CHAPITRE I :

NOTION DE PHYSIQUE DES SEMI- CONDUCTEURS

I- CARACTERISTIQUES DES CORPS SOLIDES-

DEFINITION DES SEMI-CONDUCTEURS
I.1 – Atome isolé quelconque

I.2 – Notion de bande dans un solide

I.3 – Semi-conducteurs

II- MECANISMES DE TRANSPORT DE CHARGE

I- CARACTERISTIQUES DES CORPS SOLIDES-
DEFINITION DES SEMI-CONDUCTEURS

I.1 – Atome isolé quelconque

L’atome est la plus petite parcelle d’un élément qui puisse entrer dans la composition
d’une molécule.
La molécule est la plus petite parcelle que l’on peut obtenir à l’état libre.
L’atome est constitué d’un noyau central contenant une charge positive autour duquel
gravitent des particules de charge négative appelées électrons.
Dans le noyau on distingue :

- les protons (P) de charge positive (+),

- les neutrons (N) sans charge électrique.
L’atome est électriquement neutre: le nombre de protons est égal au nombre d’électrons,
noté Ζ et appelé numéro atomique.
La charge élémentaire de l’électron est | e | = 1,6.10-19C.
Autour du noyau les électrons se fixent sur des niveaux d’énergie ou niveaux
électroniques repérés par les lettres K, L, M, N, O, P, Q. Le niveau K est le plus proche du
noyau et le niveau Q est le plus éloigné. Un niveau d’ordre n est saturé lorsqu’il contient 2.n2
électrons.
L
r électron
K
Exemple :

- le niveau K d’ordre 1 contient au maximum: 2 électrons noyau

- le niveau L d’ordre 2 contient au maximum: 2 x 22 = 8 électrons

- le niveau M d’ordre 3 contient au maximum: 2 x 32 = 18 électrons

Entre deux niveaux consécutifs (ex. de K à L) se trouve une bande interdite aux électrons.
Le niveau périphérique est le plus externe de l’atome; il confère à celui-ci ses propriétés
chimiques et électriques : on l’appelle niveau de valence.
Le noyau exerce une force d’attraction sur l’électron, régie par la loi de Coulomb :

f  q.E  1 qq '
4 0 r 2

Plus un électron est éloigné du noyau, plus faible est la force d’attraction; plus faible
également est l’énergie à lui fournir pour le rendre libre.

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 I.2 – Notion de bande dans un solide

Ici on s’intéresse aux électrons des couches périphériques.

A un électron, on associe une énergie W et un potentiel électrostatique V tel que:

W = - e.V + C (C = constante).

Dans un atome isolé, les électrons se répartissent en couches; à chaque couche

correspond une énergie. Ainsi, pour passer d’une couche à l’autre, l’électron doit acquérir
l’énergie égale à la différence entre les deux couches.

Dans un corps solide monocristal, du fait notamment de l’interaction des atomes, il

apparaît pour les électrons une succession de domaines d’énergie (ensemble de couches)
appelés Bandes dont certaines sont permises et d’autres interdites.
Bande permise (BP) et bande interdite (BI) sont disposées alternativement.
A la température absolue T = 0 K, les électrons se trouvent dans les bandes d’énergie les plus
basses.
A partir de la structure de bande, on peut scinder les corps cristallins en deux catégories :
a) Corps conducteurs (métal) :
Ici, la BI disparaît quasiment. Ce qui entraîne un chevauchement des BP. Ainsi, les électrons
se déplacent dans les bandes permises non pleines en rendant le corps conducteur, lorsqu’il y
a un apport d’énergie, même faible.

b) Corps isolants ou semi-conducteurs :

W (Energie)
BC Bande de conduction

Wc Bandes permises
Wg BI Bande interdite
Wv

BV Bande de valence

Dans ce cas, les bandes permises, supérieure (Bande de conduction BC) et inférieure (Bande
de valence BV), sont séparées par une bande interdite (BI) de largeur énergétique Wg, appelée
‘’gap ‘’. La BV étant pleine, l’électron ne peut se déplacer qu’en franchissant la BI
moyennant un apport important d’énergie. Le niveau énergétique le plus bas de la BC est noté
Wc, et celui le plus haut de la BV est noté Wv ; ainsi, on a : Wg = Wc –Wv. Wg est
caractéristique du matériau de base et dépend peu de la température.
- Pour les ‘’bons’’ isolants : (exemples : Silice SiO2, Carbone diamant C) : Wg > 2eV
- Pour les semi-conducteurs :( trois exemples)
 Silicium (Si) : Wg  1,12 eV
 Germanium (Ge) : Wg  0,7 eV
 Arséniure de gallium (GaAs) : Wg  1,4eV

