Eletrônica Analógica

Aula 02 – Diodos Semicondutores

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Sumário
 Condutores
 Semicondutores
 Ligações Covalentes e Materiais Intrínsecos
 Níveis de Energia
 Materiais Tipo 𝑝 e 𝑛
 Diodo Semicondutor
 Diodo ideal 𝑥 Diodo Prático
 Níveis de Resistência
 Circuitos Equivalentes de Diodos

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Condutores
 Excelentes condutores: cobre, prata e ouro.
 Qual a carga líquida de um átomo que perdeu um elétron?
 Os melhores condutores possuem um elétron na camada de valência e os
melhores isolantes possuem oito elétrons na camada de valência.
 O semicondutor possui propriedades elétricas entres os condutores e os
isolantes.
 Possui quatro elétrons na camada de valência.

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Semicondutores
 Os materiais semicondutores recaem em duas classes:
 Cristal singular: tem uma estrutura repetitiva (germânio – Ge, e silício - Si);
 Cristal composto: compõem-se de dois ou mais materiais semicondutores de
estruturas atômicas diferentes (arseneto de gálio – GaAs).
 Os três semicondutores mais frequentes usados na construção de dispositivos
eletrônicos são Ge, Si e GaAs.

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Semicondutores
 Germânio:
 Era o único material disponível para a fabricação de dispositivos semicondutores.
 Mas possuem uma falha: sensibilidade a variações de temperatura.
 Com a utilização do silício, o germânio tornou-se obsoleto nas aplicações eletrônicas.
 Silício:
 Abundante na natureza.
 Inicialmente, possuía um problema de refinação, que foi solucionado.
 Um átomo de silício possui 14 prótons e 14 elétrons.
 GaAs:
 Necessidade de componentes mais sensíveis a questão de velocidade.
 Velocidade de operação 5x maior que o Si.
 Era mais difícil de se fabricar em níveis mais elevados de impureza, custo mais elevado e tinha
pouco apoio para projetos nos primeiros anos de desenvolvimento.
 Hoje é bastante utilizado como material base para novos CIs em grande escala e alta
velocidade.

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Semicondutores
 Dispositivos de Ge continuam sendo fabricados para uma gama limitada de
aplicações.
 O Si tem o benefício de anos de desenvolvimento e é líder em materiais
semicondutores para componentes eletrônicos e CIs.

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Ligações Covalentes e Materiais Intrínsecos
 Os nêutrons e os prótons formam o núcleo
de um átomo enquanto os elétrons aparecem
em órbitas fixas ao redor do núcleo.
 Elétrons em órbita:
 Si: 14 – tetravalente;
 Ge: 32 – tetravalente;
 Gálio: 31 – trivalente;
 Arsênio: 33 –pentavalente.

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Ligações Covalentes e Materiais Intrínsecos
 Os átomos de silício combinam-se para
formar um sólido, chamado de cristal.
 Cada átomo compartilham seus elétrons
com quatro átomos vizinhos. Ficando com
oito elétrons na sua camada de valência.
 Esse tipo de ligação é chamada de ligação
covalente e mantém a estrutura do cristal
que forma o sólido.

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Ligações Covalentes e Materiais Intrínsecos
 GaAs:

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Ligações Covalentes e Materiais Intrínsecos
 Devido aos elétrons de ligação, o cristal de silício é um isolante quase perfeito
na temperatura ambiente (25ºC).
 A temperatura afeta a vibração mecânica do cristal. Assim, quanto maior a
temperatura maior a vibração mecânica.
 As vibrações podem provocar o deslocamento de um elétron, que irá
desprender-se da camada de valência, dando origem a uma lacuna.
 A lacuna comporta-se como uma carga positiva, atraindo outro elétron
imediatamente mais próximo.
 A lacuna e o elétron possuem uma carga de 0,16 10−18 𝐶, cada um, mas com
polaridade oposta.

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Ligações Covalentes e Materiais Intrínsecos
 Na temperatura ambiente, a energia térmica produz apenas alguns elétrons
livres. Existem aproximadamente 1,5𝑥1010 portadores livres em 1 𝑐𝑚3 de
material intrínseco de silício.
 O semicondutor intrínseco é um semicondutor puro, com mesma quantidade
de elétrons e lacunas.

