Elektronik Zusammenfassung

Lernzettel Elektronik - 4.
Semester (2015)
Leistungselektronik
Inhalt
Einführung ..........................................................................................................................................1
Kennwerte von Wechselgrößen ......................................................................................................1
Allgemeine Werte .......................................................................................................................1
Mittelwert...................................................................................................................................1
Effektivwert (RMS – Root Mean Square)......................................................................................1
Gleichrichtwert ...........................................................................................................................1
Leistung im Wechselstromkreis ...................................................................................................2
Drehstrom...................................................................................................................................2
Leistungsschalter ................................................................................................................................3
Idealer und realer Schalter ..............................................................................................................3
Leistungshalbleiter zur Schaltung ....................................................................................................4
Diode (PN – Übergang) ................................................................................................................4
Transistor ....................................................................................................................................6
Thyristor ................................................................................................................................... 10
Gesamtübersicht über alle Leistungshalbleiter .............................................................................. 13
Schutz von Leistungshalbleitern .................................................................................................... 14
Überspannungsschutz ............................................................................................................... 14
Überstrom- und Kurzschlussschutz ............................................................................................ 14
Erwärmung und Kühlung von Leistungshalbleitern ........................................................................ 15
Verschiedene Verlustarten ........................................................................................................ 15
Wärmetransport und Kühlung ................................................................................................... 15
Anwendungsgebiete der Leistungselektronik .................................................................................... 16
Stromrichterschaltungen (mit Dioden und Thyristoren) .................................................................... 17
Bezeichnung von Stromrichterschaltungen ................................................................................... 17
Einpuls-Gleichrichter (M1) ......................................................................................................... 17
Zweiphasige Mittelpunktschaltung (M2) ................................................................................... 18
Dreiphasige Mittelpunktschaltung (M3) .................................................................................... 19
Vollgesteuerte Drehstrom-Brückenschaltung (B6C) ................................................................... 23
Umkehrstromrichter ................................................................................................................. 23
Eigenschaftsübersicht über alle Stromrichterschaltungen ............................................................. 23
Gleichstromsteller ............................................................................................................................ 24
Michael Kraft, 2015

Lernzettel Elektronik - 4. Semester (2015)
Begriffe ......................................................................................................................................... 24
Anwendungen............................................................................................................................... 24
Tiefsetzsteller ............................................................................................................................... 24
Realer Tiefsetzsteller ................................................................................................................. 25
Hochsetzsteller ............................................................................................................................. 26
Mehrquadrantensteller ................................................................................................................. 27
Michael Kraft, 2015

Einführung
Kennwerte von Wechselgrößen
Allgemeine Werte Mittelwert
= Kreisfrequenz
Bei Rechtecksspannung: = D (D: Tastgrad)

= B A = B h l cos( t)
u(t) = -N =N B h l sin( t) = 0 Periodischer Wechselstrom
0 Mischstrom (neg. Anteile) oder pulsierender
Gleichstrom (keine neg. Anteile)
Effektivwert (RMS – Root Mean Square) Gleichrichtwert

Unterschiedliche
allgemein: Schreibweisen: Ueff,
URMS, UAV, Ud oder
einfach nur kursiv
für sinusförmige Spannungen:
= sin( )dt =
analog beim Strom

Wird zur Charakterisierung von Wechselgrößen angewandt,
Entspricht dem Wert der Gleichspannung, der die gleiche da der Mittelwert einer Wechselgröße 0 ist und somit keine
Wirkung hat wie die entsprechende Wechselspannung Aussage über die Beschaffenheit gemacht werden kann.
 Bei Funktionen unterschiedlicher Frequenz:

u(t) = A + B sin( t) + C sin( t)
Ueff =
 Bei Rechtecksspannung: Ueff = (D: Tastgrad)
Formfaktor Scheitelfaktor (Crest-Factor) Klirrfaktor (THD – Total Harmonic Distortion)

F= ks = k=
U: Effektivwert der betrachteten Spannung
U1: Effektivwert ihrer Grundschwingung
Maß für unerwünschte Verzerrungen des Sinus-Signals
Michael Kraft, 2015

1
Leistung im Wechselstromkreis
Scheinleistung:S = U I S = [S] = VA
Wirkleistung:P = U I cos( ) P = [P] = W
Blindleistung:Q = U I sin( ) Q = [Q] = var
Leistungsfaktor:cos( ) =
p(t) = u(t) i(t) = cos( + u) cos( + i)
Strom und Spannung ohne Phasenverschiebung (Widerstand)

= [cos( u - i) + cos(2 + u + i)
→ nur Wirkleistung
bestimmt die Höhe der grünen Linie
Strom und Spannung mit 90° Phasenverschiebung (Spule/Kondensator)

→ nur Blindleistung(Leistung wird während der einen Halbwelle
aufgenommen und während der nächsten wieder abgegeben)
Komplexe Darstellung der Leistung

S = P + jQ = U ∙ I* = U I =U I =U I
Leistung bei nicht-sinusförmigen Größen

= P = U0 RMS I0 RMSS = UN I0 RMSQ =
Darstellung durch eine unendliche Summe sinusförmiger

Teilschwingungen
→ Fourier-Analyse
Drehstrom
|U12| = |U1|
Verkettete Spannung (UV) Strangspannung (Ust)
Haushalt: 230V
Industrie: 400V
Scheinleistung: S = 3 Ust I = UV I
Wirkleistung: S cos
Blindleistung: S sin
Michael Kraft, 2015

2
Leistungsschalter
Verwendung in Stromrichtern
Zur Schaltung werden Leistungshalbleiter verwendet
Idealer und realer Schalter

Beispiel: Schalten einer ohm´sch-induktiven Last
(z.B. Motor)
(1) Bei geschlossenem Schalter fließt der Strom
durch die ohm´sch-induktive Last (Diode sperrt)
(2) Bei geöffnetem Schalter erzeugt die Induktivität
eine Spannung und erzwingt dadurch einen
weiteren Stromfluss über die Diode(U = L )
Idealer Schalter Realer Schalter

Stromfluss nur in eine Richtung (siehe Pfeil) -> Stromfluss in beide Richtungen durch den
gerichteter Schalter Schalter (Durchlass- und Sperrstrom)
Schalter  es fließt kein Strom durch den Schalter  es fließt ein Sperrstrom durch den
gesperrt  es wird keine Leistung umgesetzt  Sperrverluste
 am Schalter kann eine beliebige Spannung
anliegen ohne dass es zum Überschlag
kommt
Schalter  durch den Schalter fließt ein Strom  durch den Schalter fließt ein Strom
leitend  am Schalter fällt keine Spannung ab  am Schalter fällt eine Durchlassspannung
 es wird keine Leistung umgesetzt ab
 Durchlassverluste
Schaltungs-  verzögerungs- und verschleißfrei  während den Verzögerungszeiten fließt im
verzögerung Bauelement schon/noch Strom und es liegt
gleichzeitig noch/schon Spannung an
 Verlustleistungsspitzen (Steuer-
/Schaltverluste)bei jedem
Schaltvorgang
Schalt-  beliebig hoch  nicht beliebig
frequenz
Michael Kraft, 2015

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Leistungshalbleiter zur Schaltung

