Dissertacao JoaoMartins 201207121

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Faculdade de Engenharia da Universidade do Porto

Projeto de fonte de alimentação comutada com


correção do fator de potência

João Vítor da Cruz Gaspar Martins

VERSÃO DE TRABALHO

Dissertação realizada no âmbito do


Mestrado Integrado em Engenharia Eletrotécnica e de Computadores
Major Automação

Orientador: Professor Rui Manuel Esteves Araújo


Co-Orientador: Engenheiro José Carlos Outeiro

Janeiro de 2018
© João Martins, 2018

ii
Resumo

Este projeto foi proposto pela empresa TEDAYC.LDA no sentido de ser implementada uma
fonte comutada em conformidade com as normas em vigor e cumprindo os requisitos da
empresa.
Este trabalho descreve os procedimentos para o desenvolvimento de uma fonte comutada
com potência de 200W mais tolerância, com uma saída de 24VDC, com eficiência alta (próximo
de 90%), com implementação da correção do fator de potência e que esteja em conformidade
com a compatibilidade eletromagnética.
Foram abordados os conteúdos teóricos relativos às fontes comutadas e as diversas
topologias associadas. Tal, serviu de base para a escolha da topologia a utilizar neste projeto,
neste caso, a LLC resonant pela eficiência que apresenta, pelo comportamento ao nível das
perdas e por ser adequada para a potência requisitada.
Para a implementação da correção do fator de potência foram estudados os conteúdos
teóricos desta, assim como os modos de operação associados. Para esta implementação foi
escolhido o modo FCCrM – modo de condução crítico com limite de frequência por ser o mais
adequado para a potência requisitada, por apresentar bons níveis de eficiência e bom
comportamento ao nível dos transientes.
Foi abordado o tema da compatibilidade eletromagnética com ênfase nas técnicas
preventivas de EMI para serem aplicadas no desenho da PCB.
Apresentaram-se os passos para a implementação da fonte, bem como a discussão dos
resultados obtidos dos seus diferentes modos de funcionamento. Desenvolveu-se uma fonte
comutada com potência de 210W, com uma saída de 24VDC, com eficiência na ordem dos 87%,
com implementação da correção do fator de potência. Realça-se que os resultados da eficiência
obtida.

Palavras-Chave: compatibilidade eletromagnética, correção do fator de potência, fonte


comutada, eficiência.

iii
iv
Abstract

This project was proposed by the company TEDAYC.LDA as an effort to be implemented a


switching mode power supply in compliance with the standards and fulfilling the requirements
of the company.
This work describes the procedures for the development of a switching mode power supply
with a power of 200W plus tolerance, with a 24VDC output, with high efficiency (close to 90%),
with power factor correction and that complies with the electromagnetic compatibility.
The theoretical contents related to switching mode power supplies and the various
associated topologies were discussed. This was the basis for the choice of the topology to be
used in this project, in this case, the LLC resonant for the efficiency it presents, for the loss
behavior and for being adequate for the requested power.
For the implementation of the power factor correction the theoretical contents of this as
well as the associated modes of operation were studied. For this implementation was chosen
the mode FCCrM - Frequency Clamp Critical Conduction Mode because it is the most suitable
for the requested power, because it presents good levels of efficiency and good behavior at
the transient level.
The subject of electromagnetic compatibility with emphasis on the EMI preventive
techniques was addressed to be applied in the design of the PCB.
Was presented the steps for the implementation of the supply, as well as the discussion of
the results obtained from its different modes of operation. A switching mode power supply
with a power of 210W, with an output of 24VDC, was developed with an efficiency of around
87%, with the implementation of power factor correction. It is highlighted the results of the
efficiency obtained.

Keywords: electromagnetic compatibility, power factor correction, switching mode power


supply, efficiency.

v
vi
Agradecimentos

A realização desta dissertação está relacionada com o culminar de um ciclo marcante, não
só na vida académica, mas também a nível pessoal. Esta meta não foi cortada sozinha e este é
o momento de agradecer a todas as pessoas que contribuíram para o meu sucesso.

Ao meu orientador, Professor Doutor Rui Esteves Araújo, ao Co-orientador Engenheiro José
Carlos Outeiro e ao Engenheiro Vítor Junqueira pela sua orientação e enorme disponibilidade,
pela dedicação e pela prontidão e rapidez demonstradas na clarificação das dúvidas que foram
surgindo ao longo do semestre.

À TEDAYC.LDA, pela oportunidade e pela disponibilidade.

À minha família, por todo o apoio, confiança, compreensão e sacrifícios prestados. Por me
garantirem todas as condições necessárias para triunfar, não só durante a realização deste
trabalho, mas durante toda a minha vida.

Finalmente, mas não menos importante, agradeço a todos os meus amigos pela amizade e
apoio que me deram, principalmente aqueles que assistiram de perto ao terminar desta etapa,
e os que fazem e sempre farão parte da minha vida.

O meu obrigado a todos!

vii
viii
Índice

Resumo ...................................................................................... iii

Abstract ...................................................................................... v

Agradecimentos ............................................................................ vii

Índice ........................................................................................ ix

Lista de Figuras ........................................................................... xiii

Lista de Tabelas .......................................................................... xvii

Abreviaturas e Símbolos ................................................................. xix

Capítulo 1 Introdução ...................................................................... 1


1.1 - Enquadramento e objetivos ..................................................................... 1
1.2 - Estrutura do documento ......................................................................... 2

Capítulo 2 Fontes comutadas ............................................................. 3


2.1 - Introdução .......................................................................................... 3
2.1.1 - Fontes de alimentação lineares........................................................... 3
2.1.2 - Fontes de alimentação comutadas ....................................................... 4
2.1.3 - Comparação entre fonte alimentação linear e comutada ........................... 5
2.1.4 - Problemas associados ao uso das fontes alimentação comutadas .................. 6
2.2 - Topologias das fontes de alimentação comutadas .......................................... 6
2.2.1 - Buck ............................................................................................ 7
2.2.2 - Boost ........................................................................................... 8
2.2.3 - Buck-boost .................................................................................... 9
2.2.4 - Forward ...................................................................................... 10
2.2.5 - Flyback ....................................................................................... 12
2.2.6 - Push-pull ..................................................................................... 13
2.2.7 - Half-bridge .................................................................................. 14
2.2.8 - Half-bridge resonant ...................................................................... 16
2.2.8.1 - Series resonant ...................................................................... 16
2.2.8.2 - Parallel resonant .................................................................... 17
2.2.8.3 - LLC resonant ......................................................................... 17
2.3 - Análise comparativa entre as topologias ..................................................... 18
2.3.1 - Flyback ....................................................................................... 18
2.3.2 - Forward ...................................................................................... 18

ix
2.3.3 - Push-pull .................................................................................... 19
2.3.4 - Half-bridge .................................................................................. 19
2.3.5 - Half-bridge resonant ...................................................................... 19
2.4 - Escolha da topologia a utilizar ................................................................ 20

Capítulo 3 Correção do fator de potência - PFC ..................................... 22


3.1 - Importância da correção do fator de potência ............................................. 22
3.2 - Modos de operação de PFC ..................................................................... 23
3.2.1 - Modo de condução contínuo – CCM ..................................................... 23
3.2.2 - Modo de condução descontínuo – DCM ................................................. 24
3.2.3 - Modo de condução crítico – CrM ......................................................... 25
3.2.4 - Modo de condução crítico com limite de frequência – FCCrM ..................... 26
3.3 - Comparação entre os modos de operação ................................................... 26
3.3.1 - Escolha da bobine .......................................................................... 27
3.3.2 - Escolha do componente de comutação ................................................ 27
3.3.3 - Escolha do díodo de potência ............................................................ 27
3.3.4 - Visão geral .................................................................................. 27
3.3.4.1 - CCM .................................................................................... 28
3.3.4.2 - CrM .................................................................................... 28
3.3.4.3 - FCCrM ................................................................................. 28
3.4 - Modo de operação de PFC a implementar ................................................... 28

Capítulo 4 Compatibilidade Eletromagnética - EMC ................................ 30


4.1 - Conceito ........................................................................................... 30
4.2 - Enquadramento histórico ....................................................................... 30
4.3 - Interferências eletromagnéticas – EMI ....................................................... 31
4.3.1 - EMI conduzida .............................................................................. 32
4.3.2 - EMI radiada .................................................................................. 32
4.3.3 - Correntes de modo comum e correntes de modo diferencial ...................... 33
4.4 - Normas ............................................................................................. 34
4.5 - Importância do EMC na fase de projeto de uma fonte comutada ....................... 35
4.6 - Principais etapas da fase de projeto que visa a diminuição da EMI .................... 36
4.6.1 - Especificação ............................................................................... 36
4.6.2 - Seleção da topologia ...................................................................... 36
4.6.3 - Cálculo dos Componentes ................................................................ 36
4.6.4 - Simulação da topologia ................................................................... 37
4.6.5 - Construção e teste do protótipo ........................................................ 37
4.6.6 - Adição do filtro EMI ........................................................................ 38
4.6.7 - Design da versão final ..................................................................... 38
4.6.8 - Teste da versão final ...................................................................... 38
4.7 - Técnicas preventivas de redução de EMI .................................................... 38
4.7.1 - Escolha da topologia da estrutura de potência ....................................... 39
4.7.2 - Utilização de snubbers .................................................................... 39
4.7.3 - Elementos magnéticos .................................................................... 39
4.7.4 - Separação do circuito em zonas ......................................................... 39
4.7.5 - Planos de referência ...................................................................... 40
4.8 - Técnicas de redução de EMI corretivas ...................................................... 41

Capítulo 5 Funcionamento da topologia LLC resonant ............................. 42


5.1 - Funcionamento base ............................................................................ 43
5.2 - Funcionamento a operar abaixo da frequência de ressonância de série ............... 45

x
5.3 - Funcionamento a operar acima da frequência de ressonância de série ................ 53
5.4 - Funcionamento a operar à frequência de ressonância de série.......................... 58

Capítulo 6 Implementação da fonte de alimentação comutada................... 62


6.1 - Filtro EMI........................................................................................... 63
6.2 - Circuito de descarga dos condensadores X-cap ............................................. 64
6.3 - Ponte Retificadora ............................................................................... 66
6.4 - Estágio do PFC .................................................................................... 66
6.4.1 - Introdução ................................................................................... 66
6.4.2 - Definições gerais ........................................................................... 67
6.4.3 - Seleção da indutância da bobine ........................................................ 68
6.4.4 - Escolha do condensador de saída - Cbulk .............................................. 69
6.4.5 - Configuração da frequência do oscilador .............................................. 70
6.4.6 - Circuito de Brown-out ..................................................................... 71
6.4.7 - Malha de feedback ......................................................................... 72
6.4.8 - Malha de compensação .................................................................... 73
6.4.9 - Malha de medição da corrente ........................................................... 74
6.4.10 - Proteção contra sobretensão ........................................................... 75
6.4.11 - Malha do pino 7 ........................................................................... 76
6.4.12 - Malha PFCok ............................................................................... 77
6.5 - Estágio do LLC .................................................................................... 77
6.5.1 - Introdução ................................................................................... 77
6.5.2 - Definições gerais ........................................................................... 78
6.5.3 - Escolha do transformador ................................................................. 79
6.5.4 - Passos para definição do design do LLC ................................................ 80
6.5.4.1 - Cálculo da resistência equivalente Rac.......................................... 80
6.5.4.2 - Cálculo do ganho .................................................................... 80
6.5.4.3 - Escolha do circuito do condensador ressonante ............................... 81
6.5.4.4 - Cálculo da indutância de fuga..................................................... 81
6.5.4.5 - Cálculo da indutância máxima de magnetização .............................. 82
6.5.4.6 - Cálculo do rácio entre as duas indutâncias ..................................... 82
6.5.5 - Lado primário do transformador ......................................................... 83
6.5.5.1 - Malha de proteção contra sobre correntes ..................................... 83
6.5.5.2 - Malha responsável pela definição do tempo de falha ......................... 84
6.5.5.3 - Definição de frequência mínima, máxima e do dead-time .................. 85
6.5.5.4 - Definição dos componentes relacionados com o soft-start .................. 86
6.5.5.5 - Parte do feedback e modo skip ................................................... 87
6.5.6 - Lado secundário do transformador ...................................................... 88
6.5.6.1 - Retificação sincronizada vs díodos ............................................... 88
6.5.6.2 - Condensadores de filtro ............................................................ 89
6.5.6.3 - Malha feedback ...................................................................... 90
6.6 - Filtro de saída .................................................................................... 91
6.7 - Esquemáticos Finais ............................................................................. 91
6.7.1 - PCB PFC ...................................................................................... 92
6.7.2 - PCB LLC ...................................................................................... 95
6.8 - Desenho da PCB .................................................................................. 97

Capítulo 7 Resultados ..................................................................... 99


7.1 - Introdução ......................................................................................... 99
7.2 - Dificuldades no decurso da fase de teste .................................................... 99
7.3 - Resultados do PFC ...............................................................................101
7.4 - Resultados do LLC ...............................................................................106

xi
7.5 - Resultados da fonte projetada PFC+LLC .................................................... 110
7.5.1 - Geral ........................................................................................ 111
7.5.2 - Funcionamento a baixa carga ........................................................... 116
7.5.3 - Funcionamento a meia carga ........................................................... 118
7.5.4 - Funcionamento a carga máxima........................................................ 121
7.6 - Discussão dos Resultados ...................................................................... 123

Capítulo 8 Conclusão ................................................................... 125

Referências ............................................................................... 127

xii
Lista de Figuras

Figura 1 - Diagrama de blocos da fonte de alimentação linear ....................................... 4

Figura 2 - Diagrama de blocos da fonte de alimentação comutada isolada ........................ 4

Figura 3 - Esquema da topologia Buck .................................................................... 7

Figura 4 - Esquema da topologia Boost ................................................................... 8

Figura 5 - Esquema da topologia Buck-boost............................................................ 10

Figura 6 - Esquema da topologia Forward ............................................................... 11

Figura 7 - Esquema da topologia Flyback ................................................................ 12

Figura 8 - Esquema da topologia Push-pull .............................................................. 13

Figura 9 - Esquema da topologia Half-bridge ........................................................... 15

Figura 10 - Esquema da topologia Series resonant..................................................... 17

Figura 11 - Esquema da topologia Parallel resonant .................................................. 17

Figura 12 - Esquema da topologia LLC resonant ....................................................... 18

Figura 13 - Corrente no modo CCM ....................................................................... 24

Figura 14 - Corrente no modo DCM ....................................................................... 25

Figura 15 - Corrente no modo CrM ........................................................................ 26

Figura 16 - Exemplo dos subgrupos da compatibilidade eletromagnética ......................... 32

Figura 17 - Exemplo modo comum [10] .................................................................. 33

Figura 18 - Exemplo modo diferencial [10].............................................................. 34

Figura 19 - Evolução das técnicas disponíveis e o custo relativo em função das fases de um
projeto [13] ............................................................................................ 35

Figura 20 - Esquema base da topologia LLC com formas de onda [17] ............................. 43

Figura 21 - Regiões indutivas e capacitiva [18] ......................................................... 45

Figura 22 - Formas de onda relativas ao funcionamento a baixo da frequência de ressonância


[17] ...................................................................................................... 46

xiii
Figura 23 - Esquema no tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está
em condução e o díodo D2 está a conduzir ...................................................... 47

Figura 24 - Esquema no tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está
em condução e o díodo D2 deixa de conduzir ................................................... 48

Figura 25 - Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos


os díodos não estão a conduzir (Parte 1) ......................................................... 49

Figura 26 - Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos


os díodos não estão a conduzir (Parte 2) ......................................................... 50

Figura 27 – Esquema no tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está
em condução e o díodo D1 está a conduzir ...................................................... 50

Figura 28 - Esquema no tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está
em condução e o díodo D1 deixa a conduzir ..................................................... 51

Figura 29 – Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos


os díodos não estão a conduzir (Parte1) .......................................................... 52

Figura 30 - Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos


os díodos não estão a conduzir (Parte2) .......................................................... 53

Figura 31 - Formas de onda relativas ao funcionamento acima da frequência de ressonância


[17] ...................................................................................................... 54

Figura 32 – Esquema no tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está
em condução e o díodo D2 está a conduzir ...................................................... 55

Figura 33 – Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e o díodo


D2 está a conduzir .................................................................................... 56

Figura 34 - Esquema no tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está
em condução e o díodo D1 está a conduzir ...................................................... 57

Figura 35 - Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e o díodo


D1 está a conduzir .................................................................................... 57

Figura 36 - Formas de onda relativas ao funcionamento à frequência de ressonância [17] ... 58

Figura 37 – Esquema no tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está
em condução e o díodo D2 está a conduzir ...................................................... 59

Figura 38 – Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução (Parte1) .. 60

Figura 39 - Esquema no tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está
em condução e o díodo D1 está a conduzir ...................................................... 60

Figura 40 - Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução ............. 61

Figura 41 - Diagrama de blocos da fonte de alimentação projetada ............................... 62

Figura 42 - Divisão dos blocos do projeto pelas PCB's................................................. 63

Figura 43 - Esquema do Filtro EMI ........................................................................ 64

Figura 44 - Circuito de descarga dos condensadores X-cap .......................................... 65

xiv
Figura 45 - Esquema base de montagem do NCP1605 [21] ........................................... 66

Figura 46 - Esquema base de montagem do NCP1397 [23] ........................................... 78

Figura 47 - Malha de proteção contra sobre correntes ................................................ 83

Figura 48 - Deteção e Recuperação de falha [22] ...................................................... 85

Figura 49 - Malha do soft-start ............................................................................ 87

Figura 50 - Feedback e modo skip ........................................................................ 88

Figura 51 - Comparação entre o uso de um díodo shottky e um MOSFET [24] .................... 89

Figura 52 - Malha feedback do lado secundário ........................................................ 91

Figura 53 - Esquemático da PCB PFC ..................................................................... 92

Figura 54 - Filtro EMI + Circuito de descarga dos condensadores X-cap + Ponte retificadora .. 93

Figura 55 - Estágio do PFC .................................................................................. 94

Figura 56 - Esquemático da PCB LLC ..................................................................... 95

Figura 57 - Lado primário do transformador ............................................................ 96

Figura 58 - Lado secundário do transformador ......................................................... 97

Figura 59 - Desenho da PCB PFC .......................................................................... 98

Figura 60 - Desenho da PCB LLC ........................................................................... 98

Figura 61 - Fotografia da PCB PFC ...................................................................... 101

Figura 62 - Evolução da eficiência em relação ao aumento da potência no teste da PCB PFC


para 120 VAC ......................................................................................... 102

Figura 63 - Evolução da eficiência em relação ao aumento da potência no teste da PCB PFC


para 220 VAC ......................................................................................... 103

Figura 64 - Comparação da evolução da eficiência em relação ao aumento da potência entre


os testes da PCB PFC para 120 VAC e 220 VAC ................................................. 104

Figura 65 - Formas de onda da tensão e da corrente em fase ..................................... 104

Figura 66 - Comportamento da tensão de saída no arranque da PCB PFC para 120 VAC...... 105

Figura 67 - Comportamento da tensão de saída no arranque da PCB PFC para 220 VAC...... 105

Figura 68 - Ripple na saída da PCB PFC ................................................................ 106

Figura 69 -Fotografia da PCB LLC ....................................................................... 107

Figura 70 - Evolução da eficiência em relação ao aumento da potência no teste da PCB LLC


......................................................................................................... 108

Figura 71 - Ripple na saída da PCB LLC sem carga ................................................... 109

Figura 72 - Ripple na saída da PCB LLC com carga total ............................................ 109

xv
Figura 73 - Formas de onda nas gates dos MOSFETS ................................................. 110

Figura 74 - Dead-time imposto ........................................................................... 110

Figura 75 - Fotografia da fonte de alimentação projetada ......................................... 111

Figura 76 - Evolução da eficiência em relação ao aumento da potência no teste da PCB


PFC+LLC para 120 VAC .............................................................................. 113

Figura 77 - Evolução da eficiência em relação ao aumento da potência no teste da PCB


PFC+LLC para 220 VAC .............................................................................. 114

Figura 78 - Comparação da evolução da eficiência em relação ao aumento da potência entre


os testes da PCB PFC+LLC para 120 VAC e 220 VAC ........................................... 114

Figura 79 - Tensão num condensador ressonante ..................................................... 115

Figura 80 - Tensão na saída da fonte comutada no arranque com 120 VAC de entrada ....... 115

Figura 81 - Tensão na saída da fonte comutada no arranque com 220 VAC de entrada ....... 116

Figura 82 - Corrente inversa na bobine do PFC para 120 VAC em baixa carga .................. 117

Figura 83 - Corrente inversa na bobine do PFC para 220 VAC em baixa carga .................. 117

Figura 84 - Corrente na malha ressonante em baixa carga ......................................... 118

Figura 85 - Corrente nos díodos do secundário em baixa carga .................................... 118

Figura 86 - Corrente inversa na bobine do PFC para 120 VAC em meia carga ................... 119

Figura 87 - Corrente inversa na bobine do PFC para 220 VAC em meia carga ................... 119

Figura 88 - Corrente na malha ressonante e tensão no nó HB em meia carga .................. 120

Figura 89 - Corrente nos díodos do secundário em meia carga .................................... 120

Figura 90 - Corrente inversa na bobine do PFC para 120 VAC em carga máxima ............... 121

Figura 91 - Corrente inversa na bobine do PFC para 220 VAC em carga máxima ............... 121

Figura 92 - Corrente na malha ressonante e tensão no nó HB em carga máxima ............... 122

Figura 93 - Corrente nos díodos do secundário em carga máxima ................................. 122

xvi
Lista de Tabelas

Tabela 1 - Comparação entre fontes de alimentação lineares e comutadas [3] .................. 6

Tabela 2 - Comparação entre as topologias de fontes de alimentação comutadas [3] .......... 20

Tabela 3 - Comparação entre os modos de operação do PFC [6].................................... 29

Tabela 4 - Especificações gerais do PFC ................................................................. 67

Tabela 5 - Especificações gerais do LLC ................................................................. 79

Tabela 6 - Resultados obtidos do teste PCB PFC para 120 VAC .................................... 102

Tabela 7 - Resultados obtidos do teste PCB PFC para 220 VAC .................................... 103

Tabela 8 - Resultados obtidos do teste PCB LLC (Parte 1) ......................................... 107

Tabela 9 - Resultados obtidos do teste PCB LLC (Parte 2) ......................................... 108

Tabela 10 - Resultados obtidos do teste PCB PFC+LLC para 120 VAC (Parte 1) ................ 112

Tabela 11 - Resultados obtidos do teste PCB PFC+LLC para 120 VAC (Parte 2) ................ 112

Tabela 12 - Resultados obtidos do teste PCB PFC+LLC para 220 VAC (Parte 1) ................ 113

Tabela 13 - Resultados obtidos do teste PCB PFC+LLC para 220 VAC (Parte 2) ................ 113

Tabela 14 - Cálculo das médias das eficiências obtidas na PCB PFC ............................. 123

Tabela 15 - Cálculo das médias das eficiências obtidas na PCB LLC .............................. 124

Tabela 16 - Cálculo das médias das eficiências obtidas na PCB PFC+LLC ........................ 124

xvii
xviii
Abreviaturas e Símbolos

AC Alternating Current
CCM Continuous Conduction Mode
CISPR Comité International Spécial des Pertubations Radioelétriques
CrM Critical Conduction Mode
DC Direct Current
DCM Discontinuous Conduction Mode
EMC Electromagnetic Compatibility
EMI Electromagnetic Interference
ESR Equivalent Series Resistance
FCCrM Frequency Clamp Critical Conduction Mode
FET Field-Effect Transistor
HB Half-Bridge
IC Integrated Circuit
IEC International Electrotechnical Commission
LC Inductor + Capacitor
LLC Inductor + Inductor + Capacitor
MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
PCB Printed Circuit Board
PFC Power Factor Correction
RF Radio Frequency
SMPS Switch Mode Power Supplies
THD Total Harmonic Distorcion
VAC AC Voltage
VDC DC Voltage
ZCS Zero Current Switching
ZVS Zero Voltage Switching

xix
xx
Capítulo 1

Introdução

1.1 - Enquadramento e objetivos

Nos dias de hoje, a evolução tecnológica é cada vez mais rápida, superando alguns
problemas associados, mas implicando o surgimento de outros.
Na eletrónica de potência, os criadores de novas aplicações anseiam pelo aumento de
potência, aumento da eficiência e pela diminuição da dimensão e peso das suas aplicações.
A procura por cumprir tais requisitos, fez surgir novos problemas como por exemplo as
aplicações não estarem em conformidade com as normas associadas à compatibilidade
eletromagnética, como também não cumprirem os requisitos impostos pelas normas associadas
à correção do fator de potência.
A proposta de projeto apresentada pela empresa Tedayc.LDA, assenta no desenvolvimento
de uma fonte de alimentação comutada com a saída a 24 V DC e 200W de potencia de saída,
incorporando uma correção do fator de potência e que esteja em conformidade com as normas
aplicadas à compatibilidade eletromagnética.
Para o desenvolvimento do projeto foram definidos os seguintes objetivos:
• Estudar as diferentes topologias de fontes de alimentação comutadas
• Escolher a topologia mais adequada para o projeto
• Estudar os diferentes modos de operação da correção do fator de potência
• Escolher o modo mais adequado para o projeto
• Estudar a compatibilidade eletromagnética
• Efetuar os cálculos de dimensionamento dos componentes
• Desenvolver os esquemáticos da fonte projetada
• Desenhar a PCB da fonte
• Montar a fonte de alimentação comutada
• Testar a fonte de alimentação comutada
• Discutir os resultados obtidos no teste

1
1.2 - Estrutura do documento

Este documento está estruturado em oito capítulos. Neste primeiro capítulo são
apresentados o enquadramento do trabalho, os principais objetivos e a sua estrutura.
No Capítulo 2, Fontes comutadas - SPMS, são apresentadas as principais diferenças entre as
fontes de alimentação lineares e as fontes de alimentação comutadas tal como o seu
funcionamento. Posteriormente, são apresentadas várias topologias de fontes comutadas e é
realizada a escolha de qual a implementar neste projeto.
No Capítulo 3, Correção do fator de potência - PFC, são apresentados os dois tipos de
implementação de PFC, passivo e ativo, e o motivo pela escolha do tipo ativo. Posteriormente,
são apresentados os modos mais comuns de operação de PFC, fazendo-se uma comparação
entre estes e selecionando qual dos modos a implementar no projeto.
No Capítulo 4, Compatibilidade Eletromagnética - EMC, é apresentada a definição de
compatibilidade eletromagnética tal como a definição de interferência eletromagnética - EMI.
Serão, igualmente, abordadas algumas técnicas preventivas e corretivas de redução da EMI.
No Capítulo 5, Funcionamento da topologia LLC resonant, é apresentado o funcionamento
em detalhe da topologia escolhida no capítulo 2, LLC resonant, contendo a descrição do seu
funcionamento em função da frequência de operação através de gráficos e imagens ilustrativos
do seu funcionamento.
No Capítulo 6, Implementação da fonte de alimentação comutada, é apresentado o
diagrama de blocos do projeto, contendo a descrição de cada bloco e os cálculos necessários
para a implementação da fonte.
No Capítulo 7, Resultados, são descritos os resultados obtidos através de gráficos e tabelas
ilustrativos do comportamento da fonte de alimentação comutada. Inclui também a discussão
dos resultados.
No Capítulo 8, Conclusão, são apresentadas as principais conclusões do trabalho efetuado.

