Chapitre III Autres formes de conversion

CHAPITRE III
AUTRES FORMES DE CONVERSION
III.1 Introduction
La conversion de l'énergie solaire est une opération qui consiste à transformer en
énergie électrique l'énergie des photons provenant du soleil sous forme d'ondes
électromagnétiques. Pour obtenir cette opération, il est nécessaire de mettre en œuvre
des dispositifs optoélectroniques appropriés appelés « cellules solaires » ou « photopiles
solaires ».
Dans ce chapitre nous allons tout d’abord montrer les principales caractéristiques du spectre
Solaire, pour présenter ensuite l'idée principale de la conversion photovoltaïque. Pour
cela, le principe de la conversion photovoltaïque est rappelé. Ensuite, nous abordons la
modélisation électrique d’une cellule photovoltaïque. Puis nous énumérons les
différentes technologies de cellules photovoltaïques. Enfin nous terminons ce chapitre
par la conversion de l’énergie calorifique (moteur combustion).
III.2 Spectre Solaire
III.2.1 Qu’est-ce que la lumière ?
Un faisceau lumineux est un déplacement de petits corps porteurs d’énergie, ou
photons, comme l’a décrit Einstein en 1905, pour expliquer l’effet photoélectrique.
Depuis l’équivalence onde-corpuscule mise en évidence par Louis de Broglie en 1924, la
lumière est décrite également comme une onde électromagnétique, comme les rayons X
ou les ondes radiofréquences. Tout est une question de longueur d’onde, ou de fréquence,
pour ces oscillations qui traversent l’espace et parfois la matière. Chaque photon porte
une quantité d’énergie directement liée à sa longueur d’onde.
Le Soleil émet un rayonnement de type électromagnétique. La lumière blanche
nous parvient en très peu de temps (elle met en moyenne environ 8 minutes et 19
secondes à nous parvenir) car il se déplace à la vitesse de la lumière, soit 299 792 458 m/s.
Le rayonnement solaire peut être considéré comme un ensemble de photons,
particules transportant chacune une quantité d'énergie appelée "quantum d'énergie" et
notée "∆E ".L'énergie d'un photon de fréquence υ (en hertz), dont la longueur d'onde λ (en
mètre) est égale à la célérité divisée par υ , est exprimée par la relation :
(𝐡×𝐜)
∆𝑬 = 𝒉 × 𝛖 = 𝛌

𝒉 Étant la constante de Planck c'est-à-dire 6,63*10-34 Joules par seconde. Ainsi, les photons

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composant le rayonnement ultraviolet, du fait de leur longueur d'onde, transportent un

quantum d'énergie plus important que les photons composant le rayonnement infrarouge.
III.2.2 Couleur et longueur d’onde
Quoi de plus naturel pour les physiciens du siècle dernier que de nommer «Ultraviolette» la
lumière plus bleue que le bleu-violet perceptible par l’œil, et « infrarouge » la lumière moins
rouge que celle que notre œil détecte ? En effet, la perception oculaire moyenne de l’homme
s’étend du bleu (longueur d’onde 380 nm) au rouge (longueur d’onde 780 nm), en passant par
les couleurs que l’arc-en-ciel nous dévoile lorsque les gouttes de pluie décomposent la
lumière blanche. On réalise la même décomposition avec un prisme (figure III-1). On appelle
spectre, ou répartition spectrale, d’une source de lumière l’ensemble des couleurs, ou
longueurs d’onde, qui la constituent.
Une lumière rouge est une portion de lumière blanche, de même qu’une lumière bleue ou
orange. Les lampes artificielles les plus courantes, quoique blanches à l’œil, diffèrent
par leur spectre.