3
 I.3 – Semi-conducteurs

a) Définition et propriétés
Ce sont des matériaux solides cristallins dont la conductivité est intermédiaire entre
celle des conducteurs et celle des isolants ; (exemples: Silicium (Si), Germanium (Ge),
Arséniure de gallium (GaAs)).
A la température 0K, ils se comportent comme des isolants parfaits, mais deviennent
mauvais conducteurs lorsque la température augmente.
De façon comparative, la résistivité du Silicium pur est d’environ 2.105.cm, alors
que celle du Cuivre qui est un bon conducteur vaut 1,6.10-6.cm, et celle du Mica qui est un
isolant est de 1017.cm.
La différence entre un semi-conducteur et un bon isolant se fait au niveau de la valeur
du ‘‘gap’’ ; elle est faible pour le semi-conducteur: Wg < 2eV.
 Au plan structurel, l’atome d’un semi-conducteur possède quatre (4) électrons sur sa
couche périphérique ou couche de valence: c’est un atome tétravalent.

Exemple de l’atome de silicium :

Electron de valence
Numéro atomique : Z = 14

+
Noyau de charge (+)

 Dans un cristal de semi-conducteur, chaque atome établit quatre (4) liaisons dites
covalentes avec ses quatre atomes voisins ; ce qui assure la rigidité du cristal.
Les électrons participant à ces liaisons sont fortement liés aux atomes du cristal.
Couche de valence

+ + + +

Liaison covalente
+ + + +
Noyau

+ + + + Cristal de semi-conducteur

Dans le cristal, l’ensemble des couches de valence constitue la bande de valence. Chaque
semi-conducteur est caractérisé par l’énergie nécessaire à son électron de valence pour se
détacher de l’attraction nucléaire, en passant de la Bande de valence (BV) à la Bande de
conduction (BC) par franchissement de la Bande interdite (BI); cette énergie correspond
évidemment au ‘’gap’’ Wg. Plus le ‘’gap’’ est faible, plus le semi-conducteur est conducteur.

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 b) Mécanisme de conduction - Notion de paire électron-trou
Pour libérer un électron lié, il faut lui fournir une énergie suffisante susceptible de le
faire passer de la BV à BC par rupture de liaison covalente. Cet électron excité peut, sous
l’action d’un faible champ électrique se libérer de l’attraction nucléaire et se déplacer
librement dans la bande de conduction qui devient donc non vide : on parle de conduction
par électron dans BC (identique au cas des métaux).
L’électron libéré laisse dans la BV un niveau permis. La BV devient incomplète, et
sous l’action d’un champ électrique extérieur, la « vacance » laissée par l’électron transféré
peut être occupée par l’électron d’une liaison voisine. Cet électron de valence va laisser à son
tour une « vacance » qui pourra être occupée par un autre électron voisin: on assiste ainsi à un
déplacement des électrons de valence correspondant à une propagation des « vacances » d’où
un phénomène de conduction : on parle de conduction par trou dans BV.
En effet, la « vacance » laissée par un électron ayant quitté la BV pour la BC se traduit
comme une absence de charge négative dans la BV, et interprétée comme la présence de
charge positive appelée trou.
Le trou est défini comme une particule fictive de charge positive traduisant la lacune
d’électron. Autant l’électron libre se déplace dans la BC pour entraîner le transport d’un
courant électrique, autant le trou se déplace dans la BV pour entraîner également le transport
d’un courant électrique. Les phénomènes de conduction sont basés sur le déplacement des
porteurs (électron et trou) dans une bande permise contenant des états électroniques vacants.
Les particules électron et trou ont des caractéristiques électriques et dynamiques
différentes.
Rupture de Electron (e-) = porteur négatif
liaison covalente
Trou (e+) = porteur positif
On parle de ‘’paire e- - trou’’. Pour la suite, on affectera l’indice n aux paramètres liés aux
électrons, et l’indice p à ceux liés aux trous.