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Ligações Covalentes e Materiais Intrínsecos
 Os elétrons livres em um material devido somente a causas externas são
chamados de portadores intrínsecos.

 Mobilidade relativa 𝜇𝑛 : capacidade dos portadores de se movimentar por

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Ligações Covalentes e Materiais Intrínsecos
 A existência de lacunas é a diferença crítica entre condutores e os
semicondutores.
 Materiais condutores tem coeficiente de temperatura positivos.
 Materiais semicondutores têm um coeficiente de temperatura negativo.
 O que acontece quando aumentamos a temperatura ambiente?
 Para alterar as características do material, o material passa por um processo
chamado dopagem.

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Níveis de Energia
 Cada camada do átomo possui um nível de energia.
 Quanto maior a distância do elétron com o núcleo, maior seu estado de
energia.

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Níveis de Energia

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Níveis de Energia
 Isso revela a sensibilidade de cada tipo de semicondutor às variações de
temperatura.
 Podem ser criados fotodetectores sensíveis à luz e sistemas de segurança
sensíveis a calor.
 Em redes de transistores, essa sensibilidade à temperatura ou à luz pode ser
prejudicial.
 Unidade de medida (eV): 1𝑒𝑉 = 1,6 10−19 𝐽

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Materiais Tipo 𝑝 e 𝑛
 Material semicondutor que tenha passado pelo processo
de dopagem é denominado de material extrínseco.
 Material do tipo 𝑛:
 Adiciona-se elementos pentavalentes: antimônio, arsênio e
fósforo.
 Impurezas com cinco elétrons são chamadas de átomos
doadores.
 Continua eletricamente neutro.
 Temperatura ambiente: grande quantidade de portadores
no nível de condução e a condutividade do material aumenta.

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Materiais Tipo 𝑝 e 𝑛
 Material do tipo 𝑝:
 Adiciona-se elementos trivalentes: boro, gálio e índio.
 Aparecimento de lacunas.
 As impurezas com três elétrons de valência são chamadas de átomos aceitadores.
 Material eletricamente neutro.

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Materiais Tipo 𝑝 e 𝑛
 Fluxo de elétrons versus fluxo de lacunas:
 Fluxo convencional: sentido da lacuna.

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Materiais Tipo 𝑝 e 𝑛
 Portadores majoritários e minoritários:
 Material tipo 𝑛:
 Elétron: portador majoritário.
 Lacuna: portador minoritário.
 Material tipo 𝑝:
 Lacuna: portador majoritário.
 Elétron: portador minoritário.

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Diodo Semicondutor
 Junção de um material tipo 𝑝 com um material tipo 𝑛.
 Sem polarização aplicada (𝑉 = 0 𝑉):
 Portadores livres se combinam formando a região de depleção.
 Camada de depleção:
 Cada vez que um elétron difunde-se na junção, ele cria um par de íons.
 Os íons ficam fixos na estrutura do cristal em virtude da ligação covalente, e não podem se
mover entre os átomos como elétrons livres e lacunas.
 Cada par de íons positivos e negativos é chamado de dipolo.
 À medida que o número de dipolos aumenta, a região próxima da junção torna-se vazia de
portadores de carga. Chamamos a região vazia de portadores de carga de camada de depleção.

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Diodo Semicondutor
 Junção de um material tipo 𝑝 com um material tipo 𝑛.
 Sem polarização aplicada (𝑉 = 0 𝑉):

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Diodo Semicondutor
 Polarização reversa (𝑉𝐷 < 0 𝑉):
 Existe corrente devido ao fluxo de portadores minoritários e é chamada de corrente
de saturação 𝐼𝑠 .

