Conceitos Básicos para Semicondutores

Jacobus W. Swart

O modelo do elétrons livre em metais explica várias propriedades dos metais,

porém falha completamente na explicação das propriedades de isolantes e de
semicondutores. Isto já é esperado, tendo em vista que nos isolantes e semicondutores,
os elétrons em geral não estão livres mas sim presos nas ligações covalentes entre os
átomos. É por este motivo que eles apresentam baixíssima condutividade elétrica. Isto
significa que necessitamos de um modelo alternativo, sendo que um modelo útil deve
satisfazer aos seguintes requisitos:
• ser compreensível para que possa servir de base para a intuição sobre os problemas
em estudo
• explicar as observações experimentais com razoável precisão
• ser válido em uma larga faixa de condições

O modelo de bandas de energia em sólidos é a resposta do modelo alternativo

requerido, que atende aos requisitos acima. O desenvolvimento da teoria de bandas não é
tarefa simples e inclui muitos conceitos novos e importantes para o aluno. A utilidade
prática do modelo também pode não parecer óbvia no início. No entanto, a familiarização
com ela é essencial pois, só assim sua utilidade tornar-se-á clara e simples. Sua utilização
é essencial para o entendimento, projeto, fabricação, caracterização e uso de um enorme
número de dispositivos eletrônicos, optoeletrônicos e sensores de todo tipo (temperatura,
pressão, fluxo, pH, gases, elementos químicos, campos, radiação, etc.)

1 Modelo de Feynmann

No caso de 2 átomos de hidrogênio se aproximando, ocorre uma acoplamento entre

os estados quânticos de cada átomo, resultando numa divisão em 2 novos estados, dados
por E0-A e E0+A. Um efeito similar acontece ao aproximarmos N átomos de qualquer
elemento. Os níveis discretos dos vários átomos, agora próximos, sofrem acoplamentos,
resultando em faixas ou bandas de energias de estados permitidos, como ilustrado na
Fig. 1 Cada banda formada apresenta um número muito grande de estados permitidos.
Uma banda pode estar separada da próxima banda por uma faixa de energia proibida, ou
seja, sem estados permitidos. A largura desta banda proibida pode variar bastante,
dependendo do elemento químico constituinte do sólido, podendo inclusive ser negativo,
ou seja, com a sobreposição de duas bandas consecutivas. A Fig. 2 ilustra a
transformação dos estados discretos de átomos de Na em bandas de energia, com
dependência da distância interatômica. Estas bandas de energia correspondem às
soluções possíveis da equação de Schrödinger para diferentes distâncias entre os átomos.
Observa-se dos dados da Fig. 2, que o nível 2p continua discreto mesmo para distância de
3.67Å, enquanto que os níveis de energia maior como 3s, 3p e 4s transformam-se em
bandas de estados permitidos. Os átomos de Na possuem estados ocupados até o nível
3s, com 1 elétron ocupando esta orbital. Calculando-se a energia média dos elétrons para
cada distância interatômica, obtém-se uma energia mínima para a distância de 3.67Å.
Desta forma, esta é a distância adotada pelo sólido, por ser a situação mais estável. A
figura mostra também que as bandas correspondentes aos orbitais 3s, 3p e 4s

1
apresentam uma sobreposição na distância interatômica natural. Como temos apenas um
elétron por átomo, a banda formada apresentará muitos estados desocupados. Isto é
coerente com o modelo do elétron livre.

Fig. 1 Ilustração da transformação de níveis discretos de átomos isolados em bandas de

energia em sólido formado pela aproximação de n átomos, resultando em n estados em
cada banda.

De forma similar, aproximando-se N átomos de Si, teremos que seus orbitais da

última camada ocupada, 3s e 3p, com um total de 8 estados para cada átomo, sofrerão
um acoplamento. Este acoplamento resulta na formação de duas bandas com um total de
4N estados em cada banda. O número total de estados é conservado, como no caso dos
átomos da molécula de H2, onde tínhamos 2 estados com energia E0-A e 2 estados com
energia E0+A. A Fig. 3 ilustra a formação das duas bandas de energia, sendo que no caso
do Si elas estão separadas por uma banda de energia proibida (1.12 eV). Como cada
átomo de Si apresenta 4 elétrons na camada 3 (3s2 + 3p2), estes irão preferencialmente
ocupar os estados da banda inferior, chamada de banda de valência, deixando a banda
superior, chamada de banda de condução, preferencialmente vazia.