2
Capítulo 2

Fontes comutadas

2.1 - Introdução

No ambiente eletrónico dos dias de hoje, as fontes de alimentação têm bastante


importância por serem responsáveis na conversão da tensão da rede elétrica AC de modo a
originar a entrada pretendida para as aplicações projetadas, sendo a conversão mais comum
da tensão da rede AC para uma saída com tensão fixa DC [1].
Tais fontes de alimentação dividem-se em dois tipos:
• Fontes de alimentação lineares
• Fontes de alimentação comutadas

2.1.1 - Fontes de alimentação lineares

As fontes de alimentação lineares são, essencialmente, constituídas por [1, 2]:


• Transformador
• Retificador
• Filtro
• Regulador
Cada um destes componentes está associado a um bloco diferente do processo de
transformação da tensão da rede de entrada na tensão de saída pretendida, faseado na
transformação, na retificação, na filtragem e na regulação.
O funcionamento base de uma fonte linear passa pela conversão da tensão de entrada da
rede (230 VAC). Este passará pela transformação do seu valor para o valor pretendido através
de uma razão de transformação imposta pelo transformador. Em seguida, através do
retificador, será retificada por forma a existir apenas tensão positiva. Posteriormente, passará
por um filtro que reduz o ripple/ruído da onda produzida de maneira a haver pouca variação
em redor do valor pretendido de tensão. Por fim, a onda passará pelo regulador que será

3
responsável por reduzir/eliminar essas variações para que seja possível obter uma tensão fixa
DC à saída da fonte de alimentação.
Esta divisão em blocos está ilustrada na figura 1.

Figura 1 - Diagrama de blocos da fonte de alimentação linear

2.1.2 - Fontes de alimentação comutadas

As fontes de alimentação comutadas podem ser isoladas ou não isoladas. Nas fontes isoladas
não existe ligação física entre o lado primário e o lado secundário, tal não acontece com as
fontes não isoladas. Para o projeto em estudo é essencial que a fonte seja isolada.
As fontes comutadas isoladas podem ter várias topologias, sendo que o seu diagrama de
blocos pode variar conforme a topologia selecionada e os incrementos de funcionalidades
pretendidos. De seguida estão listados os blocos de um exemplo de como uma fonte de
alimentação comutada pode ser constituída:
• Filtro EMI
• Retificação
• PFC (opcional)
• Bloco de comutação
• Transformador
• Retificação
• Filtro de saída
• Malha Feedback

Na figura 2 pode ser visualizado o diagrama de blocos correspondente.

Figura 2 - Diagrama de blocos da fonte de alimentação comutada isolada

O funcionamento básico de uma fonte comutada com o diagrama de blocos anterior passa
pela receção da tensão da rede de entrada por parte do filtro EMI, responsável por filtrar os
ruídos existentes da rede (eventualmente de outros dispositivos nas redondezas) e para a fonte

4
não criar perturbações noutros sistemas/aparelhos que estejam ligadas à mesma rede. Depois
de passar pelo filtro EMI, a onda de tensão passará pela retificação responsável por transformar
a onda em apenas valores positivos. De seguida, poderá ou não, incorporar a correção do fator
de potência pois, devido à rápida evolução tecnológica, esta solução é cada vez mais
necessária, sendo responsável por transformar a onda de tensão proveniente da retificação
numa tensão fixa e com a tensão e corrente em fase. Com isto, consegue-se um maior
aproveitamento da energia elétrica e uma redução da energia reativa e/ou ruído na rede
elétrica. De seguida, a tensão passa para o bloco de comutação onde, dependendo de cada
topologia, funcionará de modo diferente. Esta é a responsável pela receção do feedback e,
dependendo dessa informação, será, igualmente responsável por mudar o duty cycle ou a
frequência de operação conforme seja necessária mais ou menos potência. Passando o bloco
de comutação, a onda de tensão seguirá para o transformador onde sofrerá uma transformação
de acordo com a razão de transformação para a qual o transformador foi selecionado. No lado
secundário do transformador, a onda de tensão passará novamente pela retificação e posterior
filtragem por forma à tensão ser fixa. Por fim, terá uma malha feedback que faz a ligação entre
a saída da fonte comutada e o bloco de comutação onde irá comparar o valor de tensão à saída
com o valor pretendido e enviará essa informação para o bloco de comutação para que a tensão
de saída seja regulada.

2.1.3 - Comparação entre fonte alimentação linear e comutada

A tecnologia está em constante mudança, com descobertas de novas soluções para diversos
problemas.
No caso da eletrónica de potência, esta evolução tecnológica tem-se focado principalmente
na diminuição da dimensão e do peso, no aumento da eficiência e no aumento de potência para
os novos projetos.
As fontes de alimentação lineares começaram a impedir este progresso visto que o aumento
da sua potência implicou o aumento da dimensão e do peso da aplicação e, como a sua
eficiência é relativamente reduzida, verificam-se várias perdas por efeito de Joule. Por isto,
não conseguimos alcançar consumos reduzidos, acarretando os eventuais encargos energéticos.
Para combater este problema surgiram as fontes de alimentação comutadas. Estas
aumentaram drasticamente a eficiência quando comparadas com as fontes lineares,
conseguindo diminuir o tamanho/peso das aplicações para os mesmos níveis de potência.
Contudo, fizeram surgir novos problemas para solucionar, pois, como funcionam à base de
eletrónica comutada, o aumento de potência de modo a manter as mesmas dimensões e peso,
implica um aumento das perdas de comutação e do ruído produzido. Além destes problemas,
as fontes comutadas elevaram o grau de complexidade no desenvolvimento da fonte
comparativamente à fonte linear [2].

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Na tabela 1 faz-se a comparação entre os dois tipos de fontes de alimentação focando-se
nos principais fatores que importam para a análise:

Fonte Linear Fonte Comutada


Custo Pequeno Médio
Peso-Tamanho Grande Pequeno-Médio
Ruído RF Reduzido Grande-Médio
Eficiência 35-50 % 70-92 %
Múltiplas saídas Não Sim
Complexidade Pequena Grande-Média
Tabela 1 - Comparação entre fontes de alimentação lineares e comutadas [3]

2.1.4 - Problemas associados ao uso das fontes alimentação comutadas

Como já referido anteriormente, as fontes de alimentação comutadas trouxeram novos


desafios a serem solucionados pelos projetistas deste tipo de fontes. Com o aumento de
potência das aplicações é necessário o aumento de frequência de comutação, o que provoca o
aumento das perdas por comutação.
Estes problemas surgem como consequência da tendência de aumentar a potência e a
eficiência e diminuir o tamanho e peso das mesmas. Com isto, foram concebidas várias
topologias de fontes comutadas. Umas melhores para potências superiores, outras para
menores potências, outras que produzem menos ruídos, etc, fazendo com que a escolha da
topologia a implementar, não seja uma escolha trivial visto depender dos requisitos chave da
aplicação que o projetista pretende ver de certeza satisfeitos.

2.2 - Topologias das fontes de alimentação comutadas

Existem bastantes topologias para fontes de alimentação comutadas, sendo que a maior
parte das diferenças entre elas está na disposição dos componentes essenciais: condensador de
saída, bobine, díodo e componentes de comutação, neste caso, MOSFETS.
Serão abordadas sucintamente as topologias mais comuns não isoladas por serem a base de
algumas das topologias isoladas que serão abordadas neste documento, uma análise mais
aprofundada pode ser realizada através da referência analisada [4]. Posteriormente, será feita
a análise comparativa entre elas para ajudar a determinar qual a melhor topologia que melhor
satisfaz as exigências impostas pela empresa. Ao longo deste documento os nomes das
topologias e termos mais comuns da eletrónica serão designados em inglês.

6
As topologias abordadas nesta secção são:
• Buck
• Boost
• Buck-boost
• Forward
• Flyback
• Push-pull
• Half-bridge
• Half-bridge resonant

2.2.1 - Buck

A topologia buck é uma topologia não isolada cujo funcionamento base implica a conversão
da tensão de entrada numa tensão de saída com valor inferior.
A configuração desta topologia baseia-se num MOSFET colocado em série com a tensão de
entrada seguido de um filtro passa baixo composto por uma bobine e um condensador. De
seguida é representado na figura 3 o circuito genérico da topologia buck.

Figura 3 - Esquema da topologia Buck

O funcionamento base desta topologia passa pela análise de duas fases: tempo em que o
MOSFET está em condução e o tempo em que não está em condução.
Quando o MOSFET está em condução, a entrada fornece energia para a saída e para a
bobine. Esta carrega-se e a sua tensão é positiva e igual à diferença entre a tensão de entrada
e a tensão de saída, fazendo com que a corrente na bobine aumente linearmente.
Quando o MOSFET não está em condução, a corrente armazenada na bobine flui para a
carga, pois o díodo completa o caminho da corrente, permitindo que a corrente circule por

7
essa malha, fazendo deste modo, com que a tensão de saída se mantenha no valor pretendido.
Nesta fase a corrente na bobine diminui linearmente e a sua tensão é negativa e igual ao inverso
da tensão de saída.
A corrente que circula na malha é, portanto, sempre positiva.
A relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída irá depender do duty-cycle imposto
na gate do MOSFET, como se pode ver na equação 1.

𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝐷 × 𝑉𝑖𝑛 (1)

Onde o Vin corresponde à tensão de entrada, o Vout à tensão de saída e o D ao duty-cycle.


O duty-cycle é definido pela razão entre o tempo que o MOSFET está a conduzir e o tempo
total do ciclo, como mostra a equação 2.

𝑇𝑜𝑛
𝐷= (2)
𝑇𝑠

2.2.2 - Boost

A topologia boost é uma topologia não isolada, que como o próprio nome indica, converte
a tensão de entrada numa tensão de saída superior.
A configuração desta topologia baseia-se na colocação de uma bobine em série com a tensão
de entrada sendo que a corrente provinda desta pode ou não circular através do díodo e, por
sua vez, circular para a carga ou circular pelo MOSFET. Também possui um condensador de
saída.
Esta configuração está representada na figura 4.

Figura 4 - Esquema da topologia Boost

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O funcionamento desta topologia, tal como no caso da topologia buck, baseia-se em dois
estados: o estado em que o MOSFET está em condução e o estado em que este não está em
condução.
Quando o MOSFET está em condução, a corrente de entrada circula pela malha constituída
pela bobine e pelo MOSFET. Nesta fase, a bobine está a armazenar energia através da corrente
de entrada, a corrente aumenta linearmente e a sua tensão é igual à tensão de entrada. O
condensador de saída é o responsável, neste tempo, por manter a tensão de saída no valor
pretendido. Por esse motivo o valor deste tem que ser suficientemente elevado de modo a
permitir tal objetivo, garantindo a minimização da modulação da tensão de saída.
Quando o MOSFET não está em condução, a corrente de entrada flui no mesmo sentido que
o da bobine e fornecerá energia para a carga através do díodo. Neste momento, o condensador
começa a ser carregado e a tensão da bobine é negativa e igual à diferença entre a tensão de
entrada e a tensão de saída, que por sua vez, faz com que a corrente diminua linearmente.
A relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída está representada na equação 3.

𝑉𝑖𝑛
𝑉𝑜𝑢𝑡 = (3)
1−𝐷

Onde Vin é a tensão de entrada, Vout é a tensão de saída e D o duty-cycle.


A equação correspondente ao duty-cycle é igual à da topologia buck, neste caso a equação
2, bem como, é igual para as restantes topologias apresentadas neste documento.

2.2.3 - Buck-boost

A topologia buck-boost é uma topologia não isolada composta, essencialmente, por um


MOSFET, uma bobine, um díodo e um condensador.
O circuito genérico desta topologia está representado na figura 5.

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Figura 5 - Esquema da topologia Buck-boost

Nesta topologia, a tensão de saída é invertida e pode ser maior ou menor relativamente à
tensão de entrada, sendo que se pode comportar como a topologia buck ou como a topologia
boost.
O funcionamento base desta topologia divide-se em dois estados: o estado em que o
MOSFET está em condução e o estado em que o MOSFET não está em condução.
Na fase em que o MOSFET está em condução, a bobine é carregada através da tensão de
entrada, o díodo não permitirá a passagem de corrente para a carga e, portanto, o condensador
de saída será o responsável por estabelecer a tensão pretendida na carga. O condensador de
saída deve ser suficientemente grande para possibilitar a tensão pretendida na saída durante
esta fase.
Na fase em que o MOSFET não está em condução, a corrente circulará pela malha composta
pela bobine, o condensador, o díodo e a carga. A bobine irá descarregar, a energia que tem
armazenada na fase anterior, fornecendo energia tanto para a carga como para o condensador,
que nesta fase se irá carregar.
A relação entre a tensão de saída e a tensão de entrada nesta topologia está representada
na equação 4.

𝐷
𝑉𝑜𝑢𝑡 = − 𝑉𝑖𝑛 × (4)
1−𝐷

Onde Vout corresponde à tensão de saída, Vin à tensão de entrada e D ao duty-cycle.

2.2.4 - Forward

A topologia forward é uma topologia isolada que tem como base a topologia buck, e é
composta por um transformador, um MOSFET, três díodos, uma bobine e um condensador.
O circuito genérico desta topologia está representado na figura 6.

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Figura 6 - Esquema da topologia Forward

Nesta topologia tem-se um MOSFET ligado em série com o lado primário do transformador
que será responsável por criar pulsos de tensão para o transformador. O transformador será
responsável por baixar a tensão imposta no primário, fornecendo uma tensão menor no lado
secundário através da razão de transformação a ele associada. Terá, igualmente, a função de
isolar o lado primário do secundário.
O funcionamento base divide-se em dois estados: o estado em que o MOSFET está em
condução e o estado em que o MOSFET não está em condução.
Quando o MOSFET está em condução, a queda de tensão no lado primário do transformador
é positiva, o que faz com que o díodo 1 esteja em condução e os restantes fiquem inversamente
polarizados.
Nesta fase a corrente de magnetização, pertencente ao transformador, aumenta
linearmente até ao ponto igual a Vin/Lm, onde Lm é a indutância magnética do transformador.
A corrente no primário é igual à soma entre a corrente de magnetização e a corrente iL que é
refletida no lado primário, onde a corrente iL é a corrente que passa na bobine de saída.
A tensão imposta pelo transformador no secundário irá ser a tensão de saída.
Quando o MOSFET não está em condução, o díodo 3, ao entrar em condução, irá descarregar
a energia de magnetização armazenada no transformador. A bobine irá descarregar a corrente
armazenada anteriormente, fornecendo corrente para a carga. O díodo 2 completará a malha
possibilitando a passagem de corrente no secundário. A tensão na bobine será, portanto,
negativa devido à tensão de saída.
A relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída nesta topologia está representada
na equação 5.
𝑁𝑠
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑖𝑛 × ×𝐷 (5)
𝑁𝑝

11
Onde Vout é a tensão de saída, Vin a tensão de entrada, Ns o número de voltas do
transformador no secundário, Np o número de voltas do transformador no primário e D o duty-
cycle.

2.2.5 - Flyback

A topologia flyback é uma topologia isolada baseada na topologia buck-boost composta,


basicamente, por um MOSFET, um transformador, dois díodos, dois condensadores e uma
resistência como se pode constatar na figura 7.

Figura 7 - Esquema da topologia Flyback

O seu funcionamento base divide-se em dois estados: o estado em que o MOSFET está a
conduzir e o estado em que o MOSFET não está a conduzir.
Nesta topologia o MOSFET é posto em série com o lado primário do transformador. O
transformador é responsável por armazenar energia durante a fase em que o MOSFET está a
conduzir e pelo isolamento do primário e secundário.
Para proteção do MOSFET, é incorporado um díodo de free-wheeling, e uma malha de
snubber composta pela resistência Rs e pelo condensador Cs.
Quando o MOSFET está a conduzir, devido ao transformador estar inversamente polarizado,
o díodo 1 não está em condução, o que faz com que o transformador se comporte como uma
bobine, sendo o condensador de saída, o responsável por impor na saída a tensão pretendida.
Por este motivo o condensador deve ter uma capacidade suficientemente elevada para que
seja possível manter a tensão de saída no valor pretendido durante o tempo em que o MOSFET
está em condução.

12
Quando o MOSFET não está a conduzir, a corrente de magnetização armazenada no
transformador irá induzir uma tensão negativa neste, que, fará com que o díodo 1 entre em
condução tornando a queda de tensão no lado secundário do transformador igual à tensão de
saída. Essa tensão armazenada no transformador irá, portanto, fornecer energia tanto para a
carga como para o condensador de saída, que nesta fase irá carregar-se.
A relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída desta topologia está representada
na equação 6.
𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑁𝑠 𝐷
= × (6)
𝑉𝑖𝑛 𝑁𝑝 1 − 𝐷

Onde Vout é a tensão de saída, Vin é a tensão de entrada, Ns o número de voltas do


transformador no secundário, Np o número de voltas do transformador no primário e D o duty-
cycle.

2.2.6 - Push-pull

A topologia push-pull é uma topologia isolada que tem como base a topologia forward,
composta, essencialmente, por dois MOSFETS, um transformador, dois díodos, uma bobine e
um condensador.
O seu esquema base está representado na figura 8.

Figura 8 - Esquema da topologia Push-pull

Nesta topologia, os dois MOSFETS têm os seus tempos de condução iguais e alternados, e
são responsáveis por enviar pulsos de tensão para o lado primário do transformador. O
transformador é responsável por baixar a tensão de entrada e transformá-la numa tensão de
saída inferior, tendo também a função de isolar a tensão de entrada da tensão de saída.

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O funcionamento base desta topologia pode dividir-se em três estados: o primeiro quando
o MOSFET 1 está em condução e o MOSFET 2 não está em condução, o segundo quando o MOSFET
1 não está em condução e o MOSFET 2 está em condução e o terceiro quando ambos não estão
em condução.
Na fase em que o MOSFET 1 está em condução e o MOSFET 2 não está em condução, a queda
de tensão no lado primário do transformador é positiva, o que faz com que o díodo 1 entre em
condução e o díodo 2 não entre em condução. Nesta fase a bobine na saída é alimentada através
do segundo enrolamento do secundário pelo díodo 1. A corrente na bobine cresce linearmente
nesta fase.
Na fase em que ambos os componentes de comutação não se encontram a conduzir, no
MOSFET que estava anteriormente em condução, a corrente passará a fluir pelo seu díodo
interno possibilitando uma malha para descarregar a energia de fuga armazenada no lado
primário do transformador, o que, também permite que o díodo 2 entre em condução. Com a
entrada em condução do díodo 2, ambos os díodos do secundário ficam em condução e terão
quedas de tensão iguais e opostas nos enrolamentos associados o que fará com que a tensão no
secundário seja zero e que a queda de tensão na bobine seja negativa, fazendo com que a
corrente nesta decresça linearmente.
Na fase em que o MOSFET 1 não está em condução e o MOSFET 2 entra em condução, o
díodo 1 deixa de estar em condução e, portanto, passa o díodo 2 a ser o caminho por onde
circulará a corrente da bobine. Nesta fase, a queda de tensão aplicada no lado primário do
transformador será negativa. A corrente na bobine irá aumentar linearmente de novo.
De seguida viria a fase em que ambos os MOSFETS não estão em condução e depois voltaria
a estar o MOSFET 1 em condução e o MOSFET 2 a não conduzir.
A relação entre a tensão de entrada e a tensão de saída nesta topologia está representada
na equação 7.
𝑁𝑠
𝑉𝑜𝑢𝑡 = 𝑉𝑖𝑛 × ×2×𝐷 (7)
𝑁𝑝

Onde Vout é a tensão de saída, Vin é a tensão de entrada, Ns o número de voltas do


transformador no secundário, Np o número de voltas do transformador no primário e D o duty-
cycle.

2.2.7 - Half-bridge

A topologia half-bridge é uma topologia isolada que tem como base a topologia forward,
composta, essencialmente, por dois MOSFETS, um transformador, dois díodos, uma bobine e
quatro condensadores.
A representação genérica desta topologia está ilustrada na figura 9.

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Figura 9 - Esquema da topologia Half-bridge

Tal como noutras topologias, os MOSFETS são responsáveis pela criação de pulsos de tensão
no lado primário do transformador. O transformador é responsável por transformar a tensão de
entrada numa tensão de saída inferior e por isolar o lado primário do lado secundário.
O condensador Cb tem a função de eliminar a componente DC que passará para o lado
primário do transformador.
O funcionamento base desta topologia pode-se dividir em três fases, uma quando um
MOSFET está em condução e o outro não, outra na situação inversa e a última quando ambos
os MOSFETS não estão em condução.
Nesta topologia ambos os condensadores C2 e C3 são carregados com tensão igual, fazendo
com que o ponto entre eles seja carregado com metade da tensão de entrada.
Quando o MOSFET 1 está em condução e o MOSFET 2 não está em condução, a tensão do
condensador C2 é aplicada ao lado primário do transformador, isto faz com que a tensão
aplicada no lado primário do transformador seja metade da tensão de entrada. Nesta fase, o
díodo 2 não estará em condução e o díodo 1 estará em condução fazendo com que a corrente
da bobine circule através do enrolamento secundário correspondente. A queda de tensão na
bobine será positiva fazendo com que a corrente nesta aumente linearmente.
Na fase em que ambos os MOSFET não estão em condução, o díodo interno do MOSFET, que
estava em condução anteriormente, irá entrar em condução permitindo a descarga da energia
de fuga armazenada no transformador durante a fase anterior. Neste momento ambos os díodos
de saída ficam em condução, onde os enrolamentos correspondentes a cada um dos díodos
terão quedas de tensão iguais e opostas, fazendo com que a tensão resultante do lado
secundário do transformador seja 0 e, por esse motivo, a queda de tensão na bobine seja
negativa e a corrente que nela circula decresça linearmente.

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Na fase em que o MOSFET 1 não está em condução e o MOSFET 2 está em condução, a
tensão do condensador C3 é aplicada no lado primário do transformador, o que faz com que a
queda de tensão no lado primário do transformador seja negativa. Assim, o díodo 2 entra em
condução e o díodo 1 deixa de estar em condução. A queda de tensão na bobine será novamente
positiva e a corrente associada irá aumentar linearmente.
De seguida, o funcionamento passaria pela fase em que ambos os MOSFETS não estão em
condução até completar o ciclo de funcionamento.

2.2.8 - Half-bridge resonant

Associado ao half-bridge resonant existem três topologias mais populares:


• Series resonant
• Parallel resonant
• LLC resonant
Todas estas topologias são isoladas e têm uma malha ressonante incorporado nos seus
circuitos genéricos.
A malha ressonante tem como função fazer com que a corrente no primário seja sinusoidal,
bem como reduzir o valor da corrente que passa pelo MOSFET durante a fase de comutação,
fazendo com que haja uma redução nas perdas por comutação.
Nestas topologias o objetivo é conseguir alcançar o zero voltage switching - ZVS que
corresponde a efetuar a comutação apenas quando a queda de tensão da gate para a drain é
zero, o que permite a redução das perdas por comutação.
O funcionamento base destas topologias assemelha-se bastante ao funcionamento base da
topologia half-bridge, onde a frequência de operação é a frequência de ressonância. Isto
permite que a corrente no primário seja sinusoidal. Deste modo, torna a transferência de
energia por parte do transformador mais eficaz, permitindo efetuar o ZVS e assim possibilita
uma comutação mais suave.
As principais diferenças nestas topologias serão apresentadas na comparação entre
topologias que será discutida à frente no relatório.
Nos pontos seguintes serão apresentados os circuitos genéricos de cada uma destas
topologias.

2.2.8.1 - Series resonant

Na topologia series resonant a malha ressonante é composta por uma bobine e um


condensador e é colocado em série com o lado primário do transformador.
O circuito genérico desta topologia é apresentado na figura 10.

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Figura 10 - Esquema da topologia Series resonant

2.2.8.2 - Parallel resonant

Na topologia parallel resonant a malha ressonante é composta por uma bobine e um


condensador, onde a bobine é colocada em série com o lado primário do transformador e o
condensador em paralelo com o mesmo.
A representação desta topologia está na figura 11.

