宇宙科学研究所は、LSIの高速化・低消費電力化が期待されている最先端の民生SOI(Silicon On Insulator)プロセスを用いて、ソフトエラー(放射線によるビット反転エラー)発生確率が極めて低い128Kbit-SRAM(Static Random Access Memory)の開発に世界で初めて成功した。本SRAMはSOI構造の採用と回路上の工夫によりソフトエラー発生のしきい値LET(荷電粒子が半導体に与えるエネルギー量で表す)が45MeV/(mg/cm2)以上(民生品の約20倍)と高い上、シングルイベントラッチアップ(放射線により過大電流が流れて永久損傷になる可能性があるエラー)という別の障害が全く起こらないという特性を持つ。このしきい値LET値から推定される静止軌道上でのソフトエラー発生確率は、約9000年に1回と極めて小さい。 宇宙用部品においては、宇宙放射線によるソフト