Diode (PN – Übergang)
Im stromlosen Zustand
 Über den Übergang diffundieren Löcher aus der p-Zone zur
n- Zone und Elektronen aus der n-Zone in die p-Zone und
rekombinieren jeweils miteinander
 Auf beiden Seiten fehlen nun Ladungsträger, was dazu
führt, dass ein elektrisches Feld entsteht
→ übt eine Kraft auf die verbleibenden freien Ladungsträger
aus, welche der Diffusionsrichtung entgegenwirkt
 Die Löcher- bzw. Elektronendichte ist im nächsten
Übergangsbereich sehr viel kleiner als im restlichen Kristall
 Raumladungszone: von Ladungsträgern entblößte
Zone, welche nicht (bzw. nur sehr wenig) leitend ist
P N
Raumladungs-
zone
Sperrrichtung Durchlassrichtung
_ + + _
- Löcher werden vom Minuspol angezogen und dort - Elektronen werden vom Pluspol angezogen und
aufgefüllt wandern durch die Löcher
- Elektronen werden zum Pluspol gezogen → Strom fließt
(Idealisierte) Kennlinie
 Sperrrichtung: unendlich hoher Widerstand
 Durchlassrichtung: kein Widerstand
ID = IS
-16
Sperrstrom: IS = 2 10 A
Durchlassspannung: UD
Temperaturspannung: UT =
Boltzmannkonstante: k = 1,381 10-23Ws/K
reale Kennlinie Absolute Temperatur T (in Kelvin)
-19
Elementarladung: e = 1,602 10 As
Michael Kraft, 2015

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Schaltverhalten von Dioden

 Passiver Schalter: Ein- und Ausschaltbedingungen werden über den Lastkreis vorgegeben
 Einschalten: UD> 0 | Ausschalten: UD < 0 (Ausschaltverhältnisse in Wirklichkeit komplizierter)
Einschaltvorgang einer realen Diode

 Häufig rechtecksförmige Stromimpulse
 Sperrschicht des PN-Übergangs ist zunächst noch frei von
beweglichen Landungsträgern (hochohmig)
→ Spannung steigt etwas zeitverzögert an
 es kommt zunächst zu einer kurzzeitigen Überhöhung der
Durchlassspannung, bevor diese in die statische
Durchlassspannung übergeht
→ Durchlasserholzeittfr
→ höhere Durchlassverlustleistung
(Einschaltverlustleistung)
Bei hohen Frequenzen werden „schnelle“ Dioden mit kurzer
Durchlasserholzeit und geringer Einschaltverlustleistung
eingesetzt.
Ausschaltvorgang einer realen Diode

 Ausgangspunkt: positiver Durchlassstrom
 Steil-lineare Abnahme des Diodenstroms iD
→ Minoritätsträger1 auf beiden Seiten des PN-Übergangs
haben nicht genügend Zeit zu rekombinieren und somit
eine Sperrschicht aufzubauen
 Unterschreitung der Nulllinie: in der Diode fließt

gespeicherte Ladung ab
→ Minoritätsträger werden auf die jeweils andere Seite
des PN-Übergangs transportiert)
→ Rückstromspitze mit Scheitelwert IRM
 Nach Ablauf der Rückwärtserholzeit trr ist der

Abschaltvorgang beendet
tf<ts tf ts
Hartes Schaltverhalten Weiches Schaltverhalten
→ Rückstromspitze klingt sehr → geringe
schnell ab Überspannungen
→ unerwünschte Überspannungen
bei Stromkreisen mit
Induktivitäten
→ Beschädigung der Diode
1
Minoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotiertenHalbleiters, welche
seltener vorkommt als die Majoritätsladungsträger. Bei p-Dotierung sind die Minoritätsladungsträger die
Elektronen, bei n-Dotierung sind es die Defektelektronen (Löcher).
Michael Kraft, 2015

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Transistor
Bipolarer Leistungstransistor
Aufbau: Bei der stetigen Steuerung von Strömen durch
Am häufigsten NPN-Transistoren: Transistoren tritt i.d.R. eine relativ große Kollektor-
→ relativ stark n-dotierte Emitterschicht (N+) Emitter-Spannung auf. In Kombination mit hohen
→ weniger stark p-dotierte Basisschicht Ströme in der Leistungselektronik führt das zu
→ schwach n-dotierte Kollektorschicht hohen Verlustleistungen
→ Einsatz von Transistoren in der Leistungs-
elektronik nur als Schalter (nicht als
Verstärker)!
Wirkungsweise:
 liegt eine Basis-Emitterspannung UBE an, so ist der
Basis-Emitter-PN-Übergang in Durchlassrichtung
gepolt
 freie Elektronen wandern vom Emitter in die Basis
und Löcher wandern von der Basis in den Emitter
→ bipolarer Transistor
ergibt zusammen den Emitterstrom IE
Kennlinie:
→
 freie Elektronen können in der Basis nur zu einem
W: Widerstandsgerate
geringen Teil mit den vorhandenen Löchern
rekombinieren, da die Basisschicht sehr dünn und
schwach dotiert ist
 die meisten Elektronen erreichen den Kollektor und
bilden mit dem Sperrstrom des in Sperrrichtung
geschalteten Basis-Kollektor-PN-Übergang den
Kollektorstrom IC
UBE↑ - IC↑
Stromgesteuertes Bauelement: Leitender Zustand
bleibt nur so lange erhalten wie ein Basisstrom fließt
Arbeitspunkt A1: Schalter ausgeschaltet Arbeitspunk A2: Schalter eingeschaltet

IB = 0 → IC = 0 IB> 0 (IB IB4) → UB = URc + UCE0
UCE = UB UCE0 IC = PVerlust
unvermeidlich: kein idealer Schalter
Einschaltvorgang
 Der Arbeitspunkt wandert von A1 nach A2 Drosselspule
→ IC> 0, UCE hoch
→ vorübergehend hohe
Durchlassverlustleistung
 Minimierung der Einschaltverlustleistung
(1) Beschleunigter Einschaltvorgang
(steiler Anstieg des Basisstroms)
(2) Begrenzung des Kollektorstromanstiegs
mithilfe einer Drosselspule (induzierter
Begrenzt die Induktionsspannung der Spule beim
Strom wirkt dem Kollektorstrom entgegen)
Abschalten (der Widerstand baut den in der Spule
 wandert der Arbeitspunkt nicht auf einer fließenden Strom ab)
Geraden, muss darauf geachtet werden, dass der
Arbeitspunkt innerhalb bestimmter Grenzen
bleibt (SOA- safeoperationarea)
Michael Kraft, 2015

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Ausschaltvorgang
 Der Arbeitspunkt wandert von A1 nach A2
→ vorübergehend hohe Durchlassverlustleistung
 Minimierung der Ausschaltverlustleistung
(1) Beschleunigter Ausschaltvorgang
(Reduzierung des Basisstroms vor dem Ausschalten)
1.1 Antisättigungsschaltung
 Steigerung von iBvon Null aus
→ iBfließt über D1, da UCE> UBE
→ bis Quasisättigung2 erreicht ist: UCE = UBE
ein Teil von iB fließt nun über D2 und wird dem Kollektor zugeführt
 iB vergrößern:
→ iB D1 bleibt konstant
→ iB D2 nimmt zu
→ Quasisättigung bleibt erhalten, egal wie groß iB wird
 wird der Basisstrom nun abgestellt, schaltet der Transistor
schnell ab
1.2 Steuerungsschaltung (Rückwärts-Basisstrom)
 D1 und D1 bilden eine Antisättigungsschaltung
 durch TF wird IFG geschaltet, welcher T einschaltet
 TF gesperrt, TR geschaltet
→ kurzzeitiger negativer Basisstrom (Rückwärts-
Basisstrom)
→ räumt frei Ladungsträger aus der Basis-Emitter-Zone
und beschleunigt somit den Ausschaltvorgang
Darlington-Schaltung
 Kombination / Hintereinanderschalten von mehreren Transistoren
Vorteil: Nachteil:
 Größere Stromverstärkung  etwas höhere Durchlassspannung
 Geringere Basisströme notwendig (je mehr Stufen, desto höher)
→ mehr Verluste
 lange Schaltzeiten
→ bei Abschalten von T1 fließt ein Kollektor-
Emitter-Reststrom in die Basis von T2
→ T2 bleibt noch etwas geschaltet
Lösung durch integrierte Beschaltungen:

Widerstände:Ableitung des Kollektor-
Emitter-Reststroms
Diode: ermöglicht die Entsättigung von T1und
T2 beim Ausschaltvorgang mithilfe eines
Rückwärts-Basisstroms
2
Quasisättigung: Transistor gerade eben noch gesättigt leitend
Michael Kraft, 2015

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Feldeffekt-Leistungstransistor(FET / MOS-FET3)
Aufbau:
 In einem p-dotierten Grundmaterial (Substrat)
sind zwei stark n-dotierte Inseln eindiffundiert
 Gate-Anschluss durch Glas-Isolationsschicht
vom Substrat getrennt
 Source-Anschluss mit dem Substrat verbunden
N-Kanal-FET P-Kanal-FET
Wirkungsweise:
Schalter ausgeschaltet: UGS = 0
 es kann Drainstrom fließen (PN-Übergang der
rechten Insel zum Substrat in Sperrrichtung
geschaltet)
Schalter eingeschaltet: UGS> 0
 Elektronenanreicherung durch entstehendes
elektrisches Feld unter der G-Elektrode
(aus P-Substrat und den benachbarten N-Inseln)
 es bildet sich eine Schicht unterhalb der G-
Elektrode, in welcher sich mehr Elektronen als
Löcher befinden (p-leitendes Material wird in
diesem Bereich zum n-leitendem Material
→ „N-Kanal“, der beide N-Inseln miteinander
verbindet
→ leitende Verbindung zwischen Source und
Drain (reine Elektronenleitung)
→ unipolarer Transistor
 Kein Gatestrom wegen Isolationsschicht Spannungsgesteuertes Bauelement
→ leistungslose Schaltung
Schaltverhalten:
Einschalten Rückwirkungskapazität(Miller-Kapazität)
 Schalter A umlegen(UGS> 0)
 Eingangskapazität ist wirksam
→ uGS kann nicht sprunghaft ansteigen
→ Verzögerung bis Einsatzspannung
(notwendige Spannung, die zum Aufbau des
leitenden Kanals nötig ist) erreicht ist
Treiberschaltung
 Danach kann ID fließen Eingangskapazität:
→ uDS wird kleiner Ci = CGS + CGD
→ CGD nimmt zu und bewirkt eine Rückwirkung:
 Kapazitäten der Raumladungszonen bewirken
 uDS wirkt dem Anstieg von uGS entgegen
 zusätzliche Verzögerung verzögerte Ein- und Ausschaltung
 Ein-/Ausschaltzeit ist davon abhängig wie
Ausschalten schnell die Eingangskapazität aufgeladen bzw.
 Schalter A erneut umlegen(UGS = 0 / UGS< 0) entladen werden kann
 Ladung in Eingangskapazität muss zunächst → Dafür ist ein Strom notwendig
(Verlustleistung! - Abhängig von der
über R1 abfließen
Schaltfrequenz)
 uDS steigt an
→ Rückwirkung auf den Eingang  Die Einschaltzeit lässt sich über die Bemessung
→ zusätzliche Verzögerung von R2 einstellen
→ erst wenn uGS< Einsatzspannung, ist der FET  Die Ausschaltzeit lässt sich über die
ausgeschaltet Bemessung von R1 einstellen
3
MOS-FET: Metal Oxide Semiconductor – Field Effect Transistor
Michael Kraft, 2015

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Besondere Bauformen für die Schaltung von größeren Leistungen

Vertikal aufgebauter Feldeffekt-Transistor
(1) Es liegt keine Spannung zwischen Gate und
Source an
→ Bauteil sperrt in Durchlassrichtung und
leitet in Sperrrichtung (Inversdiode)
(2) Positive Spannung zwischen Gate und
Source
+
→ Elektronenanreicherung in den P -Gebieten
unterhalb der G-Elektrode (siehe Pfeile)
→ N-Kanal zwischen Source und Drain
Der PN – Übergang von Source zu Drain bildet eine Inversdiode,
 Anordnung von vielen Tausend parallel
d.h. FET kann in Rückwärtsrichtung keine Spannung aufnehmen.
geschalteten Zellen
→ geringer Widerstand zwischen Drain und
Die untere stark dotierte Schicht hat die Aufgabe die mittlere
Source, der großen Strom führen kann
Schicht mit Ladungsträgern zu überschwemmen und somit den
 Wichtig: positiver Temperaturkoeffizient des Durchlasswiderstand zu verringern.
Durchlasswiderstands
→ gleichmäßige Stromaufteilung, auch bei
steigender Temperatur
IGBT (Isolated Gate BipolarTransistor)

(1) Es liegt keine Spannung zwischen Gate und
Emitter an
→ PNP-Transistor und somit das gesamte
Bauelement sperrt (in beide Richtungen)
(2) Positive Spannung zwischen Gate und
Emitter
→ Elektronenanreicherung in den P+-Gebieten
→ N-Kanäle zwischen N+-Inseln und dem N--
Gebiet
→ Spannung zwischen Kollektor und Emitter PNP-Transistor FET
verursacht einen Strom in diesen Kanälen
-
(zwischen N und Gate) Darlington-Schaltung
Basisstrom des PNP-Transistors
→ PNP-Transistor und somit das gesamte „Bipolarer Transistor mit isoliertem Steueranschluss“
Bauteil wird leitend
Vergleich von (MOS-)FET und IGBT

(MOS-)FET IGBT
 Leitet in Rückwärtsrichtung  Sperrt in Rückwärtsrichtung
 relativ hoher Durchlasswiderstand  relativ geringer Durchlasswiderstand
 etwas verzögertes/schlechteres Schaltverhalten
(1) Einsatz von MOS-FETs bei niedrigen Spannungen

→ IGBT hat mit dem unteren weiteren PN-Übergang einen höheren Durchlassspannungsabfall
(2) Einsatz von IGBTs bei hohen Spannungen

-
→ MOS-FETs haben einen relativ hohen Durchlasswiderstand, da die mittlere N -Schicht bei hohen
Sperrspannungen breiter ausgeführt und schwächer dotiert werden muss
→ Bei IGBTs führen die von der unteren P+-Schicht in die angrenzende N—Schicht injizierten Löcher zu
einer starken Zunahme der Leitfähigkeit
→ Alternative: CoolMOS-Transistor
— +
Zusätzliche P-dotierte Bereiche in der N Schicht, die senkrecht unter den obigen P -Gebieten verlaufen
Michael Kraft, 2015

