Universidade Estadual Paulista – UNESP

Faculdade de Engenharia de Ilha Solteira ‐ FEIS

Departamento de Engenharia Elétrica ‐ DEE

Física de Semicondutores

Ilha Solteira - 2019

Semicondutor Intrínseco
Ordem da energia:
1s 2s 2p 3s 3p 4s 3d 4p 5s 4d 5p 6s 4f 5d 6p 7s 5f 6d
Física de Semicondutores:

Grupo IVA
 carvão
grafite
C:
Carbono. diamante
Isolante.

silício

Si, Ge:
Silício,
Germânio.
Semicondutor.
germânio

estanho
Sn:
Estanho.
Condutor.

estanho
Diminuindo o espaçamento interatômico

d
 Crystal
Bands of Energy

Single atoms

Internal level
Isolante Semi-condutor Condutor

Carbono Silício Estanho

Elétrons e lacunas no semicondutor intrínseco:

Seja n = concentração de elétrons livres, (m3)-1

Condutores: n ~ 1028 elétrons/m3

Isolantes: n ~ 107 elétrons/m3

Semicondutores: n ~ intermediário.

Os elétrons de valência em um semicondutor não estão livres para se

deslocarem como se estivessem num metal.

Encontram-se capturados em uma ligação entre 2 íons adjacentes.

Silício semicondutor: retículo cristalino

 Silicon Lattice Structure Elétron livre

Em 0oK todos - - - - Vaga

os elétrons - Si - - Si - - Si - - Si - deixada pelo
são
fortemente - - - - elétron. A
compartilhados - - - - -carga global
no silício é
com os - Si - - Si - - Si -+- Si - - Si
zero-  esta
vizinhos  - - - - - -lacuna deve
nenhum fluxo
de corrente
- - - - - ser positiva
- Si - - Si - - Si - - Si - - Si -
- - - - -
- - - - -
- Si - - Si - - Si -+- Si -
- - - -
-
- Si -
- Elétrons
compartilhados com 4
A adição de calor (mesmo na temperatura átomos vizinhos  8
ambiente) quebra algumas ligações, e os elétrons na camada
elétrons podem fluir. externa

Elétron na banda de valência

+
Corrente de lacunas
 Atenção: a separação acima, entre elétrons
livres e lacunas (íons positivos), ocorre apenas
em termos de energia. Fisicamente, ambas as
cargas compartilham o mesmo espaço.

Semicondutor Extrínseco
 NÍVEL

Como acontecem mais recombinações que no Si intrínseco, diminui o número

de minoritários.
Resumo:
 Como acontecem mais recombinações que no Si intrínseco, diminui o número de
minoritários.

NÍVEL

Resumo:
 Phosphorus Boron

Junção pn: ponto de vista

de bandas de energia
ADENDO: O Processo de Difusão de partículas
A difusão constitui um exemplo de fenômeno de transporte de matéria em
situações nas quais existem gradientes de concentração de uma substância.
Tal substância é transportada devido aos movimentos das moléculas, pelo
movimento térmico de todas as partículas a temperaturas acima do zero
absoluto.

Estes movimentos fazem com que, do ponto de vista macroscópico, a substância

passe das zonas de concentração elevada para zonas de baixa concentração.
O fluxo de partículas que tende a homogenizar a dissolução e uniformizar a
concentração. continua...

O fluxo homogenizador é uma consequência estatística do movimento aleatório das

partículas que dá lugar ao segundo princípio da termodinâmica, conhecido também como
movimento térmico casual das partículas.

Sob o ponto de vista microscópico, inicialmente, existem moléculas de soluto ao lado

esquerdo da barreira e nenhuma no lado direito.
A barreira é removida, e o soluto difunde-se preenchendo inteiramente o recipiente.
No topo: Uma única molécula move-se aleatoriamente.
Centro: Com mais moléculas, há uma tendência clara, na qual o soluto enche o recipiente
mais e mais uniformemente.
Abaixo: Com um enorme número de moléculas de soluto, toda a aleatoriedade se vai. O
soluto parece mover-se suave e sistematicamente das áreas de alta concentração
para áreas de baixa concentração, seguindo as leis de Fick.
ADENDO: Linhas de campo elétrico
Cargas negativas são sumidouros de linhas de campo elétrico, enquanto cargas
positivas são sorvedouros dessas linhas.
Quando essas cargas estão suficientemente distantes, se comportam como
partículas isoladas e os campos elétricos são radiais e simétricos.

