INSTITUTO TECNOLÓGICO DE CIUDAD JUÁREZ

DEPARTAMENTO METAL-MECANICA

INGENIERIA MECATRONICA

Periodo Agosto-Diciembre 2022

Tesis

Alumn@: Castañón Martínez Oscar Antonio

No. De Control: 20112020

Materia: Electrónica Analógica

Grupo: A (07:00am – 08:00am)

Ingeniero: Alemán Hinojos Alfonso

Fecha: Jueves 24 de Noviembre de 2022

Unidad I
1.0- Materiales que se usan como semiconductores............................................................................ 6
1.1- Materiales intrínsecos. ................................................................................................................. 6
1.2- Materiales Extrínsecos. ................................................................................................................ 6
1.3- Materiales tipo P. ......................................................................................................................... 7
1.4- Materiales tipo N.......................................................................................................................... 7
1.5- Unión de los materiales tipo P y N. ............................................................................................. 8
1.6- Diodos en Conexión directa. ........................................................................................................ 8
1.7- Diodos en conexión Inversa. ........................................................................................................ 8
1.8- Usando voltaje de CD resuelva los circuitos siguientes. ............................................................. 9
1.9- Explique a que se refiere la tabla 1.6 de la página 30. ............................................................... 11
1.9.1- ¿Qué entiende de la tabla 1.8 de la página 42? ....................................................................... 11
Practica No.1 MultiSim Comprobar las Leyes de Kirchhoff. ........................................................... 12
Capítulo 2. Aplicaciones de diodos en corriente directa. .................................................................. 15
2.0- Circuitos de recortadores. .......................................................................................................... 15
2.1- Circuitos de sujetadores. ............................................................................................................ 16
2.2- Circuito donde se Triplica el voltaje, usando diodos y capacitores. .......................................... 17
Practica No.2 MultiSim Recortadores con Diodos. .......................................................................... 18
Capítulo 3 Aplicaciones de los diodos en CA. .................................................................................. 20
3.0- Funcionamiento de un rectificador de media onda. ................................................................... 20
3.1- Funcionamiento de un rectificador de onda completa. .............................................................. 20
3.2- Rectificador tipo puente y de media onda. ................................................................................. 20
3.3- Capacitores en circuitos rectificadores con rizo y voltaje de corriente directa lineal. ............... 21
3.4- De que valor es el capacitor para obtener un mayor filtrado. .................................................... 21
3.5- Cuáles son las unidades paquetes para regular voltajes de 5 vdc, 9vdc, 12 vdc, 15 vdc, positivos
etc. ..................................................................................................................................................... 21
3.6- Cuáles son las unidades paquetes o circuitos integrados para obtener los siguientes voltajes
negativos -5 vdc, -9 vdc, -12 vdc, -15 vdc etc................................................................................... 21
3.7- Circuito para obtener un voltaje regulado de 0 a 32 vdc............................................................ 21
3.8- Circuito para regular voltaje con un diodo Zener. ..................................................................... 22
3.9- Calculo de un diodo Zener con: R1 y Vi fijos. .......................................................................... 22
Practica No.3 MultiSim Mediciones de circuitos rectificadores. ...................................................... 24
Unidad II
Capítulo 4 Aplicaciones con Transistores. ........................................................................................ 25
4.0-Operaciones del Transistor. ........................................................................................................ 25
4.1-Configuración de Base Común. .................................................................................................. 25
4.2-Acciones amplificadoras del Transistor. ..................................................................................... 26
4.3-Configuración de Emisor Común. .............................................................................................. 26
4.4-Transistor 2N4123. ..................................................................................................................... 27
4.5-Operación del Transistor con un Óhmetro. ................................................................................. 27
Practica No.4 MultiSim Transistores en CD. .................................................................................... 28
Capítulo 5 Configuración del Transistor. .......................................................................................... 29
5.0-Ecuaciones en circuito (Unión Base-Emisor y Malla Colector-Emisor). ................................... 29
5.1-Resolver el circuito. .................................................................................................................... 29
5.2- Ecuaciones del circuito con resistencia en el emisor. ................................................................ 30
5.3- Resolver el circuito de ejemplo.................................................................................................. 31
5.4- Resolver circuito propuesto. ...................................................................................................... 32
Capítulo 6 Transistores y Propiedades. ............................................................................................. 33
6.0- Niveles de saturación ................................................................................................................. 33
6.1- Análisis por medio de la recta de carga 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 ................................................................ 33
6.3- Determine el punto “Q” de operación y su grafica del siguiente circuito .................................. 34
6.4- Configuración por medio del divisor de voltaje......................................................................... 35
6.5- Resuelva el circuito siguiente: Obtenga el punto “Q” de operación y su grafica ...................... 36
6.6-Compuertas Lógicas.................................................................................................................... 36
6.6.1- Compuerta OR Con transistores con tabla de verdad y ecuación ....................................... 36
6.6.2- Compuerta AND Con transistores con tabla de verdad y ecuación .................................... 37
Practica No.6 MultiSim Transistores en Corriente Directa ............................................................... 38
Capítulo 7 Singularidades del Transistor. ......................................................................................... 39
7.0- Determine el 𝑉𝐶 y el 𝑉𝐵 para el siguiente circuito. .................................................................. 39
7.0.1- Determine el 𝑉𝐶 y el 𝑉𝐵 para el siguiente circuito ................................................................ 40
7.1- Determine 𝑉𝐶 y 𝑉𝐵 para la siguiente figura .............................................................................. 41
7.2- Aplicaciones: Con el siguiente circuito construya otro para controlar un motor de 120 AC. ... 41
7.3- Con el siguiente circuito construya una alarma con mínimo tres entradas de control ............... 42
Unidad III
Capítulo 8 Amplificadores. ............................................................................................................... 43
8.0- Circuito Amplificador Operacional (Op-Amp).......................................................................... 43
8.1- Circuito Diferencial. .................................................................................................................. 43
8.2- Cálculos de voltajes de salida en Amplificadores. ..................................................................... 43
8.3- Circuito Amplificador Operacional en conexión de Seguidor Unitario..................................... 44
8.4- Especificaciones de Amp-OP 741. ............................................................................................ 44
8.5- Ejercicios Propuestos. ................................................................................................................ 45
Capítulo 9 Amplificadores No Inversores. ........................................................................................ 46
9.0- Circuito del Amplificador como No Inversor. ........................................................................... 46
9.1- Circuito del Seguidor Unitario. .................................................................................................. 47
9.2- Ejercicio de Amplificador No Inversor. ..................................................................................... 47
9.3- Amplificador No Inversor con potenciómetro Ejercicio. ........................................................... 48
9.4- Ejercicio de un Amplificador Unitario....................................................................................... 48
9.5- Circuito con tres Amplificadores Ejercicio. ............................................................................... 49
Practica No.8 MultiSim Amplificadores en CD. ............................................................................... 49
Capítulo 10 Derivados del Amplificador .......................................................................................... 52
10.0- Amplificador Sumador............................................................................................................. 52
10.1- Amplificador Integrador. ......................................................................................................... 53
10.2- Amplificador Diferenciador. .................................................................................................... 54
10.3- Ejercicios de Amplificadores ................................................................................................... 54
10.4- El Op-Amp como Comparador. ............................................................................................... 55
10.5- Convertidor Digital-Analogico con un OP-Amp como Comparador. ..................................... 56
10.6- Convertidor Digital-Analógico con Op-Amp .......................................................................... 57
Practica No.9 MultiSim LED’S en función del Op-Amp ................................................................. 57

Unidad IV
Capítulo 11 El SCR (Rectificador Controlado de Silicio)................................................................. 58
11.0- Símbolo del SCR y su construcción......................................................................................... 58
11.1- Métodos generales para apagar un SCR .................................................................................. 59
11.2- La curva característica del SCR ............................................................................................... 60
11.3- Características y valores nominales del SCR. .......................................................................... 60
11.4- Aplicaciones del SCR. ............................................................................................................. 61
11.5- Circuito para controlar la fase de media onda.......................................................................... 63
11.6- Símbolo del SCS y cómo funciona .......................................................................................... 64
11.7- SCS como alarma..................................................................................................................... 64
11.8- Variables de símbolos (SCR). .................................................................................................. 65
11.9- Optoacopladores ...................................................................................................................... 66
Practica No.10 MultiSim Trabajo de SCR con corriente de DC ....................................................... 67
Capítulo 12 GTO, DIAC y TRIAC ................................................................................................... 68
12.0- Como funciona el GTO y sus características ........................................................................... 68
12.1- Representación de un Oscilador con un diodo Shockley ......................................................... 69
12.2- El DIAC y sus componentes .................................................................................................... 69
12.3- Oscilador con DIAC ................................................................................................................ 71
12.4- El TRIAC y sus propiedades.................................................................................................... 71
12.5- Control de fase TRIAC-DIAC ................................................................................................. 72
Practica No.11 MultiSim Control de fase TRIAC-DIAC ................................................................. 73
Capítulo 13 Transistor UJT ............................................................................................................... 74
13.0- Transistor de Monounion y Construcción básica ..................................................................... 74
13.1- Circuito equivalente del UJT y ecuaciones de desarrollo ........................................................ 74
13.2- Curva característica del UJT .................................................................................................... 75
13.3- Fases de carga y descarga de disparo de un SCR por medio de un UJT.................................. 76
13.4- Oscilador de relajación ............................................................................................................ 76
13.5- Circuito para controlar la fase con un SCR y un UJT .............................................................. 77
13.6- Símbolo del interruptor apagado con compuerta (GTO). ........................................................ 78
13.7- Ventajas de un GTO sobre el SCR y el SCS............................................................................ 78
13.8- Generador de dientes de sierra con GTO ................................................................................. 78
Practica No.12 MultiSim Generador de Dientes sierra GTO ............................................................ 79
Capítulo 14 Circuitos Integrados (Circuito Interno 555). ................................................................. 80
14.0- Circuito Interno 555 ................................................................................................................. 80
14.1- Circuito astable que oscila diferentes frecuencias ................................................................... 81
14.2- Capacidades del Circuito 555. ................................................................................................. 81
14.3 Circuito monoestable................................................................................................................. 82
Capítulo 1 Semiconductores.
1.0- Materiales que se usan como semiconductores.
• Germanio (Ge)
• Silicio (Si)
• Arseniuro de Galio (AsGa)

Figura 1.0- Materiales semiconductores, diagrama de Niles Bhor.