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Thyristor
Aufbau
 Besteht aus 4 unterschiedlich dotierten
Halbleiterschichten
 Die äußeren Schichten sind stärker dotiert
Wirkungsweise
1. Fall: Überkopfzündung
 Es liegt eine Anoden-Kathoden-Spannung an
 Ist sie groß genug (Nullkippspannung U(B0)) bricht
die Diode durch und wird leitend
 Es fließt ein Strom über den Emitter-Basis-
Übergang von T1, über die Diode und über den
Basis-Emitter-Übergang von T2
 T1 und T2 werden durchgeschaltet
 Die Anoden-Kathoden-Spannung bricht bis auf
einen kleinen Wert zusammen (der Thyristor ist
gezündet)
2. Fall: Zündung durch Gateimpuls
 UAK < U(B0), jedoch positiv!
 Steuerstrom IG wird am Gate-Anschluss eingespeist
 T2 wird geschalten IT
 Es fließt ein Kollektorstrom von der Anode zur
Kathode (der obere PN-Übergang T1 ist in
Durchlassrichtung gepolt)
 Der einsetzende Kollektorstrom von T2 schaltet T1
 Thyristor wird leitend
 Erreicht der Durchlassstrom einen Mindestwert
(Einraststrom) kann der Steuerstrom abgestellt werden,
ohne dass der Thyristor wieder sperrt.
→ Thyristor "hält sich selbst" (T1 und T2 halten sich
gegensteitig leitend)
 Thyristor sperrt erst wieder wenn der Durchlassstrom
einen bestimmten Wert (Haltestrom) unterschreitet.
Kennlinie
1. Fall: Überkopfzündung
Durchlass-
bereich
 Ab der Nullkippspannung U(B0) zündet der

Thyristor von allein (Gatestrom IG = 0A)
2. Fall: Zündung durch Gateimpuls
 Kann mithilfe eines Gatestroms IG auch bei
einer Anoden-Kathoden-Spannung UAK < U(B0)
gezündet werden
 IG2 > IG1
Sperrbereich Blockierbereich
 sinkt der Strom unter IH sperrt der Thyristor
wieder
 In Rückwärts-Richtung sperrt der Thyristor
 Bei Überschreiten der Durchbruchspannung
U(BR) bricht der Thyristor durch und leitet in
Sperrichtung. Dabei wird der Thyristor zerstört
Michael Kraft, 2015

10
Schaltverhalten: Krtische Änderungsgeschwindigkeiten

Kritische Stromsteilheit
 Beim Zünden des Thyristors fließt der Anoden-Kathoden-Strom zunächst nur durch einen
kleinen Querschnitt (in der Nähe vom Gate).
 Steigt der Strom zu schnell an, kommt es zu örtlichen Überhitzungen und der Thyristor kann
zerstört werden.
 Der Stromanstieg darf deshalb einen bestimmten Wert nicht übersteigen:
kritische Stromsteilheit = krit
 Ggf. in Reihe schalten einer Drosselspule

Kritische Spannungssteilheit
 Wird eine Anoden-Kathoden-Spannung angelegt,
fließt ein Ladestrom, welcher die
Sperrschichtkpazität CR aufläd, über den Emitter-
Basis-Übergang von T1 und den Basis-Emitter-
Übergang von T2.
 Steigt die Spannung zu schnell an, kann es durch
einen relativ großen Ladetrom zu einem
ungewollten Zünden des Thyristors kommen.
 Die Spannungsanstieg darf deshalb einen Sperrschichtkapazität der Diode
bestimmten Wert nicht übersteigen:
Beschaltung des Thyristors
kritische Stromsteilheit = krit zur Reduzierung der auftret-
enden Spannungssteilheit
 Ggf. Drosselspule in Reihe und Widerstand und
Kondensator parallel schalten
Einschaltvorgang:
Zündimpulsdauer: tG
Zündverzugszeit: tgd
 Zeit, in der uT auf 90% des Anfangswertes absinkt
 stark von der Anstiegssteilheit des Steuerstromes iG
abhängig
Durchschaltzeit: tgr
 Zeit, in der uT von 90% auf 10% absinkt
 abhängig vom Anstieg des Steuerstromes iG und vom
Anstieg des Durchlassstromes iT
→ Art des Belastungswiderstandes Z maßgebend
→ Z: ohm´sch → iT steigt schnell an
→ Z: induktiv → iT steigt langsam an
tG muss in diesem Fall deutlich größer gewählt
werden, damit Einraststrom erreicht wird
Zündzeit: tgt = tgd + tgr
Ausschaltvorgang:
 Nimmt der Durchlassstrom iT steil ab, haben die Minoritätsträger
in den Sperrschichten nicht genügen Zeit zu rekombinieren
 Es fließt ein kurzzeitiger Ausräumstrom in Rückwärtsrichtung
Vgl. Diode
 Es ergibt sich eine Sperrverzögerungszeit
Michael Kraft, 2015

11
Wichtige Werte aus Thyristor-Datenblättern:

URRM Spitzensperrspannung: höchstzulässiger Augenblickswert der auftretenden periodischen
Sperrspannung
ITAVM Maximal zulässiger Mittelwert des kontiuierlichen Durchlassstromes
ITRMSM Maximal zulässiger Effektivwert des Stromes in Durchlassrichtung
UT(T0) Temperaturabhängige Schleusenspannung
IH Haltestrom
IL Einraststrom
GTO-Thyristor (Gate-Turn-Off) - Abschaltbarer Thyristor
Aufbau:
Ähnelt dem normalen Thyristor
Vier unterschiedlich stark dotierte Schichten
Unterschied: keine Diode zwischen den zwei
Transistoren
Wirkungsweise:
 Zündung wie bei normalem Thyristor
 Abschaltvorgang:
→ Negativer Strom an Gate anlegen
→ IB2 ↓ → IC2 ↓ → IB1 ↓ → IC1 ↓ → IB2 ↓
→ Der Vorgang setzt sich fort bis IT = 0
Funktioniert grundsätzlich bei jedem Thyristor. Beim

herkömmlichen Thyristor ist der abschaltbare Strom aber,
bedingt durch den Aufbau, sehr klein.
Verbesserung der Abschalteigenschaften beim GTO:
(1) Kathode und Gate werden eng fingerförmig verzahnt.
Dadurch können auch diejenigen Ladungsträger
abgesaugt werden, die sich sonst etwas weiter vom Gate
entfernt befinden.
4
(2) Verringerung der Stromverstärkung von T1. Dadurch
wird der Abschaltvorgang beschleunigt.
→ Schwermetalldotierung (Gold, Eisen) der mittleren
N-Schicht → zusätzliche Rekombinationszentren
→ Anodenkurzschlüsse (Shortung): fingerförmige
Verzahnung der oberen P/N-Schichten
 Rückwärtssperrfähigkeit geht weitgehend
verloren
Gehäuseformen
Anforderungen: Unterer Leistungsbereich Oberer Leistungsbereich
 Passend für dünne Halbleiterscheiben  Kunststoffgehäuse  Metallboden als Flansch
 Isolierend  Metallfahnen zur oder Schraubstutzen
besseren Kühlung  Boden gleichzeitig einer
 Gasdicht
 Anschlüsse: Drähte der Anschlüsse
 Schutz vor äußeren Einflüssen oder Blechfahnen  Anschlüsse: isolierte,
 Wärmeabfuhr  Häufig mehrere flexible Leitungen
Halbleiter in einem
Bauelement
4
Stromverstärkung eines Transistors: Verhältnis vom Kollektorstrom zum Basisstrom
Michael Kraft, 2015

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Gesamtübersicht über alle Leistungshalbleiter

