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Guı́a de Ejercicios No 6: Transistor TBJ

Datos generales: ε0 = 8.85 × 10−12 F/m, εr (Si) = 11.7, εr (SiO2 ) = 3.9, ni = 1010 cm−3 , φ(n, p = ni ) = 0.

1. Para un transistor TBJ NPN operando en régimen directo se pide:

a) Indique las tensiones VBE y VBC para que se encuentre en dicho régimen.
b) Realice un diagrama de concentración de portadores y explique el efecto transistor, indicando las
corrientes que circulan en cada zona del dispositivo.
c) Explique qué condiciones deben cumplir los dopajes y dimensiones del transistor para que aumente
la ganancia de corriente βF .
d ) Explique brevemente el efecto Early utilizando el diagrama de concentración de portadores anterior.
2. Dado un transistor cuyos parámetros de fabricación son NdE = 7.5 × 1018 cm−3 , NaB = 1017 cm−3 ,
NdC = 1.5 × 1016 cm−3 , DpE = 5 cm2 /s, DnB = 10 cm2 /s, WB = (300 ± 20) nm, WE = (250 ± 20) nm.
Debido a las caracterı́sticas del proceso de fabricación, se tiene que cuando WB es máximo, entonces WE
es mı́nimo, y viceversa.
a) Halle el máximo y el mı́nimo valor de βF para un transistor construido con este proceso.
b) Si la variación relativa de WB es del 7 % y de WE del 8 %, ¿cuál es la variación relativa de βF
obtenida?
c) ¿Por qué para obtener un elevado valor de βF se utilizan transistores NPN y no transistores PNP?
d ) Si se quiere lograr un valor de βF de 500 conservando todos los parámetros constructivos excepto
NdE , ¿cuál será el nuevo valor de NdE necesario?
3. En los transistores bipolares de alta velocidad utilizados en telecomunicaciones la velocidad de con-
mutación es un factor crı́tico. Suponga que para una dada aplicación el tiempo de tránsito a través
de la base deba ser inferior a 7.5 ps. A partir de las fórmulas de tiempo de tránsito, y asumiendo que
DnB = 10 cm2 /s, ¿cuál es el máximo ancho de base que podrı́a utilizarse?
4. En la figura 1 se muestra un diagrama de concentraciones de portadores minoritarios para un transistor
bipolar de juntura polarizado.
a) ¿Es un transistor NPN o PNP?
b) ¿En qué régimen está polarizado el transistor? ¿Cuál es la relación entre las tensiones VBE y VBC ?
c) Halle a partir del diagrama de concentraciones la expresión para la corriente de colector.
d ) Para este caso en particular, ¿la corriente es entrante o saliente?

Emisor Base Colector

pE nB pC

pC0
pE0 nB0
x
−xBE 0 WB WB + xBC

Figura 1
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I I I I

I I
V +
−
V + V + V +
− + − − +
V − V −

(a) (b) (c) (d) (e) (f)

Figura 2

5. Utilizando el modelo hı́brido π calcule las caracterı́sticas I − V que cada uno de los circuitos de la figura
2 presenta para la fuente de alimentación. Exprese los resultados en función de Io , βF y βR .
6. Suponiendo que ambos transistores de la figura 3 son idénticos, ¿cuál deberı́a ser aproximadamente la
tensión V de la fuente de alimentación de modo que la corriente I sea 1 mA? Considere R = 1 kΩ y
β = 650.

R
I
V

Figura 3

7. El circuito que muestra la figura 4a tiene un transistor TBJ NPN con una ganancia de corriente β = 100,
una fuente VCC = 12 V y una fuente VBB = 4 V.
a) Suponiendo que el transistor está en Modo Activo Directo, calcule el valor de RB para que la
corriente de colector sea de 1 mA. ¿Es necesario saber el valor exacto de R?
b) Calcule el valor de R tal que la tensión en el colector sea de 6 V.
c) Reemplace el TBJ por un nMOSFET. Explique claramente a partir de las graficas iC = f (vBE )/iD =
f (vGS ) si es posible que el circuito siga funcionando e indique dónde ubicarı́a los terminales de Drain
y Source. Si es posible, calcule el VT para que la corriente de Drain sea igual a la del punto a).
Suponga kn = 1 mA/V2 .

