UNIVERSIDAD GRUPO CEDIP S.C.

APUNTES DE LA MATERIA DE:

CIRCUITOS ELECTRICOS

ASESOR: ING. JOSE DE JESUS RAMIREZ RUBIO

FEBRERO DEL 2021

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CIRCUITOS ELECTRICOS

DIVISION CARRERA MATERIA

INGENIERIA MECANICA Y
INGENIERIA AUTOMOTOR CIRCUITOS ELECTRICOS
CUATRIMESTRE CLAVE MATERIA

REQUISITO MATERIA 4º
ACADEMICO CONSECUENTE
ELECTRONICA II
TOTAL HORAS HRS. PRACTICAS

PLAN DE ESTUDIOS FECHA DE

Cuatrimestral ELABORACION
ELABORADO POR:

I.S.C. ING. JOSE DE JESUS RAMIREZ RUBIO

OBJETIVO:
Al finalizar el curso el alumno estará capacitado para distinguir los distintos tipos de
semiconductores, diodos rectificadores, diseñar y construir fuentes no reguladas
reguladas, así como conocer el funcionamiento del transistor.

UNIDAD I. TEORIA DE SEMICONDUCTORES.

1.1. Conductores, semiconductores y aisladores.
1.2. Semiconductores intrínsecos.
1.3. Impurificación de un semiconductor.
1.4. Creación de semiconductores extrínsecos (cristal tipo N y tipo P).

UNIDAD II. DIODO SEMICONDUCTOR RECTIFICADOR.

2.1. Construcción del diodo.
2.2. Operación de polarización directa e inversa.
2.3. Curva del diodo.
2.4. Características del diodo.

UNIDAD III. CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES.

3.1. Rectificación monofásica de media onda.
3.2. Rectificación monofásica de onda completa.
3.3. Multiplicadores de voltaje.

UNIDAD IV. FILTROS.

4.1. Filtros capacitivos.
4.2. Filtros de sección RC.
4.3. Filtros de sección LC.
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UNIDAD V. REGULADORES DE VOLTAJE.

5.1. Definición.
5.2. Reguladores de voltaje con C.I.
5.3. Reguladores de voltaje fijos.
5.4. Reguladores voltaje variables.

UNIDAD VI. FUENTES DE PODER.

6.1. Definición.
6.2. Diseño y construcción de una fuente de poder no regulada.
6.3. Diseño y construcción de una fuente de poder regulada.

UNIDAD VII. DIODOS PARA APLICACIONES ESPECIALES.

7.1. Diodo Zener.
7.2. Diodo Schottky.
7.3. Varactores.
7.4. Varistores.

UNIDAD VIII. EL TRANSISTOR BIPOLAR

8.1. Construcción y clasificación de un transistor.
8.2. Operación de un transistor bipolar.
8.3. Operación de un transistor sin polarizar.
8.4. Operación de un transistor polarizado.
8.5. Curvas de operación.
8.6. Tipos de polarización.

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 BIBLIOGRAFÍA

 ROBERT F. COUGHLIN AND FREDERICK F. DRISCOLL. Amplificadores

Operacionales y circuitos Integrados Lineales. 5 ta. edición. Prentice Hall.

 ROBERT BOYLESTAD & LOUIS NASHELSKY. Electronica: Teoría de

Circuitos. 5ta. edición. Prentice Hall

Ver sitios:

http://cpi.ing.uc.edu.ve/Electronica/capitulo4/default.htm

http://www.doschivos.com/trabajos/tecnologia/821.htm

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://www.pablin.com.ar/electron/circuito/instlab/probtran/index.htm

http://www.hispavila.com/3ds/lecciones/lecc3part2.htm

http://www.profesormolina.com.ar/circuitos/categorias.php?codigo=3

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 UNIDAD I. TEORÍA DE SEMICONDUCTORES

1.1. Conductores, semiconductores y aisladores.

Los semiconductores sirven como materiales básicos para construir componentes

electrónicos muy importantes estos componentes se emplean a su vez para construir
circuitos y equipos electrónicos. Los tres dispositivos más comúnmente empleados son
los diodos, transistores y circuitos integrados.

La principal función de los dispositivos semiconductores en los equipos electrónicos es

controlar las corrientes o voltajes de tal forma que produzcan un resultado final
deseado.

Los dispositivos semiconductores son componentes sumamente pequeños y ligeros

que solamente consumen una pequeña cantidad de potencia, son eficientes y seguros.
Los tubos de vacío que solían usarse mucho en prácticamente todos los equipos
electrónicos, han sido casi totalmente reemplazados por los dispositivos
semiconductores más modernos y mejores.

Los componentes hechos con materiales semiconductores se denominan componentes

de estado sólido porque están formados por materiales sólidos. Debido a esta
construcción de estado sólido, estos componentes presentan ventajas sobre los tubos
de vació las cuales se describen a continuación: son más robustos (no se dañan al
caer, golpearlos, etc.), son mucho más baratos (debido a la fabricación en serie, la cual
resulta en precios mucho más bajos), no necesitan tiempo de calentamiento (funcionan
en el momento que reciben la energía eléctrica), pueden trabajar con bajos voltajes (por
ejemplo, 1 a 50 V), y por último, son componentes de pequeño tamaño lo cual los
hacen adecuados para su empleo en equipos electrónicos portátiles.

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Como se mencionó los componentes de estado sólido tienen muchas ventajas, pero
también tienen ciertas desventajas inherentes. En primer lugar, los componentes de
estado sólido son muy susceptibles a los cambios de temperatura y podrán dañarse si
operan a temperaturas sumamente elevadas. Los componentes de estado sólido
pueden dañarse fácilmente si se excede de sus límites de disipación de potencia y
podrán dañarse ocasionalmente cuando se invierta la polaridad del voltaje de
alimentación.

A pesar de las varias desventajas que acabamos de mencionar, los componentes de

estado sólido continúan siendo los dispositivos más eficientes y seguros que existen.
Se emplean en todos los nuevos diseños de equipos y se están hallando
constantemente nuevas aplicaciones para estos dispositivos en los campos militar,
industrial y del consumidor. El continuo uso de materiales semiconductores para
construir nuevos y mejores componentes de estado sólido está totalmente asegurado
gracias al constante refinamiento de las técnicas empleadas para poder obtener
componentes de mayor calidad a menor costo.

Los semiconductores han tenido un profundo efecto en el diseño y aplicación de los

equipos electrónicos. No sólo han mejorado enormemente los equipos y técnicas
existentes al hacerlos mejores y más baratos, sino que también nos han permitido
hacer cosas que antes no eran posibles. Los semiconductores han revolucionado la
industria electrónica y continuarán aportando un potencial aún mayor.

Materiales semiconductores

La palabra semiconductor por sí misma proporciona una idea en cuanto a las

características de este dispositivo. El prefijo semi se aplica por general a una gama de
nivel que encuentran a la mitad entre dos límites.

Conductor: el término conductor se aplica a cualquier material que soporte un flujo de

carga (corriente eléctrica) considerable cuando se aplica una fuente de voltaje de
magnitud limitada a través de sus terminales.

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Semiconductor: es un material que tiene un nivel de conductividad que no deja pasar
tan fácilmente el flujo de carga ni bloquea el flujo de carga tan efectivamente como un
aislador.

Aislante: es un material que se opone al flujo de carga cuando se aplica una fuente de
voltaje.

Un material que presente un mayor nivel de conductividad presentará un menor nivel de

resistencia lo cual permitirá un mayor flujo de carga cuando se aplica una fuente de
voltaje.

La resistencia de un material se determina a partir de la resistividad (representada por

la letra , rho) ya que entre menor sea ésta, menor será la resistencia que presente un
material de área 1 m2 y de longitud 1 m.

Las unidades en que se mide la resistividad es comúnmente en - m. La ecuación para

determinar la resistencia de un material en función de la resistividad es:

Figura 1.1. Definición de la resistencia de un material.

Los valores típicos de resistividad de algunos materiales se presentan en la tabla 1.1.

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 CONDUCTOR SEMICONDUCTOR AISLANTE

=50 cm (germanio)

=10 – 6 cm =10 12 cm
(cobre) (mica)
= 50 x 10 3 cm (silicio)

Tabla 1.1.

Los materiales semiconductores que mejor sirven para la mayoría de las aplicaciones
electrónicas son el germanio y el silicio. En años recientes la tendencia se ha desviado
firmemente hacia el silicio, alejándose un poco del germanio, pero éste se sigue
produciendo aunque en menor cantidad.

El germanio es un elemento terroso de color blanco grisáceo que fue descubierto en

1886. Este material puede recuperarse de cenizas de cierto tipos de carbones en forma
de bióxido de germanio en polvo. Este polvo puede entonces reducirse a germanio puro
que tiene forma sólida.

El silicio es un elemento no metálico que fue descubierto en 1823. Este material se

halla en grandes cantidades en la corteza terrestre. El bióxido de silicio (llamado
también sílice) es un compuesto blanco y algunas veces incoloro que abunda en forma
de arena, cuarzo, ágate y pedernal. Estos compuestos de silicio pueden reducirse
químicamente para obtener silicio puro que es de forma sólida. Estos dos materiales
tienen estructuras atómicas que pueden alterarse fácilmente para obtener
características eléctricas específicas.

Una vez obtenido el material puro (se reducen las impurezas en el material hasta en 1
parte en 10 mil millones), tiene que modificarse (doparse o agregar impurezas) para
darle las cualidades necesarias para construir un dispositivo semiconductor para una
aplicación dada.

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Átomos y cristales de germanio y silicio

En esta sección vamos a examinar la estructura atómica del germanio y del silicio, que
tienen características intermedias entre las de los conductores y aisladores, y
hallaremos la razón por la cual a estos materiales se les denomina semiconductores.

 Átomos semiconductores

Antes de que examinemos la estructura de los átomos y cristales del germanio y silicio,
vamos a considerar ciertas reglas importantes referentes al número y ubicación de los
electrones que giran alrededor del núcleo de todos los átomos. Los átomos contienen
tres componentes básicos: protones, neutrones y electrones. Los protones y neutrones
se hallan en el núcleo o centro del átomo, mientras que los electrones giran en órbitas
alrededor del núcleo. El átomo de cada elemento tendrá un número específico de
protones en su núcleo y una cantidad igual de electrones en órbita si el átomo es neutro
(no tiene carga). No obstante, la forma exacta en que van dispuestos los electrones
alrededor del núcleo es sumamente importante al determinar las características
eléctricas del elemento. En general, cada electrón tiene su propia órbita pero ciertas
órbitas se agrupan para producir una capa.

Todos los elementos conocidos solamente tienen un máximo de siete capas, La capa
más próxima al núcleo solamente tiene dos electrones, mientras que la segunda capa
puede llevar un máximo de 8 electrones, la tercera capa no puede tener más de 18
electrones y la cuarta un máximo de 32, y así sucesivamente. La capa exterior de un
átomo dado se denomina capa de valencia y los electrones que orbitan en esta capa
se denominan electrones de valencia.

En un átomo dado, la capa exterior no puede jamás tener más de 8 electrones. Cuando
la capa exterior contenga exactamente 8 electrones, el átomo se considera que es
totalmente estable y no cederá ni aceptará entonces electrones con facilidad.

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Los elementos que tienen átomos de este tipo son: el helio, neón, argón, kriptón, xenón
y radón. Estos elementos se clasifican como gases inertes y se resisten a cualquier tipo
de actividad eléctrica o química.

aisladores

Cuando un átomo tiene 5 o más electrones en su capa exterior, trata de llenarla para
alcanzar el estado estable. El estado estable se alcanza cuando el átomo llena con 8
electrones su capa exterior. Los átomos de este tipo son buenos aisladores debido a
que los átomos individuales tratan de adquirir electrones en lugar de cederlos. Los
átomos aisladores se opondrán a la producción de electricidad debido a su tendencia a
atrapar cualesquiera electrones que puedan ser liberados. Por consiguiente, estos
átomos se oponen al movimiento de electrones de un átomo a otro. Los átomos con
siete electrones de valencia, son los que tratan más activamente de llenar la capa de
valencia y constituyen excelentes aisladores. (por ejemplo: vidrio, hule, cerámica,
plásticos, mica, etc.)

conductores

Cuando un átomo tiene menos de 4 electrones, su capa exterior cede estos electrones
con facilidad. Los elementos que tienen átomos de este tipo son buenos conductores
debido a que contienen un gran número de electrones libres que pueden desplazarse
de un átomo a otro. Los átomos de los conductores tienen 1 ó 2 electrones de valencia.
Los que sólo tienen 1 electrón de valencia, son los mejores conductores eléctricos. (por
ejemplo: cobre, plata, oro, etc.)

semiconductores

Cuando un átomo contiene exactamente 4 electrones es su capa exterior, no acepta ni

cede electrones con facilidad.

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Los elementos que contienen átomos de este tipo no son ni buenos aisladores ni
buenos conductores, denominándose por tanto semiconductores. Algunos ejemplos
son: el germanio, silicio, carbón, selenio, etc.

Los dos materiales semiconductores más comúnmente empleados en la construcción

de transistores y otros tipos de componentes afines son el germanio y el silicio. Estos
dos materiales están compuestos por átomos que tienen 4 electrones es sus capas
exteriores o de valencia.

En la figura 1.2 se muestra un átomo de germanio. Observe que el átomo de germano

tiene cuatro capas y la distribución de los electrones desde la primera capa a la capa
exterior es de 2, 8, 18 y 4. Por consiguiente, giran un total de 32 electrones alrededor
del núcleo del átomo y el centro o núcleo del átomo contiene un total de 32 protones.

Figura 1.2. El átomo de germanio.

En la figura 1.3 se muestra un átomo de silicio. Observe que este átomo tiene
solamente tres capas y la distribución de los electrones desde la primera capa a la capa
de valencia es 2, 8 y 4. El átomo tiene un total de 14 electrones que giran alrededor de
su núcleo y un total de 14 protones en el núcleo.

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 Figura 1.3. El átomo de silicio.

El factor importante que hay que considerar al examinar la estructura de los átomos de
germanio y silicio es que estos dos átomos tienen exactamente 4 electrones de
valencia. Si bien estos dos átomos contienen electrones adicionales, son los electrones
de valencia los que determinan la facilidad relativa con que puede fluir corriente
eléctrica a través de los materiales de germanio y silicio.

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1.2. Semiconductores intrínsecos.

Los átomos individuales en un material semiconductor tal como el germanio están

configurados como se muestra en la figura 1.4. Cada átomo comparte sus cuatro
electrones de valencia con 4 átomos próximos, como se muestra. Esta forma de
compartir los electrones crea una unión que retiene los átomos entre sí. Esta unión de
pares de electrones de denomina unión covalente (enlace covalente) y se produce
debido a que cada uno de los átomos en la estructura trata de tomar electrones
adicionales para llenar su capa de valencia con ocho electrones. El resultado final es
una estructura de espectro reticular que se denomina red cristalina.

Los átomos de silicio se combinan de la misma forma que los átomos de germanio para
formar el mismo tipo de estructura cristalina que se muestra en la figura 1.4. Los
átomos de silicio mantienen uniones covalentes lo mismo que los átomos de germanio.

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 Figura 1.4. Estructura cristalina del átomo de germanio.

Las redes cristalinas de germanio y silicio que acabamos de describir carecen de

impurezas, son por tanto materiales puros (se reducen las impurezas en el material
hasta en 1 parte en 10 mil millones) o ideales. Estos cristales se denominan materiales
intrínsecos. La construcción de los componentes de estado sólido, tales como los
transistores, se basa en el empleo de estos materiales semiconductores puros o
intrínsecos.

Los materiales semiconductores intrínsecos son aquellos que se han refinado con todo
cuidado para reducir las impurezas a un nivel muy bajo (en esencia con una pureza tan
alta como la que puede obtenerse con la tecnología moderna).

Los materiales semiconductores puros, también tienden a ser buenos aisladores, pero
eso sólo ocurre a la temperatura de cero absoluto (0 °K), porque a temperaturas altas y
aún a la temperatura ambiente normal, la energía ocasiona la liberación de numerosos
electrones de valencia de manera que el material se comporta como semiconductor.

El incremento de electrones de valencia libres aumentará el índice de conductividad y

como resultado se producirá un nivel menor de resistencia.

Los materiales semiconductores como el germanio y el silicio, que muestran una

reducción de la resistencia con el aumento de la temperatura, se dice que tienen un
coeficiente negativo de temperatura.

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1.2. Impurificación de un semiconductor.

Materiales extrínsecos

Los materiales semiconductores puros a temperatura ambiente contienen solamente un

pequeño número de electrones de valencia libres lo que permite un pequeño flujo de
carga. No obstante, puede incrementarse la conductividad de estos materiales en forma
considerable por un proceso de adición de impurezas o dopado. Los materiales
semiconductores puros tales como el germanio y el silicio se dopan añadiendo otros
materiales, denominados impurezas (se agregan impurezas hasta en 1 parte en 10
millones), durante el proceso de fabricación. Básicamente, existen dos tipos de
impurezas que se añaden a los cristales de germanio y de silicio. El primer tipo de
impureza se denomina material pentavalente debido a que está compuesto por átomos
que tienen cinco electrones de valencia. El segundo tipo de impureza se denomina
material trivalente debido a que los átomos en este material tienen tres electrones
libres.