Figura 11 - Esquema da topologia Parallel resonant

2.2.8.3 - LLC resonant

Na topologia LLC resonant a malha ressonante é composta por duas bobines e um


condensador, no qual uma bobine e um condensador são colocados em série com o lado primário
do transformador e a outra bobine é colocada em paralelo com o mesmo.
O circuito genérico desta topologia está ilustrado na figura 12.

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Figura 12 - Esquema da topologia LLC resonant

2.3 - Análise comparativa entre as topologias

Nesta secção serão comparadas as diferentes topologias abordadas, com exceção das
topologias não isoladas, neste caso as topologias buck, boost e buck-boost, não serem soluções
para a proposta apresentada pela empresa.
Nesta análise serão abordadas as vantagens e desvantagens de cada topologia [3].

2.3.1 - Flyback

A topologia flyback é uma topologia buck-boost isolada. Esta topologia é adequada para
baixas potências. Suporta valores altos de tensão de saída, porém não lida da melhor forma
com correntes acima dos 10 A. A sua eficiência anda à volta dos 75 %.
Esta topologia possui uma vantagem em relação às outras por não necessitar de uma bobine
extra visto ser, o transformador o responsável por armazenar a energia. O restante circuito é
simples e faz com que seja uma topologia muito popular, com um preço aceitável.

2.3.2 - Forward

Como já referido anteriormente, a topologia forward é uma topologia buck isolada, e é


mais adequada para aplicações com baixa potência. Apresenta uma eficiência na casa dos 75 %
e, comparativamente, à topologia concorrente, neste caso a flyback, possui a desvantagem de
necessitar de uma bobine extra e de não ser adequada para altas tensões de saída. Contudo,
possui uma vantagem em relação à topologia flyback pois aguenta melhor correntes elevadas.

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2.3.3 - Push-pull

A topologia push-pull é basicamente a topologia forward com a utilização de dois


enrolamentos no lado primário do transformador. Esta topologia utiliza o núcleo do
transformador de forma mais eficiente que as topologias flyback e forward. Contudo, só
metade do cobre é utilizado a cada tempo de comutação, o que faz com que as perdas no cobre
aumentem.
Para potências similares, esta topologia necessita de filtros mais pequenos em relação à
topologia forward. A principal vantagem que esta topologia tem em relação às topologias já
tratadas é que pode ser implementada para potências superiores. Nesta topologia o controlo
dos MOSFETS não é trivial.
Uma desvantagem grande desta topologia é o elevado stress nos MOSFETS, o dobro da
tensão de entrada, pelo que não é adequada para aplicações com 250V AC de entrada e para
aplicações com PFC.
Esta topologia apresenta normalmente uma eficiência de 80 %.

2.3.4 - Half-bridge

A topologia half-bridge, tal como a topologia push-pull, pode aguentar potências superiores
às topologias flyback e forward.
Existe a necessidade de ter um dead time de modo a que os MOSFETS não estejam a
conduzir ao mesmo tempo.
Comparativamente com a topologia push-pull, o stress nos MOSFETS é igual à tensão de
entrada, sendo que é mais adequada para aplicações com tensões de 250V AC ou aplicações
com PFC.
Normalmente, esta topologia apresenta uma eficiência na casa dos 85%.
Possui uma desvantagem em relação à topologia push-pull, visto não ser tão adequada para
correntes altas de saída.

2.3.5 - Half-bridge resonant

As topologias associadas a esta gama têm as mesmas características que a topologia half-
bridge, mas possuem bastantes melhorias como por exemplo, o alcance do ZVS, que permite a
redução das perdas por comutação, o aumento da eficiência e a redução dos ruídos.
Das topologias pertencentes a esta gama, a topologia LLC resonant tem vantagens sobre as
topologias series resonant e parallel resonant, pois devido à incorporação de duas bobines,
permitindo assim a utilização de duas frequências de ressonância, enquanto que as outras
topologias só permitem a utilização de uma. Por isso, a topologia LLC consegue alternar entre
as duas frequências de ressonância dependendo das condições da tensão de entrada ou da

19
carga, conseguindo uma boa eficiência em tais condições. Por outro lado, as topologias series
resonant e parallel resonant por só possuírem uma frequência de ressonância não são
adequadas para grandes variações na entrada ou grandes variações da carga de saída.
A topologia LLC tem, normalmente, uma eficiência na casa dos 90%.
As desvantagens desta topologia são por um lado, o nível de complexidade do seu
funcionamento, e, por outro o custo que pode acarretar.

2.4 - Escolha da topologia a utilizar

Depois de realizada a análise comparativa entre as diferentes topologias, será agora


selecionada a topologia a utilizar, dependendo das suas vantagens e desvantagens, e dos
requisitos impostos pela empresa.
Na tabela 2 são comparadas as topologias isoladas abordadas anteriormente:

Eficiência Entrada
Potência
Topologias típica Universal Múltiplas saídas
(W)
(%) (90-264 V AC)
Flyback 150 75 Sim Sim
Forward 150 75 Sim Sim
Push-pull 500 80 Não Sim
Half-bridge 500 85 Sim Sim
Half-bridge resonant 500 90 Sim Sim
Tabela 2 - Comparação entre as topologias de fontes de alimentação comutadas [3]

Como já referido anteriormente, a empresa tem como principais requisitos a elaboração de


uma fonte comutada com potencia de saída de 200 W, com uma eficiência próxima dos 90% e
que esteja em conformidade com a compatibilidade eletromagnética.
Após a análise da tabela acima, descartaram-se as topologias flyback e forward, por não
serem adequadas para a potência requisitada.
Das topologias restantes, a push-pull, a half-bridge e a LLC resonant, todas adequadas para
o nível de potência requisitada, destaca-se a topologia LLC resonant pela eficiência que tem
associada e também pelo bom comportamento que tem ao nível dos ruídos.
Neste projeto, a decisão foi a de implementar a topologia LLC.
Após a escolha da topologia ter sido realizada é necessário realizar a escolha do integrado
LLC a utilizar neste projeto. Para efetuar esta escolha realizou-se uma procura por diferentes
fabricantes dos quais: On Semiconductor/Fairchild Semiconductor, STMicroeletronics, NXP
Semiconductors, Linear Technology e Infineon Technologies.

20
Esta escolha teve em especial atenção os seguintes fatores:
• Ter as características pretendidas para o projeto
• Estar bem documentado, de modo a ser possível apresentar os dimensionamentos
• Não ter um preço demasiado elevado
• Ser de fácil aquisição por parte da empresa
Após a comparação destes fatores nos vários integrados existentes foi escolhido o NCP1397
visto ser o que melhor cumpria os fatores analisados.

21
Capítulo 3

Correção do fator de potência - PFC

3.1 - Importância da correção do fator de potência

Tal como já referido anteriormente, a evolução tecnológica no mundo é cada vez mais
rápida trazendo melhorias no dia-a-dia das pessoas. Porém, este desenvolvimento veloz,
acarreta novos problemas a serem solucionados pelos desenvolvedores/criadores de tais
tecnologias. Um desses problemas é o desaproveitamento da energia total que é fornecida pela
rede para o funcionamento de tais tecnologias. Para solucionar tal problema é necessário
implementar a correção do fator de potência.
O fator de potência é o rácio entre a potência ativa e a potência aparente. Este pode variar
entre 0 e 1, sendo que para um fator de potência igual a 1, a tensão e a corrente estão em
fase.
A diminuição do fator de potência está associada ao aumento do desfasamento entre a
corrente e a tensão que é provocado por cargas indutivas como, por exemplo, motores de
corrente alternada, soldadores de arco, iluminação fluorescente, ar condicionado e etc.
A correção do fator de potência possibilita vários benefícios [5]:
• Elimina as sanções derivadas pela utilização de um fator de potência baixo (energia
reativa), reduzindo as contas a pagar por parte dos utilizadores;
• Reduz as interferências com outros aparelhos alimentados pela mesma fonte,
facilitando a aplicação por estar dentro dos limites de emissões impostos pelos
standards aplicados a todos os aparelhos eletrónicos modernos;
• Melhora a eficiência e com isso diminui as correntes do sistema e as perdas de
potência;
• Aumenta a segurança do fornecimento, diminuindo as correntes de pico;
• Aumenta o aproveitamento da energia fornecida total disponível por parte dos
componentes constituintes da aplicação;
• Diminui os danos no ambiente causados pelas emissões de CO2 na produção de
energia, pois diminui as perdas de energia da aplicação;

22
• Aumenta o tempo de vida útil da aplicação, pois reduz as perdas por calor nos
componentes constituintes;
• Contribui para a redução dos harmónicos na rede;

3.2 - Modos de operação de PFC

A implementação do PFC em fontes comutadas tem evoluído devido ao aumento da


variedade de IC’s disponíveis no mercado para o seu uso. Este aumento de opções implica um
aumento da complexidade em fazer a escolha de qual o tipo e modo de operação a utilizar e
na sua implementação.
O PFC pode ser ativo, sendo composto por um conversor boost controlado por um IC de
correção de fator de potência, colocado entre a ponte retificadora e o condensador de
armazenamento (normalmente denominado Cbulk), ou por ser passivo, o que passaria pela
colocação apenas de uma bobine em substituição do conversor boost e o controlador IC, no
caso do PFC ativo.
Hoje em dia, o PFC passivo está a cair em desuso pois este tipo só tinha utilidade para
aplicações com potências abaixo dos 75 W e implicava uma bobine de grandes dimensões que,
para os aparelhos modernos, é impensável. O preço, também ajudou na preferência pelo tipo
ativo, pois, a tendência, dos últimos anos é para o aumento do custo do cobre e do material
do núcleo magnético e a diminuição do custo dos semicondutores.
Para a implementação do PFC ativo, este pode operar em vários modos:
• Modo de condução contínuo (CCM);
• Modo de condução descontínuo (DCM);
• Modo de condução crítico (CrM);
• Modo de condução crítico com limite de frequência (FCCrM).
De seguida será apresentada uma breve descrição de cada um destes modos [6].

3.2.1 - Modo de condução contínuo – CCM

O modo de condução contínuo tem sido muito utilizado em várias aplicações eletrónicas
por oferecer vários benefícios como, por exemplo, menores picos de corrente que resultam na
redução de perdas em vários componentes, o ripple da corrente ser baixo e a frequência de
operação ser constante facilitando, assim, o projeto do filtro de entrada. Neste modo a
corrente na bobine não atinge o valor “0” (zero). A sua principal desvantagem é realizar o
hard-switching que provoca perdas por calor no componente de comutação.
Este modo opera com frequência fixa.
A figura 13 representa o comportamento da corrente da bobine neste modo.

23
Figura 13 - Corrente no modo CCM

3.2.2 - Modo de condução descontínuo – DCM

O modo de condução descontinuo apresenta como benefícios uma boa estabilidade e uma
redução da indutância da bobine.
Como desvantagem pode ter grandes picos de corrente e uma corrente eficaz alta.
Este modo pode ser dividido em três fases durante o período de comutação:
• Fase 1: a corrente na bobine aumenta desde “0” até ao valor máximo do pico
de corrente, considerando-se este tempo, o tempo em que o componente de
comutação está em condução – Ton;
• Fase 2: a corrente na bobine diminui desde o valor máximo do pico de corrente
até “0”, considerando-se o tempo relativo a esta fase o tempo de
desmagnetização – Tdemag;
• Fase 3: a corrente permanece em 0 estando associado a esta fase o dead time
– Tdt, que possibilita a realização do soft-switching.
Este modo opera com frequência fixa.
A figura 14 representa o comportamento da corrente da bobine neste modo.

24
Figura 14 - Corrente no modo DCM

3.2.3 - Modo de condução crítico – CrM

O modo de condução crítico é caracterizado pelos seus controladores serem de uso simples
e baixo custo. Neste modo, a corrente da bobine chega a “0” antes do início de cada ciclo e a
frequência varia dependendo das condições da linha e da carga.
Como benefícios, este modo apresenta um loop de corrente estável, e elimina a
necessidade de utilização de um díodo caro para o boost sem haver repercussões no
funcionamento da aplicação, devido à corrente na bobine chegar a 0 e possibilitar tempo de
recuperação inversa do díodo, permitindo o soft-switching.
Contudo, este modo apresenta uma grande desvantagem pois quando a tensão de entrada
está perto do 0, a frequência de operação pode variar desde 14.5 kHz até 480 kHz fazendo com
que seja difícil conseguir um bom PFC sob condições de tensão elevada na entrada e baixa
carga (light load).

A figura 15 representa o comportamento da corrente da bobine neste modo.

25
Figura 15 - Corrente no modo CrM

3.2.4 - Modo de condução crítico com limite de frequência – FCCrM

Este modo vem combater as limitações do modo de condução crítico, isto é, as variações
repentinas de frequência em situações de elevada tensão de entrada e baixa carga.
Ao limitar a frequência de comutação ajuda a reduzir a produção de interferências
eletromagnéticas, reduz as perdas no núcleo magnético e os requisitos do filtro de entrada.
Este modo possibilita a utilização de dois modos: o modo de condução crítico e o modo de
condução descontinuo, aproveitando os benefícios de cada um e esquivando-se a algumas
desvantagens de cada um destes.
Este modo de operação possibilita, portanto, alternar entre os dois modos, sendo que com
cargas baixas é preferível operar no modo descontinuo devido às grandes variações de
frequência que o modo crítico pode proporcionar e, quando a corrente da carga é alta, ser
preferível o modo crítico para evitar altos picos de corrente.

3.3 - Comparação entre os modos de operação

Nesta fase irá ser feita uma análise comparativa entre os modos recorrentes em várias
aplicações tecnológicas, neste caso o modo de condução continuo, o modo de condução crítico
e o modo de condução crítico com limite de frequência tendo por base PFC’s implementados
pela empresa On Semiconductors utilizando diferentes IC’s dedicados a operar em cada um
dos modos [6].
Esta análise irá principalmente incidir no tamanho dos componentes, nas perdas associadas
ao uso dos componentes, operando com determinado modo de operação, e no preço associado
(sabendo que este fator por ser relativo).

26
3.3.1 - Escolha da bobine

Na escolha da bobine tanto o CrM e FCCrM são mais vantajosos comparativamente ao CCM,
visto ambos necessitarem de uma bobine com menor valor de indutância e assim, a sua procura
ser mais facilitada, o preço mais acessível e o tamanho menor. Por outro lado, é de relembrar
que esta irá estar sujeita a maiores correntes de pico, a variações de frequência e a flutuações
de fluxos o que obrigará ao uso de ferrite no núcleo da bobine para reduzir as perdas no núcleo.
Comparando apenas o CrM e o FCCrM, o FCCrM é melhor pois submete a bobine a menores
variações de frequência, sendo também possível baixar o valor da indutância
comparativamente com o CrM.

3.3.2 - Escolha do componente de comutação

Na escolha do componente de comutação, no caso de escolha do modo de operação ser o


CCM, esta tarefa está mais facilitada visto possibilitar o uso de um valor de Rds(on) superior
aos outros modos devido aos valores de correntes de pico e eficaz serem baixas fazendo com
que as perdas de comutação não sejam muito significativas. Isto possibilita a compra de FETs
por um preço inferior ao preço correspondente a um MOSFET com um valor de Rds(on) mais
baixo, que no caso dos modos CrM e FCCrM é necessário para o bom funcionamento do
componente de comutação.

3.3.3 - Escolha do díodo de potência

A escolha do díodo de potência é mais crítica no caso do modo CCM fazendo com que neste
caso seja necessário a escolha de um Schotcky, enquanto que, nos outros modos é possível a
escolha de um Ultrafast sem afetar o bom funcionamento do sistema, implicando assim, um
preço maior no caso do modo CCM.

3.3.4 - Visão geral

Ao nível da eficiência, todos os modos oferecem eficiências elevadas, o CCM é


relativamente pior em condições de tensão de entradas baixas e carga elevadas, provocando
perdas por comutação. O modo FCCrM é melhor em quase todas as condições. O CrM apresenta
resultados bastante parecidos com o FCCrM mas peca em situações de tensões de entrada
elevadas e pouca carga.
Serão então apresentadas as vantagens e desvantagens dos modos de operação em estudo.

27
3.3.4.1 - CCM

O modo CCM tem como vantagens o uso de frequência fixa, um filtro EMI simples e
apresenta um ripple pequeno nos estágios de entrada e saída, fazendo com que este modo seja
preferível para aplicações com potências acima dos 300 W. No entanto, apresenta um nível
alto de perdas por comutação.

3.3.4.2 - CrM

O modo CrM tem boa eficiência para potências abaixo dos 300 W, contudo apresenta
grandes variações de frequência e necessita de uma bobine de modo diferencial para reduzir o
ripple de entrada e a EMI.

3.3.4.3 - FCCrM

O modo FCCrM para potências abaixo dos 300 W consegue igualar os mesmos valores
relativos à eficiência em condições de baixa tensão de entrada e melhores resultados em
condições de elevada tensão de entrada. Também possibilita o uso de uma bobine mais pequena
comparativamente ao modo CrM e tem melhorias ao nível da EMI e THD devido ao limite da
frequência.
Apresenta como desvantagens a necessidade de utilizar uma bobine de modo diferencial
com o propósito de baixar o ripple da corrente de entrada e o EMI, que poderá influenciar na
eficiência.

3.4 - Modo de operação de PFC a implementar

A escolha do modo de operação a implementar suportou-se nos interesses da empresa em


conjugação com as análises feitas anteriormente. Assim sendo, era necessário um modo que
melhor cumprisse com os seguintes requisitos:
• Baixo EMI
• Custo baixo
• Alta eficiência
• Pouco volume

28
CrM FCCrM CCM
EMI *** **** ****
Eficiência **** **** ****
Compacidade **** **** ****
Resposta a transientes **** **** ****
Harmónicos **** ***** *****
Custo relativo **** **** ***
Capacidade de Potência *** **** *****
Tabela 3 - Comparação entre os modos de operação do PFC [6]

Após a análise da tabela 3, chegou-se à conclusão que o melhor modo a implementar seria
o modo de condução crítico com limite de frequência, FCCrM, pois dispõe de melhores
resultados comparativamente com as outras soluções para satisfazer os requisitos impostos pela
empresa.
A segunda opção seria o modo de condução contínuo, CCM, pois apresenta valores similares
ao modo FCCrM, contudo, envolvia maiores custos e era apropriado para potências superiores
à potência da aplicação a implementar.
Após a escolha do modo de operação a implementar foi realizada a escolha do integrado do
PFC a utilizar.
Esta escolha teve em atenção os seguintes fatores:
• Usar um integrado que fosse habitual funcionar em conjunto com o NCP1397,
responsável pelo comportamento LLC
• Apresentar cálculos associados
• Custo não ser elevado.
• Ser de fácil aquisição por parte da empresa
Para efetuar o comportamento do PFC foi escolhido o integrado NCP1605 visto cumprir os
requisitos impostos.

29
Capítulo 4

Compatibilidade Eletromagnética - EMC

4.1 - Conceito

A compatibilidade eletromagnética - EMC diz respeito a um sistema eletrónico que funciona


da forma pretendida no seu ambiente eletromagnético, não interferindo com os sistemas à sua
volta nem no seu próprio funcionamento.
Um sistema é electromagneticamente compatível se satisfizer os seguintes critérios [7]:
• Não causar interferências em outros sistemas, ou seja, o seu funcionamento não
provoca o incorreto funcionamento dos sistemas à sua volta;
• Não é suscetível às emissões provenientes de outros sistemas, ou seja, as emissões
de outros sistemas não provocam o seu incorreto funcionamento;
• Não causa interferências a si próprio, ou seja, o ruído que produz não causa o seu
mau e/ou incorreto funcionamento.

4.2 - Enquadramento histórico

A importância da eletrónica no nosso dia-a-dia tem aumentado de forma abrupta desde o


inico do seculo XX. Nas primeiras décadas do século XX, os especialistas pretendiam realizar
inovações tecnológicas sem se preocuparem com os efeitos negativos destas.
Com o aumento das descobertas tecnológicas os efeitos negativos destas começaram a ter
proporções maiores, forçando os especialistas a estudar formas de reduzir os efeitos não
pretendidos.
Um destes problemas foi a poluição eletromagnética, responsável por ações negativas nos
aparelhos eletrónicos. Surgindo a necessidade de combater essa poluição, foi introduzido o
termo de Compatibilidade Eletromagnética (EMC), onde são estudados, analisados e resolvidos
os problemas associados a ambientes eletromagnéticos.
Com o passar do tempo, tornou-se mais difícil alcançar a compatibilidade eletromagnética
devido ao aumento rápido de equipamentos geradores de interferências eletromagnéticas (EMI)

30
de alta frequência e de aparelhos eletrónicos suscetíveis a essas interferências. À custa de tais
dificuldades, a redução das emissões de altas frequências e a suscetibilidade a estas tornou-se
num dos principais objetivos a alcançar.
Em 1933, foi fundada em Paris a CISPR (Comite International Special des Pertubations
Radioeletriques), a primeira organização internacional autorizada a publicar recomendações a
respeito das interferências de radio frequência. Como primeiro objetivo, os representantes da
CISPR definiram a documentação de métodos de medição da EMI e o estabelecimento de limites
internacionais relativos ao ruído.
Em 1973 o IEC ( International Electrotechnical Commission) fundou o comité técnico TC77
responsável por desenvolver padrões relativos ao EMC [8].

4.3 - Interferências eletromagnéticas – EMI

As interferências eletromagnéticas consistem na degradação do desempenho de um


equipamento, canal de transmissão ou sistema, causada por uma perturbação eletromagnética,
sendo que os termos “perturbações eletromagnéticas” e “interferências eletromagnéticas”
nomeiam, respetivamente, a causa e o efeito observados nos ambientes eletromagnéticos.
A partir dos conceitos já apresentados, percebe-se que para existir uma interferência
eletromagnética é necessária a presença de uma fonte criadora de ruído, um meio de
propagação do ruído e um recetor suscetível ao ruído no qual este irá incidir [7].
Quando existe a propagação de uma perturbação eletromagnética proveniente de um
sistema poderá originar interferências eletromagnéticas nos sistemas à sua volta, ou seja,
provocar falhas no funcionamento dos sistemas presentes no seu ambiente. Nesse caso, o
sistema é considerado um sistema electromagneticamente interferente. Esta transferência não
intencional de energia ocorre, frequentemente, por caminhos não intencionais. Por este
motivo, é necessário fazer a distinção entre as emissões conduzidas e as emissões radiadas, em
que as primeiras se propagam através de fios condutores e as segundas propagam-se através
de, por exemplo, o ar via ondas eletromagnéticas [9].
No espetro eletromagnético de frequências a EMI manifesta-se na faixa de frequências de
9 kHz a 1 GHz [10].
A problemática do EMC pode ser divida em dois grupos, nomeadamente, as emissões
eletromagnéticas e a suscetibilidade eletromagnética que, por sua vez, também podem ser
divididas em dois subgrupos diferenciados pela forma como a energia se propaga, conduzida ou
radiada, conforme mostra a figura 16.

31
Compatibilidade
eletromagnética

Emissões Suscetibilidade
eletromagnéticas eletromagnética

Emissões Suscetibilidade
radiadas radiada

Emissões Suscetibilidade
conduzidas conduzida

Figura 16 - Exemplo dos subgrupos da compatibilidade eletromagnética

Uma das principais lutas para alcançar os limites impostos para a obtenção da conformidade
EMC é reduzir as interferências eletromagnéticas e a suscetibilidade dos sistemas a estas, na
qual se destacam os seguintes três procedimentos [7]:
-Identificar a fonte de interferências e reduzir o ruído produzido;
-Identificar o meio de propagação do ruído e tornar esse caminho o mais ineficiente
possível, de maneira a limitar a propagação do mesmo;
-Fazer o recetor ser o menos possível suscetível a interferências eletromagnéticas.

4.3.1 - EMI conduzida

Entende-se por EMI conduzida as interferências eletromagnéticas nas quais os seus meios
de propagação são condutores metálicos ou elementos parasitas, por exemplo, as linhas de
alimentação AC e DC. Estas decorrem quando os condutores metálicos percorrem ambientes
eletromagnéticos com perturbações eletromagnéticas e captam parte desses ruídos,
transportando-os para outros sistemas.
As frequências das interferências eletromagnéticas são baixas, normalmente abaixo dos 30
MHz [8].

4.3.2 - EMI radiada

As interferências eletromagnéticas radiadas processam-se quando um ruído


eletromagnético interfere com um sistema por meios não metálicos, como por exemplo o ar.

32
Este ruído, normalmente, é produzido pela presença de correntes nas pistas da PCB, cabos e
terminais de semicondutores, nos quais é produzido um campo eletromagnético com
intensidade dependente da intensidade das correntes e o comprimento das pistas ou dos cabos.
As frequências das interferências eletromagnéticas são altas, acima dos 30 MHz.
A redução da EMI radiada é considerada um trabalho muito árduo, visto ser necessário um
conhecimento total do comportamento eletromagnético de todos os constituintes do sistema
[8].

4.3.3 - Correntes de modo comum e correntes de modo diferencial

Os circuitos eletrónicos apresentam um condutor de alimentação (fase, positivo), um


condutor de retorno (neutro, negativo) e um condutor terra, por onde as correntes se
propagam. Independentemente de conduzidas ou radiadas, as interferências eletromagnéticas,
podem manifestar-se em correntes que se propagam de um sistema para outro ou dentro do
próprio sistema. Estas correntes, dependendo do modo de propagação, podem dividir-se em
dois tipos: o modo comum e o modo diferencial, sendo que os aparelhos eletrónicos são mais
suscetíveis ao ruído do modo comum do que ao ruído do modo diferencial [10].
-Modo Comum: também conhecido como o modo assimétrico, diz respeito às
interferências entre as fases e a terra. A tensão/corrente do ruído propaga-se simultaneamente
pelas fases e o condutor de retorno/terra com uma diferença de fase de 0º, implicando que as
correntes estejam em fase. Um exemplo do modo comum está ilustrado na figura 17.

