Condução Elétrica

Quando trabalharmos com materiais sólidos, uma das mais importantes propriedades elétricas a ser
avaliada é a condutividade elétrica, que consiste na facilidade com que o material conduz eletricidade.
Essa condução elétrica está relacionada ao movimento de espécies individuais do material em escala
atômica, chamadas portadores de carga.
O tipo mais simples de portador de carga é o elétron, cuja carga é negativa e equivale a -1,6.10-19 C
(coulombs). Um conceito um pouco mais abstrato e de fundamental importância, principalmente nos
semicondutores, é o de lacuna eletrônica, que é formada pela ausência de um elétron na nuvem eletrônica.
Essa ausência do elétron, carregado negativamente, concede à lacuna uma carga positiva efetiva de 1,6 ⋅
10-19 C, em relação à sua vizinhança. Em materiais iônicos, os cátions e os ânions são portadores de carga,
e a movimentação deles pode gerar o fenômeno denominado condução iônica (SHACKELFORD, 2013).
Essa facilidade em conduzir a corrente elétrica é representada pela equação conhecida como Lei
de Ohm, apresentada a seguir:
V = IR

Nela V é a diferença de potencial elétrico (tensão elétrica), cuja unidade é volts (V); I é a intensidade
de corrente elétrica (ou taxa de passagem de cargas ao longo do tempo), cuja unidade é ampère (A); e
R é a resistência elétrica do material, cuja unidade é ohm (Ω). A unidade ampère equivale a coulombs
por segundo (1 A = 1 C/s).
O valor da resistência R de um material depende da geometria da amostra analisada. Para um fio no
formato cilíndrico, por exemplo (Figura 1), a resistência aumenta com o aumento do comprimento do fio,
l, e diminui com o aumento da área de seção transversal, A, essa relação é conhecida como 2ª lei de Ohm.

R=
rl
A

Com a 2ª lei de Ohm, definimos uma propriedade elétrica importante, chamada de resistividade
elétrica (ou simplesmente resistividade), ρ, cujas unidades são Ω ∙ m.

Diferentemente da resistência R, a resistividade elétrica ρ, é uma propriedade independente da geo-

metria da amostra analisada. A resistividade elétrica depende somente do tipo do material utilizado.

UNIDADE 7 195
 



Figura 1 - Representação da condução elétrica em um material de formato cilíndrico
Fonte: o autor.

Relacionando a 1ª e a 2ª lei de Ohm, temos: A partir dos valores de condutividade elétrica

Isolando R V dos materiais, eles são classificados como:
1ª lei de Ohm: V = IR 
→R =
I Condutores: possuem condutividades entre
ρl Isolando ρ RA
2ª lei de Ohm: R =  →ρ = 10 e 107 (Ω ∙ m)-1, por exemplo a maioria dos
4
A l
metais.
Se substituirmos a equação obtida de R na equa- Semicondutores: possuem condutividades
ção para ρ, obtemos: intermediárias, entre 10-7 e 104 (Ω ∙ m)-1.
Isolantes: possuem condutividades entre 10-20
V substituindo R por V / I em RA
R  r  e 10-10 (Ω ∙ m)-1, como acontece com a maioria das
I l
VA cerâmicas e polímeros.
r
Il

A última equação relaciona a resistividade elétrica Bandas de Energia

de uma amostra de material com a tensão elétrica nos Sólidos
e com a corrente elétrica.
A partir da resistividade elétrica, podemos de- Apesar dos íons também serem condutores de
finir outra propriedade importante, a condutivi- corrente, nos materiais condutores, semicon-
dade elétrica, σ, que é simplesmente o inverso da dutores e na maioria dos materiais isolantes, a
resistividade elétrica. Assim como a resistividade corrente é conduzida majoritariamente a partir
elétrica, a condutividade elétrica não depende da dos elétrons nesses materiais. Contudo, devemos
geometria da amostra, depende somente do tipo entender que nem todos os elétrons que formam
de material utilizado. o material estão disponíveis para a condução de

σ=
corrente elétrica.
1
Para a formação de um material sólido, é ne-
ρ
cessário o agrupamento de um número muito
Ela representa a facilidade em conduzir corrente grande de átomos, conduzindo a formação da
elétrica que um material específico possui e é estrutura cristalina desse material. Esse grande
o parâmetro utilizado na classificação elétrica número de átomos, próximos uns aos outros, cau-
dos materiais. As unidades de σ são Ω-1 ∙ m-1 ou sam uma interferência nos elétrons de um átomo
(Ω ∙ m)-1. pelos elétrons e núcleos dos átomos vizinhos a ele.

196 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais

Essa interferência leva à formação de estados eletrônicos espaçados, mas próximos entre si, formando
o que são denominadas bandas de energia eletrônica.
Em cada banda eletrônica, existe um estado de energia, e a diferença entre estados adjacentes é
muito pequena. As propriedades eletrônicas de um material são um reflexo das bandas de energia
eletrônicas desse material.
Na temperatura 0 K (-273,15 °C), existem quatro diferentes tipos de bandas possíveis representados
na Figura 2:
a) Banda mais externa, parcialmente preenchida com elétrons. Característica de alguns metais
(condutores), em particular de metais com apenas um elétron de valência, por exemplo o cobre.
b) Superposição de uma banda vazia com uma banda preenchida. Também característica em
metais (condutores), como é o caso do magnésio.
c) Banda de valência, completamente preenchida com elétrons, separada de uma banda de
condução vazia. Essas bandas são separadas por um espaçamento entre as bandas de energia
de grande magnitude. Os materiais isolantes apresentam esse comportamento.
d) Banda de valência, completamente preenchida com elétrons, separada de uma banda de con-
dução vazia. Essas bandas são separadas por um espaçamento entre as bandas de energia
de pequena magnitude. Os materiais semicondutores apresentam esse comportamento.

