1

RECTIFICACIÓN

29/10/2018
CIFP TECNOLOGICO INDUSTRIAL
Javier Baile
1 EL DIODO: ESTUDIO DEL COMPONENTE
1.1 DESCRIPCIÓN BÁSICA
La mayor parte de las sustancias sólidas presentan sus moléculas ordenadas en forma de figuras
geométricas llamadas cristales que son características para cada una.
Los átomos que integran esas moléculas pueden estar unidos de tres formas
- Enlace iónico (iones unidos por fuerzas de naturaleza electrostática)
- Enlace covalente (comparten pares de electrones)
- Enlace metálico (comparten los electrones libres entre todos los átomos)

Podemos imaginar la distribución de los electrones en diferentes capas y subniveles alrededor del
núcleo.
Aquellos electrones que están más próximos al núcleo tienen una misma energía y están agrupados en
la llamada banda saturarla (B.S.). Existe otra zona más separada del núcleo llamada banda de valencia
(B.V.) en la que los electrones son semilibres y, finalmente la zona más alejada en la que los electrones
tienen la energía suficiente para moverse por el cuerpo y formar la denominada banda de conducción
(B.C.).
Entre las bandas citadas hay unas zonas desprovistas de electrones llamadas bandas prohibidas (B.P.)

Según la teoría de las bandas de energía y, centrándonos en las de valencia y conducción, podemos
hacer una clasificación de los cuerpos atendiendo a sus características eléctricas:

Conductores. Tienen solapadas la B.V. y la B.C. y, por tanto, los electrones pueden moverse por el
cuerpo estando sometidos a la influenciad e un campo eléctrico de intensidad discreta.

Semiconductores. La separación entre las bandas es de 1 eV (electronvoltio)1 aproximadamente,

consiguiendo los electrones con relativa facilidad pasar a la B.C.

Aislantes. La separación entre las bandas es tal que solamente alterando la estructura del cuerpo
los electrones lograrían pasar la B.P

1
es una unidad de energía que representa la energía cinética que adquiere un electrón cuando es acelerado por una diferencia de
potencial de 1 voltio.
1
1.2 SEMICONDUCTORES:
Los semiconductores presentan enlace covalente y los electrones que forman parte de éste son los que
pueden saltar a la B.C. para que conduzcan. La ausencia de un electrón en un enlace se representa por
un hueco y aunque no sea exactamente cierto, por contraposición con aquél, le asignaremos carga positiva
de igual magnitud que la del electrón.

Los semiconductores más importantes utilizados en dispositivos electrónicos son el silicio y el

germanio, y también tiende a utilizarse el arseniuro de galio.

En el caso de que el silicio o el germanio los tratemos en estado puro (del orden de una impureza por
cada 1011 átomos de semiconductor, ya que es imposible purificar al 100 por 100) se denominarán
semiconductores intrínsecos.

El cristal de germanio se presenta en forma de tetraedro con un átomo en cada vértice.

El número atómico del germanio es 32 y su distribución electrónica por niveles es 1s2, 2s2, 2p6,
3s2, 3p6, 3d10, 4s2, 4p2. Según esto, posee cuatro electrones de valencia para formar los enlaces covalentes
con los átomos vecinos

Los electrones de valencia están fuertemente ligados al núcleo y el cristal presenta baja
conductividad, comportándose como aislante a bajas temperaturas. A temperatura ambiente y debido a la
energía térmica suministrada, se rompen algunos enlaces, por lo que es posible establecer la conducción
ya que los electrones libres son capaces de moverse por el interior del cristal, si se le aplica un campo
eléctrico.

La ausencia del electrón en el enlace se representa como un hueco susceptible de ser ocupado o
llenado por otro electrón, contribuyendo así a la conductividad o movilidad entre ellos.

2
 En una clasificación de semiconductores existen también los llamados semiconductores
extrínsecos:

En el primer caso a las impurezas se las llama donadoras o tipo N, por “donar” electrones libres,
que serán portadores disponibles de corriente capaces de vagar por el cristal, dando origen a los
semiconductores tipo N.

En el segundo caso, las impurezas reciben la denominación de aceptadoras o tipo P por dar lugar a
la aparición de huecos disponibles que aceptan electrones dando origen a los semiconductores tipo P.

En ambos tipos de cristales hablamos de electrones y huecos, debido a que por generación térmica en
todo cristal aparecen pares electrón-hueco. Dichos pares dan lugar a los llamados portadores minoritarios
en los semiconductores dopados.

1.3 UNIÓN P-N:

Si en un único material semiconductor ya sea de germanio o de silicio, se introducen impurezas tipo P
en un extremo e impurezas tipo N en el otro se obtiene una unión P-N.

3
 En la zona P existen iones negativos y huecos mientras que en la zona N hay iones positivos y
electrones.

Al realizarse la unión se produce una difusión de electrones hacia la zona P y de huecos hacia la
zona N para recombinarse entre ellos, hasta el momento en que en la zona P haya una concentración de
cargas negativas y en la zona N de cargas positivas, que interrumpe la difusión por establecerse un campo
eléctrico o barrera de potencial que impide el paso de cargas eléctricas a no ser que se les comunique una
energía suficiente.

1.4 POLARIZACIÓN DIRECTA E INVERSA

Si aplicamos una D.D.P. (DIFERENCIA DE POTENCIAL) en el sentido que se muestra, conseguimos
dar a los electrones la energía necesaria para superar la barrera de potencial y llegar a la zona P
(imaginemos lo mismo para los huecos en su trayecto hacia la zona N), por el circuito exterior fluye
entonces una corriente relativamente grande, llamada corriente directa, que estará formada por
portadores mayoritarios (huecos en la región P y electrones en la región N).

4
 Si se invierte la polaridad de la pila, obligamos a los electrones de la región N y a los huecos de la
región P a alejarse de la unión, impidiendo, por tanto, su posible recombinación. La corriente que circula
es prácticamente nula, pues es debida a los portadores minoritarios de las regiones (huecos de la región N
y electrones de la zona P) y se denomina corriente inversa (Ir) que, cuando se hace constante e
independiente de la tensión inversa aplicada recibe el nombre de corriente inversa de saturación.

5
2 EL DIODO
EI diodo semiconductor es una unión P-N conectada a dos terminales y convenientemente
encapsulada para dar al conjunto consistencia mecánica.

En su cuerpo estará marcada la señalización de las regiones y el código de identificación. Los

terminales se denominan:
Ánodo (A), conectado a la región P.
Cátodo (K), conectado a la región N.

2.1 FUNCIONAMIENTO
Veamos el comportamiento del diodo en los dos casos de polarización: directa e inversa. Qué ocurre
con la señal aplicada y la respuesta obtenida. Para ello haremos referencia a la gráfica representada:

2.1.1 CARACTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE. POLARIZACIÓN DIRECTA:

Situados en el primer cuadrante de la gráfica, el diodo no conduce con una intensidad apreciable
(menos del 1 por 100 del valor nominal máximo), hasta que la tensión aplicada no supera el potencial de
barrera o tensión umbral V (aproximadamente 0,3 V para el germanio y 0,7 V para el silicio).

A partir de ese punto, los electrones y huecos empiezan a cruzar la unión en grandes cantidades por lo
que a pequeños incrementos de tensión corresponden grandes aumentos de intensidad (el único
impedimento al flujo de corriente a través del dispositivo lo constituye la resistencia óhmica de las
regiones P y N.

2.1.2 CARACTERÍSTICA TENSIÓN-CORRIENTE. POLARIZACIÓN INVERSA:

Situados en el tercer cuadrante de la gráfica, la corriente se estabiliza rápidamente y permanece
prácticamente constante (corriente inversa de saturación o de fuga I R) para grandes aumentos de la
tensión inversa VR.