2
Fig. 2 Níveis de energias de estados quânticos de um sólido de sódio, variando-se a
distância interatômica de 0 a 15 A, juntamente com as bandas ou níveis discretos de
energias obtidas para 3 distâncias: 3.67 A, 10 A e .

Fig. 3 Ilustração dos níveis discretos de energia dos orbitais de átomos de Si e da

formação das bandas de valência e de condução de cristal de Si.

3
2 Metais, Semicondutores e Isolantes

Realizando medidas de condutividade elétrica à temperatura próxima de 0 K,

observa-se que alguns materiais apresentam-se como bons condutores enquanto que,
outros materiais como excelentes isolantes. Até as primeiras décadas do século 20, não
havia uma explicação plausível para esta observação. Obtém-se uma explicação baseada
no que foi exposto no presente capítulo. Vejamos a explicação baseada no modelo
desenvolvido para o cristal unidimensional. Obtivemos que cada banda de energia contém
um total de 2NaL estados quânticos. Se cada átomo do cristal contribuir com um único
elétron para uma dada banda, esta banda ficará preenchida até a sua metade (NaL
elétrons no total), ou seja, metade dos estados da banda estarão ocupados. Como na
metade da altura da banda, a derivada da relação E x k é máxima (Fig. 4 e 5), este
material, com uma banda ocupada pela metade, terá alta condutividade .

Fig. 4 Curvas de relação E x k , para k > 0, como soluções válidas da equação de

Schrödinger do modelo de Kronig e Penney.

4
Fig. 5 (a) Relação E x k da primeira banda permitida de cristal unidimensional de estados
e (b) a variação da velocidade de grupo e (c) da massa efetiva com k.

Analogamente, um material em que cada átomo contribui com dois elétrons para
preencher uma banda, resulta em uma banda completamente preenchida. Vimos que, a
relação E x k apresenta derivada nula (Fig. 4) para os estados do topo da banda e que
como conseqüência o número efetivo de elétrons de condução desta banda é nulo . Este
material será então um isolante, como já foi discutido no item 7.5. Analogamente, um
material com átomos com número impar de elétrons será um condutor, enquanto que
materiais com átomos com número par de elétrons será um isolante.

A regra acima funciona apenas para cristais unidimensionais. Para cristais

tridimensionais e reais a regra funciona apenas parcialmente, porém continua sendo
válida, de forma geral, a regra que, se a última banda estiver parcialmente cheia teremos
um condutor e se a banda estiver totalmente cheia teremos um isolante. Esta regra geral
no entanto também pode falhar em alguns casos, quando houver sobreposição parcial de

5
bandas consecutivas (largura da banda proibida negativa). Analisemos agora diagramas
de energia simplificados de alguns materiais condutores, isolantes e semicondutores.

a) Condutores: são materiais caracterizados por sua última banda não totalmente
preenchida (como Na, Al), ou ainda por apresentar sua última banda totalmente
preenchida, mas com uma sobreposição com a banda seguinte (caso Mg). A Fig. 6 mostra
os diagramas de banda esquemáticos dos metais Na, Mg e Al. O Na apresenta metade da
banda 3s ocupada (1 elétron de cada átomo de Na). No caso de Mg, a banda 3s está
totalmente preenchida, porém há uma sobreposição entre as bandas 3s e 3p, resultando
numa banda maior e não totalmente preenchida. No caso do Al, a banda 3s está
totalmente preenchida e a banda 3p parcialmente preenchida.

(a) (b) (c)

Fig. 6 Diagramas de bandas de energia de alguns metais: (a) Na, (b) Mg e (c) Al.

b) Isolantes: são materiais que tem sua última banda, chamada de valência, totalmente
preenchida, sem sobreposição com a banda de energia seguinte e além disto, uma banda
proibida de valor considerável. Uma banda proibida larga é necessária para que seja
improvável um elétron da banda de valência adquirir energia e passar para a banda
seguinte de condução. A Fig. 7 ilustra a diferença básica entre os diagramas de bandas de
materiais condutores e isolantes.