Leistungs- Vor-/Nachteile
Schaltbedingung Anwendungsgebiete
Schalter-Element Schaltverhalten (Zeitverzögerung) Schaltungsverluste
Diode  passiver Schalter  Einschaltverzögerung:  Einschaltverluste:  Gleichrichterschaltungen
(Ein-/Ausschaltbedingungen werden → Sperrschicht des PN-Übergangs → kurzzeitige Überhöhung der
über den Lastkreis vorgegeben) muss erst mit Ladungstägern Durchlassspannung
geflutet werden
 Ausschaltverluste:
 Ausschaltverzögerung: → Rückwärtsstromspitze
→ Durch die Rückwärtserholzeit
(Ausräumen der
Minoritätsträger) vorgegeben
Transitor
1. Bipolarer  stromgesteuert  vergleichsweise lange Schaltzeiten  relativ hohe Schaltungsverluste  bei hohen Frequenzen
Transisor (bleibt nur so lange leitend, solange ein (Darlington-Schaltungen noch länger) (können aber durch Beschleunigung (konstanter Basisstrom not-
Basisstrom fließt) des Schaltvorgangs minimiert werden) wendig um Transistor leitend
zu halten)
2.1 FET  spannungsgesteuert  Kapazitäten der Raumladungs-zonen  Auf-/Entladen der Eingangs-  bei hohen Strömen
 rückwärts leitend (Inversdiode) bewirken verzögerte Ein- kapazität bedingt einen Stromfluss  bei niedrigen Frequenzen
/Ausschaltung (Verlustleistung) (kann leistungsfrei leitend
 Etwas schneller als bei bipolaren  relativ hoher Durchlasswiderstand gehalten werden)
Transistoren  Geringere Verluste als bei  bei niedrigeren
bipolaren Transistoren Spannungen
2.2 IGBT  spannungsgesteuert  etwas langsamer als bei  relativ geringer  bei hohen Strömen
 sperrt in Rückwärtsrichtung Feldeffekttransistoren Durchlasswiderstand  bei niedrigen Frequenzen
 Geringere Verluste als bei (kann leistungsfrei leitend
Feldeffekttransistoren gehalten werden)
 bei höheren Spannungen
Thyristor  stromgesteuert  relativ lange Schaltzeiten  Etwas höhere Verluste aus bei  bei sehr hohen Strömen
(kurzer Impuls reicht jedoch aus um Transistoren und Sperrspannungen
Thyristor zu zünden)  bei niedrigen Frequenzen
 kann nicht gezielt ausgeschaltet  in Wechselstromkreisen
werden (wird durch Lastkreis bestimmt) (schaltet sich in der neg. HW aus)
→ Ausnahme GTO-Thyristor → z.B. Phasenanschnittssteuerung
 sperrt in Rückwärtsrichtung
Michael Kraft, 2015

13
Schutz von Leistungshalbleitern

Überspannungsschutz
 In Stromkreisen treten praktisch immer "parasitäre Induktivitäten" und "parasitäre Kapazitäten" auf
 Streuinduktivitäten von enstehen zwischen den Anschlüssen

Transformatorwicklungen elektronischer Bauelemente und
 Serieninduktivitäeten von Kabeln zwischen Leiterbahnen auf Patinen
 bei Abschalten hohes → kurzfristig hohe Spannungen möglich
Maximale Sperrspannung
URRM: maximale Sperrspannung 1,1: zulässige Überhöhung der Speisespannung
URRM > k 1,1 k: Sicherheitsfaktor (interne Überspannung) → 1,5-2.5 : Scheitelwert der periodischen Sperrspannung
Spannungsspitze
berechnet sich aus der
Masche des Lastkreises:
uT = -uL + us - ud
TSE-Schutzbeschaltung (Trägerspeicherffekt)
(1) Schalter (hier Thyristor) schaltet ab
(2) Strom iT wird durch LS weitergetrieben und fließt durch
die Diode Dsnubber und läd den Kondensator Csnubber auf
(3) Nach dem Einschalten des Schalters entläd sich der
Kondensator über den Widerstand Rsnubber
Überstrom- und Kurzschlussschutz

Schutz von Dioden und Thyristoren: 2
Grenzlastintegral (i t):Energie, die in
 Schnelle Schmelzsicherungen Form von Verlustwärme im
→ in den Wechselstromzuleitungen: Schützen den gesamten Stromrichter Bauelement gespeichert werden kann
→ als Zweigsicherungen den eizelnen Halbleitern direkt vorgeschaltet
 Grenzlastintegral der Sicherung muss kleiner als das Grenzlastintegral (für t=10ms) des
Bauelements sein
Schutz von Transistoren:

 Überlast führt zur Entsättigung des Transistors
→ Arbeitspunkt verlässt den Sättigungsbereich und wnadert in den aktiven Bereich: Kollektor-
Emitter-Spannung steigt überproportional an
→ In Kombination mit hohen Kollektorströmen: hohe Durchlassverluste
 Sehr schneller Schutz erforderlich (t ≤ 10 s)
 Erkennung des Kurzschlusses
→ Messung des Kollektorstroms oder der Kollektor-Emitter-Spannung und vergleichen mit
Referenzwert und ggf. Abschalten mittels Treiberstufe des Steuerkreises
→ Überwachung für die Dauer des Einschaltens deaktivieren
Michael Kraft, 2015

14
Erwärmung und Kühlung von Leistungshalbleitern

Verschiedene Verlustarten
Verluste bei Thyristoren
 kurze impulsförmige Ansteuersignale → Ansteuerverluste sind vernachlässigbar
Durchlassverluste:
 bestimmen die Strombelastbarkeit
Diode: PF = UF(T0) IFAV + rD = UF(T0) (t) dt + rD (t) dt

Thyristor: PF = UT(T0) ITAV + rT = UT(T0) (t) dt + rT (t) dt
Mittelwert des Durchlassstromes Effektivwert des Durchlassstromes
Schaltverluste (Diode):
Speicherladung während der Rückwärtserholung
PVSD = fS Ud
(wird bis zum Aufbau der Sperrspannung zum großen Teil ausgeräumt)
Sperrspannung bei Abschalten
Verluste bei Transistoren

Durchlassverluste:
MOSFET: PVDS = rDS (on)
→ unipolares Bauelement → kein PN-Übergang → keine Schleusenspannung
IGBT: PVDS = US(T0) ISAV + rS diff

= Schleusenspannung Schalterstrom-Mittelwert + Schalterstrom-Effektivwert different. Schaltwiderstand
→ bipolares Bauelement → PN-Übergänge vorhanden → Beachtung der Schleusenspannung
Schaltverluste:
Schaltfrequenz
MOSFET / IGBT: PVSS = (WS on + WS off) fS
Verlustenergie Verlustenergie
beim Einschalten beim Ausschalten
Wärmetransport und Kühlung

 Einwandfreie Funktion von Leistungshalbleitern setzt Thermisches Ersatzschaltbild:
die Einhaltung der maximalen
Sperrschichttemperatur voraus
→ Verlustleistung ensteht an der Sperrschicht des
Halbleiterkristalls
 ggf. Kühlung der Bauteile (Konvektionskühlung,
Ventilatoren, Flüssigkeitskühlung)
→ Wärme wird über das Gehäuse an den Kühlkörper
und von dort an die Umgebung abgegeben
Thermische Kenngröße Elektrische Kenngröße
Wärmeenergie [J,Ws] Ladung Q [As,C]
Wärmestrom V [W] Strom I [A]
Temperaturunterschied [K] Spannung U [V]
Wärmewidertand Rth [K/W] Widerstand R [Ω]
Wärmekapazität Cth [Ws/K] Kapazität C [As/V,F]
Michael Kraft, 2015

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Wärmewiderstand Wärmekapazität
 Gibt an, um wie viel Kelvin sich die Temperatur  Beschreibt das Wärmespeicherermögen eines
des Materials erhöht, wenn ein Wärmestrom Materials und damitauch die Geschwindigkeit
einer bestimmten Leistung hindurchfließt seiner Termeraturänderungen als Reaktion auf
einen bestimmten Wärmeeintrag
Rth =
Cth= CMat V p
Wärmeenergie Wärmezeitkonstante
Material Thermische Zeitkonstante
WV = P V t | WV = CMat m TTH =Rth Cth Silizium 2 ms
Gehäuse 2s
Kühlkörper 2 - 20min
Berechnung des Kühlkörpers