6
 Si se aumenta esta tensión lo suficiente (cientos de voltios para bastantes diodos) se llega a la tensión
de ruptura, entonces la intensidad crece apreciablemente. El origen de esta corriente es debido a los
portadores minoritarios que, al ser arrancados de las zonas donde existen en pequeña proporción,
provocan un fenómeno de avalancha o reacción en cadena sobre los demás portadores produciendo un
deterioro irreversible del
Componente. A este mecanismo se le conoce como ruptura por avalancha o zéner.

2.1.3 CONSIDERACIONES GENERALES

Para la verificación del normal funcionamiento de un diodo se realiza una prueba con un óhmetro
previa identificación de la polaridad de las puntas de prueba. En sentido directo la resistencia media es
del orden 10-30  y con polarización inversa se pueden observar lecturas de 200-300 k para el germanio
y de varios M para el silicio.

En el diseño de circuitos habrá que seleccionar un tipo de diodo cuya tensión máxima aplicable en
sentido inverso (VRmax) sea mayor (del orden de tres veces) que la máxima que se espera aplicarle en su
funcionamiento.

El circuito exterior debe limitar la intensidad IF, ya que ha de ser inferior a la IFmax indicada por el
fabricante.

La potencia disipada por el componente es conveniente limitarla a la mitad de la potencia nominal.

Téngase en cuenta que toda disipación de potencia genera calor, produciendo aumento de temperatura y
provocando un aumento de la corriente inversa.

Estableciendo una comparación entre los diodos semiconductores de Si y de Ge en algunas de sus

características podríamos destacar:

7
3 LA RECTIFICACIÓN

3.1 INTRODUCCIÓN
a. CORRIENTE CONTINUA

La corriente continua la producen las baterías, las pilas y las dinamos. Entre los extremos de cualquiera
de estos generadores se genera una tensión constante que no varía con el tiempo, por ejemplo si la pila es
de 12 voltios, todos los receptores que se conecten a la pila estarán siempre a 12 voltios (a no ser que la
pila este gastada). Además al conectar el receptor (una lámpara por ejemplo) la corriente que circula por el
circuito es siempre constante (mismo número de electrones), y no varía de dirección de circulación,
siempre va en la misma dirección, es por eso que siempre el polo + y el negativo son siempre los mismos.
Luego en CC (corriente continua o DC) la tensión siempre es la misma y la Intensidad de corriente
también.

Si tuviéramos que representar las señales eléctricas de la Tensión y la Intensidad en corriente continua
en una gráfica quedarían de la siguiente forma:

b. CORRIENTE ALTERNA

Este tipo de corriente es producida por los alternadores y es la que se genera en las centrales eléctricas.
La corriente que usamos en las viviendas es corriente alterna (enchufes).

En este tipo de corriente la intensidad varia con el tiempo (número de electrones), además cambia de
sentido de circulación a razón de 50 veces por segundo (frecuencia 50Hz). Según esto también la tensión
generada entre los dos bornes (polos) varía con el tiempo en forma de onda senoidal (ver gráfica), no es
constante. Veamos cómo es la gráfica de la tensión en corriente alterna.

Esta onda senoidal se genera 50 veces cada segundo, es decir tiene una frecuencia de 50Hz (hertzios),
en EEUU es de 60Hz. Como vemos pasa 2 veces por 0V (voltios) y 2 veces por la tensión máxima que es de
325V. Es tan rápido cuando no hay tensión que los receptores no lo aprecian y no se nota, excepto los
fluorescentes (efecto estroboscópico). Además vemos como a los 10ms (milisegundos) la dirección cambia y
se invierten los polos, ahora llega a una tensión máxima de -325V (tensión negativa).

8
 Esta onda se conoce como onda alterna senoidal y es la más común ya que es la que tenemos en
nuestras casas. La onda de la intensidad sería de igual forma pero con los valores de la intensidad
lógicamente, en lugar de los de la tensión.

Ahora ya sabemos que la corriente alterna (c.a.) cambia periódicamente su sentido de circulación, y
que, además, su amplitud está constantemente variando y que, por otra parte, existen circuitos que no
pueden ser alimentados por corriente eléctrica de estas características, sino que lo han de ser por
corrientes de valor y sentido constantes en el tiempo, o sea, corriente continua (c.c.).

Si, además tenemos en cuenta que es mucho más asequible la energía eléctrica en forma de c.a.
que de c.c., surge la necesidad de utilizar dispositivos capaces de realizar la conversión. Dichos circuitos
reciben el nombre genérico de fuentes de alimentación (f.a.) o convertidores AC/DC.

Una fuente de alimentación está formada por varios bloques que básicamente son:
Rectificador
Filtro
Estabilizador
Sistema de regulación

3.1.1 Descripción Básica

Los rectificadores son una de las aplicaciones más importantes de los diodos semiconductores.
Existen tres tipos básicos:

De media onda
De doble onda o de onda completa, y
De doble onda en puente de Graetz, o rectificador en puente.

Aprovechando el comportamiento unidireccional del diodo y mediante el conexionado adecuados,

se consigue forzar la circulación de corriente en un solo sentido a través de la resistencia de carga (RL) que
representa al circuito que requiere ser alimentado con c.c.
Con el rectificador de media onda (M.O.) se consigue una señal pulsatoria de medio ciclo de
duración durante cada periodo mientras que con los rectificadores de doble onda (D.O.) se obtienen dos
ciclos unidireccionales en el mismo periodo.
El sistema para eliminar la alternancia de la señal de entrada no es otro que la definición que,
como interruptor puede hacerse del diodo, como un componente que presenta una casi total oposición al
paso de corriente en un sentido, por tanto el cambio de sentido en la señal alterna de entrada provoca la
polarización inversa del diodo durante el tiempo que permanezca.

3.2 FUNCIONAMIENTO DE LOS TRES TIPOS DE RECTIFICADORES

9
3.2.1 Rectificador de media onda
El circuito de la figura es un circuito serie compuesto por D, R L y una fuente de tensión alterna vi =
12 Vef.
En cualquier momento la suma de caídas de tensión en el circuito ha de ser igual a la entregada
por vi.

En el diagrama de tensiones de la gráfica cuando en vi está presente el semiciclo positivo (A

positivo con respecto a B), el diodo está polarizado directamente, con lo cual deja pasar la corriente en el
sentido indicado provocando una caída de tensión en el diodo V D=0’7V, y por tanto, la tensión en RL será

Durante este semiciclo C es positivo con respecto a B.

En el siguiente semiciclo de vi, A se hace negativo con respecto a B, y D se polariza inversamente;

si despreciamos la pequeña corriente inversa, el diodo no deja circular corriente por el circuito (se
comporta como un interruptor abierto), de esta forma VRL=0V, y por tanto VD=Vi.
Hemos conseguido que circule corriente por RL sólo en un sentido o, lo que es lo mismo, le hemos
aplicado tensión a RL de una única polaridad: C positivo con respecto a B.

3.2.2 Rectificador de doble onda o de onda completa.

Cualquiera de las mallas (A – D1 –RL – C) o (B – D2 – RL –C) constituye por si misma un

rectificador de media onda.

10
 La peculiaridad estriba en la necesidad de disponer de dos tensiones de entrada (V i1 y Vi2) de igual amplitud
pero desfasadas 180º; este propósito generalmente se consigue empleando un transformador con toma central y
haciendo de ésta la masa o punto de referencia.

Por ser de toma central Vac=Vcb y respetando la polaridad de la señal en un instante dado, se cumple

Mediante esto conseguimos que siempre esté uno de los dos diodos directamente polarizado y, por tanto,
que circule en todo momento corriente por RL.

Cuando A es positivo con respecto a C, B es negativo con respecto al mismo punto, por tanto D1 conduce y
D2 está bloqueado de esta forma la corriente que circula por R L (línea de trazos) es debida a Vi1, siendo la tensión en
RL

Cuando cambia la polaridad, o sea, cuando B es positivo con respecto a C, A es negativo comparando
directamente VAB con VRL, hemos conseguido que durante ambas alternancias de VAB circule corriente por RL.

