Resumen Dispositivos Electrónicos

Resumen Disp.
Electrnicos
Juan Pablo Colagrande Mart
DISPOSITIVOS ELECTRNICOS
UNIDAD I: FSICA DE LAS JUNTURAS
Semiconductores: Modelo de Enlace Covalente
Celda Unitaria:
Los elementos Si (Silicio) y Ge (Germanio) tienen cuatro electrones de
valencia, correspondientes a la frmula s 2 p 2 . Se denomina a estos
materiales como elementos semiconductores. Dichos elementos cristalizan
como se ve en la figura.
Ligaduras covalentes:
A continuacin se presenta un diagrama de
ligaduras covalentes en stos elementos.
Cada tomo es representado por el ncleo y los
electrones de los niveles interiores (todos excepto
los de valencia). La circunferencia punteada
indica neutralidad de cargas.
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Rotura de las ligaduras:

El cristal esta siempre sometido a una temperatura, que le proporciona energa a sus electrones.
Si la temperatura es T = 0K , entonces el material no conduce, pues los electrones estn ligados
totalmente. A esa temperatura, el semiconductor se vuelve aislante.
Si la temperatura es T > 0K , algn electrn adquirir una energa cintica que le permita vencer
la barrera de potencial y podr romper la ligadura, y pasar a ser un electrn libre. Adems, este
electrn deja una ligadura rota, que trata de reconstruirse con un electrn vecino. Cuando lo hace,
queda la ligadura vecina rota, generando as sucesivamente un hueco libre.
Este electrn libre permite la conduccin de electricidad. Tambin el hueco libre la permite, ya
que se comporta como una carga positiva en movimiento.
Hay que tener en cuenta que ambas cargas nunca se sitan en el espacio interatmico, pues ah
existe una barrera de potencial muy alta. Cunticamente suponemos que el electrn y el hueco
simplemente se transfieren de tomo en tomo sin haber desplazamiento fsico a travs de la
estructura.
Veremos tambin que el hueco tambin tiene masa. Pero para hablar de la masa de estos entes,
utilizaremos el concepto de masa efectiva, ya que este resume todos los efectos cunticos que
U.T.N. F.R.M.
-1-
Dispositivos Electrnicos
Resumen Disp. Electrnicos
afectan a los mismos. La siguiente tabla muestra los valores relativos de las masas efectivas
respecto del valor de la masa del electrn en reposo.
Electrn
Hueco
Silicio
m = 1,1.me
m = 0,59.me
Germanio
m n* = 0,55.me
m *p = 0,37.me
*
n
*
p
Semiconductores intrnsecos:
En un semiconductor intrnseco, vale decir puro (intrnseco porque sus propiedades vienen definidas
desde el interior del material), a temperatura ambiente hay dos cargas libres que permiten la conduccin:
los electrones y los huecos. Para ello, cada electrn adquiere trmicamente una energa de 1,1eV si el
material es Silicio, o 0,7eV si es Germanio.
A dicha temperatura ( T 300K ) en el Silicio aproximadamente 1 de cada 1012 electrones adquiere esa
energa y escapa del enlace. Si consideramos que hay aproximadamente 10 22 tomos por cm 3 de
material, entonces tendremos una concentracin de electrones libres de:
ni 10 22
ni 1010
at
1 el
. 12
3
cm 10 at
el
10 el
y pi 10
3
cm
cm 3
siendo ni y p i la concentracin de electrones y huecos respectivamente en el material.

En todos los casos, los electrones se recombinan nuevamente con los huecos, pero al mismo tiempo se
vuelve a generar otro electrn libre. Hay entonces un equilibrio dinmico en el material que mantiene la
concentracin relativamente constante.
Semiconductores no intrnsecos (o extrnsecos):

Un semiconductor no intrnseco (o extrnseco, porque las propiedades se definen desde afuera) es aquel al
que se le ha agregado cierta concentracin de impurezas. Hasta ahora la presencia de electrones o huecos
se deba a la rotura trmica de las ligaduras y por lo tanto, estaban balanceadas en nmero. Veremos
ahora que agregando pequeas concentraciones de impurezas al material, las cantidades de electrones o
huecos diferirn una con otra.
Tipo N:
Se llaman impurezas donoras a las concentraciones de materiales del grupo V de la tabla
peridica, vale decir que tienen 5 electrones de valencia (pentavalentes), por ejemplo: Arsnico o
Fsforo.
Agregar impurezas donoras es una forma de agregar electrones libres sin agregar al mismo
tiempo huecos, y sin romper la neutralidad elctrica. Slo puede hacerse esto si agregamos
pequeas concentraciones, de modo que los tomos de cada elemento estn lo suficientemente
dispersos en el cristal como para no interactuar entre s.
Grficamente esto sera:
U.T.N. F.R.M.
-2-

+4
+4
+4
Quinto Electrn del tomo pentavalente
+4
+5
Sigue unido aunque dbilmente al tomo

pentavalente. Slo necesito una energa de
+4
E 0,05eV
para el Silicio para
desprenderlo del enlace.
+4
+4
+4
Representaremos a la concentracin de impurezas donoras con N D 1014
at.
cm 3
Adems representaremos con n a la concentracin de portadores negativos y con p la de

portadores positivos:
n 1014
el.
(mayoritarios en el material N)
cm 3
p 10 6
h.
(minoritarios en el material N)
cm 3
Siempre se cumple que:
n. p = ni
Tremosa Pg. 35
Si la temperatura aumenta, el material tiende a la condicin intrnseca, porque los portadores

minoritarios aumentan en cantidad.
/*Estudiar los desarrollos*/
Tipo P:
Se llaman impurezas aceptoras a las concentraciones de materiales del grupo III de la tabla
peridica, vale decir que tienen 3 electrones de valencia (trivalentes), por ejemplo: Aluminio,
Indio y Galio.
Agregar impurezas aceptoras es una forma de agregar huecos libres sin agregar al mismo tiempo
electrones, y sin romper la neutralidad elctrica. Tambin debe hacerse con pequeas
concentraciones.
Grficamente esto sera:
+4
+4
+4
Electrn faltante del tomo trivalente
+4
+3
+4
No es un hueco comn, es un hueco

latente. La energa necesaria para que los
electrones vecinos enlazados llenen ese
hueco, es de
E 0,05eV
para el Silicio,
lo que provoca la existencia de un hueco

libre.
+4
U.T.N. F.R.M.
+4
+4
-3-
Representaremos a la concentracin de impurezas aceptoras con N A 1014
at.
cm 3
Las concentraciones de portadores son:
p 1014
h.
(mayoritarios en el material P)
cm 3
n 10 6
el.
(minoritarios en el material P)
cm 3
Tambin siempre se cumple que:
n. p = ni
Tremosa Pg. 35
Anlogamente con el otro tipo de material, si la temperatura aumenta, se tiende a la condicin

intrnseca, porque los portadores minoritarios aumentan en cantidad.
/*Estudiar los desarrollos*/
n
Podemos graficar la concentracin de
portadores en un material semiconductor
extrnseco con respecto a la temperatura (en
este caso a la inversa). El grfico determina
tres zonas: zona de ionizacin, zona extrnseca
y zona intrnseca. Para el normal
funcionamiento de los dispositivos, el
semiconductor debe trabajar en la zona
extrnseca, que es lo ms frecuente. All, sus
propiedades casi no varan con la temperatura.
T = 470 K
T = 50 K
Zona extrnseca
Zona
intrnseca
1
T
Zona de
ionizacin de
impurezas
Tremosa Pg. 39
Conduccin:
La conduccin elctrica en materiales conductores difiere de la misma en semiconductores. La diferencia
ms significativa radica en la naturaleza de dicha corriente.
Materiales Conductores:
vx
Cobre
E
vd
Como vemos en las figuras anteriores, los electrones van chocando a medida que van avanzando,
logrando una velocidad promedio v d y una corriente de arrastre de electrones. Obtenemos as la densidad
de corriente de arrastre:
J = n.q.v d
U.T.N. F.R.M.
-4-
donde q es la carga del electrn. Tambin podemos reemplazar v d = .E donde es la movilidad que
tienen esos electrones. Obtendremos entonces una frmula as:
J = n.q. .E
y podemos decir que la conductividad del material (inversa de la resistividad) es = n.q. , entonces
obtenemos la ley de Ohm en su expresin de: J = .E
Materiales Semiconductores:
Varias son las causas que perturban el movimiento de los portadores durante la conduccin elctrica en
semiconductores:
a) Agitacin trmica
La agitacin trmica de la estructura cristalina provoca la dispersin de los portadores, y por lo
tanto, un aumento en la resistencia elctrica. A mayor temperatura, mayor dispersin, y por lo
tanto, menor velocidad crtica (la mxima alcanzada, a partir de la cual la aceleracin es cero).
b) tomos de impurezas ionizados
Cuando los electrones o lagunas pasan cerca de un tomo donor o aceptor ionizado, son repelidos
o atrados, segn el caso. Y por lo tanto, este efecto provoca la dispersin de los portadores.
Cuanto mayor es la temperatura, menor es el efecto dispersivo de los iones (porque la velocidad
es alta, y el efecto electrosttico es dbil)
c) tomos de impurezas sin ionizar
Los tomos de impurezas sin ionizar, que slo existen de manera significativa a muy baja
temperatura, dispersan a los portadores por el efecto gravitacional de sus masas, distintas a las
masas de los tomos del semiconductor.
d) Portadores de distinta polaridad
Los electrones y los huecos se dispersan entre ellos. Cuando circula la corriente para un sentido,
ambos portadores van en sentido contrario, y si estn cerca, se atraen, distorsionando el sentido de
la corriente, y disminuyendo su componente en el sentido original.
e) Portadores de la misma polaridad
Estos producen dispersin entre ellos al pasarse cerca, pero no afectan a la corriente, debido a que
sus sentidos de circulacin se mantienen a pesar de haberse dispersado.
En los semiconductores, al tener dos tipos de portadores, vemos que la densidad de corriente de arrastre
es:
J A = n.q. n .E + p.q. p .E
En ste caso vemos que diferenciamos con un subndice A para indicar que es de arrastre, porque existe
una corriente de otra naturaleza: la difusin, que denominaremos con el subndice D.
Conductividad:
Veremos cmo vara la conductividad con la temperatura en los semiconductores intrnsecos.
U.T.N. F.R.M.
-5-
En la zona 1, la conductividad crece rpido

porque la concentracin de portadores crece
rpido debido a la ionizacin de impurezas. El
crecimiento es exponencial, por lo que predomina
sobre la disminucin de la movilidad en esa zona.
En la zona 2, la concentracin de portadores se
mantiene constante, porque prcticamente todas
las impurezas estn ionizadas y la temperatura no
es an suficiente para romper ligaduras a gran
escala. Pero la movilidad disminuye por efecto de
la dispersin trmica de los portadores, y por
ende, disminuye la conductividad. A esta zona
tambin se le llama metlica, porque el
comportamiento es similar a los metales,
disminuyendo la conductividad con la
temperatura.
En al zona 3, el nmero de portadores aumenta
rpidamente por la rotura trmica de ligaduras.
Este aumento, como es exponencial, predomina
sobre la disminucin de la movilidad.
Los nombres de las zonas se deben a la
dependencia de la conductividad con esos hechos.
Tremosa Pg. 40
Supongamos ahora un cristal semiconductor con una concentracin de portadores mucho mayor en un
lado con respecto al otro:
Como hay diferencia de concentraciones, se
DIFUNDEN portadores de un lado al otro.
n=1000
n=10
495
500 500
500
(+)
(-)
Al difundirse los portadores se crean excesos

de cargas opuestas, que generan un campo
elctrico que se opone a la difusin.
Se crean as corrientes llamadas de Difusin, que dependen de cmo varen las concentraciones en el
cristal, y que se expresan como:
J Dn = Dn .q.
dn
dx
Corriente de Difusin de electrones
J Dp = D p .q.
dp
dx
Corriente de Difusin de huecos

Con esto, presente la difusin, se provoca un campo elctrico que crea una corriente de arrastre, opuesta a
la de difusin, logrando el material un equilibrio dinmico de corrientes.
U.T.N. F.R.M.
-6-
Semiconductores: Modelo de Bandas de Energa

Principio de Exclusin de Pauli:
El principio de exclusin de Pauli establece que dos electrones no pueden tener el mismo estado cuntico
de energa. Cuando dos tomos estn lo suficientemente separados como para no notar interacciones entre
s (estado gaseoso), los niveles energticos de los electrones pueden coincidir, pero si se comienzan a
acercar (estado slido), los electrones comienzan a ubicarse en distintos niveles energticos intermedios
para no violar el mencionado principio.
Como ejemplo para visualizar esto, veremos qu ocurre en un slido con la energa de sus electrones en
funcin de la distancia interatmica. Sabemos que para los materiales semiconductores, los electrones de
los ltimos niveles tienen la configuracin s 2 p 2 . Esto nos dice que hay ocho estados disponibles y
cuatro electrones para ubicarse en ellos, por cada tomo. Al haber una cantidad grande de tomos, ocurre
lo siguiente:
a0
x
Se divide en tantos niveles distintos
que se supone continuidad
2
4
4
p2
s2
N = cantidad de partculas (muy grande)

A A = N veces la cantidad de electrones y B = N veces la cantidad de estados
B
a 0 = separacin real de los tomos
Bandas de Energa:
Al posicionarnos en la distancia real de los tomos, obtenemos el diagrama de bandas de energa del
material.
Interpretacin de las bandas:
Las bandas pueden estar llenas, casi llenas, casi vacas o vacas. El comportamiento elctrico en cada
caso es el siguiente:
a) Una banda llena no conduce corriente
b) Una banda vaca no conduce corriente
c) Una banda casi llena conduce corriente mediante el desplazamiento de huecos
d) Una banda casi vaca conduce corriente mediante el desplazamiento de electrones
Tremosa Pg. 62
Semiconductores intrnsecos:
El diagrama de bandas de energa para el semiconductor intrnseco es:
U.T.N. F.R.M.
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Banda Prohibida
Para que un electrn salte de la banda de Valencia a la

banda de Conduccin tiene que superar la banda
prohibida, donde ningn electrn puede estar.
Entonces necesita una energa de:
Banda de Valencia
E g = E C EV 1,1 eV (Si, TA )
E
Banda de Conduccin
EC
EV
La Banda de Valencia, a una temperatura de 0K se encuentra totalmente llena, pues tiene cuatro
estados y cuatro electrones. A esa misma temperatura, la Banda de Conduccin est totalmente
vaca, pues no tiene ningn electrn. A temperatura ambiente ( T = 300K ), algunos electrones de
la Banda de Valencia adquieren esa energa E g y saltan hacia la Banda de Conduccin,
permitiendo la circulacin de una pequea corriente a travs del material, debido a que hay
electrones libres en la Banda de Conduccin, y huecos libres en la Banda de Valencia.
Semiconductores no intrnsecos:
Tipo N:
En un semiconductor tipo N, el diagrama de bandas es similar, slo con una pequea
diferencia. Aparece un nivel de energa donor E d , debido a los electrones de los tomos
pentavalentes. Es evidente que ste electrn necesita una pequea energa ( 0,05 eV ) para
romper el enlace y quedar libre. Entonces, inicialmente no est en la Banda de
Conduccin. Tampoco est en la Banda de Valencia, pues de esa manera hubiera
necesitado una energa mayor para quedar en conduccin. Entonces decimos que est en
un nivel de energa donor, ubicado en la Banda Prohibida, cerca de la Banda de
Conduccin. No es contradictorio afirmar lo anterior, ya que la banda prohibida es del
semiconductor, el nivel donor es de las impurezas.
Representamos al nivel
E
donor con una lnea, pues
Banda de Conduccin
0,05 eV las concentraciones de
impurezas se suponen
EC
pequeas, para que no
Ed
interacten entre s los
tomos de las mismas. A
Banda Prohibida
mayores concentraciones,
el nivel de energa donor
EV
Banda de Valencia
se convierte en una
pequea banda de
energa.
A temperatura ambiente, todos los electrones del nivel donor pasan a la conduccin,
haciendo que menos cantidad de los electrones de Valencia salten la banda prohibida.
Quedan determinados as los dos tipos de portadores: mayoritarios, los electrones; y
minoritarios, los pocos huecos que quedan en la Banda de Valencia.
E
EC
EV
U.T.N. F.R.M.
-8-
Tipo P:
En un semiconductor tipo P, aparece un nivel de energa aceptor E a , debido a los huecos
generados por los tomos trivalentes. Los electrones que estn en la Banda de Valencia
necesitan una pequea energa ( 0,05 eV ) para ubicarse en esos huecos. Entonces, los
huecos no estn en la Banda de Conduccin ni en la de Valencia. Los ubicaremos en un
nivel de energa aceptor, que esta en la Banda Prohibida, cerca de la banda de Valencia.
No es contradictorio afirmar lo anterior, ya que la banda prohibida es del semiconductor,
el nivel aceptor es de las impurezas.
Representamos al nivel
E
aceptor con una lnea,
Banda de Conduccin
pues las concentraciones
de impurezas se suponen
EC
pequeas, para que no
Banda Prohibida
0,05 eV interacten entre s los
tomos de las mismas. A
Ea
mayores concentraciones,
el nivel de energa
EV
Banda de Valencia
aceptor se convierte en
una pequea banda de
energa.
A temperatura ambiente, una gran cantidad de electrones de Valencia ganan la energa
suficiente y pasan al nivel aceptor, y unos pocos alcanzan a saltar la Banda Prohibida.
Quedan determinados as los dos tipos de portadores: mayoritarios, los huecos en la
Banda de Valencia; y minoritarios, los pocos electrones que saltan hacia la Banda de
Conduccin.
E
EC
EV
Si impurifico al material de ambas maneras a la vez, tiende a la condicin intrnseca, pues el salto
de banda ms probable (debido a la cantidad de electrones) es el de la Banda de Valencia hacia la
de Conduccin.
Estadstica de Fermi:
Fermi formula una funcin que determina la probabilidad de encontrar electrones en un estado de energa
determinado, a una temperatura dada. Dicha funcin se expresa de la siguiente manera:
f (E , T ) =
1
1+ e
( E EF ) k .T
/*Estudiar el desarrollo*/
Tremosa Pg. 75
donde E F es la Energa de Fermi, que expresa la mxima energa que puede tener un electrn en
T = 0K ; k es la constante de Boltzman.
A continuacin vemos un grfico de dicha funcin a varias temperaturas. El de lnea continua es en el
cero absoluto. A mayores temperaturas (lnea punteada), la curva se aleja de esa condicin.
U.T.N. F.R.M.
-9-
1
0,5
EF
Al ver el grfico podemos redefinir la Energa de Fermi como la energa a la cual la probabilidad de
ocupacin vale 0,5 a cualquier temperatura.
El nivel de Fermi es siempre constante, mientras no vare la temperatura en distintos puntos del mismo
material, o las condiciones de equilibrio.
Si representamos dicha funcin sobre los diagramas de bandas para los tres tipos de semiconductores,
podemos sacar conclusiones interesantes:
Semiconductores Intrnsecos:
E
Probabilidad que
haya electrones libres
T A = 300K
EC
EF
EV
Probabilidad que
haya huecos libres
T = 0K
1
Aqu hay igual probabilidad para los electrones que para los huecos.
Material tipo N:
E
Probabilidad
mayor
EC
EF
EV
Probabilidad
menor
1
Aqu hay mayor probabilidad de encontrar electrones libres en la Banda de Conduccin que huecos en la
Banda de Valencia.
Material tipo P:
Probabilidad
menor
E
EC
EF
EV
Probabilidad
mayor
1
Aqu hay mayor probabilidad de encontrar huecos en la Banda de Valencia que electrones libres en la
Banda de Conduccin.
U.T.N. F.R.M.
- 10 -
Teora de Junturas
Juntura P-N:
La Juntura P-N es un monocristal de material semiconductor con contaminaciones distintas en sus
extremos, vale decir, con una variacin de concentracin de portadores de un extremo a otro del material.
Cabe aclarar que la Juntura P-N no es la unin o soldadura de un material N con uno P, sino un
monocristal.
Para comprender cmo funciona, supongamos dicha juntura representada en el siguiente grfico:
N
P
p>>
n>>
huecos
electrones
p<<
n<<
Al recombinarse se generan
iones negativos en el lado P y
positivos en el lado N. Esto
genera un campo elctrico
que se opone a la corriente
de difusin.
P
-
+
+
+
+
El campo elctrico es
suficiente como para producir
una corriente de arrastre, que
va a contrarrestar la corriente
de difusin. De sta manera
se llega al EQUILIBRIO
V0
P
Los portadores cercanos a