1.1- Materiales intrínsecos.

• Son aquellos semiconductores que tiene un nivel muy bajo de impurezas (este
compuesto por átomos de la misma especie).

1.2- Materiales Extrínsecos.

• Es el tipo de componente semiconductor
que se expusieron a un proceso de
dopado (proceso intencional de agregar
impurezas al semiconductor con la
finalidad de cambiar sus propiedades
eléctricas).

Hay dos materiales extrínsecos de

inmensurable importancia en la
fabricación de dispositivos
semiconductores: materiales tipo “n” y
tipo “p”. Figura 1.1.2- Materiales Extrínsecos e Intrínsecos.
1.3- Materiales tipo P.
• Se forma suministrando sustancias estimulantes a un cristal de germanio o
silicio puro con átomos de impureza que tienen 3 electrones de valencia.

1.3- Impureza de boro en un material tipo p.

1.4- Materiales tipo N.

• Este se crea introduciendo elementos de impureza que tienen 5 electrones de
valencia (pentavalentes), así como el antimonio(Sb), el arsénico(As) y el
fosforo(P).

1.4- Impureza de antimonio en un material tipo n.

1.5- Unión de los materiales tipo P y N.
• En el momento en que dos materiales se unen, los electrones y los huecos en
la región de la unión se combinan y provocan una carencia de portadores libres
en la región próxima a la unión.

1.5- Una unió tipo P-N con polarización interna.

las únicas partículas mostradas en esta región son los iones positivos y
negativos que quedan una vez que los portadores libres han sido absorbidos.

• Germanio: 0.3V
• Silicio: 0.7V
• Arseniuro de Galio: 1.2V

1.6- Diodos en Conexión directa.

• Se establece aplicando el potencial positivo al material tipo “P”
y el potencial negativo al material tipo “N”, de esta manera se
presionará a los electrones en el material tipo “N” y a los
huecos del material tipo “P” para que se recombinen con los
iones próximos al límite y reducirá el ancho de la región de
empobrecimiento. 1.6- Polarización directa.

1.7- Diodos en conexión Inversa.

• El número de iones positivos revelados en la región de
empobrecimiento del material tipo “N” se incrementará por
la gran cantidad de electrones libres atraídos por el potencial
positivo del voltaje aplicado. Por las mismas razones el
número de iones negativos se incrementará en el material tipo
“P”.

1.7- Polarización inversa.

 1.8- Usando voltaje de CD resuelva los circuitos siguientes.

Determine la corriente I para cada una de las configuraciones, utilizando el método

equivalente del diodo.
Ejercicio 1
Como el diodo se encuentra conectado de forma inversa a
la fuente de voltaje, por lo tanto la corriente que circula a
través del circuito es de.

𝐼 = 0𝐴

Ejercicio 2

𝐿. 𝐶. 𝐾 𝑀: 1 𝑁: 𝐴 𝐿. 𝐶. 𝐾 𝑀: 2 𝑁: 𝐴
0.7 − 𝑉𝑅2 − 𝑉𝑅1 = 0 𝐸1 − 𝑉𝑅2 − 0.7 = 0
0.7 − 20(𝐼1−𝐼2) − 10𝐼1 = 0 −20(𝐼2−𝐼1) = −20 + 0.7

0.7 − 20𝐼1 + 20𝐼2 − 10𝐼1 = 0 −20𝐼2 + 20𝐼1 = −19.3

0.7 − 30𝐼1 + 20𝐼2 = 0 20𝐼1 − 20𝐼2 = −19.3

−30𝐼1 + 20𝐼2 = −0.7

Por Regla de Cramer:

𝑀1 −30 20 −0.7
𝑀2 20 −20 −19.3

Obtener las corrientes y restar la mayor a la menor.

𝐼1 = 2 𝐴
𝐼2 = 2.965 𝐴
Ejercicio 3 𝐼𝑇 = 2.965 𝐴 − 2 𝐴 = 0.965 𝐴
Como los diodos se encuentran uno contra el otro pues su voltaje se
resta por lo cual solo sería necesario aplicar la ley de Ohm.
0.7 − 0.7 = 0
𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝑂ℎ𝑚

𝐼 = 𝑉⁄𝑅 → 10⁄10 = 1 𝐴
 Ejercicio 4
𝐿. 𝑉. 𝐾 𝑀: 1 𝑁: 𝐴
−𝑉𝑅1 − 𝐸1 + 0.7 = 0 𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝑂ℎ𝑚

−2. 2𝐼1 = 5 − 0.7 𝑉 =𝐼×𝑅

−2. 2𝐼1 = 4.3 𝑉 = (1.9545 𝑚𝐴)(2.2 𝑘)

𝑉 = 4.2999 𝑉
4.3⁄
2.2 = 1.9545 𝑚𝐴
Ejercicio 5

𝐿. 𝑉. 𝐾 𝑀: 𝐼 𝑁: 𝐴
𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝑂ℎ𝑚
−𝑉𝑅2 − 0.7 + 𝐸1 − 𝑉𝑅1 = 0
𝑉 =𝐼×𝑅
−4. 7𝐼1 − 1. 1𝐼1 = 0.7 − 8
𝑉 = (1.2372 𝑚𝐴)(4.7 𝑘)
−5. 9𝐼1 = −7.3
𝑉 = 5.8148 𝑉 + 0.7 = 6.5148 𝑉
−7.3⁄
−5.9 = 1.2372 𝑚𝐴

Ejercicio 6
𝐿. 𝑉. 𝐾 𝑀: 𝐼 𝑁: 𝐴
𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝑂ℎ𝑚
−𝑉𝑅2 + 𝐸1 − 0.7 − 0.3 − 𝑉𝑅1 = 0
𝑉 =𝐼×𝑅
−2𝐼1 − 2𝐼1 = −20 + 0.7 + 0.3
𝑉 = (4.75 𝑚𝐴)(2 𝑘)
−4𝐼1 = −19
𝑉 = 9.5 𝑉
−19⁄ = 4.75 𝑚𝐴
−4

Ejercicio 7 𝐿. 𝑉. 𝐾 𝑀: 1 𝑁: 𝐴
−𝑉𝑅2 + 𝐸2 + 𝐸1 − 𝑉𝑅1 − 0.7 = 0 𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝑂ℎ𝑚

−4. 7𝐼1 − 1. 2𝐼1 = −𝐸2 − 𝐸1 + 0.7 𝑉 =𝐼×𝑅

−5. 9𝐼1 = −2 − 10 + 0.7 𝑉 = (1.9152 𝑚𝐴)(4.7 𝑘)

𝑉 = 9.0014 𝑉 − 2𝑉 = 7.0014 𝑉
−5. 9𝐼1 = −11.3
−11.3⁄
−5.9 = 1.9152 𝑚𝐴
1.9- Explique a que se refiere la tabla 1.6 de la página 30.
• Se refiere a la diferente combinación de elementos que de mejor manera
pueden representar las características terminales de cualquier dispositivo o
sistema o elemento que en este caso es un diodo.

Figura 1.9- Circuitos equivalentes del diodo.

1.9.1- ¿Qué entiende de la tabla 1.8 de la página 42?

• Explica la forma en que se caracterizan los diferentes tipos de diodos desde
su color así como la forma en que se componen, hablando se material, donde
también determina la cantidad de voltaje que cada uno de estos usan al ser
usados en un circuito ya que solo por el hecho de ser de diferente color y
material su voltaje cambia.

Figura 1.9.1- Diodos emisores de Luz.

 Practica No.1 MultiSim Comprobar las Leyes de Kirchhoff.
Calcular las caídas de tensión de los circuitos.
Cálculos.
𝑅1 𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙
𝑅𝑇 = 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3 → 𝑅𝑇 = 200 + 400 + 300
200 𝛺
20 𝑉 𝑅2 400 𝛺 𝑅𝑇 = 900 𝛺
300 𝛺
𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝑂ℎ𝑚.
𝑉 20
𝑅3 𝐼= → = 0.0222 𝐴
𝑅 900
Regla divisora de voltajes.
𝑅# 200
𝑉𝑅1 = ×𝑉 → (20) = 4.444 𝑉
𝑅𝑇 900
400
𝑉𝑅2 = (20) = 8.888 𝑉
900
300
𝑉𝑅3 = (20) = 6.666 𝑉
900
𝑉1 + 𝑉2 + 𝑉3 = 19.999 𝑉

𝑅𝑒𝑠𝑖𝑠𝑡𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑇𝑜𝑡𝑎𝑙
Circuito Paralelo.
1
𝑅𝑇= = 92.3076 𝛺
1 1 1
+ +
200 400 300

20 𝑉 200 𝛺 400 Ω 300 𝛺

𝐿𝑒𝑦 𝑑𝑒 𝑂ℎ𝑚.
𝑉 20
𝐼= → = 0.2166 𝐴
𝑅 92.3076
𝑅𝑒𝑔𝑙𝑎 𝑑𝑖𝑣𝑖𝑠𝑜𝑟𝑎 𝑑𝑒 𝐶𝑜𝑟𝑟𝑖𝑒𝑛𝑡𝑒𝑠.
𝑅𝑇 92.3076
𝐼𝑅1 = × 𝐼𝑇 → (0.2166) = 0.0999 𝐴
𝑅𝑋 200
92.3076
𝐼𝑅2 = (0.2166) = 0.0499 𝐴
400
92.3076
𝐼𝑅3 = (0.2166) = 0.0666 𝐴
300

𝐼1 + 𝐼2 + 𝐼3 = 0.2166 𝐴
Dentro del Simulador
Circuito Serie.
Corriente

Voltaje
Circuito Paralelo
Corriente

Voltaje
Capítulo 2. Aplicaciones de diodos en corriente directa.
2.0- Circuitos de recortadores.