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Diodo Semicondutor
 Polarização reversa (𝑉𝐷 < 0 𝑉):

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Diodo Semicondutor
 Barreira de potencial:
 Cada dipolo tem um campo elétrico entre os íons positivo e negativo. Portanto, se um
elétron livre adicional entrar na camada de depleção, o campo elétrico tenta empurrar
este elétron de volta para a região n.
 O campo elétrico interrompe a difusão de elétrons da junção.
 O campo elétrico entre os íons é equivalente a uma diferença de potencial chamada
de barreira de potencial.
 Na temperatura de 25ºC, a barreira de potencial é de 0,3 V aproximadamente para os
diodos de germânio, e de 0,7 V para os diodos de silício.

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Diodo Semicondutor
 Polarização direta (𝑉𝐷 > 0 𝑉):
 Quando 𝑉 < 𝑉𝑝𝑜𝑡 ?
 Não possuem energia para atravessar a camada de depleção, assim não há corrente pelo diodo.
 Quando 𝑉 > 𝑉𝑝𝑜𝑡 ?
 Os elétrons atravessam a camada e recombinam-se com as lacunas.
 Obtém-se uma corrente contínua.

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Diodo Semicondutor
 Polarização direta (𝑉𝐷 > 0 𝑉):
 Equação de Shockley:
𝐼𝐷 = 𝐼𝑠 (𝑒 𝑉𝐷 /𝑛𝑉𝑇 − 1)
𝑛 é o fator de idealidade com intervalo entre 1 e 2 (geralmente 𝑛 = 1).
 Tensão térmica:
𝑘𝑇𝐾
𝑉𝑇 =
𝑞
𝑘 constante de Boltzmann (1,38 𝑥 10−23 𝐽/𝐾); 𝑇𝐾 temperatura em Kelvin; 𝑞 magnitude
da carga eletrônica (1,6𝑥10−19 𝐶).
 Exemplo 1:A temperatura de 27°C, determine a tensão térmica.
1,38𝑥10−23 27 + 273
𝑉𝑇 = −19
= 25,87 𝑚𝑉
1,6𝑥10

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Diodo Semicondutor
 Valores positivos de 𝑉𝐷 :
𝐼𝐷 ≅ 𝐼𝑠 𝑒 𝑉𝐷 /𝑛𝑉𝑇
 Valores negativos de 𝑉𝐷 :
𝐼𝐷 ≅ −𝐼𝑠
 Para 𝑉𝐷 = 0:
𝐼𝐷 = 0 𝑚𝐴

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Diodo Semicondutor
 Região de ruptura:
 Potencial de ruptura 𝑉𝐵𝑉 : a corrente aumenta a uma
taxa muito rápida em um sentido oposto ao da região
positiva.
 Devido à ionização, os elétrons de valência absorvem
energia suficiente para deixar o átomo de origem.
 Os portadores adicionais poderão auxiliar no processo
de ionização até se estabelecer uma alta corrente de
avalanche e que se determina a região de ruptura por
avalanche.
 À medida que 𝑉𝐵𝑉 cai a níveis muito baixos, como –5
V, outro mecanismo, chamado ruptura Zener,
contribuirá para uma alteração brusca na curva
característica. Isso ocorre porque existe um forte
campo elétrico na região da junção que pode
perturbar as forças de ligação no interior do átomo e
“gerar”portadores.

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Diodo Semicondutor
 Região de ruptura:
 Diodos que operam nessa região são chamados de diodos Zener.
 O potencial máximo de polarização reversa que pode ser aplicado antes da entrada na
região de ruptura é chamado de tensão de pico inversa (ou simplesmente PIV, do
inglês Peak Inverse Voltage) ou tensão de pico reversa (PRV, do inglês Peak Reverse
Voltage).

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Diodo Semicondutor

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Diodo Semicondutor

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Diodo Semicondutor
 Efeitos da temperatura:
 Na região de polarização direta, a curva característica de um diodo de silício desvia-se
para a esquerda a uma taxa de 2,5 mV por aumento de grau centígrado na
temperatura.
 Na região de polarização reversa, a corrente reversa de um diodo de silício dobra a
cada elevação de 10 °C na temperatura.
 A tensão de ruptura reversa de um diodo semicondutor aumentará ou diminuirá em
função da temperatura.
 Exemplo 2: Considere um diodo de silício a uma temperatura ambiente de 20°C. Qual
é o valor da barreira de potencial quando a temperatura de junção for de 100°C e
0°C?
 Exemplo 3: Considere um diodo de silício a uma temperatura ambiente de 20°C e
𝐼𝑆 = 10 𝑛𝐴. Qual é o valor de 𝐼𝑆 quando a temperatura de junção for de 100°C?

