Diseño de un Amplificador de Alta

Eficiencia Clase-E @ 2GHz

Roberto Peña , José Ángel García M. Chaibi , N. A. Touhami
Departamento de Ingeniería de Comunicaciones Facultad de Ciencias
Universidad de Cantabria Universidad de Tetuán
e-mail: penya@ono.com
e-mail: joseangel.garcia@unican.es

Abstract- Class-E power amplifiers have 100% que la autonomía de las baterías sea un factor limitante,
theoretical efficiency, due to switched-mode operation. como sistemas de comunicaciones celulares o vía satélite, en
This concept has traditionally been applied to VHF and los que representa un notable aumento del tiempo de vida
UHF frequency ranges. In this paper we propose its útil de las baterías, que se multiplica por un factor 1.7,
application to microwave frequencies, designing and mientras que las pérdidas térmicas de potencia pasan a ser
characterizing a class-E power amplifier at 2 GHz based 2.3 veces menores.
on a HEMT solid state device and microstrip technology.
II. FUNDAMENTOS TEÓRICOS DEL AMPLIFICADOR
CONMUTADO CLASE-E
I. INTRODUCCIÓN
La evolución y el gran desarrollo experimentado en los El amplificador de potencia clase-E funciona con un solo
últimos años por los sistemas de comunicaciones transistor en modo conmutado y un circuito sintonizado a la
inalámbricos y las comunicaciones móviles hacen que la salida que filtra los armónicos no deseados generados en el
reducción de costes manteniendo una alta calidad se proceso de amplificación no lineal (Ver Fig. 1).
convierta en una cuestión de gran relevancia en el diseño de
estas tecnologías.
La maximización de la eficiencia en el uso de la energía
suministrada al sistema es una magnífica solución en este
aspecto, ya que nos proporciona un considerable ahorro en
la energía de alimentación a la vez que reduce la disipación
de la potencia en forma de calor, evitando la consiguiente
degradación de los componentes y alargando el tiempo de
vida útil de los mismos.
La clave para la maximización de la eficiencia en el
manejo de la potencia de un enlace de comunicaciones
reside en el amplificador de potencia del transmisor, ya que
utiliza la mayor parte de la potencia media disponible del
sistema.
Veámoslo, por ejemplo, en un caso típico de Fig. 1. Topología del circuito de alta eficiencia clase-E original [4].
comunicaciones por satélite [1], en el que el amplificador de
cabecera tiene un nivel de potencia de salida del orden de Para efectuar un análisis simplificado del circuito clase-E
40W. Para suministrar este nivel de señal a la antena el original, es necesario realizar ciertas suposiciones que se
amplificador consume en promedio el 75% de la potencia describen a continuación [5]. La primera será tomar un duty
total disponible. Si dicho amplificador trabaja con una cycle del 50%, dado que este valor genera un
eficiencia aproximada del 30%, entonces, el 52,5% de la funcionamiento óptimo del circuito. También se asume que
potencia total del sistema se pierde transformándose en calor el dispositivo conmutador tiene una resistencia en estado ON
en el propio amplificador. nula, e infinita en estado OFF. El condensador Cs consiste
En diversos estudios se ha abordado el reto de conseguir únicamente en la capacidad parásita de salida del transistor,
transmisores de alta eficiencia de muy distintas formas. El la cual se considerará lineal, a pesar de que en la práctica es
trabajo aquí presentado se centra en el diseño de a menudo no lineal y puede variar en función del voltaje
amplificadores de alta eficiencia clase-E, tomando como aplicado. Por último, la corriente que circula a través de la
base otros estudios recientes realizados en este campo [2] [3], carga será idealmente sinusoidal a la frecuencia fundamental
donde se consigue incrementar la eficiencia media de los de trabajo fs. Estas suposiciones simplifican el análisis
amplificadores de potencia entre un 30% y un 50%. Esta básico del circuito clase-E notablemente y permiten describir
mejora puede resultar de vital importancia en sistemas en los su funcionamiento con ecuaciones manejables [5].
A. Modo conmutado III. DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR CLASE-E A 2GHZ
El funcionamiento de un amplificador en modo En este apartado se describen los pasos más relevantes
conmutado se basa en intentar impedir que la corriente Ids y del proceso de diseño seguido para la realización de un
