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UNIVERSIDAD POLITÉCNICA DE PUEBLA

3 EP | Propiedades de los materiales semiconductores
Estructura y propiedad de los materiales
M.I. Francisco Diego | Ingeniería Mecatrónica

Propiedades de los materiales semiconductores

Los semiconductores son materiales entre los metales y los no metales, y tienen la
característica de que su conductividad eléctrica es intermedia entre la de los metales y la
de los no metales

Las propiedades básicas de los semiconductores son:

 Dureza
 Conductividad eléctrica y térmica
 Resistencia a la corrosión
 Aislamiento del flujo eléctrico

Por lo que, la unión pn es un dispositivo semiconductor, formado por la unión de dos

zonas diferentes de un mismo cristal:

 Una zona p (de alta concentración de electrones).

 Una zona n (de alta concentración de huecos).

Los semiconductores del tipo p y del tipo n son semiconductores extrínsecos. El

semiconductor se puede clasificar en base a su dopaje; como intrínseco y extrínseco
según la relación de pureza en de sí mismos. Trataremos en este articulo los principales
factores que provocan las diferencias entre los semiconductores de tipo P y los
semiconductores de tipo N.

Para la elaboración del material semiconductor del tipo p; se realizar agregando los
elementos del grupo III de la tabla periódica química. Para la elaboración del
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material semiconductor del tipo n; se logran agregando los elementos del grupo V de la
tabla periódica química.

Características del Semiconductor Tipo P:

Para definir un semiconductor de tipo P, los átomos de impurezas trivalentes; como el

indio(In), el galio(Ga), les son agregados al semiconductor intrínseco teniendo como el
tipo P. Para los semiconductores del tipo P; tenemos que los portadores mayoritarios de
carga serán los huecos y los portadores minoritarios de cargas serán los electrones.

Características del Semiconductor Tipo N:

Tendremos que para la clasificación y definición del semiconductor del tipo N; por
mediación de los átomos de impurezas pentavalentes.Tendremos como impurezas
pentavalentes al Antimonio (Sb) y Arsénico (As); los cuales son agregados a un
semiconductor intrínseco. Teniendo como resultado a un semiconductor del tipo n.

Tendremos que para este semiconductor la mayoría de los portadores de carga serán los
electrones; mientras que los portadores de carga minoritarios son huecos. En este caso
tendremos que la densidad en los electrones es mucho mayor que la densidad que tienen
los huecos. Aquí tenemos que el nivel del donante se encuentra gradualmente más cerca
de la banda de conducción.
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Diferencias entre Semiconductor tipo P y semiconductor tipo N

Tipo P Tipo N
Son elementos del grupo III (Al, Ga, In, Son elementos del grupo V(As, Sb, P, Bi,
etc.) etc.)
El semiconductor de tipo P normalmente se El semiconductor de tipo N normalmente
forman agregando impurezas trivalentes. se forman agregando impurezas
pentavalentes.
Debido a la concentración de agujeros es Debido a la concentración de electrones,
alta, este semiconductor llevará una carga este semiconductor llevará una carga
preferentemente + preferentemente -
Se denominan aceptadores debido a la Se denominan aceptores debido a la
formación de agujeros en este formación de electrones en este
semiconductor. semiconductor.
En el proceso de dopaje cuando se le La conductividad que poseen los del tipo N
agrega la impureza, como resultado se se deberá por la presencia que tienen los
obtendrán huecos (espacio sin portadores de carga mayoritarios ya que
electrones). El cual se nombrará como son electrones.
átomo aceptor.
La conductividad que poseen los del tipo P Aquí tenemos que los portadores de cargas
se deberá por la presencia que tienen los mayoritarias son los electrones y los
portadores de carga mayoritarios debido a portadores de cargas minoritarios son los
los agujeros. huecos.

Unión PN

La unión PN es cuando un material semiconductor de tipo N es puesto en contacto

eléctrico con un semiconductor de tipo P.

En la zona N tenemos electrones libres y en la zona P tenemos huecos en espera de ser

rellenados por electrones.

Si ahora los unimos, los electrones del material N, que están más cerca de la franja de la
unión, serán atraídos por los huecos de la zona P que están también más cerca de la unión.

Estos electrones pasarán a rellenar los huecos de las impurezas más cercanos a la franja
de unión.
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Un átomo de impureza de la zona P, que era neutro, ahora tiene un electrón más llegado
de la zona N para formar enlace en el hueco que tenía.
Este átomo de impureza ahora quedará cargado negativamente (un electrón más) y se
convertirá un anión o ión negativo.
Así mismo un átomo de impureza de la zona N quedará cargado positivamente porque se
le ha ido un electrón y se convertirá un catión o inón positivo.
Esto provoca que en la franja de la unión PN tengamos por un lado carga negativa y por
el otro positiva. Negativa en la zona P, que antes de la unión era neutra y positiva en la
zona N, que antes también era neutra.
Esta franja con cationes y aniones se llama región de agotamiento o zona de difusión.

