ELETRÔNICA PARA INICIANTE

TRANSITORES PROFESSOR BRUNO

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 INTRODUÇÃO
Introdução O transistor de junção bipolar (TJB) é um dos
componentes mais importantes e desafiadores do campo da
eletrônica.
Criado em 1947, por pesquisadores do Bell Labs, proporcionou o
desenvolvimento de circuitos muito menores e, portanto, a redução
no tamanho dos produtos.
Antes da criação do transistor, os circuitos eram produzidos
utilizando válvulas termodinâmicas, que têm os inconvenientes de
tamanho, consumo de energia e a necessidade de aquecimento de
seus filamentos para que o circuito comece a funcionar

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 O transistor resolveu estes problemas, além de aumentar a
velocidade de chaveamento e a resposta em frequência dos circuitos.
A minimização dos circuitos, proporcionada pelo uso do transistor,
permitiu o desenvolvimento de circuitos integrados (CIs).
O nome transistor foi derivado de suas propriedades intrínsecas
(TRANsfer reSISTOR, ou “resistor de transferência”).

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 ESTRUTURA E FUNCIONAMENTO
Como o transistor de junção bipolar surgiu do avanço de estudos
realizados em cima de diodos, em algumas situações, os conceitos
desenvolvidos para diodos serão utilizados no estudo dos
transistores. As principais similaridades entre diodos e transistores
são:
- Transistores e diodos são formados por junções PN que podem ser
polarizadas direta ou inversamente;
- Quando polarizada diretamente, a junção PN apresenta baixa
resistência. Nessa situação, existe fluxo de corrente em função da
diminuição da região de depleção. Tipicamente, a queda de tensão na
junção PN, para o silício, varia entre 0,6V e 0,8V;

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 - Quando polarizada inversamente, a junção PN apresenta alta
resistência, devido ao aumento da região de depleção. Assim, a
corrente que circula pela junção é extremamente baixa (corrente de
fuga).

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 ESTRUTURA INTERNA DO TRANSISTOR BIPOLAR
O transistor bipolar é montado numa estrutura de cristais
semicondutores, formado por duas camadas de cristais de mesmo tipo,
intercalada por uma camada do tipo oposto, que controla a passagem
de corrente entre as duas primeiras.
Cada camada recebe um nome, conforme seu papel no
funcionamento do transistor. Uma das extremidades recebe o nome de
emissor, por injetar portadores majoritários no dispositivo, a outra
extremidade é o coletor, que coleta os portadores majoritários do
dispositivo, e a camada central, chamada base, controla a corrente que
circula entre os dois terminais.

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 ESTRUTURA INTERNA DO TRANSISTOR BIPOLAR

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 A simbologia e estrutura simplificada dos dois tipos de transistores são:

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 A seta presente no símbolo do transistor identifica o terminal de
emissor e sua direção determina o tipo do transistor: no transistor
NPN, a seta aponta para o emissor, enquanto que no PNP, aponta para a
base. Ou seja, a seta sempre aponta para um cristal tipo N.

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 O cristal da base tem a menor espessura e menor nível de dopagem,
enquanto que o do coletor tem uma dopagem média e apresenta o
maior volume dentre os três cristais e o do emissor tem o maior nível
de dopagem.

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 PROCEDIMENTO PARA TESTES DE TJB
O transistor de junção bipolar possui duas junções PN: a junção
base-emissor (JBE) e a junção base-coletor (JBC). Assim, para propósito
de testes, os transistores de junção bipolares podem ser considerados
como dois diodos encapsulados em um dispositivo, conforme a figura
abaixo.

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 PROCEDIMENTO PARA TESTES DE TJB
Com um multiteste digital, na escala de diodo da função ohmímetro,
o transistor de junção bipolar deve conduzir somente em duas das seis
combinações possíveis, conforme a tabela:

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 PROCEDIMENTO PARA TESTES DE TJB
As indicações 0,7- e 0,7+ representam valores próximos a 0,7V, sendo
que o valor medido em 0,7+ sempre será maior que o medido em 0,7-.
Portanto, ao testar um transistor de junção bipolar, sem
conhecimento prévio de seu tipo e disposição dos terminais, o terminal
da base é identificado pelo terminal que conduz para os outros dois
quando em contato com uma determinada ponteira.
A cor da ponteira identifica o tipo do transistor: a ponteira vermelha
na base determina que o transistor seja NPN, enquanto que a preta
identifica um transistor PNP. Das medições realizadas, o coletor é
identificado pela medição de menor valor para a base.

