Chapitre II Energie solaire photovoltaïque

Chapitre II : Energie solaire

photovoltaïque
Introduction :

L’énergie solaire photovoltaïque est obtenue directement à partir du rayonnement du

soleil, la source du rayonnement solaire provient d’une réaction thermonucléaire au sein du
Soleil, à chaque seconde, une quantité d’Hydrogène se transforme en Hélium suivi par
émission des rayons solaire d’énergie 𝐸 = ℎ𝜈.

1. Définition :

Les cellules photovoltaïques sont des composants optoélectroniques qui transforment

directement la lumière solaire en électricité par un processus appelé ‘effet photovoltaïque’, a
été découverte par E. Becquerel en 1839. Elles sont réalisées à l'aide de matériaux semi-
conducteurs, c'est à dire ayant des propriétés intermédiaires entre les conducteurs et les
isolants.

2. Notions des semi-conducteurs :

On appelle semi-conducteur un matériau électriquement intermédiaire entre isolant et

conducteur. Un matériau est composé de plusieurs atomes, l’atome est constitué d’un noyau
autour duquel gravitent des électrons de charge électrique –q soit -1,6.10-19 Coulomb. Le
noyau contient deux types de particules : les neutrons qui ne sont pas chargés et les protons
qui portent une charge électrique +q. L’atome étant électriquement neutre, le nombre de
protons est égal au nombre d’électrons. On distingue : les électrons internes qui occupent les
couches internes et qui sont très fortement liés au noyau et les électrons périphériques (ou de
valence) qui occupent la couche la plus externe et qui sont peu liés au noyau.

Les bandes de faible énergie correspondent à des électrons participant au maintien de la

structure cristalline, ce sont les électrons dits de valence et la bande s’appelle bande de
valence, dans la bande de valence, l’électron est commun à plusieurs atomes. Les bandes de
hautes énergies correspondent à des électrons quasi "libres" de se détacher de la structure et

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qui par conséquent peuvent participer à une conduction électrique, la bande est dite bande de
conduction, l’électron participe à l’écoulement du courant dans le solide lorsque ce dernier est
soumis à une différence de potentiel.

On distingue isolants et conducteurs par la différence d'énergie qu'il existe entre ces
bandes, appelée le "gap" ou la bande interdite. Chaque type de matériau présente une hauteur
de bande interdite qui lui est propre, cette différence d’énergie, qui joue un rôle fondamental,
permet de distinguer les matériaux isolants, semi-conducteurs et conducteurs.

Figure II.1 : Bandes d’énergie dans un cristal

 Dans un isolant électrique : les électrons de la matière sont liés aux atomes et ne
peuvent pas se déplace.
 Dans un conducteur électrique (un fil de cuivre par exemple) les électrons sont
totalement libres de circuler et permettent le passage d’un courant.
 Dans un semi-conducteur : la situation est intermédiaire, les électrons contenus dans
la matière ne peuvent circuler que si on leur apporte une énergie pour les libérer de
leurs atomes. Un semi-conducteur de type P présentant un déficit en électrons, par
contre un semi-conducteur de type N présentant un excès d’électrons.
La hauteur de bande interdite du diamant (EG = 5.47 eV) en fait un parfait isolant. En
effet même aux températures élevées, il est impossible de faire passer des électrons de la
bande de valence à la bande de conduction. L’oxyde de silicium SiO2 important pour la
fabrication des circuits intégrés, avec EG = 9 eV est lui aussi un isolant.

Les conducteurs métalliques ont une structure cristalline et à ce titre on leur associe un
schéma de bandes. Celui-ci présente cependant une configuration particulière telle qu’à toutes
les températures il existe des électrons libres disponibles (environ 1023 cm-3). En effet, soit la

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bande de conduction dispose toujours de places libres, soit il existe un chevauchement entre
bandes de valence et de conduction qui supprime la bande interdite.

Figure II.2 : Représentation des bandes d'énergie dans les matériaux

3. Principe de fonctionnement d’une cellule photovoltaïque

La cellule photovoltaïque est une jonction de type PN, elle absorbe l’énergie lumineuse et
la transforme directement en courant électrique. Le principe de fonctionnement de cette
cellule fait appel aux propriétés du rayonnement et à celles des semi-conducteurs (figure II.3).