ADENDO: Linhas de campo elétrico

Cargas negativas são sumidouros de linhas de campo elétrico, enquanto cargas
positivas são sorvedouros dessas linhas.
Quando essas cargas estão suficientemente distantes, se comportam como
partículas isoladas e os campos elétricos são radiais e simétricos.
Porém, quando se aproximam, essas linhas de campo sofrem deformação.
ADENDO: Linhas de campo elétrico
Cargas negativas são sumidouros de linhas de campo elétrico, enquanto cargas
positivas são sorvedouros dessas linhas.
Quando essas cargas estão suficientemente distantes, se comportam como
partículas isoladas e os campos elétricos são radiais e simétricos.
Porém, quando se aproximam, essas linhas de campo sofrem deformação.

_ +

ADENDO: Linhas de campo elétrico

Cargas negativas são sumidouros de linhas de campo elétrico, enquanto cargas
positivas são sorvedouros dessas linhas.
Quando essas cargas estão suficientemente distantes, se comportam como
partículas isoladas e os campos elétricos são radiais e simétricos.
Porém, quando se aproximam, essas linhas de campo sofrem deformação.

 +

Fim do adendo.
 ADENDO: Campo elétrico entre placas paralelas:

continua...

ADENDO: Campo elétrico entre placas paralelas:

 
E F


F

E
Elétrons se movem espontaneamente contra as linhas de campo elétrico.

Lacunas se movem espontaneamente na direção das linhas de campo elétrico.

Seria necessário realizar trabalho (força externa) para inverter estes tipos
de movimento.
Fim do adendo.
 Sentido da corrente
elétrica: movimento
de cargas
positivas.

IDIF = corrente de difusão (majoritários)

 Is = corrente de
deriva
(minoritários)

Circuito aberto: IDIF e IS se cancelam (corrente total nula)

Elétrons: evitam se mover no sentido do
campo elétrico (Idif). São compelidos a se
mover contra o campo elétrico (Is).
Is = corrente de deriva (minoritários)

Is = corrente de deriva (minoritários)

Lacunas: evitam se mover no sentido
contrário ao campo elétrico (Idif).
São compelidos a se mover a favor
do campo elétrico (Is).

Sedra:

Aparece um campo elétrico ao longo da região de depleção:


E

(As cargas fixas fora da região de depleção foram omitidas)

 Junção metalúrgica PN
(a) (b)

Tipo N

Aceitador - (fixo)

Doador + (fixo) Tipo N

Tipo P
Tipo P
Lacuna + (móvel)

Elétron – (livre)

(c) Recombinação Recombinação (d) Depleção

Tipo N
Tipo N
Região de
Tipo P Tipo P depleção

ADENDO: Barreira de potencial

Seja WAB o trabalho realizado por uma fonte externa ao mover uma carga de
prova positiva unitária (q0) de um ponto B ao ponto A em um campo elétrico.


E
VAB=VA-VB=WAB/q0

Como WAB, q0 >0,

_
+  VA>VB

O potencial cresce no sentido contrário às linhas de campo elétrico!!!

continua...
 Camada de depleção


Fext , W
+

Região p + Região n

 
E E

potencial E

V
Barreira de
potencial

0 d distância
continua...

Isto resulta numa diferença de potencial na região de depleção, tendo o lado N

com tensão positiva em relação ao lado P  barreira de potencial (V0) que tem
que ser superada para que as lacunas se difundam pela região N e os elétrons
se difundam pela região P.

_ 
E +
Barreira de potencial
para lacunas:
V0
lado n

Quanto maior o valor de V0, menor o número de portadores que serão capazes
de vencê-la. A barreira de potencial freia a difusão de portadores.
continua...
 continua...

Barreira de potencia: analogia

 barreira

Analogias:

Patamar plano

Barreira

Patamar plano (ground)

continua...
 Existe um campo
elétrico nesta região

O potencial cresce no
sentido oposto ao campo
elétrico:

E
_ +

Maior campo E = campo em aberto + campo devido à fonte externa.

Elétrons são repelidos

para longe da junção.


E
_ +
Lacunas são repelidas
para longe da junção. Aumenta a largura
da camada de depleção.

