Transistores C.C.

1.2.- En el circuito de la figura si α = 0.98 y VBE = 0.7 Voltios, calcular el valor de

la resistencia R1, para una corriente de emisor 2 mA

R1 2k IC+I1

IC
I1
IB
Q1 12V

I2
0.2k
IE
25k

En este circuito tenemos que poner las ecuaciones necesarias para poder resolver
V − VB
el valor de R1 que nos viene dado por R1 = C luego nuestro único objetivo es
I1
calcular VC , VB y I1 .

I C = α ·I E = 0.98·2 = 1.96mA

I B = I E − I C = 2 − 1.96 = 0.04mA

VB 1.1
V B = V BE + I E ·R E = 0.7 + 2·0.2 = 1.1Voltios I2 = = = 0.044mA
25 25

I 1 = I B + I 2 = 0.04 + 0.044 = 0.084mA

VC = VCC − ( I C + I 1 )·2 = 12 − (1.96 + 0.084)·2 = 7.912Voltios

Luego ya tenemos todos los datos necesarios para calcular la Resistencia R1

VC − VB 7.912 − 1.1
R1 = = = 81.1K
I1 0.084

Aquí hemos calculado todo los valores del circuito, Intensidades, y tensiones en
todos los puntos. Lo único que nos falta es VCE = VC-VE=7.912-2·0.2=7.512 Voltios

Y efectivamente el transistor está en la zona activa por tener VCE> 0.2 Voltios y ser
un transistor NPN.

2
Transistores C.C.

2.2.- En el circuito de la Fig.1 los transistores Q1 y Q2 trabajan en la región activa

con VBE1 = VBE2 = 0.7 Voltios, β 1 = 100 , β 2 = 50 . Pueden despreciarse las corrientes
inversa de saturación.
a) Calcular todas las intensidades del circuito.
b) Calcular las tensiones en los diferentes puntos.

82k Ic2
IB2
1k 1k IC1
Q2 Q2
100k 24V 108,9K 24V
Q1 Q1
10k
2.61V IE2=IB1
0.1k IE1
0.1K

0 0

Fig.1 Fig.2

Lo primero que hay que hacer es reducir el circuito a una forma mas simple, para
ello se ha calculado el thevening mirado de la base B2 hacía la izquierda.

24·10 10·82
V BB 2 = = 2.61Voltios RB 2 = + 100 = 108.9 K
82 + 10 10 + 82

Apartir de aquí analizaremos el circuito de la Fig.2.

Podemos escribir, en la malla de los emisores de los transistores:

V BB 2 = I B 2 ·R B 2 + V BE 2 + V BE1 + I E1 ·R E1 ; 2.61 = I B 2 ·108.9 + V BE 2 + V BE1 + I E1 ·0.1

I E1 = ( β 1 + 1)·I B1 = ( β 1 + 1)·I E 2 = ( β 1 + 1)·( β 2 + 1)·I B 2 = 51·101·I B 2 Sustituyendo

esta ecuación en la anterior y despejado IB2 tenemos:

2.61 − V BE 2 − V BE1 2.61 − 0.7 − 0.7

I B2 = = = 0.0019mA
108.9 + 51·101·0.1 624

I C 2 = β 2 ·I B 2 = 50·0.0019 = 0.095mA I B1 = I E 2 = ( β 2 + 1)·I B 2 = 51·0.0019 = 0.097 mA

I C1 = β 1 ·I B1 = 100·0.097 = 9.7mA I E1 = ( β 1 + 1)·I B1 = 101·0.097 = 9.8mA

VC1 = VCC − I C ·RC1 = 24 − 9.7·1 = 14.4Voltios

3
Transistores C.C.

V E1 = I E1 ·R E1 = 9.8·0.1 = 0.98Voltios

VCE1 = VC1 − V E1 = 14.4 − 0.98 = 13.52Voltios

VC 2 = 24Voltios
V E 2 = V BE1 + V E1 = 0.7 + 0.96 = 1.66Voltios

VCE 2 = VC 2 − VE 2 = 24 − 1.66 = 22.34Voltios

V B 2 = VBE 2 + V E 2 = 0.7 + 1.66 = 2.36Voltios

4
Transistores C.C.

3.2.- El circuito de la figura con un transistor PNP tiene un β =100,

VBE=-0.7V . Calcular todas las intensidades y tensiones en los diferentes puntos.