6
 (a) (b)

Fig. 7 Diagramas de banda de energia típicos: (a) de metais e (b) de isolantes

c) Semicondutores: Semicondutores são um caso particular de materiais isolantes, sendo

a única diferença a magnitude da banda proibida de energia do seu diagrama de bandas
(Fig. 7 b). Se for menor ou até da ordem de 3 eV podemos classificá-lo como
semicondutor, enquanto que se for maior que este valor o classificamos como isolante. À
temperatura de 0 K, tanto o semicondutor como o próprio isolante serão ambos isolantes.
Eles não poderão conduzir corrente elétrica, pois em ambos os casos, as bandas de
valência encontram-se totalmente preenchidas. Aumentando-se a temperatura, acima de 0
K, de um material semicondutor, com largura da banda proibida reduzida, alguns poucos
elétrons da banda de valência adquirem energia térmica da rede e poderão pular dos seus
estados da banda de valência para estados vazios da banda de condução. Desta forma,
passamos a uma condição em que os elétrons, tanto da banda de valência (banda não
mais totalmente preenchida) como da banda de condução (apenas parcialmente
preenchida), podem conduzir corrente elétrica. A condutividade será no entanto bem
reduzida, tendo em vista o número reduzido de elétrons na banda de condução, bem
como uma banda de valência ainda quase preenchida. Esta situação no entanto não
ocorre em materiais isolantes que tenham largura da banda proibida de valor grande o
suficiente, a não ser que elevemos muito a temperatura. A Tabela 7.1 apresenta alguns
materiais com a largura da sua banda proibida e a sua correspondente classificação como
isolante ou semicondutor.

Tabela 7.1 Exemplos de materiais com sua respectiva largura da banda proibida (EG) e
classificação como isolante ou semicondutor.
Material EG [eV] a 300 K Classificação
Ge 0.66 Semicondutor
Si 1.12 Semicondutor
GaAs 1.42 Semicondutor
C (diamante) 5.47 Isolante
SiO2 9.0 Isolante
Si3O4 5.0 Isolante

7
3 Lacunas

Lacunas referem-se a estados da banda de valência vazios, não preenchidos por

elétrons. Elas são também chamadas por buracos ou holes em Inglês. Veremos que a
lacuna pode ser tratada como uma partícula de carga positiva, e que esta sua
característica deve-se ao comportamento estranho dos demais elétrons da banda de
valência onde se encontra a lacuna. Na realidade a lacuna não existe como partícula ou
como entidade isolada, mas ela é uma conseqüência do movimento de elétrons num
potencial periódico. Assim, a lacuna livre não existe. Não é possível criar um canhão de
lacunas como existe para elétrons. Lacunas resultam de um artifício matemático que
mostraremos a seguir.

Define-se a massa efetiva pela seguinte relação:

−1
 ∂2E 
m =
* 2
 2  (1)
 ∂k 

Temos pela substituição correspondente do termo de massa efetiva

dI 1
= q∈∑ * (2)
dt mi

onde a somatória representa a somatória do inverso das massas efetivas correspondentes

a todos os estados ocupados. Baseado nesta relação, analisemos os seguintes casos:

a) supondo uma banda que tenha um único estado ocupado. Neste caso teremos:

dI e q 2 ∈
= * (3)
dt m

b) supondo agora o caso de uma banda totalmente cheia, teremos que a corrente deve ser
nula:

dI 1
= q2 ∈ ∑ * = 0 (4)
dt i mi

c) tendo uma banda totalmente cheia com exceção de um único estado no topo da banda,
ou seja, caso de uma banda com uma única lacuna. Neste caso teremos:

dI h 1
= q2 ∈ ∑ * (5)
dt i ,i ≠ j mi

8
mas temos da relação 4 que:

 1 1 
q2 ∈  ∑ * + =0 (6)
 i ,i ≠ j m m 
 i j 

Das relações 5 e 6 resulta que:

dI h 1
= −q 2 ∈ * (7)
dt mj
Devemos lembrar da Fig. 4 que, na parte inferior da banda os estados apresentam massa
efetiva positiva, enquanto que os estados da metade superior da banda apresentam
massa efetiva negativa. As lacunas correspondem normalmente a estados desocupados
na parte superior da banda (minimização da energia dos elétrons) e portanto apresentam
massa efetiva negativa. Assim podemos considerar o módulo da massa efetiva da lacuna
e inverter o sinal da relação 7, resultando:

dI h 1
= q2 ∈ * (8)
dt mj

A troca do sinal da massa e da expressão da corrente equivale a tratar a lacuna como

sendo uma partícula de massa efetiva e carga q, de sinais positivos.