Pequena corrente de
minoritários (IS~10e-15 A)
 Pergunta: o que impede de
ocorrer uma corrente de
elétrons (lacunas) externos a
partir da região N (P), após
eles passarem pela fonte, e
atingirem a camada de
condução da região P (N)?
Resposta: o nível Fermi!!!!
Sedra:

Aumenta-se a largura da camada

de depleção

 aumento na quantidade de carga

fixa armazenada

VR
 aumento na barreira de potencial:
(VR>V0)

V0  a corrente reversa torna-se muito

pequena, I=IS10-15 A.
0 x

Redução da barreira de potencial. Elétrons e lacunas conseguem vencer esta barreira.

Campo E menor = (campo em

vazio - campo externo)

Grande corrente de condução.

Pergunta: porque os portadores majoritários ao cruzarem a junção não neutralizam totalmente as cargas fixas?
Resposta: existe um mecanismo adicional de recombinação entre elétrons e lacunas majoritários (qual???).
 As lacunas se difundem da região P para N e se recombinam com grande
quantidade de elétrons nesta região (Ipn). O mesmo vale para os elétrons
que cruzam a junção (Inp).

Considera-se que a região P

é mais fortemente dopada
que a região N.

A recombinação faz Ipn(x) e

Inp(x) decaírem à zero à medida
que se difundem para longe da
junção.

Pergunta: mas a corrente I não deve ser constante em todos os pontos x ???

A fonte externa injeta

A fonte externa injeta elétrons neste terminal.
lacunas neste terminal.

Corrente de difusão
Corrente de de elétrons.
difusão de lacunas.

Corrente total (DC): Corrente total (DC):

soma de Ipp com Ipn. soma de Inn com Ipn.
Sedra:

A redução do potencial de barreira

permite que mais lacunas cruzem
a barreira do material P para o
material N,...

e, mais elétrons do lado N cruzem

para o lado P.

 a corrente I aumenta!! (em relação

à polarização reversa)

V0
VD

0 x

Sedra:
Sedra:
Junção pn: ponto de vista de nível Fermi
 Nível de energia de Fermi-Dirac

Enrico Fermi (09/1901 a 11/1954) Paul Adrien Maurice Dirac (08/1902 a 10/1984)
 Energia EB

Metal Metal
0 x0

E<EF E>EF
 E > EF

E < EF

E > EF

E < EF O fundo está mais

ocupado que a tampa.

maior

<
E > EF

E < EF

probabilidade
 Todos os elétrons estão na banda de
valência (não livres).

 Não existem elétrons livres nem

lacunas móveis.

Somente elétrons
foram desenhados.

Rabicho: probabilidade
não-nula de elétrons A probabilidade de lacunas é
livres nesta região. grande nesta região; mas não
podem existir na banda de
condução.

A probabilidade de elétrons
nesta região é grande; mas
Rabicho: probabilidade eles não estão livres.
não-nula de lacunas
nesta região.
probabilidade
 Rabicho: probabilidade de existir
elétrons.

Rabicho

Em relação ao silício intrínseco é mais difícil de gerar minoritários.

Lembrar que aumenta o

número de recombinação.
 Rabicho:
probabilidade
de existir
lacunas.

>
baixíssima
Os níveis de Fermi tendem a ficar num mesmo
patamar, em ambos os lados da junção.

São geradas barreiras de potencial

tanto para elétrons quanto lacunas.
 lacuna

deriva difusão
Analogia: bolas de boliche
tentando subir uma rampa.

elétron

Analogia: balões de gás

tentando descer do teto.
difusão deriva

Junção PN aberta Junção PN polarizada diretamente.

Redução da barreira de potencial.

 pois existe uma fonte externa de energia

Junção PN aberta. Junção PN polarizada reversamente.

Aumenta a barreira de potencial.

 Resumo:
(a) (b)

(c) (d)

continua...
 (e) Open junction
(f)

continua...

Reversed bias
Reversed bias:

Open circuit:

continua...
Foward bias

Foward bias:
Open circuit:

continua...

Foward bias:

I = Ipp + Inp = Inn + Ipn

Movimento de
elétrons na
banda de
condução

Movimento de
lacunas na
banda de
valência
Foward bias:

I = Ipp + Inp = Inn + Ipn

Movimento de
elétrons na
banda de
condução

Movimento de
lacunas na
banda de
valência
continua...

continua...
Junção PN polarizada reversamente. Junção PN ainda mais reversamente polarizada.

