メモリー技術は、コンピューターの演算性能を大きく左右する非常に重要な役割を果たしている。今、そうしたメモリー技術が大きな変革期を迎えている。 これまでのメモリー技術開発は、SRAM（Static Random Access Memory）やDRAM（Dynamic RAM）といった、以前からある揮発性メモリーと、早い時期に市場が立ち上がったNANDフラッシュメモリー技術に、新技術による不揮発性メモリーが挑戦するといった格好だった。今もその構図は続いているものの、最近は、SRAMやDRAM、NANDフラッシュメモリー自体に大きな変革が避けられなくなってきた（図1）。半導体技術の微細化の停滞や人工知能（AI）の台頭など、コンピューターの在り方に大きな変化が出てきたことが背景だ。 各種メモリー技術に今後起こる変化を示した。SRAMやDRAMといった既存のメモリーにも大きな変化が避けられない。SR
第三の磁性体「交替磁性体」が次世代メモリーの有望候補として注目されている。磁気抵抗メモリー（ＭＲＡＭ）に比べて応答速度や集積密度が１００倍になると期待される。交替磁性体は日本で理論が提唱され、実際に室温で機能する物質が見つかった。メモリー開発にはＭＲＡＭの知見を生かせる。ＭＲＡＭ自体も日本がけん引してきた分野だ。実用化に向け最短距離を走る準備は整っている。負けられない戦いが始まる。（小寺貴之） 「温泉で湧いている黄色いもそもそが原料になるかもしれませんね」―。東京大学の関真一郎教授は困った顔で笑う。記者会見での１コマだ。硫化鉄が室温で読み書き可能な交替磁性体になることを実証した。鉄も硫黄も埋蔵量が多く資源リスクが小さい。マンガン・テルルなどの物質が探索されてきたが、答えはありふれた元素の組み合わせだった。 交替磁性体は物質全体の磁化はゼロにもかかわらず仮想的な磁場を持つ。硫化鉄の場合は、鉄
ChatGPTではNVIDIA製グラフィックスカードが処理に使われていますが、このChatGPTの使用頻度増加と用途拡大によってNVIDIA製グラフィックスカードに搭載されているDRAM価格が大きく高騰しているようです。 ChatGPTでNVIDIA製グラフィックスカードの需要が大幅増。DRAM価格が需要増により大幅高騰へ ChatGPTというとたった数週間で100万人のユーザーを獲得するなど人気爆発中のテキスト生成AIですが、最近ではMicrosoftと協業しBingやMicrosoft 365にもChatGPT機能を統合する見通しとなっています。このChatGPTの処理に使われているのがグラフィックスカードで、この中でもNVIDIAがAI用途向けに開発した100シリーズGPUが多様されていますが、これらのグラフィックスカードに搭載されているHBM3やHBM2などの高速VRAMの需要が大
PCに搭載するメモリの中には、エラー訂正機能を備えた「ECCメモリ」と呼ばれるものが存在します。このECCメモリは主にサーバーなどで用いられているのですが、ソフトウェアコンサルタントのロバート・エルダー氏は自身のPCが壊れた経験を踏まえて「個人用PCでもECCメモリを採用するべき」と主張しています。 Non-ECC Memory Corrupted My Hard Drive Image - This Is Why ECC Memory Is So Important - YouTube エルダー氏が非ECCメモリの問題点を発見した流れはこんな感じ。最初に、エルダー氏は壊れたPCを修理するために、HDDに保存したデータを別のHDDに移行しようとしました。 データの移行にはコマンドラインツールの「ddrescue」を使用しました。ddrescueはデータコピーツール「dd」とは異なり、不良セ
混載MRAMは、書き換えエネルギー、書き換え速度ともに混載フラッシュメモリよりも向上する 出所：ルネサス エレクトロニクス ルネサス エレクトロニクス（以下、ルネサス）は、スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリ（STT-MRAM、以下MRAM）を省エネルギーかつ短い電圧印加時間で書き換えられる技術を開発した。2021年12月11～15日に米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された「2021 IEDM」で発表されたもの。IoT（モノのインターネット）向けマイコンの混載MRAMに同技術を適用することで低消費電力化を狙う。なお、今回ルネサスが発表したのはMRAMそのものではなく、混載MRAMに適用するための回路技術である。 スロープパルス方式では印加電圧を高くしていくのでメモリセル電流も増加し、低抵抗状態への遷移を正確に検知できるようになる［クリックで拡大］ 出所：ルネサス さらなる低消費電力化
産業技術総合研究所(産総研)は7月21日、原子層レベルで制御されたタンタルを用いることで、「電圧駆動磁気抵抗メモリ」の磁気安定性を飛躍的に改善する技術を開発したと発表した。 同成果は、産総研 新原理コンピューティング研究センター 不揮発メモリチームの山本竜也研究員、同・野﨑隆行研究チーム長らの研究チームによるもの。詳細は、無機材料を扱う学術誌「Acta Materialia」にオンライン掲載される。 次世代不揮発メモリとして期待されるMRAMは、膜厚が数nmの磁石/絶縁層/磁石からなる構造の「磁気トンネル接合(MTJ)素子」からなる記憶素子への情報書き込みに電圧駆動MRAMを使用すれば、現在主流のSTT-MRAMと比べてさらに数桁駆動電力を下げることが可能となると考えられており、その実用化に向けて、磁気安定性および制御効率のさらなる改善が進められている。 産総研でも長年にわたって研究開発が
同社は、既に1ynm世代のDRAM生産でEUV装置を一部導入しており、「最先端のリソグラフィ技術の安定性を証明した後、初めてEUV装置を量産に採用した。プロセスの安定性が証明されたことから、今後、1αnmのDRAM生産には全てEUV技術を使用する予定だ」と説明している。なお、2020年10月に発表したDDR5 DRAMには、2022年初頭から1αnmプロセスを適用する予定という。 1αnm世代は、前世代（1znm世代）と比較して、同サイズのウエハーから生産されるDRAMチップの数を約25％増加させることができるといい、SK hynixは、「この1αnm DRAMが、世界的なDRAM需要の増加に伴う、世界市場の需給状況の緩和にも貢献するものと期待している」と述べている。 関連記事 Intelがファウンドリー事業を発表、工場にも大規模投資 Intelは2021年3月23日（米国時間）、新CEO
米国のルネサスが販売している8MビットのSTT-MRAM：福田昭のストレージ通信（194） アナリストが語る不揮発性メモリの最新動向（21）（1/2 ページ） MRAMとSTT-MRAMの製品化事例を報告 フラッシュメモリとその応用に関する世界最大のイベント「フラッシュメモリサミット（FMS：Flash Memory Summit）」が2020年11月10日～12日に開催された。FMSは2019年まで、毎年8月上旬あるいは8月中旬に米国カリフォルニア州サンタクララで実施されてきた。COVID-19（新型コロナウイルス感染症）の世界的な大流行（パンデミック）による影響で、2020年のFMS（FMS 2020）は開催時期が3カ月ほど延期されるとともに、バーチャルイベントとして開催された。 FMSは数多くの講演と、展示会で構成される。その中で、フラッシュメモリを含めた不揮発性メモリとストレージの
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