la juntura se recombinan
por difusin y los pierdo
IA
Juntura en Equilibrio
ID
Toda juntura est formada por una zona de contaminacin aceptora (tipo P) separada de una de
contaminacin donora (tipo N). El plano que depara ambas zonas se denomina plano metalrgico. En
todo el anlisis vamos a suponer que la juntura es abrupta, ya que por ms que en la realidad no sea as la
construccin, los clculos siguen siendo vlidos debido a que no dependen del tipo de perfiles de las
contaminaciones.
Cuando decimos que la juntura est en equilibrio, nos referimos al equilibrio trmico, con lo cual
afirmamos que el sistema slo interacciona con el ambiente por medio de la temperatura (no existen
efectos de luz, campos magnticos o elctricos).
En nuestro anlisis vamos a hacer una aproximacin de vaciamiento, es decir, suponemos que la zona
de transicin de la juntura (o zona de carga espacial) se vaca de portadores por difusin, dejando las
cargas fijas de los iones de las impurezas. La situacin real es bastante parecida.
Podemos visualizar algunos grficos que representan magnitudes importantes en la juntura en equilibrio.
En ste caso, se ha dibujado una impurificacin simtrica, pero puede no darse ste caso. Se debe
entender cmo variarn los grficos para la situacin mencionada.
U.T.N. F.R.M.
- 11 -
Zona P
Zona de transicin
de la Juntura
Zona N
Densidad espacial
de carga
(+)
(-)
E
Campo Elctrico
V
V0
Potencial
U = q.V
q.V0
Energa Potencial
En el primer diagrama representamos la diferenciacin de las zonas, entendiendo que todos los dems
diagramas estarn representando lo que ocurre en la zona de transicin de la juntura.
En el segundo, tenemos la densidad espacial de carga. sta carga se debe a los iones de las impurezas y
no a los portadores. Cuando las impurezas se ionizan, algunos portadores liberados cruzan la zona de
transicin y se recombinan. Como las cantidades recombinadas son iguales por ms que las
concentraciones de impurezas no lo sean, las reas de los rectngulos (vale decir la carga) deben ser
iguales.
Al haber carga en la juntura, habr un campo elctrico que representamos en el tercer grfico. Su
magnitud es representada de forma negativa debido a la direccin del mismo. Su variacin es lineal,
porque la cantidad de cargas es constante.
En el cuarto grfico vemos la distribucin de potencial, que sigue una ley cuadrtica debido a que es la
integral del campo respecto a la posicin (deduciendo de la ecuacin de Poisson).
Por ltimo, vemos en el quinto grfico la distribucin de energas de los portadores. El salto de energa
q.V0 es la diferencia de potencial existente entre ambas zonas.
Las curvas de Potencial y Campo Elctrico, se deducen de la Ecuacin de Poisson:
d 2V
=
2
dx
/*Estudiar las deducciones*/
U.T.N. F.R.M.
- 12 -
El proceso de la difusin termina cuando el campo elctrico que ese mismo proceso genera es
suficientemente intenso, y hace que la corriente resultante en la juntura sea cero. Como resultado de estos
dos procesos que se acaban de analizar, y que se produjeron al fabricar la juntura, nace el potencial V0 ,
que no puede medirse con ningn instrumento, porque es un potencial de contacto. Su valor numrico se
calcula como:
N .N
V0 = VT . ln D 2 A
ni
/*Estudiar la deduccin*/
de donde VT =
k .T
26mV es la tensin trmica, y ese valor aproximado es para T = 300 K
q
Diagrama de Bandas en la juntura P-N:

Sabiendo cmo son los diagramas de bandas de Energa para cada tipo de material, podemos unirlo
sabiendo que la energa de Fermi en todo el material es constante, cuando ste est en equilibrio.
N
EC
EC
EF
EF
EV
EV
P
EC
N
-
q.V0
EF
EV
-------------
EC
EF
++++++++++
EV
Zona de
Transicin
Nos queda la forma del mismo diagrama que dedujimos anteriormente, para cada lmite de banda.
La densidad de concentracin de portadores est representada por la cantidad de signos + y -.
Debe recordarse que es stos diagramas los electrones tratan de caer buscando el mnimo de energa
potencial, pero la agitacin trmica, representada por la expresin k.T , trata de enviar electrones hacia
niveles ms altos de energa.
U.T.N. F.R.M.
- 13 -
La Juntura P-N fuera del equilibrio:

Inyeccin Dbil:
Como en un extremo del cristal, las concentraciones de los portadores difieren de manera
descomunal, a un aumento de portadores (por algn motivo), le corresponde una variacin
relativa, para cada tipo de portador. En los mayoritarios esa variacin no se nota, en cambio en
los minoritarios s. Las variaciones de los portadores se producen, generalmente, por aplicacin
de un potencial externo a la juntura, pero puede tambin producirse por la incidencia de luz al
cristal. Para poder conectar una diferencia de potencial a la juntura, debemos soldar dos contactos
hmicos de muy baja resistencia y que no discriminen el sentido de la corriente, uno a cada lado.
Quedan delimitadas por esos contactos tres zonas: dos zonas neutras y la zona de transicin.
Para el anlisis, vamos a suponer que en las zonas neutras no se produce cada de tensin y que
los contactos son perfectos (resistencia nula para ambas situaciones).
Al polarizar en directo una juntura, se produce un aumento de portadores que llamamos inyeccin
dbil (o inyeccin de portadores minoritarios). Esto se puede ver en la zona de transicin del
siguiente grfico de concentracin de portadores:
p, n
p P0
nn 0
pn0
nP 0
p, n
p P0
nn 0
p n (0 )
n P (0)
JUNTURA EN EQUILIBRIO
POLARIZACIN DIRECTA
Al polarizar en directo la juntura, disminuye el campo elctrico que provocaba la corriente de

arrastre, permitiendo ms difusin.
Fuera de la zona de transicin, las concentraciones son:
p P0
p, n
nn 0
p, n
p P0
n P (0)
pn0
nP 0
nn 0
p n (0 )
pn (0)
n p (0 )
POLARIZACIN DIRECTA
De aqu puedo sacar una ecuacin para averiguar la concentracin de portadores en cualquier
lugar fuera de la zona de transicin:
p n ( x ) = p n0 + p (0).e
n
x
Lp
donde L p = longitud de difusin, que es la distancia promedio que ingresa el hueco antes de
recombinarse, y no es una constante.
U.T.N. F.R.M.
- 14 -
Anlogamente:
n P ( x ) = n P 0 + n P (0 ).e
x
Ln
Sabiendo que en la zona de transicin se inyectan portadores, qu sucede fuera de esa zona? No
hay ninguna fuerza que lleve a esos portadores hacia la parte externa de esa zona. Lo que los
impulsa a moverse es la energa trmica del ambiente, combinada con una fuerza de
probabilidad basada simplemente en el lugar en el que se ubican. La ley que rige ste movimiento
determina el flujo de corriente de Difusin. Las ecuaciones son las vistas anteriormente.
Tremosa Pg.: 48
Juntura en equilibrio:
Cuando la juntura est en equilibrio, existen corrientes dentro del material. Dichas corrientes son:
----
I1
I2
++++++++++
-------------
I3
I4
++++
I 1 + I 2 + I 3 + I 4 = 0 entonces I 1 = I 2 e I 3 = I 4
Polarizacin directa:
Cuando conectamos la fuente, de tal manera que el positivo de la
misma se conecte al lado P de la juntura, el potencial de la juntura
V0 disminuye a V0 V . Entonces las bandas se juntan.
----
I1
I2
++++++++++
q.(V0 V )
-------------
I3
I4
++++
En la zona de transicin nunca se genera un potencial V mayor que V0 , porque sino se quema el
diodo.
I 1 e I 4 son iguales al equilibrio. I 2 e I 3 aumentan, porque la energa que adquieren les permite
pasar la barrera.
La corriente del diodo es:
I D = I2 + I3
U.T.N. F.R.M.
- 15 -
Polarizacin inversa:
Cuando a esa juntura le conectamos una fuente, de tal manera que el
positivo de la misma se conecte al lado N de la juntura, el potencial
de la juntura V0 aumenta a V0 + V . Entonces las bandas se separan.
----
I1
q.(V0 + V )
I2
++++++++++
-------------
I3
I4
++++
De sta manera se genera una corriente de portadores minoritarios, que es muy pequea.
I 1 e I 4 son iguales al equilibrio. I 2 e I 3 tienden a 0, porque la energa que tienen que superar es
ms alta.
La corriente del diodo (que en este caso es inversa) queda determinada como:
I D = I1 + I 4
Ley de la Unin:
Sabiendo que la densidad de corriente de difusin es igual a la densidad de corriente de arrastre en una
juntura en equilibrio, podemos deducir dos relaciones interesantes.
V
p n (0 ) = p n 0 .e VT y n P (0 ) = n P 0 .e VT
Ley de la Unin
/*Estudiar la demostracin*/
Tremosa Pg.: 117
Corriente en la juntura con polarizacin directa:

De los anlisis anteriores surge la existencia de
corriente elctrica en el circuito, pues hay un
cruce de portadores de distinto signo, lo que
supone una corriente en un solo sentido.
Consideraremos el plano de anlisis a uno ubicado
dentro de la zona de transicin, donde la
recombinacin es prcticamente nula.
I np (difusin)
Viendo el grfico de concentracin de portadores

fuera de la zona de transicin cuando hay
polarizacin directa, si lo derivamos podemos
obtener el grfico de las corrientes del diodo fuera
de la misma zona.
U.T.N. F.R.M.
I
I D = I pn (0 ) + I np (0 )
I pp
- 16 -
I nn
I pn (difusin)
POLARIZACIN DIRECTA
Vemos que la suma de las corrientes de difusin I np e I pn , en su punto inicial, dan como resultado la
corriente del diodo, que debe ser constante en toda la juntura debido al principio de conservacin de la
carga. Entonces nacen corrientes de arrastre y difusin a la vez, que llamamos I pp e I nn .
Los portadores, al atravesar la zona de transicin, llegan a una zona neutra y fluyen por difusin. La zona
contraria podra proveer una cantidad mayor de portadores, pues all son mayoritarios, pero es necesario
que fluyan a travs de la zona contraria, por difusin. Entonces determinamos que la limitacin a la
corriente la impone la difusin.
Dentro de la zona de transicin, suponemos que las corrientes se mantienen iguales que en sus estados
iniciales, es decir que dentro de esa zona: I pn = I pn (0 ) e I np = I np (0 ) .
Tomamos como importante la siguiente ecuacin que deducimos grficamente en el paso anterior:
I D = I pn (0 ) + I np (0 )
A partir de ella podemos deducir la siguiente expresin, que nos da la relacin entre la tensin y la
corriente en la juntura, y por lo tanto, la caracterstica terica del diodo de juntura:
I D = I S . e VT 1
D p . p n 0 Dn .n P 0
es la Corriente de Saturacin de la juntura
+
L
L
p
n
donde I S = q. A.
Tremosa Pg.: 119
Corriente de Saturacin inversa:

Es conveniente deducir I S como resultado de una polarizacin inversa.
Fuera de la zona de transicin de la juntura, las concentraciones de portadores son:
p, n
p P0
nn 0
nn 0
pn0
nP 0
pn0
nP 0
p, n
p P0
POLARIZACIN INVERSA
Las corrientes existentes en ste caso son I 1 e I 4 , que son minoritarias y cruzan la zona de transicin por
difusin.
Calculando esas corrientes, obtendremos la expresin encontrada anteriormente para la corriente inversa
de saturacin de la juntura:
D p . p n 0 Dn .n P 0
+
I S = q. A.
L
Ln
p
En ste caso, el signo menos indica que es una corriente inversa.
U.T.N. F.R.M.
- 17 -
La misma frmula puede expresarse de otra manera:
n
I S = q. n 0 A.L p + P 0 . A.Ln

n
p
que nos dice que la corriente inversa de saturacin del diodo est formada por los portadores minoritarios
generados trmicamente dentro del espacio de una longitud de difusin, a partir de los planos que forman
la zona de transicin y hacia las zonas neutras.
Tremosa Pg.: 122
Distribucin de las corrientes:

Como se supone que en la zona de transicin no existe
recombinacin de portadores, la corriente, tanto de
huecos como de electrones, ser constante en esa zona.
Sabiendo que son corrientes minoritarias de difusin,
averiguamos su valor. Si sumamos los resultados,
obtendremos una corriente total en la zona de
transicin, pero podemos afirmar que esa misma es la
corriente que atraviesa todo el diodo.
Como las corrientes consideradas se refieren solamente a los portadores minoritarios, debemos aceptar
que los portadores mayoritarios proveen la corriente necesaria para obtener la igualdad en todos los
puntos del circuito.
En los planos de los contactos, es comn que toda la corriente sea conducida por los portadores
mayoritarios.
stas corrientes mayoritarias son de ambas
naturalezas: Difusin y Arrastre. Esto es porque en
las zonas neutras est presente un campo elctrico
muy dbil, cuyo efecto sobre los portadores
minoritarios es despreciable, pero sobre los
mayoritarios es de un orden importante. Al ser de
las dos naturalezas, el clculo de la corriente
mayoritaria resulta complicado. Pero se facilita su
comprensin viendo el grfico. Si la corriente
calculada para la zona de transicin es la misma
para toda la juntura, conociendo las corrientes
minoritarias, podemos saber que las mayoritarias
componen el resto de la corriente para alcanzar la
total.
Tremosa Pg.: 124
El diodo real:
En el diodo real, el comportamiento no es exactamente como el descrito hasta ahora. Las razones de sta
divergencia son:
a) Cadas de tensin asociadas a los campos elctricos en las zonas neutras.
Provoca la existencia de una resistencia en serie con el diodo.
b) Generacin y recombinacin de portadores en la zona de transicin.
Provoca que las corrientes en la zona de transicin no sean constantes, como se ve en el
siguiente grfico:
U.T.N. F.R.M.
- 18 -
c) Corrientes de fugas sobre las superficies de las junturas.

Provoca una variacin en la curva de polarizacin inversa del diodo, sobre todo en el
Silicio.
d) Ruptura debida a tensiones inversas excesivas.
Provoca la regin Zner del diodo.
Tremosa Pg.: 128
Capacidades de transicin y de difusin:

Ancho de la juntura:
Basndose en la aproximacin del vaciamiento, se llega a una distribucin lineal, idealizada, en la
distribucin de cargas y campos elctricos. Para poder determinar los efectos capacitivos de la
juntura, usando sta aproximacin, debemos conocer el ancho de la zona de carga espacial, con lo
cual conoceremos la distancia entre las placas del capacitor que asociamos a la juntura.
El ancho de dicha zona es:
l=
2..(V0 V ) 1
1
+
q
ND NA
Tremosa Pg.: 130
Capacidad de Transicin:
Si se aplica una tensin V a una juntura (generalmente en polarizacin inversa) y se provoca una
variacin dV , las cargas almacenadas en la zona de transicin de la juntura varan en dQ . Una
variacin de cargas almacenadas al variar la tensin aplicada, implica un efecto capacitivo. Se
define como capacidad de Transicin a:
Cj =
dQ . A
=
dV
l
donde l es el ancho de la juntura deducido anteriormente, es la constante dielctrica del

semiconductor, y A es el rea transversal del diodo. Obsrvese que la frmula es idntica a la de
un capacitor de placas paralelas.
En ste caso, la distancia l vara con la tensin aplicada al diodo y, por lo tanto, vara la
capacidad. sta propiedad se utiliza para disponer de capacidades variables electrnicamente, y
cuando al diodo de juntura se lo utiliza aprovechando sta propiedad se lo llama Varactor o
Varicap.
Hemos visto que al polarizar en inverso una juntura se genera una capacidad de transicin. Ella
tambin existe cuando se polariza en directo al diodo, pero en esas condiciones la corriente
U.T.N. F.R.M.
- 19 -
directa, de gran valor, enmascara su efecto. Veremos que en esas condiciones, hay una capacidad
ms importante.
Tremosa Pg.: 133
Capacidad de Difusin:
Cuando polarizamos la juntura en directo, y variamos la tensin aplicada, aparece una nueva
capacidad, denominada capacidad de Difusin:
V
q2 A
( pno .L p + n p 0 .Ln ).e VT
CD =
2.k .T
sta capacidad es directamente proporcional a la corriente del diodo.