Fig. II.3. Schéma d'une Jonction PN éclairée

1) Absorption des photons par le semi-conducteur :

La lumière incidente est constituée par un ensemble de photons d’énergie 𝐸 et de longueur

d’onde 𝜆. Le photon incident peut, comme ne peut pas être absorbé, cela dépend de son
𝐶
énergie 𝐸 et de la largeur de la bande interdite 𝐸𝑔 de semi-conducteur où : 𝐸 = ℎ𝜈 = ℎ 𝜆

𝐶 : vitesse de la lumière, 𝐶 = 3. 108 𝑚/𝑠

𝜆 : longueur d’onde du photon en 𝜇𝑚

ℎ : constante de Planck, ℎ = 6,62. 10−34 𝐽. 𝑠

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 Si : 𝐸 ≥ 𝐸𝑔 , le photon est absorbé par le S/C.

 Si : 𝐸 < 𝐸𝑔 , le photon ne sera pas absorbé et traverse le S/C sans absorption.

2) Création des paires électron-trou :

Après l’absorption, l’électron de la bande de valence passe à la bande de conduction en

laissant derrière lui un trou, donc on aura une génération des paires électron-
trou excédentaires dans chaque région de la cellule PV.

3) Diffusion des porteurs excédentaires :

L’apparition paires électron-trou excédentaires est suivit par une diffusion, c’est-à-dire un
mouvement des électrons-trous sous l’effet d’un gradient de concentration, une grande
quantité des paires électron-trou vont être collectées dans la zone de déplétion.

4) Séparation des paires électron-trou :

Quand les porteurs de charge arrivent à la zone de déplétion, ils seront collectés ensuite
⃗ qui règne dans la zone de déplétion, ces porteurs libres sont
séparés par le champ électrique E
drainés vers les contacts métalliques des régions P et N (les électrons vers la région N et les
trous vers la région P). Il en résulte alors un courant électrique dans la cellule PV et une
différence de potentiel (de 0.6 à 0.8 Volt) supportée entre les électrodes métalliques de la
cellule PV.

4. Etude de la cellule photovoltaïque :

4.1. Cellule à l’obscurité :

La cellule à l'obscurité n'est pas un composant actif, elle se comporte comme une jonction
PN, c'est à dire comme une diode. Vue de l’extérieur ; c'est un récepteur, elle ne produit ni
courant ni tension. Si elle soumise à un circuit extérieur, la théorie montre que la tension et le
courant répondent à l'équation de la diode :

𝑞𝑉𝑑
𝐼 = 𝐼𝑠 [𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1]
𝜂𝑘𝑇

I : courant traversant la jonction (ou la diode).

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Is : courant de saturation inverse.

Vd : tension aux bornes de la diode.

q : charge d'électron où: q = 1,6 × 10-19 Coulomb

k : constante de Boltzmann où: k = 1,38 × 10-23 J/K

η : est le facteur de qualité de la diode, généralement compris entre 1 et 2. (η =1 pour une

diode idéal au Silicium).

kT/q ≈ 25 mV à T = 300 K.

Fig. II.4. Caractéristique directe d'une diode

4.2. Cellule éclairée :

Si la cellule est éclairée, il y a création d'un photo-courant 𝐼𝑝ℎ dû au rayonnement solaire.

Celui-ci va apparaître aux bornes de la jonction et sera directement proportionnel au
l'éclairement E : 𝐼𝑝ℎ = 𝛼. 𝐸, où 𝛼 est un constant.

Fig. II.5. Cellule PV éclairée

Le courant généré par la cellule PV est égal à : 𝐼 = 𝐼𝑝ℎ − 𝐼𝑑

𝑞𝑉𝑑
𝐼 = 𝐼𝑝ℎ − 𝐼𝑠 [𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1]
𝑘𝑇

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La caractéristique I = f(V) de la cellule se déduit graphiquement par soustraction de la

caractéristique I = f(V) de la diode à celle de 𝐼𝑝ℎ

Fig. II.6. Caractéristique courant-tension d'une cellule PV éclairée

5.3. Courant de court-circuit et tension de circuit

ouvert d'une cellule PV :

5.3.1. Courant de court-circuit 𝑰𝒄𝒄 :

En Court-circuit, V = 0 donc Id = 0

D’où : 𝐼𝑐𝑐 = 𝐼𝑝ℎ

5.3.2. Tension de circuit ouvert 𝑽𝒄𝒐 :

En circuit ouvert, I = 0 donc on aurait :

𝑞𝑉
𝐼𝑝ℎ − 𝐼𝑠 [𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1] = 0
𝑘𝑇

𝑘𝑇 𝐼𝑝ℎ
→ 𝑉 = 𝑉𝑐𝑜 = 𝑞
𝑙𝑛 (1 + 𝐼𝑠
)