En ambos casos el valor de VRL es significativamente igual y en ambos casos el sentido de la corriente por R L
ha sido el mismo, esto es, D es positivo con respecto a C, apreciablemente igual que en el de media onda, pero,

11
como se puede apreciar comparando directamente VAB con VRL, hemos conseguido que durante ambas alternancias
de VAB circule corriente por RL.
Los valores medios de la tensión en RL, serán, por tanto, diferentes y mayores que en el rectificador de M.O.

3.2.3 Rectificador en puente de Graetz.

Este montaje pretende solucionar el inconveniente del rectificador de D.O., de tener que utilizar transformador
con toma central o cualquier otro dispositivo desfasador.
Siempre ofrece un camino al paso de la corriente por RL, circulando desde C hasta D. Cuando A es positivo respecto
a B, el camino es D2, RL, D3 (línea de trazos). Cuando cambia la polaridad de Vi el recorrido es D4, RL, D1 (línea de
puntos).

Cuando está presente en Vi la alternancia positiva, D2 y D3 están polarizados directamente, circulando la

corriente por RL y provocando dos caídas de tensión, VD2 y VD3, prácticamente iguales y próximas a 0,7 V, siendo
entonces la tensión en RL

Al cambiar la polaridad de Vi , B se hace positivo con respecto a A, entonces D1 y D4 conducen dejando

circular de nuevo la corriente por RL, siendo entonces la tensión en sus extremos

En ambos casos la corriente ha circulado en el mismo sentido por R L, siendo C positivo con respecto a D.
Obsérvese que los resultados son similares a los del rectificador de D.O., pero ahora VRL es inferior en 1,4V a Vi, ya
que la corriente ha de atravesar dos diodos y provoca dos caídas de tensión en lugar de una.
Por lo expuesto debe cuestionarse el empleo de este circuito en montajes con tensiones de entrada de
valores menores a 1,4V.

12
13
4 FILTROS
4.1 INTRODUCCIÓN.
Después de ver la necesidad de convertir c.a. en c.c. hemos conseguido el primer paso, que ha sido
llegar desde la corriente alterna senoidal a la corriente unidireccional. Nuestro problema es que es
pulsatoria y se encuentra lejos de ser homogénea y estable.

Necesitamos añadir un nuevo bloque para mejorar la señal que ahora tenemos. Este nuevo bloque será
el filtro.

4.2 DESCRIPCIÓN BÁSICA.

Los filtros se basan en la capacidad de almacenar energía eléctrica de los componentes reactivos
(bobinas y condensadores).

Los condensadores almacenan energía debido a su carga rápida a través de la pequeña resistencia
directa de los diodos y la pierden cuando se descargan muy lentamente a través de la resistencia de
salida, consiguiendo como resultado mantener una tensión prácticamente constante en extremos de ésta.

Existen cuatro tipos básicos de filtros:

• Por condensador
• En “PI” () resistivo
• Por autoinducción
• En  inductivo, de escaso interés para nosotros

4.3 FILTRO POR CONDENSADOR. FUNCIONAMIENTO.

El filtro por condensador consiste exclusivamente en conectar un condensador C, de capacidad

elevada en paralelo con la carga. Veamos su funcionamiento sirviéndonos del diagrama de tensiones:

14
 Supongamos C inicialmente descargado y el primer semiciclo positivo; D conduce y C se carga casi
siguiendo las variaciones de Vi debido a la baja RF (resistencia de fuga) de D (algunos ohmios); una vez
alcanzado el valor máximo (+VP) en el instante t1, Vi empieza a disminuir y, por tanto la tensión en el
ánodo de D, no así en el cátodo, ya que ésta sigue las variaciones de VC, mucho más lentas debido a que C
se ha de descargar a través de RL y, , como quiera que RL >> RF, entonces la constante de tiempo de
descarga es mucho mayor que la de carga.

En estas circunstancias queda bloqueado. y permanece así hasta que, llegada una nueva
alternancia positiva, se hace la tensión de ánodo mayor que la de cátodo, o lo que es lo mismo, se cumple
Vi >VRL: desde t2 hasta t3.

Obsérvese que, excepto en el primer semiciclo, D sólo conduce en el intervalo t2 y t3, tiempo en que
C se carga de nuevo, y durante el resto del tiempo t1-t2 o t3-t4 es C quien suministra tensión a RL, a costa
de una descarga más o menos rápida, dependiente de los valores de C y de R L.

Fijándonos en la forma de onda de VRL y comparándola con la misma de la gráfica de rectificador

de media onda (M.O.), se pueden apreciar varias diferencias.

• RL tiene permanentemente tensión aplicada

• La tensión varía sólo entre 2 valores más o menos próximos (+V P y +VM), y allí variaba entre
el máximo +VP y 0.

Hemos conseguido una tensión mucho más parecida a la c.c. constante pero todavía con muchas
variaciones.
En general se puede decir que se cumple:
𝐼𝑚𝑒𝑑
𝑉𝑟 =
𝑓𝑟 . 𝐶
Siendo:
Vr la tensión de rizado pico a pico, Imed la corriente media de salida del rectificador, fr la frecuencia del
rizado y C la capacidad del condensador necesario para limitar el rizado al valor V r.

Ejemplo:
Calcula la capacidad del condensador necesario para limitar la tensión de rizado a 0,15V pico a pico, en
un rectificador bifásico de media onda, si la corriente media de salida es de 10 mA y la frecuencia de la
corriente alterna de entrada al rectificador es de 50 Hz.

Solución:
La frecuencia de rizado es el doble de la de entrada, luego:
𝑓𝑟 = 2. 𝑓 = 2.50 = 100𝐻𝑧

La capacidad será:
𝐼𝑚𝑒𝑑 10. 103
𝐶= = = 666 ∙ 10−6 𝐹 = 666𝜇𝐹
𝑉𝑟 . 𝑓𝑟 0,15.100

4.4 FILTRO EN  RESISTIVO. FUNCIONAMIENTO.

Recibe este nombre por la disposición de los componentes asemejándose a la letra griega .

15
 En el filtro por condensador no hemos hablado de límite alguno para el valor de C; sin embargo,
este componente sólo puede alcanzar ciertos valores y, a que, en el supuesto de estar descargado
inicialmente se comportaría como un cortocircuito y, si en el momento de la conexión coincidiera un valor
alto de Vi , la corriente que atravesaría al rectificador podría llegar a destruirlo; lógicamente si C es muy
alto, el tiempo que esta corriente es elevada seria mayor que en el caso de valores menores de C. Cuando
se requieren mejores filtrados y el valor de C no puede aumentar más se utiliza el filtro en .

Su funcionamiento es básicamente igual al anterior. La misión principal de R1 es limitar el valor

máximo de la corriente de pico que atraviesa al diodo.

C1 se carga a través de la resistencia interna Rinterna del diodo y se descarga a través de R1, RL y
C2. Por otra parte, C2, se carga a través de la misma Rinterna del diodo y de R1 por tanto su carga es más
lenta que la de C1; la descarga de C2, se produce a través de RL.

Las variaciones de tensión en extremos de C2 son mucho menores que en C1. De esta forma
conseguimos disminuir las ondulaciones de la tensión aplicada a la carga y mejorar el efecto del filtro por
condensador.

Esta disposición entrega una tensión a la carga ligeramente inferior a la entregada por el filtro por
condensador debido a la caída de tensión provocada en extremos de R1 por efectos de la corriente que
absorbe la carga IL, por tanto se ha de tener en cuenta el valor previsible de IL a la hora de calcular el valor
de R1 en este circuito.