Banda de
Banda Banda condução Banda de
vazia vazia vazia condução
vazia

Espaçamento Espaçamento Espaçamento

entre as bandas entre as bandas entre as bandas

Estados vazios Banda Banda de Banda de

preenchida valência valência
Estados preenchida preenchida
preenchidos
a) b) c) d)

Figura 2 - Tipos de bandas eletrônicas nos sólidos

Fonte: adaptada Callister e Rethwisch (2013).

O estudo aprofundado desses conceitos foge do escopo da nossa disciplina, contudo, devemos saber
que somente elétrons livres participam do processo de condução elétrica. Para que um elétron se torne
livre, ele deve ser excitado ou promovido para uma das bandas de energia vazias, ou seja, o elétron
deve migrar para uma banda vazia ou estado vazio, no caso da Figura 2(a).
Além disso, em materiais isolantes e semicondutores, as lacunas eletrônicas também participam da
condução elétrica. Inclusive, a diferença entre os semicondutores e os isolantes reside na quantidade
dos elétrons livres e das vacâncias presentes nesses materiais, devido à diferença do espaçamento entre
as bandas desses dois tipos de materiais (CALLISTER; RETHWISCH 2013).

UNIDADE 7 197
Condutores (Metais)

Os metais são os materiais que melhor representam a classe dos condutores, pois pouca ou nenhuma
energia é necessária para promover um elétron do estado ou banda preenchido para um estado ou
banda vazio adjacente nos condutores; geralmente, a energia térmica do material já é o suficiente para
a promoção de elétrons livres nesses materiais. Por essa razão, a quantidade de elétrons livres é, relati-
vamente, alta, sendo assim, a condutividade elétrica desses materiais também é alta.

Isolantes e semicondutores Mobilidade dos elétrons

Quando se trata de isolantes e semicondutores, Quando um material, que contenha elétrons

não existem estados vazios adjacentes para que livres, é submetido a um campo elétrico, esses
o elétron possa migrar facilmente. As bandas de elétrons livres são acelerados na direção oposta
valência desses materiais são totalmente preenchi- desse campo devido a suas cargas negativas. Dessa
das e, além disso, a banda de condução é separada forma, os elétrons livres acelerados dão origem a
da sua banda de valência por um espaçamento um fluxo ordenado de elétrons; entretanto, apesar
entre bandas. Para que um elétron seja promovido destes serem acelerados, a corrente elétrica gerada
a elétron livre, ele deve receber energia suficien- nesse processo não aumenta com o decorrer do
te para migrar da banda de valência até a banda tempo. Esse comportamento se deve ao fato de
de condução, na qual ele terá a mobilidade para que existem forças que se contrapõem a essa ace-
conduzir corrente elétrica. A energia necessária leração (forças de fricção), mantendo a magnitude
para essa promoção é, geralmente, de uma fonte da corrente elétrica constante.
térmica ou de uma fonte luminosa. As forças de fricção são resultado das imper-
Nos materiais isolantes, o espaçamento entre feições presentes na rede cristalina do material,
as bandas de valência e de condução é relativa- como lacunas, átomos de impureza, discordân-
mente grande, portanto, a energia necessária para cias, átomos intersticiais e também das vibrações
a promoção do elétron da banda de valência para térmicas dos próprios átomos da rede.
a banda de condução também é muito grande, e A esse fluxo de elétrons constante, resultante
esse material dificilmente possuirá elétrons livres de todos os fatores mencionados, de direção opos-
para a condução de corrente elétrica. ta ao campo elétrico aplicado, é dado o nome de
Em materiais semicondutores, a distância en- corrente elétrica (I).
tre as bandas de valência e de condução é menor, Visto que os defeitos na estrutura cristalina do
o que significa que a energia para a promoção de material interferem negativamente na magnitude
elétrons livres é menor em relação aos materiais da corrente elétrica que passa por ele, podemos
isolantes. Por essa razão, os semicondutores pos- analisar a resistividade elétrica com base nesses
suem uma quantidade de elétrons livres muito defeitos. Para os metais, por exemplo, a resistivi-
maior que os isolantes, nas mesmas condições dade elétrica total pode ser escrita como:
energéticas, ou seja, eles possuem condutivida-
des elétricas intermediárias entre os isolantes e rtotal  rt  ri  rd
os condutores.

198 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais

 • ρt representa a resistividade resultante das
Onde, Em um semicondutor intrínseco, a condução
elétrica depende tanto dos elétrons promovidos

• ρi representa a resistividade resultante das

vibrações térmicas do material. quanto dos buracos produzidos nessa promoção.