Pelo exposto acima, podemos concluir que a condução através dos elétrons, de
uma banda de valência quase cheia de um cristal, é equivalente à condução através de
partículas fictícias, correspondendo aos estados desocupados e de massa efetiva
negativa, chamadas lacunas, as quais se comportam como se fossem partículas de carga
e massa de sinais positivos. Uma analogia à corrente elétrica por lacunas é o caso de uma
bolha caminhando na água. A bolha é uma ausência de água, sendo que seu
deslocamento corresponde na verdade ao movimento de água em sentido oposto. Embora
seja a lacuna uma partícula fictícia que não existe na realidade, um engenheiro pode
adotá-la como sendo uma partícula real para efeitos práticos, de uso na análise de
dispositivos.

Lembremos que um semicondutor a uma temperatura superior a 0 K, apresenta um

certo número de elétrons na banda de condução, criados concomitantemente com os
estados vazios ou lacunas na banda de valência. Desta forma, o semicondutor terá uma
corrente elétrica, se for aplicado um campo elétrico, dada pela soma da condução dos
elétrons na banda de condução e das lacunas na banda de valência. Por este motivo
chamaremos daqui para frente os elétrons e as lacunas de portadores. Isto significa que
temos 2 tipos de portadores, elétrons na banda de condução, com carga -q e lacunas na
banda de valência, com carga +q. A massa efetiva de cada portador depende da particular
curvatura da relação E x k, do respectivo diagrama de banda. Assim, a massa efetiva pode
diferir para elétron e lacuna e para materiais diferentes, como veremos no item seguinte.

9
4 Diagramas de Bandas de Semicondutores Reais

Até este ponto do capítulo, desenvolvemos nosso modelo considerando um cristal

hipotético unidimensional. Isto foi motivado pela maior facilidade do tratamento
matemático e por ser suficiente para a apresentação dos conceitos importantes
introduzidos. No caso de um cristal real tridimensional, os cálculos são bem mais
complexos e a sua apresentação está fora do escopo deste texto. Mas de forma geral
todos os conceitos discutidos nos itens anteriores são similares e válidos para os cristais
reais. A Fig. 8 apresenta diagramas de bandas reais correspondentes a 3 cristais
semicondutores de interesse prático. As curvas representam os estados permitidos
determinados pela solução da equação de Schrödinger independente do tempo, tendo
como potencial eletrostático o potencial periódico do cristal (no caso da soluções da Fig. 8,
em 2 direções). Nos gráficos considerou-se como energia de referência a energia do topo
das bandas de valência dos materiais. As curvas obtidas apresentam detalhes e valores
que foram confirmados por diferentes medidas elétricas, magnéticas e ópticas, realizadas
por diversos grupos de pesquisa e reportados na literatura científica internacional.

(a) Ge (b) Si (c) GaAs

Fig. 8 Estruturas de diagramas de bandas reais de semicondutores comuns, (a) Ge,

(b) Si e (c) GaAs. EG representa a largura da banda proibida. Os sinais + no topo das
bandas de valência e – no vale inferior da banda de condução representam
respectivamente lacunas e elétrons nestes estados.