(1) Maximal mögliche Umgebungstemperatur U bestimmen, bei der der Kühlkörper noch in der Lage ist,
den Wärmestrom nach außen abzugeben
(2) Maximal zulässige Sperrschichttemperatur J aus Datenblatt entnehmen (Siliziumhalbleiter: 170°C)
(3) Auslegung des Widerstandes des Kühlkörpers, sodass die Sperrschichttemperatur nicht überschritten
wird:
Für den Stationären Dauerbetrieb können die
= J- U=PV Zth Wärmekapazitäten vernachlässigt werden.
= J - U PV (Rth JG + Rth GK + Rth Ku)
=
→ Rth JG: Sperrschicht → Gehäuse
J= U + PV (Rth JG + Rth GK + Rth Ku) < ??
Rth GK: Gehäuse → Kühlkörper
→ Rth KU < - Rth JG - Rth GK Rth KU: Kühlkörper → Umgebung
(4) Auswahl des geeigneten Kühlkörpers aus Tabelle
Anwendungsgebiete der Leistungselektronik
Gleichstromsteller:
 Tiefsetzsteller
 Hochsetzsteller
 Mehrquadrantensteller
Stromrichterschaltungen:
 zur Umwandlung einer eingespeisten elektrischen
Stromart (Gleichstrom, Wechselstrom) in die jeweils
andere, oder zur Änderung charakteristischer
Parameter wie der Spannung und der Frequenz
 häufig auch beides in einem Gerät (z.B. PC-Netzteil)
Michael Kraft, 2015

16
Stromrichterschaltungen (mit Dioden und Thyristoren)

Bezeichnung von Stromrichterschaltungen
Beispiel: M 2 C
Anzahl der Pulse pro C: Controlled (Thyristor)

Mittelpunktschaltung
Vollschwingung U: Uncontrolled (Diode)
Einpuls-Gleichrichter (M1)
Aufbau
Zunächst: Rein ohm´sche Last
Funktionsweise
Ungesteuerter Einpuls-Gleichrichter
Einschaltbedingung: uT > 0
Ausschaltbedingung: ud = 0, id = 0
Gesteuerter Einpuls-Gleichrichter Einschaltbedingung: uT > 0 und iGate > 0

Ausschaltbedingung: ud = 0, id = 0
Steuergesetz
 Beschreibt den Zusammenhang zwischen dem
Steuerwinkel und dem Mittelwert der
pulsierenden Aushangsgleichspannung
 Ausgangsspannung ist durch Änderung stufenlos
einstellbar
 Höchstwert bei
→ ideelle Gleichspannung: Udi0 =
Steuerkennlinie:
Allgemeines Steuergesetz: Udi� = (1 + cos )
Steuergesetz bezogen auf Udi0: =
Michael Kraft, 2015

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Zweiphasige Mittelpunktschaltung (M2)

Aufbau
 Parallele Anordnung zweier M1C-Schaltungen
→ Verringerung der Welligkeit
 Jeweils an die Hälfte einer Sekundärwicklung
eines Transformators angeschlossen
 Us1 und us2 sind gegenphasig
→ zweiphasiges System
Us12 = us1 - us2 = uN
Funktionsweise
Vollaussteuerung:
 Zündung beider Thyristoren am natürlichen
Zündzeitpunkt
→ Positiver Nulldurchgang der Ventilspannung
 Ausschaltzeitpunkt: negativer Nulldurchgang idealisiert: keine Durchlassverluste
 Jeder Ventilzweig leitet während einer Halbperiode
→ Zweipulsiger Verlauf von ud und id
Teilaussteuerung:
 Verzögerung um einen Steuerwinkel (rechts: 45°)
 Ausschaltzeitpunkt: negativer Nulldurchgang
 Udi geht zurück
 Stromlose Pausen (Lückbetrieb)
→ In diesen Pausen wird der entsprechende Thyristor
in Vorwärtsrichtung beansprucht (u T > 0)
Stromglättung
 Beim Betrieb von Motoren verursacht die
Stromwelligkeit eine Welligkeit des Drehmoments
(M = k2 id)
→ "Rüttelmomente" (unruhiger Lauf)
→ Lückbetrieb verstärkt diesen Effekt zusätzlich
 Glättungsinduktivität im Lastkreis
→ an der Induktivität fällt der gesamte Wechselanteil Glättungszeitkonstante: TL =
von ud ab, am Widerstand der Gleichanteil
(gibt an wie schnell der Strom
→ je größer die Induktivität gewählt wird, umso absinkt bzw. ansteigt)
größer ist ihr induktiver Widerstand und umso
Wirkungsweise der Drosselinduktivität:
kleiner ist der Wechselanteil des Stromes id
 Strom verspätet sich, Thyristoren zünden aber zur gleichen Zeit
Ziel: konstanter Strom  Strom sinkt nicht mehr so weit ab bis er wieder ansteigt
→ Kurve wird flacher (Glättung)
 bei konstanter Spannung → Kondensator
Michael Kraft, 2015

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Steuergesetz
Allgemeines Steuergesetz: Udi� = US cos
Steuergesetz bezogen auf Udi0: = cos (Udi0 = US)
Besonderheit der Schaltung ("Quadranten-Umsetzer"):

Es sind auch negative Ausgangsspannungen möglich, d.h. ein
Motor kann gleichzeitig auch als Generator betrieben werden.
Bauleistung des Transformators

ST: Bauleistung
 Die durch die Wicklungen des Transformators
SP: Scheinl. der Primärseite
fließenden Ströme sind nicht sinusförmig, ST = = 1,34 Pd SS: Scheinl. der Sekundärseite
enthalten also Oberschwingen Pd: GS-Leistung der Schaltung
 Diese Oberschwingen tragen bei sinusförmiger
 Die Bauleistung des Transformators muss um 34%
Versorgungsspannung nicht zur Lieferung von
größer sein als die von der Schaltung gelieferte
Wirkleistung bei, erwärmen jedoch die Wicklungen Gleichstromleistung
 Bauleistung > Gesamtstromleistung der Schaltung
SS = 2USIS = 2 = 1,57Pd | SP = UPIP = d = 1,11Pd
Dreiphasige Mittelpunktschaltung (M3)
Aufbau und Funktionsweise

Vollaussteuerung
 derjenige Thyristor ist stromführend, dessen
Anode das höchste Potential aufweist
 andere Thyristoren werden in Sperrrichtung
betrieben, führen also keinen Strom
weshalb die Ventilspannung null ist
 einzelne Thyristoren leiten abwechselnd
nacheinander
 Natürlicher Zündzeitpunkt:
T1 zündet sobald die verkettete Spannung
uT1 = us13 + uT5 = us13 us13 ihren positiven Nulldurchgang hat, also
wenn us1 > us3
Mittelwert der pulsierenden Gleichspannung:

 hat die dreifache Frequenz der Netzspannung
Integration über 1/3 der Periodendauer reicht aus, da

die Zeitverläufe identisch sind
Verlauf der Ventilspannung: Beispiel: T3 leitet

(1) Thyristor leitet: uT = 0
(2) Thyristor sperrt: uT = uV (jeweilige verkettete Spannung) T3 führt Strom in den stromlosen Pausen
(3) Stromlose Pause: uT = ust (jeweilige Strangspannung) uT3 = 0 uT3 = 0
uT1 = us1 - us2 + uT3 = us12 uT1 = us1 - ud = us1 - id R = us1
uT5 = us3 - us2 + uT3 = -us23 uT5 = us3 - ud = us3 - id R = us3
Michael Kraft, 2015