Un material semiconductor puro que se ha sometido a la adición de impurezas o

dopado se denomina material extrínseco.

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1.4. Creación de semiconductores extrínsecos (tipo n y p).

Materiales extrínsecos tipos n y p

Hay dos materiales extrínsecos de importancia invaluable para la fabricación de

dispositivos semiconductores: el tipo n y el tipo p. Cada uno se describirá con cierto
detalle más adelante.

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 Material tipo n

El material tipo n se forma añadiendo a un material semiconductor puro elementos de

impurezas que tengan cinco electrones de valencia (pentavalentes), como el antimonio,
arsénico y fósforo.

Cuando un material semiconductor puro, tal como el germanio o el silicio, se dopa con
un material pentavalente tal como el arsénico, parte de los átomos en el material
semiconductor se reemplazan por átomos de arsénico. Este material tendrá una
estructura cristalina como se muestra en la figura 1.5. Obsérvese que el átomo de
arsénico ha reemplazado a uno de los átomos de germanio o silicio y comparte cuatro
de sus electrones de valencia con átomos adyacentes en unión covalente. No obstante,
su quinto electrón de valencia tiene una unión débil con su átomo padre y puede
liberarse con facilidad. Debido a que el átomo de arsénico ha donado un electrón
adicional al cristal semiconductor, se le denomina átomo donador. Al existir muchos
átomos donadores en el material semiconductor, existirán también muchos electrones
libres o adicionales en dicho material. Debido a la presencia de estos electrones
adicionales con carga negativa en el cristal de germanio o silicio dopados, el material se
denomina tipo n (tipo negativo).

Figura 1.5. Material semiconductor dopado con arsénico.

En un material tipo n el electrón se denomina portador mayoritario y el hueco, portador

minoritario.

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Si se aplica un voltaje a un semiconductor tipo n, como se muestra en la figura 1.6, los
electrones libres que han sido contribuidos por los átomos donadores fluirán hacia el
terminal positivo de la batería. No obstante, también fluirán algunos electrones libres
adicionales hacia el terminal positivo.

Estos electrones libres adicionales se producen al separase los electrones de sus

uniones covalentes para crear pares de electrones-huecos, siendo esta acción idéntica
a la que tiene lugar en un material semiconductor puro. Los huecos correspondientes
que se producen se trasladan entonces hacia el terminal negativo.

Figura 1.6. Conducción en un material semiconductor tipo n.

 Material tipo p

El material tipo p se forma añadiendo a un material semiconductor puro elementos de

impurezas que tengan tres electrones de valencia (trivalentes), como el boro, indio y
galio.

Cuando un material semiconductor puro se dopa con material trivalente tal como el
galio, parte de los átomos en el semiconductor se reemplazarán por átomos de galio. La
estructura cristalina de este material se muestra en la figura 1.7. Observe que el átomo
de galio comparte sus tres electrones con tres átomos adyacentes debido a que
solamente tiene tres electrones de valencia. El electrón que falta crea un hueco en la
unión covalente como se indica. La ausencia de carga en este hueco aceptará de
inmediato un electrón libre, por lo que estos átomos reciben el nombre de átomos
aceptores. Debido a que se añaden muchos átomos de galio al material semiconductor,

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se hallará presente un gran número de estos huecos en el material y se comportarán
como partículas de carga positiva que se deslizan libremente. Debido a la presencia de
estos huecos adicionales, el material dopado se denomina semiconductor tipo p (tipo
positivo).

Figura 1.7. Material semiconductor dopado con galio.

Los huecos adicionales permiten que los electrones se muevan fácilmente para
ocuparlos y podrán por tanto deslizarse los electrones de una unión covalente a la
próxima. Debido a que los huecos aceptan fácilmente los electrones, los átomos de
impurezas que proveen estos huecos se denominan átomos aceptores. Estos átomos
aceptores permanecen fijos en la estructura cristalina del semiconductor, si bien los
huecos se mueven libremente.

En un material tipo p el hueco se denomina portador mayoritario y el electrón, portador

minoritario.

Si se aplica un voltaje a un semiconductor tipo p como se muestra en la figura 1.8, los

huecos provistos por los átomos aceptores se desplazan desde el terminal positivo al
negativo. Estos huecos se desplazan lo mismo que se explicó anteriormente. En otras
palabras, al saltar cada electrón a un hueco se crea otro hueco en su lugar y debido a
que los electrones se ven atraídos hacia el terminal positivo, los huecos se desplazan
en la dirección opuesta.

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 Figura 1.7. Conducción en un material semiconductor tipo p.

Además de los huecos provistos por los átomos aceptores, se producen muchos
huecos adicionales en el material semiconductor tipo p. Estos huecos se producen al
soltarse los electrones de uniones covalentes para firmar pares de electrones-huecos,
produciéndose por tanto de la misma que los huecos que aparecen en un
semiconductor puro. Estos huecos adicionales se ven también atraídos hacia el terminal
negativo, mientras que los correspondientes electrones se atraen hacia el terminal
positivo.

Es importante observar que los materiales semiconductores que acabamos de describir

se denominan semiconductores tipo n y tipo p debido a que los portadores mayoritarios
en estos materiales son electrones y huecos, que tienen respectivamente cargas
negativas y positivas. Los materiales tipo n y tipo p no tienen por sí mismos una carga.
En realidad, ambos materiales son eléctricamente neutros. Se debe esto a que cada
átomo en cada tipo de material tiene el mismo número de electrones y protones.
Asimismo, el movimiento de los huecos y electrones no produce ninguna carga en estos
materiales.

Es importante también comprender que los semiconductores tipo n y tipo p tienen una
conductividad mucho más elevada que los semiconductores puros. Asimismo, la
conductividad de estos materiales podrá incrementarse o reducirse simplemente
añadiendo más o menos impurezas. En otras palabras, cuanto más impurezas se
añadan a un semiconductor (cuanto más dopado éste) menor será su resistencia
eléctrica.

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 UNIDAD II. DIODO SEMICONDUCTOR

2.1. Construcción del diodo.

Como ya hemos visto en la unidad anterior, un semiconductor puro o intrínseco puede

doparse (agregar impurezas) con un material pentavalente o trivalente para obtener dos
tipos básicos de materiales semiconductores. Estos semiconductores dopados se
denominan materiales tipo n y tipo p debido a que los portadores mayoritarios en los
mismos son los electrones o los huecos, respectivamente. Las designaciones tipo n y
tipo p no indican que los materiales tienen cargas negativas o positivas. En realidad,
ambos tipos son eléctricamente neutros debido a que los átomos en cada
semiconductor, incluyendo los átomos de impureza, contribuyen la misma cantidad de
protones y electrones a los correspondientes materiales. Aún cuando parte de los
electrones y huecos puedan moverse libremente en forma fortuita, los materiales
semiconductores no adquieren una carga eléctrica general.

Iones

Si bien los semiconductores tipo n y tipo p son eléctricamente neutros, dentro de cada
tipo de material semiconductor si existen cargas eléctricas independientes. Por ejemplo,
cada vez que un átomo cede un electrón pierde una carga negativa y queda
eléctricamente desequilibrado. En otras palabras, los protones positivos en el núcleo del
átomo son más numerosos que los electrones que giran alrededor del núcleo,
quedando por tanto el átomo con una carga positiva. Asimismo, cuando un átomo
neutro adquiere un electrón adicional, tendrá más electrones negativos que protones
positivos y queda por tanto con una carga negativa. Estos átomos eléctricamente
cargados se denominan iones. Un átomo con carga positiva se denomina por tanto un
ion positivo, mientras que un átomo con carga negativa se denomina ion negativo.

Los huecos y electrones libres que se desplazan a través de los semiconductores

también poseen cargas positivas y negativas, respectivamente. No obstante, debido a
que estas cargas se desplazan, se denominan cargas móviles. En un semiconductor del

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tipo n o tipo p, existe igual número de cargas móviles y cargas iónicas y al ser estas
iguales y opuestas, el material semiconductor permanece eléctricamente neutro.

En la figura 2.1 se muestra una ilustración simplificada de la estructura interna de los

semiconductores tipo n y tipo p. El semiconductor tipo n está dopado con una impureza
pentavalente y contiene por tanto muchos átomos donadores que contribuyen con
electrones libres, los cuales se desplazan a través del material. Los átomos donadores
toman cargas positivas y se convierten en iones positivos cuando liberan electrones.
Estos se representan con el signo más en un pequeño circulo, como se muestra. Los
electrones libres que acompañan a los átomos donadores se representan por el signo
menos.

Figura 2.1. Semiconductores dopados.

El semiconductor tipo p está dopado con una impureza trivalente y contiene por tanto
muchos átomos aceptores. Estos átomos aceptan con facilidad electrones del material
semiconductor y se convierten en átomos con cargas negativas o iones negativos. Los
átomos aceptores con cargas negativas se representan con el signo menos en un
pequeño circulo, como se muestra en la figura.

Los huecos creados por estos átomos actúan como si fuera partículas con carga
positiva y se representan por el signo mas. Representando de esta forma los
semiconductores dopados resulta relativamente fácil analizar la acción que tiene lugar
al combinarse para formar diodos u otros tipos de componentes de estado sólido.

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Diodos de unión

Anteriormente, se presentaron los materiales tipo n y tipo p. El diodo semiconductor se

forma uniendo simplemente estos materiales (construidos a partir del mismo material
base, germanio o silicio) como se muestra en la figura 2.2. Al entrar en contacto estos
materiales dopados opuestos, se forma una unión en el punto de encuentro. Estos
diodos se denominan diodos de unión y pueden ser de silicio o germanio. Al formarse la
unión tiene lugar una acción singular.

Figura 2.2. Características de una unión pn.

Región de Agotamiento: Las cargas móviles, los electrones libres y los huecos
próximos a la unión se atraen fuertemente y se desplazan por tanto hacia la unión. Las
cargas acumuladas a cada lado de la unión sirven para incrementar la atracción aún
más. Eventualmente, parte de los electrones libres cruzan la unión y llenan parte de los
huecos en el material tipo p. Al cruzar la unión los electrones libres, el material tipo n
queda agotado de electrones en la proximidad de la unión. Al mismo tiempo, los huecos
en el material tipo p se llenan y dejan de existir.

Esto significa que en el material tipo p se agotan también los huecos cerca de la unión.
Esta región próxima a la unión en que se agotan los electrones y huecos se denomina
región de agotamiento. La región de agotamiento se extiende en una distancia muy
corta a cada lado de la unión, como se muestra en la figura 2.2.

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Es importante recordar que los electrones libres y los huecos son los portadores
mayoritarios de los materiales semiconductores tipo n y tipo p. Por consiguiente, no
existen portadores mayoritarios en la región de agotamiento. Asimismo, es importante
observar que los materiales tipo n tipo p ya no son neutros, es decir, tienen una carga.
En otras palabras, el material tipo n ha perdido electrones libres y esto ha resultado en
que los átomos donadores positivos (iones) sean más numerosos que los electrones
libres. Por consiguiente, el material tipo n tendrá una carga positiva cerca de la unión. El
material tipo p ha perdido huecos y esto significa que los átomos aceptores con carga
negativa (iones) serán más numerosos que los huecos. Por consiguiente, el material
tipo p tendrá una carga negativa cerca de la unión. Esto resulta en que existirán ahora
cargas opuestas a cada lado de la unión.

La región de agotamiento no continúa ampliándose hasta que se agoten los portadores

mayoritarios en los materiales tipo n y tipo p. En su lugar, la combinación de electrones
y huecos en la unión cesa muy rápidamente. Por consiguiente, la región de agotamiento
será relativamente pequeña. El tamaño de la región de agotamiento está limitada por
las cargas opuestas que se forman a cada lado de la unión. La carga negativa que se
acumula en el material tipo p llegará eventualmente a ser lo suficientemente grande
para repeler los electrones libres e impedir así que crucen la unión. La carga positiva
que se acumula en el material tipo n también ayuda a detener el flujo de los electrones
libres, atrayéndolos y reteniéndolos de forma que no puedan cruzar la unión.

Tensión de barrera: Las cargas opuestas que se forman a cada lado de la unión crean
una diferencia de potencial o tensión. Esta diferencia de potencial limita en efecto el
tamaño de la región de agotamiento al impedir que continúe la combinación de los
electrones y huecos. Esto se denomina barrera de potencial o tensión de barrera. Si
bien existe esta tensión de barrera en la unión pn, su efecto puede representarse por
una batería externa como se muestra en la figura 2.3.

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 Figura 2.3. Tensión de barrera en una unión pn.

La tensión de barrera producida en una unión pn suele ser generalmente de varías

décimas de voltio. Esta tensión es siempre más alta en las uniones pn de silicio que en
las uniones pn de germanio. Por ejemplo, una unión pn a base de germanio dopado
tendrá una tensión típica de barrera de 0.3 V mientras que una unión pn a base de
silicio dopado tendrá una tensión típica de barrera de 0.7 V. Si bien existe la tensión de
barrera en el interior del diodo de unión y no puede por tanto medirse directamente, su
presencia se hace evidente cuando se aplica una fuente de voltaje externa.

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2.2. Operación de polarización directa e inversa.

Cuando se emplean diodos en circuitos eléctricos o electrónicos se hallan sometidos a

diversas corrientes y voltajes. Las polaridades y amplitudes de las corrientes y voltajes
deben ser tales que tenga lugar la acción correcta del diodo. Los voltajes que se aplican
a un diodo semiconductor se denominan voltajes de polarización. Vamos a ver cómo
estos voltajes afectan y controlan el funcionamiento del diodo.

 Polarización directa

Al someter un diodo de unión pn a un voltaje externo suficientemente alto (V) como se

muestra en la figura 2.4, el dispositivo funcionará en una forma un tanto diferente.
Observe que los terminales negativo y positivo de una batería se conectan a los

23
materiales tipo n y tipo p, respectivamente. Se emplea un resistor externo (R) para
limitar el nivel de corriente a un valor seguro. En estas condiciones, los electrones libres
en el material tipo n se repelen del terminal negativo de la batería y se fuerzan hacia la
unión, donde neutralizan a los átomos donadores con carga positiva (iones positivos) en
la región de agotamiento. Al mismo tiempo, los electrones libres que se habían
acumulado inicialmente para crear una carga negativa en el material tipo p de la unión,
se atraen hacia el terminal positivo de la batería. Por consiguiente, la carga negativa en
el material tipo p de la unión también se neutraliza. Esto significa que las cargas
positivas y negativas que forman la tensión de barrera interna quedan en efecto
neutralizadas y no se hallará presente ninguna tensión de barrera para detener la
combinación de los portadores mayoritarios en la unión. El diodo de unión pn puede por
tanto soportar un flujo continuo de corriente en ese momento. Esta acción solamente
tiene lugar si el voltaje de la batería (V) es mayor que la tensión de barrera.

Figura 2.4. Diodo de unión pn con polarización directa.

Es importante observar que el flujo de electrones en los materiales tipo n y tipo p se

debe a la reducción de la región de agotamiento cuando se aplica una fuente externa
de voltaje lo suficientemente alta. En este momento, se dice que el diodo conduce
corriente en la dirección directa. Asimismo, el diodo se considera que tiene una
polarización directa causada por la fuente de voltaje.

Un diodo con polarización directa conducirá corriente mientras que el voltaje de

polarización externo sea lo suficientemente alto y sea correcta la polarización. Por
ejemplo, si se trata de un diodo de germanio, se precisará de una polarización directa
de 0.3 V para que el diodo comience a conducir. Los diodos de silicio requieren una
polarización directa de unos 0.7 V para que comience a conducir. El voltaje externo
aplicado al diodo debe ser lo suficientemente alto para neutralizar la región de

24
agotamiento y neutralizar por tanto la tensión de barrera que existe en la unión pn del
diodo. Una vez que se supera esta tensión interna, el diodo conducirá en la dirección
directa.

Una vez que esté conduciendo el diodo se producirá una caída de voltaje en el
dispositivo. Ocurre esto debido a que el material semiconductor del diodo tiene cierto
valor de resistencia y la corriente que fluye a través del mismo debe producir una
correspondiente caída de voltaje. Ocurre que esta caída de voltaje de polarización
directa es aproximadamente igual a la tensión de barrera. Este valor es de 0.3 V en un
diodo de germanio y 0.7 V en un diodo de silicio.

 Polarización Inversa

Un diodo se dice que esta en polarización inversa cuando el terminal negativo de la

batería se conecta al material tipo p, mientras que el terminal positivo se conecta ahora
al material tipo n, esto se muestra en la figura 2.5. En estas condiciones, los electrones
libres en el material tipo n se atraen hacia el terminal positivo de la batería, dejando una
cantidad relativamente grande de átomos donadores con cargas positivas (iones
positivos) en la proximidad de la unión, como se muestra en la figura 2.5. En realidad,
el número de iones positivos en el material tipo n será en ciertos momentos incluso
mayor que el número de iones positivos que existe en un diodo no polarizado. Esto
tiene el efecto de aumentar la anchura de la región de agotamiento en el lado del
material tipo n de la unión, causando así que aumente la carga positiva en este lado de
la unión.