la tensión Vds sean distintas de cero simultáneamente, para amplificador clase-E en el rango de las microondas. El
que la potencia disipada sea nula en todo momento. diseño realizado está basado en el transistor HJ FET
NE3210S01 de NEC sobre sustrato GML1000. El amplificador
Pdisipada I ds Vds 0 (1) está estructurado en tres bloques principales: la red de
entrada, el dispositivo conmutador y la red de salida. A
continuación se presenta un análisis independiente de cada
uno de estos bloques.
A. Dispositivo conmutador
Como ya se ha comentado, el transistor se comporta
como un interruptor, haciendo que la tensión sea nula en
estado ON (cerrado) e impidiendo el paso de la corriente en
estado OFF (abierto).
Por desgracia, el modelo de simulación de este elemento
es un modelo discontinuo, que no está diseñado para trabajar
Fig. 2. Formas de onda ideales de tensión y corriente en el dominio del en modo conmutado, por lo que es posible que la predicción
tiempo. del comportamiento de este elemento en las transiciones de
pinch-off a saturación y viceversa no sea todo lo buena que
El transistor se comportaría bajo estas condiciones como cabría desear [6].
un interruptor, que conmuta entre los estado ON y OFF. Las características específicas del transistor HJ FET
Este comportamiento se consigue polarizando el NE3210S01 de NEC (impedancias del dispositivo, Cs§ Cds y
dispositivo en un punto cercano al corte y aplicando a la resistencia en estado ON) determinan la elección del resto de
entrada una señal de gran amplitud. componentes del circuito, así como las limitaciones de
Además, para garantizar un modo de operación clase-E funcionamiento del amplificador.
es necesario asegurar que el condensador Cs permanezca Una de las más importantes de estas limitaciones es la
descargado en los cambios de estado del conmutador, de ON frecuencia máxima en la que el sistema puede trabajar
a OFF y viceversa, y procurar transiciones suaves en la manteniendo una garantía de funcionamiento clase-E. El
forma de onda de la señal. cálculo aproximado de dicha frecuencia máxima se puede
realizar de forma sencilla una vez conocidos los parámetros
v s (0) 0 (2)
del transistor y el punto de polarización utilizado [2], en
nuestro caso: Imáx=40mA, Cs § Cds=0.12pF y Vds=3v
§T ·
vs ¨ s ¸ 0 (3) I max
©2¹ f max # 1.967 # 2GHz (7)
56.5C sVds
wv s § Ts · El trabajar por encima de esta frecuencia máxima no
¨ ¸ 0 (4) significa necesariamente que el funcionamiento como clase-
wt © 2 ¹ E ya no sea posible. Existe una región de funcionamiento
denominado pseudo clase-E que puede ser interesante para
B. Condiciones de impedancia de carga trabajar a frecuencias superiores a cambio de un ligero
La clave para obtener un amplificador de alta eficiencia descenso de la eficiencia obtenida [7].
de prestaciones óptimas en modo de operación clase-E se B. Red de salida
encuentra en el diseño de la red de salida.
Es fundamental que la impedancia de carga vista por el Para cumplir con las condiciones de impedancia de carga
dispositivo conmutador a la salida sea igual a Znet1 a la establecidas, y dado el bajo factor de calidad de los
frecuencia de trabajo fs [2]. elementos discretos disponibles a estas frecuencias, se
diseña una red de salida con líneas de transmisión que
0.28015 j 49.0524 º consiga presentar una impedancia Znet1 a fs y condiciones de
Z net1 # e (5)
ZsCs circuito abierto a los armónicos superiores. Para ello se
propone una topología de red que utiliza varios stubs para
Además, se deben asegurar condiciones de alta forzar cada una de estas condiciones. En la práctica, se ha
impedancia para todos los armónicos superiores generados demostrado que la influencia de los armónicos de orden más
en el proceso de amplificación no lineal, de modo que, elevado puede ser despreciada sin que ello represente un
idealmente, se obtenga a la salida una señal sinusoidal pura a detrimento significativo del comportamiento del
la frecuencia fundamental fs. amplificador [2].
En este caso, se presenta una red de salida con tres stubs
Z net N f , (N=2,3…) (6) como la que se muestra en la Fig. 3.
 Así pues, teniendo en cuenta estas diferencias, así como
las posteriores limitaciones físicas existentes a la hora de
fabricar el circuito, todas las dimensiones de las líneas que
componen la red de salida se ajustan hasta obtener un
resultado óptimo en las simulaciones electromagnéticas,
siendo finalmente:

W1=0.15mm W2=2.52mm W3=0.62mm

L1=9.20mm L2=10.19mm L3=5.67mm

Fig. 3. Red de salida que proporciona adaptación de impedancias a la W4=3.42mm W5=3.27mm W6=0.25mm
frecuencia de trabajo y presenta condiciones de circuito abierto para el L4=10.45mm L5=9.73mm L6=25.56mm
segundo y tercer armónicos.

C. Red de entrada
En esta estructura cada stub consigue que la red presente
la impedancia adecuada a cada frecuencia. Así, la longitud Teniendo en cuenta que el circuito equivalente del
eléctrica de la línea l2 será de 30º @ 2GHz, o lo que es lo transistor utilizado presenta una impedancia de entrada de
mismo, 90º @ 6GHz, con lo que el abierto del extremo de l2 marcado carácter capacitivo, existe una importante
se convierte en un cortocircuito en el punto de unión con l1, desadaptación entre este dispositivo y la impedancia de
independientemente del resto de la red. Si además se referencia de 50ȍ.
establece que la longitud de l1 sea también de 30º @ 2GHz, La misión de la red de entrada es la de adaptar estas
dicho cortocircuito se transforma en un abierto a la entrada impedancias en la medida de lo posible para evitar la
de la red para la frecuencia de 6GHz, con lo que se consigue reflexión de la señal a la entrada del circuito.
filtrar el tercer armónico. De forma análoga, se fijan En nuestro caso se obtiene una solución sencilla y
longitudes de 45º @ 2GHz para l4 y l1+ l3, rechazando práctica colocando a la entrada una inductancia en serie de
también el segundo armónico. Finalmente, las líneas l5 y l6 10nH, que proporciona una adaptación en esta puerta mejor
se ajustan para conseguir una impedancia de Znet1 @ 2GHz. que -10dB.
Tomando estas medidas como valores iniciales para las
líneas de la red de salida, se realizan numerosas IV. CARACTERIZACIÓN DEL AMPLIFICADOR
simulaciones con el fin de optimizar los valores de DISEÑADO
impedancia presentados en cada frecuencia.
Una vez efectuados los ajustes necesarios y verificado su A. Simulación
correcto funcionamiento, se procede a la realización de una
Los resultados obtenidos en la simulación final del
simulación electromagnética, que tendrá en cuenta efectos
amplificador completo son bastante interesantes. Se
importantes anteriormente no considerados, y por tanto más
consigue obtener una eficiencia de potencia añadida (PAE)
exacta y precisa que las realizadas hasta ahora, que se
que supera el 74%, alcanzando una ganancia de 11 dB y una
basaban en modelos individuales de tramos de líneas y
potencia de salida de 14 dBm, como se puede observar en la
componentes discretos. La diferencia entre ambas
Fig. 5.
simulaciones es significativa, como se muestra en la Fig. 4.