Los recortadores son redes que emplean diodos para “recortar” una parte de una señal de
entrada sin distorsionar la parte restante de la forma de onda aplicada.

Recortador ideal simple en serie Negativo

con una fuente de corriente directa.
El voltaje de salida actúa en el resistor cuando
se le adiciona una fuente de voltaje, puede
tener un marcado efecto en el análisis en la
configuración del recortador en serie.

Recortador simple ideal en paralelo positivo

que resulta ser la mas sencilla de las
configuraciones de diodos en paralelo con la
salida que se produce con las mismas
entradas.

Tipo de recortador ideal polarizado en

paralelo, donde cualquier voltaje positivo
tratara de encender el diodo al establecer una
corriente convencional a través del mismo
que coincida en dirección con la flecha de su
símbolo.
2.1- Circuitos de sujetadores.

Un sujetador es una red compuesta de un diodo, un resistor y un capacitor que desplaza una
forma de onda a un nivel de CD diferente sin cambiar la apariencia de la señal aplicada.

Aquí el diodo se polariza en directa en la parte positiva

de la señal aplicada. El equivalente de corto circuito
del diodo producirá 𝑉0 = 0 𝑉 durante este intervalo.

Tipo de red sujetadora con una entrada senoidal.

Las redes sujetadoras funcionan igualmente bien

con señales senoidales, todas las ondas que
aparecen son cuadradas, y apareceran en la parte
positiva del grafico senoidal.

La salida resultante formra un envolvente para la respuesta senoidal, para una red que aparece
abajo a la derecha, el metodo de analizar las rede sujetadoras con entradas senoidales es
reemplzara la señal por una ona cuadrada
con los mismos valores picos, donde la
mayor parte de laonda cuadrada estara por
debajo es decir en la parte negativa y solo
una parte Lde ella en el lado positivo.
2.2- Circuito donde se Triplica el voltaje, usando diodos y capacitores.

La siguiente figura muestra una extensión del duplicador de voltaje de media onda, la cual
produce tres o cuatro veces el valor del voltaje de entrada pico. Es obvio por el patrón de
conexión del circuito, como se pueden conectar los diodos y capacitores adicionales de modo
que el voltaje de salida también pueda ser cinco, seis, siete, etc. veces el valor dado del voltaje
pico básico 𝑉𝑚 .

2.2- Triplicador y Multiplicador De Voltaje.

Practica No.2 MultiSim Recortadores con Diodos.
Analizar los circuitos recortadores.

Midiendo Voltaje

Midiendo Corriente
Con una fuente de voltaje en serie al Diodo.
 Capítulo 3 Aplicaciones de los diodos en CA.
3.0- Funcionamiento de un rectificador de media onda.
• Es un circuito que elimina la mitad de la señal que recibe en la entada, en
función de cómo este polarizado el diodo, si la polarización es directa,
eliminara la parte negativa de la señal y si la polarización es inversa, eliminara
la parte positiva.

𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 𝑜 𝑉𝑑𝑡 =? 𝑇 = 2𝜋
𝑓 =? 𝑓 = 60 𝐻𝑧
𝑇 =?

1 2𝜋 𝑉𝑚 2𝜋 𝑉𝑚 𝑉𝑚
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 𝑜 𝑉𝑑𝑡 = ∫ 𝑉𝑚 × 𝑆𝑒𝑛 ∝ 𝑑 ∝= ∫ 𝑆𝑒𝑛 ∝ 𝑑 ∝= [−𝐶𝑜𝑠 ∝ |2𝜋
0 ]=
𝑇 0 2𝜋 0 2𝜋 2𝜋

3.1- Funcionamiento de un rectificador de onda completa.

• Sirve para aprovechar ambos hemiciclos de corriente alterna para convertirla
en una señal únicamente positiva, utiliza ambas mitades de la señal senoidal
de entrada para obtener una salida unipolar.

𝑇=𝜋 𝑓 = 120 𝐻𝑧

1 𝑉𝑚 𝜋 𝑉𝑚 2𝑉𝑚
𝑉𝑝𝑟𝑜𝑚 𝑜 𝑉𝑑𝑡 = ∫ 𝑉𝑚 × 𝑆𝑒𝑛 ∝ 𝑑 ∝= ∫ 𝑆𝑒𝑛 ∝ 𝑑 ∝= [−𝐶𝑜𝑠 ∝ |𝜋0 ] =
𝑇 𝜋 0 𝜋 𝜋

3.2- Rectificador tipo puente y de media onda.

Figura 3.2-Rectificador de onda completa en configuración de puente.

Figura 3.2.1-Rectificador de media onda.

3.3- Capacitores en circuitos rectificadores con rizo y voltaje de corriente directa lineal.
• Esto se debe a la carga y descarga del mismo capacitor ya que el valor de este
influye en el comportamiento de la corriente, dicho que mientras este tenga
valores altos de capacitancia proporcionaran menos rizo pero si un alto voltaje
y viceversa si se tiene un capacitor de poca resistencia habrá muchísimo más
rizo y poco voltaje.

3.4- De que valor es el capacitor para obtener un mayor filtrado.

• 820 𝜇𝐹

3.5- Cuáles son las unidades paquetes para regular voltajes de 5 vdc, 9vdc, 12 vdc, 15 vdc,
positivos etc.

Voltaje Paquetes
5V 7805
9V 7809
12V 7812
15V 7815

3.6- Cuáles son las unidades paquetes o circuitos integrados para obtener los siguientes
voltajes negativos -5 vdc, -9 vdc, -12 vdc, -15 vdc etc.

Voltaje Paquetes
-5V 7805
-9V 7809
-12V 7812
-15V 7815

3.7- Circuito para obtener un voltaje regulado de 0 a 32 vdc.

LM317 𝑅2
6 𝑉 = 1.25 (1 + )
300 𝛺
𝑅1
6𝑉
(( ) − 1) 300 𝛺 = 𝑅2
𝑅2 1.25
300 Ω
𝑅2 = 1.140 𝛺
3.8- Circuito para regular voltaje con un diodo Zener.

9.1°-Regulador Zener básico.

3.9- Calculo de un diodo Zener con: R1 y Vi fijos.

a) Diga si está regulando para los valores en el circuito.

b) Tomando los valores del circuito y cambiamos la RL= 3 K.
A°-)

𝑅𝐿 × 𝑉𝐼 (1.2 𝑘𝛺)(16 𝑉)
𝑉= → = 8.7272 𝑉
𝑅 + 𝑅𝐿 1 𝑘𝛺 + 1.2 𝑘𝛺

𝑉 < 𝑉𝑍 → 8.7272 < 10 "Apagado"

𝑉𝐿 = 𝑉 = 8.7272 𝑉
𝑉𝑅 = 𝑉𝐼 − 𝑉𝐿 → 𝑉𝑅 = 16 𝑉 − 8.7272 𝑉 = 7.2728 𝑉
𝐼𝑍 = 0 𝐴
𝑃𝑍 = 𝑉𝑍 × 𝐼 2 𝑍 → 𝑉𝑍 × 02 = 0 𝑊
B°-) Con 𝑅𝐿 = 3 𝑘
3 𝑘𝛺 × 16 𝑉
𝑉= = 12 𝑉
1 𝑘𝛺 + 3𝑘𝛺
𝑉 > 𝑉𝑍 → 12 𝑉 > 10 𝑉 "Encendido"
𝑉𝐿 = 𝑉 = 10 𝑉
𝑉𝑅 = 16 𝑉 − 10 𝑉 = 6 𝑉
𝑉𝐿 10 𝑉
𝐼𝐿 = → = 3.3333 𝑚𝐴
𝑅𝐿 3 𝑘𝛺
𝑉𝑅 6𝑉
𝐼𝑅 = → = 6 𝑚𝐴
𝑅 1 𝑘𝛺
𝐼𝑍 = 6 𝑚𝐴 − 3.3333 𝑚𝐴 = 2.6667 𝑚𝐴
𝑃𝑍 = 𝑉𝑍 × 𝐼𝑍 → 10 𝑉 × 2.6667 𝑚𝐴 = 26.7 𝑚𝑊
Practica No.3 MultiSim Mediciones de circuitos rectificadores.

Analizar el comportamiento del voltaje y la corriente de los circuitos con transformador y

puente rectificador.

Con puente rectificador

Sin puente rectificador y con transformador (usarse el TS_POWER_10_TO_1).

Capítulo 4 Aplicaciones con Transistores.

4.0-Operaciones del Transistor.