Al mismo tiempo, sale un número de electrones del terminal negativo de la batería para
entrar al material tipo p del diodo. Estos electrones llenan los huecos cerca de unión,
haciendo que los huecos parezcan moverse hacia el terminal negativo. Se crea por
tanto un gran número de átomos aceptores con carga negativa (iones negativos) cerca
de la unión. Esto tiene el efecto de aumentar la anchura de la región de agotamiento en
el lado del material tipo p de la unión.

25
 Figura 2.5. Diodo de unión pn en polarización inversa.

La región de agotamiento del diodo que se muestra en la figura 2.5 es más amplia que
la región de agotamiento en el diodo no polarizado que se muestra en la figura 2.2. Esto
significa que las cargas opuestas a cada lado de la unión son también mayores y crean
por tanto una mayor tensión de la barrera en la unión. Estas cargas opuestas
continuarán aumentando hasta que la tensión de barrera interna sea igual y opuesta al
voltaje externo de la batería. En estas condiciones, los huecos y electrones (portadores
mayoritarios) no soportan el flujo de corriente y el diodo cesa de conducir.

En realidad, fluirá una pequeñisima corriente a través del diodo, como se muestra en la
figura 2.5. Esta pequeña corriente se denomina corriente de fuga o corriente de
saturación inversa y se designa por las letras IS. Esta corriente existe debido a los
portadores minoritarios contenidos en ambos tipos de materiales del diodo. Recuerde
que los portadores minoritarios son huecos en el material tipo n y electrones en el
material tipo p. Al someter al diodo a una polarización inversa, como se muestra en la
figura 2.5, los portadores minoritarios se fuerzan hacia la unión, donde se combinan y
soportan por tanto una pequeña cantidad de corriente. Esta acción se asemeja mucho a
la que tiene lugar en el diodo con polarización directa que se muestra en la figura 2.4,
pero en una escala mucho menor.

26
Todos los diodos de unión pn tienen cierta corriente de fuga al operar con polarización
inversa, pero esta corriente es muy pequeña. Se trata solamente de microamperes en
los diodos de germanio y nanoamperes en los diodos de silicio. Estas corrientes son
muchísimo más bajas que la corriente directa normal. Es importante recordar que los
diodos de germanio producen normalmente una mayor corriente de fuga que los diodos
de silicio. Los dispositivos de germanio son también más sensibles a la temperatura que
los dispositivos de silicio. Esta desventaja de los diodos de germanio suele
compensarse por su menor tensión de barrera y caída de voltaje de polarización
directa.

Podemos resumir el funcionamiento de un diodo de unión pn como sigue: el diodo es un

dispositivo eléctrico monodireccional debido a que conduce corriente en una dirección
solamente. Al estar en polarización directa, la corriente fluye a través del mismo
libremente debido a que el diodo actúa como si fuera una resistencia muy baja. Al estar
el diodo con polarización inversa, no fluye corriente a través del mismo. Actúa
simplemente como un circuito abierto o una resistencia sumamente grande. En el
estado de polarización inversa solamente fluye una pequeña corriente de fuga que es
sensible a la temperatura. El diodo es en efecto un interruptor eléctrico sensible a la
polaridad. El estar con polarización directa el diodo está “cerrado”. Al estar con
polarización inversa el diodo está “abierto”.

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2.3. Curva del diodo.

El gráfico en la figura 2.6 muestra la cantidad de corriente directa y corriente inversa

que fluye a través de un diodo de unión pn, primeramente cuando el dispositivo tiene
polarización directa y a continuación cuando tiene polarización inversa. Nótese que la
escala vertical de la figura está graduada en miliamperes (aunque algunos diodos
semiconductores tendrán una escala vertical graduada en amperes o nanoamperes) y
la escala horizontal en la región de polarización directa tiene un máximo de 1 V. Por
consiguiente, el voltaje a través de un diodo polarizado en forma directa será

27
comúnmente menor que 1 V. Adviértase también la rapidez con que la corriente
asciende después de la rodilla de la curva.

Puede demostrarse mediante el uso de la física del estado sólido que las características
generales de un diodo semiconductor pueden definirse por la siguiente ecuación para
las regiones de polarización directa e inversa:

(2.1)

donde: IS = corriente de saturación inversa

K = 11,600/ con =1 para el germanio y =2 para el silicio, para
niveles relativamente bajos de corrientes de diodo (en o bajo la rodilla de
la curva) y =1 tanto para el germanio y el silicio para niveles altos de
corriente de diodo (en la dirección de ascenso rápido de la curva).
TK = TC + 273 °C

28
 Figura 2.6.

Al trazar un gran número de los correspondientes valores de voltaje y corriente se

obtiene una curva continua como se muestra. Por esta razón, un gráfico como el que
aparece en la figura 2.6 se denomina curva característica de voltaje-corriente o V–I. Si
se examina atentamente la Figura 2.6 hallará que las corrientes y voltajes en
polarización directa y en polarización inversa se trazan con escalas diferentes. Esto se
debe a que las características de polarización directa suponen bajos voltajes y altas
corrientes, mientras que las características de polarización inversa suponen voltajes
relativamente altos y bajas corrientes.

Silicio versus Germanio

Los diodos de silicio tienen, en general, valores nominales de VPI (Voltaje de

Polarización Inversa) y de corrientes más altos e intervalos de temperatura más amplios
que los diodos de germanio. El VPI nominal para el silicio puede encontrarse en valores
próximos a 1000 V, en tanto que el valor máximo para el germanio es cercano a 400 V.
El silicio puede emplearse para aplicaciones en las que es posible que la temperatura
aumente a cerca de 200°C (400°F), en tanto que el germanio presenta un valor nominal
máximo más bajo (100°C). No obstante, la desventaja del silicio, en comparación con el
germanio, como se indica en la Figura 1.27, es el voltaje de polarización directa mayor
que requiere para alcanzar la región de conducción ya que es alto. Su valor es por lo
general del orden de 0.7 V para los diodos de silicio comerciales y de 0.3 V para los de
germanio, cuando se redondea a las décimas más cercanas. El valor mayor para el
silicio se debe principalmente al factor en la ecuación (2.1). Este factor desempeña
sólo una parte en la determinación de la forma de la curva a niveles de corrientes muy
bajos. Una vez que la curva inicia su aumento vertical, el factor desciende a 1 (el
valor continuo para el germanio). Esto se observa por las similitudes en las curvas
después de que el voltaje de diodo se alcanza. El potencial al cual ocurre este aumento
se denomina comúnmente voltaje de diodo, de umbral o potencial de encendido (VT;
donde T= threshold (umbral)).

29
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2.4. Características de los diodos

Valores nominales de los diodos

Al comparar las importantes características de los diodos de silicio y germanio es

evidente que amos tipos podrían dañarse por un exceso de corriente directa. Por esta
razón, los fabricantes de estos diodos suelen especificar la máxima corriente directa (I F
máxima) que puede soportar con seguridad cada tipo de diodo. Asimismo, ambos
tipos podrían dañarse por excesivas tensiones inversas que hacen que produzca una
falla del diodo y conduzca una corriente inversa relativamente alta. Para asegurar que
los diversos diodos no se sometan a una tensiones inversas peligrosamente altas, los
fabricantes de estos dispositivos suelen especificar la máxima tensión inversa de
seguridad que podrá aplicarse a cada dispositivo en particular. Esta máxima tensión
inversa se denomina Voltaje de Polarización Inversa y se abrevia como ya se ha visto,
VPI.

Consideraciones de temperatura

En ciertas aplicaciones criticas precisa también considerarse el efecto que tiene la

temperatura en el funcionamiento del diodo. En general, la característica del diodo que
está más afectada por los cambios en la temperatura es la corriente inversa del diodo.
Esta corriente es causada por los portadores minoritarios que se hallan presenten en
los materiales N y P del diodo, según lo explicado previamente. A temperaturas muy
bajas, la corriente inversa a través de un diodo típico será prácticamente cero. Pero a
temperatura normal de interiores esta corriente será un poco mayor, si bien continuará

30
siendo muy baja. A temperaturas muy elevadas fluirá una corriente inversa mucho
mayor y en algunos casos pudiera interferir con el funcionamiento normal del diodo.
Estos cambios en la corriente inversa como resultado de los cambios de la temperatura
se muestran en la figura 2.8. Observe que la tensión de polarización inversa comienza
aumentar al subir la temperatura. No obstante, este cambio no es muy grande.

Figura 2.8. Cambios relativos en la corriente inversa debido a los cambios en la

temperatura.

Estos mismos cambios relativos ocurren en ambos tipos de diodos, aún cuando las
corrientes inversas son generalmente mayores en los tipos de germanio. Para los
diodos de germanio y silicio, la corriente inversa o de fuga se duplica cada 10 °C de
aumento de temperatura.

La caída de voltaje directa en un diodo que está conduciendo también está afectada por
los cambios de temperatura. Se ilustra esto en la temperatura de la figura 2.8. La caída
de voltaje directa es inversamente proporcional a la temperatura. Al aumentar se reduce
la caída de voltaje.

Símbolo de los diodos

Cuando se muestran los diodos en un diagrama esquemático de un circuito resulta

conveniente representarlos con un símbolo apropiado. El símbolo más empleado para
representar al diodo se muestra en la figura 2.9, junto con un diodo de unión PN.

31
Observe que la sección P del diodo está representada por un triángulo (también
llamada flecha) y la sección N está representada por una barra (o rectángulo). Las
flechas que se dibujan al lado del diodo y de su símbolo indican la dirección de la
corriente directa (IF) o flujo de electrones. Como ya hemos visto, la corriente directa IF
debe fluir del material N al material P del diodo.

Esto significa que la corriente directa a través del símbolo debe fluir desde la barra
hacia el triángulo o flecha. En otras palabras, el flujo de corriente directa es siempre
contra la flecha en el símbolo del diodo. Observe asimismo que las secciones N y P del
diodo y las correspondientes partes del símbolo del diodo se identifican como cátodo y
ánodo respectivamente. Estos dos términos solían emplearse mucho más para
identificar a los dos elementos principales en un diodo del tipo tubo de vació. No
obstante, se utilizan ahora para describir las dos secciones de un diodo de unión. El
cátodo (tipo N) es simplemente la sección que suministra los electrones, mientras que
el ánodo (tipo P) es la sección que recoge los electrones.

Figura 2.9. Símbolo del diodo de unión.

En la figura 2.10 se muestra la representación esquemática de los diodos con

polarización directa y con polarización inversa. Observe que al conectar las terminales
negativo y positivo de la batería al cátodo y ánodo del diodo, respectivamente, el diodo
tendrá polarización directa y conducirá una corriente directa (IF) relativamente alta. Se
añade el resistor en serie con el diodo, como se muestra, para limitar esta corriente
directa a un valor de seguridad. Observe también que al invertir las terminales de la
batería el diodo estará con polarización inversa y solamente fluirá a través del mismo
una corriente inversa o de fuga (IS).

32
 Figura 2.10. Polarización directa e inversa del diodo.

Construcción de los diodos

Un diodo de unión pn no puede formarse simplemente presionando una sección de

material tipo p contra una sección de material tipo n. No resulta posible obtener el
contacto íntimo que se precisa entre los dos materiales por este método. En la práctica,
las uniones pn se forman por unos métodos un tanto complejos, si bien los principios
básicos son realmente muy sencillos. Vamos ahora a examinar brevemente varias de
estas técnicas básicas de construcción para que se comprenda la forma en que se
crean las uniones. Veremos entonces como se colocan estas uniones en encapsulados
adecuados para obtener el diodo terminado.

Uniones por crecimiento

Una de las primera y más populares técnicas de construcción es el método de

crecimiento. Siguiendo este método, las uniones pn se hacen crecer colocando un
semiconductor intrínseco y una impureza tipo p en un crisol de cuarzo que se calienta
para fundir los dos materiales. Se inserta entonces un pequeño cristal semiconductor,
llamado semilla, en la mezcla fundida. El cristal de semilla se hace entonces girar
lentamente y se extrae de la mezcla fundida a una velocidad que permita que el
material fundido se adhiera a la semilla. El material fundido que se adhiere al cristal de
semilla se enfría y endurece para adquirir las mismas características cristalinas que la
semilla de la cual parece crecer.

Si la mezcla fundida contenía solamente una impureza tipo p, según lo indicado

previamente, el cristal crecido será un semiconductor tipo p. Pero al extraerse el cristal

33
de semilla, la mezcla fundida se dopa alternadamente con impurezas tipo n y p. Esto
significa que se crean capas tipo n y p en el cristal semiconductor al hacerle crecer. El
cristal resultante se corta entonces en rebanadas para formar muchas uniones pn.

Uniones de aleación

Las uniones de aleación pueden también construirse por una técnica denominada
método de aleación. Este método es sumamente sencillo, ya que se coloca
simplemente una pequeña esfera de Indio sobre el cristal semiconductor tipo n, como
se muestra en la figura 2.11. La esfera y el semiconductor se calientan entonces hasta
que la esfera se funda parcialmente con el cristal semiconductor, como se muestra.
Debido a que el Indio es una impureza trivalente, la región en que se combinan los dos
materiales se convierte en un material semiconductor tipo p como se muestra en la
figura. Al retirar el calor se recristalizan los dos materiales y se forma una unión pn
sólida.

Figura 2.11. Unión pn de aleación.

Uniones de difusión

Una de la técnicas más populares y preferidas para la construcción de uniones pn es el

método de difusión. Con este método, una sección delgada del material semiconductor
tipo n o tipo p, llamada oblea, se expone a un elemento de impureza que está en el
estado gaseoso o vaporizado. Esta operación tiene lugar a muy alta temperatura y los
átomos de impureza penetran (se difunden) a través de las superficies expuestas de la
oblea. El proceso básico de difusión se muestra en la figura 2.12. Primeramente, se

34
coloca una máscara sobre un cristal semiconductor tipo n. A continuación, la máscara y
el cristal se exponen a una impureza trivalente en estado gaseoso como se muestra.

La máscara tiene una abertura que permite que la impureza gaseosa entre en contacto
con parte de la superficie del cristal. El elemento de impureza se difunde por tanto en el
cristal tipo n y forma un material semiconductor tipo p. El resultado es una unión pn
como se muestra. La profundidad de la impureza difundida se controla regulando el
tiempo de exposición y la temperatura de los materiales. Este proceso de difusión
puede también realizarse sin la máscara y dejando que todo el cristal semiconductor
quede expuesto a la impureza gaseosa. No obstante, habría entonces que recortar las
partes no deseadas del cristal para que solamente permanezca la unión pn deseada.

Figura 2.12. Unión pn de difusión.

Encapsulado de diodos

Una vez formada la unión pn por uno de los tres métodos básicos que acabamos de
describir o mediante otras técnicas similares, la unión completa debe instalarse en un
recipiente o encapsulado adecuado para producir el diodo acabado. Este encapsulado
protege a la unión pn contra el ambiente y esfuerzos mecánicos, proveyendo al mismo
tiempo una forma eficiente de conectar la unión pn a otros componentes o piezas. El
tipo de recipiente o encapsulado seleccionado para cada unión pn se elige conforme a
la aplicación de cada diodo. Por ejemplo, si una unión pn está diseñada para conducir
fuertes corrientes, debe montarse en un encapsulado que facilite este fin. En otras
palabras, el encapsulado debe diseñarse de forma que impida el recalentamiento de la
unión debido a las fuertes corrientes.

35
Este tipo de diodo de unión pn suele construirse como se muestra en la figura 2.13.
Observe que la oblea de semiconductor (unión pn) está en medio entre dos discos
metálicos y se sujeta entonces a una base metálica gruesa que tiene un espárrago
roscado. Este espárrago sirve de conexión eléctrica a un lado de la unión,
generalmente el lado n o cátodo. Un talón metálico grueso provee la conexión eléctrica
al otro lado de la unión. Este talón va sujeto al disco en el lado p o ánodo, a través de
un hilo en forma de S. Este hilo flexible va unido al talón y al disco, y sirve para
asegurar que la unión pn no esté sometida a los mismos esfuerzos que pudieran darse
en el talón metálico. El talón metálico se sujeta en posición por la parte superior del
vidrio y está por tanto aislado de la base metálica y de la caja metálica. El diodo se
atornilla entonces a una superficie metálica que ayude a disipar el calor del dispositivo.
Debido a que el espárrago roscado está conectado al lado n de la unión, el espárrago
sirve como conexión del cátodo y cualquier chasis o placa metálica que entre en
contacto con el espárrago quedará eléctricamente conectada al cátodo. El talón
metálico conectado al lado p de la unión sirve por tanto como conexión del ánodo.
Puede soldarse a este talón un hilo o conductor de un componente para completar la
instalación del diodo.

Figura 2.13.

En la figura 2.14 se muestra el encapsulado más común para alojar un diodo de unión
pn. Los diodos contenidos en estos encapsulados están diseñados para trabajar con
pequeñas corrientes de 3A o menos. La mayoría de los semiconductores pertenece a
esta categoría. La oblea de semiconductor (unión pn) está contenida en una pequeña

36
caja cilíndrica de vidrio o epoxina. Los conductores entran en la caja para hacer
contacto con la oblea. El diodo tiene conductores axiales y puede por tanto instalarse
de varias formas. En la mayoría de los casos los conductores se sueldan simplemente a
una placa de circuitos impresos. El extremo del cátodo del diodo se identifica
generalmente por la banda que se muestra en la figura. Algunas veces se imprime el
símbolo del diodo en la caja para identificar sus terminales.