8. Para el circuito de la figura 4b, donde VCC = 12 V, RB = 470 kΩ y βF = 650, encuentre el valor de R
para que VX = VCC /2. Con el valor hallado, encuentre todas las tensiones y corrientes del circuito.
9. Para el circuito de la figura 4c, donde VCC = 5 V, R = 100 Ω y βF = 300, encuentre el valor de RB para
que VX = 0 V. Con el valor de RB hallado, encuentre todas las tensiones y corrientes del circuito.
10. Para el circuito de la figura 4d, donde VCC = 9 V, R = 180 Ω y βF = 500,
a) Encuentre el valor de RB para que VX = 4.5 V.
b) Con el valor hallado en el ı́tem anterior, encuentre todas las tensiones y corrientes del circuito.
c) ¿Cuánto puede variar R para que el circuito se mantenga operando en Modo Activo Directo?
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R RB

RB VX VCC
VCC
R
VBB

(a) (b)
VX R

RB
VCC RB
VCC
VX

R VCC

(c) (d)

Figura 4

11. Para el circuito de la figura 5, siendo el transistor un TBJ PNP con β = 50, VCC = 5 V, RB2 = 43 kΩ y
R = 680 Ω, hallar RB1 tal que la caı́da de tensión en R sea VR = 2.5 V.

VCC

RB1

RB2
R

Figura 5

12. Para el circuito de la figura anterior, siendo el transistor un TBJ PNP con β = 80, RB1 = 70 kΩ ,
RB2 = 123 kΩ, R = 470 Ω y VCC = 5 V, hallar el punto Q de trabajo: (VCEQ , ICQ ).
13. Para el circuito de la figura 6, considerando β = 50, VCC = 5 V, RB1 = 100 kΩ, RB2 = 287 kΩ,
R = 4 kΩ, VT = 0.8 V, µn Cox ′
W/(2L) = 100 µA/V2 , hallar el punto de trabajo del transistor bipolar:
(ICQ [mA], VCEQ [V]).
14. Para un TBJ NPN de βF = 550, VA = 50 V, polarizado como muestra la figura 7. Se utiliza una
resistencia en el colector, RC = 1.2 kΩ, y una sola fuente de alimentación, VCC = 10 V.

a) Determinar el valor de RB2 para que la corriente IC sea 6 mA con el dispositivo en MAD siendo
RB1 = 10 kΩ. Calcular todas las tensiones y corrientes de polarización. Justificar todas las conside-
raciones adoptadas.
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VCC

RB1

RB2
R

Figura 6

VCC

RC
RB1

RB2

Figura 7

b) Determinar el máximo y el mı́nimo valor de RC para el dispositivo en MAD. Graficar las rectas
de carga para estos valores de RC y para RC = 1.2 kΩ junto con la curva de salida del transistor.
Indicar el punto Q de trabajo en cada caso.

15. En la figura 8 se ilustra un circuito con dos transistores TBJ, donde la tensión de la fuente de alimentación
satisface la condición V > VBE,on,N P N + VEB,on,P N P y las corrientes de base en estado activo de ambos
transistores tienen valores similares,
a) Suponiendo que inicialmente se parte de la condición I = 0, si el circuito no recibe estı́mulos
externos, ¿es posible que continúe en la condición I = 0?
b) Suponiendo que ahora el transistor NPN recibe un pulso transitorio externo de corriente en su base
suficientemente intenso como para activarlo, una vez extinguido el pulso, ¿la corriente I tenderá a
crecer indefinidamente o tenderá a extinguirse a cero?