4.5 FACTOR DE RIZADO.

Hemos avanzado considerablemente en el objetivo de eliminar variaciones en la tensión aplicada a
la carga, pero ésta sigue presentando algunas. La mayor o menor calidad de un circuito de filtro
dependerá de la menor o mayor ondulación de la tensión entregada a su salida. Esta característica se
suele expresar mediante el llamado factor de rizado o simplemente rizado, que expresa la relación entre
el valor eficaz de las ondulaciones (Vr tensión de rizado) y el valor de continua de la tensión entregada.

La tensión en extremos de la carga es de la forma de la gráfica a), ahora bien, ésta se puede
considerar como la suma de una tensión continua Vc (Gráfica a) y una alterna Vr (Gráfica b). A la relación
entre estas dos tensiones indica el factor de rizado, generalmente expresado el porcentaje de esta forma:

16
 𝑉𝑟(𝑒𝑓)
𝐹𝑟 =
𝑉𝐶𝐶

Ejemplo:
En un rectificador de doble onda se tiene un filtro con condensador de capacidad 1.000F y la intensidad
media por la carga (ICC) es de 150mA. El valor medio de la tensión de salida en la carga (VCC) es de 62V y la
Vr(ef) del diente de sierra resultante 210mV. Calcular:
a) Factor de rizado de la señal filtrada.
b) Valor de la resistencia de carga RC.

Solución:
(a) Aplicando la expresión del factor de rizado:

𝑉𝑟(𝑒𝑓) 0,21
𝐹𝑅 = = = 3,38 ∙ 10−3 = 0,00338
𝑉𝐶𝐶 62
En tanto por ciento de la tensión media de salida:
𝑉𝑟(𝑒𝑓) 0,21
𝐹𝑅 (%) = . 100 = . 100 = 3,38 ∙ 10−3 . 100 = 0,338
𝑉𝐶𝐶 62
(b) Con los datos que tenemos:
𝑉𝐶𝐶 62𝑉
𝑅𝐶 = = = 413,33
𝐼𝐶𝐶 150𝑚𝐴

17
5 DIODO ZENER
5.1 INTRODUCCIÓN.
Hemos estudiado del diodo que al polarizarlo en inverso se podía alcanzar la destrucción de éste por
dos formas: por efecto avalancha o por efecto zéner.
Esta limitación (ruptura por efecto zéner) es aprovechada en el diodo zéner encontrando sus principales
aplicaciones en reguladores de tensión y como elementos de referencia de tensión para otros circuitos.
Nos ocuparemos del estudio del diodo Zéner, primero como elemento aislado y después como elemento
regulador.

5.2 DESCRIPCIÓN DEL DIODO ZÉNER.

Su funcionamiento se basa en el efecto zéner del diodo, de ahí su nombre. Recordemos que en
polarización indirecta, y alcanzada la zona de zéner, a pequeños aumentos de tensión corresponden
grandes aumentos de corriente.
Este componente es capaz de trabajar en dicha región cuando las condiciones de polarización lo
determinen, y una vez hayan desaparecido éstas, pasa a comportarse como un diodo, no llegando a
destruirse por trabajar en inverso superada la zona de zéner, salvo que supere la corriente máxima de
zéner IZMAX indicada por su fabricante.
La geometría de construcción es diferente al resto de diodos, estribando su principal diferencia en
la delgadez de la zona de unión entre las zonas P y N, así como en la densidad de dopado de los cristales
básicos.

Los parámetros básicos de un diodo zéner son:

VZ : Tensión nominal de zéner. Polarización inversa en torno a la cual su
funcionamiento es efectivo.
IZmin : Mínima corriente inversa que ha de atravesar el diodo para asegurar su
correcto funcionamiento. También se llama corriente de mantenimiento.
IZmax : Máxima corriente inversa que puede atravesar el diodo sin peligro de
destrucción.
PZ : Potencia de disipación nominal del componente que no debe ser superada.

Existen distintos símbolos para su representación esquemática:

5.3 FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZÉNER.

5.3.1 El zéner como componente

El diodo zéner está indicado para trabajar con polarización inversa, careciendo de interés su
funcionamiento en polarización directa, que es igual al de cualquier diodo semiconductor.

18
 Cuando el zéner está polarizado inversamente, con pequeños valores de tensión se alcanza la
corriente inversa de saturación, prácticamente estable y de magnitudes despreciables a efectos prácticos.
Si sigue aumentando la tensión de polarización inversa, se alcanza un determinado valor,
denominado tensión de codo o de giro, donde los aumentos de corriente son considerables frente a los
aumentos de tensión. Sobrepasada esta zona, a pequeños incrementos de tensión le corresponden
aumentos importantes de corriente IZ. Esta zona se denomina región de trabajo efectivo del diodo zéner.
Consideraciones de la región de trabajo:
Para su funcionamiento efectivo en la región de trabajo hemos de asegurar que la
corriente sobrepasa la IZmin.
No se debe sobrepasar la IZmax en inverso, ya que el componente se puede destruir.
Estos dos valores de IZ llevan asociados a sus respectivos valores de tensión de VZ.
Aproximadamente el valor medio de ellos es el valor de tensión de zéner nominal
VZN.
La potencia disipada por este componente en cada instante, será el producto de la
tensión por la intensidad: PZ = VZ * IZ.
Los valores de IZmin e IZmax con sus valores VZ asociados representan la región de
trabajo.

En estas condiciones se puede asegurar que el diodo Zéner establece una tensión muy estable en
sus extremos.

5.3.2 El zéner como regulador

Hay muchas circunstancias en las que la tensión aplicada a la carga puede sufrir variaciones
indeseables que alteran el funcionamiento normal en la misma. Estas variaciones pueden ser debidas a:
Variación de la resistencia de carga, que lleva asociada una variación
de la intensidad de carga.
Variaciones en la propia fuente de alimentación.
Por ambas causas.

19
 Si elegimos un diodo zéner de tensión nominal igual a la que es necesaria aplicar a la carga y
somos capaces de hacerlo funcionar en su región de trabajo, conseguiremos una tensión sin apenas
variaciones.
Nuestro problema es diseñar un circuito capaz de conseguirlo. Hemos de saber que hay tres
posibles situaciones que analizamos con ejemplos:

5.3.2.1 CASO 1º - CORRIENTE VARIABLE Y TENSIÓN FIJA

Deseamos alimentar una carga que absorbe una corriente que puede variar entre 10 mA y 40 mA,
para una tensión VL = 12V. Disponemos de una fuente de alimentación F.A. de VA= 18V.

Para el diseño del circuito debemos tener las siguientes consideraciones:

1.- El circuito se diseña para las peores condiciones (con la ILmax).
2.- El zéner debe ser en todo momento atravesado por una I Zmin para asegurar su efecto
regulador; fijémosla en 5 mA (este dato aparece en el catálogo del fabricante).
3.- La tensión de la fuente ha de ser en todo momento mayor que la aplicada a la carga
para asegurar IZmin.
4.- Debemos disponer de una resistencia limitadora en serie que absorba la diferencia
de tensión entre VA y VL; que será Rlim.

Con estas premisas el circuito será el siguiente:

Si hemos de asegurar IZmin

IT = I Z min + I L max = 5 + 40 = 45 mA
Rlim debe absorber la diferencia de tensión, luego
VR lim = VA −VL =18 − 12 = 6V
De donde
VR lim 6
Rlim = = =133,3 
IT 45 10− 3
Ahora bien, no olvidemos que tratamos de realizar un montaje práctico, y resistencias
normalizadas de 133,3 no existen, luego deberíamos elegir entre los dos valores normalizados más
próximos. Tomaremos valores normalizados al 10 por 100, esto es:
120   133,3   150 
Si eligiéramos 150, que es el más próximo superior, no quedaría garantizada I Zmin, luego se ha de
elegir siempre el primer valor inferior normalizado; de esta forma, R lim=120. Esto obliga a calcular de
nuevo IT.
VR lim 6
IT = = = 50 mA
R lim 120
Como es necesario conocer la potencia que ha de disipar R lim:
PR lim =VR lim  IT = 6  50  10 −3 = 0,3W
Para dar fiabilidad al circuito, se hace necesario sobredimensionar las potencias nominales frente a
las disipadas reales, del orden del doble, en este caso P Rlim=1/2W.
Del mismo modo, se ha de conocer la potencia máxima que ha de disipar el zéner, que
corresponderá al mínimo valor de IL, entonces

20
 I Z máx = IT − I L min = 50 − 10 = 40 mA y PZ = VZ  I Z máx = 12  40  10 −3 = 480 mW
Por lo que elegimos un zéner cuya PZ=1W.
De esta forma el circuito queda totalmente calculado
Rlim = 120  , 1 2W
 VZ =12V

Valores del Zéner:  I Z min  10 mA
 P =1W
 Z
Hay que observar que IT no varía y que el zéner varía su corriente absorbida, compensando las
variaciones producidas en IL y asegurando la estabilidad de VL.