Figura 2.14.

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37
UNIDAD III. CIRCUITOS CON DIODOS SEMICONDUCTORES.

38
39
40
41
42
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46
47
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52
53
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3.1. Rectificación monofásica de media onda.

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3.2. Rectificación monofásica de onda completa.

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60
61
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67
68
69
70
71
72
Regresar Indice

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3.3. MULTIPLICADORES DE VOLTAJE.

74
75
Regresar Indice

76
 UNIDAD IV. FILTROS

4.1. Filtros capacitivos.

En los sistemas de comunicaciones se emplean filtros para dejar pasar solo las
frecuencias que contengan la información deseada y eliminar las restantes.

Los filtros son usados para dejar pasar solamente las frecuencias que pudieran
resultar ser de alguna utilidad y eliminar cualquier tipo de interferencia o ruido ajeno a
ellas.

Existen dos tipos de filtros:

Filtros Pasivos: son aquellos tipos de filtros formados por combinaciones serie o
paralelo de elementos R, L o C.

Los filtros activos son aquellos que emplean dispositivos activos, por ejemplo los
transistores o los amplificadores operacionales, junto con elementos R L C.

Un filtro es un circuito electrónico que posee una entrada y una salida. En la entrada
se introducen señales alternas de diferentes frecuencias y en la salida se extraen
esas señales atenuadas en mayor o menor medida según la frecuencia de la señal.
Si el circuito del filtro está formado por resistencias, condensadores y/o bobinas
(componentes pasivos) el filtro se dirá que es un filtro pasivo. Por otro lado, como de
cada tipo de filtro existe un esquema básico que lo implementa y además es posible
conectarlos en cascada (uno a continuación del otro), si el circuito del filtro está
formado por el esquema o célula básica se dirá que es de primer orden. Será de
segundo orden si está formado por dos células básicas, de tercer orden si lo esta por
tres, etc.

Filtros pasa bajos, pasa altos, pasa banda y elimina banda:

Según su respuesta en frecuencia, los filtros se pueden clasificar básicamente en

cuatro categorías diferentes:

 Filtro pasa bajos: Son aquellos que introducen muy poca atenuación a las
frecuencias que son menores que una determinada, llamada frecuencia de corte. Las
frecuencias que son mayores que la de corte son atenuadas fuertemente.

 Filtro pasa altos: Este tipo de filtro atenúa levemente las frecuencias que son
mayores que la frecuencia de corte e introducen mucha atenuación a las que son
menores que dicha frecuencia.

 Filtro pasa banda: En este filtro existen dos frecuencias de corte, una inferior y
otra superior. Este filtro sólo atenúa grandemente las señales cuya frecuencia sea
menor que la frecuencia de corte inferior o aquellas de frecuencia superior a la
frecuencia de corte superior. por tanto, sólo permiten el paso de un rango o banda de
frecuencias sin atenuar.

77
 Filtro elimina banda: Este filtro elimina en su salida todas las señales que tengan
una frecuencia comprendida entre una frecuencia de corte inferior y otra de corte
superior. Por tanto, estos filtros eliminan una banda completa de frecuencias de las
introducidas en su entrada.

Existe un símbolo para cada uno de estos filtros, símbolo que se usa en los
diagramas de bloques de los aparatos electrónicos. Estos símbolos son los
siguientes:

Algunas definiciones más:

Son una definiciones muy sencillas pero necesarias:

 Octava: Dos frecuencias están separadas una octava si una de ellas es de valor
doble que la otra.
 Década: Dos frecuencias están separadas una década si una de ellas es de valor
diez veces mayor que la otra.
 Frecuencia de corte: Es la frecuencia para la que la ganancia en tensión del filtro
cae de 1 a 0.707 (esto expresado en decibelios, dB, se diría como que la ganancia
del filtro se reduce en 3dB de la máxima, que se considera como nivel de 0dB). En
los filtros pasa banda y elimina banda existirán dos frecuencias de corte diferentes, la
inferior y la superior.
 Banda de paso: Es el rango de frecuencias que el filtro deja pasar desde la
entrada hasta su salida con una atenuación máxima de 3dB. Toda frecuencia que
sufra una atenuación mayor quedaría fuera de la banda pasante o de paso.
 Banda atenuada: Es el rango de frecuencias que el filtro atenúa más de 3dB.
 Orden del filtro: De forma sencilla se podría definir así,
 Filtro de primer orden: atenúa 6dB/octava fuera de la banda de paso.
 Filtro de segundo orden: atenúa 12dB/octava fuera de la banda de paso.
 Filtro de tercer orden: atenúa 18dB/octava fuera de la banda de paso.
..................................................................................................................
..................................................................................................................
 Filtro de orden n: atenúa (6n)dB/octava fuera de la banda de paso.

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78
4.2.Filtros de sección RC.

El filtro pasa bajos

Los circuitos usados como filtros de primer orden de tipo pasivo son los siguientes:

Quizás el más usado es el primero de ellos, ya que no suele ser fácil conseguir
bobinas con las características deseadas.

El funcionamiento de estos circuitos como filtro pasa bajos es fácil de entender. En el

caso del primero, el condensador presentará una gran oposición al paso de
corrientes debidas a frecuencias bajas y como forma un divisor de tensión con la
resistencia, aparecerá sobre él casi toda la tensión de entrada. Para frecuencias
altas el condensador presentará poca oposición al paso de la corriente y la
resistencia se quedará casi el total de la tensión de entrada, apareciendo muy poca
tensión en extremos del condensador. El segundo circuito funcionará de forma muy
parecida al primero. Aquí también tenemos un divisor de tensión formado por al
bobina y la resistencia. Si la frecuencia de la tensión de entrada es baja la bobina
ofrecerá poca oposición y la tensión caerá casi toda ella en la resistencia (o sea,
aparecerá en la salida). Si la frecuencia de la señal de entrada es alta la bobina se
quedará en sus extremos con casi toda la tensión y no aparecerá casi ninguna en la
salida.

Efectuemos el estudio de este tipo de filtros sobre el primero de ellos, el que tiene un
condensador y una resistencia. La ganancia en tensión del filtro será

La frecuencia de corte se define como aquella para la que el valor óhmico de la

resistencia coincide con el valor óhmico de la reactancia, capacitiva en este caso
(¿no se corresponde esto con lo dicho más arriba? No se preocupe, verá como el
círculo acaba cerrándose). Entonces,

79
Para el caso de que la frecuencia de entrada coincida con fc tendremos pues que la
ganancia del filtro quedaría como:

El círculo se ha cerrado y, por tanto, las dos definiciones de la frecuencia de corte

son equivalentes.

Expresando Gv en función de la frecuencia tendremos que:

Si representamos gráficamente Gv obtenemos lo siguiente:

La misma representación gráfica pero con Gv expresada en decibelios tiene el

siguiente aspecto:

80
Como puede apreciarse en esta última representación, cada vez que la frecuencia se
dobla la ganancia cae -6db (aproximadamente). Es esta una característica de los
filtros de primer orden: la ganancia cae -6db por octava fuera de la banda de paso.
Los filtros, además de afectar a la amplitud de la señal que se les introduce en
función de su frecuencia, también afectan o modifican la fase de las señales, y dicha
modificación también será una u otra en función de la frecuencia de la señal de
entrada. Veamos cómo se produce este efecto. El desfase entre la tensión en
extremos del condensador (tensión de salida) y la tensión aplicada en la entrada
vendrá dado por:

Este ángulo saldrá negativo indicando que la tensión de salida estará atrasada
respecto a la de entrada.

Representando gráficamente la expresión anterior del desfase tendremos lo

siguiente:

81
Si el eje de frecuencias lo representamos logarítmicamente la gráfica tendrá el
siguiente aspecto:

Hasta aquí todo muy bien, todo muy bonito. Pero, el filtro deberá conectar su entrada
y su salida a "algo". El funcionamiento descrito más arriba sería el de un filtro
conectado a una fuente de señal con impedancia nula (algo que en la práctica no
pasa) y con la salida abierta (¿y entonces para qué quiero un filtro?). Lo que
tendremos en la realidad será algo como lo siguiente:

¿Como afectan Zg y Zc al funcionamiento del filtro? Restrinjamos el estudio a los

casos en que tanto Zg como Zc sólo tengan componente real, o sea, sean de tipo
exclusivamente resistivo. Lo normal es que Zg sea pequeña o muy pequeña, con lo
que no tendría apenas influencia sobre el funcionamiento del filtro. De todas formas,
si se desea considerar su efecto, sólo hay que ver que queda en serie con la
resistencia del filtro, con lo que el filtro que se obtendría sería el siguiente:

82
Por tanto, para el cálculo de un filtro teniendo en cuenta el efecto de Zg, de carácter
puramente resistivo, sólo hay que considerar como resistencia del filtro el valor de Zg
+ R (con lo que la fuente de señal pasaría a considerarse como perfecta, esto es, con
una impedancia cero -ya que su impedancia ha pasado a formar parte de la
resistencia del filtro-).

En cuanto al efecto introducido por Zc, decir que si ésta es grande o muy grande
comparada con el valor de Xc a la frecuencia fc se podrá despreciar su efecto (nos
estaríamos acercando al caso de salida abierta, equivalente a resistencia infinita). Y
es a partir de esto último como se puede calcular un filtro práctico de este tipo:

Diseñar un filtro pasa bajo de primer orden, con condensador, para tener una banda
de paso de 2000Hz, sabiendo que a su salida se conectará una carga resistiva de
10kW y que se conectará a su entrada una fuente de señal con una resistencia
interna de 600W.

Empezaremos por hacer que Xc sea diez veces más pequeña (por lo menos) que la
resistencia de carga a la frecuencia de corte. Con estas condiciones se calcula el
condensador de la siguiente forma:

En nuestro caso resulta un condensador de unos 80nF. Eligiremos el valor

normalizado inmediatamente superior al calculado, o sea, 100nF.
Seguidamente se calcula el valor del conjunto Zg + R a partir de:

Sólo resta hallar R de la forma siguiente:

Se tomará el valor normalizado más próximo inmediatamente inferior al calculado, en

este caso 180W (serie E12 de resistencias, la más habitual).

83
Las siguientes gráficas muestran el comportamiento del filtro calculado en el ejemplo
sin y con la resistencia de carga conectada. Primero se muestra la gráfica de la
tensión de salida del filtro (en dB) y a continuación el desfase introducido:

Como puede apreciarse, la desviación de la respuesta el filtro con carga respecto a

la respuesta sin carga es muy pequeña.

Sería muy interesante que el lector de este artículo realizara el análisis para el filtro
pasa bajo de primer orden con bobina. Dicho análisis es muy similar al realizado... e
igual de instructivo.

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84
4.3. Filtros de sección LC.

El filtro pasa alto

Podemos implementar un filtro de estas características mediante alguno de los

siguientes circuitos:

En esta ocasión realizaremos el estudio sobre el filtro a base de bobina y resistencia.

Empecemos por la ganancia en tensión:

Por otro lado, la frecuencia de corte (o sea, aquella para la que Xl = R) será:

Y el desfase entre la tensión de salida respecto la de entrada es:

Se puede ver que este filtro adelanta la tensión de salida respecto a la de entrada.
Las representaciones gráficas correspondientes a este tipo de filtro serían las
siguientes:

Se puede apreciar la pendiente de -6dB/octava en la banda atenuada del filtro.

85
Consideraciones sobre la impedancia de la fuente de señal y sobre la impedancia
que se conecte a la salida del filtro se podrán aplicar a este filtro igual que ya se hizo
en el filtro pasa bajos.

Diseñar un filtro pasa altos de primer orden, con bobina, para una frecuencia de corte
de 20kHz. El filtro se conectará a una fuente de señal de 50W de impedancia, con
componente exclusivamente resistiva, y a su salida se conectará una resistencia de
carga de 25kW.

El proceso de cálculo es muy similar al del ejemplo anterior. Se empieza por hacer
que la reactancia inductiva de la bobina sea al menos dies veces más pequeña que
la resistencia de carga:

Entonces se calcula el valor de la bobina para la fc y con el valor de Xl anterior:

Entonces la suma Zg + R será igual a la reactancia de la bobina a la frecuencia de

corte, es decir

El valor de resistencia que se montará en la práctica será el normalizado

inmediatamente inferior al calculado. En el caso que nos ocupa eso significa que se
montará el filtro con una resistencia de 2200W.

86
Las gráficas, resultado de una simulación informática, del filtro del ejemplo con y sin
resistencia de carga son las siguientes:

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87
 UNIDAD V. REGULADORES DE VOLTAJE.

5.1. Definición.

La necesidad de diseñar con mayor facilidad una fuente de alimentación para un

circuito integrado ha empujado a las empresas diseñadoras de componentes a crear
los reguladores de voltaje, los cuales permiten en una mejor medida facilitar a la
fuente de alimentación del circuito una tensión de salida constante para cualquier
condición de uso, de tal forma que su diseño consta de pocos componentes en una
configuración relativamente sencilla en muchos casos, además de presentar una
buena regulación, seguridad y suministro de altas corrientes.

Hay muchas clasificaciones para los reguladores de tensión, sin embargo, el trabajo
se centrará en los de tipo lineal. Para esta división, existen dos subdivisiones, las
cuales son: los reguladores fijos y los ajustables, los cuales pueden estar en una
configuración en paralelo o en serie.

En la mayoría de las aplicaciones se requiere una tensión fija y estable de un

determinado valor, para lo cual sin duda alguna un regulador adecuado es el
regulador en serie fijo que usa normalmente un circuito automático de control que
detecta las variaciones de la tensión de salida y las corrige automáticamente. Existen
varios fabricantes que han creado diferentes líneas de estos reguladores. Entre las
series más conocidas y utilizadas se encuentran la serie 78XX y su contraparte
negativa 79XX.

Cada uno de estos dispositivos posee sólo tres terminales, una corresponde a la
entrada de tensión no regulada, otra es la salida regulada y la restante es la tierra
común a ambas. En cuanto al encapsulado, conviene aclarar que, si bien están
disponibles en varios tipos, generalmente se los suele encontrar en el encapsulado
del tipo TO-220.

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88
5.2. Reguladores de voltaje con C.I.
Los circuitos integrados de la familia 78XX permiten realizar fuentes de alimentación
estabilizadas y fiables, ya sean fijas o regulables, de una manera sencilla y sin
complicaciones.
Son adaptables a diferentes tensiones de salida, utilizando el regulador adecuado, y
modificando los componentes asociados en función de la tensión de trabajo.
En el comercio se dispone de las siguientes tensiones de salida: 5, 6, 8, 12, 15, 18,
20, 24 voltios.
Todos pueden proporcionar una corriente máxima de 0,5A y si están
convenientemente refrigerados, hasta 1A.
Por norma general, la tensión del secundario del transformador, debe ser como
mínimo 3V superior a la tensión nominal del regulador integrado.

Distribución de terminales del regulador positivo de voltaje 78XX.

E= entrada, T= tierra y S= Salida

Tipo de Potencia en
Zocalo
Regulador Ampers
78XX 1,0 TO-204, TO-220
78LXX 0,1 TO-205. TO-92
78MXX 0,5 TO-220
78TXX 3,0 TO-204

Nomenclatura de los reguladores de voltaje según su potencia.

Tipos de encapsulados.

89
 Fuente de alimentación +5V a 1A.

Arreglos para fuentes de potencia

a)

A continuación se muestra un circuito un poco más complicado, pero que nos

ayudara a tener más amperaje de salida. Las resistencias están dadas en ohms,
salvo especificaciones, como es el caso de R1 que tiene 2200 ohms.

R1 es un limitador de corriente para el integrado, R2 deberá de ser de alambre de

unos 5 watts de disipación o más.

Para el condensador C1, vea el articulo mas abajo, para C2 no se necesitará una
gran capacidad con unos 1000 micros faradios alcanzara.

Q1 a Q3, son transistores NPN del tipo 2N3055, para mayor amperaje es
recomendable ponerle 2N3771 o 2N3773.

90
b)

En muchas ocasiones necesitamos una fuente de alimentación que nos proporcione

más de 1A y esto puede convertirse en un problema que aumenta, si además
queremos, por seguridad, que esa cortocircuitable. Bien, el primer paso es de relativa
sencillez y lo abordaremos sobre la marcha.
La solución es dopar (añadir) un transistor de potencia o los que sean necesarios
para que nos proporcione la corriente deseada.
La función de este transistor de potencia consiste en asumir el hecho de soportar la
alta corriente que necesitamos, veamos cómo se realiza esto. Si aplicamos
convenientemente la tensión de salida del regulador por ej. de 12V 1A a la base del
transistor de potencia, está claro que éste nos proporcionará más corriente a su
salida y estará regulada por otra parte debido a que el regulador es cortocircuitable
en cierta medida, tenemos la solución deseada.
No obstante, la efectividad que nos proporciona el regulador para la función de
cortocircuito, no la podemos dar por buena a la hora de aplicarlo al transistor de
potencia, ya que es un circuito añadido y puede que no responda con la rapidez
suficiente y para evitar estos inconvenientes, intervendremos en este apartado con
un circuito añadido.