5. Modèles électrique et mathématique d'une cellule PV :

Dans la littérature, une cellule photovoltaïque est souvent présentée comme un générateur
de courant électrique dont le comportement est équivalent à une source de courant shuntée par
une diode. Pour tenir compte des phénomènes physiques au niveau de la cellule, le modèle est
complété par deux résistances série 𝑅𝑠 et shunt 𝑅𝑠ℎ comme le montre le schéma électrique
équivalent de la figure suivante :

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Fig. II.7. Modèle électrique de la cellule photovoltaïque

Les résistances 𝑅𝑠 et𝑅𝑠ℎ représentent respectivement les résistances des contacts

métalliques et de fuites de la jonction PN. En générale, la résistance 𝑅𝑠ℎ est très élevée et la
résistance 𝑅𝑠 est très faible.

Fig. II.8. Structure d’une cellule photovoltaïque au silicium

Le courant photopile a pour expression : 𝐼 = 𝐼𝑝ℎ − 𝐼𝑑 − 𝐼𝑠ℎ

𝑞𝑉𝑑 𝑉𝑑
𝐼 = 𝐼𝑝ℎ − 𝐼𝑠 [𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1] −
𝑘𝑇 𝑅𝑠ℎ
𝐸
Le courant 𝐼𝑝ℎ est en fonction de l'éclairement E comme suit : 𝐼𝑝ℎ = 𝐼𝑐𝑐 (1000)

En utilisant la loi des mailles, la tension de la diode est : 𝑉𝑑 = 𝑉 + 𝑅𝑠 𝐼

Donc, le courant I en fonction de la tension V s'écrit sous la forme implicite suivant :

𝐸 𝑞(𝑉 + 𝑅𝑠 𝐼) 𝑉 + 𝑅𝑠 𝐼
𝐼 = 𝐼𝑐𝑐 ( ) − 𝐼𝑠 [𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1] −
1000 𝑘𝑇 𝑅𝑠ℎ

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En général, le courant de sortie d’un panneau PV contient 𝑁𝑠 cellules connectées en série et

𝑁𝑝 chaines connectées en parallèle est fourni par l’équation suivante :

𝑉 𝑅𝐼 𝑁𝑝
𝑞( + 𝑁𝑠 ) 𝑉 + 𝑅𝑠 𝐼
𝐸 𝑁𝑠 𝑝 𝑁𝑠
𝐼 = 𝑁𝑝 . 𝐼𝑐𝑐 ( ) − 𝑁𝑝 . 𝐼𝑠 [𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1] − ( )
1000 𝜂𝑘𝑇 𝑅𝑠ℎ

𝐸 𝑞(𝑁𝑝 𝑉 + 𝑁𝑠 𝑅𝑠 𝐼) 𝑁𝑝 𝑉 + 𝑁𝑠 𝑅𝑠 𝐼
𝐼 = 𝑁𝑝 . 𝐼𝑐𝑐 ( ) − 𝑁𝑝 . 𝐼𝑠 [𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1] − ( )
1000 𝑁𝑝 𝑁𝑠 𝜂𝑘𝑇 𝑁𝑠 𝑅𝑠ℎ

6. Caractéristiques électriques d'une cellule PV :

En utilisant l’équation implicite du courant délivré par la cellule photovoltaïque, on peut

tracer ses caractéristiques courant-tension I(V) et puissance-tension P(V).
Les caractéristiques courant-tension I(V) et puissance-tension P(V) sont représentées sur
la figure suivante :

Fig. II.9. Caractéristiques : I(V) et P(V) d'une cellule PV

La puissance débitée par la cellule dépend du point de fonctionnement de cette dernière,

c’est le produit de l’intensité du courant débité et la tension entre ses bornes.

6.1. Paramètres d'une cellule PV :

6.1.1. La puissance crête d'une cellule PV

La puissance crête d'une photopile, notée 𝑊𝑐 (Watt crête), représente la puissance

électrique maximum délivrée dans les conditions suivantes dites conditions standard STC
(Standard Test Conditions) c'est-à-dire sous un spectre AM1.5 , une température de 25°C, et
un éclairement de 1000 W/m².

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En d’autres termes, 1 𝑊𝑐 délivre une puissance électrique de 1 W quand il est soumis à un

ensoleillement de 1000 W/m².

6.1.2. Facteur de forme d’une cellule PV

C’est le rapport entre la puissance crête et le produit 𝐼𝑐𝑐 . 𝑉𝑐𝑜 , ce rapport traduit la forme
rectangulaire de la caractéristiques I(V)
𝑃𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑚 . 𝑉𝑚
𝐹𝐹 = =
𝐼𝑐𝑐 . 𝑉𝑐𝑜 𝐼𝑐𝑐 . 𝑉𝑐𝑜
Les valeurs typiques de facteur de forme vont environ de 60% à 80%.