10
 Analisando os diagramas de bandas dos semicondutores da Fig. 8 temos as
seguintes questões:
• o mínimo da banda de condução do diagrama de bandas do GaAs corresponde ao
mesmo valor de vetor de onda do estado do máximo da banda de valência. Isto
significa que, para um elétron “pular” da banda de valência para a banda de condução,
ou vice-versa, basta ele receber ou emitir um quantum de energia, dado por EG
correspondente, sem necessitar mudar o valor do seu vetor de onda, associado ao
momentum do elétron. Este tipo de caso é chamado de diagrama de bandas tipo direto.
A transição de um elétron de um estado com apenas troca de energia, sem troca de
momentum, é mais fácil ou provável de ocorrer comparado ao caso onde há
necessidade de troca das duas grandezas ao mesmo tempo. Como conseqüência, este
tipo de diagrama de banda do tipo direto é requerido para que o material tenha boas
propriedades optoeletrônicas (necessário para Laser, LED, outros).
• no caso dos semicondutores de Ge e Si temos o caso de diagrama de bandas do tipo
indireto. Isto está associado ao fato do máximo da banda de valência não coincidir no
mesmo ponto do valor do vetor de onda k do estado do mínimo da banda de condução.
Neste caso, a transição de um elétron entre a banda de valência e a banda de
condução requer não apenas uma troca de energia mas sim ao mesmo tempo uma
troca de momentum do elétron. Para o elétron trocar de momentum, ele deve interagir
com uma outra partícula, como por exemplo um fónon (vibração de átomo da rede),
para trocar momentum, e ao mesmo tempo com um fóton para receber ou emitir
energia. Por esta razão, a transição do elétron entre as duas bandas é mais difícil de
ocorrer em materiais com estrutura de bandas do tipo indireto, sendo estes materiais
não apropriados para a fabricação de dispositivos optoeletrônicos.
• lembrando que a massa efetiva associada aos estados é dada pelo inverso da derivada
segunda das curvas E x k, conclui-se que, quanto mais fechada a curvatura, menor a
massa efetiva. Comparando as curvas nas regiões dos mínimos das bandas de
condução dos 3 materiais da Fig. 8, observa-se que a massa efetiva do elétron no
GaAs deve ser menor que as massas efetivas dos elétrons no Ge e do Si. Analisando
as curvaturas nas regiões dos máximos das curvas de valência, observa-se que
existem duas ou três curvas para cada material e com curvaturas diferentes,
correspondendo a lacunas de massas distintas, uma mais leve e a outra mais pesada.
• No diagrama de bandas do GaAs observa-se que o mínimo da banda de condução
ocorre em torno do vetor de onda k = 0. Porém, a curva apresenta um segundo mínimo
em outro valor de k, com uma energia de 0.31 eV acima do mínimo principal. Se por
algum mecanismo, um elétron ocupando um estado no mínimo principal, receber
energia e assim passar a um estado do segundo mínimo, ele sofrerá uma alteração
(aumento) significativa da sua massa efetiva. Isto pode significar uma redução na
condutividade do material (resistência negativa).
Da análise acima podemos concluir que várias das propriedades dos
semicondutores podem ser extraídas dos respectivos diagramas de bandas. Daí a
importância do conhecimento dos conceitos apresentados neste capítulo. Em algumas
análises das propriedades dos semicondutores não necessitamos de todas as
informações disponíveis nos diagramas completos como apresentados na Fig. 8. Em
alguns casos basta considerar apenas a diferença entre os níveis de energia do máximo

11
da banda de valência e o mínimo da banda de condução, sem preocupar-se com o valor
do vetor de onda correspondente. Neste caso, basta representar o diagrama de bandas na
sua forma simplificada como mostrado na Fig. 9. No capítulo seguinte faremos uso
freqüente desta representação.

Fig. 9 Diagrama de bandas simplificado de semicondutores.

5 Distribuição de Portadores em Temperatura Finita

No caso de temperatura de 0 K, temos que a matéria ocupa os estados de mais

baixa energia possível. Todos os elétrons irão ocupar os estados quânticos de mais baixa
energia. No caso de semicondutores temos a banda de valência totalmente preenchida
por elétrons e a banda de condução totalmente vazia com todos os estados desocupados.
A pergunta que segue este comportamento é como fica a situação de ocupação dos
estados, nos materiais em geral, quando aumentamos a temperatura do mesmo? A
resposta pode ser obtida se considerarmos a função estatística de probabilidade de
ocupação dos estados, de Fermi-Dirac. Esta função mostra que, quando aumentamos a
temperatura, sua variação deixa de ser abrupta em E = EF (energia de Fermi), de forma
que nem todos os estados com energia abaixo de E F permanecem ocupados e nem todos
os estados com energia acima de E F ficam desocupados, como era a situação para T = 0
K. Analisaremos o efeito desta alteração da probabilidade com a temperatura em metais,
isolantes e semicondutores:

a) Em metais: estes apresentam um efeito relativamente reduzido com a variação da

temperatura. Teremos uma redistribuição dos elétrons nos estados da sua banda de
valência, sendo que o mesmo continuará apresentando características de boa
condutividade elétrica e térmica, além de permanecer um material opaco. Teremos sim,
variação do calor específico e efeitos termiônicos.