Tremosa Pg.: 135
Dinmica de los diodos de Juntura

Generalidades:
Existen dos causas principales que provocan corrientes en el diodo cuando la tensin vara:
a) Variacin de la carga almacenada en las zonas neutras:
Existir corriente de inyeccin de portadores para aumentar o disminuir la cantidad de portadores
almacenados en las zonas neutras. La inyeccin de portadores minoritarios en una zona neutra
significa el arrastre de portadores mayoritarios en sentido contrario, para mantener esa
neutralidad. Es as como se almacenan, en una misma zona, portadores mayoritarios y
minoritarios, vale decir, cargas positivas y negativas en cantidades iguales. La similitud con un
condensador, en el cual siempre se almacenan cargas iguales y de distinto signo, es muy grande.
La diferencia fundamental, es que en la juntura, la distribucin de cargas es espacial y no
superficial.
b) Variacin de la carga almacenada en el dipolo de cargas fijas, en la zona de transicin de la
juntura:
Habr corriente en los terminales del diodo, pues una variacin en las cargas fijas significa un
flujo de electrones y lagunas que son las que las neutralizan. No debe olvidarse que el aumento de
las cargas fijas se debe a que electrones y lagunas, en iguales cantidades, se retiran de la zona de
transicin; y la disminucin se debe a que electrones y lagunas, en iguales cantidades, fluyen
hacia la zona neutralizando cierto nmero de iones. Este efecto de almacenamiento y variacin de
cargas es tambin similar, en muchos aspectos, a un condensador.
Tremosa Pg.: 137
Dinmica de los excesos de portadores minoritarios:

En todas las consideraciones que siguen se ha supuesto una juntura p + n . De sta manera la inyeccin
de portadores en la juntura consistir casi exclusivamente en lagunas que irn de la zona p + hacia la
zona n . Los electrones inyectados en sentido contrario son muy pocos debido a la baja contaminacin de
la zona n .
Debemos prestar especial atencin a las cargas almacenadas en las zonas neutras, pues son las
responsables en mayor grado de los fenmenos que ocurren en la conmutacin.
Realizando algunos procedimientos de anlisis, obtenemos una segunda ecuacin para la corriente del
diodo, dependiente de variables muy diferentes a las de la ecuacin anterior, vale decir, sta segunda
depende de la carga almacenada en la zona neutra:
I=
U.T.N. F.R.M.
q. A.L p . p n (0 )
- 20 -
Podemos entonces, a partir de ste anlisis, aadir un trmino a la corriente

del diodo que tenga en cuenta los efectos dinmicos. As, asemejamos a la
juntura con un circuito RC en paralelo.
i=
qp
dq p
dt
La siguiente figura representa la distribucin de cargas en la zona neutra N del diodo cuando la tensin
aplicada v vara rpidamente:
El valor instantneo de la tensin es el mismo para las tres
curvas, pues la concentracin inicial es la misma. Pero la
primera (1), indica que la velocidad de variacin de la tensin
es grande y su magnitud aumenta en valor absoluto; la
segunda (2), representa la distribucin estacionaria, o sea
cuando la velocidad de variacin de la tensin es baja, y la
tercera (3), indica que la velocidad de variacin de la tensin
es grande y su magnitud disminuye en valor absoluto.
Tremosa Pg.: 138
Transitorio de conexin y desconexin:

El transitorio de conexin representa el tiempo necesario para que la tensin y la corriente se estabilicen,
llevando el sistema a rgimen permanente.
El transitorio de desconexin representa el tiempo necesario para que el diodo anule la corriente, llevando
al sistema al nuevo rgimen permanente.
Utilizando el diodo en conmutacin, el comportamiento esperado sera que obtuvisemos que deje pasar
la corriente en el hemiciclo positivo, y que bloquee totalmente el hemiciclo negativo. En la realidad, esto
no ocurre, debido al transitorio de desconexin, que implica hacer regresar a su zona de origen los
portadores almacenados en las zonas neutras, implicando una corriente inversa, durante un cierto tiempo.
Mientras el diodo est polarizado en inverso, en las zonas neutras se generan portadores por efecto de la
agitacin trmica. En los bordes de cada zona, los portadores minoritarios generados dentro de una
distancia de una longitud de difusin se difundirn hacia la zona de transicin, y el campo los impulsar
hacia el otro lado donde son mayoritarios. Dichos portadores en exceso que aparecen en cada zona, sern
extrados por la fuente mediante la polaridad inversa que tiene. De ste modo se preserva la neutralidad.
En el estado de polarizacin directa, los portadores minoritarios inyectados en cada zona se recombinan
por difusin, a medida que se alejan de la juntura, con los mayoritarios de esa zona. Este flujo de
mayoritarios que desaparecen es devuelto por la fuente mediante la polaridad directa, restableciendo la
neutralidad.
Denominaciones de los tiempos puestos en juego:
t fr = tiempo de recuperacin directa: Es el tiempo que tarda la tensin en ir del valor de tensin
inversa, al valor de tensin de trabajo del diodo.
t rr = tiempo de recuperacin inversa: Es el tiempo que tarda la tensin en ir del valor de tensin de
trabajo del diodo, al valor de tensin inversa. Tambin es el tiempo que tarda la corriente inversa en
recuperarse en el valor de I S . Est compuesto por dos retardos:
t s = retardo por almacenamiento: Va desde el instante en que se conmuta de directo a inverso,

hasta el instante en que la tensin se hace 0 en el diodo. Tambin es el tiempo que dura la corriente
inversa en el valor I R .
t t = retardo de transicin: Tiempo que toma la corriente inversa en ir desde I R hasta I S .
U.T.N. F.R.M.
- 21 -
Los siguientes grficos y su explicacin aclaran la situacin:
En la figura (a) se representa el voltaje

aplicado al circuito serie con una
resistencia y un diodo.
Desde 0 hasta 0 la tensin es positiva, y
desde 0 hasta 0 es negativa
En la figura (b) vemos que, en el
hemiciclo positivo, la corriente fluye
normalmente, siguiendo la ley de Ohm,
pero no as en el hemiciclo negativo,
donde esperbamos que no existiera
corriente. Lejos de ste caso, al haber
portadores almacenados en la zona
contraria a cada tipo, debido a la corriente
directa que antes circulaba, se establece
una corriente inversa para devolverlos a su
zona de origen o recombinarlos, durante
un cierto tiempo t s . Luego sta corriente
comienza a disminuir, hasta que se
estaciona en el valor I S , que es la
corriente inversa del diodo.
En la figura (c), se representa la carga en
el capacitor de las zonas neutras. Se ve
que asintticamente se carga el circuito, y
que cuando la corriente es inversa, se
descarga, pero al llegar al valor QS , se
queda en l (haciendo la relacin con la
I S ).
En la figura (d) se representa la tensin en
el diodo, en su polarizacin directa e
inversa.
Las siguientes figuras representan las variaciones de las cargas en las zonas neutras y su distribucin:
El punto p n (0 ) crece desde el valor inicial pn 0 ,

al valor final en rgimen permanente.
U.T.N. F.R.M.
La corriente en la zona neutra circula

exclusivamente por difusin. A partir de ste
principio, podemos determinar el ngulo .
- 22 -
El ngulo ser: tan =
V
, donde el doble signo representa que puede ser utilizado tanto en la
R.q. A.D p
conexin como en la desconexin. La necesidad de un ngulo constante nace de la imposicin del

circuito de una corriente constante, y determina la deformacin de las curvas de distribucin de
portadores de ambas figuras. Desde un comienzo se supuso una tensin con una resistencia en serie
grande respecto a la del diodo, entonces la corriente ser constante y por lo tanto el ngulo tambin. Es
por eso que depende de la tensin y de la resistencia. La deformacin penetra ms cuanto mayor es la
velocidad de conmutacin. La condicin fundamental de un diodo que pretenda conmutar rpidamente es
un bajo valor de tiempo de recombinacin.
Tremosa Pg.: 141 y Guinzburg Pg.: 9-3
UNIDAD II: DIODOS DE JUNTURA

Diodo de juntura P-N
Diodos reales:
Como ya hemos visto, el diodo es un dispositivo semiconductor de juntura P-N.
Su curva caracterstica es la siguiente (diodos de Germanio y de Silicio)
Esta curva deriva de la ecuacin que relaciona
corriente y tensin en el diodo, pero teniendo en
cuenta todos los efectos que en l se producen,
vale decir: resistencia de las zonas neutras,
regin de Zner o avalancha, fugas de corriente,
etc.
Como podemos ver, existe una cierta tensin en
polarizacin directa a partir de la cual, el diodo
se comporta prcticamente como un
cortocircuito. Llamaremos a esa tensin VT
(distinta a la tensin trmica que hemos visto
hasta ahora). sta difiere en ambos materiales, y
toma los valores:
VT 0,7 V (Si )
VT 0,3V (Ge )
Si tomamos en cuenta los efectos de la temperatura en la curva del diodo, veremos que a mayor
temperatura, la curva se acerca ms al eje de las y en polarizacin directa y se aleja ms del eje de las x
en polarizacin inversa.
Boylestad Pg.: 15
Niveles de resistencia:
Resistencia esttica o de DC:
Como vemos, la curva del diodo no es lineal, sino que su pendiente vara de un punto a otro. Esta
pendiente determina la resistencia del diodo, en el punto de operacin, la cual no es una constante
como en los elementos resistivos que cumplen con la ley de Ohm. sta resistencia depende del
punto en el que operemos al dispositivo.
Determinamos un nivel de resistencia esttica cuando aplicamos corriente continua al diodo, y
determinamos un punto en la curva.
U.T.N. F.R.M.
- 23 -
RD =
VD
ID
Vemos entonces, que a menor corriente, mayor ser la

resistencia del diodo.
Resistencia dinmica o de AC:

Cuando al diodo le aplicamos una corriente alterna, el
punto variar horizontal y verticalmente. Determinamos
as un nivel de resistencia dinmica, con las variaciones
sobre la recta tangente al punto de trabajo.
rd =
VD
I D
sobre la tangente
Pero no siempre podemos determinar la recta tangente.

Entonces teniendo los dos puntos extremos, determinamos
la secante y obtenemos una resistencia promedio:
rav =
VD
I D
sobre la secante
sta resistencia slo es vlida como aproximacin cuando

la excursin de la seal es amplia.
Podemos aproximar el valor de la resistencia dinmica, aplicando la derivada a la ecuacin del
diodo, y obtendremos:
rd =
26mV
ID
para Germanio y Silicio, pero slo en las condiciones en que el punto de trabajo se encuentre en
la regin lineal de operacin del diodo.
En todos los clculos anteriores no se ha tenido en cuenta la resistencia propia del semiconductor,
que puede agregarse como un trmino ms en las frmulas, en caso de conocerla.
Boylestad Pg.: 20
Modelos aproximados (Circuitos equivalentes):

Como hemos visto, el diodo real necesita un cierto voltaje VT para encenderse, adems de tener una
cierta resistencia rav . Entonces, la complicada curva del diodo ideal puede reemplazarse por un modelo
equivalente de segmentos lineales, y el diodo real puede reemplazarse en un circuito por un equivalente
de tres componentes, que incluye un diodo ideal. Dicho reemplazo simplifica mucho el anlisis para la
utilizacin en polarizacin directa.
U.T.N. F.R.M.
- 24 -
Dependiendo de las condiciones

del circuito, podemos despreciar
alguno de los componentes del
modelo anterior. Por ejemplo, si la
resistencia de la red es mucho
mayor que la del diodo, podemos
despreciar sta ltima, o si la
tensin utilizada en la red es
mucho mayor que la de encendido
del diodo, podemos despreciar la
fuente del modelo, y cumpliendo
ambas condiciones a la vez,
obtenemos el comportamiento de
un diodo ideal.
Boylestad Pg.: 26
Anlisis por medio de la recta de carga:

Se puede dibujar una lnea recta sobre las caractersticas del dispositivo que represente la carga aplicada
(o mejor dicho a la red). La interseccin de la recta con las caractersticas, determinar que punto de
trabajo esttico Q . Tomemos el siguiente circuito serie:
Aplicando la ley de voltaje de Kirchoff y reordenando las variables,
obtenemos una ecuacin para la recta de carga:
ID =
E 1
.VD
R R
Definimos dos puntos que nos ayudan

a graficar:
1. Sobre el eje I D , VD vale 0,
entonces marcamos el punto
ID =
E
R
2. Sobre el eje VD , I D vale 0,

entonces marcamos el punto
VD = E
3. Trazamos la recta.
El anlisis es el mismo si tenemos en cuenta los equivalentes para el diodo real, y obtendremos resultados
muy similares a los que llegamos sin aproximaciones.
Boylestad Pg.: 56
Aplicaciones de diodos:
Rectificadores:
Como la principal caracterstica del diodo ideal es conducir la corriente en un solo sentido, si le
aplicamos una corriente alterna, conducir slo un hemiciclo de sta. En eso se basan los circuitos
rectificadores.
U.T.N. F.R.M.
- 25 -
Rectificador de media onda:

Est conformado por un diodo y una resistencia de carga.
Durante el hemiciclo positivo de la onda, el diodo est
encendido, y la onda pasa tal cual es. Durante el hemiciclo
negativo, el diodo est apagado, y no hay tensin en la
carga.
La seal de salida tiene un valor promedio de continua que
es:
Vdc = 0,318.V max =
V max
Por supuesto, el diodo debe tener un voltaje de pico inverso

dado por:
PIV Vmax
Rectificador de onda completa (puente):

Est conformado por cuatro diodos formando un puente. Durante el
hemiciclo positivo de la onda, la seal pasa por el diodo 2, la resistencia
y el diodo 3, dejando en la carga la misma forma que en la entrada.
Durante el hemiciclo negativo, la onda positiva pasa por el diodo 4, la
resistencia y el diodo 1, dejando la misma seal que en la entrada, pero
invertida sobre el eje horizontal. Tenemos as dos hemiciclos positivos
en la salida.
La seal de salida tiene un valor promedio de continua que es:
Vdc = 0,636.Vmax =
2.Vmax
El diodo debe tener un voltaje de pico inverso dado por:
PIV Vmax
Rectificador de onda completa (con transformador con

punto medio):
Este rectificador da el mismo resultado que el de puente, slo
que aqu se requieren 2 diodos y un transformador con
derivacin central o punto medio.
Durante el hemiciclo positivo de la seal, funciona el diodo 1, y
el 2 est apagado. La seal se replica en la resistencia.
Durante el hemiciclo negativo, funciona el diodo 2, y el 1 est
apagado, pues el nodo del nmero 2 ahora es positivo. La seal
se replica de manera positiva en la resistencia.
La seal de salida tiene un valor promedio de continua que es:
Vdc = 0,636.Vmax =
2.Vmax
El diodo debe tener un voltaje de pico inverso dado por:
PIV 2.Vmax
Boylestad Pg.: 74
U.T.N. F.R.M.
- 26 -
Recortadores:
Recortadores simples en serie (diodos ideales)
POSITIVO
NEGATIVO
Recortadores polarizados en serie (diodos ideales)

POSITIVOS
NEGATIVOS
Recortadores simples en paralelo (diodos ideales)

POSITIVO
NEGATIVO
Recortadores polarizados en paralelo (diodos ideales)

POSITIVOS
NEGATIVOS
Boylestad Pg.: 81
U.T.N. F.R.M.
- 27 -
Sujetadores:
Estos circuitos se basan en la aplicacin de los diodos en paralelo con una resistencia y con un
capacitor en serie, el cual se carga y se descarga, generando un desplazamiento de la onda. Lo
importante es que la onda se desplaza, pero mantiene el largo (distancia de pico a pico).
Boylestad Pg.: 88
Compuertas lgicas:
AND
OR
Cuando los dos terminales estn en alto,

en la salida hay un estado alto debido a
que la diferencia de potencial en los
diodos es 0.
Cuando alguno est en bajo, ese diodo se
polariza en directo y el voltaje en la
salida es el voltaje del diodo ( 0,7 V )
Cuando los dos terminales estn en bajo,

la salida es un estado bajo, porque no hay
tensiones en la red.
Cuando alguno est en alto, ese diodo
conduce y hay tensin en la resistencia, y
por lo tanto en la salida hay un voltaje de
9,3V
Boylestad Pg.: 72
U.T.N. F.R.M.
- 28 -
Otros diodos de juntura

Diodo Zner:
El diodo Zner puede trabajar en base a dos
principios fundamentales: efecto tnel y efecto
avalancha. En ambos casos las curvas son iguales,
pero internamente responden a fenmenos fsicos
distintos. El smbolo para ste dispositivo es el que
se ve en la figura. Tambin vemos aqu su curva
caracterstica.
Diodo Zner por efecto tnel:

Se trata de una juntura p + n + , altamente contaminada pero sin llegar a que el nivel de Fermi se
solape con las bandas, sino que queda levemente cercano. El efecto tnel en sentido inverso se
produce slo despus de aplicar una pequea tensin inversa VZ .
En sentido directo, el diodo se comporta como una juntura p-n normal. El efecto tnel en sentido
inverso slo puede producirse cuando la distancia l (ancho de la zona de transicin) es pequea,
vale decir, cuando las contaminaciones de ambas zonas son relativamente fuertes.
Si las contaminaciones son menores, el ancho de la juntura es demasiado grande, por lo que antes
que el campo elctrico llegue al valor crtico necesario para que se produzca tunelamiento, se
produce un nuevo efecto, llamado avalancha, que determina tambin un valor de tensin Zner.
Con ste principio se fabrican diodos Zner con bajas tensiones de Zner.
La caracterstica trmica de stos dispositivos, es que al aumentar la temperatura, disminuye
la tensin Zner.
Diodo Zner por efecto avalancha:

En una juntura p-n, con polarizacin inversa, el campo elctrico en la zona de carga espacial
acelera a los portadores minoritarios generados por efecto trmico a ambos lados de la juntura.
Estos portadores minoritarios determinan la corriente de saturacin inversa. Si la tensin es
excesiva, los portadores minoritarios que determinan I S se mueven con tal velocidad que
pueden, al hacer impacto sobre los tomos del cristal, provocar la ionizacin de los mismos. Con
esto, se generan nuevos pares de portadores, que volvern a chocar con otros tomos, y
desprender nuevos pares de portadores, y as sucesivamente. ste es el llamado efecto avalancha,
que produce en la curva una pendiente altsima, ya que en ese valor crtico de tensin ( VZ ) la
corriente tiende a infinito.
Con ste principio se fabrican diodos Zner con medias y altas tensiones de Zner.
La caracterstica trmica de stos dispositivos, es que al aumentar la temperatura, aumenta la
tensin Zner.
Tremosa Pg.: 287
Aplicaciones: Regulador paralelo:

Los pasos a seguir para el anlisis de los circuitos que incluyen un diodo Zner, son los
siguientes:
U.T.N. F.R.M.
- 29 -
1. Determinar el estado del diodo Zner (encendido/apagado) mediante su eliminacin del

circuito y por medio del clculo de del voltaje a travs de ese circuito abierto.
2. Sustituir por el circuito equivalente apropiado (fuente de tensin con voltaje VZ en el
caso que el diodo est encendido) y resolver para las incgnitas deseadas.
Utilizando el dispositivo como regulador de tensin en paralelo, con una tensin Vi fija, debemos
tener frmulas que nos permitan determinar entre qu rangos debe estar la resistencia de carga
para que el diodo est encendido.
RLmin =
V
R.VZ
y R Lmax = Z
Vi VZ
I Lmin
I Lmax =
VZ
y I Lmin = I R I ZM
RLmin
Donde I ZM es el dato de corriente mxima que

soporta el diodo.
Utilizando el dispositivo de la misma manera, pero con una resistencia R L fija, debemos
determinar entre qu rangos debe estar la tensin de entrada para que el diodo est encendido:
Vimin =
(RL + R ).VZ
RL
Vimax = (I ZM + I L ).R + VZ
Boylestad Pg.: 92
Diodo Tnel:
El efecto tnel es un mecanismo cuntico, mediante el cual un electrn puede vencer barreras de potencial
mayores que la energa cintica que posee. Se produce slo entre estados con la misma energa.
Un diodo tnel est formado por una juntura p + n + , cuyo diagrama de energas en equilibrio es el
siguiente:
Se observa que tanto la zona p como la zona n estn muy
contaminadas. La ubicacin del nivel de Fermi en ambos
casos, fuera de la banda prohibida, as lo indica. Esto ocasiona
que el ancho de la juntura sea relativamente pequeo, y a
travs de l surgir una barrera de potencial V0 . sta barrera
ser superada por tunelamiento por los portadores, debido al
pequeo ancho de la juntura.
Vemos a continuacin la curva caracterstica de

corriente y tensin.
U.T.N. F.R.M.
- 30 -
La mejor manera de explicar el funcionamiento, es a travs de los diagramas de energas:

En ste caso la polarizacin es inversa y los electrones
pasan, por efecto tnel, de la banda de valencia de la
zona p+ a la banda de conduccin de la zona n+. La
transicin ocurre entre niveles energticos iguales. El
efecto tnel se produce debido al pequeo ancho de la
barrera de potencial. La poca probabilidad de
tunelamiento se compensa con la gran cantidad de
portadores en el intervalo de energa. Al aumentar la
tensin inversa, aumenta el intervalo de energa, y
por lo tanto la corriente inversa.
La polarizacin ahora es directa, pero la barrera de

potencial es an suficientemente grande como para
que los electrones no puedan vencerla por agitacin
trmica normal. Hay electrones de conduccin
enfrentados dentro de un rango E con estados vacos
y permitidos en la banda de valencia opuesta. El
efecto tnel se produce y la corriente directa aumenta
a medida que aumenta el intervalo de energa de
enfrentamiento.
En sta zona el enfrentamiento de intervalos de

energa es mximo, y por lo tanto se produce la
mxima corriente por efecto de tunelamiento.
Estamos en la zona de pico, donde se determinan los
parmetros de Corriente de Pico y Tensin de Pico
(Punto 3 de la curva).
El intervalo de energa enfrentado comienza a

disminuir nuevamente.
El intervalo de energa enfrentado es ahora nulo, y por

lo tanto la conduccin de corriente comienza a
comportarse siguiendo los principios de una juntura pn normal.
Estamos en la zona de valle, donde se determinan los
parmetros de Corriente de Valle y Tensin de Valle
(Punto 5 de la curva).
Aqu el comportamiento es similar a un diodo de

juntura p-n normal.
U.T.N. F.R.M.
- 31 -
Las caractersticas que presenta ste dispositivo en su polarizacin inversa, hace que se utilice en el
campo de la conmutacin a alta velocidad, debido a que, como la conduccin es de naturaleza
ondulatoria, no existe tiempo de trnsito ni almacenamiento de portadores.
En la zona que va desde el punto de Pico (3) y el punto de Valle (5), la resistencia dinmica es negativa,
ya que una excursin positiva de tensin establece una excursin negativa en la corriente. Este
comportamiento no afecta la resistencia esttica, ya que los valores puntuales son ambos positivos.
sta resistencia negativa no implica que el dispositivo genere energa, sino que transforma la energa
que recibe en corriente continua, en energa de corriente alterna.
Si trazamos la recta de carga de la red donde aplicamos el circuito, vemos que puede trazar hasta tres
puntos de operacin en las caractersticas. Los puntos donde la resistencia es positiva, se llaman estables,
porque un pequeo cambio no altera el estado. El punto en la zona de resistencia negativa se llama
inestable, pues un pequeo cambio en la red lo lleva a la zona estable. Para poder trabajar de manera
estable con la resistencia negativa, debemos elegir parmetros de la red para que la recta de carga toque
slo al punto en esa zona. Esto se hace con altas corrientes y bajas tensiones.
Tremosa Pg.: 281
Aplicaciones: Osciladores:
Es posible utilizar el diodo tnel para generar un voltaje
senoidal simplemente mediante una fuente de corriente
continua, un circuito tanque y un diodo tnel, que,
polarizado en la regin de resistencia negativa,
compensa la resistencia interna de la bobina, para
eliminar la componente de amortiguamiento del circuito.
La red quedara como en la figura, y el diseo se limita a
encontrar las condiciones para lograr la polarizacin en
la regin mencionada.
Boylestad Pg.: 898
Diodo Schottky:
El diodo Schottky es un dispositivo formado uniendo un metal con un semiconductor
(generalmente tipo n).Su smbolo es el que se ve en la figura.
Los niveles energticos de un metal y un semiconductor son, individualmente, como muestra la figura:
U.T.N. F.R.M.
- 32 -
Y cuando realizamos la unin, los niveles energticos quedarn as:
La barrera de potencial disminuir para la polarizacin directa, ya que hay un aumento de la energa de
Fermi en el semiconductor, y por lo tanto corriente de electrones hacia el metal. Entonces, tomando una
unin n-metal, y polarizndola en forma directa (es decir, el terminal negativo al semiconductor tipo n),
existe corriente debido a los electrones del semiconductor que pasan al metal.
La barrera de potencial aumentar en condiciones de polarizacin inversa, ya que hay una disminucin de
la energa de Fermi en el semiconductor, y por lo tanto mayor dificultad para que los electrones del metal
pasen al semiconductor. Entonces, si polarizamos al diodo Schottky en forma inversa (positivo al lado n),
no existe corriente.
Las principales caractersticas de ste dispositivo son:
Para una determinada corriente, presenta menor cada de tensin que un diodo comn.
Los portadores que determinan la corriente son exclusivamente mayoritarios, por lo que no
hay almacenamiento de cargas y el tiempo de almacenamiento es prcticamente nulo. Esto le
permite al diodo Schottky trabajar en conmutacin a altas frecuencias.
Al saber esto surge una pregunta: En qu difiere un diodo Schottky de un contacto metal-semiconductor
comn? La respuesta es: en el nivel de Fermi del metal. Para un semiconductor tipo n, ser diodo
Schottky la unin cuyo metal tenga una energa de Fermi inferior a la del semiconductor, y ser un
contacto hmico la unin cuyo metal tenga una energa de Fermi superior a la del semiconductor. Para un
semiconductor tipo p, ser a la inversa.
Contactos hmicos:
Si el nivel de Fermi del metal es mayor al del semiconductor tipo n (o inferior al del tipo p), los electrones
no enfrentarn barreras de potencial para su flujo, en ninguna de sus dos direcciones, vale decir, del
semiconductor al metal y viceversa. Por lo tanto se comportarn como simples contactos. Esto es de gran
utilidad para poder conectar dispositivos semiconductores con terminales que permitan su aplicacin
electrnica.
Tremosa Pg.: 293 y Boylestad Pg.: 889
Diodo Varicap (o Varactor):

Los diodos varactores son capacitores de semiconductor variables y dependientes del voltaje. Su modo de
operacin depende de la capacidad de transicin que existe en la unin p-n cuando sta se polariza en
inverso. Mientras ms se polariza en inverso, menor es el ancho de la zona de transicin, y por lo tanto,
mayor es la capacidad. sta se define como:
U.T.N. F.R.M.
- 33 -
CT = .
A
Wd
donde es la permitividad de los materiales semiconductores, A es el rea de la unin y Wd es ancho

de la zona de transicin.
Si queremos relacionar la capacidad de transicin respecto del voltaje inverso aplicado, podemos
calcularla aproximadamente como:
CT =
(VT
+ VR )
donde K es una constante determinada por el material y la tcnica de construccin, VT es el voltaje de

encendido del diodo, V R es el voltaje inverso aplicado, y n = 1 / 2 para uniones de aleacin y n = 1 / 3
para uniones de difusin.
Tambin, en trminos de la capacidad en la condicin de polarizacin cero C (0 ) , podemos expresarla
como:
CT (V R ) =
C (0 )
(1 + V
VT
stos diodos se utilizan para controlar la sintonizacin, a travs de la variacin de la capacidad del diodo,
mediante la variacin de la polarizacin aplicada al mismo. Esto permite controlar electrnicamente la
frecuencia de resonancia.
Boylestad Pg.: 892
U.T.N. F.R.M.
- 34 -
UNIDAD III y IV: TRANSISTORES BIPOLARES

Anlisis Inicial
Construccin y Caractersticas del BJT:
Un transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales. Se construye de la siguiente manera:
Transistor PNP:
P++
(altamente
impurificado)
(poco
impurificado)
(tamao
pequeo)
(normalmente
impurificado)
Emisor
Colector
Base
E
Smbolo
B
Transistor NPN:
N++
(altamente
impurificado)
(poco
impurificado)
(tamao
pequeo)
(normalmente
impurificado)
Emisor
Colector
Base
E
Smbolo
B
La Flecha del smbolo define el sentido convencional de la corriente que circula por ese terminal.
Boylestad Pg.: 131
Convenciones y Nomenclaturas:
Transistor PNP
Transistor NPN
VCE
IE
IC
IE
IC
IB
IB
VEB
VCB
B
Boylestad Pg.: 133
U.T.N. F.R.M.
- 35 -
Funcionamiento con polarizacin normal:

P
gran parte de los

huecos pasa de
largo y sale por
colector
huecos
IE
IC
C
h
huecos
I CO
elect
IB
E
B
VCC
VEE
Describiremos el accionar del transistor PNP, dejando en claro que para el NPN invertimos la polaridad
de la fuente, y reemplazamos huecos por electrones y viceversa.
El funcionamiento se describe de la siguiente manera:
1. La juntura P-N que hay entre emisor y base se polariza en directo.
2. Como la parte tipo P de esa juntura est muy dopada, hay un gran flujo de huecos hacia el lado N.
Una parte de esos huecos inyectados en el lado P se recombinan con electrones provenientes de la
corriente de base en ese mismo lado.
3. Como la zona N est poco dopada y es pequea comparada con su longitud de difusin, gran
parte de los huecos seguir hacia el otro lado P por difusin (debido a que es una zona neutra).
Una pequea parte se recombina con electrones provenientes de la corriente de base.
4. Como la juntura N-P que hay entre base y colector est polarizada en inverso, se genera un
campo elctrico que favorece el flujo de huecos hacia el lado P. Esos huecos logran salir a travs
de la corriente de colector.
5. Existe tambin una pequea corriente entre base y colector debida a la polarizacin inversa. A
ella la llamamos I CO .
Hay ciertas consideraciones importantes a tener en cuenta sobre el funcionamiento del transistor:
Siempre polarizo en directo la juntura de entrada (Emisor-Base) y en inverso la de salida (BaseColector).
La tensin aplicada a la juntura Base-Colector no modifica la cantidad de portadores, slo
favorece ms o menos su movimiento hacia la salida. Los portadores son controlados a travs del
voltaje aplicado a la juntura Emisor-Base, o sea que la difusin a travs de la base es la que limita
el nmero de portadores que llegan al colector.
Resumiendo las corrientes en el transistor vemos que:
P
N
P
IE
E
I EB
I CO
IB
U.T.N. F.R.M.
IC
I EC
- 36 -
Definiremos dos parmetros importantes a la hora de analizar los efectos de la corriente contnua en el
transistor:
Alfa:
Definimos ste factor como =
I EC
.
IE
Beta:
Llamado tambin hFE o ganancia, lo definimos como: =
I EC
I EB
La relacin entre estos dos factores es la siguiente:
y =
1+
Conociendo stos dos factores, podemos definir ecuaciones fundamentales del transistor:
IC = I E + I B
I C = .I E + I CO
I C = .I B + (1 + ).I CO
Y de ellas podemos aproximar ecuaciones prcticas para resolver los circuitos:
IC I E
I C = .I B
I E = ( + 1).I B
Tambin podemos afirmar (aproximadamente) que V BE = 0,7 V por ser juntura P-N en directo.
Boylestad Pg.: 132
Efecto Early:
El efecto Early nos muestra que existe un cierto lmite para el aumento de VCB . Esto se da porque, al
aumentarlo, la Zona de Transicin Base-Colector aumenta de tamao debido a la polarizacin inversa, lo
que hace disminuir el tamao fsico de la Base. Lo mencionado trae como consecuencia que aumente el
y, por ende, aumente I C . Llega un momento en que la disminucin del tamao de la Base llega a
hacerla desaparecer, y se produce una PERFORACIN del transistor, provocando su destruccin.
BUSCAR ALGN LIBRO.:
U.T.N. F.R.M.
- 37 -
Configuraciones:
Base Comn:
Esta configuracin sita la corriente de entrada
( I E ) como funcin de la polarizacin Base-Emisor,
respecto al parmetro de polarizacin ColectorBase, y a la corriente de salida ( I C ) como funcin
de la polarizacin Colector-Base, respecto al
parmetro de la corriente de Emisor.
Curvas Caractersticas:
CURVA DE ENTRADA
Para un valor de V BE constante, a un aumento de
VCB le corresponde un aumento de I E . Esto se

debe a que al aumentar VCB , la zona de transicin
de la juntura de colector aumenta (polarizacin
inversa), disminuyendo el ancho efectivo de la
base. Esto hace que, como la distancia en la base es
menor, la pendiente de la concentracin de
portadores ser ms negativa, ocurriendo ms
difusin de portadores, y por lo tanto dejando pasar
ms corriente desde el emisor.
CURVA DE SALIDA
Boylestad Pg.: 134
Emisor Comn:
Es la configuracin ms utilizada. En la entrada
relaciona la corriente de Base con el voltaje entre
Base y Emisor, con el parmetro VCE . En la salida,
vincula la corriente de Colector con el voltaje entre
Colector y Emisor, con parmetro en la corriente de
Base. Es decir que controlamos la corriente de
Colector, a travs de la corriente de Base.
U.T.N. F.R.M.
- 38 -
CURVAS DE SALIDA
CURVAS DE ENTRADA
En la curva de entrada, si VCE aumenta para un valor fijo de V BE , la I B disminuye. Esto se debe
a que con la disminucin del tamao de la base, hay menos probabilidad de recombinacin, y por
lo tanto, la corriente de base debe reponer menos cantidad de portadores recombinados.
Vemos que las curvas de salida se acercan a medida que I B aumenta. Esto se debe a que
disminuye. La pendiente en las curvas se debe al Efecto Early.
Boylestad Pg.: 139
Colector Comn:
En sta configuracin se relacionan, en la entrada,
los mismos parmetros que para Emisor Comn. En
la salida igual, slo difiere que en sta se grafica I E
en funcin de VCE para un rango de valores de I B .
Son iguales que para el caso de Emisor comn, slo que se reemplaza I C por I E en las curvas de
salida.
Boylestad Pg.: 146
Lmites de Operacin:
Las hojas de especificaciones de los transistores nos brindan informacin acerca de los valores nominales
mximos, mnimos y tpicos de los parmetros ms importantes de los dispositivos.
Algunos de estos parmetros son: I Cmax VCEsat VCEmax PCmax etc. Si los tomamos en cuenta a la hora de
trabajar con un transistor determinado, podemos definir los lmites de operacin en zona activa. Adems
de las Zonas de Corte y de Saturacin, podemos demarcar una zona de corriente mxima, una de tensin
mxima y una de potencia mxima. Esta ltima se define a partir de la definicin de potencia, y
despejando la corriente como variable dependiente. Obtenemos una hiprbola cuya ecuacin es:
IC =
U.T.N. F.R.M.
PCmax
VCE
- 39 -
La regin de operacin ser entonces:
Boylestad Pg.: 147
Anlisis en Corriente Continua

Polarizacin del transistor bipolar:
Para usar el transistor como amplificador de una seal de AC, necesitamos proporcionarle la energa de
corriente continua que convertir en energa de corriente alterna, amplificando la seal de entrada.
Por supuesto que el punto de trabajo Q debe estar dentro de los lmites de operacin.
Boylestad Pg.: 163
Estabilizacin de la polarizacin:
Las distintas configuraciones de polarizacin que veremos, difieren en su estabilidad ante cambios de
temperatura y de transistor. Cuando la primera aumenta, algunos parmetros cambian, provocando
cambios en el sistema que no son deseables. Cuando debemos reemplazar el transistor, algunos
parmetros cambian, haciendo que cambien las condiciones del sistema.
Boylestad Pg.: 210
Factores de estabilidad (inestabilidad):

Una manera de cuantificar esa estabilidad es a travs de la definicin de factores que nos proporcionarn
informacin acerca de cunto vara la corriente de salida con el cambio de temperatura, respecto a cada
factor cambiante en el circuito.
Estos factores son:
S (I CO ) =
dI C
I C
dI CO I CO
S (VBE ) =
dI C
I C
dVBE VBE
S ( ) =
dI C I C
Cuanto ms grande es el factor, ms inestable es el sistema.

La variacin neta en la corriente I C , se determina multiplicando la variacin de cada parmetro por su
factor de estabilidad correspondiente, y sumando los resultados. Es decir:
U.T.N. F.R.M.
- 40 -
I C = S (I CO ).I CO + S (V BE ).V BE + S ( ).
Boylestad Pg.: 212
Recta de carga (Polarizacin):

Si analizamos la malla de salida de los circuitos que armemos en las distintas polarizaciones, y
despejamos la corriente de salida, obtendremos la ecuacin de la recta de carga. En esa recta deberemos
ubicar el punto de trabajo para que nuestro transistor est bien polarizado. As trabajaremos con todas las
polarizaciones.
Boylestad Pg.: 163
Polarizacin Fija:
En sta configuracin, ponemos
resistencias en la base y en el colector. Se
arman entonces dos mallas sencillas: de
entrada con un resistor y de salida con otro
resistor.
A continuacin estn las ecuaciones de
ambas mallas:
Vcc = I B .RB + VBE
VCC = .I B .RC + VCE
M.E.
M.S.
Obsrvese que la magnitud de I C no

depende de la resistencia RC , la cual s
determinar el nivel de VCE .
Estabilidad:
Si hacemos un anlisis cualitativo de la estabilidad de sta polarizacin veremos que:
(T ) (I
CO
) (I C ) (V RC ) (VCE )
ES MUY INESTABLE
Los factores de estabilidad sern:
S (I CO ) = + 1
S (V BE ) =
RB
S ( ) =
I C1

Boylestad Pg.: 167
Polarizacin estabilizada en Emisor:

Esta configuracin es igual a la polarizacin fija, pero
agregando un resistor en el emisor. Este agregado le
da un toque de estabilidad al sistema.
A continuacin estn las ecuaciones de ambas mallas:
Vcc = I B .RB + VBE + ( + 1).I B .RE
VCC = .I B .(RC + RE ) + VCE
U.T.N. F.R.M.
- 41 -
M.E.
M.S.
Estabilidad:
(T ) (I
CO
) (I C " ") (I E ) (V RE ) (V BE ) (I B ) (I C " ")
ES ESTABLE, porque la primer tendencia de disminucin de I C se compensa con el posterior aumento.

S (I CO ) =
1+
R R
1 + . E B
1 + RE RB
S (V BE ) =
R B + (1 + ).R E
S ( ) =
I C1 .(1 + RB RE )
1 .(1 + 2 + RB RE )

Boylestad Pg.: 173
Polarizacin con realimentacin Colector-Base:

En sta configuracin, sacamos corriente desde el
colector, creando una realimentacin. La resistencia
en el emisor puede o no estar. Si no est, las
reemplazamos en las frmulas por un valor nulo.
A continuacin estn las ecuaciones de ambas
mallas:
Vcc = .I B .RC + I B .RB + VBE + .I B .RE
VCC = .I B .(RC + RE ) + VCE
M.E.
M.S.
Estabilidad:
(T ) (I
CO
) (I C " ") (I E ) (V RC ) (VCE ) (I B ) (I C " ")
ES ESTABLE, porque la primer tendencia de disminucin de I C se compensa con el posterior aumento.

