Primer informe de laboratorio

ANALISIS Y DISEÑO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS

Laura Andrea Rincon Liñan
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Integrante 3 (Arial, 11 Pts, centrado)

estudio del transistor de unión bipolar, también conocido por la

iniciales de su denominación en ingles BJT (Bipolar Junction
RESUMEN: El transistor de unión bipolar (del Transistor). El término bipolar hace referencia al hecho de que
inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un
en la conducción de la corriente intervienen los dos tipos de
dispositivo electrónico de estado sólido consistente en
portadores (electrones y huecos). El termino junction (unión)
dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite
hace referencia a la estructura del dispositivo, ya que como
aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además de
veremos a continuación tenemos dos uniones pn en el transistor
controlar el paso de la corriente a través de sus
y mediante la polarización de estas uniones conseguiremos
terminales.
controlar el funcionamiento del dispositivo.
Los transistores BJT tienen muchas aplicaciones en el
El transistor es un dispositivo de tres zonas o capas. Podemos
campo de la electrónica, pero comúnmente son
tener una zona de material tipo n en medio de dos zonas de
utilizados como interruptores electrónicos,
material tipo p, en este caso se denomina transistor pnp, o bien
amplificadores de señales o como conmutadores de
tener una zona tipo p con dos zonas tipo n a cada lado, en cuyo
baja potencia. Como ejemplo se usan para controlar
caso estaríamos hablando de un transistor
motores, accionar reveladores y producir sonidos en
bocinas. Estos transistores son muy comunes y de uso
general los cueles pueden encontrarse en cualquiera de
los aparatos de uso cotidiano como en radios, alarmas,
automóviles, ordenadores, etc.

PALABRAS CLAVE: diodo, semiconductor, transistor,

colector, emisor
Figura 1.1.- Estructura del transistor BJT.
La zona central se denomina base, y las laterales emisor y
1 INTRODUCCIÓN colector. Cada una de las zonas consta de un terminal por donde
extraer las corrientes. Estos terminales se representan por la
INTRODUCCIÓN. Hemos empezado la asignatura estudiando inicial del nombre de la zona respectiva: E (emitter), B (base) y
los materiales de los que están formados los principales C (colector). La zona de emisor es la más fuertemente dopada de
dispositivos electrónicos de estado sólido, los semiconductores. las 3, es la zona encargada de “emitir” o inyectar portadores
Continuamos con el estudio del dispositivo semiconductor más mayoritarios hacia la base. Huecos en el caso de un transistor
sencillo, el diodo de unión tipo P y N. Dispositivo, que como pnp o electrones en el caso del transistor pnp. La base tiene un
hemos visto en los temas anteriores, consta de dos partes nivel de dopado netamente inferior al de la zona de emisor. Se
diferenciadas con un terminal en cada una de ellas, es decir, se trata de una zona con un espesor muy inferior al de las capas
trataba de un dispositivo de dos terminales. Siguiendo con el exteriores. Su misión es la de dejar pasar la mayor parte posible
estudio de los dispositivos electrónicos vamos a avanzar un paso de portadores inyectados por el emisor hacia el colector. La zona
más y vamos a estudiar un dispositivo semiconductor que consta de colector, como su propio nombre indica es la encargada de
de tres zonas distintas, con dos uniones pn y con un terminal en recoger o “colectar” los portadores que inyectados por el emisor
cada una de las zonas, o lo que es lo mismo, estamos ante un han sido capaces de atravesar la base. Es la zona con un nivel de
dispositivo de tres terminales: El transistor. Sin ninguna duda, dopado inferior de las tres.
estamos ante uno de esos grandes inventos que han marcado un CONFIGURACIONES DE LOS TRANSISTORES BJT
punto de inflexión en la historia de la Humanidad, como en su
día lo fueron el descubrimiento del fuego, la invención de la CONFIGURACIÓN EN BASE COMÚN
rueda o la máquina de vapor entre otros. El descubrimiento del
transistor a principios del siglo XX (1947) marcó el comienzo de La terminología en base común se deriva del hecho de que la
la era de la electrónica. En apenas 60 años el desarrollo base es común tanto para la entrada como para la salida de la
experimentado y el grado de penetración en la vida cotidiana ha configuración. Además, la base por lo general es la terminal más
sido tal que hoy en día es difícil pensar en cómo sería la vida sin cercana a, o en, un potencial de tierra.
los ordenadores, la telefonía, la radio, la televisión…Y ha sido,
precisamente, el descubrimiento del transistor el “culpable” de CONFIGURACIÓN EN COLECTOR COMÚN
esta revolución tecnológica.
La configuración en colector común se utiliza sobre todo para
igualar impedancias, puesto que tiene una alta impedancia de
2 MARCO TEORICO entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las
Aunque existen otros tipos de transistores vamos a abordar el configuraciones en base común y en emisor común