• ρd representa a resistividade resultante da

impurezas presentes no material.
Semicondutor extrínseco
deformação plástica.
Os semicondutores comercializados são, geral-
mente, extrínsecos, fabricados para utilizações es-
Semicondutividade pecíficas, geralmente em dispositivos eletrônicos
que operam à temperatura ambiente e possuem
Os condutores possuem uma condutividade mui- condutividades elétricas altas nessas condições.
to superior aos semicondutores, contudo, outras Nos semicondutores extrínsecos, o compor-
características elétricas fazem dos semicondutores tamento elétrico do material é ditado por áto-
materiais de extrema importância, principalmen- mos de impurezas presentes nesses materiais, que
te no âmbito tecnológico. Uma dessas caracterís- mesmo em concentrações pequenas, conduzem
ticas é a sensibilidade elétrica a impurezas, mes- a um excesso de elétrons e lacunas. Existem dois
mo em concentrações muito pequenas. A seguir, tipos de semicondutores extrínsecos, os do tipo
abordaremos os semicondutores intrínsecos e os n e os do tipo p. No primeiro, os elétrons são os
semicondutores extrínsecos. responsáveis pela condução da corrente elétrica;
no segundo, são os buracos que desempenham o
papel de condutores de corrente elétrica.
Semicondutor intrínseco

O comportamento elétrico dos semicondutores

intrínsecos se deve à estrutura eletrônica inerente A dopagem é o processo no qual pequenas
do material puro. Como foi dito anteriormente, os quantidades de impurezas, com propriedades
semicondutores são constituídos por uma banda adequadas, são adicionadas propositalmente
de valência totalmente preenchida e separada de e de forma controlada ao cristal intrínseco do
uma banda de condução por um espaçamento material semicondutor, de forma que o com-
relativamente pequeno. Nos semicondutores in- portamento elétrico deste seja modificado da
trínsecos, cada elétron promovido para a banda maneira desejada. Existem elementos dopantes
de condução deixa para trás uma lacuna (buraco) receptores, como boro, alumínio, gálio, índio e tá-
nas ligações covalentes do material. lio, permitindo a constituição de semicondutores
Essa lacuna pode ser tratada como uma partí- do tipo p, e dopantes doadores, como o fósforo,
cula carregada positivamente de mesma magni- arsênio, antimônio e bismuto, permitindo a cons-
tude que o elétron, porém de sinal oposto. Então, tituição de semicondutores do tipo n.
na presença de um campo elétrico, os elétrons Doadores e receptores dão origem, respectiva-
excitados (promovidos para a banda de condu- mente, a semicondutores tipo n e tipo p.
ção) e as lacunas movem-se em direções opostas.

UNIDADE 7 199
Semicondutor do tipo n

Para entendermos como funciona um semicondutor do tipo n, vamos tomar o exemplo do silício puro
(Si). Os átomos de silício se ligam a partir de quatro ligações covalentes (quatro elétrons de valência),
nas quais cada átomo de silício compartilha um elétron com o átomo de silício vizinho. Caso seja in-
troduzido um átomo de impureza substitucional, contendo cinco elétrons de valência, por exemplo o
fósforo (P), somente quatro elétrons desse átomo de fósforo poderão participar das ligações covalentes
com os átomos de silício adjacentes. Dessa forma, o elétron de valência do fósforo, que não está ligado
aos átomos de silício vizinhos, ficará fracamente preso ao redor desse átomo de fósforo e, por essa ra-
zão, ele pode ser facilmente promovido para a banda de condução, ou seja, tornar-se um elétron livre.
A impureza, nesses casos, é denominada doadora, pois fornece elétrons que podem ser facilmente
promovidos a elétrons livres e, geralmente, a energia térmica à temperatura ambiente é o suficiente
para a promoção de vários desses elétrons das impurezas doadoras. Além disso, é importante notar
que a promoção dos elétrons dessas impurezas não deixa um buraco para trás na banda de valência,
como nos semicondutores intrínsecos.

Semicondutor do tipo p

Para entendermos os semicondutores extrínsecos do tipo p, vamos voltar ao exemplo do silício puro
(Si), mas, dessa vez, vamos introduzir um átomo de impureza substitucional contendo três elétrons de
valência, por exemplo, o alumínio (Al). Os três elétrons desse átomo de alumínio poderão participar
das ligações covalentes com três átomos de silício adjacentes, faltando um elétron para completar a
ligação com o quarto átomo de silício. Esse déficit de elétron pode ser visto como um buraco, que está
fracamente ligado ao átomo de alumínio. Portanto, esse buraco pode migrar facilmente para outras
posições da rede, simplesmente pela transferência de um elétron de ligações adjacentes ao buraco.
Esses buracos em movimento são considerados em estado excitado e conduzem corrente elétrica.
As impurezas desse tipo são denominadas receptoras, pois são capazes de receber elétrons da banda
de valência, deixando para trás um buraco, contudo, não são criados elétrons livres nesse processo.
O processo de produção de materiais semicondutores extrínsecos p ou n, denominado dopagem,
é realizado utilizando-se materiais com purezas extremamente elevadas, contendo concentrações de
átomos de impurezas da ordem de 10-7%. A esses materiais de pureza elevada, são introduzidos átomos
de impureza, em concentrações controladas, utilizando diferentes técnicas.

Dispositivos semicondutores

O estudo das propriedades elétricas dos materiais permitiu o desenvolvimento de dispositivos que
desempenham funções eletrônicas fundamentais nos dias atuais. Alguns exemplos desses dispositivos
são os diodos e os transistores, que têm dimensões pequenas, consomem pouca energia e praticamente
não aquecem em comparação à tecnologia utilizada antes desses dispositivos. Por essas e outras razões,
os semicondutores promoveram o desenvolvimento acelerado da tecnologia nas últimas décadas.