Para los factores de estabilidad, tomaremos la configuracin con RE = 0
S (I CO ) =
1+
R R
1 + . C B
1 + RC RB
S (V BE ) =
RB + (1 + ).RC
S ( ) =
I C1 .(RB + RC )
1 .[RB + RC .(1 + 2 )]

Boylestad Pg.: 186
Polarizacin por divisor de tensin:

sta configuracin es la ms estable de todas. La
tensin que obtenemos en la base, respecto a masa,
est controlada por ser un divisor de tensin. El
precio que pagamos por la estabilidad, es un mayor
costo, ya que usa 4 resistores, y la necesidad de
obtener ms potencia de la fuente.
La gran estabilidad que se obtiene es tal que hace al
sistema estable en temperatura y, si se cumplen
ciertas condiciones, prcticamente independiente del
del transistor.
Tenemos dos enfoques circuitales para resolver
nuestro circuito:
U.T.N. F.R.M.
- 42 -
Enfoque exacto:
Se basa en la aplicacin del teorema de Thvenin entre la base y la masa, para reemplazar esa red por una
fuente con tensin VTH y una resistencia RTH .
VTH =
VCC .R2
R .R
y RTH = 1 2
R1 + R2
R1 + R2
Las ecuaciones de malla para ste caso quedarn determinadas como:
VTH = I B .RTH + VBE + ( + 1).I B .RE
VCC = .I B (RC + R E ) + VCE
M.E.
M.S.
Enfoque aproximado:
Podemos emplear un enfoque aproximado, si se cumple la condicin:
.RE 10.R2
Tomamos entonces:
VB =
y aplicamos los pasos: V E = V B V BE I E =
R2 .VCC
R1 + R2
VE
I CQ I E
RE
Obsrvese que para ste anlisis, si se cumple la condicin inicial las ecuaciones no contienen el
parmetro , por lo tanto, la configuracin es independiente del mismo.
Estabilidad:
(T ) (I
CO
) (I C " ") (I E ) (V RE ) (V BE ) (I B ) (I C " ")
MUY ESTABLE, porque la primer disminucin de I C se compensa con el aumento instantneo.

S (I CO ) =
1+
1 + .
1 + RTH RE
S (V BE ) =
RTH + (1 + ).RE
S ( ) =
I C1 .(1 + RTH RE )
1 .(1 + 2 + RTH RE )

Boylestad Pg.: 177
Transistores PNP:
Por fortuna, el anlisis de los transistores pnp sigue el mismo patrn que para
los npn. La diferencia se da en que como los portadores son diferentes, las
direcciones convencionales de las corrientes cambian, cambiando, por lo tanto,
las polaridades individuales de los elementos resistivos y el signo del voltaje de
la fuente. Las polaridades de las tensiones en el transistor siguen tomando la
misma nomenclatura de los subndices, por lo tanto, para pnp, sern cantidades
negativas. La figura aclara la situacin.
Boylestad Pg.: 209
U.T.N. F.R.M.
- 43 -
El BJT en Conmutacin:
Saturacin y Corte:
Recordando las zonas de operacin del transistor, donde identificbamos la zona de corte y la de
saturacin, vemos que para hacerlo trabajar en esos estados, debemos lograr, o bien tensin muy
cercana a cero entre colector y emisor (saturacin) o bien corriente muy cercana a cero en la
malla de colector (corte).
Para la situacin de corte, basta con introducir una corriente de base de valor cero, con lo cual la
corriente de colector ser tambin nula, y el potencial de la fuente se ver reflejado en VCE .
Mientras que para la situacin de saturacin, debemos calcular la corriente I Csat que me produzca
una cada de tensin cero entre colector y emisor. Esto se hace, dividiendo la tensin de la fuente
sobre la suma de las resistencias que tengo en la malla de salida. El caso ms general ser:
I Csat =
VCC
(RC + RE )
Para sta corriente, necesitamos un valor de I B determinado, pero conviene que sea mayor, por
cualquier variacin del circuito. Entonces tenemos que:
IB >
I Csat
En la realidad, VCE nunca es cero, sino un valor determinado. Este es aproximadamente en la

mayora de los casos:
VCEsat 0,3V
Un ejemplo claro de la aplicacin de la conmutacin en el transistor es usarlo como inversor de
un voltaje aplicado en la base.
A saber:
Vi
VC
5V
5V
Como en Corte hay altas tensiones pero bajas corrientes y en Saturacin hay altas corrientes y
bajas tensiones, generalmente no hay problemas de disipacin de potencia cuando trabajamos en
esos regmenes.
Boylestad Pg.: 201
Retardos en la conmutacin:
Vemos en el siguiente grfico los retardos puestos en juego en la conmutacin de un transistor
bipolar.
U.T.N. F.R.M.
- 44 -
El tiempo total requerido para que el transistor

conmute del estado de apagado al de
encendido se define como:
t on = t r + t d
donde t r es el tiempo de subida de 10 a 90% del
valor final de la corriente, y t d es el tiempo que
tarda en responder el transistor a la seal de
entrada.
El tiempo total requerido para que el transistor
conmute del estado de encendido al de
apagado se define como:
t off = t s + t f
donde t s es el tiempo de almacenamiento y t f es
el tiempo de cada de 90 a 10% del valor final de
la corriente.
Boylestad Pg.: 205
Reduccin de los retardos:

Compensacin Capacitiva:
Para poder trabajar en conmutacin a altas frecuencias, debemos reducir los retardos. Una
manera de hacerlo es poner un capacitor en paralelo con la resistencia de base de tal
manera que a altas frecuencias presente baja reactancia, y la corriente tienda a pasar por
el capacitor. Tambin puedo aumentar el valor de la fuente de seal.
El agregado del capacitor se basa en que t r se reduce al agregarlo porque existe en un
instante inicial un pico de corriente de base. Luego la misma corriente se estabiliza en su
valor normal. Cuando entre en corte, la tensin almacenada en el capacitor, har circular
una corriente inversa, mayor que la normal, que extraer ms rpidamente la carga
acumulada en la base, reduciendo el t off .
Guinzburg Pg.: 9-36
Transistor Schottky:
Existen transistores especialmente fabricados para
trabajar a altas frecuencias. Estos son los
transistores Schottky, que equivalen a un transistor
normal, con un diodo Schottky conectado entre
colector y base. El diodo Schottky enclava la
tensin de colector en la saturacin, impidiendo el
almacenamiento de cargas en la base y
disminuyendo as el tiempo de conmutacin.
Tremosa Pg.: 298
Configuracin Ttem Pole:

Los circuitos de conmutacin en emisor comn tienen un capacitor entre colector y
emisor que se carga lentamente, pero se descarga rpidamente. En cambio, en un
seguidor-emisor, conectando un capacitor en el emisor, se cargar rpido pero se
descargar lentamente. stas propiedades se usan en la configuracin Ttem Pole, que
se basa en la complementacin de dos transistores funcionando en los regmenes
anteriores. La siguiente figura muestra cmo se interconectan.
U.T.N. F.R.M.
- 45 -
Guinzburg Pg.: 9-46
Anlisis en Corriente Alterna

Modelos Dinmicos:
Antes de comenzar el anlisis, veremos la importancia que tiene la polarizacin en dc sobre los niveles
obtenidos de ac. Esto se debe a que la fuente de dc, cuando la polarizacin es correcta, transfiere energa
(potencia) a travs del transistor, a la seal de ac.
Como el comportamiento de los transistores es no lineal, usaremos modelos lineales aproximados para
facilitar el anlisis de su funcionamiento. Para ello nos basaremos en el anlisis de Cuadripolos:
Io
Ii
Vi
Amplificador
+
-
Vo
De aqu podemos sacar cuatro parmetros importantes a la hora de analizar un amplificador:
Zi =
Vi
Impedancia de Entrada
Ii
Zo =
Vo
Impedancia de Salida
Io
Av =
Vo
Ganancia de Tensin
Vi
Ai =
Io
Ganancia de Corriente
Ii
Para aplicar los modelos, es necesario prescindir de los valores de polarizacin, suponiendo que ya han
sido calculados correctamente. Al analizar la seal en el transistor, debemos reemplazar los elementos
que podamos para simplificar el circuito: los capacitares de acople y de emisor, sern cortocircuitos para
la seal (porque suponemos que estn bien calculados y tienen reactancias insignificantes), las fuentes de
tensin continua tambin, y por ltimo, al transistor lo reemplazamos por su modelo equivalente.
Boylestad Pg.: 356
U.T.N. F.R.M.
- 46 -
Clculo y medicin de los parmetros importantes:

Clculo:
Los parmetros importantes de los amplificadores a transistor son las impedancias de entrada y de
salida, y las ganancias de tensin y de corriente. Para calcularlos, debemos analizar el circuito
desde los modelos, teniendo en cuenta el efecto de todos los elementos de polarizacin para la
seal, despreciando las reactancias de los capacitores y considerando a las fuentes de continua
como cortocircuitos para la seal.
Impedancia de entrada ( Z i ):
Para calcularla debemos encontrar la resistencia equivalente que ve la fuente de seal en
la entrada, considerando todos los efectos de la red. Algunas veces conviene aplicar
teorema de Thvenin.
Impedancia de salida ( Z o ):
En este caso es necesario seguir un procedimiento:
1. Impongo un generador de magnitud vo en la salida de la etapa.
2. Enmudezco todos los generadores independientes
3. Analizo el efecto anterior sobre los generadores dependientes
4. Calculo la impedancia que en la salida ve el generador vo .
Ganancia de tensin ( Av ):
Encuentro las expresiones de la tensin de salida y de entrada, o en todo caso, la de la
tensin de salida en funcin de la de entrada. Luego relaciono ambas variables
despejando la ltima.
Ganancia de corriente ( Ai ):
Encuentro las expresiones de la corriente de salida y de entrada, o en todo caso, la de la
corriente de salida en funcin de la de entrada. Luego relaciono ambas variables
despejando la ltima.
Medicin:
Como no es posible utilizar un hmetro para medir la impedancia de entrada de un transistor,
utilizaremos un mtodo indirecto. ste se basa en aadir un resistor variable sensor en la entrada,
entre la seal y el amplificador. Mediremos con un osciloscopio la seal que ingresamos y la que
se refleja en la entrada. Variaremos el resistor hasta que la seal reflejada sea la mitad de la
ingresada. Desconectamos entonces el resistor, y medimos su valor, el cual ser el de la
impedancia de entrada. Esto se debe a la regla del divisor de tensin.
Como no es posible utilizar un hmetro para medir la impedancia de salida de un transistor,
utilizaremos un mtodo indirecto. Vamos a cortocircuitar la entrada, y aplicaremos el mismo
mtodo anterior en la salida. Determinamos as con el valor del resistor variable, la impedancia de
salida del circuito.
Boylestad Pg.: 358
Modelo re:
Utilizamos ste modelo ya que tiene la ventaja de aplicarse a cualquier situacin que elijamos, sin
prescindir de parmetros dados por el fabricante para un uso particular.
El modelo se basa en la resistencia de la juntura de entrada del transistor, que aplicando anlisis a
la ecuacin del diodo, obtenemos:
U.T.N. F.R.M.
- 47 -
re =
26 mV
IE
Entonces, mirando al transistor desde la entrada, vemos una resistencia de valor re . Si lo miramos
desde la salida, vemos un generador ideal de corriente, cuyo valor depende de la
corriente de entrada (distinta en cada configuracin).
Los modelos re para las distintas configuraciones del transistor sern:
Base comn:
Emisor comn:
Colector comn:
Es similar al Emisor Comn
Los esquemas presentados anteriormente son logrados despus de un anlisis circuital, ya que el
modelo original de base comn contiene un diodo en vez de un resistor re y el de emisor comn
tiene el diodo cuyo ctodo est conectado a la fuente de corriente. Es importante estudiar ste
anlisis.
Boylestad Pg.: 364
Modelo Hbrido:
Para ste modelo nos volvemos a basar en el anlisis de cuadripolos,
pero sta vez pondremos dos variables en funcin de las otras dos.
Entonces tenemos:
Diferenciamos cada una de las expresiones y tenemos:
Vi = f (I i ,Vo )
I o = f ( I i , Vo )
Vi
Vi
dVi = I dI i + V dVo
i
o
I o
I o
dI o =
dI i +
dVo
I i
Vo
Y de aqu obtenemos los llamados parmetros hbridos, debido a que sus unidades son variadas, y
distintas entre s:
U.T.N. F.R.M.
- 48 -
hie
Vi
I = h11 = hi hib
h
i
ic
hre
V
i = h12 = hr hrb
Vo
h
rc
h fe
I
= h21 = h f h fb
I i
h
fc
hoe
I o
= h22 = ho hob
h
Vo
oc
donde los primeros subndices indican el nombre del parmetro, y los segundos la configuracin
del transistor (base, emisor o colector comn).
Como vamos a utilizar los modelos para anlisis a pequea seal, podemos aproximar los
diferenciales a las seales, y replantear las ecuaciones de diferenciales como:
vi = hi .ii + hr .vo
io = h f .ii + ho .vo
Estas dos ecuaciones me definen el modelo hbrido genrico del transistor:
Entonces, los parmetros definidos son:

hi : Resistencia de entrada en cortocircuito
h f : Relacin de corriente de transferencia directa en cortocircuito
hr : Relacin de voltaje de transferencia inverso en circuito abierto

ho : Conductancia de salida en circuito abierto
Existen ecuaciones experimentales para definir esos parmetros hbridos:
vi
hi =
ii
Ecuaciones de cortocircuito:
h = i o
f ii
U.T.N. F.R.M.
vo = 0
vo = 0
- 49 -
vi
hr =
vo
Ecuaciones de circuito abierto:

h = i o
o vo
ii = 0
ii = 0
La siguiente tabla contiene los valores aproximados del orden en el que se encuentran los
parmetros hbridos en las distintas configuraciones:
Emisor Comn
Base Comn
Colector Comn
hi
Entre 10 y 10
Entre 10 y 10
Entre 10 3 y 10 4
hr
ho
Entre 10 4 y 10 5
Entre 10 4 y 10 5
Entre 10 4 y 10 5 S
Entre 10 4 y 10 5 S
hf
10 6 S
( + 1)
Boylestad Pg.: 371
Modelo hbrido simplificado:

Resulta de despreciar el efecto de hr , y eventualmente el de ho , quedando el modelo hbrido
similar al modelo re.
Boylestad Pg.: 375
Determinacin grfica de los parmetros h:

Para determinar los parmetros h grficamente utilizamos las ecuaciones en derivadas parciales
que definen a nuestros parmetros, y las representamos en las curvas caractersticas. stas
ecuaciones son:
hie =
hre =
vi vbe vbe
=
ii
ib
ib
vi vbe vbe
=
vo vce vce
h fe =
hoe =
io ic ic
=
ii ib ib
VCE = ctte
I B = ctte
VCE = ctte
io
i
i
= c c
vo vce v ce
I B = ctte
Vemos entonces que los parmetros hie y hre se determinan a partir de las caractersticas de
entrada: el primero tomando VCE constante (trazando una recta tangente en las caractersticas) y
haciendo variar ib y vbe , y el segundo tomando I B constante y haciendo variar vbe y vce .
Tambin vemos que los parmetros h fe y hoe se determinan a partir de las caractersticas de
salida: el primero VCE constante y haciendo variar ic e ib , y el segundo tomando I B constante
(trazando una recta tangente en las caractersticas) y haciendo variar ic y vce .
Boylestad Pg.: 377
Variacin de los parmetros h:

Los parmetros h varan dependiendo de la temperatura de la unin, la corriente de colector y el
voltaje de colector a emisor, en porcentajes altos. Por lo tanto, debemos tener en cuenta stas
variaciones cuando nos apartamos de las condiciones normales de funcionamiento.
Todos los parmetros son muy sensibles a las variaciones en la corriente de colector, siendo h fe
el que menos variacin presenta.
U.T.N. F.R.M.
- 50 -
Los parmetros hie y h fe varan poco con la tensin colector-emisor, pero hre y hoe varan
considerablemente con la misma.
Las variaciones respecto de la temperatura son relativamente similares en todos los parmetros.
Boylestad Pg.: 381
Etapas amplificadoras en las distintas configuraciones y clculo de parmetros

Aplicacin del modelo hbrido en una situacin general:
Para un caso genrico cualquiera, en cualquier configuracin, podemos aplicar teorema de Thvenin en la
entrada del transistor y asociar las resistencias en la salida en una sola resistencia de carga. El diagrama
general ser el siguiente:
Podemos aplicar leyes de Kirchoff y obtendremos:
Vs = (Rs + hi ).I i + hr .Vo
I o = h f .I i + ho .Vo
V = I .R
o
L
o
y despejando de esas ecuaciones, podemos obtener expresiones generales para los parmetros
importantes:
Ai =
hf
1 + ho .R L
Av =
h f .R L
Z i = hi
hi + (hi .ho h f .hr ).R L
Zo =
h f .hr .R L
ho
1 + ho .R L
1
h f .hr
(hi + Rs )

Boylestad Pg.: 358
Emisor Comn:
Polarizacin fija:
Modelo re:
Z i = R B // ( .re )
Z i .re
U.T.N. F.R.M.
R B 10. . re
Z o = RC // ro
Z o RC
ro 10. RC
Av =
Av
- 51 -
(RC // ro )
re
RC
re
ro 10. RC
Ai =
.RB .ro
(ro + RC )(RB + .re )
Ai
ro 10. RC , R B 10. . re
Modelo hbrido:
Z i = hie
hre .h fe .RC
Z o =
hoe
1 + hoe .RC
Z i = Z i // R B
1
h fe .hre
he
Av =
h fe .RC
hie + (hie .hoe h fe .hre ).RC
Ai =
h fe
1 + hoe .RC
Z o = Z 0 // RC
/*Estudiar todas las deducciones*/
Boylestad Pg.: 389
Polarizacin por divisor de tensin:

Modelo re:
Z i = R // ( .re )
Z o = RC // ro
Av =
Z i .re
Z o RC
Av
R 10. . re
ro 10. RC
(RC // ro )
re
RC
re
Ai =
.R .ro
(ro + RC )(R + .re )
Ai
ro 10. RC
ro 10. RC , R 10. . re
Modelo hbrido:
Z i = hie
hre .h fe .RC
1 + hoe .RC
Z i = Z i // R
Z o =
hoe
1
h fe .hre
he
Av =
h fe .RC
hie + (hie .hoe h fe .hre ).RC
Ai =
h fe
1 + hoe .RC
Z o = Z 0 // RC
Boylestad Pg.: 393
Polarizacin estabilizada en Emisor:

Sin desvo mediante un capacitor en la resistencia de emisor:
Modelo re:
Haremos una aproximacin al despreciar ro debido a que con ella, los anlisis son ms largos y
tediosos, y su efecto no es muy importante.
U.T.N. F.R.M.
- 52 -
Z b = .re + ( + 1).R E
Av =
Z o = RC
Z i = R B // Z b
Z i .R E
Av
R E >> re
.RC
Zb
RC
RE
Modelo hbrido:
Z b = hie hre .h fe .RC + (h fe + 1).R E

Z i = R B // Z b
Av =
Ai =
Zo =
h fe .RC
RB + Z b
R E >> re
hie + R B + (h fe + 1).R E
hre .h fe
Ai =
hie h fe .hre .RC + (h fe + 1).R E
.RB
h fe .R B
RB + Z b