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91
5.3. Reguladores de voltaje fijos.

Se designan las series por lo general de la forma LM78LXX

El LM78LXX mejora la impedancia de salida cuando es usado como un sustituto de

un diodo zener o de una resistencia, además es frecuentemente utilizado en
sistemas lógicos, instrumentación, alta fidelidad, entre otros debido a los voltajes
disponibles. Con un adecuado disipador de calor el regulador puede dar 100mA de
corriente de salida. El regulador se desconecta cuando la potencia de disipación es
muy alta.

Características (son las mismas para los componentes de National, Fairchild y

Motorola)

La corriente de salida es de 100mA

El regulador limita la corriente de corto circuito
Voltajes típicos de salida:5V, 6.2V, 8.2V, 9V, 12V, 15V.
Los encapsulados disponibles son TO-92 y SO-8.
La potencia de disipación esta limitada internamente, aunque siempre es menor que
0.75W(Nacional / Fairchild) y menor que 25W(Motorota)
Voltaje de entrada es de 35V
Para el SO-8 la temperatura máxima de la unión es de 125 C y para el micro MSD es
de 85 C
Temperatura de unión es de 125 C
La corriente de salida es de 40mA

Características eléctricas del LM78L05 National / MC7805 Fairchild

Para un voltaje de entrada es de 10V se tienen distintas condiciones para cada

característica eléctrica (los valores típicos se designan entre paréntesis)

∆V0 es el voltaje de salida (5V)

∆V0(=∆VL/∆Vi) es la regulación de linea para distintas condiciones(18mV, 10mV)
∆V0(=∆VL/∆IL) es la regulación de carga (20mV, 5mV)
Iq es la corriente de consumo (3mA)
∆Vin/∆Vo es el rechazo de rizado (62dB)
Vinmin es el valor mínimo de voltaje de entrada requerido para mantener la regulación
de la linea(6.7V)
Io es la corriente de cortocircuito(40mA)
Ipk es la máxima corriente de salida (140mA)

Características eléctricas del MC78T05C

Para un voltaje de entrada es de 10V y una corriente de salida de 10A se tienen

distintas condiciones para cada característica eléctrica (los valores típicos se
designan entre paréntesis)

∆V0 es el voltaje de salida (5V)

92
∆V0(=∆VL/∆Vi) es la regulación de linea para distintas condiciones(3mV)
∆V0(=∆VL/∆IL) es la regulación de carga (10mV, 15mV)
Iq es la corriente de consumo (3.5mA)
∆Vin/∆Vo es el rechazo de rizado (75dB)
Vi min es el valor mínimo de voltaje de entrada requerido para mantener la regulación
de la linea(7.2V)
Io es la corriente de cortocircuito(3A)
Ipk es la máxima corriente de salida (5A)

Familia de reguladores negativos 79XX

El aspecto es como el anterior, sin embargo este se suele usar en combinación con
el 78XX para suministrar tensiones simétricas, la tensión entre Vout y GND es de
– XX voltios, por eso se dice que este es un regulador de tensión negativa. La forma
de llamarlos es la misma: el 7905 es de -5V, el 7912 es de -12... pero para tensiones
negativas.

En el comercio se dispone de las siguientes tensiones de salida: -5, -6, -8, -12, -15,
-8, -20, -24 voltios.

Fuente de alimentación -5V a 1 A.

Fuentes de alimentación simétrica

Una fuente simétrica es aquella que suministra una tensión de + XX voltios y otra de
– XX voltios respecto a tierra. Para ello hay que usar un transformador con doble
secundario, mas conocido como "transformador con derivación central" o
"transformador con doble devanado". En el siguiente ejemplo se ha empleado un
transformador de 18v + 18v para obtener una salida simétrica de ± 15v:

93
 Fuente de alimentación simétrica de ±15V.

5.4. Regulador de Voltaje Variable.

Regulador Positivo LM317T.

Este regulador de tensión proporciona una tensión de salida variable sin más que
añadir una resistencia y un potenciómetro. Se puede usar el mismo esquema para un
regulador de la serie 78XX pero el LM317 tiene mejores características eléctricas. El
aspecto es el mismo que los anteriores, pero este soporta 1,5A. El esquema a seguir
es el siguiente:

En este regulador, como es ajustable, al terminal GND se le llama ADJ, es lo mismo.

La tensión entre los terminales Vout y ADJ es de 1,25 voltios, por lo tanto podemos
calcular inmediatamente la corriente I1 que pasa por R1:

I1 = 1,25 / R1

Por otra parte podemos calcular I2 como:

I2 = (Vout – 1,25) / R2

94
Como la corriente que entra por el terminal ADJ la consideramos despreciable toda la
corriente I1 pasará por el potenciómetro R2. es decir:

I1 = I2
1,25 / R1 = (Vout - 1,25) / R2

que despejando Vout queda:

Vout = 1,25 * (1 + R2/R1)

Si consultas la hoja de características del LM317 verás que la fórmula obtenida no es

exactamente esta. Ello es debido a que tiene en cuenta la corriente del terminal ADJ.
El error cometido con esta aproximación no es muy grande pero si quieres puedes
usar la fórmula exacta.

Observando la fórmula obtenida se pueden sacar algunas conclusiones: cuando

ajustes el potenciómetro al valor mínimo (R2 = 0Ω) la tensión de salida será de 1,25
V. Cuando vayas aumentando el valor del potenciómetro la tensión en la salida irá
aumentando hasta que llegue al valor máximo del potenciómetro.
Por lo tanto ya sabemos que podemos ajustar la salida desde 1,25 en adelante. En
realidad el fabricante nos avisa que no pasemos de 30V.

Cálculo de R1 y R2:

Los valores de R1 y R2 dependerán de la tensión de salida máxima que queramos

obtener. Como solo disponemos de una ecuación para calcular las 2 resistencias
tendremos que dar un valor a una de ellas y calcularemos la otra.

Lo más recomendable es dar un valor de 240Ω a R1 y despejar de la última ecuación

el valor de R2 (el potenciómetro). La ecuación queda de la siguiente manera:

R2 = (Vout - 1,25) * (R1/1,25)

Por ejemplo:

Queremos diseñar una fuente de alimentación variable de 1,25 a 12v. Ponemos que
R1 = 240Ω. Solo tenemos que aplicar la última fórmula con Vout = 12 y obtenemos

R2:

R2 = (12 – 1,25) * (240 / 1,25) = 2064 Ω

El valor mas próximo es el de 2 KΩ, ya tendríamos diseñada la fuente de

alimentación con un potenciómetro R2 de 2 KΩ y una resistencia R1 de 240 Ω.

En teoría podemos dar cualquier valor a R1 pero son preferibles valores entre 100Ω y
330Ω.

Para mas información consulta la hoja de características del LM317 que encontrarás
en la sección Componentes, es muy completa.

95
Regulador de voltaje positivo con protección

Finalmente en la figura 3 se presenta una fuente de alimentación regulable de 1,7 V

a 28 V, respetando los valores de la misma. Para evitar dañar el regulador, por
exceso de calor, se recomienda refrigerarlo mediante un disipador de aluminio
adecuado que se encuentra en los comercios especializados del ramo. El
potenciometro ajustable R2, permite ajustar la tensión de salida que se desee en
cada momento. El diodo D1, protege al regulador de corrientes inversas, mientras
que el diodo D3, evita que una conexión fortuita cause problemas a la fuente por
polaridad invertida. Esta fuente de tensión regulada ajustable no dispone de sistema
cortocircuitable externo, por lo que habrá que llevar cuidado de no producir ningún
cortocircuito.

Regulador de voltaje positivo ajustable con protección.

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96
 UNIDAD VI. FUENTES DE PODER.

6.1. Definición.

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6.2. Diseño y construcción de una fuente de poder no regulada y regulada.

Con este apartado no pretendo enseñar a calcular todos los parámetros de una
fuente de alimentación de forma analítica. Solo pretendo dar una orientación para
que puedas aprovechar al máximo la capacidad de todos los componentes que
vayas a utilizar. Y aprendas, si no lo has hecho ya, como funciona una fuente de
alimentación.

En muchas ocasiones queremos conseguir rizados pequeños para evitar ruidos en la

alimentación y pensamos "le ponemos un condensador muy grande y ya esta". En
esta sección verás que esto no es una solución muy recomendable y te propondré
otras soluciones que considero mejores.

También aprenderás algunas cosillas muy básicas sobre estabilizadores de tensión,

como usar los más sencillos, como minimizar las pérdidas debidas a disipación de
calor, en definitiva, como aprovechar al máximo los recursos de los que dispones.
Componentes de una fuente de alimentación:

La función de una fuente de alimentación es convertir la tensión alterna en una

tensión continua y lo mas estable posible, para ello se usan los siguientes
componentes: 1.- Transformador de entrada; 2.- Rectificador a diodos; 3.- Filtro para
el rizado; 4.- Regulador (o estabilizador) lineal. Este último no es siempre
imprescindible.

Transformador de entrada

El trasformador de entrada reduce la tensión de red (generalmente 220 o 120 V) a

otra tensión mas adecuada para ser tratada. Solo es capaz de trabajar con corrientes
alternas. Esto quiere decir que la tensión de entrada será alterna y la de salida
también.

Consta de dos arroyamientos sobre un mismo núcleo de hierro, ambos

arroyamientos, primario y secundario, son completamente independientes y la
energía eléctrica se transmite del primario al secundario en forma de energía

97
magnética a través del núcleo. el esquema de un transformador simplificado es el
siguiente:

La corriente que circula por el arrollamiento primario (el cual esta conectado a la red)
genera una circulación de corriente magnética por el núcleo del transformador. Esta
corriente magnética será mas fuerte cuantas mas espiras (vueltas) tenga el
arroyamiento primario. Si acercas un imán a un transformador en funcionamiento
notarás que el imán vibra, esto es debido a que la corriente magnética del núcleo es
alterna, igual que la corriente por los arroyamientos del transformador.

En el arroyamiento secundario ocurre el proceso inverso, la corriente magnética que

circula por el núcleo genera una tensión que será tanto mayor cuanto mayor sea el
número de espiras del secundario y cuanto mayor sea la corriente magnética que
circula por el núcleo (la cual depende del numero de espiras del primario).

Por lo tanto, la tensión de salida depende de la tensión de entrada y del número de

espiras de primario y secundario. Como fórmula general se dice que:

V1 = V2 * (N1/N2)

Donde N1 y N2 son el número de espiras del primario y el del secundario

respectivamente.

Así por ejemplo podemos tener un transformador con una relación de transformación
de 220V a 12V, no podemos saber cuantas espiras tiene el primario y cuantas el
secundario pero si podemos conocer su relación de espiras:

N1/N2 = V1/V2
N1/N2 = 220/12 = 18,33

Este dato es útil si queremos saber que tensión nos dará este mismo transformador
si lo conectamos a 120V en lugar de 220V, la tensión V2 que dará a 120V será:

120 = V2 * 18,33
V2 = 120/18,33 = 6,5 V

Por el primario y el secundario pasan corrientes distintas, la relación de corrientes

también depende de la relación de espiras pero al revés, de la siguiente forma:

I2 = I1 * (N1/N2)

98
Donde I1 e I2 son las corrientes de primario y secundario respectivamente. Esto nos
sirve para saber que corriente tiene que soportar el fusible que pongamos a la
entrada del transformador, por ejemplo, supongamos que el transformador anterior
es de 0.4 Amperios. Esta corriente es la corriente máxima del secundario I2, pero
nosotros queremos saber que corriente habrá en el primario (I1) para poner allí el
fusible. Entonces aplicamos la fórmula:

I2 = I1 * (N1/N2)
0.4 = I1 * 18.33
I1 = 0.4 / 18.33 = 21,8 mA

Para asegurarnos de que el fusible no saltará cuando no debe se tomará un valor

mayor que este, por lo menos un 30% mayor.

Como ejercicio puedes calcular la tensión que tendríamos si, con el transformador
anterior, nos equivocamos y conectamos a la red el lado que no es, cualquiera mete
la mano ahí... (por si acaso no pruebes a hacerlo en la realidad ya que el aislamiento
del secundario de los transformadores no suelen estar preparados para tensiones tan
altas)

Rectificación con diodos

El rectificador es el que se encarga de convertir la tensión alterna que sale del

transformador en tensión continua. Para ello se utilizan diodos. Un diodo conduce
cuando la tensión de su ánodo es mayor que la de su cátodo. Es como un interruptor
que se abre y se cierra según la tensión de sus terminales:

El rectificador se conecta después del transformador, por lo tanto le entra tensión

alterna y tendrá que sacar tensión continua, es decir, un polo positivo y otro negativo:

99
La tensión Vi es alterna y senoidal, esto quiere decir que a veces es positiva y otras
negativa. En un osciloscopio veríamos esto:

La tensión máxima a la que llega Vi se le llama tensión de pico y en la gráfica figura

como Vmax. la tensión de pico no es lo mismo que la tensión eficaz pero están
relacionadas, Por ejemplo, si compramos un transformador de 6 voltios son 6 voltios
eficaces, estamos hablando de Vi. Pero la tensión de pico Vmax vendrá dada por la
ecuación:

Vmax = Vi * 1,4142
Vmax = 6 * 1,4142 = 8,48 V

Rectificación media onda

El rectificador mas sencillo es el que utiliza solamente un diodo, su esquema es este:

Cuando Vi sea positiva la tensión del ánodo será mayor que la del cátodo, por lo que
el diodo conducirá: en Vo veremos lo mismo que en Vi.

Mientras que cuando Vi sea negativa la tensión del ánodo será menor que la del
cátodo y el diodo no podrá conducir, la tensión Vo será cero.

Según lo que acabamos de decir la tensión Vo tendrá esta forma:

100
Como puedes comprobar la tensión que obtenemos con este rectificador no se
parece mucho a la de una batería, pero una cosa es cierta, hemos conseguido
rectificar la tensión de entrada ya que Vo es siempre positiva. Aunque posteriormente
podamos filtrar esta señal y conseguir mejor calidad este esquema no se suele usar
demasiado.

Rectificación de onda completa

El rectificador mas usado es el llamado rectificador en puente, su esquema es el

siguiente:

Cuando Vi es positiva los diodos D2 y D3 conducen, siendo la salida Vo igual que la

entrada Vi

Cuando Vi es negativa los diodos D1 y D4 conducen, de tal forma que se invierte la

tensión de entrada Vi haciendo que la salida vuelva a ser positiva.

El resultado es el siguiente:

Vemos en la figura que todavía no hemos conseguido una tensión de salida

demasiado estable, por ello, será necesario filtrarla después.

Es tan común usar este tipo de rectificadores que se venden ya preparados los
cuatro diodos en un solo componente. Suele ser recomendable usar estos puentes
rectificadores, ocupan menos que poner los cuatro diodos y para corrientes grandes
vienen ya preparados para ser montados en un radiador. Este es el aspecto de la
mayoría de ellos:

101
Tienen cuatro terminales, dos para la entrada en alterna del transformador, uno la
salida positiva y otro la negativa o masa. Las marcas en el encapsulado suelen ser:

~ Para las entradas en alterna

+ Para la salida positiva
– Para la salida negativa o masa

El Filtro

La tensión en la carga que se obtiene de un rectificador es en forma de pulsos. En un

ciclo de salida completo, la tensión en la carga aumenta de cero a un valor de pico,
para caer después de nuevo a cero. Esta no es la clase de tensión continua que
precisan la mayor parte de circuitos electrónicos. Lo que se necesita es una tensión
constante, similar a la que produce una batería. Para obtener este tipo de tensión
rectificada en la carga es necesario emplear un filtro.

El tipo más común de filtro es el del condensador a la entrada, en la mayoría de los

casos perfectamente válido. Sin embargo en algunos casos puede no ser suficiente y
tendremos que echar mano de algunos componentes adicionales.

Filtro con condensador a la entrada

Este es el filtro mas común y seguro que lo conocerás, basta con añadir un
condensador en paralelo con la carga (RL), de esta forma:

Todo lo que digamos en este apartado será aplicable también en el caso de usar el
filtro en un rectificador en puente.

Cuando el diodo conduce el condensador se carga a la tensión de pico Vmax. Una

vez rebasado el pico positivo el condensador se abre. ¿Por que? debido a que el
condensador tiene una tensión Vmax entre sus extremos, como la tensión en el
secundario del transformador es un poco menor que Vmax el cátodo del diodo esta a
mas tensión que el ánodo. Con el diodo ahora abierto el condensador se descarga a

102
través de la carga. Durante este tiempo que el diodo no conduce el condensador
tiene que "mantener el tipo" y hacer que la tensión en la carga no baje de Vmax. Esto
es prácticamente imposible ya que al descargarse un condensador se reduce la
tensión en sus extremos.

Cuando la tensión de la fuente alcanza de nuevo su pico el diodo conduce

brevemente recargando el condensador a la tensión de pico. En otras palabras, la
tensión del condensador es aproximadamente igual a la tensión de pico del
secundario del transformador (hay que tener en cuenta la caída en el diodo). La
tensión Vo quedará de la siguiente forma:

La tensión en la carga es ahora casi una tensión ideal. Solo nos queda un pequeño
rizado originado por la carga y descarga del condensador. Para reducir este rizado
podemos optar por construir un rectificador en puente: el condensador se cargaría el
doble de veces en el mismo intervalo teniendo así menos tiempo para descargarse,
en consecuencia el rizado es menor y la tensión de salida es mas cercana a Vmax.