c) Semi-conducteur intrinsèque
Le semi-conducteur dit intrinsèque est un semi-conducteur ‘’pur’’ (ne contenant pas
de dislocations ni d’impuretés, c’est-à-dire aucun atome étranger, dans le réseau cristallin),
dans lequel la génération de porteurs libres résulte uniquement du transfert d’électrons de BV
à BC.
Ce transfert dû à l’agitation thermique crée dans le semi-conducteur des paires
électron-trou, assurant la conduction du courant électrique, dont le nombre par unité de
volume est appelé concentration intrinsèque et noté ni.
Pour un tel semi-conducteur, le nombre n d’électrons est égal au nombre p de trous, et
on écrit : n = p = ni , avec
A = constante dépendant du type de semi-conducteur
Wg T = température absolue (en Kelvin)
ni  AT 3 exp( 
2
) Wg = largeur énergétique de la BI = gap
kT k = constante de Boltzmann

d) Semi-conducteur extrinsèque
L’existence d’impuretés à l’intérieur d’un cristal semi-conducteur contribue à modifier
plus ou moins fortement ses propriétés électriques intrinsèques (W F, etc.…).

5
 Ici nous étudions le cas où on injecte de façon délibérée dans un semi-conducteur
intrinsèque des impuretés (atomes étrangers) en infime quantité pour ne pas modifier la
symétrie du matériau de base. Ces atomes additifs se placent en position de substitution
(chacun se positionne à la place d’un atome du semi-conducteur de base): on dit qu’on dope
le semi-conducteur; et le semi-conducteur dopé devient un semi-conducteur extrinsèque.
On distingue deux types de dopage :

d.1 – Dopage par des atomes ‘‘donneurs’’

Ici, l’atome de dopage est un atome pentavalent (ayant 5 électrons sur sa couche de
valence; exemples : Phosphore P, Arsenic As, Antimoine Sb, …).
Dans le réseau cristallin de semi-conducteur, l’atome dopant établit quatre (4) liaisons
covalentes avec ses 4 atomes voisins de semi-conducteur. Il lui restera donc un électron
excédentaire ne participant pas à ces liaisons.
Cet électron entre en interaction avec les atomes voisins du réseau et reste très
faiblement lié à son atome. Aux températures usuelles (T > 0K), il y a ionisation de l’atome
dopant: celui-ci produit un électron libre et devient un ion positif.
Ces atomes sont dits donneurs parce qu’ils produisent un électron de conduction dans
le cristal semi-conducteur.
Pour un tel semi-conducteur, le nombre n d’électrons est supérieur au nombre p de
trous (n>p), et on obtient un semi-conducteur de type n.

Exemple du cristal de silicium dopé par un atome de Phosphore:

Si Si Si Si
Ion (+) de Phosphore

Si Si P+ Si
Electron libre

Cristal de Silicium
Si Si Si Si

d.2 – Dopage par des atomes ‘‘accepteurs’’

Cette fois, l’atome de dopage est un atome trivalent (ayant 3 électrons sur sa couche de
valence; exemples : Bore B, Indium In, Aluminium Al, …).
A l’équilibre, chaque atome dopant établit trois (3) liaisons covalentes avec 3 de ses
atomes voisins de semi-conducteur. Il apparaît donc une vacance d’électron sur l’atome
dopant pour réaliser sa quatrième liaison.
Aux températures usuelles il y a déplacement d’un électron du semi-conducteur pour
combler cette vacance, ce qui entraine l’ionisation du dopant: celui-ci devient un ion négatif
et produit un trou dans le cristal.
Ces atomes sont dits accepteurs parce qu’ils ‘’acceptent’’ un électron du semi-
conducteur et produisent un trou dans le cristal.
Pour un tel semi-conducteur, le nombre p de trous est supérieur au nombre n
d’électrons (p>n), et on obtient un semi-conducteur de type p.
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 Exemple du cristal de silicium dopé par un atome de Bore:

Si Si Si Si
Ion (-) de Bore

Si Si B- Si
Electron cédé

Si Si Si Si Trou créé

Cristal de Silicium

d.3 –Types de semi-conducteurs

Aux températures supérieures à OK, les porteurs libres proviennent des impuretés: on
parle de conduction extrinsèque à la différence de la conduction intrinsèque où les porteurs
libres proviennent uniquement des transferts bande à bande.
On note :
- ND = concentration des atomes donneurs ou dopage des Donneurs.
- NA = concentration ou dopage des Accepteurs.
La concentration est la quantité d’impuretés (accepteur ou donneur) par unité de volume
injectée dans le cristal semi-conducteur (exprimée en atomes/m3 ou m-3, ou couramment en
cm-3).
Pour un semi-conducteur avec les deux types d’impuretés,
 si ND > NA  on a un semi-conducteur de type n; dans ce cas les électrons sont appelés
porteurs majoritaires et les trous porteurs minoritaires;
 si NA > ND  on a un semi-conducteur de type p; dans ce cas les trous sont appelés
porteurs majoritaires et les électrons porteurs minoritaires.
En général on a: ND >> NA (le semi-conducteur est dit de type n affirmé),
ou NA >> ND (le semi-conducteur est dit de type p affirmé).

II- MECANISMES DE TRANSPORT DE CHARGE

On s’intéresse ici au déplacement ordonné (c’est-à-dire dans une direction privilégiée)

des porteurs libres de charge conduisant à la création du courant électrique. Dans ce cas, on
distingue deux (2) mécanismes:

a) La conduction
Lorsque le semi-conducteur est soumis à une différence de potentiel V, il se crée à
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑉), qui engendre à son tour une
l’intérieur de celui-ci un champ électrique 𝐸⃗ (𝐸⃗ = −𝑔𝑟𝑎𝑑
force électrique 𝑓 = 𝑞𝐸⃗ ; cette dernière entraîne le déplacement des porteurs de charge,
électrons dans le sens inverse du champ 𝐸⃗ et trous dans le même sens que 𝐸⃗ .

7
 Pour un faible champ (E < 104 V/cm), le mouvement des porteurs est caractérisé par
une vitesse d’ensemble, appelée vitesse de dérive, qui est proportionnelle au champ
électrique. On a les relations suivantes :
Les coefficients de proportionnalité n et p
𝑣𝑛 = −𝜇𝑛 . 𝐸⃗
− 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑙𝑒𝑠 é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠: ⃗⃗⃗⃗ sont les mobilités respectivement des électrons et
des trous; elles sont toujours positives et
𝑣𝑝 = 𝜇𝑝 . 𝐸⃗
− 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑙𝑒𝑠 𝑡𝑟𝑜𝑢𝑠: ⃗⃗⃗⃗ exprimées en m2/V.s.

Aux mouvements de déplacement des porteurs, on associe le courant de conduction

dont la densité s’exprime comme suit: ⃗⃗𝐽𝑐 = 𝑞. 𝐶. 𝑣 , (q étant la charge d’un porteur, C la
concentration des porteurs et 𝑣 la vitesse des porteurs); ainsi :

− 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑙𝑒𝑠 é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠: 𝐽⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗𝑛 = 𝑒𝑛𝜇𝑛 . 𝐸⃗

𝑐𝑛 = −𝑒𝑛𝑣

− 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑙𝑒𝑠 𝑡𝑟𝑜𝑢𝑠: ⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗𝑝 = 𝑒𝑝𝜇𝑝 . 𝐸⃗

𝐽𝑐𝑝 = 𝑒𝑝𝑣

D’où la densité de courant de conduction totale :

⃗⃗⃗⃗
𝑱𝒄 = ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑱𝒄𝒏 + ⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗ = 𝝈. 𝑬
𝑱𝒄𝒑 = 𝒆(𝒏𝝁𝒏 + 𝒑𝝁𝒑 )𝑬 ⃗ , avec = conductivité du semi-
conducteur (exprimée en  -1.m-1).

b) La diffusion
En l’absence de champ électrique dans un semi-conducteur, lorsque les porteurs de
charge sont en forte concentration à une extrémité de celui-ci, ils se déplacent par diffusion de
cet endroit vers l’autre extrémité afin d’uniformiser leur répartition dans tout le volume du
semi-conducteur. Ce mouvement d’ensemble est décrit par la loi de Fick, qui stipule que :
pour de faibles perturbations, les flux de porteurs sont proportionnels aux gradients de
concentrations. (Le flux F désigne ici le nombre de porteurs diffusant par unité de surface et
de temps, exprimé en m-2/s). On a les relations suivantes :

− 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑙𝑒𝑠 é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠: ⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑛

𝐹𝑛 = −𝐷𝑛 . 𝑔𝑟𝑎𝑑

− 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑙𝑒𝑠 𝑡𝑟𝑜𝑢𝑠: ⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑝

𝐹𝑝 = −𝐷𝑝 . 𝑔𝑟𝑎𝑑

Les coefficients de proportionnalité Dn et Dp sont les coefficients de diffusion ou diffusivités

respectivement des électrons et des trous; ils sont exprimés en m2/s (souvent en cm2/s).