• El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos
capas de material tipo “n” y una de material tipo “p” o viceversa.

b) Tipo npn a) Tipo pnp

Los transistores operan sobre un flujo de corriente, operando como

amplificadores recibiendo una señal débil y generando una fuerte, o también
como interruptores recibiendo la señal y cortando el paso de la misma.

4.1-Configuración de Base Común.

• La terminología en base común se deriva del hecho de que la señal está en
fase con la señal de entrada, por lo que la ganancia de tensión es grande, la
ganancia de corriente es inferior a 1, la resistencia de entrada es pequeña y
salida es muy grande.

Figura 4.1°-Notación y símbolos utilizados con la configuración en base común.

La flecha en el símbolo grafico define la dirección de la corriente del emisor (flujo
convencional) a través del dispositivo.
4.2-Acciones amplificadoras del Transistor.
• La corriente más pequeña en la base actúa como una válvula controlando la
corriente mayor del colector al emisor. Una variación en la corriente de base
en forma de señal se reproduce con una mayor amplitud sobre la corriente de
colector emisor, lográndose con ello una amplificación de dicha señal.

Figura 4.2°- Amplificación de voltaje básica en la configuración de base común.

4.3-Configuración de Emisor Común.

• Se llama configuración de emisor común porque el emisor sirve de referencia
para las terminales de entrada y salida (en este caso es común para las
terminales base y colector).
• Se requieren dos conjuntos para describir el comportamiento, uno para el
circuito de entrada (base-emisor), y otor para el circuito de salida (colector-
emisor).
Las señales de entrada y salida siempre estarán en oposición a la fase, el
circuito proporciona simultáneamente ganancia de corriente y de voltaje
donde la ganancia de potencia puede llegar a ser relativamente alta.

Figura 4.3°- Notación y símbolos utilizados con la configuración en emisor común

(a) transistor npn (b) transistor pnp.
4.4-Transistor 2N4123.
• Tiene polaridad tipo NPN
• Consta de una disipación total de dispositivo de (Pc) 0.31W.
• Tensión colector-base (Vcb) de 40V.
• Tensión colector-emisor (Vce) de 30V
• Tensión emisor-base (Veb) de 5V Figura 4.4°- Transistor 2N4123.
• La corriente del colector en DC máxima (Ic) es de 0.2 A.
• La temperatura operativa máxima (Tj) es de 135°C
• Producto de corriente-ganacia-ancho de banda (ft) es de 241MHz.
• Su capacitancia de salida (Cc) es de 4 pF.
• Ganancia de corriente alterna (hfe) de 50.

4.5-Operación del Transistor con un Óhmetro.

• Para un transistor la región activa la unión base-emisor esta polariza en directa
y la unión base a colector esta en inversa, entonces la unión polarizada deberá
registrar una resistencia baja, por otro lado la unión inversa mucho más alta.
Para un transistor npn la unió debería estar polarizada en directa para dar un
valor estimado de 100 Ω, también para la unión inversa con una lectura
aproximada de 100k Ω.
Para un transistor pnp los cables se invierten para cada unión.

Figura 4.5°-Verificación de la unión base a emisor Figura 4.5.1°-Verificación de la unión base a

polarizada en directa de un transistor npn. colector polarizada en inversa de un transistor npn.

Si ambas uniones de un transistor dan las lecturas esperadas, también se puede determinar el
tipo de transistor con sólo observar la polaridad de los cables al conectarlos a la unión base
a emisor. Si el cable positivo (+) se conecta a la base y el negativo (+) al emisor, una lectura
de baja resistencia indicaría un transistor npn. Una lectura de alta resistencia indicaría un
transistor pnp.
Practica No.4 MultiSim Transistores en CD.
Manejo de circuitos de corriente continua con transistores.

Con dos resistencias.

Con tres resistencias.

Capítulo 5 Configuración del Transistor.

5.0-Ecuaciones en circuito (Unión Base-Emisor y Malla Colector-Emisor).

Unión Base-Emisor. Malla Colector-Emisor.

Primero considerando la malla La magnitud de la corriente está

del circuito Aplicando la ley de relacionada directamente con 𝐼𝐵
voltajes de Kirchhoff en el mediante:
sentido de las manecillas del
𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵
reloj para la malla obtenemos:
Al aplicar la ley de voltajes de
𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 = 0
Kirchhoff en el sentido de las
Resolviendo la ecuación para la manecillas del reloj alrededor de
corriente 𝐼𝐵 obtenemos: la malla entonces:
𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐶 = 0
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
Despejando:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

5.1-Resolver el circuito.
Determine, para la configuración de polarización del siguiente circuito.

a)°- Determinar 𝐼𝐵𝑄 y 𝐼𝐶𝑄 .

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 − 0.7

𝐼𝐵𝑄 = → = 0.0470 𝜇𝐴
𝑅𝐵 240

𝐼𝐶𝑄 = 𝐵𝐼𝐵𝑄 = (50)(0.0470𝜇𝐴) = 2.35 𝑚𝐴

b)°- Determinar 𝑉𝐶𝐸𝑄 .

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 12 𝑉 − (2.35 𝑚𝐴)(2.2𝑘𝛺) = 6.83 𝑉

c)°- Determinar 𝑉𝐵 y 𝑉𝐶 .
 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 = 6.83 𝑉

d)°- Determinar 𝑉𝐵𝐶 .

𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 → 0.7 𝑉 − 6.83 𝑉 = −6.13 𝑉

5.2- Ecuaciones del circuito con resistencia en el emisor.

A Través de la base-emisor:

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
Sustituyendo 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − (𝛽 + 𝐼)𝐼𝐵 𝑅𝐸 = 0

Multiplicar por -1

A Través del colector-emisor 𝐼𝐵 (𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 ) − 𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐵𝐸 = 0

𝐼𝐸 𝑅𝐸 + 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 𝑅𝐶 − 𝑉𝐶𝐶 = 0 𝐼𝐵 (𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 ) = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
Sustituyendo 𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 Resolviendo para 𝐼𝐵
𝑉𝐶𝐸 − 𝑉𝐶𝐶 + 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 0 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
𝑅𝑖 = (𝛽 + 1)𝑅𝐸
El voltaje de emisor a tierra se determinar por:

𝑉𝐸 = 𝐼𝐸 𝑅𝐸
El voltaje colector a tierra se determina partir de:

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸
𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶
El voltaje en base a tierra se determina a partir de:

𝑉𝐵 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵
𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸
5.3- Resolver el circuito de ejemplo.
Para la red de polarización de emisor, determine:

a)°- 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 20 𝑉 − 0.7 𝑉

𝐼𝐵 = → = 0.0401 𝜇𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 430 + (51)(1𝑘𝛺)

b)°- 𝐼𝐶

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 → (50)(0.0401) = 2.005 𝑚𝐴

c)°- 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) → 20 𝑉 − (2.005)(2𝑘𝛺 + 1𝑘𝛺) = 20 𝑉

𝑉𝐶𝐸 = 20 𝑉 − 6.03𝑉 = 13.97 𝑉

d)°- 𝑉𝐶

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 → 20 𝑉 − (2.005)(2𝑘𝛺) = 20 𝑉

𝑉𝐶 = 20𝑉 − 4.02𝑉 = 15.98 𝑉

e)°-𝑉𝐸

𝑉𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 → 15.98 𝑉 − 13.97 = 2.01 𝑉

f)°- 𝑉𝐵

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 → 0.7 𝑉 + 2.01 𝑉 = 2.71 𝑉

g)°- 𝑉𝐵𝐶

𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 → 2.71 𝑉 − 15.98 𝑉 = −13.87 𝑉

5.4- Resolver circuito propuesto.

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 16 𝑉 − 0.7 𝑉

𝐼𝐵 = →
𝑅𝐵 470 𝑘Ω

𝐼𝐵 = 0.0325 𝜇𝐴

𝐼𝐶 = 𝛽𝐼𝐵 → (90)(0.0325 𝜇𝐴)

𝐼𝐶 = 2.9297 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 → 16 𝑉 − (2.9297 𝜇𝐴)(2.7 𝑘Ω)

𝑉𝐶𝐸 = 8.0898 𝑉

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 = 8.0898 𝑉

𝑉𝐵𝐶 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐶 → 0.7 𝑉 − 8.0898 𝑉 = −7.3898 𝑉

Capítulo 6 Transistores y Propiedades.
6.0- Niveles de saturación.
• El nivel de saturación del colector o su corriente máxima en un diseño
de polarización de emisor se determina con el mismo procedimiento
aplicado a la configuración de polarización fija. Aplicar un corto
circuito entre el colector y el emisor y calcular la corriente resultante
del colector.
Con la formula siguiente:
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

La adición del resistor emisor produce el nivel de saturación en el

colector por debajo del obtenido, con una configuración de Figura 6.0- Determinación
polarización fija con el mismo resistor del colector. de 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 para el circuito
estabilizado por emisor.

6.1- Análisis por medio de la recta de carga 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 .

• El análisis por medio de la recta de carga de la red de polarización del emisor es
ligeramente diferente del de la configuración de polarización fija. El nivel de 𝐼𝐵
𝑉 −𝑉𝐵𝐸
determinado por la ecuación 𝐼𝐵 = 𝑅 +𝐶𝐶(𝛽+1)𝑅 define el nivel de 𝐼𝐵 en las
𝐵 𝐸
características de la siguiente figura con denotación 𝐼𝐵𝑄 .