16. Para el circuito de la figura 9 con β = 500, VA = 20 V, VCC = 6 V, RB = 118 kΩ, Rvar = 20 kΩ, se pide:
a) Hallar las corrientes IC mı́nima e IC máxima que se puede obtener según la posición del poten-
ciómetro Rvar . Considere un valor de RC tal que el dispositivo se encuentre en MAD y VBE = 0, 7V
para la corriente máxima.
b) Explicar cómo se puede usar el circuito de la figura 9 medir la transferencia IC vs VBE . Indique las
modificaciones que deberı́a realizar y la conexión de los instrumentos.
c) ¿Qué parámetros pueden obtenerse del ajuste de esta curva? ¿Cómo se obtienen?
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I=0 I=?

V V

IPULSE

Figura 8

RB
RC
VCC
+
Rvar −

Figura 9

17. Dado un transistor cuyos parámetros de fabricación son NdE = 7.5 × 1018 cm−3 , NaB = 1017 cm−3 ,
NdC = 1.5 × 1016 cm−3 , DpE = 5 cm2 /s, DnB = 10 cm2 /s, WB = 300 nm, WE = 250 nm, AE = 25 µm2 ,
AC = 100 µm2, VA = 35 V, polarizado con IC = 100 µA y VCE = 2 V,
a) Halle los valores de los elementos del modelo de pequeña señal gm , rπ , ro , Cπ , Cµ .
b) Realice el circuito esquemático del modelo de pequeña señal.
c) ¿Qué fracción de la corriente de emisor es aportada por la corriente del colector?

18. En la figura 10 se ilustra un transistor PNP conectado como diodo. Sabiendo que βF = 30, VA = 45 V y
que está polarizado con IC = −150 µA,
a) Halle la resistencia equivalente de pequeña señal entre base y emisor para bajas frecuencias.
b) ¿Es posible aproximar rápidamente el valor de esta resistencia sin hacer todo el cálculo completo?

Figura 10

19. Para el circuito de la figura 11, donde los párametros del transistor son β = 200 y VA = 50 V, se pide:
a) Hallar el punto de polarización o reposo Q, siendo RB = 330 kΩ, RE = 1.8 kΩ y VCC = VBB = 5 V.
b) Reemplazar RB y RE para lograr gm = 28 mS y VE = VCC /2.
c) Hallar el modelo de pequeña señal para bajas frecuencias del transistor en esta situación. Explique
que representa cada componente de dicho modelo.
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RB

VCC
VBB
RE

Figura 11

d ) Suponiendo ahora que VBB = 5 V, pero que VCC es una tensión variable, hallar el rango de tensiones
para los cuales es válido el modelo del punto b).

20. Dado el circuito de la figura 4a, con VBB = 2 V, VCC = 10 V, RB = 80 kΩ, R = 500 Ω, y sabiendo que
β = 500 y VA = 120 V,
a) Explique brevemente cómo se define gm , qué efecto modela y calcule su valor.
b) Explique brevemente cómo se define rπ , qué efecto modela y calcule su valor.
c) Utilizando el circuito de la figura 4a se mide experimentalmente el ro de dos transistores del mis-
mo modelo y se obtiene ro1 = 2 × ro2 . ¿Cuál de estos dos transistores tiene mayor β? Explique
brevemente qué modela ro .
d ) ¿Qué pasa con el valor de β del transistor si RB aumenta a 100 MΩ?
21. Se tiene un transistor TBJ NPN con β = 465 y VA finito conectado como indica la figura 12, donde
RB = 100kΩ, RC es variable y VCC = 5V. Se sabe que cuando RC alcanza su valor mı́nimo, se obtiene
IC = 20.3 mA.
a) Calcular la corriente de colector para VCE = VCEsat .
b) Se sabe que la corriente de colector mı́nima que se puede circular por el transistor es de 3 mA y la
tensión máxima 2 V. Halle los valores extremos que puede tomar RC .
c) Estimar el valor de VA a partir de los datos obtenidos y definir y calcular el parámetro de pequeña
señal ro .