Figura 17 - Exemplo modo comum [10]

-Modo Diferencial: também conhecido como o modo simétrico, diz respeito às


interferências entre fases. O ruído de modo diferencial é provocado por loops de corrente
formados com as fases e o seu retorno, normalmente caracterizado por correntes que se

33
propagam pelos condutores fase e neutro com uma diferença de fase de 180º. Um exemplo do
modo diferencial está ilustrado na figura 18.

Figura 18 - Exemplo modo diferencial [10]

4.4 - Normas

As normas referentes ao EMC foram criadas com o intuito de regulamentar limites e


métodos de medição para todos os equipamentos eletrónicos que possam gerar ou ser afetados
por interferências eletromagnéticas, por forma a que tais equipamentos não sejam afetados
pelo ambiente eletromagnético a que são expostos, como também, não emitam perturbações
eletromagnéticas que possam prejudicar o funcionamento de outros equipamentos.
As normas podem ser impostas pelas agências governamentais ou ditadas pelo fabricante
do equipamento, onde as impostas pelas agências governamentais são normas legais e não
podem ser desprezadas. Contudo, no mercado atual um fabricante almeja alcançar outros
mercados e por esse motivo, devido a existirem diferentes limites conforme o país em questão,
ser importante para um fabricante cumprir as normas dos mercados alvo. Assim, surgiram as
normas ditadas pelo fabricante do equipamento que visam satisfazer as necessidades do
consumidor alvo, tentando garantir um produto com qualidade e confiável [7].
De salientar que as normas estão em constante mudança, logo, os fabricantes devem
periodicamente revê-las e verificar atualizações. As normas EMC podem ser divididas em dois
setores: para equipamentos comerciais ou para equipamentos para uso militar.
A lista de normas aplicadas ao EMC é bastante extensa, sendo estas normas emitidas
maioritariamente pelas seguintes entidades: CISPR (Comite International Special des
Pertubations Radioeletriques) e IEC (International Electrotechnical Commission) [11].
No que diz respeito às fontes de alimentação, desta lista extensa podemos destacar as
normas EN550xx/CISPR xx e EN61000, pois os equipamentos ligados à rede devem obedecer a

34
ambas. As EN550xx/CISPR xx abordam detalhadamente os limites de EMI impostos para as várias
aplicações, definindo métodos de medição para EMI conduzida ou radiada. No caso da EN61000,
é a norma “PFC”, que considera os harmónicos de frequência que um determinado
equipamento produz, medindo até o 40º harmónico ou 2kHz 11 [12].

4.5 - Importância do EMC na fase de projeto de uma fonte


comutada

O desenvolvimento de uma fonte comutada passa por três fases: projeto, testes e produção.
Na fase de projeto, define-se quais os componentes a utilizar e a forma como se procederá à
montagem, na fase de testes, testa-se a fonte para verificar se os níveis de emissão e
suscetibilidade à radiação eletromagnética se encontram dentro dos limites impostos pelas
normas e na fase de produção a fonte será efetivamente produzida em escala, depois de ter
passado nos testes.
Das três fases referidas, salienta-se a importância da fase de projeto, pois a forma como
se realiza esta fase pode ter grande impacto tanto no custo do projeto como no nível de
emissão/suscetibilidade de/a radiações eletromagnéticas aquando da sua produção em escala.
O número de técnicas preventivas para redução da EMI é muito superior em relação às
técnicas corretivas, além de permitirem a redução de custos.
Na figura 19 estão ilustrados os gráficos do número de técnicas de redução e do custo ao
longo do tempo de um projeto [13].

Figura 19 - Evolução das técnicas disponíveis e o custo relativo em função das fases de um projeto
[13]

35
4.6 - Principais etapas da fase de projeto que visa a diminuição
da EMI

Para a realização de um projeto eletrónico, dando a devida importância às interferências


eletromagnéticas, podemos destacar algumas etapas importantes para alcançar este propósito,
tais como [12]:

• Especificação
• Seleção da topologia
• Cálculo dos componentes
• Simulação da topologia
• Construção e teste do protótipo
• Adição de um filtro EMI
• Design da versão final
• Teste da versão final

4.6.1 - Especificação

Nesta etapa deve-se definir quais os níveis de suscetibilidade e emissão de interferências


eletromagnéticas que a fonte terá de respeitar, tendo em conta as regulamentações
governamentais de compra e uso do produto referentes ao mercado alvo.

4.6.2 - Seleção da topologia

Na seleção da topologia a utilizar para o conversor deve-se optar pelas topologias com
melhor comportamento em relação à EMI, tendo como exemplo os tipos de conversor LLC.
Outras topologias também podem ser usadas embora acarretem algumas desvantagens. No
caso da topologia flyback, esta cria grandes variações de tensão em relação ao tempo e altas
tensões de pico, fazendo assim o controlo da EMI tornar-se um processo mais árduo.

4.6.3 - Cálculo dos Componentes

Para o cálculo dos componentes da fonte comutada deve-se ter em consideração dois
fatores importantes. O primeiro é ter em conta o valor estimado da impedância parasita do

36
filtro de EMI, que será parte da impedância de entrada da fonte de tensão. O segundo tem
como objetivo melhorar a sensibilidade contra o ruído da fonte de tensão, considerando assim
as impedâncias dos nós o mais baixo possível, principalmente na parte de controlo, o que faz
com que seja necessária uma potência de ruído maior para provocar falhas no funcionamento
da fonte.

4.6.4 - Simulação da topologia

Com a evolução tecnológica, existem simuladores de circuitos modernos rápidos, embora a


potência do ruído dependa de vários fatores tais como layout final, o tamanho e material dos
componentes, a sua disposição e os equipamentos vizinhos, fazendo com seja difícil prever o
comportamento do ruído. Estes simuladores conseguem de uma maneira rápida experimentar
vários tipos de filtros, acrescentar controlos de fator de potência, colocar capacidades e
indutâncias parasitas para a simulação se aproximar dos valores reais, sendo que possibilitam
ter uma ideia do que será necessário acrescentar ou alterar nas etapas posteriores.

4.6.5 - Construção e teste do protótipo

Nesta etapa é aconselhada a construção do protótipo da fonte comutada deixando espaço


livre à entrada para posteriormente colocar nesse espaço o filtro EMI.
Para esta etapa ser bem-sucedida é importante este protótipo aproximar-se o mais possível
da composição da fonte de alimentação final, pois esta etapa tem a finalidade de medir os
níveis de interferências eletromagnéticas radiadas e conduzidas e descobrir potenciais
problemas que irão afetar a fonte. Por este motivo é importante, nesta etapa, não ser colocado
o filtro EMI, uma vez que, com a sua presença estes problemas seriam mais difíceis de detetar,
uma vez que o filtro faz com que eles sejam de menor amplitude. Desta maneira é possível
prever a atenuação necessária para o filtro a implementar.
Assim, é aconselhável minimizar as áreas de loop com correntes elevadas e, minimizar as
capacidades parasitas, nos pontos com grandes variações de tensão em relação ao tempo
(dV/dT) na fase de construção do protótipo, e comparar os testes feitos ao protótipo aos testes
obtidos através da simulação na fase de teste.

37
4.6.6 - Adição do filtro EMI

Nesta etapa, constrói-se o filtro EMI, de acordo com as indicações retiradas anteriormente
e introduz-se no protótipo, sendo que de seguida são efetuados novos testes para verificar se
este produz o funcionamento previsto da fonte comutada.

4.6.7 - Design da versão final

Aqui, procede-se à implementação da versão final prestando atenção às mudanças que


poderão ocorrer em relação aos níveis produzidos de EMI conduzida e radiada, especialmente
na ligação à terra que poderá afetar os níveis de EMI conduzida e a disposição física, bem como,
afetar os níveis de EMI radiada e o seu impacto dentro de fonte de alimentação.

4.6.8 - Teste da versão final

Nesta etapa efetua-se o teste da versão final, verificando-se se os níveis de EMI conduzida
e radiada se encontram dentro dos limites. Procede-se, igualmente, a um teste para verificação
da existência de situações não pretendidas, tentando com esses testes submeter a fonte a
várias situações diferentes que servirão de dados para análise do seu comportamento. É
aconselhável a construção de mais do que uma fonte para facilitar a deteção dos problemas.

4.7 - Técnicas preventivas de redução de EMI

Sabendo que as fontes comutadas são uma das principais criadoras de perturbações
eletromagnéticas tanto ao nível de perturbações conduzidas como radiadas, devido à
comutação do componente de comutação, recuperação dos díodos e às restantes não
idealidades dos componentes que incorporam, torna-se assim bastante importante a aplicação
de técnicas de redução da EMI, visto que o objetivo das fontes comutadas é alimentar os
circuitos conectados a ela com o menor ruído possível.

Para uma maior eficiência, estas técnicas devem ser utilizadas de forma preventiva com o
objetivo de serem mais eficientes e acarretar menores custos, como já referido anteriormente.

De seguida serão apresentadas algumas técnicas de redução de EMI [7, 10].

38
4.7.1 - Escolha da topologia da estrutura de potência

Como já referido no ponto (4.6.2), um dos primeiros procedimentos a efetuar para a


redução de EMI passa pela escolha da topologia a implementar, onde se deve preferir as
topologias que produzam a menor EMI possível.
Pretende-se então a redução da variação da tensão (dv/dt) e corrente em função do tempo
(di/dt), que causa a redução da tensão de pico associada à comutação, também como a redução
da fadiga dos semicondutores que constituem a fonte, por forma a diminuir a produção de EMI.

4.7.2 - Utilização de snubbers

Os snubbers detêm grande importância devido à sua função de amortecimento dos efeitos
produzidos pelas reatâncias intrínsecas ao circuito, podendo amortecer os transientes de alta
tensão que ocorrem na comutação, controlar a taxa de variação de tensão e corrente, em
função do tempo, e diminuir os picos de tensão, possibilitando um aumento da proteção do
semicondutor contra sobretensões, o que resulta numa maior confiabilidade, maior eficiência
e permite a redução da EMI produzida.
Partindo da característica de dissiparem a energia em forma de calor, os snubbers RC ou
RCD são preferidos tendo em vista a compatibilidade eletromagnética [14].

4.7.3 - Elementos magnéticos

Os elementos magnéticos preferenciais para a redução de EMI são os de núcleo toroidal ou


núcleo com entreferro reduzido, com vista a evitar fluxos dispersos.
Um problema no caso dos transformadores corresponde ao ruído resultante da comutação
no primário ser injetado no secundário através da capacidade entre enrolamentos. Um
procedimento para minimizar este problema é enrolar cintas metálicas com o objetivo de criar
um caminho de retorno para o ruído de modo comum.

4.7.4 - Separação do circuito em zonas

O controlo do ambiente eletromagnético a que a fonte estará submetida é a chave para


atingir a compatibilidade eletromagnética.
O controlo total do ambiente eletromagnético só poderá ser feito internamente. O
ambiente eletromagnético externo apresenta mais dificuldades de controlo, sendo que neste

39
caso o uso de isolamentos e filtros é uma maneira de evitar que este interfira no funcionamento
da fonte. Para um melhor controlo da compatibilidade eletromagnética e redução de custos
deve-se utilizar uma única PCB a fim de facilitar o controlo interno por existir uma fronteira
óbvia entre o ambiente exterior e o ambiente interior, o que com mais PCB’s, estas teriam de
ser conectadas por cabos existindo perdas e dificultando o controlo eletromagnético.
Para o controlo efetivo do ambiente eletromagnético interno deve-se proceder à separação
do circuito em áreas na PCB, tendo como critério a maior ou menor suscetibilidade ou
capacidade de produção de interferências eletromagnéticas. Para efetuar a separação destas
áreas, primeiro é necessário categorizar os diferentes componentes em: extremamente
ruidosos, ruidosos, potencialmente agressivos, não geradores de ruído, sensíveis,
potencialmente suscetíveis a ruído, sabendo desde já que uma das áreas será a interface entre
o ambiente interior e o ambiente exterior onde serão aplicados filtros e fixados os isolamentos
dos cabos. A definição destas categorias está associada à variação em tensão e corrente em
função do tempo.
Para a eficaz disposição dos componentes, deve-se prestar especial atenção aos
componentes considerados mais ruidosos ou suscetíveis a interferências eletromagnéticas,
colocando-os o mais próximo do centro das suas áreas e o mais afastado dos fios ou cabos de
modo a que estes sejam o menos possível afetados pelas perturbações magnéticas.
As áreas devem estar bem delimitadas sendo que as únicas pistas da PCB que saem ou
entram de uma área devem ser apenas as que fazem a ligação entre áreas.
Para uma eficaz supressão dos ruídos entre áreas ou na interface com o exterior pode-se
utilizar várias técnicas: filtros de modo comum ou diferencial; isolamento galvânico com o uso
de transformadores ou opto-acopladores; dispositivos de proteção; uso de fibras óticas,
infravermelhos, wireless, laser ou micro-ondas em vez de fios de cobre; isolamento de áreas,
cabos e conetores.

4.7.5 - Planos de referência

Para a obtenção da compatibilidade eletromagnética, os planos de referência têm bastante


importância no projeto de uma PCB.
Estes planos normalmente são: o plano de potência e o 0V (plano de terra).
O uso de um plano de referência contribui com reduções sensíveis de todo o acoplamento
eletromagnético quando aplicado em conjunto com as restantes técnicas de redução de EMI
referidas anteriormente.
Para a eficaz aplicação dos planos de referência, um plano de referência de 0V deve ser
utilizado para conectar todos os circuitos associados aos 0V (ou terra), de maneira a que todas
as correntes de retorno de 0V circulem nesse plano e não pelas pistas. No caso dos planos de

40
potência, estes têm o objetivo de realizar as conexões de potência e as suas correntes de
retorno, sendo que todas as conexões de 0V e de potência devem estar ligadas aos respetivos
planos com o intuito de minimizar as indutâncias das conexões.
Deve-se ter em atenção que os planos de referência de 0V devem permanecer por baixo
dos componentes e pistas que interligam estes, e prolongarem-se por uma distância
significativa além da delimitação das áreas definidas no ponto (4.7.4). Deve-se ter o mínimo
de perfurações e estas, devem ter o mínimo de diâmetro possível por forma a tornar a PCB
mais eficaz a altas frequências.
De salientar que estes planos devem ter um formato retangular e não serem muito finos,
com a finalidade de minimizar a indutância parcial e fazer com que o isolamento na PCB seja
efetuada mais facilmente, pois planos quadrados aumentam as possibilidades de surgirem
problemas de ressonâncias.
O isolamento deve estar ligado ao plano de referência da PCB e de preferência em vários
pontos da PCB, com a finalidade das correntes de deslocamento de alta frequência retornarem
à sua fonte.

4.8 - Técnicas de redução de EMI corretivas

Os filtros EMI são uma técnica corretiva para redução de EMI. Estes estão encarregues de
atenuar os sinais de frequências indesejáveis (EMI) e são caracterizados por curvas de
atenuação em função da frequência.
De salientar que embora bastante úteis, para a redução de EMI em fontes comutadas, o seu
uso incorreto pode piorar a imunidade ou aumentar o nível de emissões de interferências
eletromagnéticas destas [10].
O projeto de um filtro EMI é extremamente difícil de fazer analiticamente. Para a resolução
prática deste problema definiram-se 3 condições para o projeto de um filtro EMI [15]:
• Conhecimento do ruído em modo comum e modo diferencial, sem filtro
• Projetar de maneira apropriada os componentes do filtro a fim da impedância da
fonte ter pouco efeito
• O foco do procedimento de design do filtro atender às especificações da baixa
frequência, e só depois de construído serem tratados os problemas de altas
frequências
Para se proceder ao design de um filtro EMI deve-se seguir as seguintes etapas:
1. Medir o ruído em modo comum e modo diferencial;
2. Determinar os requisitos de atenuação;
3. Escolher a topologia do filtro;
4. Determinar os valores dos componentes;
5. Testar o filtro projetado.

41
Capítulo 5

Funcionamento da topologia LLC


resonant

A topologia escolhida para a implementação da fonte comutada foi a topologia LLC


resonant. Neste capítulo será descrito o funcionamento detalhado desta topologia [16, 17] .
A topologia LLC resonant, como já mencionado anteriormente, faz parte da gama de
topologias half-bridge resonant e é caracterizada pela sua malha ressonante ser composta por
duas bobines e um condensador, onde uma das bobines e o condensador estão em série com o
lado primário do transformador e a outra bobine encontra-se em paralelo com o lado primário
do transformador. Além da malha ressonante, fazem parte: um transformador a isolar o lado
primário do secundário, dois díodos no lado secundário, dois MOSFETS no lado primário e um
condensador no lado secundário.
Uma das principais vantagens desta topologia é a possibilidade de utilizar o método do zero
voltage switching – ZVS nos MOSFETS do lado primário do transformador e o método do zero
current switching - ZCS nos díodos do lado secundário do transformador.

• Zero voltage switching – ZVS


Isto é alcançado quando a comutação dos MOSFETS é efetuada numa altura em que a tensão
do drain é igual a zero, o que faz com que as perdas por comutação no MOSFET sejam quase
inexistentes. Possibilita o soft-switching, que é originado pela comutação ser realizada através
deste método, e melhora assim o comportamento face a EMI produzida em comparação com as
outras topologias onde é efetuado o hard-switching, que acontece quando o ZVS não é
alcançado.

• Zero current switching – ZCS


É alcançado quando os díodos do secundário deixam de conduzir quando a corrente que
passa por estes é zero. Este método tal como o ZVS melhora o comportamento do circuito ao
nível da EMI produzida.

42
Em suma, é essencial a obtenção do ZVS e traz os seguintes benefícios:
• Diminui as perdas por comutação, sendo possível a obtenção de eficiências bastante boas
com frequências de comutação não muito grandes, ou eficiências boas com frequências de
comutação grandes, o que não era possível sem o ZVS
• Reduz a energia necessária para a drive comutar os MOSFETS
• Diminui a produção de ruído e EMI, que diminui os requisitos do filtro de entrada e é
bastante atrativo para aplicações que são bastante sensíveis ao ruído

O esquema base desta topologia pode ser visualizada na figura 20.

Figura 20 - Esquema base da topologia LLC com formas de onda [17]

5.1 - Funcionamento base

No funcionamento base da topologia, a drive dos MOSFETS faz com que estes comutem com
duty-cycle perto dos 50%. Não é possível ser 50% devido à necessidade da existência de um
dead-time, que irá fazer com que apareça uma onda quadrada e esta terá uma amplitude igual
à tensão de entrada neste sistema. No caso da existência de PFC, esta tensão é denominada
Vbulk.

43
Nesta topologia, ao ajustar-se a frequência de comutação, o controlador poderá gerir e
controlar o fluxo de potência a ser fornecida à carga, dependendo das necessidades desta.
Esta topologia pode-se comportar como apenas um LC ficando igual à topologia series
resonant ou LLC. Esta alternância entre estes estados irá depender da frequência de comutação
que o sistema irá impor nos MOSFETS.
A bobine que se encontra em paralelo com o lado primário do transformador faz, na
verdade, parte deste, visto ser a indutância de magnetização do transformador. Quanto à
bobine colocada em série, esta pode fazer parte do transformador, sendo assim a indutância
de fuga associada a este ou pode ficar separada do transformador. Sendo que a incorporação
desta bobine no transformador como indutância de fuga, tem vantagens e desvantagens
associadas. Como vantagens tem o custo do design ser inferior e não haver o risco de saturação,
como desvantagem, existe a dificuldade do controlo do ruído radiado associado.
Como já referido anteriormente, associadas a esta topologia, estão duas frequências de
ressonância, onde existe a frequência de ressonância maior, que está associada ao
comportamento do sistema como LC e, a frequência de ressonância menor, que está associada
ao comportamento do sistema como LLC.
O cálculo destas frequências está representado de seguida:
• Frequência maior conhecida como a frequência de ressonância de série

1
𝑓𝑚𝑎𝑥 = 𝑓𝑆 = (8)
2 × 𝜋 × √𝐿𝑠 × 𝐶𝑠
• Frequência menor

1
𝑓𝑚𝑖𝑛 = (9)
2 × 𝜋 × √(𝐿𝑠 + 𝐿𝑚 ) × 𝐶𝑠

Onde Ls corresponde ao valor da bobine em série, neste caso, a indutância de fuga, Lm à


bobine em paralelo que por sua vez é a indutância de magnetização e Cs que corresponde ao
condensador ressonante.

Ao utilizar esta topologia, pode-se operar em dois modos diferentes: o modo capacitivo e
o modo indutivo, sendo que maior parte dos conversores LLC trabalham no modo indutivo.
No modo capacitivo, a corrente está adiantada em relação à tensão, e os MOSFETS operam
com o método zero current switching – ZCS, que como já referido anteriormente, os MOSFETS
deixam de conduzir quando a corrente é zero. No modo indutivo, a corrente está atrasada em
relação à tensão e os MOSFETS operam com o método zero voltage switching – ZVS, que implica
entrarem em condução apenas quando a tensão é zero eliminando as perdas capacitivas. O
modo indutivo implica a implementação de um certo delay, denominado dead-time, antes dos

44
MOSFETS entrarem em condução de maneira a que os seus díodos internos entrem em condução
primeiro.
Na figura 21 estão representadas as regiões indutivas (1,2) e capacitiva (3), onde a região
1 corresponde ao funcionamento acima da frequência de ressonância e ocorre o ZVS, a região
2 corresponde ao funcionamento abaixo da ressonância e ocorre o ZVS e a região 3 corresponde
ao funcionamento abaixo da ressonância e ocorre o ZCS.

Figura 21 - Regiões indutivas e capacitiva [18]

A análise do funcionamento desta topologia pode ser dividida em três fases de operação
associadas a este, que dependem sobretudo da frequência de operação. As três fases são:
• Fase em que a frequência de operação é menor que a frequência de ressonância de
série
• Fase em que a frequência de operação é maior que a frequência de ressonância de
série
• Fase em que a frequência de operação é igual que a frequência de ressonância de
série

5.2 - Funcionamento a operar abaixo da frequência de


ressonância de série

Para ajudar na análise desta fase é primeiro preciso ilustrar as várias formas de onda
associadas a esta fase.

45
Figura 22 - Formas de onda relativas ao funcionamento a baixo da frequência de ressonância [17]

A análise detalhada desta fase passa pela divisão de vários tempos, dos quais:
1. Tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em condução
e o díodo D2 está a conduzir
2. Tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em condução
e o díodo D2 deixa de conduzir
3. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos os díodos não
estão a conduzir
4. Tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em condução
e o díodo D1 está a conduzir
5. Tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em condução
e o díodo D1 deixa a conduzir
6. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos os díodos não
estão a conduzir.

46
1. Tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em
condução e o díodo D2 está a conduzir

A figura 23 representa o circuito LLC neste tempo.

Figura 23 - Esquema no tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em
condução e o díodo D2 está a conduzir

Neste tempo, o componente de comutação B impõe 0 V de tensão no nó HB e a corrente na


malha ressonante resultante circula no sentido da drain para a source. A capacidade parasita
correspondente ao MOSFET A é completamente carregada pelo Vbulk. O díodo D2 está a
conduzir e impõe uma tensão de reflexão, na bobine de magnetização Lm, o que faz com que
esta bobine se comporte como um curto-circuito. Sendo que nesta fase os únicos intervenientes
na ressonância são a bobine e o condensador em série, Ls e Cs. A corrente que circula no lado
primário do transformador é igual à corrente da malha resultante iL menos a corrente que passa
pela bobine de magnetização, neste caso, a corrente i_mag. Pelo facto da bobine Lm se
comportar em curto circuito, o circuito está em ressonância com a frequência de ressonância
de série.

47
2. Tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em
condução e o díodo D2 deixa de conduzir

Até este tempo, a corrente iL continuava em ressonância com forma sinusoidal.


Este tempo é atingido quando o valor da corrente iL iguala o valor da corrente de
magnetização i_mag o que faz com que a corrente no primário do transformador seja nula
implicando assim, o desaparecimento da tensão refletida do secundário devido ao díodo D2
deixar de conduzir e por sua vez faz com que a bobine de magnetização deixe de estar em
curto. Neste momento a bobine Lm passa a estar em série com Ls e o Cs, fazendo com que
exista uma alteração da frequência de ressonância de série para a frequência de ressonância
mínima, cujo o valor já incorpora a existência da bobine Lm.
Este é também o momento em que o condensador de saída é o responsável por manter a
tensão de saída no valor pretendido.
A figura 24 mostra o comportamento do circuito neste momento.

Figura 24 - Esquema no tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em
condução e o díodo D2 deixa de conduzir

3. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos os díodos


não estão a conduzir

Este tempo corresponde ao dead-time e reveste-se de particular importância, pois evita


que ambos os MOSFETS estejam em condução e garante, também, que aconteça o ZVS.
Neste tempo a corrente passará pelas capacidades parasitas de ambos os MOSFETS, onde a
capacidade parasita do MOSFET A vai descarregar-se e a capacidade parasita do MOSFETS B vai
carregar-se. É nesta fase que a tensão no nó HB vai aumentar até ao ponto que atinge Vbulk+Vf.

48
Neste ponto, o díodo interno do MOSFET A começa a conduzir assegurando a renovação de
energia pela fonte de entrada.
É, contudo, necessário ter em atenção que este dead-time tem de ser suficientemente
elevado de modo a ser possível á capacidade parasita do MOSFET A descarregar antes deste
entrar em condução de modo que o seu díodo interno conduza primeiro que o MOSFET. Se isto
não se verificar, em vez de se alcançar o ZVS, neste caso o soft-switching, irá acontecer o
hard-switching, que implicará um aumento das perdas do sistema.
No final deste tempo, a corrente da malha iL deixará de ser igual à corrente i_mag que irá
fazer com que o díodo D1 comece a conduzir.
Associado a este tempo existem duas figuras, a figura 25 corresponde ao tempo quando a
corrente iL é igual à i_mag e a figura 26 quando estas são diferentes.

