Aula 2 - Diodos

Universidade Federal do Maranhão
Bacharelado Interdisciplinar em Ciência e Tecnologia
EECP0001
Eletrônica Aplicada
Aula 2
Diodos
Prof. Denisson Oliveira

dq.oliveira@ufma.br
Sumário
 Dispositivos semicondutores;
 Diodos ideais;
 Diodos semicondutores;
 Diodos Zener
Dispositivos semicondutores
 O termo condutor é aplicado a qualquer material que

sustenta um grande fluxo de carga ao se aplicar, através de
seus terminais, uma fonte de tensão de amplitude limitada.
 Isolante é o material que oferece um nível muito baixo de

condutividade quando submetido a uma fonte de tensão.
 Um semicondutor é, portanto, o material que tem um nível

de condutividade entre os extremos de um isolante e de um
condutor.
 Resistividade:
𝑅𝐴
𝜌= =Ω . 𝑐𝑚
𝑙
 Estrutura atômica e molecular dos semicondutores

 Na estrutura atômica isolada há níveis discretos de energia

associados a cada elétron em órbita.
 Na estrutura atômica isolada há níveis discretos de energia

associados a cada elétron em órbita.
 Quanto mais longe o elétron estiver do núcleo, maior será o

estado de energia, e qualquer elétron que tiver deixado seu
átomo de origem apresentará um estado de energia maior do
que qualquer outro na estrutura atômica.
 As características dos semicondutores podem ser alteradas

pela adição de impurezas. Essas impurezas, embora em
pequena quantidade, podem alterar a estrutura de banda e
modificar as propriedades elétricas dos materiais.
 Existem os materiais do tipo n e do tipo p.

 O material do tipo n é criado com a introdução de elementos

de impureza com átomos com cinco elétrons na camada de
valência.
 É importante ressaltar que o material continua

eletricamente neutro.
 O material do tipo p é obtido dopando-se o material

semicondutor com átomos com três elétrons na camada de
valência.
Diodos ideais
 O diodo é um dispositivo semicondutor simples, mas que

exerce papel vital em sistemas eletrônicos. Possui
características semelhantes a uma chave.
 O termo ideal se refere a qualquer dispositivo ou sistema

que tenha características ideais, ou seja, perfeitas. Fornece
ainda comparações para melhorias de projeto.
 O diodo ideal é um dispositivo de dois terminais. A função

básica do diodo é conduzir corrente no sentido definido
pela seta, e agir como circuito aberto para qualquer
tentativa de condução de corrente no sentido oposto.
Um diodo ideal é uma chave capaz de
conduzir a corrente em um único sentido
Diodos ideais
 IMPORTANTE: Sentido da corrente e polaridade de tensão

Diodos ideais
 Resistência na região de operação: Se considerarmos a

região de condução no primeiro quadrante:
Diodos ideais
 Resistência na região de operação: Se considerarmos a região de

condução no terceiro quadrante:
Diodos ideais
 Estados de condução e não-condução

Diodos ideais
Diodos semicondutores
Sem polarização ( VD = 0V)
 Sob condições de não-polarização, todos os portadores
minoritários no material do tipo n da região de depleção
passarão diretamente para o material do tipo p.
Sem polarização ( VD = 0V)
Polarização reversa (VD < 0V)
 Se um potencial externo de V volts for aplicado na
junção p-n de maneira que o terminal positivo esteja
conectado ao material do tipo n e o terminal
negativo esteja conectado ao material do tipo p:
Polarização reversa ( VD < 0V)
A corrente de saturação reversa dificilmente

ultrapassa alguns microampères, exceto para
dispositivos de alta potência.
 O termo saturação deriva do fato de a corrente
alcançar seu máximo rapidamente e de não mudar de
maneira significativa com o aumento da tensão de
polarização reversa.
Polarização direta (VD > 0V)
 Uma condição de polarização direta (condução) é
estabelecida quando se aplica o potencial positivo ao
material do tipo p e o potencial negativo ao
material do tipo n. A aplicação de um potencial de
polarização direta força os elétrons do material do tipo n
e as lacunas do material do tipo p com os íons da
fronteira e a reduzir a região de depleção.
Polarização direta (VD > 0V)
 As características de um diodo semicondutor podem ser
definidas pela seguinte equação:
Onde:
 corrente de saturação reversa;
 K = 11.600/η (η = 1 para Ge, η = 2 para o Si, abaixo do joelho; η = 1
para operação acima do joelho)
 = + 273º;
 = tensão no diodo
 Potencial de offset / limiar / potencial de

disparo
 É o potencial no qual o diodo começa a conduzir.
 0,7 V para Si e 0,3 V para Ge
Diodos semicondutores:
Valores de resistência
 Resistência CC ou Estática
 RESISTÊNCIA CA OU DINÂMICA
 RESISTÊNCIA CA MÉDIA
 Se o sinal de excitação for grande o suficiente, a
resistência associada ao dispositivo é chamada de
resistência CA média, a qual é, por definição, aquela
determinada por uma linha reta traçada entre as duas
interseções estabelecidas pelos valores máximo e
mínimo da tensão de entrada.
Circuito equivalente
Um circuito equivalente é uma combinação de

elementos corretamente
selecionados para melhor representar as
características reais de um
dispositivo, sistema ou região específica de operação
 Em outras palavras, um circuito equivalente pode substituir o

dispositivo sem afetar demasiadamente o comportamento
real do sistema. O resultado é geralmente um circuito que
pode ser resolvido com o uso de técnicas tradicionais de
análise de circuito.
 Circuito equivalente linear por partes