VCC

RC
RB

Figura 12
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22. En la figura 13 se muestra la medición de una curva de salida correspondiente a un circuito como el de
la figura 12, donde el transistor tiene β = 250 y la tensión de alimentación es VCC = 3V.
a) Determinar el valor de la resistencia de base utilizada en esta medición.
b) Si debido a variaciones del proceso el β del transistor es un 10 % mayor que su valor nominal, ¿qué
corriente cambia? ¿IB o IC ? Calcule el nuevo valor.
c) A partir de la recta de carga, determinar el máximo y el mı́nimo valor de RC utilizados en esta
medición. Asumiendo que para medir cada punto de la curva la resistencia de colector se varı́a en
un mismo valor ∆RC , calcule este paso en RC entre mediciones.
d ) A partir de la curva medida, estime el valor de la tensión de Early.

5
IC [mA]

0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
VCE [V]

Figura 13

23. Para el circuito de la figura 14, donde VCC = 5 V, Rvar es un potenciómetro de 10 kΩ. De la hoja de
datos del transistor se obtuvieron los datos que se muestran en la tabla 1.
a) Hallar el valor de RB considerando que la corriente de colector no puede superar su valor máximo
en M.A.D.
b) Calcule el máximo valor que R podrı́a tomar manteniendo al dispositivo en MAD para las corrientes
extremas.
c) Encuentre la condición del resistor variable cuando se mide ICmin .

IC β VBE
−10 µA 170 −0.5 V
−50 mA 200 −0.8 V

Cuadro 1

24. Dado un transistor TBJ con β = 400, VA = 50 V, polarizado con IC = 5 mA,

a) Defina y calcule los parámetros del modelo de pequeña señal gm , rπ y ro y dibuje el circuito
electrónico equivalente correspondiente.
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VCC

Rvar

RB
R

Figura 14

b) Si en lugar de un TBJ se tiene un MOSFET con k = µn Cox = 500 µA/V2 , W/L = 40, VT = 1 V,
λ = 0, 02 V−1 e ID = 5 mA, vuelva a calcular el parámetro gm . ¿Es mayor o menor que para el
TBJ?
c) ¿Cuál deberı́a haber sido la corriente de polarización del MOSFET para que la transconductancia
de pequeña señal sea igual a la calculada en el punto a)?
d ) El parámetro gm /I es una figura de mérito que relaciona la ganancia del dispositivo con el consumo
del mismo. Calcule esta figura de mérito para todos los casos anteriores. ¿Qué conclusión se obtiene
respecto del rendimiento del TBJ y del MOSFET?
e) ¿Cuál deberı́a ser el W/L del MOSFET para obtener el mismo factor gm /I del punto a) con
ID = 5 mA?
f ) ¿Qué desventajas trae, desde el punto de vista del modelo de pequeña señal, variar la relacion W/L
según lo calculado en el punto e)?
25. Dado el circuito de la figura 15, donde RB = 430 kΩ, RC = 2 kΩ, RD = 1 kΩ, β = 100, VA = 100 V,
µ Cox = 0.1mA/V2 , W/L = 20, VT = 1.5 V, λ = 0.02 V−1 :
a) Con la llave abierta, encontrar las tensiones de polarización de T1 despreciando el efecto de modu-
lación del ancho de la base y sin despreciarlo. ¿Cuál es el error cometido? ¿Es correcto despreciarlo?
b) Represente en el plano IC vs. VCE las caracterı́sticas de salida de T1 para distintas IB , recta de
carga estática (RCE) y el punto de polarización (Q). ¿Qué representa la RCE?
c) Si ahora la llave se cierra, vuelva calcular la polarización de T1 y también la de T2 .
d ) Calcular el modelo de pequeña señal de ambos transistores y dibujar el circuito de pequeña señal de
todo el circuito. Si se define la transconductancia del circuito como gm T otal = ∂iD /∂vBE , encuentre
la expresión de gm T otal en función de gm T1 y gm T2 .
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VCC

RB RC RD

T2

T1

Figura 15