MOSFET - Anexo Practica - v04 - Editable

DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS: Anexo Circuito de Iluminación basado en MOSFET
ANEXO PRÁCTICA
CIRCUITO DE CONTROL DE ILUMINACIÓN
BASADO EN MOSFET
Este ANEXO contiene la información necesaria para la

realización de las TAREAS DE LABORATORIO propuestas en el guion de
la práctica 6. En él se combinan explicaciones teóricas con propuestas
de tareas que sirven para consolidar los conceptos nuevos que se van
introduciendo. Tanto la lectura del ANEXO, como la realización de las
tareas previas que en él se proponen, deben ser realizadas con
anterioridad a la realización de la práctica en el laboratorio. Si no se
hace así, el aprovechamiento del tiempo dedicado en el laboratorio no
será el óptimo.
Nombre Grupo Fecha
Jose Pablo Reinado Ferron 20/05/23
MOSFET (Anexo practica)v04.docx Página 1 de 8

1 CIRCUITO CONMUTADOR CON NMOS

En esta práctica se diseñarán y montarán circuitos para controlar el encendido y
apagado de un diodo LED, el cual podría representar una lámpara LED. Para ello, se hará
uso de transistores MOSFET actuando como conmutadores, y de resistores LDR (Light
Dependent Resistor-LDR), actuando como sensores de luminosidad. En la Figura 1 se
muestra una de las configuraciones a implementar, en este caso basada en un MOSFET
de canal n (nMOS).
Figura 1a. Circuito conmutador basado en Figura 2b. Esquemático en LTSpice

MOSFET de canal N. correspondiente al circuito de la Figura 1a.
Los dispositivos LDR son resistencias cuyo valor óhmico depende del nivel de
iluminación que incide sobre su superficie (ver Figura 2). Como se puede observar, para
valores bajos de iluminación su resistencia es más elevada que para valores altos de
iluminación.
Figura 3. Curva característica (ID vs. VGS) de un

Figura 2. Curva característica de un resistor LDR
transistor MOSFET de acumulación de canal N
Mediante la elección adecuada de la resistencia R1 en la Figura 1 se pretende

conseguir que para un valor elevado de iluminación el LED permanezca apagado. Para
ello, se diseñará R1 de modo que la tensión entre la puerta y el surtidor (VGS) sea inferior
al umbral de conducción (VT) del transistor quedando, por tanto, en corte (ver Ec. (1)).
En estas condiciones, no circulará corriente por el terminal drenador del MOSFET y el
LED se mantendrá apagado (ver Figura 3). Por otro lado, se pretende que cuando el nivel
de iluminación sea bajo, el LED se encienda. Para ello, el valor elegido para R1 hará que,
en condiciones de iluminación escasa, la tensión VGS supere el umbral VT y el MOSFET

conmute a un estado de conducción (ver Ec. (1)), provocando el encendido del diodo
LED.
𝑉𝑉𝑆𝑆 = 0
1 (1)
𝑉𝑉𝐺𝐺 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑅𝑅
1+ 1
𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿
TAREA PREVIA 1
Si el resistor LDR presenta una resistencia de valor RO cuando se encuentra en oscuridad

y un valor RL en presencia de luz ambiente (ver Figura 4), obtenga los valores máximo y
mínimo de R1 para que el circuito funcione según la descripción anterior. Los valores
deben quedar en función de VCC y VT. En concreto, se debe asegurar la siguiente relación:
𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = 𝑅𝑅𝑂𝑂 → 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 > 𝑉𝑉𝑇𝑇
𝑅𝑅𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿 = 𝑅𝑅𝐿𝐿 → 𝑉𝑉𝐺𝐺𝐺𝐺 < 𝑉𝑉𝑇𝑇
Indique el procedimiento seguido para la obtención del valor de R1, especificando
claramente las ecuaciones empleadas.
Figura 4. Curva característica de un resistor LDR y valores óhmicos para dos niveles de
iluminación.
< R1 <

TAREA PREVIA 2
Utilizando el simulador LTSpice obtenga la curva de transferencia del transistor

IRF7201 1. Para ello, utilizando el modo DC Sweep se simulará una tensión variable Vi
entre 0 y 5V. La tensión V1 se dejará fija a 5V. Añada una resistencia RD = 33Ω en el
drenador para simular un circuito lo más similar posible al que montará en el laboratorio
(ver Figura 5a). Para tensiones inferiores a la tensión umbral del MOSFET VT, el
transistor estará en la región de corte, siendo la corriente por el drenador nula. Para
tensiones superiores a VT, el transistor estará en la región de saturación, y circulará
corriente del drenador al surtidor. Incluya en el recuadro de más abajo la gráfica
correspondiente a ID=f(VGS). Utilizando los cursores, determine el valor de VT, (NOTA:
En el catálogo del MOSFET se define VT como la tensión VGS correspondiente a ID=1mA).
Figura 5a. Circuito para obtener la curva Figura 5b. Esquemático de LTSpice
característica del MOSFET de canal N. correspondiente a la Figura 5a.
VT=
2.66 V
1
Este transistor no es exactamente el mismo que se va a utilizar en la sesión del laboratorio. Sin embargo,
dentro de los disponibles en las librerías de LTSpice, es el de características más similares al que empleará
en el laboratorio (BUZ11).