Aux mouvements de déplacement des porteurs, on associe le courant de diffusion

dont la densité s’exprime comme suit: ⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗ le flux
𝐽𝑑 = 𝑞. 𝐹, (q étant la charge d’un porteur, et 𝐹
des porteurs); ainsi :

− 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑙𝑒𝑠 é𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑠: ⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑛)

𝐽𝑑𝑛 = −𝑒(−𝐷𝑛 . 𝑔𝑟𝑎𝑑
− 𝑝𝑜𝑢𝑟 𝑙𝑒𝑠 𝑡𝑟𝑜𝑢𝑠: ⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑝)
𝐽𝑑𝑝 = 𝑒(−𝐷𝑝 . 𝑔𝑟𝑎𝑑

8
D’où la densité de courant de diffusion totale :

⃗⃗⃗
𝑱𝒅 = ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑱𝒅𝒏 + 𝑱⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝒅𝒑 = 𝒆(𝑫𝒏 . 𝒈𝒓𝒂𝒅𝒏 − 𝑫𝒑 . 𝒈𝒓𝒂𝒅𝒑)

NB:
- Pour une évolution de la diffusion suivant un axe ox (de vecteur unitaire 𝑖) normal à
l’élément de surface dS, on peut écrire que :

⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝒏 = 𝒅𝒏 𝒊 𝒆𝒕 𝒈𝒓𝒂𝒅
𝒈𝒓𝒂𝒅 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝒑 = 𝒅𝒑 𝒊
𝒅𝒙 𝒅𝒙

- Si on réalise dans un semi-conducteur un gradient de potentiel et un gradient de

concentration en même temps, alors il y aura simultanément un courant de conduction et un
courant de diffusion. Le courant total circulant dans le semi-conducteur sera donc la somme
de ces deux courants.

c) Autres relations
 Loi d’action de masse :
Il s’agit du produit des concentrations des porteurs mobiles, à l’équilibre et hors d’équilibre :

n.p = ni2

 Relations d’Einstein :
Ce sont les relations liant les mobilités et les coefficients de diffusion :

Dn Dp kT
   UT
n p e

 Equation de Poisson :
Dans un semi-conducteur contenant des charges électriques (porteurs libres et ions)
dont la densité volumique est , le théorème de Gauss s’écrivait : div E =/,  étant la
permittivité du matériau. E étant le gradient de potentiel, la divergence du gradient est le
laplacien ; il vient alors :

C’est l’équation de Poisson


V  


9
 CHAPITRE II :

JONCTION P-N

I- JONCTION P-N A L’EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE

I.1 – Caractéristiques d’équilibre

I.2 – Jonctions dissymétriques

II- JONCTION P-N HORS D’EQUILIBRE

II.1 – Principe de fonctionnement en régime statique

II.2 – Phénomène de claquage

II.3 – Etude dynamique

10
 La jonction p-n constitue l’élément de base de la plupart des composants
électroniques. Comme son nom l’indique, elle est constituée par la mise en contact ou la
juxtaposition dans un même monocristal semi-conducteur d’une région de type p et d’une
région de type n (il s’agit ici d’une homojonction).
De par sa conception, une caractéristique de base de la jonction est qu’à la traversée de
la surface de séparation des deux régions, surface appelée plan de la jonction métallurgique,
il existe de forts gradients de concentrations des porteurs mobiles: en effet, on passe d’un
semi-conducteur de type p, où les trous sont majoritaires et les électrons minoritaires, dans un
semi-conducteur de type n où la situation est inverse.