19
Teilaussteuerung
Steuergesetz im nicht lückenden Betrieb ( < 30°)

 es wird stets der nächste Thyristor gezündet,
bevor die Ausgangsspannung den Wert null
erreicht
= cos = cos
= Udi0 cos
Steuergesetz im lückenden Betrieb (30° < < 150°)
= (1 + cos(30° + ))
Steuerwinkel größer 150° sind bei ohmscher Last nicht möglich, da dies einem Winkel t = 30° + = 180° entspricht und
dabei die Sinusspannung gerade wider negativ wird. Damit ist ein wichtiger Teil der Einschaltbedingung (pos. Spannung über
dem Thyristor) nicht mehr erfüllt.
Ideale Stromglättung
 Bemessung der Drosselspule, sodass der Strom
id(t) vollständig geglättet ist und auch bei
Teilaussteuerung keine Stromlücken mehr
auftreten
 Voraussetzung:
Weder die Spule noch die Ankerwicklung des Motors
weisen einen ohm`schen Widerstand auf
MW: = Id = 0,33 Id
 es gilt dann: TL = EW: = Id = 0,577 Id
 die Thyristorströme sind einzelne rechteck-
förmige Stromblöcke mit einer Leitdauer von
120°, welche gemeinsam einen gleichmäßigen
Stromverlauf von id bilden
Wechselrichterbetrieb
 Steuerwinkel > 90°
→ Gleichspannungsmittelwert wird negativ
→ Umpolung der Ausgangsspannung
→ Stromrichtung kann sich aufgrund der Ventile nicht
ändern und bleibt positiv
 Motor läuft im Generatorbetrieb und wird extern
angetrieben
 Die erzeugte Energie wird über den Wechselrichter
ins Drehstromnetz eingespeist
 M3C-Schaltung ist ein Zweiquadrantenstromrichter!
Michael Kraft, 2015

20
Kommutierung (Stromübergang von einem Ventil auf das nächste)

 bisherige Unterstellung: Laststrom wird schlagartig durch den neu gezündeten Thyristor
übernommen
 Modellungenauigkeit: Ströme können sich wegen der unvermeidlichen Induktivitäten nicht
sprungartig ändern
 Modellverbesserung: Beim Übergang vom einen auf den anderen Thyristor gibt es eine ZEit, in
der zwei Ventile gleichzeitig/parallel den Strom leiten
(1) T1 leitet, T3 und T5 sperren
 es fließt allein der Strom Id (Alleinzeit)
(2) T1 leitet, T3 leitet und T5 sperrt

 T3 zündet
 iT1 bleibt wegen LK im Ventilzweig von T1 bestehen
 T1 und T3 leiten
 (Überlappungszeit bzw. Überlappungswinkel u)
uK = us2 - us1 = us21
= LK + uT3 - uT1 - LK = LK
Beide Ventile leiten, weshalb deren Spannung jeweils null ist
iK + is1 = Id → + = =0 → =-
iT3 = iK | iT1 = is1 = Id -iK

(3) T2 leitet, T1 und T3 sperren
 iK fließt iT1 entgegen da Id konstant bleibt
 iT1 wird auf null gebracht (Abkommutieren)
 IT3 steigt auf id an (Aufkommutieren)
Kommutierungsvorgang ist abgeschlossen.

Kommutierungsdauer hängt vom Steuerwinkel, der
Kommutierungsinduktivität und vom Laststrom ab.
Abhängigkeit des Überlappungswinkels

 vom Steuerwinkel: << 90° → u: groß (da uK klein)
< 90° → u: abnehmend
= 90° → u: minimal (da uK maximal)
> 90° → u: zunehmend
 von der Kommutierungsinduktivität: je größer LK, desto größer u
(da eine größere LK den Stromauf- und abbau verzögert)
 Vom Laststrom Id: je größer Id, desto größer u (da es länger dauert bis iK = Id)
Michael Kraft, 2015

21
Auswirkung der Überlappung:

 vermindert die Ausgangsspannung des Stromrichters Ersatzschaltbild während der
Kommutierung:
uxK = us1 - us2 → uxK = (us1 - us2) =  kein Spannungsabfall an den
Thyristoren
I.d.R. sind die Induktivitäten und damit die Impedanzen
gleich groß (Spannungsabfall jeweils genau die Hälfte).
Für die Ausgangsspannung gilt somit für die Dauer der

Kommutierung:
ud(t) = us1 - uxK = us1 - (us1 - us2) =
Aufgrund der Kommutierung verringert sich der Mittelwert

der Ausgangsgleichspannung um den Wert Dx. Dieser Wert
ist umso größer, je höher der Gleichstrom und je größer die
Kommutierungsinduktivität ist:
Dx = = = LK Id Relative Spannungsänderung: dx =
Wechselrichtergrenze:
Idealer Stromrichter:
 Steuerwinkel zwischen 0° und 180° (solange uk > 0)
Problematik beim realen Stromrichter:

 Kommutierung ist zum Zeitpunkt TA beendet
 Zum Zeitpunkt TB wird die Ventilspannung von T1
wieder positiv
 bis dahin müssen die Ladungsträger, die in T1
gespeichert sind, noch aus dem Bauteil ausgeräumt
werden, damit T1 wieder blockieren kann Wichtig:
 Einhaltung einer Schonzeit:
 gelingt das nicht, schaltet T1 nicht ab sondern
tc = TB - TA = 1,5 tq (tq: Freiwerdezeit)
beginnt erneut zu leiten und der Strom durch T1
steigt immer weiter an Löschwinkel: = tc
→ Der Wechselrichter "kippt"  Grenzen des Steuerwinkels:
0° < < 180° - (u + )
Michael Kraft, 2015

22
Vollgesteuerte Drehstrom-Brückenschaltung (B6C)

 Besteht aus einer Reihenschaltung von zwei
M3C-Schaltungen
→ einer der beiden ist mit verbundenen
Katoden ausgeführt
Kathodenseite
→ die andere mit verbundenen Anoden
 Verdoppelung des Mittelwertes der
Ausgangsspannung: Ud = UKA = UK0 + UA0
 geringere Welligkeit
 Anodenseite und Kathodenseite kommutieren
unabhängig von einander
 Während des nicht lückenden Betriebs leitet
immer jeweils ein Ventil der oberen und Anodenseite
unteren Brückenhälfte
→ Leitdauer eines Ventils: 120°
→ Phasenverschiebung von 60° zwischen den
Spannungen beider Brückenhälften
Umkehrstromrichter
 Mehrquadrantenstromrichter5
bisherige Stromrichter sind lediglich Zweiquad-
trantenstromrichter (Quadranten I und IV)
 Antiparallel-Schaltung zweier Stromrichter
 Kreisstromfreie Ansteuerung, um zusätzliche
Verluste zu vermeiden
→ es erhält immer nur einer der beiden
Stromrichter Zündimpulse
 jeder Stromrichter deckt zwei
Betriebsquadranten ab
Eigenschaftsübersicht über alle Stromrichterschaltungen
5
Vgl. Mehrquadrantensteller S.
Michael Kraft, 2015

23
Gleichstromsteller
Begriffe
 Fremdgeführte Stromrichter
→ Kommutierungsvorgang wird durch äußere Spannungen beeinflusst
 Netzgeführte Stromrichter
→ Kommutierungsvorgang wird durch Netzspnnung beeinflusst
 Selbstgeführte Stromrichter
→ Kommutierungsvorgang ohne Verwendung äußerer Spannungen
 Gleichstromsteller:
→ Umwandlung einer ungeregelten Gleichspannung einer Amplitude in eine geregelte
Gleichspannung mit anderer Amplitude
→ Selbstgeführter Stromrichter
→ Schalter müssen eine Abschaltung des Laststroms ermöglichen
 Bipolare Transistoren, FETs, IGBTs, GTOs, Thyristoren mit spezieller Löschschaltung
Anwendungen
(1) Schaltnetzteile
 Ausgangsspannung < Eingangsspannung
 häufig feste Ausgangsspannung: 5 - 48V
 Häufig mit Transformator
→ Herabsetzung der Spannung
→ Galvanische Trennung
(2) Gleichstromantriebe Idealisierte Bedingungen:

 Ausgangsspannung muss regelbar sein  Transformator nicht berücksichtigt
→ Spannungsregelung zur Drehzahlsteuerung  Eingangsspannungsquelle nicht berücksichtigt
→ Galvanische Trennung  ideale Schalter
 Verluste in Speicherelementen werden
vernachlässigt
Tiefsetzsteller
 Verstellung des Mittelwerts der Ausgangsspannung
durch Steuerung der Ein- und Ausschaltdauer des
Schalters (PWM: Pulsweitenmodulation)
→ Verstellen der Steuerspannung USteuer
 Schalter wird über einen separaten Steuerkreis
gesteuert
→ Komparator vergleicht die Sägezahnspannung USZ USteuer Steuerspannung
mit einer Steuergleichspannung USteuer Sägezahnspannung
uSZ
Schaltbedingungen: TS Periodendauer der Schaltfrequenz
USZ < USteuer: Schalter ist eingeschaltet (u0(t) = Ud) fS Schaltfrequenz
USZ > USteuer: Schalter ist ausgeschaltet (u0(t) = 0) tein Einschaltdauer
D Tastgrad
uSZ(t) = tein = USteuer → tein = TS
Michael Kraft, 2015

24
Zeitverläufe: Mittelwert der Ausgangsspannung:

U0 = Ud = D Ud
= TS Ud = Ud = D Ud
D= =
Ausgangsspannung < Eingangsspannung

 Name: Tiefsetzsteller
Realer Tiefsetzsteller
Problematiken:
 sehr hohe Spannungsbelastung des
Schalters beim Ausschalten durch
Streuinduktivitäten
 unerwünschtes Springen der
Ausgangsspannung zwischen null und Ud
Anpassung der Schaltung: Ausgangsspannung und -strom können nur

 Tiefpass-Filter und Freilaufdiode am positive Werte annehmen
Ausgang  Einquadrantengleichstromsteller
Dimensionierung des LC-Filters:
Kondensatoren sind nur in abgestuften Größen
erhältlich. Deshalb wird die Induktivität passend zur
fC = = 0,01 → L = benötigten Resonanzfrequenz gefertigt.
Stromwelligkeit / Stromschwankungen
Transistor eingeschaltet
 Diode wird in Sperrrichtung belastet (iD = 0)
 Spannung am Filtereingang: uof = Ud
 Spannung der Induktivität: uL = Ud - U0 (positiv)
 iL = iT (zunehmend)
 Quelle gibt Energie an die Induktivität und die
Last ab
Transistor ausgeschaltet
 Spule treibt den Strom durch die Freilaufdiode
 Spannung am Filtereingang: Durchlassspannung
der Diode
 Kondensator entlädt sich entgegen iL, woraufhin Straffierte Flächen: Spanungszeitflächen der
dieser abnimmt Induktivität (1. L läd sich auf/ 2. L entläd sich)
 Die in der Induktivität gespeicherte Energie wird
an die Last abgegeben
Stromwelligkeit IL ist maximal bei tein =
Dimensionierung der Spule: (mit tein = und U0 = Ud )
Begründung/Herleitung:
IL = tein = tein → Lmin = tein → Lmin =
 Ud für U0 einsetzten
 nach tein ableiten und Extrempunkt bestimmen
(nach tein auflösen)
Michael Kraft, 2015
25
Lückbetrieb
 bei kleinen Strömen
 Drosselstrom iL und somit auch uL wird
zeitweise null
→ es entfällt die graue Spannungszeitfläche:
Lücke entsteht
→ Mittelwert der Ausgangsspannung U0 steigt
an Mittelwert des Drosselstroms an der Lückgrenze:
 Lückgrenze: Drosselstrom erreicht am Ende
der Schaltperiode gerade den Wert null
Hochsetzsteller
Michael Kraft, 2015

26
Mehrquadrantensteller
n Ud
Bremsen Treiben
M
n M n
II I Generator Motor
Rechtslauf Rechtslauf
M Id
Treiben Bremsen
M
n M
III IV n Motor Generator
Linkslauf Linkslauf
Seitenverweis auf Seite 23 (Fußnoten)
Michael Kraft, 2015

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Lernzettel Elektronik - 4.

Michael Kraft, 2015

Michael Kraft, 2015

Allgemeine Werte Mittelwert

Bei Rechtecksspannung: = D (D: Tastgrad)

Effektivwert (RMS – Root Mean Square) Gleichrichtwert

analog beim Strom

 Bei Funktionen unterschiedlicher Frequenz:

 Bei Rechtecksspannung: Ueff = (D: Tastgrad)

Formfaktor Scheitelfaktor (Crest-Factor) Klirrfaktor (THD – Total Harmonic Distortion)

Michael Kraft, 2015

Wirkleistung:P = U I cos( ) P = [P] = W

Blindleistung:Q = U I sin( ) Q = [Q] = var

Strom und Spannung ohne Phasenverschiebung (Widerstand)

Strom und Spannung mit 90° Phasenverschiebung (Spule/Kondensator)

Komplexe Darstellung der Leistung

Leistung bei nicht-sinusförmigen Größen

Darstellung durch eine unendliche Summe sinusförmiger

Verkettete Spannung (UV) Strangspannung (Ust)

Michael Kraft, 2015

Zur Schaltung werden Leistungshalbleiter verwendet

Idealer und realer Schalter

Idealer Schalter Realer Schalter

Michael Kraft, 2015

Leistungshalbleiter zur Schaltung

Michael Kraft, 2015

Schaltverhalten von Dioden

Einschaltvorgang einer realen Diode

Ausschaltvorgang einer realen Diode

 Unterschreitung der Nulllinie: in der Diode fließt

 Nach Ablauf der Rückwärtserholzeit trr ist der

Michael Kraft, 2015

 freie Elektronen können in der Basis nur zu einem

Arbeitspunkt A1: Schalter ausgeschaltet Arbeitspunk A2: Schalter eingeschaltet

Michael Kraft, 2015

Lösung durch integrierte Beschaltungen:

Michael Kraft, 2015

Michael Kraft, 2015

Besondere Bauformen für die Schaltung von größeren Leistungen

IGBT (Isolated Gate BipolarTransistor)

Vergleich von (MOS-)FET und IGBT

(1) Einsatz von MOS-FETs bei niedrigen Spannungen

(2) Einsatz von IGBTs bei hohen Spannungen

Michael Kraft, 2015

 Ab der Nullkippspannung U(B0) zündet der

Michael Kraft, 2015

Schaltverhalten: Krtische Änderungsgeschwindigkeiten

 Ggf. in Reihe schalten einer Drosselspule

Michael Kraft, 2015

Wichtige Werte aus Thyristor-Datenblättern:

GTO-Thyristor (Gate-Turn-Off) - Abschaltbarer Thyristor

Funktioniert grundsätzlich bei jedem Thyristor. Beim

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Gesamtübersicht über alle Leistungshalbleiter

Michael Kraft, 2015

Schutz von Leistungshalbleitern

 Streuinduktivitäten von enstehen zwischen den Anschlüssen

 bei Abschalten hohes → kurzfristig hohe Spannungen möglich

Überstrom- und Kurzschlussschutz