UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUBÁ

Diodo de Junção
(Junção PN)

Leonardo B. Zoccal
(lbzoccal@unifei.edu.br)
ELT303 – Eletrônica Analógica I
 Junção PN
Uma das mais importantes estruturas no estudo de
dispositivos semicondutores;
Consiste de um cristal N e de um cristal P em contato direto.

• Existe um gradiente de
concentração entre os
cristais P e N;
• O gradiente força a
difusão de portadores
majoritários através da
junção.

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 Junção PN
• Ao cruzarem a junção, os portadores majoritários deixam íons
(positivos no cristal N e negativos no cristal P);
• Cada par de íons representa um dipolo elétrico;
• O campo elétrico associado aos dipolos contraria a difusão
dos portadores majoritários.
E [V/m] No equilíbrio, as correntes
de deriva, criadas pelo
Cristal P - + campo elétrico, cancelam
- Elétrons as correntes de difusão,
+
originadas pelos gradientes
Lacunas
- + de concentração
- + Cristal N

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W
 Junção PN
• Ao cruzarem a junção, os portadores majoritários deixam íons
(positivos no cristal N e negativos no cristal P);
• Cada par de íons representa um dipolo elétrico;
• O campo elétrico associado aos dipolos contraria a difusão
dos portadores majoritários.
E [V/m] Região de Depleção
Cristal P - +
Elétrons A região próxima a junção
- + fica vazia de portadores
Lacunas
- + majoritários. Essa região
- vazia é chamada de
+ Cristal N
camada de depleção
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W
 Junção PN
• A região de depleção atua como uma barreira à difusão;
• Barreira de Potencial (VT)  O cristal N é positivo em relação
ao cristal P (ou cristal P é negativo em relação ao N);
• Para o Silício VT  0,7 [V] @ 25oC.
O valor de VT depende:
E [V/m] • do tipo de material
semicondutor,
Cristal P - + • dos níveis de dopagem e
• da temperatura.
- Elétrons
+
- O valor de VT tem um
Lacunas +
coeficiente térmico negativo
- + Cristal N   -2 [mV/oC] para o Si

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W
 Junção PN
Qual é a barreira de potencial de um diodo de silício quando a
temperatura da junção for de 100oC?

Se a temperatura na junção aumentar para 100oC, a barreira

diminui de

(100 – 25)·2mV = 150 mV = 0,15 V

e a barreira de potencial passa a ser

VT = 0,7 V – 0,15 V = 0,55 V

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 Junção PN

VD
Por ser um dispositivo de dois terminais permite três
possibilidades de polarização:

Nenhuma polarização (VD = 0V)

Polarização reversa (VD < 0V)
Polarização direta (VD > 0V) 7
 Junção PN
Sem Polarização (VD = 0V)

Na ausência de
uma tensão de
polarização, o
fluxo de carga
em qualquer
sentido para um
diodo
semicondutor é
zero

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 Junção PN
Polarização Reversa (VD < 0V) O número de íons
positivos na região de
depleção do material
tipo N aumentará

Isso ocorre devido ao

grande número de elétrons
“livres” arrastados para o
potencial positivo da tensão
aplicada

Do lado P acontece o
mesmo com os íons
negativos

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 Junção PN
Polarização Reversa (VD < 0V)
O aumento da
região de depleção
será grande demais
para os portadores
majoritários
superarem

Ocorre a redução
do fluxo de
portadores
majoritários a zero

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 Junção PN
Polarização Reversa (VD < 0V)

A camada de
depleção irá
aumentar até que
sua diferença de
potencial se iguale
à tensão reversa
aplicada

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 Junção PN
O número de portadores
Polarização Reversa (VD < 0V) minoritários que
penetram na região de
depleção não mudará

A corrente existente sob

condições de polarização
reversa é chamada de
corrente de saturação
reversa e é representada
por IS

Esta corrente é devido

aos portadores
minoritários produzidos
termicamente

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 Junção PN
Polarização Reversa (VD < 0V) A corrente de
saturação reversa IS
praticamente dobra
de valor para cada
aumento de 10oC
na temperatura