Boylestad Pg.: 396
Con desvo:
El anlisis en ac en ste caso es idntico a la polarizacin fija.
Boylestad Pg.: 400
Configuracin de realimentacin en Colector:

Haremos una aproximacin al despreciar ro debido a que con ella, los anlisis son ms largos y
tediosos, y su efecto no es muy importante.
Modelo re:
Zi =
re
R
+ C
RF
1
Z o = RC // R F
Av =
RC
re
Ai =
.RF
RF + .RC
Ai
RF
RC
. RC >> RF

Boylestad Pg.: 411
Configuracin de realimentacin de dc en Colector:

Modelo re:
U.T.N. F.R.M.
- 53 -
Z i = R F1 // ( .re )
Z o = RC // R F2 // ro
Z o RC // R F2
ro 10. RC
Av =
Av
ro // R F2 // RC
Ai =
re
.RF .R
(RF + .re)(R + RC )
1
ro 10. RC
re
Ai
R F2 // RC
1+
RC
ro // RF2
RF 110 . re

Boylestad Pg.: 417
Base Comn:
Modelo re:
Z i = RE // re
Av =
Z o = RC
.RC
Av
Ai =
re
RC
re
Ai 1
Modelo hbrido:
Z i = hib
h fb .hrb .RL
1 + hob .RL
Zo =
hob
1
h fb .hrb
(hib + Rs )
Av =
h fb .RL
hib + (hib .hob h fb .hrb ).RL
Ai =
h fb
1 + hob .RL

Boylestad Pg.: 409
U.T.N. F.R.M.
- 54 -
Colector Comn:
Configuracin de Emisor-Seguidor:
Modelo re:
Z b = .re + ( + 1).RE
Z o = RE // re
Z i = RB // Z b
Z i .R E
Z o re
R E >> re
Av =
RE
RE + re
Ai =
( + 1).RB
Ai
Av 1
RB + Z b
.RB
RB + Z b

Boylestad Pg.: 404
Anlisis comparativo:
En la siguiente tabla, aparece una comparacin entre las distintas configuraciones del transistor y sus
parmetros importantes. ste anlisis nos facilita informacin para poder decidir qu configuracin usar a
la hora de construir un amplificador.
Parmetro
Av
Emisor Comn
ALTA
Base Comn
ALTA
Colector Comn
BAJA (<1)
Ai
ALTA
BAJA (<1)
ALTA
Zi
MEDIA
BAJA
ALTA
Zo
MEDIA-ALTA
ALTA
BAJA
Boylestad Pg.: 434
U.T.N. F.R.M.
- 55 -
UNIDAD V Y VI: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

Anlisis Inicial
Transistores de efecto de campo y su funcionamiento:
El Transistor de Efecto de Campo (FET) es un transistor similar al BJT, pero controlado por tensin. Es
un dispositivo unipolar, porque el funcionamiento se debe slo a un tipo de portadores en movimiento (a
diferencia del BJT que tiene los dos portadores). Se basa en una regin de semiconductor (tipo n o p)
llamada canal, por donde pasan los portadores, y una terminal, llamada compuerta que, dependiendo del
voltaje aplicado a ella, va cambiando el tamao del canal.
Existen varios tipos de FET:
JFET
DECREMENTAL
FET
MOSFET
INCREMENTAL
Canal
Canal
Canal
Canal
Canal
Canal
n
p
n
p
n
p
Boylestad Pg.: 245
JFET (Transistor de Efecto de Campo de Juntura):

Construccin:
Existen JFET de Canal n y de Canal p. Analizaremos
todo para el Canal n, siendo el otro de similar anlisis.
El FET de Juntura (JFET) tiene la composicin
interna que vemos en la imagen. Un canal de tipo n
que conecta la fuente (S) con el drenaje (D). La
compuerta (G) controla el ancho de la zona de
transicin, y por ende, el del canal. Es importante
aclarar que por el terminal de compuerta no entra
corriente (o es despreciable), porque es una juntura
polarizada en inverso, entonces:
IG = 0
Boylestad Pg.: 245
Funcionamiento:
Si aplicamos tensin entre compuerta y fuente ( VGS < 0V )
polarizando en inverso la juntura p-n, podemos controlar el
ancho de la zona de transicin con la tensin VGS ,
disminuyendo el tamao del canal.
Si seguimos aumentando la tensin, llega un momento que
el canal se estrangula y desaparece. A esa tensin inversa
de compuerta-fuente la llamamos Tensin de
estrangulamiento del canal y la indicamos con
Vp = VGSOFF = VGS (apagado ) . El dispositivo en stas
condiciones se encuentra apagado.
U.T.N. F.R.M.
- 56 -
Si aplicamos VGS = 0V y variamos V DS > 0V ,

comenzar a haber flujo de corriente entre drenaje y
fuente a travs del canal. La corriente que circula ser
llamada I D (entra en el drenaje), y ser igual a I S (la
que sale de la fuente).
ID = IS
Las zonas de transicin se deforman con sta aplicacin
de tensin, debido a que ahora el terminal de drenaje
tiene un potencial positivo respecto a la compuerta, lo
que configura una juntura polarizada en inverso con
ms diferencia de potencial cerca del drenaje que de la
fuente. Por eso, la zona de transicin es ms amplia
cerca del drenaje.
A pequeas tensiones en V DS , la resistencia
aumenta siguiendo la ley de Ohm, debido a la
disminucin del tamao fsico del canal.
Superada una cierta tensin, las curvas dejan
de ser lineales.
Una vez que se llega al valor de Vp en V DS ,
el canal se estrecha al mximo. Queda
entonces una diferencia de potencial entre
la parte superior y la inferior de esta
barrera, generando un campo elctrico que
acelera los electrones hacia el otro lado de
la misma, produciendo as un flujo
constante de corriente.
Esa corriente es la mxima que puede alcanzar I D y toma el valor de I DSS (dato proporcionado por el
fabricante). De ah en adelante, para cualquier valor de V DS la corriente no variar de su lmite, hasta un
cierto valor de tensin de ruptura.
El funcionamiento correcto del dispositivo tambin est limitado por una hiprbola de disipacin, dada
por la potencia mxima proporcionada por el fabricante.
Boylestad Pg.: 247
Simbologa:
Boylestad Pg.: 252
Curvas caractersticas y ecuacin de Shockley:

Para poder construir la curva de transferencia, que es la que ms vamos a usar, pues las resoluciones se
basarn en mediciones grficas, debemos relacionar la corriente de drenaje con el voltaje de compuerta.
Para esto existe una ecuacin llamada ecuacin de Shockley que expresa:
U.T.N. F.R.M.
- 57 -
V
I D = I DSS .1 GS
Vp
Donde la variable independiente es VGS y los datos son I DSS y Vp .

Para trazar sta curva vamos a hacer uso de cuatro puntos
bsicos:
1. Si VGS = 0V , entonces I D = I DSS
ID
I DSS
2. Si VGS = Vp , entonces I D = 0
3. Si VGS =
4. Si I D =
Vp
2
, entonces I D =
I DSS
4
I DSS
, entonces VGS 0,3.Vp
2
I DSS
Construyendo la curva con esos cuatro puntos, tenemos la

forma que se ve en la imagen.
En el clculo de polarizacin, encontraremos la interseccin
entre la recta de polarizacin y la curva de transferencia,
encontrando as el punto de trabajo.
I DSS
VGS V
p
Vp
2
4
0,3.Vp
En la siguiente figura vemos cmo se relaciona la grfica de curvas caractersticas con la de transferencia:
Boylestad Pg.: 253
MOSFET (Transistor de Efecto de Campo de Metal-xido-Semiconductor):

MOSFET Decremental (o de canal permanente):
Construccin:
El transistor MOSFET (Metal-xido-Semiconductor-Transistor de Efecto de Campo) o
Transistor de Compuerta Aislada, es un dispositivo con el mismo principio que el JFET, pero
funciona y se construye de manera diferente. Como su nombre lo indica, la compuerta est
formada por una capa metlica, un aislante (Dixido de Silicio), y un material semiconductor.
El potencial aplicado en la compuerta tiene el poder de influir en el canal que dejar pasar la
corriente. Hay que notar que la compuerta no tiene contacto elctrico con el canal, sino que est
aislada, por lo que el dispositivo presenta alta impedancia de entrada.
U.T.N. F.R.M.
- 58 -
El MOSFET de tipo Decremental tiene la

estructura que vemos en la figura. El canal
viene construido con el dispositivo, y la
funcin que realiza el potencial de la
compuerta es disminuir su tamao. El sustrato
se conecta al terminal de la fuente (el de menor
potencial), para disminuir las corrientes de
prdida a su valor mnimo posible.
Boylestad Pg.: 263
Funcionamiento:
Cuando aplicamos una tensin entre drenaje y fuente, la corriente pasa por la regin n de la
fuente, sigue por el canal, donde hay portadores que permiten la conduccin, llega a la zona n del
drenaje y sale por ese terminal.
Cuando polarizamos ms negativa la compuerta que la fuente, los electrones en el canal son
repelidos por el potencial negativo, y se recombinan con los huecos del sustrato p, que son
atrados por el mismo potencial. Esa recombinacin implica una disminucin en la cantidad de
portadores en el canal, y por lo tanto, una disminucin de la corriente que circular por el mismo.
Existe tambin, al igual que en el JFET, una tensin de estrangulamiento del canal ( Vp ), a la
cual el canal habr desaparecido, y la corriente que circular entre drenaje y fuente ser nula.
Vemos que en principio, el funcionamiento bsico es similar al JFET, y entonces para ste
dispositivo utilizaremos la misma ecuacin que para aqul, obteniendo el mismo comportamiento,
pero con una pequea diferencia: si colocamos un potencial positivo respecto a la fuente en la
compuerta, el canal aumentar de tamao, porque sern atrados por este potencial electrones
del sustrato (minoritarios), y aumentar la corriente de drenaje. Entramos entonces en una zona
incremental del transistor, logrando que la curva de transferencia se extienda hacia potenciales
positivos. Utilizaremos sta propiedad, siempre teniendo cuidado de no exceder la corriente
mxima soportada por el dispositivo.
Boylestad Pg.: 264
Simbologa:
Boylestad Pg.: 267

La ecuacin que utilizaremos para la transferencia ser la ecuacin de Shockley, en la que
podremos aplicar los potenciales positivos en la base, obteniendo los resultados correctos si
tenemos cuidado con los signos.
V
I D = I DSS .1 GS
Vp
U.T.N. F.R.M.
- 59 -
En la siguiente figura vemos cmo se relaciona la grfica de curvas caractersticas con la de

transferencia:
Boylestad Pg.: 264
MOSFET Incremental (o de canal inducido):

Construccin:
El MOSFET de tipo Incremental tiene la

estructura que vemos en la figura. No existe un
canal fabricado con el dispositivo por el cual
circule la corriente. La funcin de la compuerta
es inducir ese canal e incrementar su tamao.
El sustrato se conecta al terminal de la fuente
(el de menor potencial), para disminuir las
corrientes de prdida a su valor mnimo
posible.
Boylestad Pg.: 269
Funcionamiento:
Se establecen potenciales V DS y VGS ambos
positivos. El potencial positivo en la
compuerta repele a los huecos del sustrato, y
atrae a los electrones (minoritarios), que
inducirn un canal. A medida que VGS
aumenta a valores ms positivos, aumenta el
tamao del canal, porque se atraen ms
portadores negativos.
Existir un nivel de VGS que ocasione un
primer nivel significativo de corriente de
drenaje, al que llamaremos voltaje de
umbral VT (o VGS (Th ) ). A partir de ste
nivel se considera que el dispositivo hace
conducir corriente entre el drenaje y la
fuente.
U.T.N. F.R.M.
- 60 -
Si aumentamos el valor de la tensin V DS , para un

valor fijo de VGS , llegar un momento en que la
corriente alcanzar un nivel de saturacin, por el
estrechamiento del canal, de la misma manera que
ocurra en el JFET. sta situacin se muestra en la
figura. A partir de ese voltaje, la corriente se
mantiene constante.
Para mayores niveles de VGS , mayor ser el nivel
que alcance V DSsat . stos parmetros estn
relacionados por la siguiente ecuacin:
V DSsat = VGS VT
Boylestad Pg.: 269
Simbologa:
Boylestad Pg.: 274

Para los niveles de VGS > VT , la corriente de drenaje est relacionada con el voltaje compuertafuente aplicado mediante la siguiente relacin no lineal:
I D = k .(VGS VT )
El trmino k es una constante que depende del dispositivo. sta se determina con dos valores
conocidos: I D (on ) e VGS (on ) , que vienen en las hojas de especificaciones. Una vez que se conoce
el valor de k , pueden obtenerse varios puntos, por tabla de valores, para graficar la curva de
transferencia. Las curvas caractersticas tendrn la siguiente forma:
Boylestad Pg.: 269
U.T.N. F.R.M.
- 61 -
MOS especiales:
VMOS:
Una de las desventajas del MOSFET tpico son los bajos niveles de potencia en
comparacin con los BJT. Es posible mejorar sta caracterstica mediante un cambio en
su forma de construccin de una naturaleza planar a otra con una estructura vertical. ste
es el llamado VMOS (Vertical MOS). El trmino vertical se debe bsicamente al hecho
de que el canal se encuentra ahora formado en la direccin vertical, en vez de la direccin
horizontal.
La longitud del canal estar ahora definida por la altura vertical de la regin p, que puede
hacerse significativamente menor que la de un canal de construccin planar. Al tener
menos longitud, tiene menos resistencia y disipa menos potencia. Adems, contribuye a
ste efecto el hecho de que el rea de contacto entre el canal y la regin n+ se incrementa
de forma importante debido a las caractersticas constructivas.
Otras ventajas son: que los VMOS tienen un coeficiente positivo de temperatura que
luchar en contra de la posibilidad de una avalancha trmica, y que los niveles de
almacenamiento de carga son reducidos, por lo que tiene tiempos de conmutacin ms
rpidos.
Boylestad Pg.: 277
CMOS:
Es posible tener un circuito lgico muy efectivo al construir un MOSFET de canal-p y de
canal-n sobre el mismo sustrato, como muestra la siguiente figura:
U.T.N. F.R.M.
- 62 -
A sta configuracin se la conoce como arreglo complementario de MOSFET, o CMOS.

Tiene muchas ventajas para los circuitos digitales: alta impedancia de entrada, rpidas
velocidades de conmutacin y bajos niveles de potencia de operacin.
El arreglo ms sencillo es el inversor que muestra la siguiente figura:
Si Vi = 5V , entonces VGS1 = Vi y Q1
estar encendido (baja resistencia) y
dejar pasar el estado 0 de la masa del
circuito; VGS 2 = 0V y Q2 estar
apagado (alta resistencia). La salida
mostrar Vo 0V .
Si Vi = 0V , entonces VGS1 = 0V y
Q1 estar apagado (alta resistencia);

VGS 2 = Vi y Q2 estar encendido
(baja resistencia) y dejar pasar el
estado 1 de la VSS del circuito. La
salida mostrar Vo 5V .
Debido a que la corriente de drenaje que fluye en cada caso estar limitada por el
transistor apagado al valor de fuga, la potencia que disipa el dispositivo en cada estado
es muy baja.
Boylestad Pg.: 278
MOS de doble compuerta:

Los MOSFET de doble compuerta estn construidos de esa manera para obtener dos
variables de control, es decir, por una compuerta controlo el canal y por la otra puedo
introducir una seal, por ejemplo.
Manual de Transistores RCA
MOS de potencia:
Los MOSFET de potencia son circuitos integrados con arreglos de MOSFET comunes en
paralelo, para aumentar su capacidad de manejar corriente y, por ende, potencia. Al
configurarlos en paralelo, tenemos varios canales por donde hacer pasar corriente, y por
ende podemos manejar ms potencia. Observar que en el caso de los MOSFET la
configuracin en paralelo es til, no as en los BJT.
Anlisis en Corriente Continua

Polarizacin del JFET:
Para polarizar nuestros dispositivos, tendremos en cuenta que, por motivos dinmicos, RG no puede ser
cero, tampoco infinita, porque sino no estara polarizado el dispositivo. Concluimos que debe ser alta,
para que la seal no se me desve a masa a travs de ese cortocircuito.
Los clculos de las polarizaciones para FET se basan en la ecuacin de Shockley (excepto el MOSFET
incremental), que es cuadrtica, y por lo tanto un sistema de ecuaciones que la contenga ser difcil de
resolver. Por eso nos basamos en mtodos grficos. Trazamos la curva de transferencia del FET, luego
trazamos la recta de polarizacin (basada en las caractersticas del circuito), y el punto de interseccin
ser nuestro punto Q , que determinar I DQ y VGSQ .
Hay varias consideraciones que debemos tener en cuenta como una aproximacin muy buena al analizar
en dc los FET:
I D = I S y I G = 0 , y por lo tanto V RG = 0
U.T.N. F.R.M.
- 63 -
Polarizacin fija:
Para ste tipo de polarizacin,
colocamos un resistor en el drenaje
para controlar I D , y una tensin VGG
inversa con una resistencia RG entre
la compuerta y la masa. Conectamos
tambin a masa la fuente del JFET.
Obtenemos una polarizacin cuyo
VGS depender solamente de VGG .
Las ecuaciones de ambas mallas son:
VGG = VGS
VDD = I D .RD + VDS
De la malla de entrada sacamos la recta de

polarizacin del circuito:
VGS = VGG
que es la ecuacin de una recta vertical en el punto
cuyo valor es el de la tensin de la fuente colocada en
la compuerta, con lo que nos queda la configuracin
de la figura.
Boylestad Pg.: 290
Autopolarizacin:
colocamos un resistor en el drenaje, otro
en la fuente, y otro entre la compuerta y
masa. Vemos que la fuente es ms
positiva que la compuerta, que est a
0V, con lo que obtenemos la
polarizacin deseada.
VGS = I D .RS
VDD = I D .(RD + RS ) + VDS
U.T.N. F.R.M.
- 64 -
De la malla de entrada sacamos la recta de

polarizacin del circuito:
ID =
VGS
RS
que es la ecuacin de una recta con pendiente de

valor 1 / RS , con lo que nos queda la
configuracin de la figura.
Boylestad Pg.: 294
Polarizacin por Divisor de Tensin:

colocamos un resistor en el drenaje,
otro en la fuente, y un divisor de
tensin que fije el valor de VG .
Deberemos tratar de que R2 tenga un
valor tal que la tensin en la
compuerta sea menor que la tensin
en la fuente del JFET.
V DD .R2
= VG = VGS + I D .RS
R1 + R2
V DD = I D .(R D + RS ) + V DS
De la malla de entrada sacamos la
recta de polarizacin del circuito:
ID =
VG VGS
R S RS
que es la ecuacin de una recta

con pendiente de valor 1 / RS , y
ordenada al origen VG / RS , que
corta al eje de VGS en el valor
VG , con lo que nos queda la

configuracin de la figura.
Boylestad Pg.: 301
Polarizacin del MOSFET Decremental:

El anlisis y las polarizaciones para el MOSFET de tipo Decremental son exactamente iguales que para el
JFET, debido a que la ecuacin de transferencia es la misma. La nica diferencia, es que la curva para el
DECMOS puede extenderse a valores positivos de VGS , por lo que el punto de trabajo puede ubicarse en
una corriente mayor y un voltaje menor, sin distorsionar la seal de alterna.
Boylestad Pg.: 307
U.T.N. F.R.M.
- 65 -
Polarizacin del MOSFET Incremental:

Polarizacin fija:
colocamos un resistor en el drenaje
para controlar I D , y una tensin VGG
positiva con una resistencia RG entre
la compuerta y la masa. Conectamos
tambin a masa la fuente del JFET.
Obtenemos una polarizacin cuyo
VGS depender solamente de VGG .
VGG = VGS
VDD = I D .RD + VDS

De la malla de entrada sacamos la recta de polarizacin del circuito:
VGS = VGG
que es la ecuacin de una recta vertical en el punto cuyo valor es el de la tensin de la fuente
colocada en la compuerta.
Polarizacin por realimentacin:

colocamos un resistor en el
drenaje y otro entre el drenaje
y la compuerta, de tal manera
de lograr VGS = V DS .
Las ecuaciones de ambas
mallas son:
VGS = VDD I D .RD
VDD = I D .RD + VDS

De la malla de entrada sacamos la recta
de polarizacin del circuito:
ID =
VDD VGS
RD
RD
que es la ecuacin de una recta con

pendiente de valor 1 / R D y ordenada
al origen VGS / R D que corta al eje VGS
en el valor V DD , con lo que nos queda
la configuracin de la figura.
Boylestad Pg.: 312
U.T.N. F.R.M.
- 66 -
Polarizacin por Divisor de Tensin:

Para ste tipo de polarizacin, colocamos un resistor en el
drenaje, otro en la fuente, y un divisor de tensin que fije el valor
de VG . Deberemos tratar de que R2 tenga un valor tal que la
tensin en la compuerta sea mayor que la tensin en la fuente del
JFET, a la vez que esa diferencia VGS sea mayor que VGS (Th ) .
VDD .R2
= VG = VGS + I D .RS
R1 + R2
V DD = I D .(R D + RS ) + VDS
De la malla de entrada sacamos la recta

de polarizacin del circuito:
ID =
VG VGS
R S RS
que es la ecuacin de una recta con

pendiente de valor 1 / RS , y ordenada
al origen VG / RS , que corta al eje de
VGS en el valor VG , con lo que nos

queda la configuracin de la figura.
Boylestad Pg.: 315
FET de canal p:
Para el anlisis de los FET de canal-p, se invierten los sentidos de las corrientes, se reflejan las curvas de
transferencia respecto al eje vertical, y por lo tanto se reflejarn las curvas de polarizacin tambin.
Adems los circuitos se alimentan con una tensin negativa. Las notaciones de tensiones continan
iguales, pero ahora las polaridades sern inversas.
Boylestad Pg.: 325
Curva universal de polarizacin:

Para facilitar los clculos, se ha creado una curva universal de polarizacin para el FET, donde los ejes
estn normalizados. La curva se muestra en la figura.
Los ejes de la derecha corresponden a parmetros definidos como:
m=
Vp
I DSS .RS
y M =m
VG
Vp
Donde para la m se utiliza en configuraciones sin divisor de voltaje, y la M se utiliza cuando por divisin
de tensin tenemos un VG . Para el primer caso, obtenemos el valor de m y trazamos una recta desde el
origen que pase por ese punto en ese eje, y la interceptamos con la curva. Ese ser el punto Q, y lo que
queda ahora es desnormalizar el valor.
U.T.N. F.R.M.
- 67 -
Para el caso de tener un VG , obtenemos el valor de m. Luego, con l, obtenemos el valor de M. Ubicamos
en el eje M ese valor y tenemos un punto (a), trazamos una recta horizontal hasta el eje m, y ahora desde
ah subimos el valor de m, obteniendo un punto (b). Trazamos una recta entre (a) y (b) y la extendemos
hacia la curva. Ese punto ser Q y slo nos resta desnormalizar los valores encontrados.
Boylestad Pg.: 328
MOSFET en conmutacin y retardos:

Los retardos en la conmutacin del MOSFET se deben principalmente a los capacitores que se
presentan en el dispositivo, fundamentalmente entre el terminal de compuerta y el canal. Esto provoca
que, al llevar el dispositivo de apagado a encendido, deba cargarse este capacitor, retardando la
respuesta, y para el caso contrario (del encendido al apagado), deba descargarse, produciendo el
mismo efecto.
Guinzburg Seccin 10
Anlisis en Corriente Alterna

Modelo a pequea seal del FET:
Nos basaremos en el anlisis de Cuadripolos:
Ii
Vi
Io
+
Amplificador
+
-
Vo
De aqu podemos sacar cuatro parmetros importantes a la hora de analizar el amplificador:
U.T.N. F.R.M.
- 68 -
Zi =
Vi
Impedancia de Entrada
Ii
Zo =
Vo
Impedancia de Salida
Io
Av =
Vo
Ganancia de Tensin
Vi
La ganancia de corriente no es importante, porque la corriente de entrada en los FET es nula.

Para aplicar los modelos, es necesario prescindir de los valores de polarizacin, suponiendo que ya han
sido calculados correctamente. Al analizar la seal en el FET, debemos reemplazar los elementos que
podamos para simplificar el circuito: los capacitares de acople y de fuente, sern cortocircuitos para la
seal (porque suponemos que estn bien calculados y tienen reactancias insignificantes), las fuentes de
tensin continua tambin, y por ltimo, al FET lo reemplazamos por su modelo equivalente.
Realizando un anlisis de cuadripolos, podemos calcular los parmetros admitancia, que sern de gran
ayuda en nuestro anlisis. Para ello hacemos:
I i = f (Vi ,Vo )
I o = f (Vi , Vo )
como I i es nula, slo utilizamos la segunda ecuacin, y al aplicarla al FET, obtenemos:
I D = f (VGS , V DS )
Si ahora obtenemos la diferencial, vemos que:
dI D =
I
I D
.dVGS + D .dVDS = g m .dVGS + g d .dVGS
VGS
VDS
Donde los parmetros importantes sern:
gm =
rd =
I D
(Transconductancia)
VGS
1
(Resistencia dinmica de drenaje)
gd
Algunas hojas de datos proporcionan el valor de g m como y fs , y el valor de 1 / rd como y os .

Para pequea seal, podemos aproximar los diferenciales con seales y obtenemos el siguiente sistema,
que nos define el modelo:
I d = g m .Vgs + .Vds
rd
I g = 0
U.T.N. F.R.M.
- 69 -
Y si aplicamos conversin de fuentes, y agrupamos trminos de la siguiente manera: = g m .rd ,

obtenemos un modelo ms prctico para los anlisis:
Expresiones para JFET y MOSFET Decremental:

Derivando la ecuacin de Shockley obtenemos la expresin de la transconductancia:
gm =
2.I DSS
Vp
V
.1 GS
Vp
Y algunas otras formas de expresarla pueden ser:
gm =
2.I DSS
I D
=
VGS
Vp
V
.1 GS
Vp
= g m 0 .1 VGS
Vp
= g m0 . I D
I DSS
Expresiones para MOSFET Incremental:

Derivando la ecuacin de transferencia de los MOSFET Incrementales, obtenemos la expresin de la
transconductancia:
g m = 2.k .(VGS VT )
Variacin de la transconductancia con el voltaje compuertafuente:
Como existe variacin lineal de g m respecto a VGS , habr
distorsin al introducir una seal de entrada: en uno de los picos
habr una transconductancia mayor y en el otro menor.
gm
g m0
Vp
VGS
Pasos a seguir:
Los pasos a seguir para aplicar el modelo dinmico del FET, sern los siguientes:
U.T.N. F.R.M.
- 70 -
1. Evaluar VGSQ en la polarizacin

2. Calcular g m
3. Aplicar el modelo del FET, dibujando primero el circuito equivalente, y desde ah hacia fuera
realizar el anlisis.
Boylestad Pg.: 462
ETAPAS AMPLIFICADORAS EN LAS DISTINTAS CONFIGURACIONES

Para los clculos de los parmetros importantes, utilizo los mismos mtodos que para los BJT.
Fuente comn:
Polarizacin Fija del JFET y MOSFET Decremental:
Z o = R D // rd
Z i = RG
Z o RD
Av =
.RD
RD + rd
Av g m .R D
rd 10. RD
rd 10. RD

Boylestad Pg.: 469
Autopolarizacin del JFET y MOSFET Decremental:

Sin desvo:
Observar que V gs = V g Vs = Vi I d .RS
U.T.N. F.R.M.
- 71 -
Z o = rd + (1 + ).R S
Z i = RG
Z o = Z o // R D
Z o RD
rd 10. RD
Av =
.RD
rd + RD + (1 + ).RS
Av
.RD
rd + .RS
rd 10. RD

Boylestad Pg.: 473
Con desvo:
Anlisis idntico a la polarizacin fija.
Boylestad Pg.: 472
Polarizacin por divisor de tensin del JFET y MOSFET Decremental:
Z i = R = RG1 // RG2
Z o = rd // RD
Z o RD
Av =
.RD
rd + RD
Av g m .R D
rd 10. RD
rd 10. RD

Boylestad Pg.: 479
Polarizacin Fija del MOSFET Incremental:

Anlisis idntico a la polarizacin fija del JFET y MOSFET Decremental.
Polarizacin por retroalimentacin del MOSFET Incremental:
Zi =
RG .rd + RG .RD + rd .RD

rd + (1 + ).RD
Z o = R D // rd // RG
Av =
(.RG rd ).RD
RG .rd + RG .R D + rd .RD
Av g m .R D
Z o RD
Boylestad Pg.: 490
U.T.N. F.R.M.
- 72 -
Polarizacin por divisor de tensin del MOSFET Incremental:

Anlisis idntico a la polarizacin por divisor de tensin del JFET y MOSFET Decremental.
Boylestad Pg.: 493
Compuerta Comn:
Polarizacin general del JFET y MOSFET Decremental:
+ RD )
1+
Z i = Z i // RS
Z i =
(rd
Z o = R D // rd
Z o RD
Av =
(1 + )RD
rd + R D
Av g m .R D
rd 10. RD
rd 10. RD

Boylestad Pg.: 483
Drenaje Comn:
Configuracin Fuente-Seguidor:
Zo =
Z i = RG
1
// rd // RS
gm
Av =
.RS
rd + (1 + )RS

Boylestad Pg.: 480
Anlisis comparativo:
En la siguiente tabla, aparece una comparacin entre las distintas configuraciones del FET y sus
parmetros importantes. ste anlisis nos facilita informacin para poder decidir qu configuracin usar a
la hora de construir un amplificador.
Parmetro
Av
Fuente Comn
MEDIA
Compuerta Comn
MEDIA
Drenaje Comn
BAJA (<1)
Zi
ALTA
BAJA
ALTA
Zo
MEDIA
MEDIA
BAJA
Boylestad Pg.: 498
U.T.N. F.R.M.
- 73 -
UNIDAD VII: DISPOSITIVOS MULTIJUNTURAS

Tiristores
Tiristores:
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores multicapa pnpn utilizados para la
conmutacin. Generalmente se conoce como tiristor al SCR.
SCR: Rectificador Controlado de Silicio:

Para construir stos dispositivos se eligi el silicio debido a sus
capacidades de alta temperatura y potencia. Se fabrican
estableciendo cuatro capas en el semiconductor: pnpn. Se diferencia
del diodo comn por tener una tercera terminal denominada
compuerta, que determina el momento en el que el rectificador
cambia de estado de circuito abierto al de circuito cerrado.
Si se busca establecer una conduccin directa, el nodo debe ser
positivo respecto al ctodo. Sin embargo, sta no es una condicin
suficiente para encender el dispositivo. Existen tres maneras de disparar
un SCR:
Aplicar un pulso de corriente en la compuerta, de tal manera que la
curva se asemeje a las caractersticas del diodo comn y entre en
conduccin.
Elevar la temperatura.
Elevar la tensin aplicada entre nodo y ctodo hasta el valor de
transicin conductiva.
CURVA CARACTERSTICA
U.T.N. F.R.M.
- 74 -
Podemos facilitar la comprensin de su funcionamiento mediante su

interpretacin como el acople de dos transistores: uno pnp, y el otro npn.
Veremos as, que sin tensin en la compuerta, la corriente de base del Q2 , es
la I CO del Q1 . Cuando aplicamos una tensin suficiente como para que la
I CO del Q1 sea importante, la I B del Q2 ser suficiente como para

encenderlo, y por lo tanto, habr corriente de base en Q1 y estar encendido,
dejando pasar la corriente de nodo a ctodo. sta operacin representa la
tercer manera mencionada anteriormente para encender el SCR.
Cando aplicamos un pulso de corriente en la compuerta de la magnitud
suficiente como para encender a Q2 , esto generar una corriente de
colector en l, que ser la I B de Q1 . Al encenderse ste ltimo, hace
pasar la corriente desde el nodo, y sta llega a la base de Q2 , lo que
produce un efecto regenerativo que provoca que, por ms que yo quite
la tensin en la compuerta, el dispositivo siga encendido.
La frmula para calcular la corriente de nodo, mediante las
caractersticas de los transistores que componen al dispositivo es:
IA =
I CO1 + I CO 2
1 ( 1 + 2 )
La nica forma de apagar el SCR es interrumpiendo la
corriente entre nodo y ctodo, para que disminuya a un
valor menor que la corriente de sostenimiento. Esto se
puede hacer mediante un simple interruptor, o mediante
una tcnica llamada conmutacin forzada, que se ve
en la figura. A travs del circuito de encendido,
ponemos a funcionar el SCR. Para apagarlo, basta con
introducir un pulso de corriente en la base del transistor,
para ponerlo en estado de encendido, lo cual har que la
corriente del nodo se derive al transistor, en vez de
entrar al SCR. Esa disminucin de corriente hace que el
tiristor se apague. En la prctica esto es imposible de
implementar, porque el transistor que soporte tensiones
del orden de la tensin de bloqueo del tiristor no existe
o es muy costoso. Lo usual es que, utilizando al SCR
como rectificador, se apague solo con el hemiciclo
negativo de la seal.
El dato que me proporciona el fabricante es la tensin de bloqueo, que es la mxima tensin que me
asegura que el SCR no se dispara a compuerta abierta. Es distinta de la V( BR )F , ya que la primera es una
tensin de trabajo, y la segunda un lmite.
Control de potencia:
Al utilizar un SCR tenemos la desventaja de perder el hemiciclo
negativo. Pero si pusiramos 2 SCR en polaridades distintas, como la
siguiente figura, podramos aprovechar los dos hemiciclos. Existe un
dispositivo que realiza sta tarea, equivalente a esta configuracin: El
TRIAC.
U.T.N. F.R.M.
- 75 -
Podemos realizar circuitos para el control de la potencia suministrada de una fuente a una carga,
controlando el ngulo de conduccin de la corriente con distintas configuraciones de la siguiente manera:
Configuracin ms sencilla:
Variando la resistencia R , variamos la corriente de compuerta
I G , con lo que controlamos el voltaje en el que el SCR comienza a
conducir. Con ello manejamos un ngulo de conduccin slo desde
90 a 180, porque controlamos la tensin en la que arranca el
SCR, desde 0V hasta el voltaje pico positivo de la seal.
Configuracin de mayor control del ngulo de conduccin:

Variando la resistencia, variamos el retardo para que el capacitor llegue a la tensin necesaria para
disparar el SCR, por lo tanto podemos variar de 0 a 180 el ngulo de conduccin.
Boylestad Pg.: 923
SCS: Interruptor Controlado de Silicio:

A diferencia del SCR, el SCS (Interruptor Controlado de Silicio) tiene todas sus capas disponibles
elctricamente desde el exterior, de tal manera que presenta dos compuertas, como muestra la figura.
Las caractersticas del dispositivo son bsicamente las mismas que las del SCR. El efecto de una corriente
de compuerta de nodo negativa es muy similar al demostrado para la corriente de compuerta (de ctodo)
positiva en el SCR, mostrado al analizarlo como transistores acoplados. La diferencia es que la compuerta
de nodo puede utilizarse para encender o apagar el dispositivo. Para encenderlo, se aplica un pulso
negativo en dicha terminal, mientras que para apagarlo se requerir de un pulso positivo. ste pulso
positivo polarizar en inverso la unin base-emisor de Q1 , apagndolo, y dar por resultado el estado de
circuito abierto del dispositivo.
Existen diversas maneras de apagar el SCS mediante configuraciones de circuitos. Las tres ms
importantes son las que muestra la siguiente figura:
U.T.N. F.R.M.
- 76 -
Para el tercer caso, se puede encender el dispositivo con un pulso positivo, y apagar con uno negativo.
Esto depender del valor correcto de R A , el cual controlar la cantidad de retroalimentacin regenerativa,
donde la magnitud de sta es crtica para ste tipo de operacin.
Las desventajas del SCS es que se encuentra limitado a niveles de baja potencia, corriente y voltaje.
Boylestad Pg.: 932
GTO: Interruptor Controlado en Compuerta:

El GTO es un dispositivo similar constructivamente al SCR, pero tiene la
ventaja de poder ser encendido o apagado con la aplicacin de un pulso positivo
y negativo respectivamente en la compuerta, sin necesidad de la circuitera
requerida para el SCS.
Una consecuencia de sta capacidad de apagado es un incremento en la
magnitud de la corriente de compuerta requerida para el disparo. Adems, la
corriente de apagado de un GTO es ligeramente mayor que la corriente
requerida de disparo.
Una segunda caracterstica muy importante del GTO son sus caractersticas
mejoradas de conmutacin. El tiempo de encendido es similar al del SCR, pero
el tiempo de apagado de prcticamente la misma duracin es mucho menor que
el tiempo de apagado tpico de un SCR. ste hecho permite la utilizacin de
ste dispositivo en aplicaciones de alta velocidad.
Las desventajas que presenta ste dispositivo, al igual que el SCS, es que slo
puede manejar potencias mucho menores que el SCR.
Boylestad Pg.: 934
LASCR: SCR Activado por Luz:

Se trata de un SCR cuyo estado lo controla la luz que incide
sobre una capa semiconductora de silicio del dispositivo.
Tambin se proporciona una terminal de compuerta para
permitir el disparo del dispositivo mediante mtodos
tradicionales del SCR.
Boylestad Pg.: 935
Otros dispositivos multijunturas

