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UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA FIEE

LABORATORIO DE MICROONDAS
LABORATORIO N° 4 -MODULACIÓN Y DEMODULACIÓN DEL DIODO GUNN -
INFORME PREVIO

Docente:

Armando Alberto Cajahuaringa Camacho

Integrantes:

Cordero Palomino Diego Andreé

Fecha:
06 de julio del 2021
UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA FIEE

1. MARCO TEÓRICO:
a. Modulación: Proceso por el cual, una señal de baja frecuencia (mensaje), puede ser
transmitida a través de un medio, utilizando una señal de alta frecuencia (portadora)
para tal propósito. Esto se debe a que las antenas para señales de alta frecuencia,
poseen estructuras físicas de menor dimensión.

b. Modulación AM: Método de modulación. La idea esencial de esta técnica es utilizar


una portadora sinusoidal de alta frecuencia cuya amplitud se modifica teniendo en
cuenta el mensaje que deseamos transmitir. En esencia, el mensaje que vamos a
transmitir queda registrado como la envolvente de la señal de forma que el receptor
debe ser capaz de recuperar la forma de onda de la envolvente para poder recuperar
el mensaje original. [1]

Fig. 1. Representación esquemática de una modulación AM

c. Modulador PIN:
i. Introducción: Primeramente propuesto como un rectificador a bajas frecuencias
que podía rectificar más potencia que un simple diodo de juntura P-N. Sin
embargo, resulta un rectificador muy pobre a frecuencias algo mayores que
unos pocos Megahertz, siendo más bien usado para otros propósitos en varias
aplicaciones de microondas.
ii. Estructura interna: Está compuesto por 03 capas: dos regiones ligeramentes
dopadas de tipo P y tipo N, separadas por una tercera capa de material
intrínseco de alta resistividad, denominada región I, de aquí su denominación de
diodo PIN.

Fig. 2. Conformación esquemática de un diodo PIN


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Típicamente se logran resistencias de 1.0 ohm-cm. Lo que esto ocasiona es


básicamente, que la capa I posee impurezas cuando la polarización es cero,
necesitando un pequeño voltaje negativo para liberarla de ellas. Este detalle deberá
tomarse en cuenta para ciertas aplicaciones del diodo, especialmente cuando actúa
como switch.

iii. Funcionamiento como switch: Consiste en colocar el diodo en el interior de la


guía de onda conectado en paralelo y, mediante un sistema de control, conmutar
su polarización de positiva a negativa (o cero), de manera que la potencia a la
salida cambie de un máximo a un mínimo valor.
En general el procedimiento para diseñar un switch se basa en el conocimiento
de que el diodo, en los dos estados, puede ser considerado como una
reactancia o susceptancia prácticamente pura, el cual debe incluir el diseño de
un filtro. De esta manera, el estudio comienza por examinar los requerimientos
de la aplicación en el estado de bajas pérdidas de inserción ( como coeficiente
de reflexión, ancho de banda, pérdidas de inserción), pretendiendo lograr las
características deseadas con el filtro pasabanda, el que debería diseñarse
considerando las dos polarizaciones del diodo.
Un factor importante es el tiempo de conmutación, que depende en parte de los
niveles de polarización aplicados. Con corriente de polarización directa existe
acumulación de cargas en la capa I. Cuando se aplica un pulso reverso fluirá
corriente inversa por un pequeño periodo de tiempo, conocido como tiempo de
retardo (Tr). Cuando se ha removido un suficiente número de portadores, la
corriente comienza a decrecer. El tiempo requerido para que la corriente reversa
disminuya del 90% al 10%, se denomina tiempo de transición (Tt). La suma de
Tr +Tt es el tiempo de recuperación inverso, que es la medida del tiempo que el
diodo emplea en realizar la conmutación, y que es simétrico entre los dos
estados. Siendo los valores en la práctica, cercanos a 5 ns.

Fig. 3. Switch utilizando diodo PIN

iv. Modulador de Microondas: Entendido el funcionamiento del diodo PIN como


conmutador, resulta evidente su utilización como un modulador de amplitud que
permite estudiar señales de microondas con ayuda de instrumentos de
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frecuencias menores de percepción.


Es así como los generadores de microondas usados con fines experimentales
usan modulación de amplitud con una señal cuadrada de 1 KHz, y el diodo PIN
resulta muy útil en estos casos.

2. OBJETIVOS:

● Estudiar la modulación en microondas


● Comprender el funcionamiento del diodo PIN para modulación.

3. CIRCUITO MICROONDAS

4. PREGUNTAS PROPUESTAS
P1) a) Desde un punto de vista general, ¿Cuál es la finalidad de un sistema de modulación?
Transmitir señales de baja frecuencia a través de un medio, usando una señal de alta
frecuencia.
b) Desde un punto de vista matemático, ¿Cómo se obtiene la modulación de amplitud? Use
bloques funcionales para ilustrar su respuesta.

Primero se amplifica la señal que se quiere transmitir.


Con un oscilador, generamos una señal de frecuencia alta.
Con un modulador, modulamos la señal que contiene el mensaje con la portadora.
Amplificamos la señal modulada para la transmisión.

c) Desde un punto de vista gráfico, y en el dominio de la frecuencia, ¿en qué consiste la


modulación y demodulación?