On s’intéresse ici aux jonctions dites planes, c’est-à-dire des jonctions dans lesquelles
l’évolution spatiale des concentrations s’effectue suivant une seule direction, par exemple x
(modèle unidimensionnel).
Accepteurs (NA) Donneurs (ND)
Semi-conducteur Semi-conducteur
Ions (-) > Ions (+) Ions (+) > Ions (-)
Type p Type n
Trous majoritaires Electrons majoritaires

Electrons minoritaires Trous minoritaires

x
0

I- JONCTION P-N A L’EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE

I.1 – Caractéristiques d’équilibre

Une jonction p-n est dite à l’équilibre thermodynamique lorsque sa température est
uniforme et elle n’est soumise à aucune perturbation (par exemple aucune tension extérieure
n’est appliquée).
L’existence de gradients de concentrations au niveau de l’interface de la jonction
instaure un phénomène de diffusion tendant à uniformiser les concentrations des porteurs: en
effet, les électrons majoritaires de la région n vont diffuser vers la zone p tandis que les trous
majoritaires de la région p vont diffuser vers la région n.
Ce mécanisme crée un courant de diffusion associé aux électrons et aux trous, orienté
de p vers n. ⃗⃗⃗
Région p 𝐸𝑖 Région n
Trou + + + - - -
- - - - + + + + Electron
+ + + - - -
Ion (-) - - - - + + + + Ion (+)
+ + + + - - - +
- - - - + + + +
Paire électron-trou
 - -

Zone de transition 11
 Au voisinage du plan de la jonction, les porteurs majoritaires, en quittant leur région
d’origine par diffusion, y laissent des atomes non compensés qui se trouvent ionisés
positivement du côté n et négativement du côté p. Cette couche dipolaire engendre un champ
électrique noté ⃗⃗⃗
𝐸𝑖 , appelé champ interne, et dirigé de n vers p. Le champ créé va s’opposer au
mécanisme de diffusion qui lui a donné naissance en empêchant le passage des porteurs
majoritaires trous de p vers n et électrons de n vers p. Autrement, il favorise le passage des
porteurs minoritaires électrons de p vers n et trous de n vers p. Ce mouvement des porteurs
minoritaires crée un courant de conduction dirigé de n vers p.
A l’équilibre thermodynamique, les courants de diffusion et de conduction se
compensent. La zone proche du plan de la jonction, quasi-libre de porteurs mobiles et
contenant essentiellement des ions fixes est appelée zone de charge d’espace ou zone de
transition (ZT). L’existence du champ électrique dans cette zone dénote de la présence d’une
barrière de potentiel notée VD et appelée tension de diffusion ou potentiel interne.
Le champ électrique est nul dans les zones adjacentes à la ZT (ou régions quasi-
neutres); ainsi, le potentiel y est constant et noté Vn en région n neutre et Vp en région p
neutre. A l’équilibre de la jonction, on montre que :

kT N .N N .N
VD  Vn  V p  . ln A 2 D  U T . ln A 2 D
e ni ni

I.2 – Jonctions dissymétriques

Ce sont les jonctions dans lesquelles les dopages ND et NA des zones n et p,

respectivement, sont disproportionnés. Dans ce cas, la ZT s’étend essentiellement dans la
région la moins dopée. La région faiblement dopée est appelée la Base, et celle fortement
dopée constitue l’Emetteur. Ainsi :
- si NA>>ND, alors on a une jonction p+n ;
- si ND>>NA, alors on a une jonction n+p.

II- JONCTION P-N HORS D’EQUILIBRE

II.1 – Principe de fonctionnement en régime statique

L’équilibre de la jonction est rompu lorsqu’on applique au moyen d’une source

extérieure une d.d.p. continue V à ses bornes; on dit alors qu’on polarise la jonction. Il existe
deux modes de polarisation:

12
 a) Jonction polarisée dans le sens direct ou sens passant
Dans ce cas, le potentiel de la zone p est élevé par rapport à celui de la zone n:
V = Vp-Vn > 0 :
ZT

p ⃗⃗⃗
𝐸𝑖 n
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐸 𝑒𝑥𝑡
ID

+ -

V>0
La tension externe V engendre un champ électrique 𝐸 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑒𝑥𝑡 qui s’oppose à l’action du
⃗⃗⃗
champ interne 𝐸𝑖 ; la barrière de potentiel, de hauteur (VD-V), s’abaisse alors pour favoriser le
passage par diffusion des porteurs majoritaires à travers la jonction. L’équilibre est ainsi
rompu et il s’en suit un accroissement considérable des courants de diffusion. Le courant
résultant, appelé courant direct ou courant passant I D circulant de p vers n, a une allure
exponentielle. En fonctionnement normal, elle obéit à la loi suivante :
UT = (kT/e) est la tension thermique
V
eV
I D  I s .e UT
 I s . exp( ) A T = 300K, UT  26 mV
kT
Is = courant de saturation (de l’ordre de quelques nA)