Diodo Shockley:
El diodo Shockley es un diodo pnpn de cuatro capas con slo dos terminales externas (sin compuerta).
Las caractersticas del dispositivo son exactamente las mismas que las encontradas para el SCR con
I G = 0 . Como lo indican las caractersticas, el dispositivo se encuentra en el estado apagado hasta que
se alcanza el voltaje de transicin conductiva , momento en el que se desarrollan lasa condiciones de
avalancha y el dispositivo se enciende.
U.T.N. F.R.M.
- 77 -
Boylestad Pg.: 937
DIAC:
El DIAC es bsicamente una combinacin paralela inversa de dos terminales, de capas de semiconductor
que permiten el disparo en cualquier direccin.
Las caractersticas del dispositivo claramente demuestran
que existe un voltaje de transicin conductiva en cualquier
direccin, lo que permite su utilizacin en aplicaciones de
ac. Podemos verlo sistemticamente como un arreglo de
dos diodos Shockley puestos en paralelo inverso.
Boylestad Pg.: 938
TRIAC:
El TRIAC es fundamentalmente un DIAC con una terminal de
compuerta para controlar las condiciones de encendido bilateral
del dispositivo en cualquier direccin. Es, como vimos
anteriormente, una combinacin paralela inversa de dos SCR. Sin
embargo, las caractersticas del TRIAC son un tanto distintas a
las del DIAC, en cuanto a que en ste ltimo no existe corriente
de sostenimiento, y en el TRIAC s, en ambas direcciones.
Control de potencia:
Una aplicacin fundamental del TRIAC es el control
de potencia, aprovechando los dos hemiciclos de la
seal. La explicacin es la misma que para el disparo
y control del ngulo de conduccin del SCR,
duplicado para cada hemiciclo. En ste caso
utilizamos un DIAC con el que, controlando su
disparo, controlamos el disparo del TRIAC, y por lo
tanto, el ngulo de conduccin entre 0 y 180 de cada
hemiciclo de la tensin.
Boylestad Pg.: 940
U.T.N. F.R.M.
- 78 -
UJT: Transistor Monounin:

El UJT se compone de una barra de silicio tipo
n ligeramente dopada, que tiene dos contactos
de base adheridos a ambos extremos de la
superficie, y una varilla de aluminio en aleacin
con la superficie opuesta. La unin p-n del
dispositivo se forma en la frontera de la varilla
de aluminio y la barra de silicio tipo n. La
aleacin se encuentra en un punto ms cercano
al contacto de B2 que de B1 y que B2 se
polariza ms positivo que B1 .
Vemos que el smbolo del UJT es similar al del JFET, pero con su flecha
inclinada. Tambin vemos que las terminales superior e inferior se denominan
Base y que la terminal de la varilla de aluminio se denomina Emisor.
Si realizamos un circuito equivalente encontraremos que es como en la siguiente
figura. Veremos que hay un diodo en el emisor, y dos resistencias: una fija y
otra variable, entre la base 2 y la base 1.
La resistencia que se ve entre base y base, con I E = 0 es R BB = R B1 + R B2 .
Tenemos tambin una relacin entre las
resistencias, proporcionada por el fabricante,
que es la separacin intrnseca del dispositivo
y que se define como:
R B1
R B1 + R B2
I E =0
Si aplicamos una tensin en V E , veremos una

respuesta en I E , segn las caractersticas que
se muestran a continuacin.
Veremos que el potencial de disparo del
emisor estar dado (circuitalmente y en forma
idealizada) por la ecuacin:
V p = .VBB + VD
Este dispositivo tiene una regin de resistencia
negativa que es suficientemente estable como
para ser utilizada en la mayora de las
aplicaciones.
Boylestad Pg.: 941
PUT: Transistor Monounin Programable:

Aunque existe una similitud en el nombre, la construccin real y el modo de operacin
del transistor monounin programable son muy distintos del UJT. An as, las
caractersticas y las aplicaciones de ambos son similares.
U.T.N. F.R.M.
- 79 -
El PUT es un dispositivo pnpn con una compuerta

conectada directamente a la capa intermedia de tipo n. El
trmino programable se aplica porque ahora no dispongo
de las resistencias internas en el dispositivo, sino que
tengo que agregarlas para que funcione como un UJT,
entonces puedo programar su funcionamiento. El
arreglo de polarizacin para que se cumpla sta funcin
es el que se muestra en la figura.
En la figura siguiente vemos las
caractersticas del dispositivo. Como se
observa, existe un estado apagado, uno
encendido y una regin inestable, en la
cual el dispositivo no puede permanecer.
El potencial de disparo del dispositivo se
encontrar dado por la misma ecuacin
que en el UJT, pero podemos acomodar
las notaciones, y nos queda (para el
silicio):
V p = VG + 0,7V
En otras palabras, controlando VG por medio de la tensin aplicada y de las resistencias (programando),
se puede controlar el nivel de disparo del PUT.
Una vez que el dispositivo se encuentra encendido, la eliminacin de VG no lo apagar, sino que hay que
bajar el nivel de V AK para reducir la corriente hasta el nivel de sostenimiento.
Las desventajas de ste dispositivo son que maneja corrientes de pico y de valle menores que el UJT, y el
voltaje mnimo de operacin tambin es menor.
Boylestad Pg.: 955
UNIDAD VIII: OPTOELECTRNICA

Fsica de la interaccin materia-radiacin electromagntica
Absorcin:
Si tenemos un electrn en un determinado estado de energa, y hacemos incidir un fotn con energa
E f = h. f sobre l, lo haremos dar un salto de energa (siempre que ese salto no sea prohibido) hacia un
nivel superior. El salto de energa ser igual a la energa del fotn, que ser absorbido y el electrn
quedar excitado.
Tremosa Pg.: 301
Emisin:
Emisin espontnea:
Cuando un tomo est excitado y hay un nivel desocupado posible de energa inferior al nivel en
el que se encuentra el electrn, ste cae a ese nivel espontneamente, y emite un fotn con la
misma energa que el salto de nivel que se produjo.
Tremosa Pg.: 301
Emisin estimulada:
Si tenemos un tomo excitado, y antes de producirse la emisin espontnea incide en l un fotn
con la misma energa de excitacin del electrn, en lugar de producirse la absorcin, se emite otro
U.T.N. F.R.M.
- 80 -
fotn con la misma energa (frecuencia) y en fase con el que incidi en l, adems del que vena.
Es decir, aparecen dos fotones idnticos y en fase, y el tomo queda neutro. Hubo una
amplificacin de la luz por emisin estimulada.
Tremosa Pg.: 301
Bombeo:
Para obtener muchas emisiones fotnicas, es necesario que la mayora de los tomos estn excitados, para
poder lograr amplificacin por emisin estimulada. sta situacin recibe el nombre de inversin de
poblacin. Para invertir una poblacin es necesario algn medio de proporcionar energa al sistema. stos
mtodos se denominan bombeo.
Tremosa Pg.: 302
Semiconductores de Banda Directa:

Los semiconductores de banda directa son los que poseen los extremos absolutos de la banda de
conduccin y de valencia situados en la misma coordenada de la cantidad de movimiento (impulso). Esto
es, dndole significado al eje horizontal, los que tienen el mnimo impulso en la banda de conduccin y el
mximo impulso en la de valencia, ubicados en el mismo valor. Grficamente:
stos semiconductores tienen la ventaja que, al producirse una emisin de energa, slo se emite un fotn
con la energa del salto, porque no hay cambio de impulso en juego.
Como ejemplos de stos materiales, se encuentran el Arseniuro de Galio (GaAs).
Tremosa Pg.: 302 y Transparencias de SIEMENS Pg.: 4
Semiconductores de Banda Indirecta:

Los semiconductores de banda indirecta son los que poseen los extremos absolutos de la banda de
conduccin y de valencia situados en distinta coordenada de la cantidad de movimiento (impulso).
Grficamente:
U.T.N. F.R.M.
- 81 -
stos semiconductores tienen la desventaja que, al producirse una emisin de energa, se emite un fotn
con la energa del salto, y un fonn con el salto de impulso puesto en juego. Esto hace que sean poco
eficientes a la hora de utilizarlos en optoelectrnica, pues la probabilidad de emisin se hace menor.
Entre stos se encuentran el Germanio y el Silicio.
Tremosa Pg.: 303 y Transparencias de SIEMENS Pg.: 4
Dispositivos Fotoemisores
LED: Diodo Emisor de Luz:
El diodo emisor de luz (LED) es un diodo que es capaz
de emitir luz visible cuando se energiza. En cualquier
unin p-n con polarizacin directa existe, dentro de la
estructura y principalmente cerca de la unin, una
recombinacin de huecos y electrones. sta
recombinacin requiere que la energa poseda por el
electrn libre sin enlace sea transferida hacia otro estado.
En todas las uniones de semiconductores p-n cierta
cantidad de sta energa se desprender en forma de calor
y otra en forma de fotones.
Al proceso de emisin de luz mediante la aplicacin de
una fuente de energa elctrica se le denomina
electroluminiscencia.
Observar en la figura que la recombinacin de los
portadores inyectados, debido a la unin con polarizacin
directa, provoca una emisin de luz en lugar de la
recombinacin. Desde luego, puede existir cierta
absorcin de los paquetes de energa fotnica en la
misma estructura, sin embargo, un alto porcentaje ser
capaz de escapar, como se seala en la figura.
Boylestad Pg.: 40
Diodo funcionando como LSER de inyeccin:

Detalles constructivos:
Con un diodo emisor de luz comn (de material de banda directa), podemos hacer un lser de inyeccin,
hacindolo funcionar en un rgimen pulsante. Para ello, la construccin debe tener 2 capas laterales
opuestas lisas y las otras dos rugosas. Las contaminaciones deben ser similares a las del diodo tnel.
Funcionamiento:
En el primer diagrama de energa se muestra el equilibrio. Vemos que, por las contaminaciones, tenemos
estados disponibles en la banda de valencia y electrones en la banda de conduccin, debido a la ubicacin
del nivel de Fermi. Cuando le aplicamos una fuerte polarizacin directa (por medio de pulsos de muy
corta duracin, para no destruir el diodo), vemos que sucede lo que muestra la segunda figura.
U.T.N. F.R.M.
- 82 -
Se enfrentan en la zona de transicin una cantidad de electrones en la banda de conduccin y de estados

disponibles en la banda de valencia. Se ha producido la inversin de poblacin. Entonces de sta manera
se produce la recombinacin, con la correspondiente emisin fotnica. Los pulsos de tensin repondrn
los electrones a la banda de conduccin y se volver a producir el mismo proceso.
Luego se produce la emisin estimulada como lo muestran las siguientes figuras:
En (a) se emite un fotn
espontneamente.
En (b) ese fotn produce una emisin
estimulada en un electrn. Ese proceso se
repite en (c) y (d).
En (e) tres de esos electrones se refractan
en la superficie lisa, y uno se refleja. Los
electrones ya fueron repuestos por la
polarizacin a la banda de conduccin.
En (f), (g) y (h) ese fotn reflejado vuelve
a producir emisiones estimuladas.
En (i) se vuelve a reflejar uno y refractar
tres en la superficie, y comienza el
proceso nuevamente.
La oscilacin interna se mantiene y la luz se amplifica al recorrer la cavidad de un extremo a otro, y el
bombeo de inyeccin mantiene la inversin de poblacin de los estados y la luz refractada determina
haces coherentes en el tiempo y el espacio. El haz es modulado por la cantidad de corriente de inyeccin.
Tremosa Pg.: 303
Diodo LSER:
Los diodos LSER estn especialmente construidos para funcionar con una inversin de poblacin
constante en una polarizacin directa. Para ello se construyen con distintas capas de diversos
semiconductores, como se muestra en la figura.
Funcionamiento:
Al construir el diodo de esa manera logramos
que en la zona de transicin, cuando
polarizamos en directo, haya electrones en la
banda de conduccin y estados libres en la
banda de valencia, que se recombinarn para
emitir fotones. De la misma manera que la
anteriormente mencionada, la luz se emitir
en forma coherente.
Transparencias SIEMENS Pg.: 23
U.T.N. F.R.M.
- 83 -
Dispositivos Fotoconductores
Celdas Fotoconductoras (LDR):
Las celdas fotoconductoras son dispositivos semiconductores de dos terminales cuya resistencia vara de
forma lineal con la intensidad de la luz incidente. A medida que la iluminacin sobre el dispositivo se
incrementa en intensidad, el estado de energa de un gran nmero de electrones en la estructura tambin
se incrementar, como consecuencia de la absorcin de fotones. El resultado es un nmero creciente de
electrones relativamente libres en la estructura y una disminucin en la resistencia.
Boylestad Pg.: 906
Fotodiodos:
Distintos materiales semiconductores tienen diversas respuestas a las distintas longitudes de onda de la
luz incidente. La respuesta espectral relativa del Silicio, el Germanio y el Selenio se seala en la siguiente
figura. Vemos tambin la respuesta de la visin estndar. Los mejores materiales para detectar luz visible
son el Selenio y el Silicio. El Germanio es mejor para las longitudes de onda del infrarrojo.
El nmero de electrones libres generado en cada material es proporcional a la intensidad de la luz

incidente.
El Fotodiodo es un dispositivo semiconductor p-n cuya regin de operacin se limita a la regin de
polarizacin inversa. Recordemos que la corriente de saturacin inversa se encuentra limitada a valores
muy bajos. Esto se debe nicamente a los portadores minoritarios trmicamente generados en los
materiales de tipo n y de tipo p. La aplicacin de luz a la unin ocasionar una transferencia de energa de
los fotones a los tomos, que desprendern portadores minoritarios que aumentarn la corriente inversa.
Esto se demuestra en las caractersticas del dispositivo, donde las curvas tienen ms corriente inversa
mientras ms intensidad de luz hay en la juntura. La corriente de oscuridad es la corriente que se presenta
sin iluminacin.
U.T.N. F.R.M.
- 84 -
El espaciamiento casi igual entre las curvas para el mismo incremento en el flujo luminoso revela que la
corriente inversa y el flujo luminoso se encuentran relacionados prcticamente de forma lineal.
El dispositivo presenta tiempos de conmutacin bajos, lo que lo hace susceptible de ser usado para
aplicaciones de alta velocidad.
Cuando trabajamos en el tercer cuadrante de las caractersticas, estamos usando al dispositivo como
Fotodiodo. Pero si lo hacemos trabajar en el cuarto cuadrante (colocndolo slo con una resistencia de
carga), tendremos una fuente de tensin, o sea una Celda Solar.
Existen tres tipos principales de Fotodiodos, segn su construccin:
1. Fotodiodo PN:
Es el que vimos hasta ahora. La fotocorriente se compone principalmente de una corriente de
difusin. Tienen velocidades relativamente bajas respecto a los otros, pero alta intensidad de
oscuridad.
2. Fotodiodo PIN:
Se construye con una amplia capa de material intrnseco entre las capas p y n, lo que produce que
la mayor parte de la luz incida en esa zona de transicin. La velocidad es ms elevada que en el
anterior.
3. Diodo READ:
Funciona principalmente por amplificacin por avalancha. Para ello, al diodo PIN se le agrega
una pequea capa n en conexin con la capa p, para que all se produzcan portadores por
ionizacin de avalancha. Trabajan a altas velocidades.
Boylestad Pg.: 902 y Transparencias SIEMENS Pg.: 5, 7
Fototransistores:
El Fototransistor posee una unin p-n colector-base fotosensible. La corriente inducida por
los efectos fotoelctricos ser la corriente de base del transistor. La ecuacin que relaciona
los parmetros de control ser:
I C h fe .I
donde I es la corriente de base fotoinducida.
La mayora de los dispositivos se fabrican con una terminal de acceso a la base del
transistor, para permitir el control mediante los dos parmetros: luz y corriente.
Las curvas son similares a las de un transistor comn, slo que el parmetro de control
ser en ste caso la Densidad de Flujo luminoso.
Boylestad Pg.: 950 y Transparencias SIEMENS Pg.: 9
U.T.N. F.R.M.
- 85 -
Otros dispositivos optoelectrnicos

Optoacoplador:
El optoacoplador simplemente se trata de un encapsulado que contiene un LED
infrarrojo y un fotodetector, que puede ser un fotodiodo, un fototransistor, un foto
Darlington o un foto SCR. La respuesta de longitud de onda de cada dispositivo se
adapta para ser lo ms similar posible para permitir el mayor nivel de acoplamiento
posible.
Los tiempos de respuesta de stos dispositivos son bajos, por lo que pueden usarse en
velocidades altas.
Boylestad Pg.: 952
LCD:
Las pantallas de cristal lquido (LCD) presentan la ventaja distintiva de contar con un requerimiento de
potencia menor que el LED. Sin embargo la pantalla requiere una fuente de luz interna o externa, y tiene
un tiempo de vida menor, debido a la degradacin qumica del cristal lquido. Existen dos tipos de LCD:
de dispersin dinmica y de efecto de campo.
LCD de dispersin dinmica:

Se basa en un cristal lquido nemtico. El funcionamiento se explica en las siguientes figuras:
Cuando no hay
tensin en el material
conductivo
transparente, la luz
pasa por el cristal
lquido sin recibir
interferencia. Esa
seccin se ver
transparente, igual
que todo el resto de
la pantalla.
Cuando se aplica
tensin al material
conductivo, las
molculas del cristal
se desordenan,
dispersando la luz
incidente, y esa zona
se ver oscura,
mientras que el resto
de la pantalla
quedar transparente.
Si se aplica un material reflectivo en la parte de abajo del dispositivo, funcionar, en modo
Reflectivo, y sino, generando la luz desde abajo o desde los costados, en modo Transmisivo.
LCD de efecto de campo:

ste tipo de LCD lleva un polarizador de luz agregado. El funcionamiento se explica en las
imgenes que siguen:
U.T.N. F.R.M.
- 86 -
LCD Transmisivo:
Cuando no hay tensin, la componente
vertical que entra por la derecha, se va
orientando en el cristal horizontalmente,
y llega al otro extremo as. El filtro
vertical no la deja pasar y se ve una
regin oscura.
Cuando se polariza el material
conductivo, las molculas se orientan
verticalmente a la izquierda, y la luz pasa.
LCD Reflectivo:
Cuando no hay tensin, la componente
vertical de la luz pasa, se orienta
horizontalmente, vuelve recobrando su
forma vertical y sale de nuevo, mostrando
transparente la pantalla.
Cuando se polariza el material
conductivo, la luz llega vertical al lado
izquierdo y atraviesa el polarizador,
mostrando oscuro ese sector.
Boylestad Pg.: 909
U.T.N. F.R.M.
- 87 -

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Rotura de las ligaduras:

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siendo ni y p i la concentracin de electrones y huecos respectivamente en el material.

Semiconductores no intrnsecos (o extrnsecos):

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Quinto Electrn del tomo pentavalente

Sigue unido aunque dbilmente al tomo

para el Silicio para

desprenderlo del enlace.

Representaremos a la concentracin de impurezas donoras con N D 1014

Adems representaremos con n a la concentracin de portadores negativos y con p la de

Siempre se cumple que:

Si la temperatura aumenta, el material tiende a la condicin intrnseca, porque los portadores

Electrn faltante del tomo trivalente

No es un hueco comn, es un hueco

lo que provoca la existencia de un hueco

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Representaremos a la concentracin de impurezas aceptoras con N A 1014

Las concentraciones de portadores son:

Tambin siempre se cumple que:

Anlogamente con el otro tipo de material, si la temperatura aumenta, se tiende a la condicin

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En la zona 1, la conductividad crece rpido

Al difundirse los portadores se crean excesos

Corriente de Difusin de electrones

Corriente de Difusin de huecos

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Semiconductores: Modelo de Bandas de Energa

N = cantidad de partculas (muy grande)

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Para que un electrn salte de la banda de Valencia a la

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Los portadores cercanos a

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Diagrama de Bandas en la juntura P-N:

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La Juntura P-N fuera del equilibrio:

Al polarizar en directo la juntura, disminuye el campo elctrico que provocaba la corriente de

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