Para uma precisão um

pouco melhor, IS
aumenta 7% a cada
grau Celsius de
aumento
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 Junção PN
Suponha que a energia térmica tenha
Polarização Reversa (VD < 0V) gerado um elétron livre e uma lacuna
próximos da junção

A camada de depleção
empurra o elétron livre
para a direita, forçando
um elétron a deixar a
extrema direita do cristal

A lacuna na camada de
depleção é empurrada
para a esquerda

A lacuna extra no lado p

admite a entrada de um
elétron pela extrema
esquerda do cristal, que cai
na lacuna 14
 Junção PN
Polarização Reversa (VD < 0V)

Como a energia
térmica está sempre
gerando pares de
elétrons e lacunas
dentro da camada de
depleção, teremos uma
pequena corrente
contínua pelo circuito
externo

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 Junção PN
Polarização Reversa (VD < 0V)

• Uma tensão reversa muito alta pode produzir um

efeito de avalanche ou Zener (emissão de alto
campo), onde a alta corrente de ruptura destrói o
diodo;

• Conforme a tensão reversa através da junção

aumenta, aumenta também a velocidade dos
portadores minoritários responsáveis pela corrente IS;

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 Junção PN
Polarização Reversa (VD < 0V)

• A velocidade e energia cinética associada serão

suficientes para liberar outros portadores através das
colisões com estruturas atômicas estáveis;
• Resultando em um processo de ionização pelo qual
elétrons de valência absorvem energia suficiente para
deixar o átomo de origem;
• Portadores adicionais podem ajudar então no
processo de ionização até que se estabeleça uma alta
corrente de avalanche.
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 Junção PN
Polarização Reversa (VD < 0V)

Aumentando-se a dopagem das regiões P e N a

tensão de ruptura diminui em módulo

O potencial máximo de polarização reversa que

pode ser aplicado antes que a junção PN entre na
região Zener (ruptura) é chamado de tensão de
pico inversa ou tensão de pico reversa

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 Junção PN
Polarização Direta (VD > 0V)

A junção PN é polarizada
diretamente quando é
estabelecida a associação
do potencial positivo ao
material tipo P e do
negativo ao material tipo
N

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 Junção PN
Polarização Direta (VD > 0V)

O potencial direto
“forçará” os elétrons do
material do tipo N e as
lacunas do material do
tipo P a se
recombinarem com os
íons próximos da
fronteira e a reduzirem a
largura da região de
depleção

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 Junção PN
Polarização Direta (VD > 0V)

A redução da região
de depleção resulta
em um fluxo intenso
de portadores
majoritários através
da junção

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 Junção PN
Polarização Direta (VD > 0V)

O fluxo de portadores
minoritários não
muda de intensidade

Condução é
controlada pelo
número limitado de
impurezas no material
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 Junção PN
Polarização Direta (VD > 0V)

Conforme VD aumenta
a região de depleção
diminui em largura e
ID aumenta
exponencialmente

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 Junção PN
Polarização Direta (VD > 0V)

O elétron após ter

deixado o terminal
negativo da fonte
entra pela extrema
direita do cristal

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 Junção PN
Polarização Direta (VD > 0V)
Na junção, ele se O elétron viaja através da
recombina com uma região n como um elétron
lacuna e se torna um livre
elétron de valência

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 Junção PN
Polarização Direta (VD > 0V)
O elétron viaja através da
região p como um elétron
de valência
Após deixar a extrema
esquerda do cristal, ele
circula para o terminal
positivo da fonte

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 Junção PN
Representação esquemática de um diodo

O lado P é chamado de anodo

e o lado N catodo
anodo
O símbolo do diodo parece-se
com uma seta que aponta do
lado P para o lado N (do anodo
para o catodo)

catodo A seta lembra que a corrente

convencional circula facilmente
do lado P para o lado N
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 Junção PN
O diodo de junção PN se comporta como uma chave que
permite a condução de corrente em apenas um sentido

Esta é a resposta de uma junção PN ideal 28