b) Jonction polarisée dans le sens inverse ou sens bloquant

Dans ce cas, le potentiel de la zone n est élevé par rapport à celui de la zone p:
V = Vp-Vn < 0 :
ZT

p ⃗⃗⃗
𝐸𝑖 n
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝐸𝑒𝑥𝑡
Ii

- +

V<0
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
Ainsi, le champ électrique 𝐸 ⃗⃗⃗
𝑒𝑥𝑡 dû à V accroît l’action du champ interne 𝐸𝑖 ; la barrière
de potentiel, de hauteur (VD+|V|), s’élève alors pour empêcher le passage par diffusion des
porteurs majoritaires à travers la jonction. L’équilibre est ainsi rompu et il s’en suit une
réduction considérable des courants de diffusion. Le courant résultant, appelé courant inverse
ou courant bloquant Ii circulant de n vers p, résulte du déplacement des porteurs minoritaires

13
(courants de conduction) et demeure très faible. Il s’apparente au courant de saturation :
Ii  -Is.

c) Courant total de jonction

De façon générale, le courant traversant une jonction s’écrit :

V
eV
I  I s .(e UT
 1)  I s .[exp( )  1] Ainsi, l’allure de la caractéristique statique
kT
I = f(V) de la jonction se présente comme suit:
I (mA)

Polarisation
directe : V > 0

0
V (volts)
- Is
Polarisation
Inverse : V < 0

En pratique, en fonctionnement normal, l’évolution du courant direct n’est pas exponentielle.

En effet, quand le courant augmente, on ne peut plus négliger les chutes de tension dans les
régions quasi-neutres ; ceci explique en partie l’écart entre la courbe théorique (en trait plein)
et la courbe pratique (en tirets).
On déduit de cette caractéristique qu’en polarisation directe la résistance dynamique est très
faible, alors qu’elle est très forte en polarisation inverse. C’est sur cette forte dissymétrie que
repose la plupart des applications de la jonction pn.

II.2 – Phénomène de claquage

On considère la jonction polarisée en inverse ou dans le sens bloquant. Lorsqu’on fait

croître la tension de polarisation jusqu’à atteindre une valeur critique V R, appelée tension de
rupture ou de claquage, on observe une augmentation brutale du courant inverse ; sa valeur
devient quasi-indépendante de la tension de polarisation (voir figure ci-dessous).
I
VR
V

Claquage Ce phénomène dit de claquage de la jonction a deux origines:

14
 a) Claquage par avalanche
Lorsqu’on augmente de façon progressive la tension appliquée en inverse à une
jonction, le champ électrique de la zone de transition (ZT) croît et les porteurs minoritaires
qui transitent dans cette zone sont de plus en plus accélérés. Quand l’intensité du champ
atteint un certain seuil, les porteurs libres acquièrent une énergie cinétique suffisante pour
provoquer des ruptures de liaisons covalentes dans les collisions avec les atomes neutres du
réseau. Ces ruptures vont entraîner une production de porteurs libres (paires électron-trou)
supplémentaires. Les porteurs ainsi générés sont accélérés par le même champ électrique
intense et pourront à leur tour être à l’origine d’autres collisions ionisantes. Il en résulte un
phénomène cumulatif appelé phénomène d’avalanche, qui conduit à la création d’une
grande quantité de porteurs mobiles. Ce qui conduit à l’augmentation de l’intensité du courant
inverse.
En résumé, quand la tension d’avalanche VR est atteinte, il s’en suit une augmentation
considérable du courant inverse dont la valeur n’est plus contrôlée que par le processus de
chocs ionisants (collisions). La tension VR dépend du dopage (VR diminue quand le dopage
croît).
Le phénomène d’avalanche est donc un phénomène cumulatif de génération de
porteurs libres par chocs ionisants provoqués par les fortes polarisations inverses. C’est un
phénomène irréversible.

b) Claquage par effet Zener

Quand le champ inverse atteint une valeur critique E R, appelé champ de claquage, il
provoque le passage direct des électrons de la bande de valence à la bande de conduction par
rupture de liaisons covalentes entre atomes du réseau cristallin; ce qui conduit à la génération
importante de porteurs libres supplémentaires, d’où l’augmentation brutale du courant.
Le champ de claquage est lié au matériau semiconducteur (il est d’environ 5.10 5V/cm
pour le germanium et 106V/cm pour le silicium).
L’effet Zener est surtout observé dans les jonctions dissymétriques fortement dopées
(jonctions p+n et n+p, où |N| = |ND-NA| > 1017at/cm3). C’est un phénomène réversible.