5.3.2.2 CASO 2º - TENSIÓN DE ENTRADA VARIABLE

Alimentamos una carga de 500 con una tensión de 10V, a partir de una fuente que suministra
una tensión que puede variar entre 15 y 20V. (Tomaremos IZmin=5mA, dato que se obtiene del catálogo al
elegir el zéner)

En este caso las condiciones de trabajo vienen determinadas por la fuente y hay que asegurar IZmin.
VL 10
IL = = = 20 mA
RL 500
Para asegurar VL, al variar VA, debe variar VRlim y, por tanto, IT; luego ITmin corresponderá al caso de
VAmin (que resulta ser el caso más desfavorable).
IT min = I L + I Z min = 20 + 5 = 25 mA
Para estas condiciones calculamos Rlim, sabiendo que IZmin no será nunca inferior a 5 mA:
VR lim min = VA min − VL = 15 − 10 = 5V
VR lim min 5
Rlim = = = 200 
IT min 25  10− 3
Como en el caso anterior, el valor de Rlim será 180  (valor normalizado inferior), con lo cual IZmin
aumentará ligeramente su valor.
VR Lim min 5
I Z min real = IT Lim min − I L = − IL = − 20  10− 3 = 7,7  10− 3 A
RL real 180
La potencia de Rlim será calculada para el valor máximo de VA, ya que será entonces cuando la
potencia disipada sea mayor:
VR lim máx =VA máx −VL = 20 − 10 = 10 V

PR lim =
(VR lim máx )2

=
102
= 0,555W = 555 mW
Rlim 180
De donde PR lim =1 W
La máxima potencia disipada por el zéner corresponde a la misma situación, que es cuando mayor
corriente absorbe:

21
 VR lim máx 10
I Z máx = IT máx − I L = − IL = − 0,02 = 0,0355 A = 35,5 mA
Rlim 180
PZ máx = VZ  I Z máx = 10  35,5 = 355 mW
De esta forma el circuito queda totalmente calculado con los siguientes resultados:
Rlim = 180  , 1W
 VZ =10V

Valores del Zéner:  I Z min  7,7 mA
 P =1W
 Z

5.3.2.3 CASO 3º - CORRIENTE EN CARGA Y TENSIÓN DE ENTRADA VARIABLES (las dos)

Alimentar una carga que absorbe una corriente que varía entre 10 mA y 50 mA, a una tensión de
10V, con una fuente que suministra una tensión que varía entre 15 y 20V. Hay que diseñar el circuito,
que tendrá el aspecto del esquema siguiente:

En este caso nos apoyamos en los dos casos anteriores, IZmin se ha de asegurar para ILmáx y para
VAmin simultáneamente. De esta forma:
VR lim VA min − VL 15 − 10 5V
Rlim = = = = = 0,0909 K = 90,9 
IT I L máx + I Z min 50 + 5 55mA
Luego:
5
Rlim real = 82  , I Z min real = − 50 = 10,9 mA ; R límite real es la resistencia normalizada.
0,082
Las potencias de Rlim y de Z, deben ser calculadas para las condiciones opuestas, o sea, para V Amáx
e ILmin:

PR lim =
(V A máx − VL )
2

=
(20 − 10)
2
= 1,22 W
Rlim 82
PR lim real = 2W
PZmáx corresponde a la máxima IZ, o sea:
VR lim máx 10
I Z máx = IT máx − I L min = − I L min = − 0,01 = 0,112 A = 112 mA
Rlim 82
Y en el zéner la potencia máxima será:
PZ máx = VZ  I Z máx = 10  0,112 = 1,12 W que será una potencia real de PZ real = 2W
Y los resultados obtenidos finales son:
Rlim = 82  , 2W
 VZ =10V

Valores del Zéner:  I Z min 10,9 mA
 P = 2W
 Z

Tendremos en cuenta que los valores IZmáx y PZmáx no son los que nos da el fabricante del zéner,
sino los máximos valores alcanzados en cada uno de los tres casos.

22
 Hay casos en que no se dispone de diodos zéner adecuados a las necesidades del circuito, siendo
necesario conectar en paralelo diodos zéner de igual tensión nominal, hasta conseguir que la corriente
máxima que se ha de derivar sea menor que la suma de las I Zmáx características de los diodos:

Igualmente; se pueden conectar diodos zéner en serie hasta conseguir que la tensión suma de las
nominales sea igual a la tensión que es necesario estabilizar, siempre que cada uno de los zéner esté
dentro de sus especificaciones de corriente y de potencia disipable.

23
6 LIMITADORES
6.1 INTRODUCCIÓN.
Una de las principales aplicaciones de los diodos es la rectificación de la c.a., pero hay otros circuitos
electrónicos que aprovechan el comportamiento unidireccional del diodo y consiguen resolver otras
necesidades. Uno de los casos que se estudian son los circuitos limitadores o recortadores.

6.2 DESCRIPCIÓN DE LIMITADOR.

Un limitador limita una tensión alterna a unos valores predeterminados; esto puede realizarse:
• Eliminando uno de sus semiciclos.
• Eliminando parte de la cresta de un semiciclo.
• Eliminando parte de la cresta en ambos semiciclos.

Su funcionamiento se basa en que un diodo no conduce hasta que no está polarizado

directamente. Existen los siguientes tipos de limitadores:
a) Según la forma de obtener la salida:
a. Limitador serie. La tensión de salida v0 se obtiene en serie con el diodo limitador.
b. Limitador paralelo. V0 se obtiene en paralelo con el diodo.
b) Según sobre dónde se realice la limitación:
a. Limitador positivo. Limita la alternancia positiva de la tensión de entrada v i.
b. Limitador negativo. Igual al anterior con la alternancia negativa.
c. Limitador parcial o polarizado. Limita sólo parte de una alternancia.
d. Limitador parcial doble. Limita parte de ambas alternancias.

6.3 FUNCIONAMIENTO del limitador serie.

La disposición de este circuito es idéntica a un rectificador de media onda, por tanto su
funcionamiento es conocido; se puede observar que la salida v0 está en serie con D y, en el diagrama de
tensiones, que en v0 no aparecen semiciclos negativos, por lo cual es un limitador serie negativo.

Si invertimos D obtenemos en v0 sólo semiciclos negativos, limitando los positivos; en este caso
tenemos un limitador serie positivo.

6.4 FUNCIONAMIENTO del limitador paralelo.

En el esquema vemos un limitador paralelo negativo ya que en v0 sólo habrá semiciclos positivos,
debido al bloqueo de D, por estar polarizado inversamente durante este semiperíodo.
24
 Invirtiendo D obtenemos el limitador paralelo positivo.

6.5 FUNCIONAMIENTO del limitador paralelo polarizado.

En este caso conectamos una batería VA en serie con D de tal forma que se polariza inversamente. D sólo
conducirá cuando el semiciclo negativo de vi alcance un valor vi  V A , polarizando directamente el diodo y
colocando en la salida el valor fijo VA. Durante el semiciclo positivo D permanece bloqueado y el diodo
soporta una tensión inversa de valor vi + VA .