Otra forma de reducir el rizado es poner un condensador mayor, pero siempre

tenemos que tener cuidado en no pasarnos ya que un condensador demasiado
grande origina problemas de conducción de corriente por el diodo y, por lo tanto, en
el secundario del transformador (la corriente que conduce el diodo es la misma que
conduce el transformador).

Efecto del condensador en la conducción del diodo:

Como venimos diciendo hasta ahora, el diodo solo conduce cuando el condensador
se carga. Cuando el condensador se carga aumenta la tensión en la salida, y cuando
se descarga disminuye, por ello podemos distinguir perfectamente en el gráfico
cuando el diodo conduce y cuando no. En la siguiente figura se ha representado la
corriente que circula por el diodo, que es la misma que circula por el transformador:

103
La corriente por el diodo es a pulsos, aquí mostrados como rectángulos para
simplificar. Los pulsos tienen que aportar suficiente carga al condensador para que
pueda mantener la corriente de salida constante durante la no conducción del diodo.
Esto quiere decir que el diodo tiene que conducir "de vez" todo lo que no puede
conducir durante el resto del ciclo. Es muy normal, entonces, que tengamos una
fuente de 1 Amperio y esos pulsos lleguen hasta 10 Amperios o mas. Esto no quiere
decir que tengamos que poner un diodo de 10 amperios, Un 1N4001 aguanta 1
amperio de corriente media y pulsos de hasta 30 amperios.

Si ponemos un condensador mayor reducimos el rizado, pero al hacer esto también

reducimos el tiempo de conducción del diodo, Como la corriente media que pasa por
los diodos será la misma (e igual a la corriente de carga) los pulsos de corriente se
hacen mayores:

Y esto no solo afecta al diodo, al transformador también, ya que a medida que los
pulsos de corriente se hacen mas estrechos (y mas altos a su vez) la corriente eficaz
aumenta. Si nos pasamos con el condensador podríamos encontrarnos con que
tenemos un transformador de 0,5 A y no podemos suministrar mas de 0,2 A a la
carga (por poner un ejemplo).

Valores recomendables para el condensador en un RECTIFICADOR EN PUENTE:

Si quieres ajustar el valor del condensador al menor posible esta fórmula te dará el
valor del condensador para que el rizado sea de un 10% de Vo (regla del 10%):

C = (5 * I) / (ƒ * Vmax)

donde:

C: Capacidad del condensador del filtro en faradios

I: corriente que suministrará la fuente
ƒ: frecuencia de la red
Vmax: tensión de pico de salida del puente (aproximadamente Vo)
Si se quiere conseguir un rizado del 7% puedes multiplicar el resultado anterior por
1,4, y si quieres un rizado menor resulta mas recomendable que uses otro tipo de
filtro o pongas un estabilizador.

104
Ejemplo práctico:

Se desea diseñar una fuente de alimentación para un circuito que consume 150 mA
a 12V. El rizado deberá ser inferior al 10%. Para ello se dispone de un transformador
de 10 V y 2,5 VA y de un rectificador en puente. Elegir el valor del condensador:

1.- Calculamos la corriente que es capáz de suministrar el transformador para

determinar si será suficiente, esta corriente tendrá que ser superior a la corriente que
consume el circuito que vamos a alimentar

It = 2,5 / 10 = 250 mA

Parece que sirve, como calcularlo resulta bastante mas complicado nos fiaremos de
nuestra intuición. Ten en cuenta siempre que el transformador tiene que ser de mas
corriente de la que quieras obtener en la carga.

2.- Calculamos la Vmax de salida del puente rectificador teniendo en cuenta la caída
de tensión en los diodos (conducen dos a dos).

Vmax = 10 * 1,4142 – 2 = 12,14 V

Esta será aproximadamente la tensión de salida de la fuente.

3.- Calculamos el valor del condensador según la fórmula del 10%, la I es de 150 mA
la ƒ es 50 Hz en Europa y la Vmax es 12,14 V:

C = (5 * 0,15) / (50 * 12,14) = 0,0012355 F

C = 1235,5 µF

tomaremos el valor mas aproximado por encima.

Filtros pasivos RC y LC

Con la regla del 10 por 100 se obtiene una tensión continua en la carga con un rizado
de aproximadamente el 10%. Antes de los años setenta se conectaban filtros pasivos
entre el condensador del filtro y la carga para reducir el rizado a menos del 1%. La
intención era obtener una tensión continua casi perfecta, similar a la que proporciona
una pila. En la actualidad es muy raro ver filtros pasivos en diseños de circuitos
nuevos, es mas común usar circuitos estabilizadores de tensión. Sin embargo estos
estabilizadores tienen sus limitaciones y es posible que no te quede mas remedio
que usar un filtro pasivo.

Filtro RC:

105
La figura muestra dos filtros RC entre el condensador de entrada y la resistencia de
carga. El rizado aparece en las resistencias en serie en lugar de hacerlo en la carga.
Unos buenos valores para las resistencias y los condensadores serían:

R = 6,8 Ω
C = 1000 µF

Con estos valores cada sección atenúa el rizado en un factor de 10, puedes poner
una, dos, tres secciones. No creo que necesites más.

La desventaja principal del filtro RC es la pérdida de tensión en cada resistencia.

Esto quiere decir que el filtro RC es adecuado solamente para cargas pequeñas. Es
muy util cuando tienes un circuito digital controlando relés, en ocasiones estos relés
crean ruidos en la alimentación provocando el mal funcionamiento del circuito digital,
con una sección de este filtro para la alimentación digital queda solucionado el
problema.

La caída de tensión en cada resistencia viene dada por la ley de Ohm:

V=I*R

donde I es la corriente de salida de la fuente y R la resistencia en serie con la carga.

Filtro LC:

Cuando la corriente por la carga es grande, los filtros LC de la figura presentan una
mejora con respecto a los filtros RC. De nuevo, la idea es hacer que el rizado
aparezca en los componentes en serie, las bobinas en este caso. Además, la caída
de tensión continua en las bobinas es es mucho menos porque solo intervienen la
resistencia de los arrollamientos.

Los condensadores pueden ser de 1000 µF y las bobinas cuanto más grandes mejor.
Normalmente estas últimas suelen ocupar casi tanto como el transformador y, de
hecho, parecen transformadores, menos mal que con una sola sección ya podemos
reducir el rizado hasta niveles bajísimos.

106
Disipación de potencia de reguladores

Cuando un regulador esta funcionando se calienta. Esto es debido a que parte de la

potencia tomada del rectificador es disipada en el regulador. La potencia disipada
depende de la corriente que se esté entregando a la carga y de la caída de tensión
que haya en el regulador.

La figura muestra un regulador funcionando. La corriente que lo atraviesa es la

corriente de la carga IL. Recordemos también que para que un regulador funcione
correctamente la tensión de entrada Vin tenia que ser mayor que la tensión de salida
Vout. Por lo tanto la caida de tensión en el regulador Vr será:

Vr = Vin – Vout

Y la potencia disipada vendrá dada por la la siguiente ecuación:

PD = Vr * IL

Los reguladores que hemos visto son capaces de disipar una potencia de 2 o 3 W
como mucho por si solos. Si se llega a esta potencia es necesario montarlos sobre
unos radiadores adecuados, que serán más grandes cuanta mas potencia queramos
disipar.

Para evitar que la potencia disipada sea lo menor posible tendrás que procurar que
Vin no sea mucho mayor que Vout.

Ejemplo 1:

Tenemos una fuente de alimentación variable desde 1,25v a 15v y 0,5A con un
LM317. Como la tensión máxima de salida son 15v, la tensión de entrada al
regulador tendrá que ser de 18v mas o menos. Vamos a calcular la potencia que
disipa el regulador cuando ajustamos la fuente a 15v, 4v y 2v En todos los casos la
corriente de salida será 0,5A.

a 15v la caída de tensión en el regulador será de 18 – 15 = 3V, la corriente es 0,5 A

luego:

PD = 3 * 0,5 = 1,5 W

107
a 4v la caida de tensión en el regulador será de 18 – 4 = 14v, la corriente es 0,5A
luego:

PD = 14 * 0,5 = 7 W

a 2v la caída de tensión en el regulador será de 18 – 2 = 16v, la corriente es 0,5A

luego:

PD = 16 * 0,5 = 8 W

Fíjate que hemos hecho los cálculos para el mejor de los casos en el que nos hemos
preocupado de que la tensión de entrada al regulador no sea mas de la necesaria,
aun así tenemos que poner un radiador que pueda disipar poco mas de 8W. Es un
radiador bastante grande para una fuente de medio amperio nada mas. Este es un
problema que surge cuando queremos diseñar una fuente con un alto rango de
tensiones de salida. Prueba a hacer el cálculo para una fuente variable hasta 30v y
1A, salen mas de 30 W.

Ejemplo 2:

Queremos una fuente fija con una salida de 5V y 0.5A, vamos a calcular la potencia
que se disipa en el regulador usando un transformador de 7 voltios y otro de 12
voltios.

para el transformador de 7 voltios: La Vmax de salida del transformador será 7 *

1,4142 = 9,9v descontando la caida en los diodos del puente serán 7,9v a la entrada
del regulador. Como la salida es de 5v la potencia disipada PD será:

PD = (7,9 – 5) * 0,5 = 1,45 W

para el transformador de 12 voltios: La Vmax de salida del transformador será 12 *
1,4142 = 16,9v descontando la caida en los diodos del puente serán 14,9v a la
entrada del regulador. Como la salida es de 5v la potencia disipada PD será:

PD = (14,9 – 5) * 0,5 = 4,95 W

Con los dos transformadores estaríamos consiguiendo una salida de 5v y 0,5 A, sin
embargo, con el de 12V nos haría falta poner un radiador en el regulador que nos
podríamos haber ahorrado comprando un transformador de 7V.

Fuente de poder doble con voltajes de salida fijos

En la siguiente figura presentamos una fuente simétrica ajustable que puede cubrir
un amplio margen de usos en nuestro laboratorio o taller. Los valores están incluidos
en la misma figura.

108
De nuevo mediante los potenciómetros P1 y P2 se puede ajustar
independientemente la salida de cada regulador al valor deseado, en el margen de 0
a 30V. Los condensadores C5 y C6 de 47 a 100nf, mejoran la respuesta de los
reguladores frente a los transitorios de conmutación a la salida.

Montaje

El montaje queda reducido y compacto al utilizar un circuito impreso (PCB). Se debe

prestar especial atención a no invertir la posición de los condensadores
electrolíticos, así mismo, no intercambiar los reguladores, en la práctica se puede
apreciar que los patillajes de ambos difieren entre sí, lo que debe observarse con
atención ya que su inversión los destruye inmediatamente. El transformador, según
la línea de red y 5A de salida por secundario.

Las zona de contacto entre los reguladores y el refrigerador debe aislarse e

impregnarse de silicona especial que, ayudará a disipar el calor, poner especial
cuidado en aislar todos los terminales de los mismos ya que igualmente se
destruirían por cortocircuito.

Los cables de conexión deben ponerse de suficiente sección 2 o 3 mm Ø,  para no

oponer ninguna resistencia y así evitar caídas de tensión al cargar la salida. Para

109
poder controlar en todo momento el valor de la tensión de salida suministrada por la
fuente, recomendamos incorporar en la caja, dos indicadores (galvanómetros) uno
por rama, como voltímetros y si se desea dos como amperímetros.

Utilización

Al terminar el montaje, la fuente quedará dispuesta para su inmediata utilización, sin

necesidad de ajuste alguno, excepto el ajuste de P1 y P2 para obtener la tensión
deseada a la salida.

En caso de cortocircuito, la corriente máxima quedará limitada a 7A, según el propio

fabricante evitando de este modo su destrucción. Se recomienda no probar si esto es
cierto, debido al alto costo de estos reguladores y la hipotética posibilidad de que no
actúe el sistema de desconexión interna.

 En la próxima parte se describe el circuito de la fuente de alimentación para

laboratorio, con explicaciones suficientes para su correcta comprensión aunque
siempre se puede consultar la aclaración de cualquier duda que surja. 

Fuente de poder doble con voltajes de salida variable

Fuente de alimentación simétrica regulada y variable 0 a 30V 2A o 5A

110
Esta circuito no necesita mayor explicación se trata de una fuente simétrica regulada
variable, que puede proporcionar hasta 15V por sección (-15 y +15), o hasta 30V en
conjunto, para un consumo de hasta 2A, pero con algunos cambios puede
modificarse para proporcionar hasta 5A** (o incluso más). Los transistores Q1 y Q2
deben se montados en disipadores térmicos, al igual que los integrados LM317 y
LM337T que utilizan encapsulado TO-220.

Componentes:

T1 - Transformador con primario adecuado para la red eléctrica (110 o 220V) y

secundario de 15+15 para 2A. **

IC1 - Circuito Integrado LM317 (ECG956)

IC2 - Circuito Integrado LM337T (ECG957)
Q1 - Transistor TIP3055
Q2 - Transistor TIP2955
Q3 - Transistor BC548 o similar
Q4 - Transistor BC558 o similar
D1 al D4 - Diodos 1N5804 o similares. **
D5 y D6 - Diodos LED
C1 y C2 - Condensadores electrolíticos 4700uF 35V **
C3 al C6 - Condensadores de 0.1uF (100nF) 50V
R1 y R2 - Resistencias de 1000 ohms 1/2W
R3 y R4 - Resistencias de 220 ohms 1/2W
R5 y R6 - Resistencias de 0.5 ohm 5W **
R7 y R8 - Resistencias de 470 Kohms 1/2W
P1 y P2 - Potenciometros de 5000 ohms

** Modificaciones para 5A:

T1 - Transformador con primario adecuado para la red eléctrica (110 o 220V) y
secundario de 15+15 para 5A.
D1 al D4 - Diodos 1N5809 o similares.
C1 y C2 - Condensadores electrolíticos 10000uF 35V
R5 y R6 - Resistencias de 0.22 ohm 10W

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111
 UNIDAD VII. DIODOS DE APLICACIONES ESPECIALES

7.1. Diodo Zener

En 1934 un científico llamado Carlos Zener propuso una teoría de ruptura eléctrica
en los sólidos, señalo que bajo cierta intensidad de campo, los portadores pueden
cruzar la unión o juntura mediante un proceso de mecánica cuántica. Tal como si los
portadores hubiese túneles en la barrera. Una vez que se produce la juntura, se
desarrolla con rapidez para convertirse en una avalancha de corriente.

Por supuesto se refería a corriente de unos cuantos µamperios; pero se trataba de

corriente inversa. El diodo Zener se diseño para que funcionara de acuerdo con esta
premisa, dicho componente funciona con polarización inversa y la polarización
operacional apropiada produce corriente en el centro de la zona de ruptura. Puesto
que el diodo Zener fue el primer dispositivo que funciona en estas condiciones, una
parte de la curva de corriente inversa se conoce como región Zener.

Un diodo Zener, es un diodo de silicio que se ha construido para que funcione en las
zonas de rupturas. Llamados a veces diodos de avalancha o de ruptura, el diodo
zener es la parte esencial de los reguladores de tensión casi constantes con
independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensión de red, de la
resistencia de carga y temperatura.

Símbolo esquemático

El diodo Zener se representa en los esquemas con el siguiente símbolo:

Resistencia Zener

Un diodo zener, como cualquier diodo, tiene cierta resistencia interna en sus zonas P
y N; al circular una corriente a través de éste se produce una pequeña caída de
tensión de ruptura.
En otras palabras: si un diodo zener está funcionando en la zona zener, un aumento
en la corriente producirá un ligero aumento en la tensión. El incremento es muy
pequeño, generalmente de una décima de voltio.

Los diodos Zener mantienen la tensión entre sus terminales prácticamente

constante, cuando están polarizados inversamente, en un amplio rango de
intensidades y temperaturas, por ello, este tipo de diodos se emplean en circuitos
estabilizadores o reguladores de la tensión tal y como el mostrado en la figura.

112
Eligiendo la resistencia R y las características del diodo, se puede lograr que la
tensión en la carga (RL) permanezca prácticamente constante dentro del rango de
variación de la tensión de entrada VS.

Para elegir la resistencia limitadora R adecuada hay que calcular primero cual puede
ser su valor máximo y mínimo, después elegiremos una resistencia R que se adecue
a nuestros cálculos.

Donde:
1. Rmin es el valor mínimo de la resistencia limitadora.
2. Rmax es el valor máximo de la resistencia limitadora.
3. Vsmax es el valor máximo de la tensión de entrada.
4. Vsmin es el valor mínimo de la tensión de entrada.
5. Vz es la tensión Zener.
6. ILmin es la mínima intensidad que puede circular por la carga, en ocasiones,
si la carga es desconectable, ILmin suele tomar el valor 0.
7. ILmax es la máxima intensidad que soporta la carga.
8. Izmax es la máxima intensidad que soporta el diodo Zener.
9. Izmin es la mínima intensidad que necesita el diodo zener para mantenerse
dentro de su zona zener o conducción en inversa.
La resistencia que elijamos, debe estar comprendida entre los dos resultados que
hemos obtenido.