Figure III.1 Décomposition de la lumière blanche par un prisme

III. 3 La Conversion Photovoltaïque

III.3.1 Principe de la conversion Photoélectrique
Le terme « photovoltaïque » désigne le processus physique qui consiste à transformer
l'énergie lumineuse en énergie électrique par le transfert de l'énergie des photons aux
électrons d’un matériau. Le préfixe Photo vient du grec « phos » qui signifie lumière. « Volt »
vient du patronyme d’Alessandro Volta (1745-1827), physicien qui a contribué aux
recherches sur l’électricité. Photovoltaïque (PV) signifie donc littéralement électricité
lumineuse.
Le scientifique français, Edmond Becquerel, fut le premier à découvrir en 1839 l’effet
photoélectrique. Il a trouvé que certains matériaux pouvaient produire une petite quantité de
courant sous l’effet de la lumière. Par la suite, Albert Einstein à découvert, en

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travaillant sur l’effet photoélectrique, que la lumière n’avait pas qu’un caractère
ondulatoire, mais que son énergie était portée par des particules, les photons. L’énergie d’un
(𝐡×𝐜)
photon est donnée par la relation : 𝑬 =
𝛌

Où h est la constante de Planck, c la vitesse de la lumière et λ sa longueur d’onde. Ainsi, plus

la longueur d’onde est courte, plus l’énergie du photon est grande. Cette découverte value à
Albert Einstein le prix Nobel en 1905.
La conversion photovoltaïque aujourd’hui largement utilisée peut être simplement
définie comme la transformation de l’énergie des photons en énergie électrique grâce
au processus d’absorption de la lumière par la matière. Lorsqu’un photon est absorbé par le
matériau, il passe une partie de son énergie par collision à un électron l’arrachant
littéralement de la matière. Ce dernier étant précédemment à un niveau d’énergie inférieur où
il était dans un état stable passe alors vers un niveau d’énergie supérieur, créant un
déséquilibre électrique au sein de la matière se traduisant par une paire électron-trou, de
même énergie électrique. Généralement, la paire électron-trou revient rapidement à
l’équilibre en transformant son énergie électrique en énergie thermique.
La différence de potentiel présente aux bornes d’une jonction PN soumise à un éclairement
est également mesurable entre les bornes de la cellule PV. Typiquement, la tension maximale
d’une cellule (PN) est d’environ 0.5 à 0.8V. Elle peut être directement mesurée à ses bornes
sans charge (circuit ouvert). Cette tension est nommée tension de circuit ouvert (VCO).
Lorsque les bornes d’une cellule sont court-circuitées, on peut mesurer le courant maximal
produit par la cellule PV et on le nomme communément courant de court-circuit (ICC).

Le convertisseur est nécessaire pour convertir le courant continu issu des modules
photovoltaïques en courant alternatif pour sa réinjection dans le réseau ou pour les besoins
dans un site isolé, quoique ce ne soit pas toujours nécessaire suivant les applications. Celui-ci
doit avoir certaines caractéristiques comme suivre le point de transfert maximum de

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puissance, avoir un rendement de conversion le plus élevé possible et un coût le plus bas
possible.
III.3.2 Modélisation électrique d’une cellule photovoltaïque
Lorsqu’une jonction PN réalisée à partir de matériaux sensibles à la lumière est éclairée, elle
présente la particularité de pouvoir fonctionner en générateur d’énergie. Ce
comportement en statique peut être décrit par l’équation électrique définissant le
comportement d’une diode classique. Ainsi, le régime électrique statique d’une cellule
photovoltaïque constituée d’une jonction PN en silicium peut être décrit via l’équation
suivante :
𝑉𝐶𝐸𝐿𝐿 +(𝐼𝐶𝐸𝐿𝐿 +𝑅𝑠𝑒𝑟𝑖𝑒 ) 𝑉𝐶𝐸𝐿𝐿 +(𝐼𝐶𝐸𝐿𝐿 +𝑅𝑠𝑒𝑟𝑖𝑒 )
𝐼𝐶𝐸𝐿𝐿 = 𝐼𝐶𝐶 − 𝐼𝑆𝐴𝑇 = [𝑒𝑥𝑝 [ 𝑛𝑉𝑡
] − 1] − 𝑅𝑠ℎ𝑢𝑛𝑡
𝐾×𝑇
Où 𝑉𝑡 = représente le potentiel thermodynamique, Isat, le courant de saturation de
𝑒