6.1.3. Rendement d’une cellule PV

On définit le rendement énergétique d'une cellule par le rapport entre la puissance

maximum et la puissance incidente :
𝑃𝑚𝑎𝑥 𝐼𝑚 . 𝑉𝑚
𝜂= =
𝑃𝑖𝑛𝑐 𝐸. 𝑆
E : éclairement (W/m²)
S : surface active des panneaux (m²)
Pmax est la puissance maximum mesurée dans les conditions STC (Standard Test Conditions).

Fig. II.10. Caractéristique courant-tension d'une cellule solaire

6.2. Influence de l’éclairement E sur le fonctionnement de la cellule PV

L’énergie électrique produite par une cellule photovoltaïque dépend de l'éclairement

qu'elle reçoit sur sa surface.
La figure suivante présente une cellule PV à différents niveaux d’éclairement ; on
remarque que le courant est directement proportionnel à l’éclairement. La tension par contre

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n’est pas très dégradée lorsque la lumière baisse ; mais ne dépend pas de la surface, elle n’est
fonction que du matériau.
La puissance optimale du module est proportionnelle à l’éclairement et par conséquence,
lorsque l’irradiation (l’éclairement) baisse, le facteur de forme FF augmente et la courbe
devient carrée (cas habituel des cellules amorphes).

Fig. II.11. Influence de l’éclairement sur les caractéristiques I(V) et P(V)

6.3. Influence de la Température T sur le fonctionnement de la cellule PV

L’effet le plus important est l’influence de la température qui demandera des choix
importants dans la conception des panneaux et des systèmes.
La figure suivante présente le comportement de la même cellule sous un Eclairement de 1
kW/m2 et à des températures entre 30 et 70°C. On remarque l’importance des variations de la
tension qui perd environ 2 à 2.5 mV/K (env. 0.41%/K) pour une cellule au silicium cristallin.
Pour d’autres technologies, les coefficients de température baissent lorsque le gap augmente.

Fig. II.12. Influence de la température sur la caractéristique I(V)

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Le courant gagne un petit peu d’intensité lorsque la température augmente ; ceci peut être
expliqué par une meilleure absorption de la lumière, le gap baissant lorsque la température
augmente. La puissance maximale va diminuer environ 0.3 % par degré. La puissance et le
rendement diminuera si la température augmente.

6.4. Perte de puissance par résistance série et par résistance shunt

* La résistance série est gouvernée par la résistivité du matériau, par les résistances de contact
des électrodes et par la résistance de la grille collectrice. La résistance série agit sur la pente
de la caractéristique dans la zone où la photodiode se comporte comme un générateur de
tension (zone B). Elle ne modifie pas la tension de circuit ouvert, mais lorsqu'elle est
anormalement élevée, elle peut diminuer la valeur du courant de court-circuit.

Fig. II.13. Caractéristique I(V) en fonction de la résistance série et de la résistance shunt

* La résistance shunt est en général très élevée. L’influence de la resistance shunt se traduit
par une augmentation de la pente de la caractéristique dans la zone ou la cellule se comporte
comme un générateur de courant (zone A).
Une résistance shunt trop faible aura un impact sur la tension de circuit ouvert de la photopile;
à cause de cela une photopile dont la résistance shunt est trop faible ne donnera plus de
tension sous faible éclairement.

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7. Technologies des cellules solaires photovoltaïques :

Le matériau le plus répandu dans les photopiles ou cellules solaires est le silicium. Il est
dit tétravalent, cela signifie qu'un atome de silicium peut se lier avec quatre autres atomes de
même nature. Il existe plusieurs types de cellules solaires :

7.1. Cellules monocristallines

 Première génération de photopiles

 Forme de plaquettes rondes, carrées ou pseudo-carrées, de
surface bleu-gris uniforme.
 Rendement excellent de 15 % et jusqu’à 18 %
 Méthode de production laborieuse et difficile, et donc, très
chère.

7.2. Cellules polycristalline

Elles sont élaborées à partir d'un bloc de silicium cristallisé en

plusieurs cristaux dont les orientations sont différentes.
 Rendement de 12 % et jusqu’à 14 %.
 Coût de production moins élevé.
 Procédé moins gourmand en énergie.