113
Característica

Su gráfica es de la siguiente forma:

De acuerdo con la curva característica anterior, cuando un diodo Zener se polariza

en modo inverso, el diodo actúa como un interruptor cerrado (igual que un diodo de
unión normal). La corriente directa aumenta con la tensión aplicada y esta limitada
prácticamente por parámetros externos del circuito. Cuento el diodo está polarizado
en sentido inverso, produce una pequeña i inversa llamada de saturación, esta
permanece relativamente constante hasta que se alcanza la región de ruptura Zener
en la proximidad de la tensión Zener del dispositivo. A pesar del aumento de
polarización inversa cerca de la tensión de ruptura la i inversa aumenta rápidamente
a causa del efecto de avalancha. Finalmente la ruptura Zener (caracterizada por un
brusco cambio de corriente) tiene lugar cuando se alcanza la tensión Zener. En esta
región, pequeñas variaciones de tensión dan por resultado grandes variaciones de
corrientes. Evidentemente hay cambios muy bruscos de resistencia efectiva en la
union p-n.
La ruptura Zener no origina necesariamente la destrucción de dispositivos. Mientras
la corriente esta limitada en el diodo por el circuito exterior hasta un nivel que no
exceda la capacidad de potencia del diodo éste continua funcionando normalmente.
Por otra parte reduciendo la polarización inversa por debajo de la tensión Zener, se
puede variar el nivel de tensión hasta restaurar el nivel de corriente de saturación. El
proceso de conmutación del diodo entre sus estados de corriente Zener y de
saturación puede ser repetido tantas veces como sea necesario sobre que se
deteriore el elemento.

Un diodo normal también tiene una zona de ruptura, pero no puede funcionar en él,
con el Zener si se puede trabajar en esa zona.

114
La potencia máxima que resiste en la "Zona de Ruptura" ("Zona Zener"):

En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" ó "Efecto Zener", esto es, la

corriente aumenta bruscamente.

Para fabricar diodos con un valor determinado de tensión de ruptura (V Z) hay que ver
la impurificación porque VZ es función de la impurificación (NA ó ND), depende de las
impurezas.

La zona de ruptura no es una vertical, realmente tiene una inclinación debida a R Z:

En un "Diodo Zener Real" todos son curvas, pero para facilitar los cálculos se
aproxima siempre.

115
Las aproximaciones para el zener son estas:

Modelo ideal (1ª aproximación)

Si buscamos su equivalente veremos que es una pila con la tensión V Z.

Esto solo es válido entre IZmín y IZmáx.

116
2ª aproximación

Como en el caso anterior lo sustituimos por un modelo equivalente:

Probador / Medidor de Diodos Zener

Con el avance del tiempo los componentes electrónicos van mejorando tanto en su
calidad como en su empaque, pero esto no sucede en los diodos zener, los cuales
son casi imposible de identificar por su encapsulado carente de inscripciones. Para
suplir esa falta presentamos este práctico instrumento de taller que nos permitirá
saber el valor de un diodo y, al mismo tiempo, si esta funcionando correctamente.

117
El circuito consta de dos secciones. La primera se encarga de oscilar sobre el
bobinado de baja tensión de un transformador de alimentación. En su bobinado de
220v se presenta una tensión acorde al ajuste del oscilador, efectuado por el
potenciómetro de 10K. Rectificada y filtrada, la tensión resultante es limitada en
corriente y aplicada al zener, el cual cortará en el nivel de voltaje para el cual está
fabricado. Con un voltímetro de continua podremos saber, entonces, el valor de esa
tensión.
Forma de uso:
1. Colocar el zener a medir en los bornes de prueba
2. Girar el potenciómetro a su mínimo recorrido (que quede en 10K)
3. Encender el instrumento (en caso de ser un tester)
4. Encender el probador de zener
5. Comenzar a girar el potenciómetro
6. La tensión en el instrumento aumentará gradualmente
7. Donde se detenga la cresta será la tensión de trabajo del diodo
Dada su simpleza este circuito puede ser armado sobre una regleta de conexiones o
en una placa universal sin problema alguno. Si alguien decide diseñar un circuito
impreso y nos lo envía, desde ya muchas gracias.

7.2. El Diodo Schottky

El diodo Schottky llamado así en honor del físico alemán Walter H. Schottky, es un
dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los
estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de
5 mm de diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como
tensiones de codo, aunque en inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de
rodilla). La tensión de codo es la diferencia de potencial mínima necesaria para que
el diodo actúe como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de
lado la región Zener, que es cuando más bien existe una diferencia de potencial lo
suficientemente negativa para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de
corriente- éste opere de igual forma como lo haría regularmente.
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la
polarización cambia de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el
tiempo de conmutación puede llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el
dispositivo.
El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera
Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P - semiconductor N
utilizada por los diodos normales.

118
Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador
mayoritario". Esto significa que, si el cuerpo semiconductor está dopado con
impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) jugaran un
papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación
aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores
normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida.
La alta velocidad de conmutación permite rectificar señales de muy altas frecuencias
y eliminar excesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
A diferencia de los diodos convencionales de silicio, que tienen una tensión umbral
—valor de la tensión en directa a partir de la cual el diodo conduce— de 0,6 V, los
diodos Schottky tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,2 V a 0,4 V
empleándose, por ejemplo, como protección de descarga de células solares con
baterías de plomo ácido.
La limitación más evidente del diodo de Schottky es la dificultad de conseguir
resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo Schottky encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutación y mediante su poca caída de voltaje en directo permite
poco gasto de energía, otra utilización del diodo Schottky es en variadores de alta
gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el
transistor del freno y este no pierda sus facultades.

El diodo Schottky se emplea en varios tipos de lógica TTL. Por ejemplo los tipos ALS
y AS permiten que los tiempos de conmutación entre los transistores sean mucho
menores puesto que son más superficiales y de menor tamaño por lo que se da una
mejora en la relación velocidad/potencia. El tipo ALS permite mayor potencia y menor
valocidad que la LS,mientras que las AL presentan el doble de valocidad que las
Schottly TTL con la misma potencia.
A este tipo de diodo también se le denomina diodo de barrera Schottky.

119
Curvas IF / VF

Diodo BAT-85 de Philips

Con estas curvas podemos apreciar lo siguiente:

 Los bajos valores que adquiere la caída de tensión en directo y la pequeña
tensión de codo, propia de este tipo de diodo.

 La tensión de codo y la caída de tensión en directo disminuyen al aumentar la

temperatura.

120
 Curvas intensidad / tensión inversas

Diodo BAT-85 de Philips

En estas curvas podemos apreciar que:
 La intensidad inversa es directamente proporcional a la tensión inversa.
Grandes variaciones de VR producen pequeños cambios de IR.
 Para un mismo valor de tensión inversa la intensidad inversa aumenta con la
temperatura.

Curvas PF / IF(AV) / Tmb

Diodo BYV-143 de Philips

121
Estas curvas relacionan la potencia directa disipada con la corriente media directa y
la temperatura de la cápsula, todo ello suponiendo señales cuadradas. Cada curva
se proporciona para un valor de ciclo de trabajo.
Estas curvas se emplean para los cálculos de disipación.

Otras curvas
Existen diversas curvas que algunos fabricantes proporcionan y que son de
mencionar. Es el caso de los nomogramas, que nos permiten hallar gráficamente un
dato a partir de otros, aunque estas gráficas son cada vez menos incluidas en las
hojas de características y son sustituidas por otras gráficas más explícitas y tablas de
datos adicionales.

Ejemplos diodos Schottky

1N5819 1Am 40Vlts. DO15

1N5822 3Am 40Vlts. DO201
BAT41 100mA.  100Vlts. DO35
BAT43 200mA. 30Vlts. DO35
BAT47 350mA. 20Vlts. DO35
BAT81 Diodo BAT81 DO35
BAT85 Diodo BAT85 DO34

7.3. Varactores

El diodo de capacidad variable o Varactor o Varicap es un tipo de diodo que basa su

funcionamiento en el fenómeno que hace que la anchura de la barrera de potencial
en una unión PN varié en función de la tensión inversa aplicada entre sus extremos.
Al aumentar dicha tensión, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo así la
capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado
por tensión. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensión
inversa mínima tiene que ser de 1 V.

La aplicación de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintonía de TV,

modulación de frecuencia en transmisiones de FM y radio y en los osciladores
controlados por voltaje (Oscilador controlado por tensión).

La capacitancia de transición (CT) establecida por la región sin carga se determina

mediante:
CT = E (A/Wd)

donde:
E es la permitibilidad de los materiales semiconductores
A es el área de la unión P-N
Wd el ancho de la región de agotamiento

122
Conforme aumenta el potencial de polarización inversa, se incrementa el ancho de la
región de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transición. El pico
inicial declina en CT con el aumento de la polarización inversa. El intervalo normal de
VR para diodos varicap se limita aproximadamente 20V. En términos de la
polarización inversa aplicada, la capacitancia de transición se determina en forma
aproximada mediante:
CT = K / (VT + VR)n
donde:
K = constante determinada por el material semiconductor y la técnica de
construcción.
VT = potencial en la curva según se definió en la sección
VR = magnitud del potencial de polarización inversa aplicado
n = 1/2 para uniones de aleación y 1/3 para uniones de difusión

Figura. Capacitancia en función de VR

Aplicaciones

Modulador con diodo varactor.

Un diodo de capacidad variable por tensión, llamado varactor o varicap, es aquel en

el cual la capacidad de la unión varía electrónicamente con facilidad. Esta variación
se lleva a cabo simplemente cambiando la polarización inversa del diodo. Un diodo
varactor puede conectarse de diversas maneras para que afecte a un circuito
resonante. Por esta razón, un modulador por diodo varactor es uno de los sistemas
más sencillos de generar una señal de FM. En la figura mostrada vemos
moduladores con diodo varactores típicos. En la figura (a), un diodo varactor
proporciona la capacidad total al circuito tanque de un oscilador Hartley. En el
oscilador Colpitts de la figura (b), el diodo varactor es uno de los componentes
capacitivos del circuito tanque. En estos dos circuitos, la frecuencia del oscilador de
RF está determinada por la polarización inversa aplicada a los diodos varactores, y la
modulación de frecuencia es el resultado de la señal moduladora de AF aplicada a
través de RFC1.

123
El circuito de la figura (c) ofrece sencillez, la fiabilidad y la estabilidad de un oscilador
a cristal. En este circuito, un diodo varactor está conectado a un circuito oscilador
Pierce. La frecuencia central del oscilador está determinada por el valor de la
capacidad nominal del diodo varactor, que lo establece la polarización inversa

124
proporcionada por los resistores R1 y R2. Una señal moduladora de AF aplicada a
través de RFC1 varía la polarización inversa del varactor, cambiando su capacidad y,
como consecuencia, la frecuencia del oscilador.

Fotodiodos

Los detectores de luz, dispositivos basados en la tecnología de semiconductores de

silicio, producidos en gran escala, que convierten las señales de luz en señales
eléctricas, son otra parte importante de la moderna imagen de la optoelectrónica del
semiconductor.
 
El fotodiodo
 
El fotodiodo de unión pn polarizada en sentido inverso es un elemento básico para
comprender los dispositivos fotosensibles de silicio. Cuando la luz de longitud de
onda apropiada es dirigida hacia la unión, se crean pares hueco-electrón que se
desplazan a través de la unión debido al campo generado en la región deprimida. El
resultado es un flujo de corriente, denominado fotocorriente, en el circuito externo,
que es proporcional a la irradiancia efectiva en el dispositivo. El fotodiodo se
comporta básicamente como un generador de corriente constante hasta que se
alcanza la tensión de avalancha.
 

 
Fotodiodo sensible a la luz con unión pn polarizada inversamente.
 

125
 El fotodiodo exhibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante
determinada. Para esta longitud de onda, se produce la máxima cantidad de pares
huecos-electrón en la proximidad de la unión.
 
El máximo de la curva de respuesta espectral de un fototransistor típico se
halla en 850 nm, aproximadamente.
La totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unión a
fotodiodo y un amplificador. En la mayoría de dispositivos comerciales, la corriente
del fotodiodo se halla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las
decenas de microamperios, pudiendo añadirse a la pastilla un amplificador por un
coste mínimo.
 
 
Fotodiodo de avalancha
 
Es posible incorporar un tipo de sistema amplificador de empleo común formando
parte del propio fotodiodo. El fotodiodo de avalancha utiliza la multiplicación por
avalancha para conseguir amplificar la fotocorriente creada por los pares hueco-
electrón. Esto proporciona una elevada sensibilidad y gran rapidez. Sin embargo, el
equilibrio entre ruido y ganancia es difícil de conseguir y como consecuencia, el coste
es alto. Asimismo la estabilidad de temperatura es deficiente y se requiere una
tensión de alimentación de valor elevado (100-300 v.), estrechamente controlada.
Por estas razones, el fotodiodo de avalancha tienelimitadas aplicaciones.
 
Fototransistor
 
El transistor sensible a la luz es una de las combinaciones fotodiodo amplificador
más simples. Dirigiendo una fuente de luz hacia la unión pn polarizada en sentido
inverso (colector-base), se genera una corriente de base, que es amplificada por la
ganancia de corriente del transistor.
 

 
Se requiere un cuidadoso proceso de elaboración de la pastilla del transistor para
hacer compatible la máxima reducción de la corriente en la oscuridad del
fototransistor, con la obtención de una alta sensibilidad a la luz. Las corrientes de
este tipo, típicas del fototransistor para una tensión inversa de 10v, son del orden de
1 nA a temperatura ambiente y aumentan en un factor de 2 para cada 10 ºC de
aumento de temperatura. Las especificaciones del fototransistor garantizan
normalmente unos límites de corriente en la oscuridad mucho más altos, por ejemplo
50 a 100 nA, debido a las limitaciones del equipo automático de prueba.

126
 

 
Fotodarlington
 
Básicamente, este dispositivo es el mismo que el transistor sensible a la luz, excepto
que tiene una ganancia mucho mayor debido a las dos etapas de amplificación,
conectadas en cascada, incorporadas en una sola pastilla.
 

 
Amplificador fotodarlington.
 
Foto SCR
 
El circuito equivalente con dos transistores del rectificador controlado de silicio
mostrado en la figura ilustra el mecanismo de conmutación de este dispositivo.
 
La corriente debida a los fotones, generada en la unión pn polarizada en
sentido inverso, alcanza la región de puerta y polariza en sentido directo el transistor
npn, iniciando la conmutación.
 

Otros amplificadores fotodetectores

127
La tecnología de los circuitos integrados permite múltiples combinaciones de
dispositivos fotosensibles con elementos activos y pasivos, en una pastilla de silicio
única. Ejemplos específicos de estos dispositivos son el fotodarlington con
resistencia base-emisor integral, el fotodetector a FET bilateral analógico, los
dispositivos de activación de triacs y el disparador de Schmitt con entrada óptica.
 
 
Fotorresistencias

Light Dependent Resistor (LDR)

Resistencia dependiente de la luz

El LDR es una resistencia que varía su valor dependiendo de la cantidad de luz que
la ilumina.

Los valores de una fotorresistencia cuando está totalmente iluminada y cuando está
totalmente a oscuras varía, puede medir de 50 ohmios a 1000 ohmios (1K) en
iluminación total y puede ser de 50K (50,000 Ohms) a varios megaohmios cuando
está a oscuras.

El LDR es fabricado con materiales de estructura cristalina, y utiliza sus propiedades

fotoconductoras.

Los cristales utilizados más comunes son: sulfuro de cadmio y seleniuro de cadmio.

Símbolo de la fotorresistencia o LDR

El valor de la fotorresistencia (en Ohmios) no varía de forma instantánea cuando se

pasa de luz a oscuridad o al contrario, y el tiempo que se dura en este proceso no
siempre es igual si se pasa de oscuro a iluminado o si se pasa de iluminado a
oscuro.

Esto hace que el LDR no se pueda utilizar en muchas aplicaciones, especialmente

aquellas que necesitan de mucha exactitud en cuanto a tiempo para cambiar de
estado (oscuridad a iluminación o iluminación a oscuridad) y a exactitud de los
valores de la fotorresistencia al estar en los mismos estados anteriores. Su tiempo de
respuesta típico es de aproximadamente 0.1 segundos.

Pero hay muchas aplicaciones en las que una fotorresistencia es muy útil. En casos
en que la exactitud de los cambios no es importante como en los circuitos:

- Luz nocturna de encendido automático, que utiliza una fotorresistencia

para activar una o mas luces al llegar la noche.

128
 - Relé controlado por luz, donde el estado de iluminación de la
fotorresistencia, activa o desactiva un Relay (relé), que puede tener un
gran número de aplicaciones

El LDR o forresistencia es un elemento muy útil para aplicaciones en circuitos donde

se necesita detectar la ausencia de luz de día.

Aplicaciones

Relé controlado por luz

Este circuito es muy interesante, la fotorresistencia (resistencia dependiente de la luz

o LDR) cambia su valor en ohmios dependiendo de la cantidad de luz que la incida
sobre ella.

Cuando el LDR está iluminado su resistencia es baja y causa que el voltaje en la

base del transistor se incremente. El transistor 1 conducirá, lo que causará que el
transistor T2 no lo haga (entre en corte). De esta manera el Relay / relé no se activa.