Geração de par elétron-lacuna

por colisão com a rede.

Tipo P Tipo P

Tipo N Tipo N
Junção pn com contatos metálicos
 Junção Metal-N: mesmo nível Fermi
em ambos os lados da Junção.

Não há barreira metálica para Material N: os elétrons são majoritários.

MAJORITÁRIOS da região N,
ou seja, para elétrons

Junção Metal-N: mesmo nível Fermi

em ambos os lados da Junção.

Não há barreira metálica para Material N: os elétrons são majoritários.

MAJORITÁRIOS da região N,
ou seja, para elétrons
 banda
condução

banda
valência

Junção Metal-N: mesmo nível Fermi

em ambos os lados da Junção.

girar

Não há barreira metálica para Material N: os elétrons são majoritários.

MAJORITÁRIOS da região N,
ou seja, para elétrons

Junções Metal-P e Metal-N

Metal Tipo P Tipo N Metal

banda banda
condução condução

Junção Junção
EF EF EF EF
banda banda
valência valência

          
EF EF
+ + + +

   
EF EF
+ + + + + + + + + + +
 ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐
+ + + +

‐ ‐ ‐
EF + + + + + + + + + + +

Não há barreira metálica para

MAJORITÁRIOS da região N
(elétrons)

Junção PN em aberto

Não há barreira metálica para

MAJORITÁRIOS da região P,
ou seja, para lacunas.

‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐
+ + + +
metal região N
região P metal
‐ ‐ ‐
EF + + + + + + + + + + +

Não há barreira metálica para

MAJORITÁRIOS da região N
(elétrons)

Junção PN em aberto

Não há barreira metálica para

MAJORITÁRIOS da região P,
ou seja, para lacunas.
 Estes elétrons da região N podem caminhar
para o lado direito, atravessar a fonte e
chegar à região P. Porém, uma vez lá, não
conseguem subir a barreira de potencial.
Existe apenas uma corrente de minoritários.

Junção PN reversa: aumenta a largura da camada de depleção

Aumenta a barreira de potencial.

Junção PN direta: diminui a largura camada de depleção

Reduz a barreira de potencial.

Tipos Especiais de Diodos

Sedra:

Cargas fixas opostas (camada

de depleção): capacitor de junção
 - O Varactor ou Varicap:

Região P Região N

Tensão reversa

Distribuição de carga

Derivada
capacitância
 +
v C



linear range

 C
v

E=
Energia irradiada pelo fóton: E=hf=hv
h=constante de Planck=6,6256x10-34 Js
f ou v (letra grega ‘nu’) = frequência óptica.

LED: opera com

polarização direta

Elétrons mais energéticos:

a recombinação produz fótons.
A diferença de energia é tal
que v (Hz) está na faixa
óptica.

Dopagem N+

Elétrons menos energéticos

recombinando-se na região
de depleção: produzirão
fónons
 Fotodiodo opera como
diodo comum no
primeiro quadrante.

Fotocélulas operam
no quarto quadrante.
Fotodiodo linear opera
no terceiro quadrante.

Junção PN polarizada
reversamente

Fóton
incidente
 depleted region

PN photodiode:
conduction band
(empty)

forbidden
energy band
(gap)

Fermi
energy
valence band
(full)

Transistor Bipolar de Junção

(TBJ)
Sedra:

Sedra:
Sedra:

O emissor N é fortemente dopado. A base P tem dopagem O coletor N é fracamente dopado.

Emite elétrons. intermediária. Coleta elétrons.
Largura intermediária. Largura estreita. Largura muito ampla.

Transistor em aberto:

Formação de campo E1 Formação de campo E2

Transistor na região ativa:

Corrente Corrente
de emissor de coletor

Campo E1 decresce Campo E2 cresce e acelera

e permite que elétrons os elétrons que chegam a
cruzem a junção NP esta camada de depleção,
conduzindo-os ao coletor
Entrada de lacunas para
repor a recombinação.
 Junção reversa Junção reversa

Reverso Reverso

Junção
direta

Corrente Junção reversa

de emissor:
Direto Reverso elétrons +
lacunas

Corrente
de coletor:
elétrons +
lacunas
Corrente
de base
Dissipadores de calor:
Circuitos Integrados
Silício semicondutor:
 R
D
Q

Transistor de Efeito de Campo (MOSFET):

tipo intensificação, enriquecimento
ou enhancement
Sedra:

E-MOSFET com canal N (ou NMOS)

Sedra:
(Enhancement)

O potencial cresce no
sentido contrário ao
campo elétrico

Ação do campo Ebg: remove lacunas

abaixo do gate.