200 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais

 Um diodo (ou retificador) é um dispositivo eletrônico que per-
mite que a corrente elétrica passe em apenas uma direção, ou seja,
ele é capaz de transformar uma corrente alternada em corrente
contínua. Os diodos são constituídos de um material cujo um lado
é dopado em um semicondutor do tipo n, e o outro lado é dopado
em um semicondutor do tipo p.
Nos circuitos microeletrônicos, um dispositivo extremamente
importante é o transistor. Ele é capaz de amplificar um sinal elétrico
e, além disso, eles também servem de “interruptores” em computa-
dores com o intuito de processar e armazenar informações.
Os diodos e os transistores são amplamente utilizados em com-
putadores para a realização das lógicas e aritméticas, além do arma-
zenamento de informações. Os computadores funcionam no sistema
binário, ou seja, os números são escritos na base 2, sendo cada nú-
mero uma série de 0 e 1. Os transistores e diodos funcionam como
interruptores e possuem duas funções atribuídas por esses números
no sistema binário: 0, desligado (não conduz); 1, ligado (conduz).
Uma das tecnologias de armazenamento mais populares é a
memória flash. Ela pode ser programada e apagada eletricamente,
além disso, ela é não volátil, ou seja, não necessita de energia para
manter as informações armazenadas. A memória flash é muito
durável e capaz de suportar grandes variações de temperatura e,
até mesmo, a imersão em água.
O último dispositivo eletrônico importante que vamos men-
cionar são os circuitos eletrônicos. Eles estão presentes em vários
equipamentos utilizados em nossas vidas, desde uma simples cal-
culadora até os computadores de bordo de aviões mais sofisticados.
Atualmente, já possuímos tecnologia para criar circuitos eletrônicos
cada vez menores e com eficiência melhores. Os circuitos eletrô-
nicos são produzidos a partir do silício de alta pureza em proces-
sos de difusão controlada de impurezas nesses materiais, criando
regiões localizadas do tipo n e do tipo p nessas placas de circuito
(CALLISTER; RETHWISCH, 2013).

Tenha sua dose extra de conhecimento

assistindo ao vídeo. Para acessar, use seu
leitor de QR Code.

UNIDADE 7 201
 Entretanto, apesar das duas contribuições para a condutividade elétrica, a maioria dos materiais
iônicos permanece isolante mesmo em altas temperaturas.

Condução em Polímeros

Apesar dos polímeros, em sua maioria, serem materiais isolantes, existem alguns materiais poliméricos
sintetizados que possuem condutividades elétricas próximas às dos metais. Estes são denominados
polímeros condutores e são produzidos pelo processo de dopagem com impurezas apropriadas.
Assim como nos semicondutores dopados, os polímeros condutores podem ser do tipo p ou do tipo
n, dependendo apenas da impureza utilizada na dopagem; entretanto, essas impurezas não substituem
nem repõem nenhum dos átomos do polímero.
Os polímeros condutores têm potencial para serem utilizados em um vasto campo de aplicações,
uma vez que apresentam baixa massa específica, alta flexibilidade e são facilmente produzidos. Eles
já são utilizados na fabricação de baterias recarregáveis, eletrodos poliméricos, diodos e transistores
e, até mesmo, na fiação de aeronaves.

Comportamento dielétrico

Um dielétrico é um material isolante que exibe um dipolo elétrico, ou seja, ele apresenta, a nível mo-
lecular ou atômico, uma separação entre as entidades com cargas positivas e negativas do material.
Nesse âmbito, vamos definir uma propriedade muito utilizada em eletrônica, chamado capacitância.
Quando uma diferença de potencial V é aplicada por meio de um capacitor (Figura 3), uma placa fica
carregada positivamente, enquanto a outra fica carregada negativamente. O campo elétrico corresponden-
te tem direção da carga positiva para a carga negativa. Nessas condições, a capacitância está relacionada
à quantidade de cargas armazenadas, Q, em cada uma das placas, de acordo com a equação a seguir:

C=
Q
V
na qual V é a diferença de potencial entre as placas (diferença de potencial do capacitor). A unidade da
quantidade de cargas, Q, é coulomb (C), e da diferença de potencial V é volts (V), portanto as unidades
da capacitância, C, são coulomb por volt (C/V) ou farad (F).
Para um capacitor de placas separadas por vácuo, como o apresentado na Figura 3(a), vemos que a
capacitância depende da área das placas, A, e da distância entre elas, l, de acordo com a relação

A
C 0
l
Onde ∈0 é a permissividade do vácuo, que vale 8,85 ∙ 10-12 F/m (farad por metro).

UNIDADE 7 203
 Polarização
0 = є0E

 Outro comportamento elétrico importante verifi-

cado em alguns materiais é a polarização. Quando
falamos em polarização, estamos nos referindo ao
 Vácuo E=
 alinhamento dos momentos de dipolo atômicos

ou moleculares que ocorrem quando um campo
(a)
elétrico externo a esse material é aplicado sobre
ele, sendo esses momentos de dipolos induzidos
0 = є0E + 
ou permanentes.

Todos os materiais dielétricos possuem, pelo
menos, um tipo de polarização, podendo ser ele-
Dielétrico
trônica, iônica ou de orientação, dependendo ape-
 E
nas do material e do modo como o campo elétrico
(b) externo é aplicado.
Figura 3 - (a) Capacitor de placas separadas por vácuos; (b) A polarização eletrônica acontece quando
Capacitor de placas separadas por um material dielétrico a aplicação de um campo elétrico faz com que
Fonte: Callister e Rethwisch (2013, p. 646). o centro da nuvem eletrônica, carregada nega-
Caso seja introduzido um material dielétrico tivamente, desloque-se em relação ao núcleo do
(isolante) no espaço entre as placas do capacitor átomo, carregado positivamente. Esse tipo de po-
(Figura 3(b)), a relação para o cálculo da capaci- larização pode ser induzida em qualquer átomo e
tância fica da seguinte forma: é muito encontrada em materiais dielétricos. Os
A efeitos dessa polarização duram somente enquan-
C  to o campo elétrico estiver ativo.
l