Se obtiene un diagrama de vo como el de la gráfica y el circuito es un limitador paralelo negativo

polarizado.
Si invertimos la polaridad de D y de VA, obtenemos la misma acción, pero sobre el semiciclo
positivo, siendo en este caso un limitador paralelo positivo polarizado.

Si modificamos el circuito anterior, combinando la acción de los dos limitadores obtenemos un

limitador doble polarizado, que será simétrico si V1=V2 y D1=D2, o sea, cada rama actúa como limitador
durante uno de los semiciclos.

25
7 EL TIRISTOR: ESTUDIO DEL COMPONENTE
7.1 INTRODUCCIÓN.
El tiristor es un conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez, y un componente idóneo en
electrónica de potencia. La variante bidireccional es el TRIAC.
El tiristor permanece normalmente bloqueado hasta el momento en que se le hace conducir actuando
sobre su electrodo de disparo. Ese momento de disparo se puede elegir con toda precisión y nos permite
gobernar a voluntad el paso de intensidades de corriente (o potencias) es valores elevados.

7.2 DESCRIPCIÓN BÁSICA.

Se puede hacer funcionar al tiristor de dos modos distintos. El primero es utilizándolo como
rectificador (figura a) y dejando pasar solo algunas semiondas, bloqueando las otras (figura b, suprimidas
las semiondas 2, 4, 6 y 7). La segunda forma de control consiste en no desbloquear el tiristor hasta un
poco después del principio de cada semionda (figura c), de esta forma solo se dispone de una parte de la
potencia total. En esta forma de trabajo se actúa sobre los ángulos de conducción de corriente y de
bloqueo, variándolos a voluntad.

7.3 LA FAMILIA DE TIRISTORES.

El término “tiristor” designa a toda una familia de elementos semiconductores con características
similares a las de las antiguas válvulas “tiratrones”, de hecho el nombre tiristor proviene de la contracción
de tiratrón y transistor.
El tiristor tiene dos estados estables que dependen de los efectos de realimentación de las uniones en
la estructura PNPN; estas uniones pueden ser dos o más, y los elementos pueden ser uni- o
bidireccionales, con dos o más terminales, distinguiéndose entonces entre “diodos” (dos terminales),
“triodos” (tres terminales) y “tetrodos” (cuatro terminales).
De toda esta familia distinguiremos los siguientes tipos:
- Los tiristores propiamente dichos, que son los elementos más conocidos y que en inglés se
denominan “Silicon controlled rectifier” o SCR. Son unidireccionales, con tres terminales (ánodo,
cátodo y puerta) bloqueados en el tercer cuadrante, por lo que también se les llama “tiristores
triodos de bloqueo inverso”.
- Los triacs, que derivan de los anteriores con la diferencia de ser bidireccionales, se denominan
también “tiristores triodos bidireccionales”. Su nombre usual proviene de la contracción de “triode
AC switch”.
- Los fototiristores o tiristores fotosensibles. El término inglés es “Light activated Silicon controlled
switch” o LASCR.
- Los tiristores bloqueables, llamados también de “gain de commande à l’ouverture” o GCO.
- El conmutador unilateral de silicio, “SUS” (Silicon unilateral switch).
- El conmutador bilateral de silicio, “SBS” (Silicon bilateral switch).

26
 - El tiristor tetrodo de dos electrodos de mando, o “SCS” (Silicon controlled switch).
- El diodo Shokley, o diodo tiristor, también llamado diodo de cuatro capas.
- Etcétera.

El uso de los tiristores por sectores se reparte de la siguiente manera:

El 50% se utilizan en el sector industrial y bienes de equipo; el 15% en máquinas calculadoras y de
gestión; el 13% en comunicaciones; un 10% en encendido de automoción y el resto para equipos de
medida, iluminación industrial, electrodomésticos, etc.

7.4 TEORÍA DEL TIRISTOR.

7.4.1 Estructura y símbolo
El tiristor es un semiconductor sólido formado por cuatro capas P y N alternativamente, dispuestas
como se ve en la figura, donde también se representa su símbolo.

Los dos terminales principales son el de ánodo y el de cátodo, y la circulación entre ellos de
corriente directa está controlada por un electrodo de mando llamado “puerta” (“gate” en inglés).
El tiristor es un elemento unidireccional; una vez aplicada la señal de mando a la puerta, el
dispositivo deja pasar una corriente que sólo puede tener un único sentido. Por ello a veces designa al
tiristor por lo que constituye su definición: rectificador controlado (SCR).
El dispositivo cumple varias misiones que podemos clasificar como sigue:
- Rectificación: consiste en usar la propiedad del funcionamiento unidireccional del dispositivo, el
cual realiza la función de un diodo.
- Interrupción de corriente: usado como interruptor, el tiristor puede reemplazar a los contactores
mecánicos.
- Regulación: la posibilidad de ajustar el momento preciso de cebado permite emplear el tiristor para
gobernar la potencia o la corriente media de salida.
- Amplificación: puesto que la corriente de mando puede ser muy débil en comparación con la
corriente principal, se produce un fenómeno de amplificación en corriente o en potencia. En ciertas
aplicaciones esta “ganancia” puede ser de utilidad.

7.4.2 El tiristor bajo tensión o en estado de bloqueo.

Para simplificar el análisis pensaremos que el cátodo del tiristor está siempre a masa y que la
puerta no está conectada o que se encuentra “flotando”.

En estas condiciones se puede comparar el tiristor a tres diodos conectados en oposición. Las capas
P2N2 y P1N2 forman diodos que aseguran el aguante del dispositivo:
- Si el ánodo es positivo, el elemento está polarizado directamente, pero el diodo P 1N2 bloquea la
tensión aplicada.
- Si el ánodo es negativo, los diodos P2N2 y P1N1 tienen polarización inversa. Por ser débil la tensión
de avalancha de P1N1, su papel es despreciable y es P2N2 el que ha de limitar la corriente inversa de
fuga.
27
 - La tensión máxima viene limitada por la tensión de avalancha de los diodos P 2N2 y P1N2.

7.4.3 El tiristor bajo tensión directa.

El funcionamiento del tiristor se comprende mejor refiriéndonos al montaje con dos transistores,
PNP y NPN, que resulta equivalente.

Estos dos transistores están conectados de forma que se obtiene una realimentación positiva.
Supongamos que sea positiva la región P2 con relación a la N1. Las uniones J3 y J1 emiten
portadores, positivos y negativos respectivamente, hacia las regiones N2 y P1. Estos portadores, tras su
difusión en las bases de los transistores, llegan a la unión J2, donde la carga espacial crea un intenso
campo eléctrico.
Siendo 2 la ganancia de corriente que da la fracción de la corriente de huecos inyectada en el
emisor y que llega al colector del PNP, y siendo por otro lado 1 la ganancia de corriente que da la fracción
de la corriente de electrones inyectados en el emisor que llega al colector del NPN, podemos decir:
I C 2 =  2  I A , y que
I C 1 = 1  I A
La corriente total de ánodo IA es la suma de IC1 e IC2, a la que hay que sumar la corriente de fuga
residual que pasa por la unión central J2 y a la que llamaremos ICX. Y se tiene:
I A = 1  I A +  2  I A + I CX , y despejando la IA:
I CX
IA =
1 − (1 +  2 )
En muchos transistores de silicio la ganancia  es baja para valores reducidos de corriente,
aumentando cuando crece la corriente. Luego si ICX es reducida, el denominador de la fracción anterior se
acerca a 1 (para corrientes débiles) y la corriente IA es apenas mayor que la corriente de fuga.
Aunque polarizada directamente, la estructura PNPN permanece bloqueada presentando una
elevada impedancia.
Cuando aumenta, por cualquier motivo, la corriente de fuga ICX, aumentan la corriente y la
ganancia. La suma 1 + 2 tiende entonces a 1 y la corriente IA tiende a infinito. En realidad esta corriente
toma un valor muy alto, limitado solamente por el circuito exterior.
El tiristor está entonces en estado conductor, desbloqueado o disparado.
Este tipo de cebado por aumento de la corriente de fuga (o sea, por aumento de la tensión aplicada
entre ánodo y cátodo del elemento) es desaconsejable en la mayoría de los casos.