 Uma técnica para se obter o circuito equivalente do diodo é
aproximar a curva característica do dispositivo por segmentos
de reta. O circuito equivalente resultante é chamado de
circuito equivalente linear por partes.
 Circuito equivalente linear por partes

 Circuito equivalente simplificado
 Para a maioria das aplicações, a resistência interna r pode ser
desprezada. A retirada de r do circuito equivalente resulta no
seguinte circuito simplificado:
 Circuito equivalente ideal

 O circuito equivalente ideal considera que o potencial de
disparo do diodo (0,7 V) pode ser por vezes ignorado em
comparação ao nível de tensão aplicada. Nesse caso, o
circuito equivalente se reduz a um diodo ideal e é
representado abaixo:
Região Zener
 Há um ponto em que a aplicação de uma tensão
suficientemente negativa resulta em uma mudança
brusca na curva característica. A corrente aumenta a
uma taxa muito rápida no sentido oposto ao da região
positiva. O potencial de polarização reversa que resulta
dessa mudança brusca na curva característica é chamado de
potencial Zener (Vz).
Região Zener
 A região Zener do diodo deve ser evitada. Caso contrário, o

sistema pode ser completamente alterado pela mudança
brusca na curva característica nessa região de tensão
reversa.
 Se alguma aplicação exigir uma PIV maior que a de um

único dispositivo, diodos semelhantes podem ser colocados
em série até atingir a característica necessária.
Diodos Zener
 O fato de a curva cair abaixo do eixo horizontal e se

distanciar dele, em vez de subir para a região positiva,
revela que a corrente na região Zener tem um sentido
oposto ao de um diodo polarizado diretamente. Essa região
de características singulares é usada no projeto de diodos
Zener.
Diodos Zener
 Para o diodo semicondutor, o estado ligado corresponde a uma

corrente no sentido da seta. Para o diodo Zener, o sentido de
condução é o oposto ao da seta do símbolo. Observe também
que as polaridades de e são as mesmas que seriam obtidas
se cada elemento fosse um elemento resistivo.
Diodos Zener
 Pode-se controlar a localização da região Zener variando-se os

níveis de dopagem. Um aumento na dopagem produz um
aumento no número de impurezas adicionais e diminuirá o
potencial Zener.
 Geralmente são utilizados em aplicações que demandam altas

temperaturas de operação e altos valores de corrente. Por isso
o silício é mais utilizado.
Diodos Zener:
 O circuito completo equivalente do diodo Zener

operando na região Zener inclui uma pequena
resistência dinâmica e uma bateria igual ao potencial
Zener. No entanto, para a maioria das aplicações pode-
se considerar o circuito aproximado.

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 O termo condutor é aplicado a qualquer material que

 Isolante é o material que oferece um nível muito baixo de

 Um semicondutor é, portanto, o material que tem um nível

 Estrutura atômica e molecular dos semicondutores

 Na estrutura atômica isolada há níveis discretos de energia

 Na estrutura atômica isolada há níveis discretos de energia

 Quanto mais longe o elétron estiver do núcleo, maior será o

 As características dos semicondutores podem ser alteradas

 Existem os materiais do tipo n e do tipo p.

 O material do tipo n é criado com a introdução de elementos

 É importante ressaltar que o material continua

 O material do tipo p é obtido dopando-se o material

 O diodo é um dispositivo semicondutor simples, mas que

 O termo ideal se refere a qualquer dispositivo ou sistema

 O diodo ideal é um dispositivo de dois terminais. A função

 IMPORTANTE: Sentido da corrente e polaridade de tensão

 Resistência na região de operação: Se considerarmos a

 Resistência na região de operação: Se considerarmos a região de

 Estados de condução e não-condução

A corrente de saturação reversa dificilmente

 Potencial de offset / limiar / potencial de

Um circuito equivalente é uma combinação de

 Em outras palavras, um circuito equivalente pode substituir o

 Circuito equivalente linear por partes

 Circuito equivalente linear por partes

 Circuito equivalente ideal

 A região Zener do diodo deve ser evitada. Caso contrário, o

 Se alguma aplicação exigir uma PIV maior que a de um

 O fato de a curva cair abaixo do eixo horizontal e se

 Para o diodo semicondutor, o estado ligado corresponde a uma

 Pode-se controlar a localização da região Zener variando-se os

 Geralmente são utilizados em aplicações que demandam altas

 O circuito completo equivalente do diodo Zener

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