Figura 25 - Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos os díodos
não estão a conduzir (Parte 1)

49
Figura 26 - Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos os díodos
não estão a conduzir (Parte 2)

4. Tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em


condução e o díodo D1 está a conduzir

Neste tempo, a corrente da malha com forma sinusoidal deixa de ser negativa e passa a ser
positiva. Como a tensão do secundário volta a ser refletida no lado primário do transformador,
por o díodo D1 estar em condução, a bobine Lm volta a comportar-se como um curto-circuito,
o que faz com que o circuito esteja em ressonância com a frequência de ressonância de série,
onde os únicos intervenientes são Ls e Cs.
A energia neste tempo é fornecida para a carga através do Vbulk.
A figura 27 representa este tempo.

Figura 27 – Esquema no tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em
condução e o díodo D1 está a conduzir

50
5. Tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em
condução e o díodo D1 deixa a conduzir

Neste tempo, a corrente da malha iL volta a igualar a corrente de magnetização i_mag


fazendo com que deixe de existir novamente corrente no lado primário do transformador o que
irá fazer com que o díodo D1 deixe de conduzir.
Nesta altura deixa de haver a tensão refletida pelo lado secundário para o lado primário do
transformador o que fará com que a bobine Lm deixe se comportar como um curto-circuito
fazendo com que o circuito volte a estar em ressonância com a frequência de ressonância
mínima, onde ambas as bobines e o condensador são intervenientes.
O condensador de saída será novamente responsável por manter a tensão de saída no valor
pretendido.
Uma imagem explicativa do circuito neste tempo é representada na figura 28.

Figura 28 - Esquema no tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em
condução e o díodo D1 deixa a conduzir

6. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos os díodos


não estão a conduzir

Neste tempo ambos os MOSFETS não estão a conduzir. A corrente da malha iL circula pelas
capacidades parasitas de ambos, carregando a capacidade parasita do MOSFET A através do
Vbulk e descarregando a capacidade parasita do MOSFET B.
Nesta altura a tensão no nó HB deixa de ser positiva para passar a ser negativa, fazendo
com que o díodo interno do MOSFET B passe a conduzir.

51
A certa altura, a corrente da malha iL deixa de ser igual à corrente de magnetização i_mag
e, portanto, volta a existir corrente no lado primário do transformador, o que irá fazer com
que o díodo D2 passe a conduzir.
Com o díodo D2 a conduzir, será refletida uma tensão para o lado secundário do
transformador, que irá fazer com que a bobine Lm comece a comportar-se como um curto-
circuito, fazendo com que o circuito passe a estar em ressonância com a frequência de
ressonância de série.
Graças à capacidade parasita do MOSFET já ter descarregado nesta fase e o seu díodo
interno já estar a conduzir, estão asseguradas as condições para que o MOSFET B comece a
conduzir com o ZVS garantido.
No fim deste tempo, o ciclo dos tempos volta a repetir-se.
De seguida estão representadas duas imagens ilustrativas do comportamento do circuito
durante este tempo, a figura 29 corresponde ao tempo quando a corrente iL é igual à i_mag e
a figura 30 quando estas são diferentes.

Figura 29 – Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos os díodos
não estão a conduzir (Parte1)

52
Figura 30 - Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e ambos os díodos
não estão a conduzir (Parte2)

5.3 - Funcionamento a operar acima da frequência de


ressonância de série

No funcionamento a operar acima da frequência de ressonância de série um dos dois díodos


do secundário irá sempre conduzir, o que fará com que exista sempre uma tensão refletida no
lado primário, implicando que a bobine de magnetização Lm se comporte como um curto-
circuito.
Este motivo faz com que a bobine deixe de intervir no circuito. Assim sendo, nesta fase, a
ressonância será realizada através apenas de Ls e Cs com a frequência de ressonância de série.
O que foi descrito acima só se verificará se o conversor operar para a carga total.
A figura 31 representa as formas de onda associadas a esta fase.

53
Figura 31 - Formas de onda relativas ao funcionamento acima da frequência de ressonância [17]

Para a análise detalhada desta fase é preciso efetuar a análise de vários tempos, dos quais:
1. Tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em condução
e o díodo D2 está a conduzir
2. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e o díodo D2 está a
conduzir.
3. Tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em condução
e o díodo D1 está a conduzir.
4. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e o díodo D1 está a
conduzir.

1. Tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em


condução e o díodo D2 está a conduzir

Quando o MOSFET B entra em condução, a corrente da malha iL passa a ter a forma


sinusoidal pretendida. Precede o tempo de dead-time, o qual acaba quando a corrente da
malha iL iguala o valor da corrente de magnetização, fazendo com que o díodo D2 passe a
conduzir. Sendo que, nesta fase, a corrente da malha ainda é positiva, isto porque a bobine Ls
ainda se encontra a descarregar. No fim da bobine Ls se descarregar, a corrente da malha passa
a ser negativa mantendo a forma sinusoidal.
Este tempo irá durar até o MOSFET B deixar de estar em condução.
A figura 32 representa um exemplo quando a corrente é negativa.

54
Figura 32 – Esquema no tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em
condução e o díodo D2 está a conduzir

2. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e o díodo D2 está a


conduzir

Este tempo corresponde ao dead-time e acontece quando a corrente da malha está no seu
pico, sendo que será esta corrente que dará a energia necessária para que seja possível a
transição de tensão no nó HB de 0 para a tensão de Vbulk.
Neste tempo as capacidades parasitas de ambos os MOSFETS vão fazer parte da malha por
onde a corrente circulará. A capacidade parasita do MOSFET A irá descarregar-se e a
capacidade parasita do MOSFET B irá carregar-se.
Nesta fase, como já dito anteriormente, como o díodo D2 ainda está em condução, a bobine
de magnetização continua em curto devido à tensão refletida no lado primário do
transformador.
Nesta fase a corrente da malha iL passa a decrescer linearmente, em vez de estar com a
forma sinusoidal pretendida, devido à descontinuidade da tensão que aparece aos terminais da
bobine Ls. Esta descontinuidade é motivada pelo atraso existente entre a tensão no nó HB e a
polaridade da tensão refletida na bobine de magnetização Lm.
Este tempo acaba no momento em que a corrente da malha iL volta a igualar a corrente de
magnetização.
Na figura 33 é representado um exemplo deste tempo.

55
Figura 33 – Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e o díodo D2 está
a conduzir

3. Tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em


condução e o díodo D1 está a conduzir

Este tempo corresponde ao inverso do relatado no ponto 1. Este tempo começa quando o
MOSFET A e o díodo D1 entram em condução.
Nesta fase a corrente da malha iL passa novamente a ter a forma sinusoidal, porém ainda
negativa, a bobine Ls volta a descarregar-se até a corrente na malha ser nula.
A corrente da malha iL passará a ser positiva e este tempo irá durar até o MOSFET A deixar
de estar em condução.
Na figura 34 é representado um exemplo deste tempo.

56
Figura 34 - Esquema no tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em
condução e o díodo D1 está a conduzir

4. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e o díodo D1 está a


conduzir

Este tempo corresponde novamente ao dead-time. Neste tempo, ambos os MOSFETS deixam
de estar em condução, sendo que, irão ser as suas capacidades parasitas que vão completar a
malha correspondente ao tanque ressonante, onde a capacidade parasita do MOSFET B irá estar
a descarregar-se e a capacidade parasita do MOSFET A irá estar a carregar-se.
Semelhante ao caso do ponto 2, a tensão do nó HB diminui da tensão de Vbulk para 0 V,
pois a corrente da malha iL encontra-se no seu pico e irá fornecer a energia para tal.
Na figura 35 é representado um exemplo deste tempo.

Figura 35 - Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução e o díodo D1 está
a conduzir

57
5.4 - Funcionamento a operar à frequência de ressonância de
série

Este modo corresponde ao funcionamento ideal do LLC. É a operar à frequência de


ressonância de série, que o comportamento ao nível da EMI é excelente, onde a distorção é
menor comparada com as fases anteriores.
A forma de onda da corrente na malha ressonante iL é uma sinusoidal perfeita.
Tal como no caso do funcionamento a operar acima da frequência de ressonância de série,
no lado secundário do transformador, pelo menos um dos díodos estará em condução o que irá
fazer com que apareça sempre uma tensão refletida no lado primário do transformador, o que
implicará que a bobine de magnetização Lm se comporte como um curto circuito, e por essa
razão, não interfira no funcionamento a operar à frequência de ressonância de série.
A figura 36 representa as formas de onda associadas a esta fase.

Figura 36 - Formas de onda relativas ao funcionamento à frequência de ressonância [17]

Para a análise detalhada desta fase é preciso efetuar a análise de vários tempos, dos quais:
1. Tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em condução
e o díodo D2 está a conduzir.
2. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução.
3. Tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em condução
e o díodo D1 está a conduzir.
4. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução.

58
1. Tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em
condução e o díodo D2 está a conduzir

Neste tempo a tensão no nó HB é igual a 0 V. A polaridade da corrente da malha iL é


negativa e, como a queda de tensão no lado primário do transformador é negativa, aparece
tensão no segundo enrolamento do lado secundário do transformador, o que irá fazer com que
o díodo D2 conduza.
Este tempo acaba quando o MOSFET B deixa de conduzir.
Na figura 37 é representado um exemplo deste tempo.

Figura 37 – Esquema no tempo em que o MOSFET A não está em condução, o MOSFET B está em
condução e o díodo D2 está a conduzir

2. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução

Este tempo corresponde ao dead-time. Neste tempo a corrente da malha circula pelas
capacidades parasitas dos MOSFETS. Neste caso, a capacidade parasita do MOSFET A irá
descarregar-se e a capacidade parasita do MOSFET B irá carregar-se.
O momento em que a corrente da malha iL iguala a corrente de magnetização i_mag, é o
mesmo momento em que o díodo interno do MOSFET A começa a conduzir, fazendo com que a
tensão no nó HB aumente e também com que o díodo D2 deixe de conduzir e o díodo D1 comece
a conduzir.
Neste momento estão cumpridas as condições para alcançar o ZVS, e por isso ser possível
ao MOSFET A entrar em condução com soft-switching.
Na figura 38 é representado um exemplo deste tempo.

59
Figura 38 – Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução (Parte1)

3. Tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em


condução e o díodo D1 está a conduzir

Neste tempo a tensão no nó HB é igual à tensão do Vbulk. A polaridade da corrente da


malha iL é positiva e como a queda de tensão no lado primário do transformador é positiva,
aparece tensão no primeiro enrolamento do lado secundário do transformador, o que irá fazer
com que o díodo D1 conduza.
Este tempo acaba quando o MOSFET A deixa de conduzir.
Na figura 39 é representado um exemplo deste tempo.

Figura 39 - Esquema no tempo em que o MOSFET A está em condução, o MOSFET B não está em
condução e o díodo D1 está a conduzir

60
4. Tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução

Tal como no ponto 2, este tempo corresponde ao dead-time. Sendo que, neste caso,
acontece a situação inversa à desse ponto. Isto é, a capacidade parasita do MOSFET A carrega-
se e a capacidade parasita do MOSFET B descarrega-se. No momento em que a corrente da
malha iL iguala a corrente de magnetização i_mag, o díodo interno do MOSFET B começa a
conduzir, fazendo com que a tensão no nó HB desça, o que faz com que a queda de tensão no
lado primário seja negativa e, por esse motivo o díodo D1 deixe de conduzir e passe a conduzir
o díodo D2, cumprindo as condições necessárias para o soft-switching.
Na figura 40 é representado um exemplo deste tempo.

Figura 40 - Esquema no tempo em que os MOSFETS A e B não estão em condução

61
Capítulo 6

Implementação da fonte de alimentação


comutada

Para facilitar a fase de teste do projeto, este foi dividido em duas partes, o PFC e o LLC.
Para tal, foram elaboradas duas PCB’s, cada uma dedicada a uma das partes do projeto.
A montagem deste projeto inclui o filtro EMI, o circuito para descarga dos condensadores
X-cap, uma ponte de díodos, um estágio do PFC, um estágio de LLC e um filtro de saída.
A PCB do PFC conterá o filtro EMI, circuito para descarga dos condensadores X-cap, uma
ponte de díodos e a parte associada ao PFC, e será responsável por receber a tensão de entrada
da rede e obter na saída uma tensão DC aproximada dos 395 V.
A PCB do LLC conterá a parte LLC e o filtro de saída e será responsável por receber de
entrada os 395 V DC produzidos pelo PFC e ter na saída uma tensão DC igual a 24 V.

Na figura 41 é apresentado um diagrama de blocos referente ao projeto:

Figura 41 - Diagrama de blocos da fonte de alimentação projetada

Estes blocos serão divididos, como já dito anteriormente, pelas duas PCB’s como pode
demonstrar a figura 42.

62
Figura 42 - Divisão dos blocos do projeto pelas PCB's

Nos pontos seguintes serão abordados cada um dos blocos pertencentes a este projeto.

6.1 - Filtro EMI

O filtro EMI reveste-se de particular importância nas fontes comutadas visto, estas, serem
desencadeantes e suscetíveis ao ruído EMI.
O procedimento correto para a implementação deste filtro já foi abordado no capítulo 4,
no entanto, neste projeto não foi implementado um filtro de acordo com as necessidades do
projeto visto não existirem meios para o seu cálculo. Por este motivo, foi utilizado um filtro
EMI com aproximadamente os mesmos requisitos, da referência [19].

O circuito usado para filtro EMI pode ser visualizado na figura 43.

63
Figura 43 - Esquema do Filtro EMI

6.2 - Circuito de descarga dos condensadores X-cap

O circuito de descarga dos condensadores X-cap tem a função de, como próprio o nome
indica, descarregar os condensadores X-cap (C9,C10,C11 e C12) por forma a existir uma
proteção contra o choque elétrico quando o utilizador desliga a fonte comutada da rede.
Este circuito, normalmente, é apenas implementado com duas resistências que estão em
paralelo com a entrada da alimentação com o intuito de, no momento em que a fonte deixa de
estar conectada à rede, estas resistências dissipem a energia armazenada nos condensadores
pertencentes ao filtro EMI. Esta solução resulta, mas apresenta um problema que se traduz no
aumento das perdas na fonte, pois faz com que essas resistências estejam constantemente a
dissipar energia durante o funcionamento da fonte comutada.
Para tentar amenizar este problema foi implementado um circuito que fará com que essas
resistências não interfiram com o circuito do projeto enquanto estiver em funcionamento, mas
quando este deixar de estar em funcionamento, essas resistências interfiram no circuito para
dissiparem a energia armazenada nos condensadores. Esta solução, implementada na

64
referência [19], fará com que exista uma redução das perdas associadas ao projeto e pode ser
visualizada na figura 44.

Figura 44 - Circuito de descarga dos condensadores X-cap

O funcionamento base deste circuito passa por um charge pump, constituído por três
condensadores, três resistência e três díodos, que no momento em que a fonte é ligada à rede,
será responsável por colocar uma tensão suficiente na base do MOSFET de modo, a que, este
comece a conduzir e faça com que o circuito proveniente do enrolamento auxiliar do
transformador fique ligado à massa, o que implica que a gate do transístor obtenha uma tensão
igual a 0 V. Tudo isto faz com que este não conduza e, por sua vez, que sejam desconectadas
do circuito as resistências R6 e R7 responsáveis por dissipar a energia.
No momento que a fonte seja desligada da rede, o charge pump deixará de fornecer a
tensão necessária para o MOSFET conduzir, o que fará, com que a tensão proveniente do
enrolamento auxiliar do transformador seja aplicada na gate do transístor e, desta forma,
permita que este passe a conduzir, o que irá fazer com que as resistências de descarga passem
as estar conectadas ao circuito e, assim, dissipem a energia armazenada nos condensadores.

65
6.3 - Ponte Retificadora

A ponte retificadora será responsável por retificar o sinal de entrada alternado para que
este passe a ser apenas positivo.

6.4 - Estágio do PFC

6.4.1 - Introdução

Como já referido anteriormente, o integrado responsável pela implementação do PFC e


capaz de operar com o modo escolhido, modo de condução crítico com limite de frequência,
foi o NCP1605 da On Semiconductors.
Para o projeto eletrónico desenvolvido foram utilizadas algumas notas de aplicação [6, 20]
e a folha de características do IC [21] correspondente.
Neste capítulo serão, então, demonstrados os vários cálculos associados a este integrado,
incluindo no fim o esquemático associado.
A implementação realizada teve como base a figura 45.

Figura 45 - Esquema base de montagem do NCP1605 [21]

Este integrado é capaz de obter fatores de potência próximos da unidade quando operando
nos modos de condução descontínuo, crítico e crítico com limite de frequência. Permite
frequências de comutação até 250 kHz, é rápido na compensação de variações tanto da carga
como da tensão de entrada, tem um pino com sinal para informar se o PFC está pronto para
operação e possuí os seguintes limites referentes ao Vcc: 10V - 20V.
Apresenta também as seguintes características de segurança: proteção contra situações da
tensão de saída estar demasiada baixa ou alta, tem deteção de Brown-out, apresenta soft-
start para um arranque suave, tem limitação de corrente, apresenta deteção da corrente a
zero para proteger o PFC de picos de corrente, desliga-se se o limite de temperatura for

66
ultrapassado e tem a capacidade de se desligar caso algumas destas proteções de segurança
sejam infringidas.

De seguida serão, então, apresentados os passos para descrever a implementação realizada.

6.4.2 - Definições gerais

Para a implementação deste integrado, é necessário em primeiro lugar definir algumas


especificações importantes para o funcionamento do integrado.
Na tabela 4 estão apresentadas as especificações para este projeto:

Especificação Valor
Tensão de entrada mínima 88 VAC
Tensão de entrada máxima 265 VAC
Frequência da rede 50/60 Hz
Tensão de saída 395 VDC
Frequência de comutação 130 kHz
Potência de saída 240 W
Eficiência 94%
Rds_on 0,34 Ω
Tensão máxima de saída 420 VDC
Tensão mínima de saída 380 VDC
Vcc 17 VDC
Tabela 4 - Especificações gerais do PFC

A definição destas especificações, baseou-se no que era necessário para fornecer à parte
do conversor LLC e, também na necessidade do sistema funcionar no mercado global, isto é,
estar preparado para todas as tensões e frequências de entrada existentes nas redes da maior
parte dos países.
A seleção da frequência de comutação baseou-se no facto de que, quanto maior a
frequência de comutação, menores são os componentes que pertencem ao circuito, mas tendo
em atenção que as normas relativas ao ruído EMI (por exemplo CISPR22) são aplicadas a
frequências acima de 150 kHz, daí ser benéfico selecionar uma frequência abaixo desse valor.

67
6.4.3 - Seleção da indutância da bobine

A seleção da indutância da bobine é realizada com vista ao PFC operar no modo de condução
crítico nas condições mais exigentes, isto é, máxima potência na saída e tensão baixa na
entrada.
A corrente de pico na bobine, no modo de condução crítico está representada na equação
10.
𝑃𝑖𝑛,𝑎𝑣
𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑚𝑎𝑥 = 2 × √2 × (10)
𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠

A corrente na bobine aumenta até ao seu máximo durante a fase em que o MOSFET está
em condução, este tempo corresponde ao Ton, e desce até zero quando o díodo conduz, que
corresponde ao tempo de desmagnetização da bobine - Tdemag.
Na operação no modo CrM o tempo de ciclo - Tcycle tem de ser maior que o tempo de
oscilação- Tosc, que nos é dado pela frequência de comutação.

1
𝑇𝑜𝑠𝑐 = (11)
fsw

𝑇𝑐𝑦𝑐𝑙𝑒 = 𝑇𝑜𝑛 + 𝑇𝑑𝑒𝑚𝑎𝑔 (12)

Onde são conhecidas as fórmulas para cálculo do Ton e Tdemag, apresentadas nas equações
13 e 14.
𝐿 × 𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑝𝑘
𝑇𝑜𝑛 = (13)
𝑉𝑖𝑛

𝐿 × 𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑝𝑘
𝑇𝑑𝑒𝑚𝑎𝑔 = (14)
𝑉𝑜𝑢𝑡 − 𝑉𝑖𝑛

Assim, é possível determinar o valor mínimo que a indutância da bobine tem de ter, sabendo
que o tempo de ciclo tem de ser maior que o tempo de oscilação.

Tcycle > Tosc (15)

A partir da resolução equação 15 fica-se com a equação necessária para o cálculo da


indutância da bobine.

𝐿 × 𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑝𝑘 × 𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑇𝑐𝑦𝑐𝑙𝑒 = 𝑇𝑜𝑛 + 𝑇𝑑𝑒𝑚𝑎𝑔 ⇔ 𝑇𝑐𝑦𝑐𝑙𝑒 =
𝑉𝑖𝑛 × (𝑉𝑜𝑢𝑡 − 𝑉𝑖𝑛 )

𝐿 × 𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑚𝑎𝑥 × 𝑉𝑜𝑢𝑡
> 𝑇𝑜𝑠𝑐
𝑉𝑖𝑛,𝑝𝑘 × (𝑉𝑜𝑢𝑡 − 𝑉𝑖𝑛,𝑝𝑘 )

68
Vin,pk2 × (Vout − Vin,pk )
𝐿 > Tosc × (16)
4 × Pin,AVG × Vout

Portanto, depois de determinar a equação 16 é necessário substituir os valores


especificados para determinar o valor mínimo da indutância da bobine.

124,52 x (395 − 124,5)


𝐿 > 7,6 𝑥 µ𝐻 ⇔ 𝐿 > 85 µH
4 x 240 x 395

Foi adicionada uma margem de segurança e, portanto, o valor escolhido para a indutância
da bobine foi de 120 µH. Só resta então calcular os valores da corrente de pico como também
o valor da corrente eficaz.
Corrente de pico:

Pin,AVG,max
𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑚𝑎𝑥 = 2 × √2 × (17)
Vin,rms,LL

240
𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑚𝑎𝑥 = 2 × √2 × ⇔ 𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑚𝑎𝑥 = 7,7 A
88

Corrente eficaz:

2 Pin,AVG,max
𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑟𝑚𝑠 = × (18)
√3 Vin,rms,LL

2 240
𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑟𝑚𝑠 = × ⇔ 𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑟𝑚𝑠 = 3,1 A
√3 88

Assim, obtêm-se os valores necessários para a escolha da indutância da bobine.

6.4.4 - Escolha do condensador de saída - Cbulk

Para a escolha do condensador de saída Cbulk, é preciso ter em atenção duas


especificações, o ripple de baixa frequência pico a pico e o tempo de hold-up.
O ripple de baixa frequência pico a pico geralmente é um valor abaixo de 5 % do valor da
tensão de saída, sendo dado pela equação 19.

𝜂 × Pin,AVG,max
(𝛿𝑉𝑜𝑢𝑡 )𝑝𝑘−𝑝𝑘 = (19)
𝐶𝑏𝑢𝑙𝑘 × 𝜔 × 𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚

A partir desta fórmula podemos então saber o valor mínimo do Cbulk. Para estar de acordo
com esta especificação, o cálculo é demonstrado de seguida.

69
0,94 × 240
𝐶𝑏𝑢𝑙𝑘 ≥ ⇔ 𝐶𝑏𝑢𝑙𝑘 ≥ 46 µ𝐹
0,05 × 2 × π × 100 × 3952

Para a especificação do tempo de hold-up é utilizada a equação 20.

𝜂 × Pin,AVG,max × 𝑡𝐻𝑂𝐿𝐷−𝑈𝑃
𝐶𝑏𝑢𝑙𝑘 ≥ (20)
𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 2 − Vout,min 2

Com o valor do tempo de hold-up é possível determinar o valor mínimo do Cbulk para estar
de acordo com esta especificação. Neste projeto o tempo escolhido de hold-up time foi de 10
ms.
O cálculo é apresentado de seguida.

0,94 × 240 × 10𝑚


𝐶𝑏𝑢𝑙𝑘 ≥ ⇔ 𝐶𝑏𝑢𝑙𝑘 ≥ 195 µ𝐹
3952 − 3802

Para a escolha do valor do Cbulk, para cumprir as duas especificações, tem de se escolher
acima do máximo entre os dois resultados obtidos, neste caso acima de 195 µF.
A escolha foi de 220 µF, visto ser um valor normalizado e para ter uma margem de
segurança.

É possível ainda calcular a corrente eficaz do condensador através da equação 21.

2
32 × √2 Pin,AVG 2 𝜂𝑃𝐹𝐶 × Pin,AVG
𝐼𝑐,𝑟𝑚𝑠 = √[ × ]−( ) (21)
9×𝜋 𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠 × 𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚

Substituindo os valores, resulta:

32 × √2 2402 0,94 × 240 2


𝐼𝑐,𝑟𝑚𝑠 = √[ × ]−( ) ⇔ 𝐼𝑐,𝑟𝑚𝑠 = 1,5 𝐴
9×𝜋 88 × 395 395

Visto que a tensão de saída ter como valor máximo 420VDC a tensão de isolamento do
condensador tem que ser superior a esse valor. Então foi escolhido um condensador com a
tensão de isolamento de 450VDC.

6.4.5 - Configuração da frequência do oscilador

A frequência do oscilador é obtida pela equação 22.