La ecuación de la malla colector-emisor que

define la recta de carga es:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
Al elegir 𝐼𝐶 = 0 𝑚𝐴 tenemos:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 |𝐼
𝐶−0 𝑚𝐴

Como se obtuvo la polarización fija al elegir

𝑉𝐶𝐸 = 0 𝑉 obtenemos:
𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 = |
Figura 6.1- Recta de carga para la 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 𝑉𝐶𝐸−0 𝑉
configuración de polarización de
emisor.
 6.3- Determine el punto “Q” de operación y su grafica del siguiente circuito:

a°-) Calcular 𝐼𝐵
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 18 − 0.7
𝐼𝐵 = → = 0.0165 𝜇𝐴
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 910 + (120 + 1)1.1

b°-) 𝐼𝐶 = 𝛽 × 𝐼𝐵 → (120)(0.0165) = 1.98 𝑚𝐴

c°-) 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) → 18 − 1.98(2.2 + 1.1) = 11.466 𝑉

d°-) 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 → 18 − (1.98)(2.2) = 13.644 𝑉

e°-) 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 → 13.644 − 11.466 = 2.178 𝑉

f°-) 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 → 0.7 + 2.178 = 2.878 𝑉

Sat.
Corte
𝑅𝑇 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 → 2.2 𝑘Ω + 1.1 𝑘Ω
𝑅𝑇 = 3.3 𝑘Ω
Saturación

1.98 𝑚𝐴 𝑉𝐶𝐶 18 𝑉
𝑆𝑎𝑡 = →
𝑅𝑇 3.3 𝑘Ω

0 𝑆𝑎𝑡 = 5.4545 𝑚𝐴
200 Corte
3.3
1 2 3 4 5
 6.4- Configuración por medio del divisor de voltaje.
𝑅𝑇𝐻 : La fuente de voltaje se reemplaza con un equivalente de corto circuito.

𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1 ||𝑅2

Figura 6.4- Determinación de 𝑅𝑇𝐻 .

𝐸𝑇𝐻 : La fuente de voltaje 𝑉𝐶𝐶 se regresa a la red y el voltaje de Thévenin de circuito abierto se
determina al aplicar la ley del divisor de voltaje:
𝑉𝑅2 × 𝑉𝐶𝐶
𝐸𝑇𝐻 = 𝑉𝑅2 =
𝑅1 + 𝑅2
La red de Thévenin se vuelve a dibujar y se empieza a determinar 𝐼𝐵𝑄 aplicando la ley de voltajes
de Kirchhoff en el sentido de las manecillas del reloj en la malla indicada.

𝐸𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 𝑅𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0

Sustituyendo 𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵 𝑦 𝑟𝑒𝑠𝑜𝑙𝑣𝑖𝑒𝑛𝑑𝑜 𝑝𝑎𝑟𝑎 𝐼𝐵 𝑜𝑏𝑡𝑒𝑛𝑒𝑚𝑜𝑠:
𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

Una vez conocida 𝐼𝐵 las cantidades restantes de la red se determinan de la misma manera que
para la configuración de polarización emisor, es decir:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )
 6.5- Resuelva el circuito siguiente: Obtenga el punto “Q” de operación y su grafica.

1.- 𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1 ||𝑅2 → 𝑅𝑇𝐻 = 39 𝑘𝛺 || 3.9 𝑘𝛺

𝑅𝑇𝐻 = 3.5454 𝑘𝛺

𝑉𝑅2 × 𝑉𝐶𝐶 3.9 𝑘𝛺 ×22 𝑉

2.- 𝐸𝑇𝐻 = 𝑅1 +𝑅2
→ 39 𝑘𝛺+3.9 𝑘𝛺 = 2 𝑉

𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 2 𝑉−0.7

3.- 𝐼𝐵 = →
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽+1)𝑅𝐸 3.5454 𝑘𝛺 (100+1)1.5 𝑘𝛺

𝐼𝐵 = 8.3846 × 10−3

4.- 𝐼𝐶 = 𝛽 × 𝐼𝐵 → (100)(8.3846 × 10−3 ) = 0.83846 𝑚𝐴

5.- 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) → 22 − 0.83846(10 𝑘𝛺 + 1.5 𝑘𝛺) = 12.3577 𝑉

Sat. Corte
𝑅𝑇 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 → 10 𝑘Ω + 1.5 𝑘Ω
𝑅𝑇 = 11.5 𝑘Ω
0.83846 mA

Saturación
0 11.5
5 10 15 20 200 Corte 𝑉𝐶𝐶 22 𝑉
𝑆𝑎𝑡 = →
𝑅𝑇 11.5 𝑘Ω
6.6-Compuertas Lógicas.
𝑆𝑎𝑡 = 1.9130 𝑚𝐴
6.6.1- Compuerta OR Con transistores con tabla de verdad y ecuación.

Una compuerta OR es tal que el nivel del

voltaje de salida será 1 si cualquiera o
ambas entradas son 1. La salida es 0 si
ambas entradas están al nivel 0.

Figura 6.6.1- Red de análisis de A B C

Compuerta OR. 0 0 0 Figura 6.6.1.2- Compuerta lógica
0 1 1 OR positiva.
1 0 1
1 = Alto 1 1 1
Expresión
0 = Bajo
𝑄 =𝐴+𝐵
6.6.2- Compuerta AND Con transistores con tabla de verdad y ecuación.
Para este tipo de compuerta, una entrada única producirá una
salida de nivel 0.

A B C
Expresión
0 0 0
0 1 0 𝐹 =𝐴×𝐵
1 0 0
1 = Alto 1 1 1

0 = Bajo

6.6.3- Compuerta NOT Con transistores con tabla de verdad y ecuación.

Posee una entrada y una salida con el propósito de producir una salida
inversa o contraria a su entrada, si la entrada se encuentra en estado activo
(1) se tendrá a la salida un estado inactivo (0) y viceversa.
A B C Figura 6.6.3- Compuerta lógica NOT.
0 0 0
Expresión
0 1 1
1 0 1 𝑄=𝐴
1 1 1

1 = Alto
0 = Bajo
 Practica No.6 MultiSim Transistores en Corriente Directa
Analizar las corrientes 𝐼𝐵 e 𝐼𝐶 además de determinar el voltaje de salida en las terminales
colector-emisor.

Analizar las corrientes 𝐼𝐵 e 𝐼𝐶 además de determinar el voltaje de salida en las terminales

colector-emisor.
 Capítulo 7 Singularidades del Transistor.

7.0- Determine el 𝑉𝐶 y el 𝑉𝐵 para el siguiente circuito.

𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1 ||𝑅2 → 𝑅𝑇𝐻 = 8.2 𝑘𝛺||2.2 𝑘𝛺
𝑅𝑇𝐻 = 1.7346 𝑘𝛺

𝑅2 × 𝑉𝐶𝐶 (2.2 𝑘𝛺)(20 𝑉)

𝐸𝑇𝐻 = →
𝑅1 + 𝑅2 8.2 𝑘𝛺 + 2.2 𝑘𝛺
𝐸𝑇𝐻 = 4.2307 𝑉

𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 4.2307 − 0.7 𝑉

𝐼𝐵 = →
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 1.7346 𝑘𝛺 + (120 + 1)1.8 𝑘𝛺
𝐼𝐵 = 0.0160 𝜇𝐴

𝐼𝐶 = 𝛽 × 𝐼𝐵 → 𝐼𝐶 = (120)(0.0160 𝜇𝐴)
𝐼𝐶 = 1.92 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶𝐶 𝑅𝐶 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 → 𝑉𝐶𝐸 = 20 𝑉 − (1.92 𝑚𝐴)(2.7 𝑘𝛺) − (1.92 𝑚𝐴)(1.8 𝑘𝛺)
𝑉𝐶𝐸 = 11.36 𝑉
Oh También se puede usar:
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) → 𝑉𝐶𝐸 = 20 𝑉 − 1.92 𝑚𝐴(2.7 𝑘𝛺 + 1.8 𝑘𝛺)
𝑉𝐶𝐸 = 11.36 𝑉

Sat.
Corte
𝑅𝑇 = 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 → 2.7 𝑘Ω + 1.8 𝑘Ω
𝑅𝑇 = 4.5 𝑘Ω
Saturación
1.92
𝑉𝐶𝐶 20 𝑉
0 𝑆𝑎𝑡 = →
4.5 Corte 𝑅𝑇 4.5 𝑘Ω
1 2 3 4 5 6 7 200
𝑆𝑎𝑡 = 4.4444 𝑚𝐴
7.0.1- Determine el 𝑉𝐶 y el 𝑉𝐵 para el siguiente circuito.
𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1 ||𝑅2 → 𝑅𝑇𝐻 = 8.2 𝑘𝛺||2.2 𝑘𝛺
𝑅𝑇𝐻 = 1.7346 𝑘𝛺

𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐸𝐸 20 𝑉 + 20 𝑉
𝐼= →𝐼=
𝑅1 + 𝑅2 8.2 𝑘Ω + 2.2 kΩ
𝐼 = 3.8461 𝑚𝐴

𝐸𝑇𝐻 = 𝐼𝑅2 − 𝑉𝐸𝐸 → 𝐸𝑇𝐻 = (3.8461 𝑚𝐴)(2.2 𝑘Ω) − 20 𝑉

𝐸𝑇𝐻 = −11.5385 𝑉

𝑉𝐸𝐸 − 𝐸𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸 20 𝑉 − 11.5385 𝑉 − 0.7 𝑉

𝐼𝐵 = → 𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 1.7346 𝑘Ω + (120 + 1)1.8 𝑘Ω
𝐼𝐵 = 0.0353 𝜇𝐴

𝐼𝐶 = 𝛽 × 𝐼𝐵 → 𝐼𝐶 = (120)(0.0353 𝜇𝐴)
𝐼𝐶 = 4.2425 𝑚𝐴

𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 𝑅𝐶 → 𝑉𝐶 = 20 − (4.2425 𝑚𝐴)(2.7 𝑘Ω)