Onde ∈ é a permissividade do meio dielétrico

Quando um campo elétrico é aplicado sobre
materiais iônicos, acontece a polarização iônica

meio dielétrico, ∈ , é sempre maior que a permis-

em farad por metro (F/m). A permissividade do desses materiais, em que os íons (cátions e ânions)

sividade no vácuo, ∈0 .
deslocam-se em sentidos opostos, gerando um
momento de dipolo resultante.
A razão entre a permissividade do meio dielé- Por fim, existe, ainda, a polarização de orien-

constante dielétrica, ∈r , mostrada na equação

trico e a permissividade no vácuo é definida pela tação, que é encontrada somente em materiais
que apresentam momentos de dipolo permanen-
a seguir. tes. Esse tipo de polarização se dá pela rotação dos
momentos de dipolo permanentes do material

r  na direção do campo elétrico aplicado. A orga-
0
nização destes sofre interferência negativa das
A constante dielétrica é o principal parâmetro no vibrações térmicas do material, ou seja, a orien-
projeto de capacitores e seus valores podem ser tação dos dipolos tende a ser menor, conforme a
encontrados em tabelas, para uma ampla gama temperatura do material aumenta.
de materiais dielétricos (CALLISTER; RETH-
WISCH, 2013).

204 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais

 Um material pode sofrer mais de um efeito de polarização simultâneo, dessa forma, a polarização
total, P, experimentada por um material quando submetido a um campo elétrico, é dada por:

P  Pe  Pi  Po

Onde Pe, Pi e Po são, respectivamente, as componentes de polarização eletrônica, iônica e de orientação.

Os materiais dielétricos possuem um limite de campo elétrico que eles podem suportar sem sofrer
danos; esse limite é avaliado em termos da resistência dielétrica, e quando esse campo elétrico tem
magnitude igual ou superior a essa resistência dielétrica, um número muito grande de elétrons pode
ser excitado para a banda de condução e, assim, a corrente dentro do dielétrico aumenta drasticamente,
levando a uma fusão, queima ou vaporização localizada e danificando permanentemente o material
dielétrico, ou mesmo causando a falha dele.
Em termos de aplicação dos materiais cerâmicos dielétricos, podemos dizer que eles são aplicados
em isolamento elétrico, linhas de transmissão de energia, bocais de lâmpadas, bases de interruptores,
na produção de capacitores etc. Dentre as cerâmicas dielétricas, temos o vidro, a porcelana, a steadita
e a mica, que apresentam constantes dielétricas altas, além de uma boa resistência mecânica.
Já dentre os polímeros dielétricos, temos o náilon 6,6, o poliestireno, o polietileno, o politetrafluo-
retileno, entre outros, com aplicações em isolamento de fios, cabos, motores e geradores, por exemplo.

Ferroeletricidade e Piezoeletricidade

Um grupo de materiais dielétricos apresenta uma característica elétrica interessante: eles são capazes
de sofrer polarização espontânea na ausência de um campo elétrico; esses materiais são denomina-
dos ferroelétricos. Eles possuem um dipolo elétrico permanente, que interagem entre si alinhando-se
mutuamente, todos na mesma direção. As constantes dielétricas desses materiais são, em geral, muito
grandes, por essa razão eles costumam ser utilizados para a produção de capacitores de tamanho re-
duzido, em relação aos capacitores produzidos com os outros materiais dielétricos.
Esses materiais ferroelétricos são capazes de armazenar carga, possibilitando aplicações na forma
de filmes de espessura muito pequena em dispositivos de memória não volátil. Alguns exemplos de
materiais ferroelétricos são o dihidrogenofosfato de potássio (KH2PO4), niobato de potássio (KNbO3),
titanato de bário (BaTiO3) e o zirconato-titanato de chumbo (Pb[ZrO3, TiO3]).
Outra característica elétrica interessante e muito importante do ponto de vista tecnológico é a
piezoeletricidade, que é observada em uma pequena gama de materiais cerâmicos. Os materiais pie-
zoelétricos, quando submetidos a tensões, sofrem uma polarização e estabelecem um campo elétrico.
Caso a tensão aplicada mude de sinal, ou seja, tração para compressão, por exemplo, o campo elétrico
também terá sua direção invertida.
Componentes cuja função é receber um sinal elétrico e transformá-lo em deformações mecânicas
(transdutores) utilizam materiais piezoelétricos. Além dos transdutores, os materiais piezoelétricos
são utilizados em microfones, alto-falantes, alarmes sonoros etc. A piezoeletricidade é observada em
materiais que possuem uma estrutura cristalina complexa e com baixo grau de simetria.

UNIDADE 7 205
Propriedades Térmicas
- Capacidade Calorífica
e Expansão Térmica

Quando falamos em propriedades térmicas dos

materiais, estamos nos referindo ao comporta-
mento observado quando esse material recebe
ou perde calor. Por exemplo, uma barra metálica,
quando recebe calor, tem suas dimensões e sua
temperatura aumentadas devido a essa energia
térmica recebida. Neste tópico, discutiremos sobre
a capacidade calorífica e a expansão térmica.