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CONFIGURACIÓN EN EMISOR COMÚN

Se llama configuración en emisor común porque el emisor es

común o sirve de referencia para las terminales de entrada y
salida (en este caso es común para las terminales base y
colector). De nueva cuenta se requieren dos conjuntos de
características para describir plenamente el comportamiento de
la configuración en emisor común: uno para el circuito de
entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida o de
colector-emisor.

2.1 TIPOS DE TRANSISTORES BJT Figura 2.1.2

Existen diferentes tipos de transistores BJT que puedes utilizar 3 Objetivos especificos
para tus proyectos de electrónica, pero dependiendo de las
características de tu proyecto puedes utilizar el que más se
 Analizar comportamiento de circuitos con BJT
acople a tus necesidades, a continuación, se mencionaran las
 Implementar circuitos con BJT en protoboard
características de los transistores BJT más utilizados:
 Diseñar compuertas con BJT
 Medir parámetros electrónicos de transistores BJT
TRANSISTOR BJT 2N2222 NPN DE 30V

El transistor BJT 2N2222 es un dispositivo electrónico de tipo 4 MATERIALES

NPN con encapsulado TO-92 de plástico con tres terminales
(pines). Este un transistor es de baja potencia, capaz de disipar Computador
hasta 625mW, puede controlar dispositivos que consuman
hasta 600mA o que requieran tensiones de hasta 40Vdc, - Multimetro
siempre y cuando no se sobrepase su potencia de disipación
máxima. - Protoboard

- Resistencias

- transistores NPN y PNP 2N3904, 2n2222, 2n3906

- Cable para Protoboard

- Fuente DC

5 PROCEDIMIENTO
1) Descargar Hoja de datos de los siguientes transistores
Figura 2.1.1 2N3904, 2n2222, 2n3906, TIP41C, TIP42C. hacer una tabla
con los parámetros más importantes (pines, tipo de
encapsulado, Beta promedio, máxima corriente, voltaje de
TRANSISTOR BJT 2N3904 NPN 40V diodo, máxima potencia, máximo voltaje de polarización y
dos parámetros más que consideren importantes)
El transistor BJT 2N3904 es un dispositivo electrónico de tipo
NPN con encapsulado TO-92 de plástico con tres terminales 2) Sabiendo que los transistores se pueden usar en corte y
(pines). Este un transistor de media potencia, destinado para saturación como se observa en la figura 1. Usando VCC=5V
propósito general en amplificación y conmutación, capaz de y voltaje de entrada A=5V, diseñe solo en simulación
disipar hasta 625mW, puede controlar dispositivos que compuerta AND de dos entradas, Compuerta OR de dos
consuman hasta 200mA o que requieran tensiones de hasta entradas, Compuerta NAND de dos entradas y Compuerta
40Vdc. XOR de dos entradas, debe entregar solo la simulación (no se
implementa en físico)

TRANSISTOR BJT 2N3906 PNP 40V

El transistor BJT 2N3906 es un dispositivo electrónico de tipo

PNP con encapsulado TO-92 de plástico con tres terminales
(pines). Diseñado para aplicaciones de amplificación y
conmutación de media potencia, destinado para propósito
general capaz de disipar hasta 625mW, puede controlar
dispositivos que consuman hasta 200mA o que requieran
tensiones de hasta 40Vdc con una ganancia hasta de 300 MHz.
Fig. 1 Circuito Compuerta NOT implementada con transistor