7.4.4 Principio de cebado por puerta.

El cebado por puerta es el método más usual de disparo de tiristores. El razonamiento parte de la
siguiente figura:

28
 Una vez polarizado el tiristor directamente, se inyecta un impulso positivo de mando en su puerta
(este ataque es en corriente, denominándose IG). El transistor NPN designado T1 recibe una corriente de
base IG, pasando a ser su corriente de colector IG1, donde 1 es la ganancia en corriente de este transistor
(montaje en emisor común). Esta corriente se inyecta a su vez en la base del transistor T 2 PNP que entrega
entonces una corriente de IG12 (siendo 2 la ganancia en corriente de T2). Esta corriente, que aparece en
el colector de T2, vuelve a aplicarse a la base T1.
En este momento pueden ocurrir dos casos:
1º El producto 12 es inferior a 1, en cuyo caso el elemento no se ceba;
2º El producto 12 tiende a la unidad, con lo que se realiza el proceso de amplificación y el
elemento bascula al estado conductor.
Estas dos condiciones caracterizan el estado del tiristor en función de la corriente. La ganancia  de
un transistor de silicio crece normalmente, en función de la corriente, y:
- Si la corriente de puerta es débil, el producto 12 es inferior a la unidad y no se ceba el elemento;
- Si el impulso de mando es suficiente, las corrientes de emisor son lo bastante elevadas para que el
producto 12 tienda a 1.
En cuanto se produce el cebado, la realimentación hace que los dos transistores conduzcan a
saturación (la corriente de colector de uno se inyecta en la base del otro). Una vez en conducción, los
transistores se mantienen ya en ese estado, incluso aunque desaparezca el impulso inicial de puerta,
hasta que el circuito exterior deje de mantener la corriente I A.

7.4.5 Cebado del tiristor.

Los dos estados del tiristor pueden ser:
- Bloqueo, cuando está polarizado en sentido inverso;
- Bloqueo o conducción cuando la polarización es directa, según esté cebado o no.

En el segundo caso, para hacerlo pasar del estado de bloqueo al de conducción se recurre a la
propiedad del transistor de silicio: posee una ganancia de corriente que crece con la corriente de emisor,
IE.

Por tanto, se pueden usar todos los medios capaces de provocar un aumento de la corriente I E. Los
más importantes son:
- La tensión. Cuando aumenta la tensión ánodo-cátodo del tiristor, llega un momento en que la
corriente de fuga es suficiente para producir un brusco aumento de la corriente I E. Este método se
utiliza con los diodos de 4 capas (diodos-tiristores).
- La derivada de la tensión. La unión PN presenta capacidad. Así, si se hace crecer bruscamente la
tensión ánodo-cátodo, esta capacidad se carga con una corriente: i = C  dv , y si esta corriente i
dt
es suficientemente elevada, provocará el cebado del tiristor.
- La temperatura. La corriente inversa de fuga de un transistor de silicio aumenta al doble, cada 14º
de subida de temperatura. Cuando la corriente alcanza un valor suficiente, se produce el disparo
del tiristor por los mismos fenómenos anteriores.
- El efecto transistor. Es la forma clásica de gobernar un tiristor. En la base del transistor
equivalente se inyectan portadores suplementarios que provocan el fenómeno de cebado (la base es
la puerta del tiristor).
- Efecto fotoeléctrico. La luz puede también provocar el cebado del tiristor al crear pares electrón-
hueco. En este caso se emplea un fototiristor, que es un tiristor con una “ventana” (realmente es
una lente transparente que deja pasar los rayos luminosos) en la región de puerta.

7.4.6 Curva característica del tiristor.

En la siguiente figura se presenta la curva característica típica de un tiristor (elemento
unidireccional), representándose la corriente IA en función de la diferencia de tensión ánodo-cátodo.

29
 Cuando es nula la tensión V, lo es también la corriente IA. Al crecer la tensión V en sentido directo
(será VF, siendo F la inicial de “forward”, directo en inglés), se alcanza un valor mínimo (V d) que provoca el
cebado; el tiristor se hace conductor y cae la tensión de ánodo-cátodo mientras aumenta la corriente IA. A
esta corriente directa la llamaremos IF (“forward” – directa).
Si se polariza inversamente el tiristor, aplicándole una tensión VR (donde R es la inicial de
“reverse”, inverso en inglés) observamos la existencia de una débil corriente inversa de fuga (esta corriente
inversa será IR) hasta que se alcanza un punto de tensión inversa máxima que provoca la destrucción del
elemento.
El tiristor es conductor sólo en el primer cuadrante. El disparo ha sido provocado en este caso por
aumento de la tensión directa.
La aplicación de una corriente de mando en la puerta desplaza hacia la derecha el punto de disparo V d.

7.4.7 Acción de la puerta.

Si se aplica una señal de mando a la puerta del tiristor se modifica la tensión de cebado de éste, tal
como se ve en las curvas de la figura siguiente:

Cuando es nula la corriente IG de la puerta, el tiristor no se ceba hasta que se alcanza la tensión de
disparo entre ánodo y cátodo del elemento.
A medida que aumenta la corriente de puerta IG, disminuye el valor de la tensión de disparo del
tiristor. En el límite, el tiristor se comporta como un diodo, esto es, para una corriente de puerta
suficientemente elevada, la menor tensión de ánodo provoca la conducción en el tiristor.
Para prevenir los posibles cebados esporádicos del tiristor se puede conectar un resistor en
paralelo con la unión puerta-cátodo. Esto es especialmente interesante cuando la ganancia  del transistor
NPN es elevada. (Suele ser más elevada que la ganancia  del PNP).

Los fabricantes integran ya un resistor de difusión entre la puerta y el cátodo del tiristor; Esta
tecnología se conoce como “shorted emitter”, con un cortocircuito puerta-emisor.

30
7.5 CIRCUITO BÁSICO DE DISPARO DE UN SCR (caso práctico).
Montaremos la práctica siguiente a fin de comprender el funcionamiento de un disparo de SCR. Para
ello, la práctica contendrá todos los elementos que la caracterizan:

OBJETIVO: Comprobar la operación de un tiristor como elemento de control de fase.

MATERIAL:
- 1 SCR C-106B
- 1 Resistencia de 3,3K - ½W (R1)
- 1 Resistencia Variable
- 1 Diodo rectificador 1N4007 o equivalente
- Una lámpara miniatura 127 Vac
- 1 Fusible de 0,5 A c/porta fusible
- Cable eléctrico.

INSTRUMENTOS:
- Fuente de alimentación de 127 Vac
- Osciloscopio
- Voltímetro

DESARROLLO:
1.- Buscar las características eléctricas y físicas del SCR C-106B o sustituto.

2.- Calcular el valor de R2 para el circuito básico de disparo de la figura:

Datos: R1 = 3,3k
VMax=127 Vac
IGT = 200 f

Por la ley de Ohm VMax = IGT.Rab , Rab = R1 + R2

VMax = IGT.(R1 + R2) , Despejamos R2
3.- Con el osciloscopio determinar el ángulo máximo y mínimo de retardo en el disparo APRA el SCR.
Los valores obtenidos en el osciloscopio fueron los siguientes:
TMax = 480 seg (incremento o diferencia de tiempo)?
Tmin = 400 seg
T = 16,67 mseg (periodo)

Max Retardo.
Min Retardo.
31
4.- Graficar las formas de onda en el tiristor y en la carga para cada uno de los ángulos de retardo en el
disparo.