O campo Ebg cria uma região de

depleção entre as 2 ilhas N.

Ação dos campos Esg e Edg: formação do canal.

Sedra:

Capacitância por unidade de área:

o = permissividade
do óxido
to = espessura da
camada de óxido
 No MOSFET canal N só existe condução
de elétrons.

Sedra:
 A tensão somada à Vt é chamada de
tensão em excesso, e causa o
aprofundamento do canal.

O transistor se comporta
como uma simples
resistência ôhmica.

Aumenta Vt aumenta a
profundidade do canal

vGS de limiar (threshold): formação do canal.

Corrente muito pequena, nominalmente nula.

Campos elétricos entre o gate e as 2 ilhas N.

Superposição com o campo gerado entre os terminais S e D.

Campos se somam Campos se subtraem

O valor onde ocorre o estrangulamento do

canal é chamado de vDS de saturação.
Sedra:
 Junção PN
Junção PN
reversa
direta
Transistor de Efeito de Campo (MOSFET):
Tipo depleção ou D-MOSFET
 isto acontece quando vGS torna-se igual a Vt, negativo.

Depletion-type n-channel MOSFET

The current‐voltage characteristics of a depletion‐type n‐channel MOSFET for which Vt = –4 V

and kn(W/L) = 2 mA/V2: the iD–vGS characteristic in saturation.
Transistor de Efeito de Campo
de Junção: JFET
+


(Vp=pinch-off voltage=tensão de estrangulamento)

No livro do Malvino Vt é chamado de Vp.

Cuidado: vGS é negativo,

Vt=Vp é negativo

Definição: IDSS= iD quando vGS=0 na

região de saturação

1 W
I DSS  K n Vt 2
2 L

Esta é maior corrente que pode fluir no

JFET.
Para VGS=0, a medida que VDS aumenta, de 0V para uns poucos volts, a corrente aumenta
de acordo com a lei de Ohm. Neste caso, o JFET se comporta como uma pequena resistência
constante.
Quando VDS aumenta e se aproxima de um certo nível Vp, as regiões de depleção se alargam,
causando sensível redução da largura do canal. Isto causa considerável aumento da resistên-
cia do dispositivo; quanto mais horizontal a curva característica, maior a resistência, aproxi-
mando-se de infinito.
Aumentando-se VDS ainda mais, atinge-se um nível no qual as duas regiões de depleção
parecem se tocar, e, tal tensão é chamada de tensão de "pinch-off", Vp.

Apesar de que esta situação sugere que a corrente ID seja interrompida e caia a 0 ampéres,
na realidade, ela simplesmente cessa de aumentar, e se mantém num nível de saturação
denominado IDSS.
O fato é que um pequeno canal ainda existe, com uma densidade de corrente (A/m2) muito
grande. No caso contrário, a ausência da corrente de dreno removeria a possibilidade dos
diferentes níveis de potencial através do material do canal-n estabelecer os níveis variáveis
de polarização reversa ao longo da junção pn. O resultado seria a perda da distribuição da
região de depleção que causou o pinch-off na porção superior do canal.
A medida que VDS aumenta além de Vp, aumenta o comprimento da região onde as duas
regiões de depleção que se tocam, mas ID permanece essencialmente a mesma, igual a IDSS.
Quando a tensão de controle VGS fica negativa, tem-se um efeito de formação das regiões
de depleção similar ao caso onde VGS =0V, porém, com o "pinch-off" ocorrendo em menores
valores de VDS.
Portanto, o resultado de se aplicar uma polarização negativa na porta é atingir o nível de
saturação num menor valor de VDS.
Note-se que a tensão de pinch-off decai segundo uma curva parabólica, a medida que VGS
torna-se cada vez mais negativa.
Quando VGS torna-se suficientemente negativa, com VGS =-Vp, o nível de saturação ocorre no
nível 0 mA, e, para todos os efeitos práticos, o dispositivo torna-se desligado.
 _

The End