II.3 – Etude dynamique

Il s’agit ici d’analyser les caractéristiques dynamiques de la jonction quand on lui

applique une tension de polarisation variable avec le temps; on se situe toujours dans le cas de
faibles perturbations.

a) Résistance ou conductance dynamique

Soit v la tension de polarisation que nous supposons très lentement variable avec le
temps (régime quasi-stationnaire) et I le courant traversant la jonction.

Toute variation v de la polarisation fera subir au courant une variation I. On définit la
conductance dynamique gd de la jonction par :

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 ∆𝐼 𝑑𝐼 1
𝑔𝑑 = lim = = , où rd désigne la résistance dynamique.
∆𝑣→0 ∆𝑉 𝑑𝑉 𝑟𝑑

On sait que I  I s .(e UT

 1) , ce qui conduit à : g  I  I s  I  eI  1
d
UT UT kT rd

gd est ainsi fonction du courant et de la température.

- En polarisation directe, la conductance gd est grande et la résistance rd faible (quelques
Ohms);

- En polarisation inverse, la résistance rd est très élevée (quelques Mégohms), et la jonction se

comporte comme un circuit ouvert.

b) Capacité statique ou de transition : CT

On considère la jonction polarisée en inverse sous la tension v. La zone de transition se
comporte comme un quasi isolant (diélectrique) d’épaisseur w, car elle est presque dépourvue
de porteurs libres. Cette zone comporte une double couche de charges statiques: +Q en région
n et –Q en région p, sous la d.d.p Vj = VD-v.

Pour toute variation Vj de la hauteur de barrière Vj, il s’en suit une variation w de
w, ce qui entraîne une variation Q de la charge d’espace Q. On assimile ce comportement
réactif en régime dynamique à celui d’un condensateur caractérisé par une capacité
différentielle, appelée capacité de transition, qu’on exprime au voisinage de la polarisation v0
Q dQ
par : CT  lim 
v j 0 v dv v0
j

Dans son étude, CT correspond à la capacité d’un condensateur plan d’épaisseur w0,
 .S
de section S et dont le diélectrique a une permittivité , d’où : CT  .
w0
Dans le cas d’une jonction abrupte, on a :
1/ 2
 2 N A  N D 
 .VD  V 1/ 2
e.S .N A .N D
Q .w avec w   .
N A  ND  e N A .N D 
1/ 2
 e N A .N D 
.VD  v0 
1 / 2
On déduit, au voisinage de la polarisation v0: CT  S . . 
 2 N A  ND 

En polarisation inverse, |v0|>>VD, ainsi CT  C.|v0|-1/2. Ce phénomène de variation de la

capacité en fonction de la tension de polarisation inverse est exploité dans les diodes varicap
utilisées notamment en haute fréquence (accord de circuits sélectifs).

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 c) Capacité de stockage ou de diffusion : CS
En polarisation directe, les phénomènes de diffusion entraînent un grand nombre de
porteurs dans les régions quasi-neutres (hors de la Z.T). Suite à la variation de la tension de
polarisation v, on assiste à un excès de porteurs minoritaires injectés, conduisant au stockage
de charge Qs.
Aux fréquences élevées, l’effet réactif des zones quasi-neutres est traduit par une
QS dQS
capacité dite de stockage, exprimée par : CS  lim 
v0 v dv
CS croît avec la tension de polarisation directe.

d) Schéma électrique équivalent de la jonction en régime dynamique

Des précédentes études, on déduit le schéma équivalent de la jonction en régime
alternatif. Il est constitué de l’association en parallèle de la conductance
dynamique gd, de la capacité de transition CT et de la capacité de diffusion CS :

CS

gd

CT

Remarque :

- En polarisation directe, l’influence de la capacité de transition est négligeable. Ainsi,

CS >> CT : le schéma équivalent se réduit à la conductance gd en parallèle avec CS.

- En polarisation inverse, la conductance gd est quasi-nulle et CS << CT : le schéma

équivalent se réduit à la capacité CT.

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