Cuando el LDR NO esta iluminado su resistencia es alta y causa que el voltaje en la

base del transistor se haga pequeña. El transistor T1 NO conducirá lo que causará
que el transistor T2 si lo haga (entre en conducción). De esta manera el relay o relé
se activa.

El valor de la fotorresistencia no es crítico y se puede utilizar casi cualquiera pues se

incluye un potenciómetro en serie para controlar la sensibilidad del circuito.

Se utiliza un sistema muy sencillo de obtención de corriente continua, como es el

rectificador de media onda con sólo un diodo (ver diodo 1N4002) y esta señal
rectificada se aplana con ayuda del condensador de 470 o 1000 uF. La tensión
resultante está lejos de ser plana, pero el circuito no necesita más.

Notas:

N.A. =  contacto Normalmente Abierto

N.C. =  contacto Normalmente Cerrado

129
Lista de componentes

Transistores: 2 NPN 2N2222 o equivalente (NTE 123)

Resistencias:  1 potenciómetro de 47 KΩ (1/4 watt), 1 de 4.7 KΩ (kiloohmios), 1 de 1
MΩ  (Megaohmios)
Condensadores: 1 de 470 uF  (microfaradios) 25 Voltios (electrolíticos)
Diodos: 1  1N4002 o equivalente
Otros: 1 LDR (fotoresistencia de cualquier valor), 1 Relay (relé) de 12 voltios (con la
resistencia del bobinado lo más alta posible, (500  ohms o más), 1 transformador de
110 o 220 c.a. Voltios en el primario (depende del servicio que haya en su país) y de
9 voltios voltios en el secundario, de 500 miliamperios.

Luz nocturna automática

Este circuito te ayudará a encender luces automáticamente a la hora en que la luz

del día desaparezca. Perfecto para iluminar lugares solos, la luz de jardín, puerta de
entrada de la casa, etc.

El temporizador 555 se comporta como un comparador. Cuando la entrada (nivel de

voltaje) de la patilla # 2 (TRI) esté por debajo de un nivel que es necesario para
disparar el temporizador, la salida (patilla # 3, (OUT)) estará nivel alto activando el
Relay (relé) que conectará a su vez la lámpara o bombillo que dará la Luz.

El LDR (fotorresistencia) aumenta su resistencia al oscurecer y el cursor (flecha) que

apunta en el potenciómetro de 100 Kilohmios tendrá un nivel de voltaje menor. Esta
variación se puede entender por la división de voltaje que hay en el cursor (flecha)
del potenciómetro.

Este circuito utiliza un transformador, 2 diodos y un capacitor (condensador)

electrolítico (tiene polaridad) para obtener el voltaje en corriente continua necesario
para que el 555 funcione. Este voltaje es de aproximadamente 16 voltios.

El potenciómetro de 100K es necesario para ajustar el nivel de luz que hará que el
circuito funcione bien.

Nota: el diodo en paralelo con el relé es para eliminar el voltaje contraelectromotriz

que se crea en la bobina del relé cuando este deja de estar activo.

130
Lista de componentes

Circuitos integrados: 1 C.I. temporizador 555

Resistencias:  4 de 10KΩ, 1 LDR (resistencia dependiente de la luz) 
Condensadores: 1 de 220 nF,  1 de 1000 uF electrolítico
Diodos: 2 1N4002, 1 1N4148
Otros: 1 transformador 110 o 220 Voltios en el primario (dependiendo de ubicación
geográfica), 12 V secundario de 300 mA.(miliamperios), con derivación central, 1
potenciómetro de 100KΩ, 1 Fusible de 4 amperios, 1 switch (interruptor), 1 relé que
se active con 9 voltios

UNIDAD VIII. EL TRANSISTOR BIPOLAR

8.1. Construcción y clasificación de un transistor.

El término transistor es la contracción de transfer resistor, es decir, de resistencia de

transferencia. El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que se utiliza
como amplificador o conmutador electrónico (llave electrónica).El transistor se utiliza,
por tanto, como amplificador, como oscilador, como rectificador y como conmutador
on-off. Es un componente clave en nuestra civilización ya que toda la electrónica
moderna los utiliza en: circuitos integrados, microprocesadores, controladores de
motores eléctricos de corriente continua y de pasos y actualmente están integrados a
todos los dispositivos electrónicos de utilización diaria: radios, televisores,
grabadores, reproductores de audio y vídeo, hornos de microondas, lavarropas
automáticos, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo,
calculadoras, impresoras, lámparas de iluminación fluorecentes, equipos de rayos X,
tomógrafos, ecógrafos, etc., etc. etc.

131
Sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos o triodo, el transistor bipolar fue
inventado en los Laboratorios Bell de EEUU en Diciembre de 1947 por John
Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, los cuales fueron
galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956.

Sus inventores lo llamaron así por la propiedad que tiene de cambiar la resistencia al
paso de la corriente eléctrica que circula a través suyo —entrando por uno de los 3
terminales (el "emisor") y saliendo por otro (el "colector") en función de la mayor o
menor corriente eléctrica que, para excitarlo, se inyecte en el tercero (la "base")—.

El transistor bipolar consta de un sustrato y tres partes contaminadas artificialmente

que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que
los recibe o recolecta y la tercera, que está intercalada entre las dos primeras,
modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las válvulas el transistor
es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada.
En el diseño de circuitos a los transistores se los considera un elemento activo, a
diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su
funcionamiento solo puede explicarse mediante mecánica cuántica, en realidad El
Transistor es un dispositivo cuántico.

Para explicarlo en palabras sencillas, la corriente que circula por el "colector" es

función amplificada de la que se inyecta en la "base" , pero naturalmente, el
transistor sólo gradúa la corriente que circula a su través, desde una fuente de
corriente continua conectada al "emisor" y circula hacia la carga por el "colector",
según el tipo de circuito que se utilice. El factor de amplificación logrado entre
corriente de base y corriente de colector, se denomina Beta del transistor, otros
parámetros a tener en cuenta y que son particulares de cada tipo de transistor son:
Tensiones de ruptura de Colector Emisor, de Base Emisor, de Colector Base,
Potencia Máxima, disipación de calor, frecuencia de trabajo, y varias tablas donde se
grafican los distintos parámetros como ser, corriente de base, tensión Colector
Emisor, tensión Base Emisor, corriente de Emisor, etc. Los tres tipos de esquemas
básicos para utilización analógica de los transistores son: emisor común, colector
común y base común.

Modelos posteriores al transistor descrito, el transistor bipolar (transistores FET,

MOSFET, JFET, CMOS, VMOS, etc.) no utilizan para modular la corriente de emisor
o colector la corriente que se inyecta en el terminal de "base", sino que la tensión
presente en el terminal de puerta o reja de control y gradúa la conductancia del canal
entre los terminales de Fuente y Drenador, entonces la corriente de salida en la

132
carga conectada al Drenador (D) será función amplificada de la Tensión presente
entre la Puerta (Gate) y Fuente (Source). Su funcionamiento es análogo al del triodo,
con la salvedad que en el triodo los equivalentes a Puerta, Drenador y Fuente son
Reja, Placa y Cátodo, además, en las válvulas tenemos la emisión de electrones
desde el Filamento, responsable de la iluminación de las mismas. Los transistores de
efecto de campo, son los que han permitido la integración a gran escala que
disfrutamos hoy en día, para tener una idea aproximada pueden fabricarse varios
miles de transistores interconectados por centímetro cuadrado y en varias capas
superpuestas.

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8.2. Operación de un transistor bipolar.

El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede
ser de germanio o silicio.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente
en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.

El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B),

colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la
flecha en el gráfico de transistor.

                            
Transistor NPN          Transistor PNP

El transistor es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos

una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra
(emisor) , una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación.
Este factor se llama b (beta) y es un dato propio de cada transistor.

Entonces:

133
 - Ic (corriente que pasa por la patilla colector) es igual a b (factor de amplificación)
por Ib (corriente que pasa por la patilla base).
 - Ic = β * Ib
- Ie (corriente que pasa por la patilla emisor) es del mismo valor que Ic, sólo que, la
corriente en un caso entra al transistor y en el otro caso sale de el, o viceversa.

Según la fórmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el
circuito (Vcc), pero en la realidad si lo hace y la corriente Ib cambia ligeramente
cuando se cambia Vcc. Ver figura.

En el segundo gráfico las corrientes de base (Ib) son ejemplos para poder entender
que a mas corriente la curva es mas alta

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8.3. Operación de un tansistor sin polarizar.

- Región de corte: Un transistor esta en corte cuando:

corriente de colector  = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)

En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor es el voltaje de

alimentación del circuito. (como no hay corriente circulando, no hay caída de voltaje,
ver Ley de Ohm). Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base =
0 (Ib =0)

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8.4. Operación de un tansistor polarizado.

- Región de saturación: Un transistor está saturado cuando:

corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima, (Ic = Ie = I máxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de alimentación del

circuito y de las resistencias conectadas en el colector o el emisor o en ambos, ver
ley de Ohm. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo

134
suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más
grande. (recordar que Ic = β * Ib)

- Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la

región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta
región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base
(Ib), de β (ganacia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que hayan conectadas en el colector y emisor). Esta región es la mas
importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

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8.5 Curvas de operación.

Configuración de Base Común

Para la configuración de base común con transistores pnp y npn. La terminología de

la base común se deriva del hecho de que la base es común tanto a la entrada como
a la salida de la configuración. A su vez, por lo regular la base es la terminal más
cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. A lo largo de este libro todas
las direcciones de corriente harán referencia al flujo convencional (huecos) en lugar
de hacerlo respecto al flujo de electrones. Para el transistor la flecha en el símbolo
gráfico define la dirección de la corriente del emisor (flujo convencional) a través del
dispositivo.

Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales,

como los amplificadores de base común se requiere de dos conjuntos de
características, uno para el punto de excitación o parámetros de entrada y el otro
para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base común
relacionará la corriente de entrada (IE). el conjunto de características de la salida o
colector tiene tres regiones básicas de interés: la regiones activa, de corte y de
saturación. La región activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales
(sin distorsión). En particular:

En la región activa la unión base - colector se polariza inversamente, mientras que la

unión emisor - base se polariza directamente.

La región activa se define mediante los arreglos de polarización de la figura D. En el

extremo más bajo de la región activa, la corriente del emisor (IE) es cero; esa es la
verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturación inversa ICO,
como lo señala la figura E.

La corriente ICO real es tan pequeña (microamperes) en magnitud si se compara con

la escala vertical de IC = 0. Las condiciones del circuito que existen cuando IE = 0
para la configuración de base común se muestra en la figura F. La notación que con
más frecuencia se utiliza para ICO en los datos y las hojas de especificaciones es,
como se indica en la figura F., ICBO.

135
Debido a las mejoras en las técnicas de fabricación, el nivel de ICBO para los
transistores de propósito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia
baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin
embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, así como Is, para el diodo
(ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores
temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a
que aumenta muy rápidamente con la temperatura.

En la región de corte, tanto la unión base - colector como la unión emisor - base de
un transistor tienen polarización inversa.

En la región de saturación, tanto la unión como la emisor - base están en

polarización directa.
 

Figura D. Símbolos utilizados con la configuración común: a) transistor pnp; b)

transistor npn.

Figura E. Características de salida o colector para un amplificador a transistor de

base común.
 
 
 
 

136
 Figura F. Corriente de saturación inversa.
 
Configuración de Emisor Común

La configuración de transistor que se encuentra más a menudo aparece en la figura

G. para los transistores pnp y npn. Se le denomina configuración de emisor común
debido a que el emisor es común o hace referencia a las terminales tanto de entrada
como de salida (en este caso, es común tanto a la terminal de base como a la de
colector). Una vez más, se necesitan dos conjuntos de características para describir
por completo el comportamiento de la configuración de emisor común: uno para el
circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor.

En la región activa de un amplificador de base común la unión del colector-base se

encuentra polarizada inversamente, mientras que la unión base-emisor se encuentra
polarizada directamente.

Para propósitos de amplificación lineal (la menor distorsión), el corte para la

configuración de emisor común se definirá mediante IC = ICEO.

a)                                                  b)
Figura G. símbolos utilizados con la configuración de emisor común: a) transistor
npn; b) transistor pnp.

Configuración de Colector Común

La configuración de colector común se utiliza sobre todo para propósitos de

acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base
común y de un emisor común.

La figura H muestra una configuración de circuito de colector común con la

resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. Obsérvese que el colector se
encuentra conectado a la tierra aunque el transistor esté conectado de manera
similar a la configuración del emisor común. Desde un punto de vista de diseño, no
se requiere de un conjunto de características de colector común para elegir los

137
parámetros del circuito de la figura H puede diseñarse utilizando las características
de salida para la configuración de colector común son la mismas que para la
configuración de emisor común.

Figura H. Configuración de colector común utilizado para propósitos de acoplamiento

impedancia.
 

Probador automático de transistores

Quien no tiene la duda alguna vez si un transistor determinado funciona o no?

Bueno, este instrumento está pensado para que de forma simple y rápida el técnico
pueda determinar el correcto funcionamiento de cualquier transistor.

Cabe aclarar que este instrumento solo indica si el transistor funciona correctamente
o no y el tipo de polaridad del mismo (NPN o PNP). No mide ni la ganancia ni traza la
curva de trabajo.

138
Arriba se observa el circuito electrónico del instrumento el cual es bastante simple de
entender. El 555 superior es un oscilador de media frecuencia que genera una onda
cuadrada de aproximadamente 1KHz. Esta señal es primero separada en semiciclos
positivos y negativos y luego inyectada a la base del transistor bajo prueba para
lograr excitarlo. La selección de la polaridad del semiciclo a inyectar se efectúa con
uno de los tres interruptores electrónicos de estado sólido que forman el integrado
4053. Un segundo interruptor electrónico se encarga de seleccionar la polaridad del
emisor del transistor bajo examen. Por último el tercer interruptor selecciona cual de
los circuitos buffer accionará en función a la polaridad del transistor. El manejo de
estos tres interruptores se realiza cíclicamente por medio de los terminales 9, 10 y 11
los cuales en este caso están unidos para que los tres interruptores accionen al
mismo tiempo. Tiempo gobernado por el segundo 555 (el de abajo) el cual genera un
tren de pulsos de aproximadamente 1Hz, lo que significa que los interruptores
cambian de posición cada 1 segundo. Con esto logramos que el transistor se conecte
como PNP y NPN alternando cada 1 segundo. Si el transistor funciona correctamente
sólo destellará el LED correspondiente a su polaridad dado que en polarización
incorrecta ningún transistor que goce de buena salud amplificaría. En tanto si ambos
LED's parpadean (uno por vez) es señal que el transistor se encuentra en
cortocircuito. Como alternativa final, si ninguno de los indicadores brilla es claro que
el transistor se encuentra quemado o abierto.

Alterando los valores del oscilador de 1Hz (555 de abajo) se puede acelerar el
destello de los LED's haciendo que sea mas dinámico.

Pero el circuito necesita dos tensiones de alimentación que, si bien ambas son
positivas, éstas son de diferente voltaje. La solución para alimentar este proyecto con
una simple batería de 9V se presenta abajo.

Este circuito no es mas que un simple divisor resistivo adecuadamente dimensionado

el cual, limitando la corriente a circular, permite hacer caer la tensión hasta 4V.
Dispusimos un diodo LED que nos sirva como indicador de encendido para evitar
que se nos quede varios días sin apagar y nos consuma la batería. Los capacitores
filtran la tensión resultante por si llegase a producirse algo de rizado, aunque es algo
improbable.

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8.6. Tipos de Polarización.

139
 Una fuente de luz ordinaria consiste en un gran numero de emisores atómicos
orientados aleatoriamente, emitiendo cada una un tren de ondas polarizado durante
un tiempo del orden de los 10-8 s. Luego todas las de igual frecuencia se combinarán
para formar una onda polarizada resultante que no perdurará en ese estado mas de
10-8 s. Así, constantemente se están emitiendo nuevos trenes de onda y el estado
de polarización total cambia de forma totalmente impredecible.

Figura G5-3 Principio de un material

polarizador con su eje de transmisión
paralelo a X y su eje de
extinción paralelo a Y. Figura G5-2e
Polarización circular.

Polarizadores y láminas ½ y ¼ de onda

Es posible alterar, definir o seleccionar el tipo de polarización de la luz con

elementos de óptica constituidos de materiales especiales: materiales polarizadores
y materiales birrefringentes.

Laminas de ½ y ¼ de onda.

Las láminas de ½ y ¼ de onda corresponden a láminas de material

birrefringente. La luz polarizada en una dirección específica se propaga dentro de la
lamina a una velocidad diferente que la luz polarizada perpendicularmente a esta
dirección. Las laminas ./2 y ./4 tienen un espesor muy controlado introduciendo entre
los ejes rápidos y lentos de polarización un retrazo o desfase de p y p/2
respectivamente entre cada componente. Así, una lámina de ./4 transforma una onda
linealmente polarizada a 45 grados de sus ejes principales (rápidos y lentos) en una
onda circularmente polarizada. Este tipo de lámina es de gran utilidad en algunas
aplicaciones prácticas como polariscopios circulares.

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