𝑉𝐶 = 8.54525 𝑉

𝑉𝐵 = −𝐸𝑇𝐻 − 𝐼𝐵 𝑅𝑇𝐻 → 𝑉𝐵 = −11.5385 𝑉 − (0.0353 𝜇𝐴)(1.7346 𝑘Ω)

𝑉𝐵 = −11.5997 𝑉
7.1- Determine 𝑉𝐶 y 𝑉𝐵 para la siguiente figura.
𝑉𝐸𝐸 −𝑉𝐵𝐸 9 𝑉−0.7 𝑉
𝐼𝐵 = →
𝑅𝐵 100 𝑘Ω

𝐼𝐵 = 0.083 𝜇𝐴

𝐼𝐶 = 𝛽 × 𝐼𝐵 → (45)(0.083)
𝐼𝐶 = 3.735 𝑚𝐴

𝑉𝐶 = −𝐼𝐶 𝑅𝐶 → −(3.735 𝑚𝐴)(1.2 𝑘Ω)

𝑉𝐶 = −4.482 𝑉

𝑉𝐵 = −𝐼𝐵 𝑅𝐵 → (0.083 𝜇𝐴)(100 𝑘Ω)

𝑉𝐵 = −8.3 𝑉

7.2- Aplicaciones: Con el siguiente circuito construya otro para controlar un motor de 120
AC.

+5 V
120 𝑉
1 𝑘Ω 60 𝐻𝑍

2N2222
SNL

M
1 𝑘Ω
7.3- Con el siguiente circuito construya una alarma con mínimo tres entradas de control.
Un sistema de alarma con una fuente de corriente constante, con
𝛽𝑅𝐸 = (100)(1 𝑘Ω) = 100 𝑘Ω es mucho mayor que 𝑅1 , asi que
podemos utilizar el valor aproximado y determinar el voltaje 𝑉𝑅1.

(2 𝑘Ω)(16 V)
𝑉𝑅1 = = 4.7761 𝑉
2 𝑘Ω + 4.7 kΩ
Y luego el voltaje a travez de 𝑅𝐸 .
𝑉𝑅𝐸 = 𝑅1 − 0.7 𝑉 → 4.7761 𝑉 − 0.7
𝑉𝑅𝐸 = 4.0761 𝑉
Y por ultimo la corriente del emisor y del colecotr.
𝑉𝑅𝐸 4.0761 𝑉
𝐼𝐸 = → = 4.0761 𝑚𝐴 = 𝐼𝐶
𝑅𝐸 1 𝑘Ω

Figura 7.3- Sistema de alarma con una fuente de corriente constante y un comparador de amplificador operacional.
Capítulo 8 Amplificadores.

8.0- Circuito Amplificador Operacional (Op-Amp).

+𝑉𝐶𝐶

−𝑉𝐸𝐸

Figura 8.0°- Amplificador Operacional Básico.

8.1- Circuito Diferencial.

Figura 8.0°- Amplificador Diferencial Básico.

8.2- Cálculos de voltajes de salida en Amplificadores.

Modo Inversor: Modo No Inversor:

500 𝑘Ω
100 𝑘Ω
𝑅𝑓 𝑅𝑓
𝑉𝑂 = − 𝑉 𝑉𝑂 = (1 + )𝑉
𝑅1 1 𝑅1 1
2𝑉
500 𝑘Ω 500 𝑘Ω
𝑉𝑂 = − (2 𝑉) 𝑉𝑂 = (1 + )×2𝑉
100 𝑘Ω 100 𝑘Ω
𝑉𝑂 = −10 𝑉 𝑉𝑂 = 12 𝑉
8.3- Circuito Amplificador Operacional en conexión de Seguidor Unitario.

Figura 8.3°- Conexión Seguidor Unitario de un Amplificador.

8.4- Especificaciones de Amp-OP 741.

1. Tiene un Voltaje de Alimentación +𝑉𝐶𝐶 , +22 V.

2. Contiene un Voltaje de Alimentación −𝑉𝐶𝐶 , -22 V.
3. Voltaje de entrada Diferencial es de ± 30 𝑉.
4. Voltaje de entrada, por cualquier entrada corresponde a ± 15 𝑉.
𝑁
5. Voltaje entre cualquiera de las terminales de anulación de compensación ( 1 ) 𝑦 𝑉𝐶𝐶
𝑁2
es igual a ±0.5 𝑉.
6. La duración del cortocircuito de salida es Ilimitado.
7. Disipación de potencia total continua a (o menos de) una temperatura ambiente de
25°C, corresponde a 500.
8. Tiene un intervalo de Temperatura ambiente de operación desde -55 a 125.
9. Intervalo de Temperatura de almacenamiento es de -65 a 150.
1
10. La Temperatura de los alambres de conexión de 1.6 𝑚𝑚. (16 𝑝𝑢𝑙𝑔). De la capsula
durante 60 segundos, es de 300.
8.5- Ejercicios Propuestos.

¿Cuál es el voltaje de salida en el circuito del siguiente circuito?

𝑅𝐹
𝑉𝑜 = −𝑉𝑖 ( )
𝑅1
250 𝑘Ω
𝑉𝑜 = −1.5 𝑉 ( )
20 𝑘Ω
𝑉𝑜 = −18.75 𝑉

.¿Cuál es el intervalo del ajuste de la ganancia de voltaje en el circuito siguiente?

𝑅𝐹
𝑉𝑜 = −𝑉𝑖 𝐴𝑉 ( )
𝑅1
𝑉𝑜 𝑅𝐹
=−
𝑉𝑖 𝑅𝐼
500 𝑘Ω
𝐴𝑣 = − = −50 𝑘Ω
10 𝑘Ω
500 𝑘Ω
𝐴𝑣 = − = −25 𝑘Ω
20 𝑘Ω

¿Qué voltaje de entrada produce una salida de 2 V en el circuito siguiente?

𝑅
𝑉𝑜 = −𝑉𝑖 ( 𝑅𝐹 )
𝑖

1 𝑀Ω
2 𝑉 = −𝑉𝑖 ( )
20 𝑘Ω
1 𝑀Ω
( ) 2𝑉 = −𝑉𝑖
20 𝑘Ω
1 𝑀Ω
𝑉𝑖 = ( ) 2𝑉
20 𝑘Ω
𝑉𝑖 = 40 𝑚𝑉
¿Cuál es el intervalo del voltaje de salida del siguiente circuito, si la entrada puede variar de
0.1 a 0.5 V?
𝑅
𝑉𝑜 = −𝑉𝑖 ( 𝑅𝐹)
𝑖

Para 𝑉𝑖 = 0.1 𝑉
200 𝑘Ω
𝑉𝑜 = −0.1 ( )
20 𝑘Ω
𝑉𝑜 = −1 𝑉
Para 𝑉𝑖 = 0.5 𝑉
200 𝑘Ω
𝑉𝑜 = −0.5 ( 20 𝑘Ω )

𝑉𝑜 = −5 𝑉

Capítulo 9 Amplificadores No Inversores.

9.0- Circuito del Amplificador como No Inversor.

La conexión que se muestra en la figura 9.0, se trata de un circuito amplificador operacional
que funciona como amplificador no inversor o multiplicador de ganancia constante. Es de
notar que la conexión de amplificador inversor se utiliza más porque es más estable en
frecuencia . Para determinar la ganancia de voltaje del circuito, podemos utilizar la
representación equivalente. Podemos ver que el voltaje a través de 𝑅1 es 𝑉1 puesto que este
debe ser igual al voltaje de salida, a través de un divisor de voltaje de 𝑅1 y 𝑅𝐹 .
𝑅1
𝑉𝐼 = (𝑉 )
𝑅1 + 𝑅𝐹 𝑂
𝑉𝑂 𝑅1 𝑅𝐹
= = 1+
𝑉𝐼 𝑅1 + 𝑅𝐹 𝑅1

Figura 9.0°- Circuito del Amplificador No Inversor.

9.1- Circuito del Seguidor Unitario.
El circuito de seguidor unitario, proporciona una ganancia unitaria (1) sin inversión de
polaridad o fase. Además que la salida es de la misma polaridad y magnitud que la entrada.
El circuito opera como un circuito en emisor - seguidor o en fuente - seguidor, excepto que
la ganancia es exactamente unitaria.

𝑉𝑂 = 𝑉𝐼

Figura 9.1°- Circuito del Seguidor Unitario.

9.2- Ejercicio de Amplificador No Inversor.

¿Qué voltaje de salida resulta en el circuito
si hay un 𝑉𝐼 = −0.3 𝑉?
𝑅𝐹 360 𝑘Ω
𝑉𝑂 = (1 + ) 𝑉𝐼 → 𝑉𝑂 = (1 + ) − 0.3 𝑉
𝑅1 12 𝑘Ω

𝑉𝑂 = −9.3 𝑉

¿Qué voltaje de entrada se debe aplicar para obtener un voltaje de salida de 2.4 V?
𝑅𝐹
𝑉𝑂 = (1 + )𝑉
𝑅1 𝐼
360 𝑘Ω
2.4 𝑉 = (1 + )𝑉
12 𝑘Ω 𝐼
2.4 𝑉
𝑉𝐼 =
(1 + 360 𝑘Ω⁄12 𝑘Ω)

𝑉𝐼 = 0.0774 𝑉
Entonces:
𝑅𝐹
𝑉𝑂 = (1 + )𝑉
𝑅1 𝐼
360 𝑘Ω
𝑉𝑂 = (1 + ) 0774 𝑉
12 𝑘Ω
𝑉𝑂 = 2.3994 𝑉

9.3- Amplificador No Inversor con potenciómetro Ejercicio.