R2 30k RC 5k RC
5k
30/4k IC
RB
VCC
Q1 VCC Q1
20Vdc
20Vdc IB
IE
R1 10k RE VBB 5V
2k RE
2k

0 0

Lo primero que hay que hacer es el thevenin, desde la base del transistor
hacia la izquierda, quedando el circuito de la figura de la derecha:

VCC ·R1 20·10 R2 ·R1 30·10 30

V BB = = = 5V R BB = = = KΩ.
R1 + R2 10 + 30 R1 + R2 10 + 30 4

A partir de aquí analizaremos el circuito de la parte derecha.

En la malla base emisor podemos escribir:

V BB = I B ·R B + I E ·R E − V BE = I B ·R B + (β + 1)·I B − V BE despejando IB se tiene:

V BB + VBE 5 − 0.7 4.3·4 8.6

IB = = = = = 0.021mA
R B + (β + 1)·R E
+ (100 + 1)·2
30 838 419
4
100·8.6 860
I C = β ·I B = = = 2.05mA
419 4.19

101·8.6
I E = ( β + 1)·I B = = 2.07 mA
419

Ahora calcularemos las diferentes tensiones con respecto a masa:

VC = I C ·RC − VCC = 2.05·5 − 20 = −9.75V .

5
Transistores C.C.

V E = − I E ·RE = −2.07·2 = −4.14V .

VCE = VC − V E = −9.75 − (−4.14) = −5.61V Por ser esta caída de tensión negativa
el transistor esta en la zona activa por ser un PNP.

V B = VBE + VE = −0.7 − 4.14 = −4.84V

A continuación calcularemos la intensidad que circular por las resistencias R1 y R2

con sentido hacía arriba.

0 − V B 4.84
Para la resistencia R1 I1 = = = 0.48mA.
R1 10

Para la resistencia R2 I2 =I1+I2 = 0.48 +0.02 =0.50 mA.

VB − (−VCC ) − 4.84 − (−20)

También podría calcularse: I 2 = = = 0.5mA
R2 30

6
Transistores C.C.

4.2.- En el circuito de la fig. el transistor tiene una β = 60 . Expresar los valores

posibles de VBB para que el transistor se encuentre:
a) Zona de corte
b) Zona activa.
c) Zona de saturación.
d) Si VBB= 5 Voltios y manteniendo el valor de RC = 1 K. ¿ entre que valores
puede variar RB para que el transistor se encuentre en la zona de activa?
e) Si VBB= 5 Voltios y manteniendo el valor de RB= 50 K. ¿ entre que valores
puede variar RC para que el transistor se encuentre en la zona de saturación?

(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuación=0.2 Voltios, VBE saturación=0.8 Voltios, y Corriente

inversa de saturación despreciable.)

1 Vo

IB
a) Tal como esta polarizado el transistor, es de
IC
Q1
una forma correcta, sí las fuentes empleadas
RC=1k son positivas. Suponemos a la vez que el
RB=50
k 10V VCC transistor va a conducir cuando entre base
VBB V emisor haya una caída de tensión igual o
superior a 0,7 Voltios aunque en realidad
necesite una caída de tensión
aproximadamente de 0,5 Voltios.

Luego para que el transistor este en corte necesita sólo VBB< 0.7 Voltios
Ya que el diodo de emisor y colector están polarizado inversamente.

b) y c) Aquí vamos a ver para que tensión VBB estará en saturación, luego entre el valor
de corte y saturación estará la zona activa.

VCC − VCEsat 10 − 0.2 VBB − V BEsat VBB − 0.8

I Csat = = = 9.8mA I Bsat = =
RC 1 RB 50

Si I Csat ≤ β ·I Bsat el dispositivo está en saturación en caso contrario en la zona

activa.

V BB − 0.8 9.8·50
Luego tenemos 9.8 ≤ ·60 V BB ≥ + 0.8 = 8.97voltios
50 60

Entonces para 0.7 ≤ VBB ≤ 8.97Voltios el transistor estará en zona activa.

V BB ≥ 8.97voltios el transistor estará en saturación.

7
Transistores C.C.

d) En este caso la zona de corte no varía, solo varían las zonas de saturación y
activa. Calcularemos la zona de saturación para saber la zona activa.

I Csat ≤ β ·I Bsat zona de saturación

VCC − VCEsat 10 − 0.2 V BB − VBEsat 5 − 0.8

I Csat = = = 9.8mA I Bsat = =
RC 1 RB RB

5 − 0.8 4.2 4.2

9.8 ≤ = ·60 RB ≤ ·60 = 25.71K .
RB RB 9.8

Luego cuando RB sea mayor que 27,71 K el transistor va a estar en la zona activa.

e) En este caso la zona de corte no varía solo varían las zonas de saturación y
activa. Calcularemos la zona de saturación..

