(Impu rityionrange Extrinsicrange Intrinsicrange) E E E E C E D V C E V D 1 ( n ln 2 / C E E 2 / ) − ln n E D N ln E C E D V 1/ 1 n C E / 2 2 / ) ( E − 1 ln ln n / D N
(Impu rityionrange Extrinsicrange Intrinsicrange) E E E E C E D V C E V D 1 ( n ln 2 / C E E 2 / ) − ln n E D N ln E C E D V 1/ 1 n C E / 2 2 / ) ( E − 1 ln ln n / D N
となります。 C領域 ： 不純物領域 p 形の場合： ０Kから温度が上がってくると、アクセプタ原子は部分的に電子を下の充満帯からとって、 アクセプタ原子は負にイオン化します。充満帯の電子の「抜け穴」がホール（正孔）になり、これがキャリアとして働きます。 キャリアは です。 n 形の場合： ０Kから温度が上がってくると、ドナ原子は部分的に電子を上の伝導帯に放出し、 ドナ原子は正にイオン化します。伝導帯に上がった電子はキャリアとして働きます。 キャリアは です。 アクセプタ原子、ドナ原子とも、アクセプタ準位、ドナ準位を動くには準位の幅が小さく、ほとんど動くことが出来ません。 温度の上昇とともに、アクセプタ原子、ドナ原子ともイオン化していきます。 こうしてキャリアは温度とともに増加しますから、電気伝導度も大きくなって行きます。 半導体材料はp形、n形を示し、半導体素子
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