OBSERVACIONES:
Como el ángulo máximo de retardo en el disparo era demasiado pequeño debido a que se
necesitaba un potenciómetro de un valor más elevado para que se pudiera observar con una mayor
claridad, se cambió el potenciómetro de 1M por uno de 2M. En teoría el potenciómetro adecuado debería
ser de 1M, pero debido a la diferencia de propiedades eléctricas y físicas de los tiristores no se alcanzaba
apreciar con claridad donde el SCR C-106B se disparaba.

CONCLUSIONES:
Con el desarrollo de esta práctica se pudo comprobar y obtener los ángulos de retardo máximo y
mínimo de un tiristor.
RL representa la resistencia de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una
lámpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente y R2 es un potenciómetro que ajusta el nivel de
disparo para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo
positivo de la onda en alterna entre 0 y 180º.

32
 Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0º), como en la Figura
(a), conduce durante aproximadamente 180º y se transmite máxima potencia a la carga. Cuando se
dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura (b), el SCR conduce durante
aproximadamente 90º y se transmite menos potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo puede
retardarse, transmitiendo así una cantidad variable de potencia a la carga.
Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el siguiente
disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se ilustra en la Figura.

El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.

33
8 CONVERSORES DE ENERGÍA

8.1 Conversores energéticos

En general un equipo electrónico de potencia consta de dos partes:

- POTENCIA
- CONTROL

8.2 Tipos de convertidores electrónicos de energía eléctrica:

8.2.1 Rectificadores:

Esta función se denomina rectificación y puede ser de dos tipos:

a) No controlada:
No puede variarse la tensión de salida que en condiciones normales permanece constante.

b) Controlada:
Incorpora un circuito de control, que permite que la tensión de salida pueda variarse a voluntad, desde 0 a un
valor máximo fijado por el valor eficaz de la tensión de entrada.

8.2.2 Convertidores C.C. / C.C.

Los convertidores pueden ser de dos tipos:

a) Disipativos:
La tensión de salida de estos convertidores es siempre menor que la de entrada.

b) No disipativos:
Son los más interesantes desde el punto de vista energético y son denominados choppers o
troceadores.

34
 En este caso sólo se toma de la entrada la energía necesaria a la salida, por lo que el rendimiento de
estos convertidores es elevado.
La tensión de salida puede ser mayor que la de entrada, lo que tiene aplicación en fuentes de
alimentación conmutadas.

8.2.3 Inversores

Realizan la conversión de CC a CA, por lo que se denominan inversores. Existen diversos circuitos, aunque
básicamente serán monofásicos o trifásicos, en función de la salida. En algunos inversores su circuito de control
permite una regulación tanto de la tensión eficaz de salida como de la frecuencia de salida.

8.2.4 Conversión C.A. / C.A.

Realizan la conversión de CA de unas características en CA de otras características. Existen dos posibilidades:

a- Regulación
El valor eficaz de la tensión de salida es variable en función del circuito de control. La frecuencia de
salida es constante y del mismo valor que la de entrada.
En este caso la función se llama regulación de CA y los convertidores correspondientes reguladores
de CA.
b- Conversión de frecuencia
La frecuencia de salida puede variar entre 0 y la tercera parte de la frecuencia de entrada, pudiendo
además variarse el valor eficaz de tensión de salida.
En este caso la función se llama conversión de frecuencia sin circuito intermedio y los convertidores,
convertidores de frecuencia sin circuito intermedio o bien cicloconvertidores.

8.3 Resumen de conversiones:

La clasificación de los semiconductores de potencia en función de sus posibilidades de control es la

siguiente:
a) Sin control ni en la puesta en conducción ni en el bloqueo: diodo.
b) Con control sólo en la puesta en conducción: tiristor y triac.
c) Con control en la puesta en conducción y en el bloqueo: transistor bipolar, transistor MOS, IGBT,
GTO.
35
Dado que algunos de los simiconductores citados se utilizan también fuera del ámbito de la electrónica de
potencia, a menudo se distingue al componente utilizado en electrónica de potencia del que no lo es por el
calificativo “de potencia”.

8.4 CIRCUITOS RECTIFICADORES.

La rectificación es la función de conversión de CA en CC y puede ser controlada o no controlada.

Cuando es controlada, es posible variar la tensión de salida en función de las señales enviadas por el
circuito de control al convertidor y cuando no es controlada, no se dispone de circuito de control y no es
posible cambiar el valor de la tensión de salida.
Los rectificadores no controlados están constituidos exclusivamente por diodos. El diseño de un
rectificador incluye la elección del montaje más adecuado, la elección de los diodos en base a la potencia
de salida y el cálculo de protecciones y del circuito de refrigeración.

8.4.1 CIRCUITOS RECTIFICADORES NO CONTROLADOS.

8.4.1.1 CIRCUITOS RECTIFICADORES DE MEDIA ONDA.

8.4.1.1.1 RECTIFICADOR MONOFÁSICO DE MEDIA ONDA

El diodo conduce sólo durante uno de los dos semiperíodos y se obtiene la forma de onda de la figura:

Esta tensión de salida es pulsante y su valor de continua equivalente es el valor medio.

8.4.1.1.2 RECTIFICADOR BIFÁSICO DE MEDIA ONDA

Se requiere de un transformador monofásico a bifásico, y puede considerarse como la conexión de dos
rectificadores monofásicos de media onda.

36
Los diodos D1 y D2 conducen en instantes distintos por lo que podemos unir sus cátodos quedando
entonces:

Tanto en monofásico como en bifásico pueden montarse con los cátodos invertidos, obteniéndose las
tensiones invertidas.

37
8.4.1.1.3 RECTIFICADOR TRIFÁSICO DE MEDIA ONDA

Se requiere disponer de neutro en la distribución y puede realizarse con los cátodos comunes o con los
ánodos comunes.

Tensión de salida en montaje de cátodos comunes e intervalos de conducción de los diodos:

Para el montaje de ánodos comunes, la tensión de salida sería negativa respecto al neutro y estaría
formada por las porciones de semiperiodos negativos comprendidos entre los cruces de las tensiones de
fase.
El rizado de la tensión de salida es bastante menos que en el monofásico y el bifásico.

8.4.1.1.4 RECTIFICADOR HEXAFÁSICO DE MEDIA ONDA

Para su realización se requiere un transformador trifásico-hexafásico y puede conectarse con los ánodos
comunes o con los cátodos comunes. Al igual que el trifásico, solo conduce un diodo a la vez.
Las tensiones generadas por las bobinas secundarias hexafásicas son las de la gráfica:

Tensión de salida e intervalos de conducción de los diodos en el rectificador hexafásico de media onda:

38
8.4.1.2 CIRCUITOS RECTIFICADORES DE ONDA COMPLETA.

8.4.1.2.1 CIRCUITO RECTIFICADOR EN PUENTE MONOFÁSICO (DE GRAETZ).

39
8.4.1.2.2 CIRCUITO RECTIFICADOR EN PUENTE TRIFÁSICO.

40
 Tanto el montaje monofásico como el trifásico, por tener las corrientes en las fases alternas, tienen
mejores características de rendimiento y cos que los montajes de media onda.

8.4.2 CIRCUITOS RECTIFICADORES CONTROLADOS.

Un rectificador controlado añade a las funciones propias del rectificador la posibilidad de controlar
el valor de la tensión de salida. Todos o parte de los conmutadores de un rectificador controlado son
tiristores.
Los rectificadores controlados incorporan un circuito de control que envía los impulsos a los
tiristores para obtener en cada momento la tensión deseada a la salida del rectificador.

41
 Utilizando los tiristores se pueden realizar montajes idénticos que con los diodos, si bien en el caso
de los rectificadores de onda completa se habla de montajes semicontrolados cuando hay mitad tiristores y
mitad diodos; y montajes totalmente controlados cuando todos los conmutadores son tiristores.

42