840𝑝
𝑓𝑜𝑠𝑐 = × 60𝑘 (22)
𝐶𝑜𝑠𝑐 + 20𝑝

70
Se estiver em ordem ao condensador da malha fica:

840𝑝 × 60𝑘
𝐶𝑜𝑠𝑐 = − 20𝑝
𝑓𝑜𝑠𝑐
Se se substituir, agora, o valor da frequência de comutação pretendida ficamos com:
𝐶𝑜𝑠𝑐 = 368 𝑝𝐹

6.4.6 - Circuito de Brown-out

O circuito de Brown-out é responsável por obter a informação se a tensão de entrada está


dentro dos limites especificados.
Para tal, é realizada uma divisão de tensão composta pelas resistências Rbo1 e Rbo2 de
maneira a receber parte da tensão de entrada no pino de Brown-out.
Esta malha também é composta por um condensador Cbo2 que está em paralelo com a
resistência Rbo2.
Na situação em que o PFC ainda não está em funcionamento, a tensão aplicada no pino 2
brown-out pode ser determinada pela equação 23.

𝑅𝑏𝑜2
𝑉𝑝𝑖𝑛2 = √2 × 𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠 × (23)
𝑅𝑏𝑜1 + 𝑅𝑏𝑜2

Esta tensão tem de ser maior que 1 para que o PFC entre em funcionamento.
Na situação em que está em funcionamento a tensão é retificada e, portanto, determina-
se a partir da equação 24.

2 × √2 × 𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠 𝑅𝑏𝑜2
𝑉𝑝𝑖𝑛2 = × (24)
𝜋 𝑅𝑏𝑜1 + 𝑅𝑏𝑜2

Este valor deve ser maior que 0,5 V para que o PFC não pare de funcionar.
O valor de Rbo2 é escolhido, normalmente, acima de 50 kΩ por forma a minimizar as
correntes de fuga em situações de baixa tensão de entrada.
O condensador Cbo2 deve ser grande o suficiente para fazer com que a tensão no pino 2
brown-out seja DC e proporcional ao valor médio da tensão de entrada. Este valor multiplicado
pelo paralelo entre as resistências Rbo1 e Rbo2 deve ser próximo de metade do período da
tensão de entrada. A equação 25 demonstra o cálculo do deste condensador.

1
𝐶𝑏𝑜2 = (25)
2 𝑥 𝑓𝑙 𝑥 (𝑅𝑏𝑜1 //𝑅𝑏𝑜2 )

71
Onde fl corresponde à frequência da tensão de entrada.
Para a implementação deste projeto, foi escolhida a resistência de 62 kΩ para o valor de
Rbo2, por ser um valor normalizado.
O valor de Rbo1 é calculado de seguida de maneira a que o PFC entre em funcionamento a
partir de uma tensão igual a 82 V, correspondente ao valor de Vin,rms,LL, igualando a equação
23 a 1:

𝑅𝑏𝑜2
1= × √2 × 𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠,𝐿𝐿 ⇔ 𝑅𝑏𝑜1 = (𝑅𝑏𝑜2 × √2 × 𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠,𝐿𝐿 ) − 𝑅𝑏𝑜2
𝑅𝑏𝑜1 + 𝑅𝑏𝑜2

𝑅𝑏𝑜1 = (62𝑘 × √2 × 82) − 62𝑘 ⇔ 𝑅𝑏𝑜1 = 7128 𝑘Ω

Sendo que para a implementação do Rbo1 foram implementadas 4 resistências com o valor
de 1800 kΩ, que formam um total de 7200 kΩ.
Para o cálculo do Cbo2, temos:

1
𝐶𝑏𝑜2 = ⇔ 𝐶𝑏𝑜2 = 162 𝑛𝐹
2 × 50 × (7200𝑘//62𝑘)

Sendo que deveria ser um valor à volta do resultado obtido foi escolhido um valor
normalizado de 220 nF.
É possível determinar os limites de tensão de entrada para o funcionamento do PFC, com a
ajuda das equações 23 e 24.
Esses valores são de seguida calculados:
• Cálculo da tensão mínima para o PFC entrar em funcionamento:

𝑅𝑏𝑜1 + 𝑅𝑏𝑜2 1
(𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠 )𝐵𝑂 = × ⇔ (𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠 )𝐵𝑂 = 82,8 𝑉
𝐻 𝑅𝑏𝑜2 √2 𝐻

• Cálculo da tensão mínima para o PFC permanecer em funcionamento:

𝑅𝑏𝑜1 + 𝑅𝑏𝑜2 𝜋 × 0,5


(𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠 )𝐵𝑂 = × ⇔ (𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠 )𝐵𝑂 = 65 𝑉
𝐿 𝑅𝑏𝑜2 2 × √2 𝐻

6.4.7 - Malha de feedback

A malha feedback irá ser responsável por obter a informação do valor da tensão de saída e
por efetuar a compensação necessária se esta não estiver no valor pretendido.
O pino de feedback tem um valor de referência, neste caso 2,5 V, que é obtido a partir da
tensão de saída através de um divisor de tensão constituído pelas resistências Rfb1 e Rbf2,
quando a tensão de saída está no valor nominal.

72
A equação 26 representa a relação entre as duas resistências e a tensão de referência.

𝑅𝑓𝑏2
𝑉𝑟𝑒𝑓 = × 𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 (26)
𝑅𝑓𝑏1 + 𝑅𝑓𝑏2

De onde se retira:
𝑅𝑓𝑏2 × 𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚
𝑅𝑓𝑏1 = − 𝑅𝑓𝑏2
𝑉𝑟𝑒𝑓
Na escolha do valor da resistência Rfb2, teve-se em atenção à perda de energia e à
imunidade ao ruído por parte de ambas as resistências, pois estas resistências são afetadas
pela saída de alta tensão do PFC podendo consumir centenas de mW se a suas resistências
forem baixas. Para tal, foi escolhida uma corrente próxima dos 100 µA. Este valor é bom no
sentido de reduzir as perdas e em manter uma boa imunidade ao ruído.
Assim sendo, fica-se com:
𝑉𝑟𝑒𝑓
𝑅𝑓𝑏2 = = 25 𝑘Ω (27)
100 µ𝐴

Para a implementação do PFC foi escolhido 27 kΩ para a resistência Rfb2 visto ser um valor
normalizado e para facilitar a compra do componente.
Com o valor de Rfb2 escolhido pode-se obter o valor de Rfb1 a partir da equação 26.

27𝑘 × 395
𝑅𝑓𝑏1 = − 27𝑘 ⇔ 𝑅𝑓𝑏1 = 4239 𝑘Ω
2,5
Para obter um valor próximo do valor obtido e para colocar algumas resistências em série
em vez de utilizar apenas uma, foram escolhidas quatro resistências de 1 MΩ (megaohm) e uma
de 240 kΩ colocadas em série, o que dá no total um valor de 4.240 MΩ.
Com os valores escolhidos, pode-se agora determinar qual a tensão que o integrado
considerará como a tensão de saída nominal, a partir da equação 26, resolvendo a equação em
ordem à tensão de saída nominal.

𝑅𝑓𝑏1 + 𝑅𝑓𝑏2
𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 = × 𝑉𝑟𝑒𝑓
𝑅𝑓𝑏2

4240𝑘 + 27𝑘
𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 = × 2,5 ⇔ 𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 = 395,09 𝑉
27𝑘

6.4.8 - Malha de compensação

Para ajustar a regulação da malha da largura de banda é colocado um condensador de


compensação no pino 3 ligado ao ground de modo a ser possível alcançar fatores de potência
elevados.

73
Para a escolha do valor do condensador de compensação, em função da frequência de corte,
foi utilizada a equação 28.

1
𝑓𝑐 =
(𝑅𝑓𝑏1 + 𝑅𝑓𝑏2 ) (28)
6×𝜋× ×𝐶
𝑅𝑓𝑏2 × 𝐺𝐸𝐴
Onde Gea corresponde ao ganho do erro do amplificador de transcondutância com o valor
típico de 200 µS, fc à frequência de corte e C ao condensador de compensação.
Colocando em função do condensador obtém-se:
1
𝐶=
𝑅𝑓𝑏1 + 𝑅𝑓𝑏2
6×𝜋× × 𝑓𝑐
𝑅𝑓𝑏2 × 𝐺𝐸𝐴
Substituindo os valores já definidos e desejando uma frequência de corte de 0,1 Hz, obtém-
se o valor do condensador de compensação:
1
𝐶= ⇔ 𝐶 = 672 𝑛𝐹
4240𝑘 + 27𝑘
6×𝜋× × 0,1
27𝑘 × 200µ
Para a implementação do projeto foi escolhido o valor normalizado de 680 nF .

6.4.9 - Malha de medição da corrente

O NCP1605 foi projetado para monitorizar uma tensão negativa proporcional à corrente que
circula pela bobine. Com a colocação de uma resistência de medição de corrente - Rsense no
caminho de retorno é então possível gerar uma tensão negativa proporcional à corrente na
bobine.
Para proceder à função de proteção contra correntes elevadas - OCP, é colocada uma
resistência Rocp entre o pino 5 CS e a resistência Rsense para produzir uma corrente no pino 5
dentro do integrado proporcional à corrente na bobine. Se esta corrente no pino 5 ultrapassar
o limite de 250 µA, implica que a corrente na bobine também está a exceder o seu limite.
Pode-se, então, retirar a equação 29.

𝑅𝑜𝑐𝑝
𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑚𝑎𝑥 = × 250µ (29)
𝑅𝑠𝑒𝑛𝑠𝑒

Para a escolha do valor da resistência Rsense teve-se em atenção que deve ser um valor
baixo, pois a sua função é, unicamente, permitir a medição da corrente. Por este motivo, foi
escolhido o valor de 0,1 Ω.

74
Sendo assim possível determinar o valor da resistência Rocp a partir da equação 29.

𝐼𝑐𝑜𝑖𝑙,𝑚𝑎𝑥
𝑅𝑜𝑐𝑝 = 𝑅𝑠𝑒𝑛𝑠𝑒 ×
250µ

7,7
𝑅𝑜𝑐𝑝 = 0,1 × ⇔ 𝑅𝑜𝑐𝑝 = 3085,55 Ω
250µ
Para este projeto foi escolhido, para o valor de Rocp, o valor de 3000 Ω.
No pino 6 é colocada uma resistência Rzcd, entre este e o ground, para criar uma tensão
proporcional à corrente na bobine e ser possível a deteção da corrente a zero. Esta resistência
deve ser aproximadamente três vezes o valor da resistência Rocp.
Este valor pode ser calculado a partir da equação 30.
𝑅𝑍𝐶𝐷 = 3 × 𝑅𝑂𝐶𝑃 (30)

𝑅𝑍𝐶𝐷 = 3 × 𝑅𝑂𝐶𝑃 ⇔ 𝑅𝑍𝐶𝐷 = 3 × 3𝑘 ⇔ 𝑅𝑍𝐶𝐷 = 9 𝑘Ω

Nesta malha é também necessária a colocação de uma resistência Rdvr entre a drive do
MOSFET e o pino 6 para facilitar a deteção da corrente zero no momento de comutação.
A resistência Rdvr deve ser aproximadamente três vezes o valor da resistência Rzcd, sendo
assim possível calculá-la através da equação 31.

𝑅𝐷𝑉𝑅 = 3 × 𝑅𝑍𝐶𝐷 (31)

𝑅𝐷𝑉𝑅 = 3 × 𝑅𝑍𝐶𝐷 ⇔ 𝑅𝐷𝑉𝑅 = 3 × 9𝑘 ⇔ 𝑅𝐷𝑉𝑅 = 27 𝑘Ω

6.4.10 - Proteção contra sobretensão

O integrado NCP1605 contém proteções contra sobretensões e subtensões.


Esta proteção funciona como uma segunda hipótese de obter o feedback da tensão de saída,
sendo que este pino tem como tensão de referência 2,5 V.
Para efetuar esta proteção, é necessário projetar um divisor de tensão constituído pelas
resistências Rovp1 e Rovp2, que irão transformar a tensão de saída numa tensão abaixo da
tensão de referência, caso a tensão de saída não se encontre a exceder o limite que será
escolhido.
O limite de tensão de saída pode ser determinado pela equação 32.

𝑅𝑜𝑣𝑝1 + 𝑅𝑜𝑣𝑝2
𝑉𝑜𝑣𝑝 = × 𝑉𝑟𝑒𝑓 (32)
𝑅𝑜𝑣𝑝2

75
Os valores das resistências para proteção contra sobretensões serão calculados por forma
a que a impedância obtida cumpra as seguintes condições:
• Ser suficiente grande para limitar as perdas
• Ser suficiente pequena para ter uma boa imunidade ao ruído
Tal como no caso do cálculo da Rfb2, pertencente à malha de feedback, para o cálculo da
resistência Rovp2 foi escolhida uma corrente igual a 100 µA, por ser uma boa solução para
satisfazer as duas condições. O cálculo da resistência Rovp2 é representado de seguida.

𝑉𝑟𝑒𝑓
𝑅𝑜𝑣𝑝2 = = 25 𝑘Ω (33)
100µ

Para este projeto foi escolhido o valor normalizado de 27 kΩ para a resistência Rovp2.
O limite de tensão de saída pretendido escolhido foi de 420 V.
Pode-se então fazer o cálculo da resistência Rovp1 necessária para estabelecer esse valor
como o limite. Esse cálculo é realizado através da equação 32.

𝑉𝑜𝑣𝑝
𝑅𝑜𝑣𝑝1 = 𝑅𝑜𝑣𝑝2 × ( − 1)
𝑉𝑟𝑒𝑓
Substituindo os valores temos:

420
𝑅𝑜𝑣𝑝1 = 27𝑘 × ( − 1) ⇔ 𝑅𝑜𝑣𝑝1 = 4509 𝑘Ω
2,5
Para obter este valor foram colocadas três resistências de 1.500 MΩ em série que num total
resultam num valor de 4.500 MΩ.
Para os valores escolhidos das resistências obtém-se o seguinte limite de tensão de saída:

4500𝑘 + 27𝑘
𝑉𝑜𝑣𝑝 = × 2,5 ⇔ 𝑉𝑜𝑣𝑝 = 419,16 𝑉
27𝑘

6.4.11 - Malha do pino 7

Para que o estágio de PFC consiga fornecer a máxima potência quando a tensão de entrada
é mínima, é necessário o dimensionamento de um condensador no pino 7.
O valor deste condensador pode ser calculado pela equação 34.

120µ × 𝐿 × 𝑉𝑟𝑒𝑓 2 × 𝑃𝑖𝑛,𝐴𝑉𝐺,𝑚𝑎𝑥


𝐶𝑝𝑖𝑛7 = (34)
𝑉𝑖𝑛,𝑟𝑚𝑠,𝐿𝐿2

Onde L corresponde ao valor da indutância da bobine escolhida, Vref à tensão de referência


de 2,5 V, Pin,avg,max à potência máxima que pode fornecer, neste caso 240 W, e Vin,rms,ll à
mínima tensão eficaz de entrada definida.

76
É, então, possível proceder ao cálculo do condensador.

120µ × 120µ × 2,52 × 240


𝐶𝑝𝑖𝑛7 = ⇔ 𝐶𝑝𝑖𝑛7 = 4,18 𝑛𝐹
882

Para evitar tempos excessivamente pequenos do MOSFET em condução é inserido um offset


no pino 7, colocando uma resistência Roffset entre o condensador Cpin7 e o ground e colocando
outra resistência Rdvr2 entre o condensador Cpin7 e a drive do componente de comutação.
Este offset deve ter um valor aproximadamente entre 400 e 500 mV.
Para este projeto foram escolhidos os valores de 150 Ω para a resistência Roffset e 6,2 kΩ
para a resistência Rdvr2 que com um Vcc igual a 17 V formam um offset igual a
aproximadamente 400 mV.
Com a adição deste offset o valor do condensador Cpin7 tem que ser incrementado com
base na diminuição da variação que o offset é responsável por fazer.
Esta variação deixa de ser 1 V, e devido ao offset de 400 mV passa a ser 600 mV, como se
pode ver na resolução da equação 35.

4,18𝑛
𝐶𝑝𝑖𝑛7 = ⇔ 𝐶𝑝𝑖𝑛7 = 6,99 𝑛𝐹 (35)
60%

Foi escolhido o valor de 10 nF para este condensador.

6.4.12 - Malha PFCok

Para a PCB PFC enviar a informação à PCB LLC de que está a regular a tensão para o valor
pretendido e que esta pode realizar o seu funcionamento normal, foi colocada uma malha
composta por um divisor de tensão, um díodo e um condensador para condicionar a tensão
proveniente do pino PFCok do NCP1605 ,com valor igual a 5 V, num valor que será recebido
pelo o pino brown-out do NCP1397 de maneira que este comece a realizar o seu funcionamento
normal, visto a tensão mínima no pino brown-out para o integrado ser igual a 1,04 V e a tensão
máxima ser de 4 V .

6.5 - Estágio do LLC

6.5.1 - Introdução

Para a implementação da topologia LLC foi utilizado o integrado NCP1397, já referido


anteriormente.

77
Tendo como base algumas notas de aplicação relacionadas com este integrado [22, 19] e a
sua folha de características [23] foi realizada a implementação do integrado segundo os
cálculos que serão demonstrados nesta secção.
A implementação deste integrado teve como base a figura 46.

Figura 46 - Esquema base de montagem do NCP1397 [23]

Este integrado pode ser utilizado para as topologias half-bridge resonant como a series
resonant, parallel resonant e LLC resonant. Contém várias características com importância
para este projeto tais como: permite frequências de operação desde os 50 kHz até 500 kHz,
consegue fazer drive até 600 V, permite o ajuste da frequência mínima de comutação e do
dead-time, contém a função de iniciar com soft-start tendo uma corrente de iniciação de 300
µA, o limite de Vcc é de 20 V.
Quanto às características de segurança contém proteções contra sobretensões e
sobrecorrentes, tem um pino dedicado para reconhecer situações de falha e tem proteção
contra temperaturas altas.
De seguida serão, então, apresentados os passos para descrever a implementação realizada.

6.5.2 - Definições gerais

Para a implementação deste integrado, é necessário em primeiro lugar definir algumas


especificações importantes para o funcionamento do integrado.
Na tabela 5 estão apresentadas as especificações para este projeto.

78
Especificação Valor
Tensão de entrada nominal 395 VDC
Tensão de entrada mínima 380 VDC
Tensão de entrada máxima 420 VDC
Tensão de saída 24 VDC
Corrente máxima da saída 8,75 A
Potência máxima de saída 210 W
Eficiência 93%
Tabela 5 - Especificações gerais do LLC

Na definição dos valores da tensão de entrada efetuou-se uma correspondência aos valores
mínimo, nominal e máximo da saída do estágio de PFC.
A definição das restantes especificações basearam-se no requisito de saída com 24 V de
tensão DC, para a potência optou-se por escolher 210 W para existir uma margem dos 200 W
requisitados, a corrente deduziu-se pelas escolhas anteriores.
Para a parte LLC foi escolhida uma eficiência de 93 %.
De seguida são apresentados os passos para o dimensionamento do integrado NCP1397.

6.5.3 - Escolha do transformador

A escolha do transformador teve uma importância fulcral para o dimensionamento da parte


LLC, uma vez que, para fazer um transformador à medida da empresa, ficaria demasiado caro,
daí ter sido logo opção a escolha de um transformador já comercializado e adaptar as contas
do integrado responsável pelo funcionamento LLC a esse transformador.
Visto que, para a topologia LLC resonant, não existe uma grande variedade de opções de
transformadores dedicados para esse funcionamento, a escolha deste foi realizada numa
pesquisa das possíveis marcas que pudessem fornecer alguns transformadores para a empresa
com os requisitos necessários para o projeto.
A melhor opção encontrada foi um transformador da Magnetica 1860.0113 apropriado para
operações até 300 W com frequência de ressonância igual a 95 kHz, com indutância de fuga
igual a 94 µH e a indutância de magnetização igual a 561 µH, que formam um total de 655 µH
correspondente à indutância do lado primário do transformador.
Com estes valores o rácio entre a indutância de magnetização e a indutância de fuga
corresponde a 5,96.

79
6.5.4 - Passos para definição do design do LLC

A definição dos valores associados ao LLC teve como base os passos de seguida
apresentados, pese embora alguns desses valores tivessem que ser alterados para estarem de
acordo com os valores impostos pelo transformador escolhido.

6.5.4.1 - Cálculo da resistência equivalente Rac

Procedeu-se ao cálculo da resistência equivalente da carga através da equação 36.

8 𝑉𝑜𝑢𝑡
𝑅𝑎𝑐 = 2
× (36)
𝜋 𝐼𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 × 𝜂
Substituindo os valores, resulta:

8 24
𝑅𝑎𝑐 = × ⇔ 𝑅𝑎𝑐 = 2,39
𝜋 2 8,75 × 0,93

6.5.4.2 - Cálculo do ganho

Neste passo são efetuados os cálculos necessários para a conversão no estágio LLC para os
valores de tensão de entrada nominal, mínimo e máximo.
Para tal são utilizadas as seguintes equações:
• Nominal
2 × (𝑉𝑜𝑢𝑡 + 𝑉𝑓 )
𝐺𝑛𝑜𝑚 = (37)
𝑉𝑏𝑢𝑙𝑘,𝑛𝑜𝑚
• Mínimo
2 × (𝑉𝑜𝑢𝑡 + 𝑉𝑓 )
𝐺𝑚𝑖𝑛 = (38)
𝑉𝑏𝑢𝑙𝑘,𝑚𝑖𝑛
• Máximo
2 × (𝑉𝑜𝑢𝑡 + 𝑉𝑓 )
𝐺𝑚𝑎𝑥 = (39)
𝑉𝑏𝑢𝑙𝑘,𝑚𝑎𝑥

Substituindo os valores, resulta:


• Nominal
2 × (24 + 0,5)
𝐺𝑛𝑜𝑚 = ⇔ 𝐺𝑛𝑜𝑚 = 0,124
395
• Mínimo
2 × (24 + 0,5)
𝐺𝑚𝑖𝑛 = ⇔ 𝐺𝑚𝑖𝑛 = 0,117
350
• Máximo
2 × (24 + 0,5)
𝐺𝑚𝑎𝑥 = ⇔ 𝐺𝑚𝑎𝑥 = 0,140
420

80
6.5.4.3 - Escolha do circuito do condensador ressonante

Na escolha do circuito do condensador ressonante é necessário ter em atenção o seguinte:


• Utilizar capacidades baixas nos condensadores ressonantes implica vantagens
como: baixa variação das frequências de operação para melhor regulação e
proporcionam uma melhor eficiência.
• A tensão nos condensadores ressonantes atinge valores elevados se for utilizada
uma capacidade baixa.
• É benéfico que a tensão nos condensadores ressonantes seja inferior à tensão de
entrada Vbulk para o funcionamento normal, pois condensadores com menor
tensão aguentam maiores correntes eficazes sendo de menor dimensão, custando
menos e sendo mais confiáveis.

Para efetuar o cálculo do valor a usar na capacidade do condensador ressonante é


necessário primeiro calcular a corrente eficaz que por ele irá passar através da equação 40.

𝜋
𝐼𝐶𝑠,𝑟𝑚𝑠,𝑛𝑜𝑚 = × 𝐼𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 × 𝐺_𝑛𝑜𝑚 (40)
2 × √2
Substituindo os valores fica-se com:

𝜋
𝐼𝐶𝑠,𝑟𝑚𝑠,𝑛𝑜𝑚 = × 8,75 × 0,124 ⇔ 𝐼𝐶𝑠,𝑟𝑚𝑠,𝑛𝑜𝑚 = 1,2 𝐴
2 × √2
É agora possível efetuar do cálculo da capacidade para o condensador ressonante através
da equação 41.
𝐼𝐶𝑠,𝑟𝑚𝑠,𝑛𝑜𝑚 × √2
𝐶𝑠 =
𝑉𝑏𝑢𝑙𝑘,𝑛𝑜𝑚 (41)
2 × 𝜋 × 𝑓𝑜𝑝,𝑛𝑜𝑚 × (𝑉𝐶𝑠,𝑝𝑒𝑎𝑘,𝑛𝑜𝑚 − )
2
Substituindo os valores, resulta:
1,2 × √2
𝐶𝑠 = ⇔ 𝐶𝑠 = 27,7 𝑛𝐹
395
2 × 𝜋 × 95𝑘 × (320 − )
2
Para a escolha do valor da capacidade a utilizar no projeto optou-se pela utilização de dois
condensadores ressonantes, cada um com a capacidade igual a 15 nF, resultando num total de
30 nF.
O uso de dois condensadores ressonantes torna-se benéfico pois reduz ao ripple da corrente
de entrada em comparação com a utilização de apenas um condensador ressonante.

6.5.4.4 - Cálculo da indutância de fuga

A indutância de fuga Ls pode ser calculada através da fórmula de cálculo da frequência de


ressonância. Visto, por um lado, esta já estar definida assim como também o valor resultante
da capacidade dos condenadores ressonantes.

81
De seguida é efetuado o cálculo da indutância de fuga através da equação 8.

1 1
𝑓𝑆 = ⇔ 𝐿𝑠 =
2 × 𝜋 × √𝐶𝑠 × 𝐿𝑠 𝐶𝑠 × (2 × 𝜋 × 𝑓𝑟𝑒𝑠 )2

Substituindo os valores, resulta:

1
𝐿𝑠 = ⇔ 𝐿𝑠 = 93,5 µ𝐻
30𝑛 × (2 × 𝜋 × 95𝑘)2
Como já referido anteriormente o valor escolhido para o projeto foi de 94 µH, pois é o valor
que está inserido no transformador.

6.5.4.5 - Cálculo da indutância máxima de magnetização

É necessário saber o valor limite correspondente ao valor da indutância de magnetização.


Para tal é utilizado o valor da capacidade resultante entre as capacidades parasitas dos
MOSFETS e a capacidade parasita do nó HB.
O cálculo do valor máximo da indutância de magnetização é realizado a partir da equação
42.