b) Em isolantes: estes apresentam um efeito relativo menor ainda. Aumentando-se a

temperatura, o número de portadores, lacunas na banda de valência e elétrons na banda
de condução, continuará sendo nulo. Isto significa que o material permanece sendo
isolante mesmo aumentando-se a temperatura.

c) Em semicondutores: estes apresentarão relativamente a maior variação no seu

comportamento ao aumentarmos sua temperatura acima de T = 0 K. No caso de T = 0 K,
temos a função de Fermi-Dirac e o diagrama de banda simplificado do material como
mostrado na Fig. 10 a, com a função de Fermi-Dirac variando abruptamente entre 1 e 0
para E = EF, localizado entre os níveis de valência e de condução; número nulo de

12
elétrons na banda de condução e também um número nulo de lacunas na banda de
valência. Esta situação modifica-se ao aumentarmos a temperatura, como mostra a
Fig. 10 b. Nesta situação teremos que a função de Fermi-Dirac torna-se mais gradual e
como conseqüência, ela deixa de ser 0 para energia acima de Ec (mínimo da banda de
condução) e deixará de ser 1 para energia abaixo de EV (máximo da banda de valência).
Isto significa que teremos alguns poucos elétrons na banda de condução e umas poucas
lacunas na banda de valência. Esta situação já havia sido discutida no item 7.7, porém
sem o emprego da função estatística de ocupação dos estados. Concluímos assim
novamente que, um material tipo semicondutor comporta-se como um isolante à
temperatura T = 0 K e passa a comportar-se como um semicondutor apenas com
temperatura acima de 0 K. É fácil imaginar pela Fig. 9 b, que quanto menor o valor de E G,
maior será a concentração de elétrons na banda de condução e de lacunas na banda de
valência.

Fig. 10 Função de Fermi-Dirac e diagrama de bandas de um semicondutor : (a) à

temperatura de 0 K, sem portadores nas bandas de valência e de condução e (b) a uma
temperatura bem maior que 0 K, com igual número de elétrons na banda de condução e
de lacunas na banda de valência.

13
6. Funções Estatísticas de Ocupação dos Estados Quânticos:

A determinação da densidade de estados em função da energia é uma parte da

solução do nosso problema. A segunda parte refere-se a determinar quantos e quais
destes estados estarão ocupados por elétrons numa dada temperatura. Esta questão é
tratada pela mecânica estatística. A probabilidade de ocupação de estados quânticos
segue a função chamada de “função de distribuição de Fermi-Dirac”, que foi desenvolvida
considerando as seguintes condições, que se aplicam no caso dos elétrons:
• o princípio de exclusão de Pauli
• as partículas são todas idênticas
• o número total de partículas é conservada
• a energia total do sistema é conservada
A função estatística obtida com estas condições é dada como:

1
f (E ) = ( E − E F ) kT (9)
1+ e

onde: EF é uma energia de referência, chamado de nível de Fermi,

k = constante de Boltzmann = 1.38 x 10-23 J/K = 8.62 x 10-5 eV/K

Observa-se facilmente a seguinte propriedade desta função:

f (E F ) =
1
(10)
2

Desta propriedade podemos também afirmar que o nível de referência, ou de Fermi, é o

nível de energia onde a probabilidade de ocupação é 0.5. A Fig. 11 mostra curvas
correspondentes à função de Fermi-Dirac para 3 temperaturas, 0 K, 600 K e 6000 K.
Observa-se que a função varia de 1 a 0, aumentando-se a energia. No caso da
temperatura de 0 K, a função é abrupta em E = EF. Quanto maior a temperatura, mais
gradual torna-se a variação da função. Este comportamento da função está de acordo com
as observações físicas. A 0 K todos os elétrons buscam ocupar os estados de mínima
energia, ou seja, os elétrons ocuparão todos os estados até um certo nível de energia, no
caso EF. Assim, o número total de estados com energia menor que este nível deve ser
igual ao total de elétrons no sistema e a probabilidade de ocupação destes estados é um.
Todos os estados com energia acima do nível EF estarão desocupados e portanto com
probabilidade de ocupação zero. Ao aumentarmos a temperatura do material, alguns dos
elétrons receberão energia térmica, a partir da vibração da rede de átomos. Desta forma,
estes elétrons irão ocupar estados de energia quântica maior, deixando o seu estado
original desocupado. Isto explica porque a função de Fermi-Dirac torna-se mais gradual
pelo aumento da temperatura.