I Csat ≤ β ·I Bsat zona de saturación

VCC − VCEsat 10 − 0.2 9.8 VBB − VBEsat 5 − 0.8

I Csat = = = ; I Bsat = = = 0.084mA
RC RC RC RB 50

9.8 9.8
≤ 0.084·60 ; RC ≥ = 1.94kΩ con estos valores estará en zona
RC 5.04
de saturación.

Luego cuando RC ≤ 1.94 KΩ el transistor estará en la zona activa.

8
Transistores C.C.

5.2.- En el circuito de la Fig.1 Q1 y Q2 se encuentra en la zona Activa, siendo

β F1 = β F 2 = 100 , V BE1 = −V BE 2 = 0.7voltios .
Calcular las tensiones en los diferentes puntos e intensidades.

2K 2K IC1
2K
IB1
Q1
Q2 Q1
V4 3K
5V Q2
5V 1.2K
3K 1k IC2
3K 1k
IE1=IE2
3V

V2
5V
5V

0 0

Fig.1 Fig.2

El transistor Q1 es un NPN y el Q2 un PNP y ambos aparentemente bien polarizado.

Lo primero que tengo que hacer es realizar el thevening mirado desde la base de Q1
hacia la izquierda, teniendo el circuito de la Fig.2.

5·3 2·3
V BB1 = = 3Voltios R B1 = = 1.2 KΩ
2+3 2+3
En la malla B1 ,E1,E2 y B2 , se puede escribir:

V BB1 = I B1 ·R B1 + V BE1 + I E1 ·R E1 + VEB 2 I E1 = (β F + 1)·I B1 sustituyendo esta

ecuación en la anterior y despejando IB1 se obtiene:

V BB1 − V BE1 − V EB 2 3 − 0.7 − 0.7 1.6

I B1 = ; I B1 = = = 0.0053mA
R B1 + ( β F 2 + 1)·R E1 1,2 + 101·3 304.2

I C1 = β F ·I C1 = 100·0.0053 = 0.53mA

I E1 = I E 2 = ( β F 1 + 1)·I B1 = 101·0.0053 = 0.54mA

βF2 100 I E2 0.54

IC2 = ·I E 2 = ·0.54 = 0.53mA I B2 = = = 0.0053mA
βF2 +1 101 β F 2 + 1 101

Ya tenemos calculadas todas las intensidades, ahora calcularemos las tensiones en

los diferentes puntos.

VC 2 = −VCC 2 + I C 2 ·RC 2 = −5 + 0.53·1 = −4.47Voltios V E 2 = V EB 2 = 0.7Voltios

9
Transistores C.C.

VCE 2 = VC 2 − V E 2 = −4.47 − 0.7 = −5.15Voltios En zona activa, por ser un PNP y dar
negativo la tensión entre colector y emisor.

V E1 = I E1 ·RE1 + V E 2 = 0.54·3 + 0.7 = 2.32Voltios

VC1 = VCC1 − I C1 ·RC1 = 5 − 0.53·2 = 3.94Voltios

VCE1 = VC1 − V E1 = 3.94 − 2.32 = 1.62Voltios En zona activa, por ser un NPN y
dar positiva la tensión entre colector y emisor.

V B1 = V BE1 + VE1 = 0.7 + 2.32 = 3.02Voltios

10
Transistores C.C.

6.2- En el circuito de la figura Calcular:

a) La salida VCE cuando la entrada es de 0.2 Voltios.
b) Lo mismo apartado anterior cuando la entrada es de 10 Voltios.
β F = 20 VDcond.=0.7 Voltios Vγ = 0.5voltios.
(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuación=0.2 Voltios, VBE saturación=0.8 Voltios, y Corriente
inversa de saturación despreciable.).