TAREA PREVIA 3
Introduzca en LTSpice el esquemático correspondiente al circuito que se muestra en la

Figura 1a (ver Figura 1b). Utilice el MOSFET IRF7201. Tenga en cuenta que LTSpice
no contiene dispositivos LDR en sus librerías, por lo que, en su lugar, se utilizará una
resistencia a la que se darán dos valores correspondientes a una situación de oscuridad
e iluminación: LDR=RO=3.3MΩ y LDR=RL=1kΩ, respectivamente. Respecto al diodo,
se escogerá en las librerías de LTSpice uno que se ajuste al que utilizará en el
laboratorio, en este caso se elegirá el componente NSSW008CT-P1. Por último, se
considerará un valor de VCC=5V, R2=330Ω y R1=10kΩ. Obtenga los valores de VGS, VDS
e ID para los dos valores de la LDR y rellene la Tabla siguiente:
Tabla I: Magnitudes más relevantes del circuito para condiciones de luz y de oscuridad.
VGS VDS VR2 MOSFET

ID (mA)
(V) (V) (V) ON/OFF
LUZ (LDR=1K) 0.454545 4.05501 5 1.78137 e-10
OSCURIDAD
(LDR=3M3)
¿Coincide con el funcionamiento esperado?
TAREA PREVIA 4
Utilizando los mismos componentes que se muestran en la Figura 1a dibuje un circuito

para que el LED se encienda bajo condiciones de alta iluminación y se mantenga
apagado para condiciones de baja iluminación. Incluya el circuito en el recuadro junto
con la justificación de la solución elegida.

2 CIRCUITO CONMUTADOR CON PMOS

A continuación, se utilizará un MOSFET de acumulación de canal P para controlar
el encendido del diodo LED en función de la iluminación ambiente. El MOSFET de
acumulación de canal P tiene una curva característica como se muestra en la Figura 6.
Figura 6. Curva característica (ID vs. VGS) de un transistor MOSFET de canal P.

En la Figura 7 se muestra un montaje para el control del encendido y apagado un diodo
LED basado en un transistor PMOS. Cuando la iluminación del ambiente sea elevada, la
resistencia de la LDR será baja y, en consecuencia, también la tensión VG, de modo que
|VGS|>|VT| (ver Ec. (2)). Esto hará que el transistor esté en estado de conducción y que el
LED se encienda. Por otro lado, para condiciones de baja iluminación, la resistencia de
la LDR será alta y, en consecuencia, también la tensión VG, de modo que |VGS|<|VT| (ver
Ec. (2)), por lo que el MOSFET se encontrará en corte y el LED estará apagado. El
funcionamiento es el contrario al del mismo circuito con MOSFET de acumulación de
canal N.
𝑉𝑉𝑆𝑆 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
1 (2)
𝑉𝑉𝐺𝐺 = 𝑉𝑉𝐶𝐶𝐶𝐶
𝑅𝑅1
1 + 𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿𝐿

Figura 7a.- Circuito conmutador basado en Figura 7b.- Esquemático en LTSpice

MOSFET de acumulación de canal P. correspondiente a la Figura 7a.
TAREA PREVIA 5
Utilizando el simulador LTSpice obtenga la curva de transferencia del transistor

IRF9640 2. Para ello, utilizando el modo DC Sweep se simulará una tensión variable Vi
entre 0 y 5V. La tensión V1 se dejará fija a 5V. Añada una resistencia RD = 33Ω en el
drenador para simular un circuito lo más similar posible al que montará en el laboratorio
(ver Figura 8a). Para tensiones inferiores a |VT|, el transistor estará en la región de corte,
siendo la corriente por el drenador nula. Para tensiones superiores a |VT|, el transistor
estará en la región de saturación, y circulará corriente del drenador al surtidor. Incluya
en el recuadro de más abajo la gráfica que represente ID=f(VGS). Utilizando los cursores,
determine el valor de VT, (NOTA: En el catálogo del MOSFET se define VT como la tensión VGS
correspondiente a ID=250µA).
Figura 8a. Circuito para obtener la curva Figura 8b. Esquemático en LTSpice
característica del MOSFET de canal N. correspondiente al circuito de la Figura 8a.
2
Este transistor no es exactamente el mismo que se va a utilizar en la sesión del laboratorio. Sin embargo,
de todos los que hay disponibles en las librerías de LTSpice es el de características más similares al que
empleará en el laboratorio (IRF4905).

VT=
-3.60 V

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Nombre Grupo Fecha

Jose Pablo Reinado Ferron 20/05/23

MOSFET (Anexo practica)v04.docx Página 1 de 8

1 CIRCUITO CONMUTADOR CON NMOS

Figura 1a. Circuito conmutador basado en Figura 2b. Esquemático en LTSpice

Figura 3. Curva característica (ID vs. VGS) de un

Mediante la elección adecuada de la resistencia R1 en la Figura 1 se pretende

MOSFET (Anexo practica)v04.docx Página 2 de 8

Si el resistor LDR presenta una resistencia de valor RO cuando se encuentra en oscuridad

MOSFET (Anexo practica)v04.docx Página 3 de 8

Utilizando el simulador LTSpice obtenga la curva de transferencia del transistor

MOSFET (Anexo practica)v04.docx Página 4 de 8

Introduzca en LTSpice el esquemático correspondiente al circuito que se muestra en la

VGS VDS VR2 MOSFET

LUZ (LDR=1K) 0.454545 4.05501 5 1.78137 e-10

¿Coincide con el funcionamiento esperado?

Utilizando los mismos componentes que se muestran en la Figura 1a dibuje un circuito

MOSFET (Anexo practica)v04.docx Página 5 de 8

2 CIRCUITO CONMUTADOR CON PMOS

Figura 6. Curva característica (ID vs. VGS) de un transistor MOSFET de canal P.

MOSFET (Anexo practica)v04.docx Página 6 de 8

Figura 7a.- Circuito conmutador basado en Figura 7b.- Esquemático en LTSpice

Utilizando el simulador LTSpice obtenga la curva de transferencia del transistor

MOSFET (Anexo practica)v04.docx Página 7 de 8

MOSFET (Anexo practica)v04.docx Página 8 de 8

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