A Fig. 11 (b) mostra uma outra função estatística, chamado de Maxwell-Boltzmann,

que se aplica a casos de sistemas diluídos (muitos estados e poucas partículas) onde:
• as partículas são consideradas distintas
• o número total de partículas é conservado
• a energia total do sistema é conservada

14
Fig. 11 (a) A função de probabilidade de Fermi-Dirac para temperaturas de 0 k, 600 k e
6000 k ; (b) A função de probabilidade clássica de Maxwell-Boltzmann para as mesmas
temperaturas.

A função estatística desenvolvida para este caso de sistema é:

f ( E ) = e −(E − EF ) kT (11)

Estritamente, nunca poderíamos usar a estatística de Maxwell-Boltzmann para descrever

a probabilidade de ocupação de estados quânticos por elétrons, dado que esta estatística
não obedece ao princípio de exclusão de Pauli. Porém, quando a energia dos estados
considerados for bem maior que o nível de Fermi, a probabilidade de ocupação torna-se
próximo a zero. Nesta situação, o princípio de exclusão de Pauli deixa de ser uma
restrição, dado que temos muitos estados e baixa probabilidade de ocupação. A
probabilidade é tão baixa que não haverá competição entre elétrons para ocuparem um
mesmo estado, correspondendo portanto a um sistema diluído. É fácil verificar que
matematicamente, a função de Fermi-Dirac (9) pode ser aproximada à função Maxwell-
Boltzmann (11) quando E - EF >> kT. A Fig. 11 apresenta as curvas das funções de Fermi-
Dirac e Maxwell-Boltzmann, mostrando que ambas se aproximam para altas energias, ou
seja, para E - EF >> kT. A título de informação, a Fig. 12 apresenta também a curva da
função estatística de Bose-Einstein. Esta função nunca se aplica a sistema de elétrons,
mas sim ao caso em que valem as mesmas hipóteses da estatística de Fermi-Dirac, com
partículas idênticas, com exceção da hipótese do princípio de exclusão de Pauli. Estas
hipóteses aplicam-se a um sistema de partículas como fótons.

15
Fig. 12 Comparação entre as curvas das funções de probabilidades de Fermi-Dirac,
Maxwell-Boltzmann e Bose-Einstein.

É importante frisar que as funções estatísticas correspondem às descrições das

distribuições mais prováveis das partículas nos estados quando o sistema está em
equilíbrio. Estas funções não se aplicam a casos de sistemas fora do equilíbrio.

No caso de estados com energias altas, ou seja, E-E F >> kT, poderemos usar a estatística
de Maxwell-Boltzmann, como já foi detalhado acima.
c) No caso de estados com energias baixas tal que EF-E >> kT podemos aproximar a
função de Fermi-Dirac (9) como sendo:

f ( E ) ≅ 1 − e (E − EF ) kT (12)

Aqui a probabilidade de ocupação do estado é próximo a 1. Nesta situação é conveniente

definir a probabilidade do estado estar desocupado como sendo (a partir de 12):

1 − f ( E ) ≅ e (E − EF ) kT (13)

Esta função de probalidade de desocupação do estado, para EF-E >> kT, apresenta-se
também na forma da função de distribuição de Maxwell-Boltzmann (11).

16
Nos casos em que os níveis de energia dos estados não forem distantes suficiente do
nível de Fermi, não poderemos usar as aproximações dos casos acima, e teremos que
obrigatoriamente usar a função de Fermi-Dirac como a função de probabilidade de
ocupação dos estados. Podemos calcular por exemplo, em que faixa de energia a função
de Fermi-Dirac varia entre 0.9 e 0.1. Fazendo este cálculo pela relação 9, obtemos ∆E =
4.4 kT. Nesta faixa com certeza não poderíamos usar a aproximação descrita. Se
quisermos ser mais restritos ainda, poderíamos tomar como intervalo de 6.0 kT, o intervalo
no qual não aceitamos a aproximação da função de Fermi-Dirac para a função de
Maxwell-Boltzmann. Neste limites teremos a função de Fermi-Dirac variando entre 0.95 e
0.05.

17