NTTがAlNトランジスタ、SiCやGaN超えの超低損失パワーデバイスへ

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qpci32siekqd NTTは研究力あっても、産業にしようとすると色んな縛りと各方面から叩かれてできないからなぁ・・・

2022/04/23 リンク

kazuhooku 「バンドギャップ6.0eV、シリコン（Si）の1.1eV、SiCの3.26eV、GaNの3.4eV などと比べて非常に大きい」「電力損失が理論上SiCやGaNの半分以下」

2022/04/23 リンク

qpci32siekqd NTTは研究力あっても、産業にしようとすると色んな縛りと各方面から叩かれてできないからなぁ・・・

2022/04/23 リンク

aox そのうち充電器が砂粒みたいな大きさになりそうですね

2022/04/23 リンク

nanakoso 窒化アルミニウム

2022/04/23 リンク

mangakoji アルミと窒素なんて、鉄と炭素並に安いもんな。

2022/04/22 リンク

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NTTがAlNトランジスタ、SiCやGaN超えの超低損失パワーデバイスへ

NTTは2022年4月22日、窒化アルミニウム（AlN）トランジスタを開発したと発表した。AlNは、次世代パワー... NTTは2022年4月22日、窒化アルミニウム（AlN）トランジスタを開発したと発表した。AlNは、次世代パワーデバイスの材料として、NTTなど一部の研究所で基礎研究が進められている。物性上は炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）よりも損失が小さく耐圧が高いことから、高電圧で高効率な電源回路を形成できる。そのため、カーボンニュートラルとの親和性が高い。今回、NTTがAlNトランジスタを「世界で初めて」（NTT）開発したことで、AlNデバイスが実用化に向け一気に近づいた。 AlNは、伝導帯と価電子帯とのエネルギー差である「バンドギャップ」が6.0eVあり、シリコン（Si）の1.1eV、SiCの3.26eV、GaNの3.4eVなどと比べて非常に大きい。このことから、ダイヤモンド半導体などと共に「ウルトラワイドバンドギャップ半導体」の1つに数えられる。バンドギャップが大きいため、絶縁破壊

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at242022/10/07
en-en-ra2022/04/25
machupicchubeta2022/04/24
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mebius_ring2022/04/24
mntone2022/04/23
birdsoutz2022/04/23
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Derabon2022/04/23
qpci32siekqd2022/04/23
aox2022/04/23
ant_mugi2022/04/23
mstk_knife2022/04/23
nanakoso2022/04/23
shiritori4102022/04/23
lifefucker2022/04/23

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