la jonction, K, la constante de Boltzman (1.381 10-23 Joules/Kelvin), T, la température de la

cellule en Kelvin, e, la charge d’un électron, n, le facteur de non idéalité de la jonction, ICELL,
le courant fourni par la cellule, VCELL, la tension aux bornes de la cellule, ICC, le
courant produit par la cellule lorsqu’elle est mise en court-circuit , Rshunt, la résistance
modélisant les courants de fuites de la jonction, et finalement, Rserie, la résistance série
caractérisant les diverses résistances de contacts et de connexions. La Figure III-2
représente avec des composants électriques, le comportement électrique équivalent.

Figure III.2 : électrique équivalent Schéma d’une cellule en silicium

cristallin.
III.4 Principe De L'effet Photovoltaïque
La cellule photovoltaïque, élément de base du capteur, est composée d’un matériau semi-
conducteur qui permet de capter l’énergie des photons composant la lumière. Dans un
matériau conducteur, la bande de valence et la bande de conduction se confondent, ce qui fait
que les électrons peuvent circuler facilement dans le réseau cristallin du matériau conducteur.
Dans un matériau isolant, au contraire, la bande de valence et la bande de conduction sont
séparées par ce qu’on appelle la bande interdite. Cette bande nécessite beaucoup d’énergie
aux électrons pour qu’ils puissent passer dans la bande de conduction, de l’ordre d’une

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dizaine d’électronvolt (ou eV). Dans un semi-conducteur, le largueur de la bande interdite est
plus faible, de l’ordre de 0,5 à 2 eV, cette énergie de transition d’une bande à l’autre est
l’énergie de gap notée Eg. L’intérêt est de pouvoir utiliser l’énergie des photons de la lumière
du soleil pour faire passer les électrons de la bande de valence à la bande de conduction, ce
qui en contrepartie, crée un trou dans la bande de valence.
L’énergie des photons, fonction de la longueur d'onde de la lumière, doit être supérieure ou
égal à l’énergie de gap Eg.
Ge Si GaAs InP CdS CdTe
Eg (eV) 0.67 1.12 1.43 1.29 2.42 1.44

Table III.1 : Énergie de gap pour différent semi-conducteur à la température de 300°K (27°C)

Mais les paires d’électrons trous créées par les photons ont tendance à se recombiner très
rapidement. Pour ralentir ce phénomène et permettre leur récupération vers les électrodes, un
champ électrique est créé par une jonction PN.

Figure III.3 cellule photovoltaïque

Il s’agit d’introduire des « impuretés » dans le réseau cristallin du semi-conducteur qui est le
plus souvent du silicium. Le silicium à 4 électrons dans sa bande de valence, ce qui lui permet
par les liaisons de covalence de garder une structure cristalline. L’ajout d’impuretés (quelque
ppm) ayant 5 électrons dans la bande de valence (phosphore par exemple) se substituant au
silicium, ajoute des électrons faiblement liés dans la structure cristalline, créant un semi-
conducteur dopé N. De même, l’ajout d’impuretés ayant 3 électrons dans la bande de valence
(bore par exemple) se substituant au silicium enlève des électrons, donc ajoute des « trous »
dans la structure cristalline, créant un semi-conducteur dopé N. La juxtaposition de ces deux
semi-conducteur dopés N et P crée une jonction PN avec une différence de potentiel aux
bornes de laquelle il est possible de récupérer les électrons délogés par des photons ayant