¿Qué intervalo de voltaje de salida se
desarrolla en el circuito siguiente?
𝑅𝐹
𝑉𝑂 = (1 + )𝑉
𝑅1 𝐼
200 𝑘Ω
𝑉𝑂 = (1 + ) 0.5 𝑉
10 𝑘Ω
𝑉𝑂 = 10.5 V

Ahora con el potenciómetro al Máximo.

200 𝑘Ω
𝑉𝑂 = (1 + ) 0.5 𝑉
20 𝑘Ω
𝑉𝑂 = 5.5 𝑉

9.4- Ejercicio de un Amplificador Unitario.

¿Qué voltaje de salida resultara en el
circuito para un 𝑉𝐼 = 0.5 𝑉?

𝑉𝑂 = 𝑉𝐼

𝑉𝑂 = 0.5 V

𝑉𝑂 = 𝑉𝐼 = 0.5 𝑉
9.5- Circuito con tres Amplificadores Ejercicio.
Calcular el voltaje de salida de 𝑉2 y 𝑉3 del circuito.
𝑅𝐹 𝑅𝐹
𝑉2 = −𝑉𝐼 ( ) 𝑉3 = (1 + )𝑉
𝑅1 𝑅1 𝐼
200 𝑘Ω 200 𝑘Ω
𝑉2 = −0.2 𝑉 ( )
20 𝑘Ω 𝑉3 = (1 + 10 𝑘Ω ) 0.2 𝑉
𝑉2 = −2 𝑉 𝑉3 = 4.2 𝑉
Practica No.8 MultiSim Amplificadores en CD.
Circuito No Inversor con 𝑉𝐼 = −0.3 𝑉

Circuito No Inversor con potenciómetro y 𝑉𝐼 = 0.5 𝑉

Con el potenciómetro al Máximo.

Con el potenciómetro al Mínimo.
Circuito Seguidor Unitario con 𝑉𝐼 = 0.5 𝑉

Circuito Combinado.
Capítulo 10 Derivados del Amplificador

10.0- Amplificador Sumador.

Este es el circuito más utilizado en cuestión de circuitos amplificadores operacionales, el
circuito muestra un amplificador sumador de tres entradas, el cual permite sumar
algebraicamente tres voltajes cada uno multiplicado por un factor de ganancia constante, en
el cual podemos expresar el voltaje de salida en función de las entradas como:

𝑅𝐹 𝑅𝐹 𝑅𝐹
𝑉𝑂 = − ( 𝑉1 + 𝑉2 + 𝑉)
𝑅1 𝑅2 𝑅3 3

Durante cada entrada se agrega un voltaje a la salida multiplicado por su multiplicador de

ganancia constante distinta. Si se utilizan mas entradas, cada una de ellas agrega un
componente adicional a la salida.

Figura 10.0°- Amplificador sumador. Figura 10.01°- Circuito equivalente de tierra virtual.
10.1- Amplificador Integrador.
Si el componente de realimentación utilizado es un capacitor, la conexión resultante se llama
integrador. El circuito equivalente de tierra virtual muestra que se puede derivar una
expresión para el voltaje entre la entrada y la salida en función de la corriente de la entrada a
la salida. Así mismo la tierra virtual implica que se puede considerar que el voltaje en la
unión de R y XC está a tierra pero que no fluye corriente hacia tierra en ese punto. La
impedancia capacitiva puede expresarse como:
1 1
𝑋𝐶 = =
𝑗𝜔𝐶 𝑠𝐶
Donde:
𝑉𝑂
𝑠 = 𝑗𝜔 esta en la notación de Laplace. Entonces resolviendo para ⁄𝑉 resulta:
1

𝑉1 𝑉𝑂 −𝑉𝑂
𝐼= =− = = −𝑠𝐶𝑉𝑂
𝑅 𝑋𝐶 1⁄
𝑠𝐶
𝑉𝑂 −1
=
𝑉1 𝑠𝐶𝑅
Esta expresión puede escribirse de nuevo en el dominio del tiempo como.
1
𝑉𝑂 (𝑡) = − ∫ 𝑉1 (𝑡) 𝑑𝑡
𝑠𝐶𝑅

Figura 10.1°- Amplificador Integrador.

10.2- Amplificador Diferenciador.
Este tipo de amplificador no es tan útil como los antes descritos, si proporciona una operación
útil, la relación resultante para el circuito es:
𝑑𝑣1 (𝑡)
𝑉𝑂 (𝑡) = −𝑅𝐶
𝑑𝑡
Donde el factor de escala es −𝑅𝐶.

Figura 10.1°- Amplificador como Diferenciador.

10.3- Ejercicios de Amplificadores.

1𝑀 Calcular el 𝑉𝑂 cuando se tiene 𝑉1 = 200 𝑚𝑉.
𝑅
200 𝑘Ω 𝑉𝑂 = −𝑉1 ( 𝐹 )
𝑅1

1000 𝑘Ω
𝑉𝑂 = −0.2 𝑉 ( )
200 𝑘Ω
𝑉𝑂 = −1 𝑉

Calcular el 𝑉𝑂 cuando se tiene 𝑉1 = 150 𝑚𝑉.

𝑅𝐹
𝑉𝑂 = (1 + )𝑉
𝑅1 1

500 𝑘Ω
𝑉𝑂 = (1 + ) 0.15 𝑉
100 𝑘Ω
500 𝑘Ω
𝑉𝑂 = 0.9 𝑉
100 𝑘Ω
 𝑅𝐹 𝑅 𝑅
1𝑀 𝑉𝑂 = ( (𝑉1 ) + 𝐹 (𝑉2 ) + 𝐹 (𝑉3 ))
𝑅1 𝑅2 𝑅3
500 𝑘Ω
1000 𝑘Ω 1000 𝑘Ω 1000 𝑘Ω
1𝑉 𝑉𝑂 = ( (1 𝑉) + (2 𝑉) + (3 𝑉))
500 𝑘Ω 1000 𝑘Ω 1000 𝑘Ω
1𝑀
2𝑉 𝑉𝑂 = 7 𝑉
3𝑉
1𝑀

1𝑀 𝑅𝐹 𝑅𝐹 𝑅𝐹
200 𝑘Ω 𝑉𝑂 = ( (𝑉1 ) + (𝑉2 ) + (𝑉 ))
𝑅1 𝑅2 𝑅3 3
−2 𝑉 𝑉𝑂 = (
1000 𝑘Ω
(−2 𝑉) +
1000 𝑘Ω
(3 𝑉) +
1000 𝑘Ω
(1 𝑉))
200 𝑘Ω 500 𝑘Ω 1000 𝑘Ω
500 𝑘Ω
3𝑉
𝑉𝑂 = −3 𝑉
1𝑉
1𝑀

10.4- El Op-Amp como Comparador.

En la siguiente figura se encuentra un
circuito que opera con un voltaje de
referencia positivo conectado a la
entrada negativa y la salida conectada a
un LED indicador. El nivel de voltaje
de referencia se establece a:
10 𝑘Ω
𝑉𝑟𝑒𝑓 = (12 𝑉)
10 𝑘Ω + 10 𝑘Ω
𝑉𝑟𝑒𝑓 = 6 𝑉

Como el voltaje de referencia esta

conectado a la entrada inversora, la
salida cambiara a su nivel de saturacion
positivo cuando la entrada 𝑉𝑖 se vuelva
positiva que el nivel de voltaje de
referencia +6 V. La salida 𝑉𝑂 enciende
Figura 10.4°- Amplificador como Comparador.
entonces el LED como una indicacion de que la entrada es mas positiva que el nivel de
referencia.
Como una conexión alternatiiva, el voltaje de referencia se podria conectar a la entrada no
inversora asi como se muestra en la figura 10.4. Con esta conexiónla señal de entrada que
iria por debajo del nivel de referencia haria que la salida encienda el LED, por lo tanto el
LED se enciende cuando la salida se eleva o reduce sobre el nivel de referencia, dependiendo
de que entrada este conectada como entrada de señal y cual como entrada de referencia.

10.5- Convertidor Digital-Analogico con un OP-Amp como Comparador.

En cuircuitos digitales las señales estan a cualquiera de dos niveles (binarios 1 o 0). Un
convertidor analogico a digital (ADC) obtiene un valor digital que representa un voltaje
analoico de entrada.
El convertidor digital a analogico (DAC) cambia un valor de nuevo a un valor analogico.
Conversion mediante una red de escalera.

La red escalera acepta entradas de valores binarios de 0 V o 0 𝑉𝑟𝑒𝑓 y provee un voltaje de

salida proporcional al valor de entrada binario.

𝐷0 × 20 + 𝐷1 × 21 × 𝐷2 × 22 + 𝐷3 × 23
𝑉𝑂 = 𝑉𝑟𝑒𝑓
24

Figura 10.5°- Convertidor Digital-Analógico mediante una red de Resistores.

10.6- Convertidor Digital-Analógico con Op-Amp.

Practica No.9 MultiSim LED’S en función del Op-Amp.

Capítulo 11 El SCR (Rectificador Controlado de Silicio).

11.0- Símbolo del SCR y su construcción.

El SCR es un rectificador construido de silicio, con una tercera terminal para propósitos del
control. Se eligió el silicio por sus altas capacidades de temperatura y potencia. La operación
básica del SCR donde su tercera terminal llamada compuerta, determina cuando el
rectificador cambia del estado de circuito abierto al estado de cortocircuito. En la región de
conducción, la resistencia dinámica del SCR en general es de 0.01 Ω a 0.1 Ω. La resistencia
en inversa suele ser de 100 𝑘Ω o más.