En el dominio de la frecuencia, ejemplo la voz, está entre el rango de los 10 Hz a 20 KHz,


Construir antenas para transmitir este tipo de señales a estas frecuencias tendrán
dimensiones del orden de los Km a más. Con la modulación, en el dominio de la frecuencia
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podemos ver que la señal se desplaza 𝑓𝑐 unidades a la derecha e izquierda del eje de las
frecuencias, siendo la señal modulada apta para su transmisión, debido a que las
dimensiones de las antenas, son más admisibles de fabricar.
Para el proceso de demodulación, se sigue un procedimiento similar, solo que basta usar un
espectro de frecuencias (posee dos bandas laterales y basta con una para recuperar el
mensaje), por lo cual se puede despreciar una de las bandas.

P2) a) Desde un punto de vista funcional, ¿Qué componente debe poseer un modulador
lineal?
Aquellos en los que el espectro de la señal resultante, posea un comportamiento lineal
respecto al espectro de la señal de mensaje. Por ejemplo, en la modulación AM y sus
variantes, desde el punto de vista del dominio de la frecuencia, un desplazamiento en el eje
horizontal de 𝑓𝑐 unidades corresponde a dicha descripción de la forma:
𝐴𝑓 + 𝐵
Donde f es la frecuencia del mensaje, B es la frecuencia de la portadora, y A, toma el valor
de 1.
b) Sea un sistema de modulación modelado por v(t) = (A + x(t)) cos wct, comprobar que es
un sistema lineal, al que se denomina “sistema modulador lineal”.
Operando, tenemos:
Acos(𝑤𝑐𝑡) + x(t)cos(𝑤𝑐𝑡)
Al analizar la transformada de Fourier de la segunda expresión, nos damos cuenta que es la
modulación AM simple, en la cual la frecuencia de la señal X(t) va a ser desplazada 𝑓𝑐
unidades. Y la transformada de la segunda expresión, es una función impulso en el dominio
de la frecuencia centrado en el origen. Por lo que podemos concluir que es una modulación
lineal, ya que sigue el mismo patrón de 𝐴𝑓 + 𝐵.

P3) Implemente en Matlab la función de la parte (a) y simule un modulador para una entrada
pulso rectangular de amplitud 1 voltio, ciclo de trabajo 25% y frecuencia de 5 KHz; portadora
de amplitud unitaria y frecuencia 500 KHz. Muestre la gráfica en el tiempo y frecuencia.
P4) a) ¿Qué efectos tiene sobre un sistema de comunicaciones que una señal AM tenga
una m% = 120?
No se podrá recuperar toda la información al ser demodulado.
¿Por qué?

Como vemos en la imagen, para valores de m mayores a 100%, se superponen las señales
de las bandas laterales, recordar que el mensaje está presente en la envolvente de la señal
modulada, y en este caso, el demodulador no obtendrá la envolvente correcta.
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b) Dibuje en tiempo y frecuencia la señal moduladora y modulada para una modulación de


m% = 120. ¿Se distorsiona la señal de información al sobre modular una señal modulada?
Comente sus resultados
Como se indicó arriba, el cuarto grafico presenta un factor de modulación igual al 200%,
apreciándose la pérdida de información. En el dominio de la frecuencia, se producirá un
solapamiento de espectros.
c) ¿Se puede recuperar la señal de información de una señal sobre modulada?
No. Debido a la deformación de la envolvente de la señal modulada original.
P5) a) ¿Qué es un diodo pin?
Es un diodo de unión PN al cual presenta una tercera división entre las zonas p y n, el cual
es un material intrínseco debilmente dopado.
b) ¿Qué diferencia con los dispositivos de uniones pn?
Presenta una alta resistencia debido a la zona de material intrínseco.
c) ¿Cuál de los siguiente modelos se aproxima mejor a su funcionamiento?
Atenuador controlado por tensión, resistor controlado por tensión, resistor controlado por
corriente.
Resistor controlado por corriente.
d)Describa 4 aplicaciones con el diodo PIN
Switches de microondas
Limitador
Atenuador
Desfasador de microondas
Modulador de microondas
P6) a) ¿Que componente del módulo para la experiencia realiza la modulación? Muestre la
imagen

b) ¿Que componente del módulo para la experiencia realiza la demodulación? Muestre la


imagen.

P7) Considere que un diodo detector cuadrático, conectado a una RC. Si la entrada al diodo
es una señal de tensión modulada en amplitud, v(t) = (1+ m)AcCos(wct), y la relación de
entrada-salida del diodo está dado por: i(t) = a0 +a1v(t)+ a2v2(t), determine:

a) ¿Qué tipo de filtro tiene el detector, que ingresa una corriente y sale una tensión?
Filtro de condensador.
b) Determine la expresión de la corriente del diodo, reemplazando v(t) en i(t).
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c) Criterio para estimar el valor de RC.


d) La expresión de la tensión de salida en función de m, Ac, a0, a1, a2 y RC.
P8) a) ¿Se puede observar la señal modulada en el módulo de la experiencia?
Aún no se realiza la experiencia. Además no se podrá simular.
b) Si su respuesta es no, ¿Cómo verificamos que el circuito de microondas modula y
demodula?

BIBLIOGRAFÍA:
[1] J. E. Briceño, Principios de las Comunicaciones, 3ra edición, Mérida, Taller de
publicaciones de la Facultad de Ingeniería. Universidad de Los Andes, 2005.

[2] F. Rey and F. Tarrés, Comunicaciones analógicas: Modulaciones AM y FM, Catalunya,


Creative Commons, 2006.

[3] N. G. Pacheco, “Control Automático de nivel para un Klistrón utilizando Diodo PIN
(Banda X)”, Tesis de Ingeniería, Facultad de Ingeniería Eléctrica, Escuela Politécnica
Nacional, Quito, Ecuador, 1986.

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