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    Documento Guia 3 Transistor IGBT

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    El documento describe el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), el cual combina las ventajas de los transistores BJT y MOSFET. Los IGBT tienen alta impedancia de entrada como los MOSFET y bajas pérdidas de conducción como los BJT. Se encienden cuando la compuerta del MOSFET interno crea un camino de baja impedancia para la corriente de base del BJT, y se apagan cuando la compuerta es puesta en bajo y no existe camino para la corriente de base. Los IGBT se usan cada vez más en aplicaciones

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    El documento describe el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), el cual combina las ventajas de los transistores BJT y MOSFET. Los IGBT tienen alta impedancia de entrada como los MOSFET y bajas pérdidas de conducción como los BJT. Se encienden cuando la compuerta del MOSFET interno crea un camino de baja impedancia para la corriente de base del BJT, y se apagan cuando la compuerta es puesta en bajo y no existe camino para la corriente de base. Los IGBT se usan cada vez más en aplicaciones

    Descripción original:

    Información básica del transistor IGBT

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    Documento guia 3 transistor IGBT

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    El documento describe el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), el cual combina las ventajas de los transistores BJT y MOSFET. Los IGBT tienen alta impedancia de entrada como los MOSFET y bajas pérdidas de conducción como los BJT. Se encienden cuando la compuerta del MOSFET interno crea un camino de baja impedancia para la corriente de base del BJT, y se apagan cuando la compuerta es puesta en bajo y no existe camino para la corriente de base. Los IGBT se usan cada vez más en aplicaciones

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    El documento describe el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), el cual combina las ventajas de los transistores BJT y MOSFET. Los IGBT tienen alta impedancia de entrada como los MOSFET y bajas pérdidas de conducción como los BJT. Se encienden cuando la compuerta del MOSFET interno crea un camino de baja impedancia para la corriente de base del BJT, y se apagan cuando la compuerta es puesta en bajo y no existe camino para la corriente de base. Los IGBT se usan cada vez más en aplicaciones

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    DOCUMENTO GUÍA 4 (AI)

    TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA

    Un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) combina las ventajas El escenario de apagado es un poco diferente. Cuando la compuerta
    de los BJT y de los MOSFET. Un IGBT tiene una alta impedancia de del MOSFET es puesta en bajo, no existe camino para el flujo de
    entrada, igual que los MOSFET, y bajas perdidas de conducción en corriente de la base del BJT. La falta de corriente por la base del BJT,
    estado activo, como los BJT. Los IGBT son dispositivos controlados genera el apagado del IGBT. El flujo de corriente en el apagado del
    por voltaje, similar a los MOSFET de potencia. Tiene menores IGBT se presenta en la Figura 3
    perdidas de conmutación y de conducción, en tanto comparte
    muchas de las características atractivas de los MOSFET de potencia,
    como la facilidad de excitación de compuerta, la corriente de pico,
    la capacidad y la resistencia. Un IGBT es inherentemente más rápido
    que un BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutación de los IGBT
    es inferior a la de los MOSFET. Sus tres terminales son compuerta,
    colector y emisor, en vez de compuerta, drenaje y fuente de un
    MOSFET. Los parámetros y sus símbolos son similares a los de los Figura 3: Flujo de corriente en el IGBT en el proceso de apagado
    MOSFET, excepto en que los suscritos correspondientes a la fuente
    y drenaje se modifican a emisor y a colector respectivamente. Las
    especificaciones de corriente de un solo IGBT pueden llegar hasta • Rashid, Muhammad. Electrónica de potencia: Circuitos,
    400 A, 1200 V, y la frecuencia de conmutación hasta 20khz. Los IGBT dispositivos y aplicaciones. Segunda edición. 1993.
    están encontrando cada vez más usos en las aplicaciones de • Markus Hermwille. Application note AN-7003. Semikron.
    potencia media como son los propulsores para motores DC y AC, Noviembre 12 del 12
    fuentes de alimentación, relevadores de estado sólido y los
    contactores.

    Figura 1: Símbolo del IGBT y circuito equivalente

    Para los IGBT de potencia se definen las siguientes variables


    eléctricas:
    • 𝑪𝒊𝒆𝒔 – Capacitancia de entra del IGBT
    • 𝐼𝐶 – Corriente de colector
    • 𝐼𝐺 – Corriente de compuerta
    • 𝑉𝐶𝐸 – Voltaje colector emisor
    • 𝑉𝐺𝐸 – Voltaje compuerta emisor
    • 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) – Voltaje colector emisor de saturación
    • 𝑉𝐺𝐸(𝑡ℎ) – Voltaje umbral de activación
    • 𝑃𝐷 – Máxima potencia de disipación
    • 𝑡𝑜𝑛 – Tiempo de encendido
    • 𝑡𝑜𝑓𝑓 – Tiempo de apagado

    Comprensión básica de activación y desactivación

    Para encender o apagar un IGBT rápidamente, la corriente de


    compuerta debe ser conducida rápidamente en cada dirección, con
    el fin de poder manejar la corriente de la base del BJT interno del
    IGBT. Cuando la compuerta del MOSFET es activada en alto, se crea
    un camino de baja impedancia desde la base del transistor BJT hacia
    el emisor. Esto genera que el IGBT se encienda, por lo cual, entre
    más rápido se active en alto la compuerta del MOSFET, más rápido
    comenzara a fluir la corriente por el colector del IGBT. El flujo de
    corriente en la base y el colector es mostrado en el Figura 2.

    Figura 2: Flujo de corriente en el IGBT en estado encendido

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