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 PROCEDIMENTO PARA TESTES DE TJB

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 FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR
O funcionamento do transistor será analisado com base na estrutura
simplificada do transistor NPN. A análise do transistor PNP é similar,
considerando que os só mudam os portadores majoritários de elétrons
livres, no transistor NPN, para lacunas móveis, no PNP. Assim, as
tensões e correntes do transistor PNP são invertidas em relação ao
NPN.

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 FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR
As correntes de difusão nas junções do transistor produzem duas
camadas de depleção. Cada camada apresenta uma barreira de
potencial com valor em torno de 0,7V, para cristais de silício, a 25°C.
Devido aos diferentes níveis de dopagem de cada cristal, as camadas de
depleção têm larguras diferentes. Quanto menor a dopagem, maior a
largura da camada de depleção. Portanto, a camada é mais estreita no
emissor, mais larga na base e de largura intermediária no coletor.

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 FUNCIONAMENTO DO TRANSISTOR
Analisando cada junção isoladamente, a junção base-emissor
polarizada diretamente gera um grande fluxo de portadores
majoritários do emissor para a base. Já a junção base-coletor,
polarizada inversamente, tem sua zona de depleção aumentada,
impedindo a circulação de portadores majoritários, entretanto os
portadores minoritários atravessam a barreira com facilidade, gerando
uma corrente reversa de baixo valor.

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 Com as duas junções polarizadas simultaneamente, foi constatado
que o fluxo de portadores majoritários (que circulavam de emissor para
base), se dirige para o coletor, quase que na totalidade, devido a dois
fatores:
- O campo elétrico formado pela tensão entre coletor e base, atrai os
portadores majoritários provenientes do emissor para o coletor.
- Com o aumento da zona de depleção da junção base-coletor, a
resistência elétrica da base se eleva.

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 A corrente de base controla a tensão sobre a junção base-emissor,
que altera a largura da camada de depleção da junção base-coletor,
controlando assim o fluxo de portadores majoritários entre emissor e
coletor. A relação entre a corrente de coletor e de base é praticamente
constante, para um transistor operando em condições normais.

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 RELAÇÕES DE TENSÕES E CORRENTES EM TRANSISTORES

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 RELAÇÕES DE TENSÕES E CORRENTES EM TRANSISTORES

Pensando no transistor como um nó e utilizando a Lei das Correntes de

Kirchhoff, tem-se:

IE = IC + IB

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 RELAÇÕES DE TENSÕES E CORRENTES EM TRANSISTORES

Esta equação elementar vale tanto para transistores NPN quanto

para PNP. Em um transistor, a corrente de emissor (IE) sempre será a
maior corrente, a corrente de base (IB) sempre será menor e a corrente
de coletor (IC) tem um valor intermediário, tal que:

IE > IC > IB

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 RELAÇÕES DE TENSÕES E CORRENTES EM TRANSISTORES

Pela Lei das Tensões de Kirchhoff, temos as relações fundamentais das

tensões:

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 RELAÇÕES DE TENSÕES E CORRENTES EM TRANSISTORES
EXEMPLO:
DETERMINE OS VALORES DAS TENSÕES E CORRENTES PARA OS
TRANSISTORES ABAIXO:

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 EXEMPLO 1:
DETERMINE OS VALORES DAS TENSÕES E CORRENTES PARA OS
TRANSISTORES ABAIXO:

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 EXEMPLO 2:
DETERMINE OS VALORES DAS TENSÕES E CORRENTES PARA OS
TRANSISTORES ABAIXO:

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 ESPECIFICAÇÕES DO TRANSISTOR
Nos catálogos (DATASHEET) dos transistores, fornecidos por
fabricantes, um dos primeiros grupos de informações que devem ser
levados em consideração são os Valores Máximos (MAXIMUM RATINGS)
do dispositivo. Os mais importantes a considerar são

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 DATASHEET

Alguns catálogos são mais

completos e provêm dados
extras na forma de tabelas e
gráficos. Os gráficos são úteis
para a identificação de alguma
característica que varia em
função de algum parâmetro
(temperatura, corrente de
coletor, tensão entre coletor e
emissor, etc...)

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 ENCAPSULAMENTOS
Os encapsulamentos mais comuns para transistores são:
TO-126, TO-18, TO-220, TO-3 e TO-92.

TO-18 TO-92 TO-126 TO-220 TO-3

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 ENCAPSULAMENTOS
O encapsulamento tem relação direta com a capacidade de
dissipação de potência do transistor. Os transistores com
encapsulamento TO-92 e TO-18 são para aplicações de baixa potência.