Capacidade Calorífica

Quando aquecemos um material sólido, estamos

fornecendo energia a ele na forma de calor. Essa
energia é absorvida pelo material, fazendo com
que a sua temperatura aumente. A propriedade que
mede a quantidade de energia que certo material
absorve de sua vizinhança é a capacidade calorífica,
C, que é definida como a quantidade de energia
necessária para aumentar em um grau a tempe-
ratura de um material, Matematicamente, temos:

C=
Q
DT
onde Q é a energia necessária para produzir uma variação igual a ΔT na temperatura do material. As
unidades de Q são J/mol, de ΔT é K, consequentemente C é dado em J/mol ∙ K no SI. Nesse caso, a
quantidade de energia Q está relacionada à quantidade do material em mols.
Em situações nas quais o calor está relacionado com a quantidade do material em massa (kg por
exemplo), a capacidade calorífica é representada por c e suas unidades são J/kg ∙ K e, nesse caso, Q é
dado em J/kg, contudo a equação é a mesma apresentada anteriormente.

c=
Q
DT
Existem duas formas de mensurar a capacidade calorífica de materiais, uma delas é avaliando o pro-
cesso a volume constante e, dessa forma, obtemos Cv. A outra forma é avaliando o processo da pressão
constante, onde obtemos Cp. Entretanto, para materiais sólidos em temperaturas próxima ou inferiores
ao ambiente, a diferença entre Cv e Cp é muito pequena.
Os átomos que compõem os materiais sólidos estão vibrando constantemente, em frequências altas,
porém com amplitudes baixas. A forma mais comum de absorção de energia térmica por materiais
sólidos é o aumento dessa energia vibracional dos átomos constituintes. Como os átomos que formam
o material estão ligados entre si, esse aumento na energia vibracional do material gera vibrações coor-
denadas na forma de ondas (às vezes chamadas de fônons), que se propagam pela rede cristalina do
material. Essas ondas são responsáveis pelo espalhamento térmico dos elétrons durante a condução
elétrica e também pelo transporte de energia durante a condução térmica.
A capacidade calorífica a volume constante, Cv, é igual para sólidos cristalinos relativamente simples
a 0 K, entretanto, ela aumenta rapidamente com o aumento da temperatura para temperaturas baixas
(próximas a 0 K). Contudo, para a maioria dos materiais sólidos, a capacidade calorífica a volume
constante, Cv, estabiliza-se antes da temperatura ambiente (25 °C ou 298 K), podendo ser considerado
independentemente da temperatura, para temperaturas próximas e acima de 25 °C.
Como, geralmente, trabalhamos com materiais à pressão constante atmosférica (1 atm), utilizare-
mos os valores da capacidade calorífica à pressão constante, Cp. Os valores de Cp para vários materiais
sólidos à temperatura ambiente podem ser encontrados tabelados, inclusive em alguns dos materiais
referenciados neste livro.

Expansão Térmica

O comportamento térmico observado na maioria dos materiais quando submetidos ao aquecimento é a

expansão em suas dimensões. De forma análoga, os materiais sofrem uma contração em suas dimensões
quando submetidos a um resfriamento. A esse comportamento térmico, damos o nome de expansão
térmica. A variação de comprimento (variação unidirecional), l, de um material é dada por:

l f  l0
 al (T f  T0 )
l0

UNIDADE 7 207
na qual lf e l0 são, respectivamente, os comprimentos final (depois da expansão) e inicial (antes da
expansão) do material; Tf e T0 são, respectivamente, as temperaturas final e inicial do processo; e αl é o
coeficiente linear de expansão térmica, que é uma propriedade específica do material, cuja unidade no SI é
(°C)-1. Sejam:

Dl  l f  l0 e DT  T f  T0

A equação da expansão linear pode ser escrita da seguinte forma:

= al (DT )
Dl
l0
Além disso, sabemos que a expansão térmica não ocorre apenas em uma dimensão do material sólido,
mas sim em todo o volume desse sólido; por essa razão, definimos também a equação para o cálculo
da variação de volume sofrida por esse material devido à sua expansão térmica.

= aV (DT )
DV
V0
Com DV  V f  V0 e DT  T f  T0

Nas equações citadas Vf e V0 são, respectivamente, os volumes final (depois da expansão térmica)
e inicial (antes da expansão térmica) do material. O parâmetro aV é o coeficiente volumétrico de
expansão térmica, que também é uma propriedade específica do material, cujas unidades no SI são
(°C)-1. Para materiais isotrópicos, o valor de aV é, aproximadamente, igual a 3al .
A expansão térmica observada nos materiais sólidos é um reflexo do aumento das distâncias médias
entre os átomos que formam esse material a um nível muito aprofundado do conteúdo, que não é o
objetivo deste material.
Vamos verificar a expansão térmica para cada classe de materiais, começando pela classe dos metais,
cujos coeficientes lineares de expansão térmica variam entre 5 ∙10-6 (°C)-1 e 25 ∙ 10-6 (°C)-1. Entretanto,
já foram desenvolvidas algumas ligas metálicas, com baixos coeficientes de expansão térmica, para
serem utilizadas em situações em que não é desejável variações das dimensões devido à temperatura.
Na classe das cerâmicas, o comportamento térmico de expansão é bem variado. Os coeficientes de ex-
pansão térmica são relativamente menores nas cerâmicas, variando entre 0,5 ∙ 10-6 (°C)-1 e 15 ∙ 10-6 (°C)-1,
isso se deve ao fato de que as forças interatômicas (entre os átomos que compõem o material), na maioria
das cerâmicas, são relativamente fortes.
Outro comportamento interessante é observado nas cerâmicas anisotrópicas (não isotrópicas), as
quais, quando aquecidas, podem sofrer expansão em uma de suas direções cristalográficas e contrair-
-se nas demais. Além disso, os vidros inorgânicos possuem um coeficiente de expansão térmica que

208 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais

dependente de sua composição, a sílica fundida
(vidro constituído praticamente de sílica pura),
por exemplo, apresenta um coeficiente de expan-
são de 0,4 ∙ 10-6 (°C)-1. Contudo, para as cerâmicas
não cristalinas e as cristalinas de estrutura cúbica,
o coeficiente αl é isotrópico.
Em projetos de componentes que devem su-
portar mudanças acentuadas de temperatura, de-
ve-se buscar cerâmicas com coeficientes de ex-
pansão térmica, pequenos e isotrópicos, para que
se possa evitar a ocorrência do choque térmico,
que é a fratura do componente devido a variações
não uniformes de suas dimensões.
Por fim, na classe dos polímeros, encontra-
mos coeficientes de expansão térmica muito
grandes, variando entre 50 ∙ 10-6 (°C)-1 e 400 ∙
10-6 (°C)-1.