Fig. 5. Ganancia, eficiencia de drenador, eficiencia de potencia añadida

Fig. 4. Comparativa del comportamiento en frecuencia de la red de (PAE) y adaptación a la entrada del amplificador completo en función
salida con simulación circuital (Red) y con simulación electromagnética de la potencia de entrada.
(Red_EM).
B. Medidas experimentales En estas condiciones se consiguen valores de PAE
Una vez realizada la implementación del amplificador se cercanos al 64%, manteniendo una ganancia en torno a los
procede a caracterizarlo experimentalmente mediante 10 dB y con una potencia de salida de unos 6 dBm.
numerosas series de medidas tomadas sobre el circuito También se pueden utilizar otros puntos de polarización
físicamente construido (Ver Fig. 6). para obtener valores más elevados de ganancia o potencia de
salida, a costa del sacrificio de parte de la eficiencia.
A la vista de los resultados obtenidos en las medidas
experimentales, el amplificador clase-E propuesto en este
estudio demuestra unas prestaciones muy interesantes, y si
bien la PAE pronosticada por las simulaciones fue del 74%,
el 64% obtenido en la práctica es un buen resultado para un
amplificador a la frecuencia de 2GHz.

V. CONCLUSIONES
En este trabajo se planteó la utilización de amplificadores
de alta eficiencia clase-E en el rango de las microondas. Se
propuso un diseño de esta clase de amplificadores trabajando
a una frecuencia de 2GHz, y se consiguió obtener de forma
experimental una eficiencia de potencia añadida del 64%.
Este estudio puede servir como base de otros muchos
desarrollos más complejos en los que la necesidad de una
alta eficiencia juegue un papel destacado.

Fig. 6. Fotografía del circuito amplificador clase-E construido en el AGRADECIMIENTOS

laboratorio.
Este trabajo está parcialmente subvencionado por el
Ministerio de Ciencia y Tecnología (MCyT) a través de TIC
Para poder examinar su comportamiento bajo distintas
2002-04084-C03-03 y HP2002-0074. También es fruto de la
condiciones de trabajo se realiza un triple barrido en Vds
colaboración entre instituciones europeas en el marco de la
(1.5V, 2.25V, 3V), Vgs (-0.75V, -0.65V, -0.55V) y Pin (Psat,
NoE TARGET. Además, J. A. García transmite su
Psat –1dB, ... , Psat –11dB).
agradecimiento al programa Ramón y Cajal del MCyT.
Con esto se comprueba que el amplificador puede
funcionar correctamente en diferentes puntos de trabajo,
REFERENCIAS
variando su polarización y nivel de potencia a la entrada. En
general, no se puede asegurar que ninguna zona de trabajo [1] Garry D. Gordon and Walter L. Morgan, “Principles of
sea óptima. La conveniencia de trabajar en una zona Communications Satellites”, Wiley, New York, 1993
[2] Thomas B. Mader, “Quasi-Optical Class-E Power Amplifiers”, Ph.D.
determinada u otra dependerá de los aspectos a los que se Dissertation, University of Colorado, Boulder, CO, 1995
den prioridad en cada aplicación concreta. Esto da lugar a [3] Manoja D. Weiss, “Switched-Mode Microwave Circuits for High-
diferentes puntos de interés. Efficiency Transmitters”, Ph.D. Dissertation, University of Colorado,
Si se busca una zona de trabajo donde la eficiencia prime 2001
[4] N. A. Sokal and A. D. Sokal, “Class-E – A New Class of High-
sobre todos los demás aspectos, sin duda se debe polarizar el Efficiency Tuned Single-Ended Switching Power Amplifiers”, IEEE
dispositivo con Vds=1.5V y Vgs=-0.65V (Ver Fig. 7). Journal of Solid-State Circuits, Vol. SC-10, Nº 3, June 1975
[5] F. H. Raab, “Idealized Operation of the Class E Tuned Power
Amplifier”, IEEE Transactions of Circuits and Systems, Vol. CAS-24,
Nº 12, December 1977
[6] P. Molina-Gaudó, “Caracterización de Transistores MOSFET para
Amplificación de RF con Etapas Conmutadas Clase E”, XIX
Simposium Nacional de la Unión Científica Internacional de Radio, La
Coruña, 2003
[7] F. H. Raab, “Suboptimum Operation of Class-E Power Amplifiers”,
Proc. RF Technology Expo 89, Santa Clara, CA, February 1989

Fig. 7. Medidas de ganancia y eficiencia de potencia añadida del

amplificador polarizado con Vds=1.5V y Vgs=-0.65V.