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suffisamment d’énergie. Électriquement, la cellule photovoltaïque, ou « photopile », se

comporte donc comme une diode de grande dimension.
III.5 Les Différentes Technologies De Cellules Photovoltaïques
Deux grands familles de technologies existent actuellement : la première à base de silicium
cristallin comprenant le mono et le multi cristallin, couvre de l'ordre de 85% de la production
mondiale. La deuxième famille, celle des couches minces, comprend les cellules au silicium
amorphe, polycristallin ou microcristallin ; au tellure de cadmium, au cuivre indium sélénium,
et à l’arséniure de gallium. En outre, d'autres technologies sont en cours d'expérimentation
comme les cellules organiques, polymères ou à base de fullerènes.
III.5.1 Première génération
La filière silicium représente actuellement 99% du marché des modules photovoltaïques. Il est
l’un des éléments les plus abondants sur Terre, parfaitement stable et non toxique. On
trouve plusieurs technologies pour le photovoltaïque silicium détaillées ci-après; d'une part
les cellules à base de silicium massif (monocristallin. polycristallin. rubans) dites de
première génération, et qui constituent à l'heure actuelle l'essentiel des modules
photovoltaïques commercialisés et d'autre part la technologie à base de silicium en couche
mince.
a) Silicium monocristallin (mono c-Si) :
La technologie mono cristalline est coûteuse car elle nécessite des barres de silicium pur. Son
rendement est le plus élevé (14 à 16%). Ce qui a l’avantage de réduire la taille des modules
pour une même puissance, chose utile lorsqu’un gain de place est nécessaire.
b) Silicium polycristallin (multicristallin) :
La technologie multi cristalline est obtenue par la refonte de chute de cristaux de silicium de
l’industrie électronique et elle nécessite 2 à 3 fois moins d'énergie que la technologie
précédente. Son rendement un peu moindre (12 à 14 %) mais son coût est plus avantageux, ce
qui permet à cette technologie de dominer actuellement le marché.
c) Silicium en ruban (ribbon) autosupporté :
Les techniques de production de silicium en rubans autosupportés ont été très séduisantes sur
le plan technologique. Plusieurs procédés ont été développés. Ces rubans ont connu de
nombreux développements au niveau de la recherche et, pour certains d’entre eux,
jusqu’à la conception de chaînes de production préindustrielles. La plus connue est
basée sur l’effet de la capillarité entre deux lèvres de carbone. Ce procédé, illustré sur la
figure III.4(a), a été initié aux USA par Mobil-Tyco dans les années 1975, puis transféré
en Allemagne par RWE Schott Solar. D’autres méthodes utilisent des techniques de

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croissance de ruban sur un film ou une maille de carbone. C’est le cas de la société
SOLARFORCE en France qui utilise comme support de croissance un ruban de graphite
(figure III.4(b), procédé RST), et qui permet de déposer des rubans de silicium de part et
d’autre du graphite. Le principal avantage de la méthode RST est l’obtention de silicium
ruban très mince (< 100 μm), permettant ainsi un gain matière très important.
Cependant, la vitesse de croissance linéaire est lente, généralement de quelques
cm/min à quelques dizaines de cm/min. La vitesse optimale est imposée par les critères de
solidification qui imposeront la taille des grains, la pureté du matériau par la
ségrégation des impuretés, la déformation et les contraintes dans les plaquettes.

FigureIII.4 Procédés de production du silicium en ruban.

III.5.2 Deuxième génération (filière couches minces)
a) Silicium amorphe
Matériau composé de silicium hydrogéné (état non-cristallin) déposé sur un substrat de verre.
D'un rendement moins bon que le cristallin (5-7%), le silicium amorphe est souvent appliqué
à des appareils de petite puissance (calculatrices, lampes ou horodateurs), mais des firmes
comme Solarex, Phototronix, Canon ou Fortum proposent des modules de taille équivalente à
celle des modules cristallins. Sanyo a mis au point une technologie de silicium amorphe sur
une couche de silicium mono cristallin (technologie HIT) dont les rendements sont supérieurs
à celui du silicium mono cristallin (rendement de l'ordre de 19%).
b) Cellules à base de tellurure de cadmium (CdTe)
Les cellules à base de CdTe sont également basées sur la formation de jonction p-n
mais cette fois-ci par la mise en contact de deux matériaux différents, on parle alors
d’hétérojonction. Composé poly cristallin déposé sur substrat de verre. Les premières