Termômetros são instrumentos usados para me-

dir a temperatura, seja a temperatura corporal
ou mesmo a temperatura em um ambiente. O
princípio de funcionamento dos termômetros
de mercúrio é a expansão térmica volumétrica.
Quando o termômetro está em um ambiente
quente, o mercúrio aquecido se expande devido
ao calor recebido e sobe no tubo, de forma aná-
loga; em ambientes frios, o mercúrio se contrai
e desce no tubo. Para sabermos a temperatura
correta, o termômetro é calibrado e, dessa for-
ma, são feitas marcações em várias alturas do
tubo para que se possa ler a temperatura.

UNIDADE 7 209
onde q é o fluxo de calor (quantidade de calor transportado por tempo por unidade de área); dT/dx é
o gradiente de temperatura através do meio de condução; e k é a condutividade térmica. As unidades
de q são W/m2, k são W/m ⋅ K, dessa forma, o gradiente de temperatura dT/dx deve ser dado em °C/m
ou K/m, uma vez que a variação de 1 °C é igual a variação de 1 K.

Mecanismos da condução de calor

A condução de calor em materiais sólidos se dá a partir de dois mecanismos, por meio das ondas de
vibração da rede (fônons) e por meio dos elétrons livres no material. Portanto, a condutividade térmica
total, k, para um material, é dada por:
k  k r  ke

Onde kr e ke são, respectivamente, as condutivida- diminui devido ao fato dos átomos de impureza
des térmicas devido às ondas de vibração da rede atuarem como centros de espalhamento que re-
e devido aos elétrons livres. A predominância de duzem a eficiência dos elétrons livres responsáveis
uma em relação à outra depende do material. A pela condução de calor.
contribuição kr é devido ao movimento das on- Nas cerâmicas, a condutividade térmica é mui-
das de vibração das regiões de altas temperaturas to baixa, são geralmente isolantes térmicos, devido
para as regiões de baixas temperaturas por meio à quantidade pequena de elétrons livres para a
do material. condução de calor. Nesses materiais, os fônons
Já a contribuição ke é devido aos elétrons livres são o principal mecanismo que contribui para a
que, conforme recebem energia térmica, aumen- condutividade térmica (kr>>ke), e os fônons não
tam sua energia cinética e migram para regiões são tão eficientes quanto os elétrons livres no
mais frias, onde transferem parte dessa energia transporte de calor. Por essas razões, os materiais
cinética para os átomos dessas regiões por meio de cerâmicos exibem condutividades térmicas entre
colisões. Portanto, conforme aumenta o número 2 W/m ∙ K e 50 W/m ∙ K à temperatura ambiente.
de elétrons livres, maior é a contribuição ke na Quanto às temperaturas relativamente bai-
condutividade térmica global do material. xas, é observado que a condutividade térmica da
Em metais de alta pureza, a condutividade maioria das cerâmicas diminui com o aumento da
térmica, devido aos elétrons livres, é muito mais temperatura. Entretanto, ela começa a aumentar
efetiva que a condutividade térmica referente aos em temperaturas elevadas, contudo, esse compor-
fônons, uma vez que os elétrons se encontram tamento se deve ao calor transferido por radiação
em grandes quantidades nesses materiais. Além por meio do material cerâmico, pois a eficiência
disso, os elétrons livres têm velocidades maiores do processo de transporte de calor por radiação
que os fônons, deixando o processo de condução aumenta com o aumento da temperatura.
mais rápido. Por essas razões, os metais possuem Outro fator determinante na condutividade
condutividades térmicas altas, entre 20 W/m∙K e térmica das cerâmicas é a porosidade do material,
400 W/m ∙ K à temperatura ambiente. ou seja, a quantidade de espaços vazios dentro
Já nas ligas, formadas pela adição de impu- do material. Esses volumes dos poros dificultam
rezas aos metais puros, a condutividade térmica a condução de calor por meio do material, resul-