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Diodo Semicondutor
 Efeitos da temperatura:

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Diodo ideal 𝑥 Diodo Prático
 O diodo semicondutor comporta-se de maneira semelhante a uma chave
mecânica na medida em que pode controlar se uma corrente fluirá entre seus
dois terminais.
 O diodo semicondutor é diferente de uma chave mecânica porque, quando o
chaveamento for fechado, permitirá somente que a corrente flua em um
sentido.

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Níveis de Resistência
 Resistência CC ou estática:
𝑉𝐷
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
 De modo geral, quanto maior a corrente que passa através de um diodo, menor o
nível de resistência CC.
 A resistência CC de um diodo ativo variará entre cerca de 10 e 80 Ohms.

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Níveis de Resistência
 Resistência CC ou estática:
 Exemplo 4: Determine os níveis de resistência CC do diodo da figura abaixo em: a)
𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴 (nível baixo); b) 𝐼𝐷 = 20 𝑚𝐴 (nível alto); c) 𝑉𝐷 = – 10 𝑉 (polarização
reversa).

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Níveis de Resistência
 Resistência CA ou dinâmica:
Δ𝑉𝑑
𝑟𝑑 =
Δ𝐼𝑑
 De modo geral, portanto, quanto menor o ponto Q de
operação (corrente menor ou tensão inferior), maior a
resistência CA.

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Níveis de Resistência
 Resistência CA ou dinâmica:
 Exemplo 5: Para a curva característica da curva da figura abaixo: a) determine a
resistência CA em 𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴 ; b) determine a resistência CA em 𝐼𝐷 = 25 𝑚𝐴; c)
Compare os resultados das partes (a) e (b) para as resistências CC em cada nível de
corrente.

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Níveis de Resistência
 Resistência CA ou dinâmica:
 A resistência dinâmica pode ser encontrada com a simples substituição do valor
quiescente da corrente do diodo na equação.
26 𝑚𝑉
𝑟𝑑 =
𝐼𝐷
 Incluindo a resistência do semicondutor e a resistência de contato:
′ 26 𝑚𝑉
𝑟𝑑 = + 𝑟𝐵
𝐼𝐷
* 𝑟𝐵 pode variar de 0,1 Ohms para dispositivos de alta potência a 2 Ohms para alguns diodos de baixa
potência.
 Na região de polarização reversa, a mudança na corrente ao longo da linha 𝐼𝑠 é nula
de 0 V até a região Zener e que a resistência CA resultante é suficientemente alta
para permitir a aproximação por um circuito aberto.
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Níveis de Resistência
 Resistência CA média:
 Quando o sinal de entrada é grande o suficiente para
produzir uma amplitude como a indicada na figura, a
resistência associada ao dispositivo para essa região é
chamada de resistência CA média.
Δ𝑉𝑑
𝑟𝑎𝑣 =
Δ𝐼𝑑

 Exemplo 6: Calcule 𝑟𝑎𝑣 da figura ao lado.

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Níveis de Resistência
 Resistência CA média:
 Assim como acontece com os valores de resistência CC e CA, quanto menores os
valores de correntes utilizadas para determinar a resistência média, maior será o valor
da resistência.

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Circuitos Equivalentes de Diodos
 Circuito equivalente linear por partes:
 Se a curva característica ou a folha de dados de um diodo
não estiver disponível, a resistência 𝑟𝑎𝑣 poderá ser
aproximada pela resistência CA 𝑟𝑑 .

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Circuitos Equivalentes de Diodos
 Circuito equivalente simplificado:

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Circuitos Equivalentes de Diodos
 Circuito equivalente ideal:
 Dependendo do nível de tensão aplicado 𝑉𝐾 pode ser desprezado.

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Circuitos Equivalentes de Diodos

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