gera eltrons livres; e uma impureza desse tipo, ela chamada de doadora.

(a) Neste caso o tomo de impureza (P) est substituindo um tomo hospedeiro de Si, e isso
resulta em um eltron extra que vem ligado ao tomo de impureza.
(b) Demonstra a excitao do eltron extra como conseqncia da aplicao de um campo
eltrico externo, sendo assim forma-se um eltron livre.
(c) Podemos notar o movimento do eltron livre respondendo ao campo eltrico externo.
Nos casos de semicondutores do tipo n, os eltrons livres so os principais portadores da
corrente, isto , n >> p. Portanto, ( n *|e|* e )


Semicondutores dopados do tipo p:
Para exemplificarmos consideremos a dopagem do Si (valncia 4) com B (valncia 3) gerando
assim buracos eletrnicos; e uma impureza desse tipo chamada de receptora.

(a) Vemos um tomo de impureza (B), que substitui um tomo hospedeiro de Si, isso resulta
na deficincia de um eltron de valncia ou ento, num buraco eletrnico associado a este
tomo de impureza.
(b) Aqui vemos o movimento do buraco eletrnico em resposta a um campo eltrico externo
E.
No caso dos semicondutores tipo p, estes buracos eletrnicos so os principais portadores de
corrente, isto , p >> n. Portanto: ( p *|e| *b)
Juno p-n
A juno p-n indica o cristal semicondutor que foi dopado numa regio com impureza
aceitadora, do tipo-p e em outra regio com impureza doadora do tipo-n. Quanto aos eltrons
em excesso contidos na regio n (esquerda), estes tendem a se difundir para a regio da
direita. Porm, ao mesmo tempo, esses buracos em excesso da regio p (direita) tendem a se
difundir para a regio da esquerda, por isso exige-se cautela.
Este movimento do eltron para a direita, e os buracos indo para a esquerda, cria uma regio
com um excesso de carga prxima ao plano da juno que conhecido como zona de
depleo, e tem uma largura D. Essa carga espacial gera uma diferena de potencial de
contato. E esta diferena de potencial de contato que evita que os eltrons se movam para a
direita, ou buracos para a esquerda.




















Referncias Bibliogrficas
TEODORO, Jeverson. PROPRIEDADES ELTRICAS DOS MATERIAIS. 2012.
Disponvel em: <http://hostel.ufabc.edu.br/~jeverson.teodoro/archives/bc1105/2012-
1/Aula_MSP10_Propriedades_Eltricas_Materiais.pdf>. Acesso em: 17 jul. 2014.
JONIEL; UFPR. Conduo de eletricidade nos slidos. 2011. Disponvel em:
<http://dafis.ct.utfpr.edu.br/~joniel/FIS4b/aulas/cap41.ppt>. Acesso em: 17 jul. 2014.
WALKER, Jearl. Halliday Hesnick ptica e Fsica Moderna vol.4: Conduo de
Eletricidade nos Slidos. 8. ed. Rio de Janeiro: Ltc - Livros Tcnicos e Cientficos,
2009.

































UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN
CURSO DE ENGENHARIA MECNICA
DISCIPLINA DE FSICA IV
PROFESSORA TINA ANDREOLLA





GABRIEL DEZORDI TEIXEIRA
IASMIM TEREZINHA MACHADO






CONDUO ELTRICA NOS SLIDOS









PATO BRANCO
2014