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BJT. 3.6) conecte un condensador en paralelo al resistor Re de 10uf/25v
y diga que efecto tuvo en el punto Q de trabajo.
3.1) Analice matemáticamente el circuito de la figura 2. Para
esto primero adquiera un transistor NPN y consulte en internet 3.7) tome evidencia fotográfica de circuitos implementados
como medir el parámetro Beta del mismo, ahora use RB =
100K, VCC=12V, RC = 4.7K para el cálculo usando el Beta
medido por ustedes. Calcule teóricamente (punto Q, Ib,Vb, Vc, 4.1) Analice matemáticamente el circuito de la figura 4. Para esto
Vbc) llenando la tabla del punto 3.2 valores teóricos primero adquiera un transistor NPN y consulte en internet como
medir el parámetro Beta del mismo, ahora use R1 = 12K,
R2=1.2K VCC=12V, RC = 4.7K, Re = 1.5k para el cálculo usando
el Beta medido por ustedes. Calcule teóricamente (punto Q, Ib,Vb,
Vc, Vbc) llenando la tabla del punto 3.2 valores teóricos. ( dbe
usar un transistor con beta diferente al anterior)

Figura 2. Circuito polarización Fija

3.2) Ahora Implemente el circuito en físico y mida los voltajes y Figura 3. Circuito polarización por divisor de tensión
corrientes de interés; el error debe calcularse respecto al valor
teórico 4.2) Ahora Implemente el circuito en físico y mida los voltajes y
corrientes de interés; el error debe calcularse respecto al valor
Parám Valo Valor Error Valo Error teórico
etro r Simula Simul r Medi
Teór dor ado Med dor Parám Valo Valor Error Valo Error
ico ido etro r Simula Simul r Medi
Ib Teór dor ado Med dor
Icq ico ido
VCEq Ib
Vb Icq
Vbc VCEq
Ie Vb
Ve Vbc
Ie
3.3) describa y analice los datos obtenidos, por que no son Ve
iguales los datos reales y teóricos y simulados, dentro de un error
de máximo el 5%, que tan bien están los datos reales Vs teóricos 4.3) describa y analice los datos obtenidos, porque no son iguales
Vs simulados los datos reales y teóricos y simulados, dentro de un error de
máximo el 5%, que tan bien están los datos reales Vs teóricos Vs
3.4) dibuje el Punto Q de trabajo. simulados
3.5) agregue una resistencia de Emisor Re=1K y calcule 4.4) dibuje el Punto Q de trabajo.
nuevamente lo realizados en los pasos 3.1, 3.2, 3.3 y 3.4 usando
la configuración de la figura 3. 4.5) conecte un condensador en paralelo al resistor Re de 10uf/25v
y diga que efecto tuvo en el punto Q de trabajo

Figura 3. Circuito polarización Fija con resistencia de emisor

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6 CONCLUSION

Con los circuitos ya implementados podemos concluir que se pudieron cumplir los objetivos del laboratorio además de
corroborar lo visto en clases se pudo comprar de una manera practica y teorica los valores o resultados dados en el laboratorio además
de afianzar un poco mas los conocimientos sobre estos circuitos y trasistores bjt

7 EVIDENCIA FOTOGRAFICA

8 REFERENCIAS
[1] G. Obregón-Pulido, B. Castillo-Toledo and A. Loukianov, “A

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globally convergent estimator for n frequencies”, IEEE
Trans. On Aut. Control. Vol. 47. No 5. pp 857-863. May 2002.
[2] https://uelectronics.com/transistores-bjt/
[3] nashelsky, r. l. (2009). electronica: teoria de circuitos y
dispositivos electronicos . naucalpan de juarez, estado de mexico:
pearson educacion .
[4]
[5] on semiconductor. (20 – 07 – 2019). obtenido de
https://www.onsemi.com
[6]
[7] ramirez, j. -j. (2016). simbolos y componentes electronicos. cdmx:
imori kiys electronica para la educacion.