Llega un momento que un nuevo electrón de la zona N intente pasar a la zona P y se

encontrará con la carga negativa de la región de agotamiento en P (los iones negativos
formados), que le impedirán el paso (cargas iguales se repelen).
En este momento se acabará la recombinación electrón-hueco y no habrá más conducción
eléctrica.
Además la zona N que antes era neutra ahora tendrá carga positiva ya que han se han ido
de ella electrones, y la zona P, que antes también era neutra, ahora será negativa, ya que
ha recogido los electrones que abandonaron la otra zona. La unión PN deja de ser
eléctricamente neutra.

la parte N, fuera de la región de agotamiento, seguirá teniendo electrones libres que no

formaron enlaces con átomos de semiconductor puro, y la parte P seguirá teniendo
huecos.
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Por eso en la imagen anterior ves el signo menos en la zona N como el más abundante y
el signo + en la P como más abundante (portadores mayoritarios).

Unión NPN y PNP: transistor BJT

BJT (Bipolar Junction Transistor). El término bipolar hace referencia al hecho de que en
la conducción de la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos).
El termino junction (unión) hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como
veremos a continuación tenemos dos uniones pn en el transistor y mediante la
polarización de estas uniones conseguiremos controlar el funcionamiento del dispositivo.

El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos tener una zona de

material tipo n en medio de dos zonas de material tipo p, en este caso se denomina
transistor pnp, o bien tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo
caso estaríamos hablando de un transistor npn.

La zona central se denomina base, y las laterales emisor y colector. Cada una de
las zonas consta de un terminal por donde extraer las corrientes. Estos terminales se
representan por la inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y C
(colector).
La zona de emisor es la más fuertemente dopada de las 3, es la zona encargada
de “emitir” o inyectar portadores mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un
transistor pnp o electrones en el caso del transistor pnp.
La base tiene un nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas exteriores. Su misión es la
de dejar pasar la mayor parte posible de portadores inyectados por el emisor hacia el
colector.
La zona de colector, como su propio nombre indica es la encargada de recoger o
“colectar” los portadores que inyectados por el emisor han sido capaces de atravesar la
base. Es la zona con un nivel de dopado inferior de las tres
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Unión AI, SiO2, P: JFET, MOSFET

Transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET)

Un transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET) se basa en

controlar la concentración de portadores de carga mediante un condensador MOS
existente entre los electrodos del sustrato y la compuerta. La compuerta está localizada
encima del sustrato y aislada de todas las demás regiones del dispositivo por una capa de
dieléctrico, que en el caso del MOSFET es un óxido, como el dióxido de silicio. Si se
utilizan otros materiales dieléctricos que no sean óxidos, el dispositivo es conocido como
un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (MISFET). Comparado
con el condensador MOS, el MOSFET incluye dos terminales adicionales (surtidor y
drenador), cada uno conectado a regiones altamente dopadas que están separadas por la
región del sustrato. Estas regiones pueden ser de tipo P o N, pero deben ser ambas del
mismo tipo, y del tipo opuesto al del sustrato. El surtidor y el drenador (de forma distinta
al sustrato) están fuertemente dopadas y en la notación se indica con un signo '+' después
del tipo de dopado.

Transistores de unión de efecto de campo. (JFET)

Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:

○JFET de canal n
○JFET de canal p

En un JEFT de canal n. Podemos observar como la mayor parte de la estructura es

de material tipo n ligeramente dopado formando un canal con contactos óhmicos en
ambos extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre
dos regiones de compuerta tipo p+ (material tipo p fuertemente dopado) con sendos
contactos óhmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos casos los dos
terminales de puerta están accesibles (JFET de doble puerta) aunque lo más habitual es
que ambos terminales estén cortocircuitados teniendo un único terminal de puerta
(dispositivo de tres terminales).

En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen están sin
polarizar. El resultado es una región de vaciamiento o zona de deplexión (región carente
de
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portadores libres) de forma similar a la que se vio en su día al analizar en el diodo la

unión
p-n en ausencia de polarización.

D = Drenador: (Del inglés Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del
dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de
canal p)
S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que entran los portadores.
G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente
de portadores a través del canal.

Símbolos

Bibliografía

Fabricación y caracterización eléctrica de diodos de unión p-n de arseniuro de galio Escuela

Superior de Tepeji del Río, Ingeniería Industrial, Universidad Autónoma del Estado de Hidalgo,
H. D. Molina-Ruiz a, O. Pérez-Cortez b, J. L. González-Vida

https://transistores.info/diferencias-entre-semiconductores-tipo-p-y-tipo-n/
nfluencia de la concentración de centros profundos en las propiedades eléctricas de uniones P-N
no abruptas : aplicación al sistema Si-Pt
Universidad de Granada.Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores; Tesis
Univ. de Granada. Departamento de Electrónica y Tecnología de Computadores

https://ocw.ehu.eus/file.php/110/electro_gen/teoria/tema-7-teoria.pdf