7.3. Cellules amorphes

Ces cellules sont composées d'un support en verre ou en matière

synthétique sur lequel est disposé une fine couche de silicium
(l'organisation des atomes n'est plus régulière comme dans un
cristal). Elles ont une surface uniformément sombre.
 Rendement de seulement 6 % par module
 Coût de production bien plus bas
 Appliquées dans les petits produits de consommation : montres, calculatrices, mais
peu utilisées dans le cadre des installations solaires.
Cependant, elles ont l'avantage de mieux réagir à la lumière diffuse et donc, elles sont plus
performantes à une température élevée.
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8. Notion de cellule, module, panneau et champs photovoltaïque

La cellule solaire, de forme ronde ou carrée est l'élément de base, un ensemble de cellules
forment un module solaire, dans un module les cellules sont reliées électriquement entre elles
et encapsulées, donc protégées des agents extérieurs.
Plusieurs modules forment un panneau solaire. Plusieurs panneaux forment un système
solaire auquel viennent s'ajouter des protections, un régulateur, un système de stockage de
l'énergie (batterie) des appareils de contrôle et de mesure, un onduleur ...

Fig. II.14. Cellule solaire ; module solaire ; panneau solaire ; champ solaire

8.1. L’association de cellules

8.1.1. L’association de cellules en série

Fig. II.15. Cellules identiques en série et sa caractéristique

En mettant 𝑁𝑠 cellules identiques en série : le courant de la branche reste le meme et la

tension de cette branche est 𝑁𝑠 fois plus grande que celle d’une cellule PV.
𝐼1 = 𝐼2 = 𝐼3 = ⋯ = 𝐼𝑁𝑠 = 𝐼
𝑉 = 𝑉1 + 𝑉2 + ⋯ + 𝑉𝑁𝑠 = 𝑁𝑠 . 𝑉𝑖

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8.1.2. L’association de cellules en parallèle

En mettant 𝑁𝑝 cellules identiques en parallèle : la tension de la branche reste la mème et le

courant de cette branche est 𝑁𝑝 fois le courant d’une cellule PV.
𝐼 = 𝐼1 + 𝐼2 + ⋯ + 𝐼𝑁𝑝 = 𝑁𝑝 𝐼𝑖
𝑉1 = 𝑉2 = 𝑉3 = ⋯ = 𝑉𝑁𝑝 = 𝑉

Fig. II.16. Cellules identiques en parallèle et sa caractéristique

8.2. L’association de modules:

8.2.1. Association de modules en paralléle :

Tous les pôles positifs (+) sont reliés entre eux et tous les pôles négatifs (-) sont reliés entre
eux :

Exemple : On a 3 modules PV de 100 Wc/12V chacun, si on raccorde ces modules PV en

parallèle, on trouve 300 Wc/12V

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8.2.2. Association de modules en série :

Le pôle positif (+) de chaque module est relié au pôle negatif (-) du module suivant :

Exemple : On a 3 modules PV de 100 Wc/12V chacun, si on raccorde ces modules PV en

série, on trouve 300 Wc/36V

8.2.3. Association de modules en série/paralléle :

Exemple : On a 9 modules PV de 100 Wc/12V chacun, si on raccorde ces modules PV en 3

chaines en parallèle, chaque chaine contient 3 modules PV en série on trouve 900 Wc/36V.

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9. Protection du panneau photovoltaïque

9.1. Protection par diode ‘by-pass’ (en parallèle)

Lorsqu’une partie de module est accidentellement couverte, le courant produit par le reste
du champs PV continuer à circuler à travers les cellules cacheés, toute la tension du module
peut chuter via ces diodes. Dans ce cas, ces dernières se comportent en recepteur et risquent
l’échauffement et la destruction. Ce phénomène est dite ‘hot spot’ ou poind chaud, pour éviter
ce phénomène, on installe en parallèle sur les modules des diodes qui dérive le courant en cas
d’obstruction de cellule. La diode parallèle limite la tension inverse par sa tension directe
puisqu’elle devient passante.

Fig. II.17. Protection par diode ‘by-pass’ d’un groupement de cellules

9.2. Protection par diode ‘anti-retour’ (en série)

Pour la protection des modules en cas d’endomagment, on branche en série des diodes
anti-retour. Une cellule PV se comporte comme recepteur lorsqu’elle ne recoit pas du
rayonnement solaire (nuit, ciel nuageau,…), elle consomme alors du courant comme une
simple lampe, donc pour éviter la décharge de la batterie dans le module, on installe des
diodes de blockage en serie entre la batterie et le module.

Fig. II.18. Protection par diode ‘anti-retour’ d’un groupement de cellules

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