IC
I1 6k
6k
IB
D1
Q1 10V
P
Vi D2 D3 I2
2k

0
a) Si la entrada Vi = 0.2 Voltios conducirá el diodo D1, por existir una Tensión entre
ánodo y cátodo, a través de la resistencia de 6 k, de (10-0.2)Voltios, lo que hace a la vez
que la tensión en el punto P sea 0.2 + 0.7 = 0.9 Voltios insuficiente tensión para que D2, D3
y El transistor pueda conducir ya que necesitaría como mínimo 0.5 +0.5 +0.7 =1.7 voltios,
al no conducir el transistor, la salida VCE = VCC = 10 voltios.

b) Si la entrada es de 10 Voltios el diodo que no conduce es D1, y los otros

dispositivos sí. Vamos a suponer que Q1, esté en saturación Entonces VCE =0.2 Voltios:

VP =VD2 +VD1 + VBEsat = 0.7 + 0.7 + 0.8 = 2.2 Voltios

VCC − V P 10 − 2.2 7.8 V BEsat 0.8

I1 = = = mA I2 = = = 0.4mA
6 6 6 2 2

7.8 7.8 − 2.4 5.4

I B = I1 − I 2 = − 0.4 = = mA
6 6 6

VCC − VCEsat 10 − 0.2 9.8

I Csat = = = mA
RC 6 6
Condición para que esté en la zona de saturación:

9.8 5.4
I Csat ≤ β ·I B ≤ 20·
6 6

lo cumple luego Q1 está en saturación y VCE= 0.2 Voltios

11
Transistores C.C.

7.2.- a)Esbozar la característica de transferencia VCE en función de Vi del circuito

de la figura,( suprimiendo el diodo zener) , indicando las diferentes zonas del transistor. El
transistor tiene una β = 100 y la corriente inversa de saturación despreciable.
b) Igual que en el apartado a) con el diodo zener, suponiendo que este es ideal,
cuya tensión zener es igual a 4 Voltios.
(VBE activa=0.7 Voltios, VCEsatuación=0.2 Voltios, VBE saturación=0.8 Voltios,)

R3
5k
360k
Q1 B 36k B
R1 360k D1
R4
15k V2
R5 10V
40K
V1 40k Vi
V3 0.1Vi
10V

0
0
0
Fig.1 Fig.2

3.75k
5k

C C 36k VCE
5V 15k

10V
3.75V

10V
1Vi 5V
0
0

Fig.3 Fig.4

Lo primero que tenemos que hacer en este circuito es, tanto en la entrada como en la
salida, reducirlo a su thevening correspondiente.

Vi ·40 360·40
En la entrada tenemos la Fig.2 V BB = = 0.1Vi RB = = 36 KΩ
360 + 40 360 + 40

10·15 − 10·5 15·5

En la salida Fig.3 VCC = = 5Voltios RC = = 3.75k
15 + 5 15 + 5

Luego el circuito queda reducido a la Fig.4, donde podemos escribir:

Zona de corte del transistor VBB< 0.7 Voltios 0.1 Vi<0.7 Vi< 7 voltios

Y entonces VCE = 5 Voltios

12
Transistores C.C.

V BB − V BEact 0.1·Vi − 0.8

Zona de Saturación I B ·β ≥ I Csat IB = = mA
RB 36

VCC − VCEsat 5 − 0.2

I Csat = = mA
RC 3.75

0.1Vi − 0.8 5 − 0.2 4.8·36

·100 ≥ 0.1Vi ≥ + 0.8 Vi ≥ 12.6Voltios
36 3.75 100·3.75

Luego la zona activa estará comprendida entre 7 y 12.6 Voltios y en esa zona
se cumple:

VBB − VBE 0.1·Vi − 0.7 0.1·Vi − 0.7

IB = = I C = β ·I B = ·100
RB 36 36

10·Vi − 70 − 37.5Vi + 442.5

VCE = VCC − I C ·RC = 5 − ·3.75 =
36 36

Conclusión:
Vi < 7 Voltios transistor en corte VCE = VCC = 5 Voltios

− 37.5Vi + 442.5
7 < Vi < 12.6 Voltios transistor en activa VCE =
36

Vi > 12.6 Voltios Transistor en saturación VCE = 0.2 Voltios

Su representación gráfica en la Fig. 5

c) Si le colocamos el diodo zener ente el colector y emisor del transistor, como se

ve en la figura 1, este empieza a actuar cuando la tensión entre sus terminales es
superior a 4 Voltios que entonces su caída de tensión se mantiene a esos 4
Voltios.
Vamos a calcular el valor de Vi cuando cumple estas condiciones, ocurre en la zona
activa:

442.5 − 4·36
− 37.5Vi + 442.5 Vi = = 7.96Voltios
VCE = = 4Voltios 37.5
36

13
Transistores C.C.

Su representación gráfica Fig.6

VCE
5
Voltios

3
37.5
pend =
36

1
0.2V
0
1 3 7 12 Vi Voltios

Fig.5

VCE

Voltios
4

3
37.5
pend =
36

1
0.2V
0
1 3 7 12 Vi Voltios

Fig.6

14