𝐷𝑇
𝐿𝑚 = (42)
8 × 𝑓𝑜𝑝,𝑚𝑎𝑥 × 𝐶𝐻𝐵,𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙
Substituindo os valores, resulta:

350𝑛
𝐿𝑚 = ⇔ 𝐿𝑚 = 1,1 𝑚𝐻
8 × 110𝑘 × 360𝑝

6.5.4.6 - Cálculo do rácio entre as duas indutâncias

O rácio entre as duas indutâncias poderia ser determinado através da análise da


característica do ganho ser realizada através de uma simulação.
Neste caso, devido à escolha do transformador já ter sido realizado, esta escolha implica
que o rácio do transformador tenha sido previamente imposto, daí não ser necessária proceder
à análise do melhor ganho.
Neste projeto será, então, utilizado o rácio igual a 5,96 entre a indutância de magnetização
Lm e a indutância de fuga Ls, que faz com que o valor correspondente à indutância de
magnetização seja igual a 561 µH como pode ser visto na dedução da equação 43.

𝐿𝑚
𝑘= (43)
𝐿𝑠

𝐿𝑚
= 5,96 ⇔ 𝐿𝑚 = 94µ × 5,96 ⇔ 𝐿𝑚 = 561 µ𝐻
𝐿𝑠

82
6.5.5 - Lado primário do transformador

6.5.5.1 - Malha de proteção contra sobre correntes

Esta malha está representada na figura 47.

Figura 47 - Malha de proteção contra sobre correntes

Para efetuar os cálculos referentes à malha de proteção contra sobre correntes é primeiro
necessário determinar a corrente que circula no lado primário do transformador em situações
de sobrecarga. Para tal utiliza-se a equação 44.

1 𝑉𝑏𝑢𝑙𝑘,𝑛𝑜𝑚 2
𝐼𝑝𝑟𝑖𝑚𝑎𝑟𝑦,𝑟𝑚𝑠 = √ × (𝐼𝑜𝑢𝑡,𝑚𝑎𝑥 2 × 𝜋 2 × 𝐺𝑛𝑜𝑚2 + ) (44)
8 24 × 𝐿𝑚2 × 𝑓𝑜𝑝,𝑜𝑣𝑙𝑑 2

Onde Iout,max corresponde à corrente máxima em situação de sobrecarga e fop, ovld


corresponde à frequência de operação em situação de sobrecarga.
Substituindo os valores na equação 44, obtém-se:

1 3952
𝐼𝑝𝑟𝑖𝑚𝑎𝑟𝑦,𝑟𝑚𝑠 = √ × (102 × 𝜋 2 × 0,1242 + ) ⇔ 𝐼𝑝𝑟𝑖𝑚𝑎𝑟𝑦,𝑟𝑚𝑠 = 1,49 𝐴
8 24 × 561µ2 × 90𝑘 2

Depois é necessário efetuar o cálculo de tensão AC nos condensadores ressonantes e, para


tal, utiliza-se a equação 45.

𝐼𝑝𝑟𝑖𝑚𝑎𝑟𝑦,𝑟𝑚𝑠
𝑉𝐶𝑠,𝑎𝑐 = (45)
2 × 𝜋 × 𝑓𝑜𝑝,𝑜𝑣𝑙𝑑 × 𝐶𝑠
Onde substituindo os valores, resulta:

1,49
𝑉𝐶𝑠,𝑎𝑐 = ⇔ 𝑉𝐶𝑠,𝑎𝑐 = 87,7 𝑉𝑎𝑐
2 × 𝜋 × 90𝑘 × 30𝑛
Também é necessário diminuir a corrente que passa por esta malha. Para isso é necessário
calcular a resistência necessária para tal. Isto consegue-se através da resolução da equação 46.

𝑉𝑐𝑠,𝑝𝑒𝑎𝑘
𝑅𝑠 = (46)
𝐼𝑓,𝑙𝑖𝑚𝑖𝑡

83
𝑉𝑐𝑠,𝑝𝑒𝑎𝑘 1000
𝑅𝑠 = ⇔ 𝑅𝑠 = ⇔ 𝑅𝑠 = 50 𝑘Ω
𝐼𝑓,𝑙𝑖𝑚𝑖𝑡 0,02
Para este projeto foram utilizadas 2 resistências para tal efeito, R3 e R4, cada com uma
resistência total igual a 24 kΩ o que resulta num total de 48 kΩ.
De seguida será determinado o condensador de charge pump. Foram escolhidos para os
valores de R1 e R2 os valores iguais a 1k e 10k, respetivamente. Este cálculo é efetuado através
da equação 47.

1
𝐶2 =
𝑉𝐶𝑠,𝑎𝑐 × 𝑅1 (𝑅 + 𝑅2 ) 2 (47)
2 × 𝜋 × 𝑓𝑜𝑝,𝑜𝑣𝑙𝑑 × √|2 × ( − 1 ) − (𝑅3 + 𝑅4 )2 |
𝜋 × 𝑉𝑟𝑒𝑓,𝑓𝑎𝑢𝑙𝑡 × 0,9 2

Substituindo os valores resulta:

1
𝐶2 =
2
87,7 × 1𝑘 (1𝑘 + 10𝑘)
2 × 𝜋 × 90𝑘 × √|2 × ( − ) − (24𝑘 + 24𝑘)2 |
𝜋 × 1,04 × 0,9 2


𝐶2 = 77,4 𝑝𝐹
Neste caso, foi escolhido um valor normalizado perto deste resultado igual a 82 pF.
Dos componentes pertencentes a esta malha apenas resta determinar o valor do
condensador de filtro C1, que é efetuado a partir da equação 48.

5
𝐶1 = (48)
𝑓𝑜𝑝,𝑜𝑣𝑙𝑑 × 𝑅1

5 5
𝐶1 = ⇔ 𝐶28 = ⇔ 𝐶1 = 55,5 𝑛𝐹
𝑓𝑜𝑝,𝑜𝑣𝑙𝑑 × 𝑅1 90𝑘 × 1𝑘
Para o valor de C1 foi escolhido 56 nF.

6.5.5.2 - Malha responsável pela definição do tempo de falha

O integrado NCP1397 permite a definição de tempos de deteção de falha e de recuperação


da falha. Para tal efeito é necessária a colocação de um condensador e de uma resistência em
paralelo, Ctimer e Rtimer.
Os tempos de deteção da falha e de recuperação da mesma são definidos através da escolha
dos valores a utilizar no condensador Ctimer e a resistência Rtimer.
A seguir são representadas as equações que os determinam.
• Deteção de falha
𝑉𝑡𝑖𝑚𝑒𝑟(𝑜𝑛)
𝑇𝑓𝑎𝑢𝑙𝑡 = −𝑅𝑡𝑖𝑚𝑒𝑟 × 𝐶𝑡𝑖𝑚𝑒𝑟 × 𝑙𝑛 (1 − ) (49)
𝑅𝑡𝑖𝑚𝑒𝑟 × 𝐼𝑡𝑖𝑚𝑒𝑟1

84
• Tempo de recuperação
𝑉𝑡𝑖𝑚𝑒𝑟(𝑜𝑛)
𝑇𝑜𝑓𝑓 = 𝑅𝑡𝑖𝑚𝑒𝑟 × 𝐶𝑡𝑖𝑚𝑒𝑟 × 𝑙𝑛 ( ) (50)
𝑉𝑡𝑖𝑚𝑒𝑟(𝑜𝑓𝑓)

Para efetuar a escolha dos valores do condensador e da resistência, tentou-se que a soma
de ambos os tempos fosse próxima de um segundo e que a deteção de falha fosse menor que
200 ms.
Foram então escolhidos os valores de 6,8 µF e 82kΩ para Ctimer e Rtimer, pois este, são
valores normalizados e fazem com que os tempos estejam de acordo com o desejado, como
pode ser verificado nas seguintes deduções das equações 49 e 50.
• Deteção de falha
4
𝑇𝑓𝑎𝑢𝑙𝑡 = −82𝑘 × 6,8µ × 𝑙𝑛 (1 − ) ⇔ 𝑇𝑓𝑎𝑢𝑙𝑡 = 182 𝑚𝑠
82𝑘 × 175𝑚
• Tempo de recuperação
4
𝑇𝑜𝑓𝑓 = 82𝑘 × 6,8µ × 𝑙𝑛 ( ) ⇔ 𝑇𝑜𝑓𝑓 = 773 𝑚𝑠
1
O comportamento do integrado relativo aos tempos de falha pode ser analisado na figura
48.

Figura 48 - Deteção e Recuperação de falha [22]

6.5.5.3 - Definição de frequência mínima, máxima e do dead-time

O integrado NCP1397 possibilita a definição da frequência máxima, mínima e do dead-time


através da colocação de resistências ligadas à massa. O cálculo para a sua definição é
demonstrado de seguida.
• Dead-time
𝑇𝐷𝑡 = 4,28 × 10−8 + (𝑅𝐷𝑇 × 2,41 × 10−11 ) (51)

85
Para o valor do dead-time tentou-se aproximar dos 350 ns, e para tal foi escolhida uma
resistência de 13 kΩ para Rdt que resulta num dead-time igual a 356 ns como pode ser
observado na resolução da equação 51.
𝑇𝐷𝑡 = 4,28 × 10−8 + (13𝑘 × 2,41 × 10−11 ) ⇔ 𝑇𝐷𝑡 = 356 𝑛𝑠

• Frequência mínima
1 8,9 × 10−7
𝑓𝑚𝑖𝑛 = − (52)
4,64 × 10−10 × 𝑅𝑡 + 4,8 × 10 −11 × 𝑅𝐷𝑡 + 8 × 10 −8 𝑅𝑡
Com o objetivo de aproximar a frequência mínima do 70 kHz e já tendo definido o valor de
Rdt, foi escolhido o valor para Rt igual a 30 kΩ que resulta numa frequência mínima igual a
68,3 kHz, como pode ser comprovado na resolução da equação 52.
1 8,9 × 10−7
𝑓𝑚𝑖𝑛 = −10 −11 −8

4,64 × 10 × 30𝑘 + 4,8 × 10 × 13𝑘 + 8 × 10 30𝑘

𝑓𝑚𝑖𝑛 = 68,3 𝑘𝐻𝑧
• Frequência máxima
1 8 × 107
𝑓𝑚𝑎𝑥 = −
7,3 × 10−11 × 𝑅𝑓𝑚𝑎𝑥 × 𝑅𝑡 𝑅𝑓𝑚𝑎𝑥 (53)
+ 4,8 × 10−11 × 𝑅𝐷𝑡 + 8 × 10−8
0,1 × 𝑅𝑡 + 0,157 × 𝑅𝑓𝑚𝑎𝑥

Tendo já as resistências Rt e Rdt definidas e, tendo como objetivo aproximar a frequência


máxima dos 200 kHz, foi escolhido o valor da resistência para Rfmax igual a 7,87 kΩ que resulta
numa frequência máxima igual a 199,3 kHz como ser confirmado na seguinte resolução da
equação 53.
1 8 × 107
𝑓𝑚𝑎𝑥 = −
7,3 ×10−11 × 7,87𝑘 × 30𝑘 7,87𝑘
+ 4,8 × 10−11 × 13𝑘 + 8 × 10−8
0,1 × 𝑅𝑡 + 0,157 × 7,87𝑘

𝑓𝑚𝑎𝑥 = 199,3 𝑘𝐻𝑧

6.5.5.4 - Definição dos componentes relacionados com o soft-start

A malha relacionada com o soft-start pode ser vista na figura 49.

86
Figura 49 - Malha do soft-start

A resistência Rss é responsável por diminuir a velocidade das mudanças de frequência de


modo a ultrapassar situações de sobrecarga. Para esta resistência foi escolhido o valor de 5,6
kΩ.
A frequência de startup é estabelecida pela resistência ligada à resistência Rt, responsável
por definir a frequência mínima de operação, durante a fase de iniciação.
Esta resistência Rstart é definida através das resistências Rss, Rt e a Rrt_start cujo valor
pode ser definido através do gráfico presente na folha de características do NCP1397, que
apresenta a frequência de operação vs o valor da Rrt_start, ou da equação 54.

𝑅𝑡 × (𝑅𝑠𝑠 + 𝑅𝑠𝑡𝑎𝑟𝑡 )
𝑅𝑅𝑡,𝑠𝑡𝑎𝑟𝑡 = (54)
𝑅𝑡 + 𝑅𝑠𝑠 + 𝑅𝑠𝑡𝑎𝑟𝑡

No gráfico anteriormente referido para uma frequência inicial (frequência de startup) igual
a 200 kHz, sendo esta, a frequência escolhida, o valor de Rrt_start correspondente é 8,5 kΩ.
Sendo agora possível determinar o valor de Rstart através da equação 54.

𝑅𝑅𝑡,𝑠𝑡𝑎𝑟𝑡 × 𝑅𝑡 + 𝑅𝑅𝑡,𝑠𝑡𝑎𝑟𝑡 × 𝑅𝑠𝑠 − 𝑅𝑠𝑠 × 𝑅𝑡


𝑅𝑠𝑡𝑎𝑟𝑡 =
𝑅𝑡 − 𝑅𝑅𝑡,𝑠𝑡𝑎𝑟𝑡
Substituindo os valores resulta:

8,5𝑘 × 30𝑘 + 8,5𝑘 × 5,6𝑘 − 5,6𝑘 × 30𝑘


𝑅𝑠𝑡𝑎𝑟𝑡 = ⇔ 𝑅𝑠𝑡𝑎𝑟𝑡 = 6,26 𝑘Ω
30𝑘 − 8,5𝑘
Com o objetivo de a constante de tempo associada ao soft start ser próxima de 6 ms o valor
do condensador Css escolhido foi de 1 µF que em conjunto com a resistência Rstart faz com
que a constante de tempo seja igual a 6,2 ms.

6.5.5.5 - Parte do feedback e modo skip

O circuito pertencente ao lado primário do transformador de feedback e modo skip pode


ser visualizado na figura 50.

87
Figura 50 - Feedback e modo skip

A resistência R11 e R12 limita a tensão máxima no pino de feedback.


O modo skip é implementado para reduzir as perdas por comutação nos MOSFETS perante
a situação de overshoot do feedback. Este modo é implementado através de um divisor resistivo
conectado ao pino do feedback com as resistências Rskip1 e Rskip2.

6.5.6 - Lado secundário do transformador

6.5.6.1 - Retificação sincronizada vs díodos

Neste caso, foi escolhida a opção de usar díodos shottky em vez de retificação sincronizada
através de MOSFETS. A aplicação desta fonte comutada implica, que esta, esteja a maior parte
do tempo em modo de standby onde o consumo irá ser bastante pequeno. A empresa,
determinou que a opção dos díodos era melhor para a situação pois, nesse tempo, as perdas
por parte dos díodos igualam as perdas por parte dos MOSFETS e esta escolha implica um custo
menor da solução.
Na figura 51 é apresentado um gráfico com a comparação das perdas entre as duas soluções.

88
Figura 51 - Comparação entre o uso de um díodo shottky e um MOSFET [24]

6.5.6.2 - Condensadores de filtro

Nesta secção efetuou-se primeiramente o cálculo da corrente eficaz que passará pelos
condensadores de filtro através da equação 55.

𝜋2
𝐼𝐶𝑓,𝑟𝑚𝑠 = 𝐼𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 × √ −1 (55)
8

Substituindo os valores na equação 55, resulta:

𝜋2
𝐼𝐶𝑓,𝑟𝑚𝑠 = 8,75 × √ − 1 ⇔ 𝐼𝐶𝑓,𝑟𝑚𝑠 = 4,23 𝐴
8

Neste projeto foi escolhida a utilização de 8 condensadores de filtro em paralelo, cada um


com 470 µF, pois estes são valores normalizados, e que resulta num total de 3,76 mF. Esta
escolha, foi realizada com vista a este banco de condensadores conseguir lidar com a corrente
eficaz calculada anteriormente. Os condensadores escolhidos têm uma resistência equivalente
de série total (ESR) igual a 62,5 mΩ.
O ripple de saída relacionado com o banco de condensadores de filtro pode ser composto
em duas componentes que serão calculadas de seguida.
• Ripple associado à resistência equivalente de série total (ESR)

𝜋
𝑉𝐶𝑓,𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒,𝑝𝑘−𝑝𝑘 = 𝐸𝑆𝑅 × × 𝐼𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 (56)
2

89
Substituindo os valores, resulta:

𝜋
𝑉𝐶𝑓,𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒,𝑝𝑘−𝑝𝑘 = 62,5𝑚 × × 8,75 ⇔ 𝑉𝐶𝑓,𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒,𝑝𝑘−𝑝𝑘 = 859 𝑚𝑉
2
• Ripple associado à capacidade do banco de condensadores

𝐼𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚
𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒,𝑐𝑎𝑝,𝑝𝑘−𝑝𝑘 = (57)
2 × √3 × 𝜋 × 𝑓𝑜𝑝,𝑛𝑜𝑚 × 𝐶𝑓

Que substituindo os valores, resulta em:

8,75
𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒,𝑐𝑎𝑝,𝑝𝑘−𝑝𝑘 = ⇔ 𝑉𝑜𝑢𝑡,𝑟𝑖𝑝𝑝𝑙𝑒,𝑐𝑎𝑝,𝑝𝑘−𝑝𝑘 = 3,14 𝑚𝑉
2 × √3 × 𝜋 × 95𝑘 × 3,76𝑚

As perdas associadas à ESR do banco de condensadores de filtro podem ser calculadas


através da equação 58.

2
𝜋2
𝑃𝐶𝑓,𝐸𝑆𝑅 = (𝐼𝑜𝑢𝑡,𝑛𝑜𝑚 × √ − 1) × 𝐸𝑆𝑅 (58)
8

Substituindo os valores, resulta:

2
𝜋2
𝑃𝐶𝑓,𝐸𝑆𝑅 = (8,75 × √ − 1) × 62,5𝑚 ⇔ 𝑃𝐶𝑓,𝐸𝑆𝑅 = 1,11 𝑚𝑊
8

6.5.6.3 - Malha feedback

Para fornecer o feedback da saída ao opto acoplador foi utilizado o TL431 que permite
estabelecer referências com precisão programáveis.
A figura 52 apresenta a imagem desta malha.

90
Figura 52 - Malha feedback do lado secundário

Para efetuar a programação da referência foi utilizada a equação 59.

𝑅1
𝑉𝑜𝑢𝑡 = (1 + ) × 𝑉𝑟𝑒𝑓 (59)
𝑅2

A tensão de referência está expressa na folha de características do componente e é igual


a 2,495 V.
Portanto, foi necessário achar um par de resistências que substituindo nesta equação fosse
possível obter um valor para Vout igual a 24 V.
Neste caso foram escolhidos os valores de 86,6 kΩ para R1 e 10 kΩ para R2 para ir ao
encontro de um valor aproximado dos 24 V como se pode observar a seguir.

86,6𝑘
𝑉𝑜𝑢𝑡 = (1 + ) × 2,495 ⇔ 𝑉𝑜𝑢𝑡 = 24,1 𝑉
10𝑘

6.6 - Filtro de saída

Este filtro é um filtro simples LC que tem como função reduzir o ripple da tensão de saída
da fonte de alimentação comutada.

6.7 - Esquemáticos Finais

91
6.7.1 - PCB PFC

Figura 53 - Esquemático da PCB PFC

92
Figura 54 - Filtro EMI + Circuito de descarga dos condensadores X-cap + Ponte retificadora

93
Figura 55 - Estágio do PFC

94
6.7.2 - PCB LLC

Figura 56 - Esquemático da PCB LLC

95
Figura 57 - Lado primário do transformador

96
Figura 58 - Lado secundário do transformador

6.8 - Desenho da PCB

O desenho da PCB foi realizado com a ajuda de elementos da empresa em questão, onde
se teve em especial atenção a EMI e ao bom funcionamento da fonte de alimentação comutada,
sendo que para a elaboração de ambas as PCB’s, procurou-se utilizar as técnicas estudadas no
Capítulo 4.
Nas figuras 59 e 60 são apresentados os desenhos das PCB’s projetadas.

97
Figura 59 - Desenho da PCB PFC

Figura 60 - Desenho da PCB LLC

98
Capítulo 7

Resultados

7.1 - Introdução

Neste capítulo serão apresentados os resultados obtidos neste projeto.


Será realizada uma análise a esses resultados com a ajuda de gráficos e tabelas, onde serão
descritas as principais dificuldades encontradas, as alterações efetuadas tal como a razão para
tais alterações.
No final deste capítulo serão descritas possíveis melhorias que poderiam ser aplicadas neste
projeto.
A fase de testes foi conduzida da seguinte forma: foram realizados testes individuais a cada
uma das PCB’s e posteriormente realizados testes ao conjunto das PCB’s interligadas.

Na implementação da fonte de alimentação comutada foram surgindo alguns problemas, e


à medida que eram descobertos, foram corrigidos. Estes problemas serão relatados no próximo
subcapítulo.

7.2 - Dificuldades no decurso da fase de teste

Posteriormente à fase de montagem da fonte de alimentação iniciou-se a fase de teste


desta. Surgiram vários problemas no funcionamento que serão reportados nesta secção, bem
como a solução encontrada.
A descrição destes problemas será divida em duas partes: primeiramente serão descritos os
problemas na PCB PFC e, posteriormente, pela PCB LLC.
Na PCB PFC foi logo desde o início verificado que no esquemático equivalente existia a falta
de uma massa na malha do PFCok. Esta foi corrigida com uma ligação via cabo entre a zona em
questão e o ponto de massa mais próximo.

99
Foi também verificado que o transístor pertencente ao circuito de descarga dos
condensadores X-cap teria sido colocado (na montagem) de forma incorreta e para tal a
montagem deste teve que ser corrigida.
Notou-se que a bobine escolhida inicialmente para o PFC, com núcleo toroidal, não era a
apropriada para esta funcionalidade visto aquecer demasiado durante o funcionamento normal
do PFC, tendo sido trocada por uma bobine apropriada para o funcionamento do PFC com
núcleo em ferrite. Neste caso, a nova bobine tinha dimensões maiores que a escolhida
inicialmente, pelo que não foi colocada do modo definido, mas sim de modo e no local possível
de ser colocada.
Detetaram-se também algumas irregularidades na malha de feedback do PFC pela
existência de algum ruído nesta malha. Por tal, foi colocado um condensador em paralelo de
470 pF com a resistência ligada à massa nesta malha, neste caso a Rfb2, por forma a estabilizar
a tensão no pino de feedback e ser regulada de modo mais eficiente.
Quanto à PCB LLC, esta começou logo por não funcionar pois a resistência associada à malha
de bootstrap estava constantemente a queimar. Percebeu-se, então, que o problema estaria
no díodo que antecede a tal resistência. O problema seria que, ao díodo colocado inicialmente
na PCB LLC, estaria associado um tempo de recuperação demasiado lento para o funcionamento
da malha bootstrap e, por tal, este foi trocado por um díodo com o tempo de recuperação
inferior, neste caso um ultrafast, garantindo que a PCB LLC teria o funcionamento pretendido.
Na parte associada ao lado secundário foi detetado um aquecimento maior que o esperado,
o que se podia refletir em demasiadas perdas. Como resolução, os díodos de retificação no
secundário foram trocados por outros que, para o mesmo nível de corrente, têm uma queda de
tensão inferior (díodos Schottky), o que se traduz em menores perdas associadas. Também no
secundário o banco de condensadores foi trocado para obter um melhor ripple. Os
condensadores foram trocados por outros com uma resistência equivalente série (ESR) inferior
para atingir tal efeito.
Foi verificado que a PCB LLC não estava a regular a tensão para o valor pretendido, pois à
medida que a potência aumentava a tensão de saída diminuía. Este problema foi solucionado
pois, foi detetada uma falha na montagem do opto acoplador, sendo que depois de retificada,
foi possível regular a tensão de saída.
Foi detetado que a PCB LLC não aguentava com grandes variações de carga, sendo que foi
detetado um erro na montagem da PCB, onde no valor do condensador Ctimer, que deveria ser
igual a 6,8 µF, teria sido colocado um condensador com 6,8 nF. Por este motivo, os tempos de
deteção e recuperação de uma falha eram demasiados pequenos, o que fazia com que na
presença de picos de corrente o integrado do LLC se desligasse. Como resolução deste problema
foi colocado o valor projetado igual a 6,8 µF.

100
7.3 - Resultados do PFC

Neste subcapítulo, são apresentados os resultados relativos ao funcionamento exclusivo da


PCB PFC. São apresentados os resultados obtidos referentes à potência de entrada como de
saída, de modo, a ser possível avaliar a eficiência do PFC para diferentes níveis de potência.
Posteriormente são apresentados gráficos relativos ao arranque desta PCB, ao fator de
potência, como também, do ripple na saída.
A fotografia da PCB PFC está apresentada na figura 61.

Figura 61 - Fotografia da PCB PFC

Para a realização dos testes na PCB PFC, esta, foi alimentada por um transformador externo
para converter a tensão da rede elétrica na tensão pretendida. Foram utilizadas diferentes
conjugações de resistências para obter diferentes cargas e, consequentemente, obter as
potências pretendidas para os testes. Foram também colocados dois multímetros, na entrada
e na saída, em série com a alimentação da PCB PFC e com a saída para obter os valores de
corrente. Foi usado outro multímetro para obter as tensões referentes a essas correntes. Foi
utilizado um osciloscópio para obter as formas de onda pretendidas.
Caracterização dos instrumentos de medição:
• Multímetro para medição de corrente de entrada AC
Fluke 179 True RMS Digital Multimeter

101
• Restantes multímetros
TENMA 72-2605 Full Function Handheld Digital Multimeter, 4000 Count, Auto,
Manual Range, 3.75 Digit
• Osciloscópio
HAMEG Combiscope HM 1508 Digital and Analog
Para o cálculo da eficiência foram obtidos os valores referentes à potência de entrada e
saída através das tensões e correntes associadas.
De seguida, serão apresentados os resultados relativos à eficiência da PCB PFC tendo como
entrada valores próximos de 120 V alternados e 220 V alternados.