TO-18 TO-92

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 ENCAPSULAMENTOS
Os encapsulamentos TO-126 e TO-220 são utilizados por transistores
de média potência e permitem a instalação do transistor em
dissipador de calor (fixação por parafuso pelo furo). Este furo passa por
um suporte metálico que dissipa o calor gerado nos cristais do
transistor. Este suporte metálico, quando acessível externamente tem
ligação com o coletor do transistor.

TO-126 TO-220
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 ENCAPSULAMENTOS
O encapsulamento TO-3, desenvolvido para montagem direta em
dissipador, apresenta somente dois terminais, pois sua carcaça
metálica externa é o terminal de coletor. Os transistores com
encapsulamento TO-3 tem grande capacidade de dissipação de
potência.

TO-3

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 ENCAPSULAMENTOS
Os encapsulamentos descritos anteriormente são de tecnologia
thru-hole (através do furo), ou seja, os transistores são montados em
furos da placa de circuito impresso e soldados em sua outra face

TO-18 TO-92 TO-126 TO-220 TO-3

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 ENCAPSULAMENTOS
A outra tecnologia, muito comum hoje em dia, é a SMD (Surface
Mounted Device, ou seja: dispositivos montados em superfície) em que
o componente é montado do mesmo lado da soldagem na placa de
circuito impresso, não havendo a necessidade de furar a placa. Os dois
encapsulamentos mais comuns de transistores SMD são o SOT-23 e
WDFN-3.

SOT-23
WDFN-3

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 ENCAPSULAMENTOS
A outra tecnologia, muito comum hoje em dia, é a SMD (Surface
Mounted Device, ou seja: dispositivos montados em superfície) em que
o componente é montado do mesmo lado da soldagem na placa de
circuito impresso, não havendo a necessidade de furar a placa. Os dois
encapsulamentos mais comuns de transistores SMD são o SOT-23 e
WDFN-3.

SOT-23
WDFN-3

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 CONFIGURAÇÕES
Para que um transistor opere com amplificador, deveria ter 4
terminais: 2 para a entrada e 2 para a saída. Por possuir 3 terminais,
um deles é comum à entrada e à saída.
Observe que, indiferente da configuração utilizada, a base sempre
está ligado à entrada e o coletor à saída.

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 BASE COMUM
Nessa configuração, os terminais base e emissor são utilizados na
entrada do circuito e as saídas são os terminais de coletor e base.

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 BASE COMUM

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 BASE COMUM

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 BASE COMUM

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 BASE COMUM

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 COLETOR COMUM
Na configuração coletor comum, a base é o terminal de entrada, o
emissor o de saída e o coletor é comum a ambos.

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 COLETOR COMUM

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 COLETOR COMUM

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 COLETOR COMUM

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 EMISSOR COMUM
Nesta configuração, os terminais de entrada são base e emissor e os
de saída são coletor e emissor.

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 EMISSOR COMUM

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 EMISSOR COMUM

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 EMISSOR COMUM

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 RELAÇÕES ENTRE OS GANHOS

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 REGIÕES DE OPERAÇÃO
Na descrição de funcionamento do transistor, foi mencionado que
JBE deve ser polarizada diretamente e JBC inversamente. Isto é
verdade para a operação como amplificador. Entretanto, o transistor
pode ser polarizado de outras formas que permitem sua utilização em
outras aplicações.

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 REGIÃO ATIVA
A região ativa é caracterizada pela polarização direta de JBE e
reversa de JBC.

Quando o transistor está na região ativa, a relação entre a corrente

de coletor e a de base (ganho de corrente β) é praticamente linear e
constante. A principal aplicação do transistor na região ativa é como
amplificador de pequenos sinais.

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 REGIÃO DE SATURAÇÃO
Para que o transistor opere na região de saturação, as duas junções
devem estar polarizadas diretamente.

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 REGIÃO DE SATURAÇÃO

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 REGIÃO DE SATURAÇÃO

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 REGIÃO DE CORTE

Como as junções estão polarizadas inversamente, o fluxo de

corrente nas junções é extremamente baixo (correntes de fuga).
Idealmente, a corrente entre coletor e emissor deveria ser nula. A
região de corte é utilizada para que o transistor funcione como chave
aberta, complementando a região de saturação, para que o transistor
opere como chave.

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 REGIÃO DE CORTE

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 REGIÕES DE OPERAÇÃO
EXERCÍCIO
Calcule Ib, Ic e Vc dos circuitos abaixo, para VBE=0,65V, e determina a
região em que o transistor está operando.

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