UNIDADE 7 211
tando na diminuição da sua condutividade tér- expansão térmica em todas as direções e, caso ela
mica. Inclusive, muitos dos materiais cerâmicos esteja livre para sofrer a expansão, nenhum dano
utilizados como isolantes térmicos são porosos, será causado a ela. Entretanto, caso algo restrinja a
pois esses poros contêm ar estagnado que possui expansão térmica da barra, por exemplo, suportes
uma condutividade térmica extremamente baixa. rígidos nas suas extremidades, tensões térmicas
Para a maioria dos polímeros, as condutivi- se formarão nela. A magnitude dessas tensões tér-
dades térmicas são da ordem de 0,3 W/m ∙ K, as micas pode ser calculada pela equação a seguir:
mais baixas dentre as classes de materiais. Isso
acontece porque a condução de calor nesses ma- σ  Eαl (T0  T f )  Eαl DT
teriais é devido à rotação e vibração das molécu-
las que formam a cadeia do polímero. Polímeros na qual, E e αl são, respectivamente, o módulo
que apresentam cristalinidade elevada e ordenada de elasticidade e o coeficiente linear de expansão
possuem condutividade térmica maior que polí- térmica do material da barra. Quando a barra for
meros amorfos, uma vez que a vibração coorde- aquecida T0 < Tf, então a tensão resultante σ é com-
nada das moléculas é mais eficiente em cadeias pressiva (σ <0), quando a barra é resfriada Tf < T0,
moleculares cristalinas. então a tensão resultante σ é trativa (σ >0).
Devido à sua baixa condutividade térmica, os Outra situação que podemos encontrar é a de
polímeros são, geralmente, utilizados como isolantes tensões resultantes de gradientes de temperatura.
térmicos e podem ter sua condutividade térmica Para entendermos esse tipo de tensões, vamos
ainda mais reduzida com a inserção de poros em sua imaginar um prato de cerâmica, cujo centro está
estrutura, assim como acontece com as cerâmicas; sendo aquecido sobre uma chama; após pouco
um exemplo muito comum é o poliestireno expan- tempo sobre a chama, o prato se rompe. Esse com-
dido (isopor), que é utilizado em caixas térmicas portamento ocorre, pois, no prato de cerâmica,
para armazenamento de bebidas e alimentos. aquecido rapidamente apenas na região central,
são gerados gradientes de temperatura que geram
tensões térmicas ao longo do prato. Essas tensões
Tensões Térmicas são resultado de uma maior expansão na região
aquecida (região central do prato) em relação à
As variações de temperaturas experimentadas parte mais externa do material (as bordas do pra-
pelos materiais podem acabar causando tensões to) que está fria, então são induzidas tensões de
neles. Essas tensões térmicas precisam ser leva- compressão no centro do prato e tensões de tração
das em conta, uma vez que podem causar uma nas bordas do prato.
deformação plástica indesejável ou, até mesmo, a Por último, podemos também observar a fratu-
fratura de um componente. ra de um componente devido ao choque térmico.
Podemos ter tensões resultantes da restrição Esse comportamento é observado em materiais
à expansão ou contração térmica de um compo- frágeis, cuja distribuição não uniforme da tempe-
nente. Vamos exemplificar essa situação: imagine ratura gera uma dilatação pontual que acarreta a
uma barra sólida homogênea e isotrópica. Se ele- formação de tensões internas no material, e a falta
varmos a temperatura dessa barra, ela sofrerá uma de ductilidade desses materiais conduz à fratura.

212 Propriedades Elétricas e Propriedades Térmicas dos Materiais

 Concluímos nossos estudos da Unidade 7, na qual conhecemos muitas propriedades importantes
dos materiais, começamos pelas propriedades elétricas, em que estudamos a condutividade elétrica
e definimos o que são materiais condutores, isolantes e também semicondutores. Vimos que muitas
cerâmicas apresentam comportamento dielétrico e, com isso, definimos o parâmetro permissividade
elétrica. Além disso, conhecemos os materiais piezoelétricos, que exibem o comportamento interessante
de sofrer polarização quando submetidos a tensões de tração ou compressão.
Seguimos o nosso estudo pelas propriedades térmicas, iniciando pela capacidade calorífica, que
mede a quantidade de energia necessária para que um componente tenha sua temperatura variada em
um grau. Vimos que os materiais, quando aquecidos ou resfriados, sofrem um aumento ou diminuição
nas suas dimensões, e a grandeza relacionada a esse processo é o coeficiente linear de expansão térmica.
Finalizamos com a abordagem da propriedade térmica da expansão térmica.

Átomos

Condução

UNIDADE 7 213
CALLISTER JR., W. D.; RETHWISCH, D. G. Ciência e Engenharia de Materiais: uma Introdução. 8. ed. Rio
de Janeiro: Editora LTC, 2013.

SHACKELFORD, J. F. Ciência dos Materiais. 6. ed. São Paulo: Editora Pearson, 2013.

218
1. B.

A afirmativa I está incorreta, pois a condução elétrica está relacionada ao movimento dos elétrons ou íons
do material.

2. C.

Correta: I - Um fio de cobre de resistividade elétrica igual a 1,7 · 10−6 Ω · cm, comprimento de 20 m e um
diâmetro de 0,2 cm possui uma resistência elétrica igual a 0,108 Ω.

A resistência elétrica, em termos da resistividade elétrica, é dada por:

R = ρ · l/A

Devemos converter o comprimento de metros para centímetros para que seja compatível com a uni-
dade da resistividade elétrica.

1 m = 100 cm

20 m = 2000 cm

Cálculo da área transversal A:

A = π · (d/2)2 = A = π · (0,2/2)2 = A = π · (0,1)2 = A = π · 0,01

A = 0,0314 cm2

Então,

R = ρ · l/A

R = (1,7 · 10−6 Ω · cm)(2000 cm)/( 0,0314 cm2)

R = (3,4 · 10−3 Ω)/( 0,0314)

R = 0,108 Ω

Correta: II – A corrente elétrica em um fio de cobre, cuja diferença de potencial é de 3 volts e a resistência
elétrica é de 0,100 Ω, é igual a 30 amperes.

Obs.: o símbolo V (itálico) é relativo à variável diferença de potencial (tensão elétrica). Já o símbolo V é
relativo à unidade da diferença de potencial, ou seja, V equivale a volts.

A resistência elétrica é dada pela Lei de Ohm:

V=I·R

Então, isolando a corrente elétrica I, obtemos:

I = V/R = (3 V)/(0,100 Ω)

219
221
222