• 120 VAC:

Teste 0W 40 W 80 W 120 W 160 W 200 W 240 W


Vin - V 120 117 119 115,5 116 117 115
Iin - A 0,013 0,371 0,715 1,109 1,458 1,782 2,220
Pin - W 1,56 43,41 85,08 128,09 169,13 208,49 255,30
Vout - V 415 394 394,1 394,3 394,5 394,4 393,9
Iout - mA - 102 204 301 404 501 0,59
Pout - W - 40,19 80,39 118,68 159,59 197,59 232,40
η-% - 92,6 94,5 92,6 94,2 94,7 91,0
Tabela 6 - Resultados obtidos do teste PCB PFC para 120 VAC

Na figura 62 é apresentado um gráfico ilustrativo da evolução da eficiência em relação ao


aumento da potência.

Eficiência vs Potência
100
90
Eficiência %

80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 50 100 150 200 250

Potência W
Figura 62 - Evolução da eficiência em relação ao aumento da potência no teste da PCB PFC para 120
VAC

102
• 220 Vac

Teste 0W 40 W 80 W 120 W 160 W 200 W 240 W


Vin - V 225 223 217 214 218 216 220
Iin - A 0,022 0,201 0,395 0,583 0,770 0,975 1,130
Pin - W 4,95 44,82 85,72 124,76 167,86 210,60 248,60
Vout - V 415 394,3 394,7 395,2 395,5 395,3 395,2
Iout - mA - 102 205 303 405 500 592
Pout - W - 40,22 80,91 119,74 160,18 197,65 233,96
η-% - 89,7 94,4 95,9 95,4 93,8 94,1
Tabela 7 - Resultados obtidos do teste PCB PFC para 220 VAC

Na figura 63 é apresentado um gráfico ilustrativo da evolução da eficiência em relação ao


aumento da potência.

Eficiência vs Potência
100
90
Eficiência %

80
70
60
50
40
30
20
10
0
0 50 100 150 200 250

Potência W

Figura 63 - Evolução da eficiência em relação ao aumento da potência no teste da PCB PFC para 220
VAC

Pode-se também observar na figura 64 a comparação das eficiências para as diferentes


tensões de entrada analisadas.

103
Eficiência vs Potência
100
90
Eficiência % 80
70
60
50
40 120VAC
30
220VAC
20
10
0
0 50 100 150 200 250

Potência W
Figura 64 - Comparação da evolução da eficiência em relação ao aumento da potência entre os
testes da PCB PFC para 120 VAC e 220 VAC

Pode-se verificar que as eficiências são bastante parecidas e que com a entrada a 120 VAC
a eficiência estabiliza mais rápido do que com a entrada a 220 VAC.
Na figura 65, observa-se a tensão de entrada CH1 e a corrente na entrada CH2 de modo a
ser possível verificar que ambas estão em fase.

Figura 65 - Formas de onda da tensão e da corrente em fase

Nas figuras 66 e 67 será apresentada a demonstração do comportamento da tensão de saída


no arranque da PCB PFC para as diferentes tensões de alimentação analisadas.

104
• 120 VAC

Figura 66 - Comportamento da tensão de saída no arranque da PCB PFC para 120 VAC

• 220 VAC

Figura 67 - Comportamento da tensão de saída no arranque da PCB PFC para 220 VAC

Após a análise das figuras 66 e 67 pode-se verificar que o tempo até estabilizar a tensão de
saída é maior no caso do arranque a 120 VAC pois a tensão, neste caso, tem de se elevar mais
do que no caso do arranque a 220 VAC.
De seguida será apresentado o ripple na saída na figura 68.

105
Figura 68 - Ripple na saída da PCB PFC

O ripple associado ao PFC foi projetado para o seu valor máximo corresponder 5 % da tensão
de saída, neste caso 19,75 V. Analisando a figura 68, pode-se verificar que o ripple na saída da
PCB PFC corresponde a 10 V pico a pico que está dentro do limite imposto na fase de projeto.

7.4 - Resultados do LLC

Neste subcapítulo são apresentados os resultados para o teste exclusivo da PCB LLC, com a
ajuda de um transformador linear, uma ponte retificadora e um condensador com o objetivo
de obter uma tensão contínua relativamente perto dos 400 V.
Na figura 69 pode ser visualizada a fotografia da PCB LLC.

106
Figura 69 -Fotografia da PCB LLC

Nas tabelas 8 e 9 são apresentados os valores de tensão, corrente e potência associados à


entrada e saída, bem como a eficiência resultante para diferentes níveis de potência.
Para obter os resultados a seguir apresentados, foi utilizado o método constante no ponto
7.3 referente ao modo como os resultados do PFC foram obtidos.

Teste 0W 15 W 30 W 45 W 60 W 75 W 90 W
Vin - V 406 401 400 402 402 401 400
Iin - mA 0,42 47,1 86 126 164,5 204 244
Pin - W 0,17 18,8 34,4 50,6 66,1 81,8 97,6
Vout - V - 23,94 23,94 23,94 23,94 23,94 23,94
Iout - A - 0,638 1,278 1,93 2,56 3,2 3,84
Pout - W - 15,2 30,5 46,2 61,2 76,6 91,9
η-% - 80,8 88,9 91,2 92,7 93,6 94,2
Tabela 8 - Resultados obtidos do teste PCB LLC (Parte 1)

107
Teste 105 W 120 W 135 W 150 W 165 W 180 W 195 W 210 W
Vin - V 398 397 395 395 395 394 390 391
Iin - mA 285 326 367 408 448 489 535 573
Pin - W 113,4 129,4 144,9 161,2 176,9 192,7 208,6 224
Vout - V 23,94 23,94 23,94 23,94 23,94 23,94 23,94 23,94
Iout - A 4,46 5,1 5,73 6,36 6,97 7,6 8,22 8,83
Pout - W 106,8 122,1 137,2 152,2 166,8 181,9 196,8 211,4
η-% 94,2 94,3 94,6 94,4 94.3 94,4 94,3 94,3
Tabela 9 - Resultados obtidos do teste PCB LLC (Parte 2)

Na figura 70 é apresentado um gráfico ilustrativo da evolução da eficiência em relação ao


aumento da potência.

Eficiência vs Potência
100
90
80
70
Eficiência %

60
50
40
30
20
10
0
0 50 100 150 200 250
Potência W
Figura 70 - Evolução da eficiência em relação ao aumento da potência no teste da PCB LLC

De seguida podem ser visualizados os gráficos referentes ao ripple no funcionamento sem


carga e com carga total.

108
• Sem carga

Figura 71 - Ripple na saída da PCB LLC sem carga

• Com carga total

Figura 72 - Ripple na saída da PCB LLC com carga total

Na fase de projeto do andar de LLC, foi verificado que o ripple associado a este era
composto por duas componentes, que somadas resultam em 862,14 mV. A partir da análise das
figuras 71 e 72, pode-se verificar que o ripple na PCB LLC varia entre 10 e 40 mV, sendo que
se encontra dentro do limite imposto.
De seguida podemos visualizar na figura 73 a tensão nas gates dos dois MOSFETS.

109
Figura 73 - Formas de onda nas gates dos MOSFETS

O dead-time associado a estas comutações pode ser conferido na seguinte figura:

Figura 74 - Dead-time imposto

Pode-se verificar que o dead-time presente na figura 74 é de aproximadamente 300 ns que


é um valor próximo do projetado, neste caso 350 ns.

7.5 - Resultados da fonte projetada PFC+LLC

Neste subcapítulo são apresentados os resultados obtidos para o funcionamento da fonte


de alimentação projetada, isto é, com as duas PCB juntas.
Este subcapítulo está dividido em 4 partes. Na primeira, é realizada uma análise geral do
funcionamento da fonte de alimentação e, posteriormente, nas seguintes são analisados os
comportamentos da fonte para baixa carga, média carga e carga total, respetivamente.
Na figura 75 pode ser visualizada a fotografia da fonte de alimentação projetada.

110
Figura 75 - Fotografia da fonte de alimentação projetada

A realização dos testes da fonte de alimentação comutada, foram realizados de igual modo
aos realizados na PCB PFC tal como os métodos de medição.
Foram medidas três correntes para uma análise mais profunda do comportamento da fonte
comutada das quais a corrente inversa no PFC, a corrente da malha ressonante e a corrente
nos díodos do lado secundário. Para a medição destas correntes foram medidas as quedas de
tensão em resistências, onde no caso da corrente inversa no PFC, esta foi medida através da
queda de tensão na resistência Rsense, no caso da corrente da malha ressonante, esta foi
medida através da colocação de uma resistência com 0,1Ω em série com a malha ressonante e
a partir dessa resistência foi analisada a queda de tensão associada e no caso da corrente nos
díodos do lado secundário foi colocada uma resistência em série com este com o valor igual a
0,02 Ω e analisada a queda de tensão nesta.

7.5.1 - Geral

De seguida, serão apresentados os resultados relativos à eficiência da fonte de alimentação


comutada tendo como entrada valores próximos de 120 V alternados e 220 V alternados.

111
• 120 VAC

Teste 0W 15 W 30 W 45 W 60 W 75 W 90 W
Vin - V 118 120 120 118 118 119 118
Iin - A 0,015 0,173 0,315 0,462 0,601 0,724 0,865
Pin - W 1,79 20,76 37,80 54,52 70,92 86,12 102,07
Vbulk - V 415 393,7 393,8 394 394 394 394
Vout - V - 23,96 23,96 23,96 23,96 23,95 23,95
Iout - A - 0,639 1,282 1,935 2,571 3,200 3,823
Pout - W - 15,31 30,72 46,36 61,60 76,64 91,56
η-% - 73,7 81,3 85,1 86,9 88,9 89,7
Tabela 10 - Resultados obtidos do teste PCB PFC+LLC para 120 VAC (Parte 1)

Teste 105 W 120 W 135 W 150 W 165 W 180 W 195 W 210 W


Vin - V 119 120 120 120 119 119 120 116
Iin - A 1,002 1,145 1,297 1,420 1,555 1,697 1,850 2,040
Pin - W 119,24 137,40 155,64 170,40 185,04 201,94 222,00 236,64
Vbulk - V 393,8 394,2 394,1 393,9 393,8 393,7 393,7 393,6
Vout - V 23,95 23,95 23,95 23,95 23,95 23,94 23,94 23,94
Iout - A 4,440 5,070 5,700 6,340 6,960 7,590 8,210 8,810
Pout - W 106,34 121,43 136,52 151,84 166,69 181,70 196,55 210,91
η-% 89,2 88,4 87,7 89,1 90,1 89,9 88,5 89,1
Tabela 11 - Resultados obtidos do teste PCB PFC+LLC para 120 VAC (Parte 2)

Na figura 76 é apresentado um gráfico ilustrativo da evolução da eficiência em relação ao


aumento da potência.

112
Eficiência vs Potência
100
90
80
Eficiência % 70
60
50
40
30
20
10
0
0 50 100 150 200 250
Potência W

Figura 76 - Evolução da eficiência em relação ao aumento da potência no teste da PCB PFC+LLC


para 120 VAC

• 220 VAC

Teste 0W 15 W 30 W 45 W 60 W 75 W 90 W
Vin - V 220 217 217 217 221 221 222
Iin - mA 22,7 109 183 257 323 395 466
Pin - W 4,99 23,65 39,71 55,77 71,38 87,29 103,45
Vbulk - V 415 393,8 394 394 394,2 394,2 394,4
Vout - V - 23,95 23,95 23,95 23,95 23,95 23,96
Iout - A - 0,638 1,291 1,931 2,568 3,194 3,819
Pout - W - 15,28 30,92 46,25 61,50 76,49 91,50
η-% - 64,6 77,9 82,9 86,2 87,63 88,4
Tabela 12 - Resultados obtidos do teste PCB PFC+LLC para 220 VAC (Parte 1)

Teste 105 W 120 W 135 W 150 W 165 W 180 W 195 W 210 W


Vin - V 221 216 218 220 220 222 219 220
Iin - mA 539 622 694 766 835 905 989 1059
Pin - W 119,12 134,35 151,29 168,52 183,70 200,91 216,59 232,98
Vbulk - V 394,3 394,3 394,4 394,4 394,4 394,4 394,4 394,4
Vout - V 23,96 23,96 23,96 23,96 23,96 23,96 23,96 23,96
Iout - A 4,440 5,070 5,710 6,330 6,960 7,580 8,210 8,820
Pout - W 106,38 121,48 136,81 151,67 166,76 181,62 196,71 211,33
η-% 89,3 90,4 90,4 89,9 90,8 90,4 90,8 90,7
Tabela 13 - Resultados obtidos do teste PCB PFC+LLC para 220 VAC (Parte 2)

113
Na figura 77 é apresentado um gráfico ilustrativo da evolução da eficiência em relação ao
aumento da potência.

Eficiência vs Potência
100
90
80
70
Eficiência %

60
50
40
30
20
10
0
0 50 100 150 200 250
Potência W
Figura 77 - Evolução da eficiência em relação ao aumento da potência no teste da PCB PFC+LLC
para 220 VAC

Pode-se também observar na figura 78 a comparação das eficiências para as diferentes


tensões de entrada analisadas.

Eficiência vs Potência
100
90
80
70
Eficiência %

60
50
120Vac
40
30 220Vac
20
10
0
0 50 100 150 200 250
Potência W

Figura 78 - Comparação da evolução da eficiência em relação ao aumento da potência entre os


testes da PCB PFC+LLC para 120 VAC e 220 VAC

Pode-se observar que a eficiência no caso do teste com entrada a 120 VAC, estabiliza mais
rápido do que a eficiência do teste com entrada a 220 VAC, porém os valores após a
estabilização do teste com a entrada a 220 VAC são mais elevados do que com a entrada a 120
VAC.

114
De seguida na figura 79 pode-se observar a tensão num dos condensadores ressonantes
durante o funcionamento da fonte de alimentação comutada.

Figura 79 - Tensão num condensador ressonante

A tensão na saída da fonte comutada no arranque pode ser observado nas figuras 80 e 81
para as diferentes tensões de entrada.

• 120 VAC

Figura 80 - Tensão na saída da fonte comutada no arranque com 120 VAC de entrada

115
• 220 VAC

Figura 81 - Tensão na saída da fonte comutada no arranque com 220 VAC de entrada

Tal como no caso da análise do arranque do PFC, o arranque da fonte comutada PFC+LLC é
mais rápido quando este foi testado com entrada a 220 VAC do que com entrada a 120 VAC,
pois como no teste com entrada a 220 VAC o PFC é mais rápido a estabilizar a tensão que irá
fornecer para o andar LLC, a saída neste também estabilizará mais rápido.

7.5.2 - Funcionamento a baixa carga

Neste ponto, são apresentados os gráficos ilustrativos do funcionamento da fonte de


alimentação comutada a baixa carga (5W).
Nas figuras 82 e 83 pode ser visualizada a corrente inversa na bobine do PFC para diferentes
tensões de entrada.

116
• 120 VAC

Figura 82 - Corrente inversa na bobine do PFC para 120 VAC em baixa carga

• 220 VAC

Figura 83 - Corrente inversa na bobine do PFC para 220 VAC em baixa carga

Pode-se verificar que no funcionamento a baixa carga a corrente máxima ocorre com a
entrada a 120 VAC e com valor de pico igual a 1,5 A.
Na figura 84 pode ser visualizada a corrente iL que flui pela malha ressonante.

117
Figura 84 - Corrente na malha ressonante em baixa carga

De seguida pode-se observar a corrente que flui pelos díodos de retificação no lado
secundário do transformador.

Figura 85 - Corrente nos díodos do secundário em baixa carga

Verifica-se que a análise ao comportamento a baixa carga apresenta bastante ruido.


A corrente dos díodos do lado secundário apresenta 0,75 A de valor de pico.

7.5.3 - Funcionamento a meia carga

Neste ponto, são apresentadas as figuras ilustrativas do funcionamento da fonte de


alimentação comutada a meia carga.
Nas figuras 86 e 87 pode ser visualizada a corrente inversa na bobine do PFC para diferentes
tensões de entrada.

118
• 120 VAC

Figura 86 - Corrente inversa na bobine do PFC para 120 VAC em meia carga

• 220 Vac

Figura 87 - Corrente inversa na bobine do PFC para 220 VAC em meia carga

Pode-se verificar que no funcionamento a meia carga a corrente máxima ocorre com a
entrada a 120 VAC e com valor de pico igual a 3 A.
Na figura 88 pode ser visualizada a corrente iL que flui pela malha ressonante no CH1 e a
tensão no nó HB no CH2.

119
Figura 88 - Corrente na malha ressonante e tensão no nó HB em meia carga

Pode-se verificar que a corrente na malha ressonante é sinusoidal. Também pode-se


verificar através da análise do comportamento da topologia LLC no capítulo 5, que a frequência
de operação é maior que a frequência de ressonância, pois existe um desfasamento entre a
tensão no nó HB e a corrente da malha ressonante. A frequência de operação neste caso é 100
kHz.
De seguida pode-se observar a corrente que flui pelos díodos de retificação no lado
secundário do transformador.

Figura 89 - Corrente nos díodos do secundário em meia carga

Pode-se verificar que a corrente dos díodos do lado secundário apresenta 7,5 A de valor de
pico.

120
7.5.4 - Funcionamento a carga máxima

Neste ponto, são apresentadas as figuras ilustrativas do funcionamento da fonte de


alimentação comutada a carga máxima.
Nas figuras 90 e 91 pode ser visualizada a corrente inversa na bobine do PFC para diferentes
tensões de entrada.

• 120 VAC

Figura 90 - Corrente inversa na bobine do PFC para 120 VAC em carga máxima

• 220 VAC

Figura 91 - Corrente inversa na bobine do PFC para 220 VAC em carga máxima

121
Pode-se verificar que no funcionamento a carga máxima a corrente máxima ocorre com a
entrada a 120 VAC e com valor de pico igual a 7 A.
Na figura 92 pode ser visualizada a corrente iL que flui pela malha ressonante no CH1 e a
tensão no nó HB no CH2.

Figura 92 - Corrente na malha ressonante e tensão no nó HB em carga máxima

Pode-se verificar que a corrente na malha ressonante é sinusoidal. Como a tensão no nó HB


e a corrente da malha ressonante estão praticamente em fase, pode-se concluir que a
frequência de operação é próxima da frequência de ressonância. A frequência de operação
neste caso é 92 kHz.
De seguida pode-se observar a corrente que flui pelos díodos de retificação no lado
secundário do transformador.

Figura 93 - Corrente nos díodos do secundário em carga máxima

122
Pode-se verificar que a corrente dos díodos do lado secundário apresenta 15 A de valor de
pico.

7.6 - Discussão dos Resultados

Neste subcapítulo será realizada uma comparação entre os objetivos propostos pela
empresa e os alcançados neste projeto, serão, igualmente, descritos os principais problemas
encontrados no desenvolvimento do projeto.
Os objetivos propostos pela empresa foram: o desenvolvimento de uma fonte de
alimentação comutada com potência de 200W (garantidos), com saída de 24 V DC, com uma
eficiência próxima dos 90 %, com correção do fator de potência e que esteja em conformidade
EMC.
Após a análise dos resultados obtidos verificou-se que foram todos cumpridos à exceção da
conformidade EMC, visto não existirem recursos para análise deste parâmetro.
Pode-se perceber, através de alguns gráficos documentados neste documento, que existe
bastante ruído em algumas partes do circuito, sabendo-se que este ruído deveria ser reduzido
para um melhor funcionamento da fonte. Este ruído provém, essencialmente, das comutações
dos MOSFETS e do baixo isolamento da ponta de prova do osciloscópio utilizado.
Também se verificaram perdas elevadas quando esta funcionava sem carga, ou seja, no
modo standby. Neste caso, identificou-se a causa deste problema, o filtro EMI. Contudo, neste
projeto não foi possível encontrar solução no tempo útil do seu decurso. Quanto à eficiência
foram conseguidos valores bastante satisfatórios.
De seguida é realizada uma comparação entre a eficiência projetada e a obtida para
diferentes níveis de potência. Será documentado pela mesma ordem que na apresentação dos
resultados, isto é, primeiro do PFC, depois do LLC e, por último, a fonte de alimentação
comutada PFC+LLC.
A eficiência projetada para a PCB PFC foi de 94 %, sendo que os resultados obtidos para as
duas tensões de entrada analisadas são bastante próximos desse valor, como pode ser verificado
na tabela 14.

Vin VAC 40 W 80 W 120 W 160 W 200 W 240 W Média


PFC 120 92,6 94,5 92,7 94,2 94,8 91,0 93,3
220 89,7 94,4 96,0 95,4 93,9 94,1 93,9
Tabela 14 - Cálculo das médias das eficiências obtidas na PCB PFC

No caso da eficiência da PCB LLC, esta foi projetada de modo a ir ao encontro dos 93 %.
Obteve-se uma média de resultados a rondar os 92,6 % como se pode verificar na tabela 15:

123
15 W 30 W 45 W 60 W 75 W 90 W 105 W
80,9 88,9 91,2 92,7 93,6 94,2 94,1
120 W 135 W 150 W 165 W 180 W 195 W 210 W
LLC
94,3 94,6 94,5 94,3 94,4 94,3 94,4
Média
92,6
Tabela 15 - Cálculo das médias das eficiências obtidas na PCB LLC

A eficiência projetada para a PCB PFC foi de 94 % e para a PCB LLC foi de 93 % que no total
resulta numa eficiência para a fonte de alimentação comutada igual a 87,4 %.
Os resultados para as duas tensões de entrada analisadas ficaram relativamente próximos
do objetivo pretendido. Obteve-se uma média de eficiência para 120 VAC de entrada igual a
87 % e para 220 VAC igual a 86,5 %, como pode ser comprovado na tabela 16.

120 VAC
15 W 30 W 45 W 60 W 75 W 90 W 105 W
73,7 81,3 85,0 86,9 89,0 89,7 89,2
120 W 135 W 150 W 165 W 180 W 195 W 210 W
88,4 87,7 89,1 90,1 90,0 88,5 89,1
Média
PFC
87,0
+
220 VAC
LLC
15 W 30 W 45 W 60 W 75 W 90 W 105 W
64,6 77,9 82,9 86,2 87,6 88,4 89,3
120 W 135 W 150 W 165 W 180 W 195 W 210 W
90,4 90,4 90,0 90,8 90,4 90,8 90,7
Média
86,5
Tabela 16 - Cálculo das médias das eficiências obtidas na PCB PFC+LLC

124
Capítulo 8

Conclusão

As conclusões relativas ao projeto desenvolvido são apresentadas de seguida, bem como


possíveis melhorias a implementar no futuro.
Relativamente à correção do fator de potência, foi verificada a importância desta, visto
ser responsável por colocar a tensão e a corrente em fase, e elevar a tensão da rede para os
valores pretendidos pela topologia LLC. O modo FCCrM cumpriu as expectativas, pois o PFC
implementado suporta grandes variações de carga e apresenta um bom comportamento
independentemente da tensão de entrada, e, sempre com um nível de eficiência bastante
elevado.
A topologia LLC mostrou ser bastante eficiente, tal como o esperado, pois apresentou boas
eficiências energéticas para os diferentes níveis de carga tornando, assim, possível cumprir os
requisitos de eficiência impostos pela empresa.
Este projeto desenvolveu-se em várias etapas. Inicialmente, com o estudo detalhado e
aprofundado dos vários modos de operação do PFC e as diferentes topologias de fontes de
alimentação comutada e, posteriormente, com a escolha do melhor modo/topologia a usar
neste projeto, onde se definiram os seguintes fatores como prioridades a ter em conta nas
escolhas efetuadas:
• EMI – foi desde logo reconhecido que não existiam recursos para a sua medição e
para implementar a correta prevenção desta. Contudo, como a conformidade EMC
era um dos objetivos que a empresa queria ver cumprido, as escolhas efetuadas
tiveram sempre em atenção serem as melhores opções para redução desta.
• Eficiência - visto também ser um dos objetivos da empresa, o nível de eficiência
teve sempre bastante peso nas escolhas efetuadas.
• Custo – este requisito não está incluído nos objetivos, mas por este fator ser
bastante importante para o desenvolvimento de projetos semelhantes e, ser um
fator relevante para a empresa, as escolhas efetuadas foram realizadas com vista

125
a reduzir o custo sempre que possível, na medida em que não influenciasse o nível
de eficiência da fonte.
No geral, a solução aqui proposta, e implementada, cumpriu os objetivos pretendidos
apresentando resultados bastante satisfatórios com a exceção de um problema que é
apresentado de seguida.
O consumo no modo standby não foi satisfatório. Neste caso, foi realizado um debug para
saber a principal causa deste problema e, verificou-se que era filtro EMI o responsável por tais
consumos. Por este motivo, conclui-se que este filtro EMI não é adequado para este projeto e
que o ruído presente na fonte também não foi satisfatório.
De seguida, são descritas propostas de possíveis melhorias a efetuar no projeto no futuro:
• Colocar um filtro EMI dimensionado para este projeto, isto é, adequado para a
fonte de alimentação comutada projetada, uma vez que, dois dos problemas
descritos acima têm origem no filtro EMI, entre os quais o ruído presente na fonte
projetada e as perdas no modo standby serem originadas por este filtro;
• Colocar um flyback de 5 W com o intuito que reduzir as perdas com baixa carga,
ou seja, em standby, uma vez que esta fonte comutada, foi desenvolvida para
uma aplicação que estará a maior parte do tempo em modo standby, precisando
apenas de um recetor de rádio-frequência ligado. Este flyback seria responsável
por manter este recetor ligado durante o modo de standby e quando fosse
necessária mais potência, este faria o enable ao conjunto PFC+LLC, conseguindo,
assim, uma eficiência elevada em todos os níveis de potência, como também, uma
redução das perdas em vazio;
• Utilizar malhas de snubbers no lado secundário numa tentativa de redução das
perdas ou, para uma eficiência superior, usar sincronização sincronizada.

126
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