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cellules ont été développées en 1972. Il y a quelques années, cette technologie semblait être la
plus adaptée pour les couches minces. Mais les problèmes de coût et de toxicité posés par le
cadmium ont pesé lourdement sur son développement, utilisation de 7g/m² de cadmium (une
batterie NiCd de taille standard en contient 10g).
c) Matériaux à base de séléniure de cuivre indium gallium (CIS ou CIGS)
Matériau composé de séléniure de cuivre et d'indium combiné avec du sulfure de cadmium.
Cette technologie de couches minces, qui permet d'atteindre des épaisseurs inférieures au
micromètre, est présente aujourd'hui dans de nombreux projets industriels.
III.5.3 Troisième génération
La disponibilité des matériaux peut être un autre facteur limitant, l’un des
inconvénients majeurs des cellules CIGS provient du fait que le sélénium, l’indium et
le gallium sont des matériaux dont les ressources sont limitées. Cela entraine évidemment
des coûts de fabrication plus importants car ces matériaux étant rares, ils sont chers. Ceci a
par conséquent conduit à l’émergence d’une troisième génération de cellules solaires,
encore au stade de développement mais aux perspectives prometteuses pour l’avenir
proche.
a) Les cellules multi jonctions
Utilisant actuellement majoritairement des alliages dérivés de l’arséniure de gallium GaAs.
Comme montre la figure III.5:
 une première jonction à grande bande interdite permet de convertir efficacement les
photons UV en minimisant les pertes par thermalisation.
 une seconde jonction située immédiatement derrière possède un gap plus petit et
convertit alors de façon optimale les photons visibles qui traversent la première
jonction.
 une troisième jonction à petit gap convertit les photons infrarouges
.

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Figure III.5 : vue schématique de la composition de la cellule à

multi jonction.

b) Les cellules nanocristallines à colorant ou cellules de Grätzel

Pour les cellules à colorants, il s’agit d’une matrice poreuse inorganique, fonctionnalisée par
le greffage de colorants photoactifs à l’échelle de la monocouche moléculaire et imprégnée
par un électrolyte liquide contenant un couple oxydoréducteur permettant de
communiquer « électriquement » avec la molécule de colorant.
Le système de référence est constitué d’une couche d’oxyde de titane (TiO2) frittée
dont les particules sont de taille nanométrique, une molécule de colorant à base de
ruthénium et un électrolyte non aqueux (acétonitrile) contenant le couple redox iode-iodure.
c) Cellules organiques
Ces cellules inventées en 1991 par le chimiste suisse Michael Graeztel sont composées d’une
poudre de cristaux TiO2 associée à un électrolyte et à un colorant qui absorbe la lumière.
Cette technologie en est encore au stade expérimental. Le rendement est moyen et la stabilité
à long terme est mauvaise, mais sa fabrication est en théorie plus facile que les autres cellules,
et la matière première est bon marché. La recherche améliore d’années en année les
technologies existantes, par exemple :
 réduction de l’épaisseur de la coupe des lingots de silicium
 amélioration du rendement d’un lingot par traitement de surface
 technologie CIS avec des matériaux moins nobles, mais travaille aussi sur de
nouveaux semi-conducteurs, des cellules à 2 ou 3 jonctions, des systèmes à
concentrateur …

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Figure III.6 : Cellule souple à base de matériaux organiques

On peut résumer les rendements des cellules au tableau suivant

Aspect technologique
Le panneau solaire photovoltaïque transforme l’énergie lumineuse du soleil en électricité

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