Los SCR Han sido diseñados para controlar potencias tan altas como 10 𝑀𝑊 con valores
nominales individuales hasta de 2000 𝐴 a 1800 𝑉. Su intervalo de frecuencia de aplicación
también se ha ampliado hasta 50 𝑘𝐻𝑧, lo que ha permitido algunas aplicaciones como
calefacción por inducción y limpieza ultrasónica.
Algunas de las áreas más comunes de aplicación de los SCR se incluyen en controles de
relevador, circuitos de tiempo, fuentes de potencia reguladas, interruptores estáticos,
controles de motor, recortadores, inversores, ciclos convertidores, cargadores de baterías,
circuitos de protección, controles de calefactores, y controles de fase.

El símbolo grafico se
muestra en la figura 11.0
con las conexiones
correspondientes a la
estructura semiconductora
de capas, para que se
Figura 11.0°- Construcción básica del SCR. establezca la conducción
directa el ánodo debe ser positivo con respeto al cátodo, aun así no es suficiente para encender
el dispositivo. También se le debe aplicar un pulso de magnitud suficiente a la compuerta
para establecer una corriente de encendido en la compuerta representada como 𝐼𝐺𝑇 .
 Un análisis más detallado sobre su operación básica se realiza al momento de dividir la
estructura pnpn de cuatro capas, así como se muestra en la figura 11.0.1.

Figura 11.0.1°- División de la estructura.

En base a la figura anterior podemos observar que uno de los transistores es un dispositivo
npn, mientras que el otro es un transistor pnp.

11.1- Métodos generales para apagar un SCR.

Los dos métodos generales para apagar un SCR se categorizan como interrupción de la
corriente en el ánodo y conmutación forzada.
Las dos posibles formas de interrupción de corriente se muestran
en la figura 11.1 donde en el primer circuito la corriente 𝐼𝐴 es cero
cuando el interruptor se abre (interrupción en serie), mientras que
en el segundo circuito se establece que la corriente 𝐼𝐴 es cero
cuando el interruptor se cierra (interrupción en derivación).
Por otro lado la conmutación forzada consiste en “forzar” la
corriente a que fluya a través del SCR en dirección opuesta a la
conducción en directa.

Figura 11.1°- Interrupción de corriente del Ánodo.

11.2- La curva característica del SCR.

𝐼𝐺2 𝐼𝐺1
𝐼𝐺 = 0
𝐼𝐻

𝑉𝐹3 𝑉𝐹2 𝑉𝐹1 𝑉(𝐵𝑅)𝐹

𝑉𝐹

11.3- Características y valores nominales del SCR.

El voltaje de conducción en directa 𝑉(𝐵𝑅)𝐹∗ : es el voltaje sobre el cual el SCR entra a la región
de conducción. El asterisco (*) denota la letra que se debe agregar, la cual depende de la
condición de la terminal de compuerta como sigue:
O = Circuito abierto de G a K
S = Cortocircuito de G a K
R = Resistor DE G a K
V = Polarización fija (voltaje) de G a K

Corriente de mantenimiento 𝐼𝐻 : Es el valor de la corriente por debajo de la cual el SCR

cambia del estado de conducción a la región de bloqueo en directa en las condiciones
establecidas.
Regiones d bloqueo en directa y en inversa son las regiones correspondientes a la condición
de circuito abierto para el rectificador controlado que bloquean el flujo de carga (corriente)
del ánodo al cátodo.
Voltaje de ruptura en inversa es equivalente a la región Zener o de avalancha del diodo
semiconductor fundamental de dos capaz.
11.4- Aplicaciones del SCR.
Interruptor estático
En la figura 11.4 se
muestra un interruptor
estático de media
onda. Si el interruptor
esta cerrado así como
se muestra en la figura
durante la parte
positiva de la señal de
Figura 11.4°- Interruptor estático en serie de media onda. entrada, fluirá una
corriente de compuerta y el SCR se encenderá. Las formas de onda para el voltaje y la
corriente de la carga, el resultado es una señal rectificada de media onda a través de la carga.
Si se desea una conducción de menos de 180°C, el interruptor se puede cerrar a cualquier
desfasamiento durante la parte positiva de la señal de entrada. El interruptor puede ser
electrónico, electromagnético o mecánico.

Sistema de control de fase

En la siguiente figura se
muestra un circuito que
es capaz de establecer un
ángulo de conducción
entre 90°y 180°C. En
este circuito se le adhiere
Figura 11.4.1°- Control de fase de resistencia variable de media onda. un resistor variable y se
le elimina el interruptor. La combinación de resistores 𝑅 y 𝑅1 limitara la corriente de
compuerta durante la parte positiva de la señal de entrada. Si 𝑅1 alcanza su valor máximo es
posible que la corriente de compuerta nunca alcance una magnitud de encendido. A medida
que 𝑅1 va decrementando a partir de su valor máximo, la corriente de compuerta se
incrementara a partir del mismo voltaje de entrada. De esta forma se puede establecer la
corriente de compuerta de encendido requerida en cualquier punto entre 0° y 90°, asi como
se muestra en la figura 11.4.1.
Cargador de baterías
La tercera aplicación
se trata de un
regulador de carga de
baterías. Así como
logramos apreciar en
la figura 𝐷1 y 𝐷2
establecen una señal
rectificada de onda
completa a través del
𝑆𝐶𝑅1, y la batería de
12 V que se va a
cargar. Con el 𝑆𝐶𝑅2
abierto, el 𝑆𝐶𝑅1 que
Figura 11.4.2°- Regulador de carga de batería.
controla el circuito es
exactamente el mismo que el control de interruptor estático en serie. Cuando la entrada
rectificada de onda completa es lo bastante grande para producir la corriente de encendido
requerida en la compuerta controlada por 𝑅1 , el 𝑆𝐶𝑅1 se encenderá y la batería comenzará a
cargarse.

Controlador de temperaturas
El diseño de la siguiente figura trata de un control
de calefactor de 100 W que utiliza un SCR, Esta
diseñado para que el calefactor de 100 W se
encienda y apague por medio de termostatos. En
eta aplicación el SCR sirve como amplificador de
corriente en un elemento de conmutación de
carga. No es un amplificador en el sentido de que
amplifique el nivel de corriente del termostato. En
cambio, es el dispositivo que cuyo nivel mas alto
de corriente es controlado por el comportamiento
del termostato. Debe quedar claro que la red en
configuración puente esta conectada a la fuente de
Figura 11.4.3°- Controlador de Temperatura. CA por medio del calentador de 100 W. Esto
producirá un voltaje rectificado de onda completa a través del SCR.
Sistema de iluminación de emergencia de una sola fuente
En este tipo de
aplicación el SCR
mantendrá la carga
de una batería de 6 V
que garantice su
disponibilidad y que
también proporcione
energía de CD a un
foco cuando haya una
baja de potencia. A
Figura 11.4.4°- Sistema de iluminación de emergencia.
través de la lampará
de 6 V aparecerá una señal rectificada de onda completa debido a los diodos 𝐷1 y 𝐷2 . El
capacitor 𝐶1 se cargará a un voltaje un poco menor que la diferencia entre el valor pico de la
señal rectificada de onda completa y el voltaje de CD a través de 𝑅2 , establecido por la batería
de 6 V.

11.5- Circuito para controlar la fase de media onda.

11.6- Símbolo del SCS y cómo funciona.
El interruptor controlado de silicio (SCS) Se trata de un tristor con una compuerta adicional,
es similar en construcción al SCR, la diferencia es que tiene dos terminales, la compuerta
cátodo y la compuerta ánodo. El SCS puede ser encendido o apagado con cualquiera de las
terminales compuerta.

Figura 11.6°- Diagrama del SCS.

11.7- SCS como alarma.

Dentro del circuito anterior el 𝑅𝑆 representa un resistor sensible a la temperatura, luz o

radiación, es decir, un elemento cuya resistencia se reducirá con la aplicación de lo antes
mencionado. La relación del divisor establecida por 𝑅𝑆 y el resistor variable, determinan el
potencial en la compuerta de ánodo. El potencial de la compuerta está aproximadamente a 0
V, si 𝑅𝑆 es igual al valor establecido por el resistor variable puesto que ambos transistores
tendrán 12 V a través de ellos. Aunque, si 𝑅𝑆 se reduce, el potencial de la unión se
incrementará hasta que el SCS se polarice en directa, lo que hará que éste se encienda y se
energice el relevador de alarma. Se incluye el resistor de 100 𝑘Ω para reducir la posibilidad
de un disparo accidental del dispositivo mediante un fenómeno conocido como efecto de
transición. Dicho efecto lo provocan los niveles de capacitancia parásita entre las compuertas.
Un transitorio de alta frecuencia puede establecer una corriente suficiente en la base para
encender el SCS por accidente. El dispositivo se reinicia oprimiendo el botón de reinicio, el
cual abre la ruta de conducción del SCS y reduce a cero la corriente del ánodo.
11.8- Variables de símbolos (SCR).
11.8.1- Fotodiodo

Figura 11.8.1°- Configuración del Fotodiodo.

11.8.2- Fotorresistencia

Figura 11.8.2°- Configuración de la fotorresistencia.

11.8.3- Fototransistor

Figura 11.8.3°- Configuración del fototransistor.

11.9- Optoacopladores.
Un optoacoplador combina un dispositivo semiconductor formado por un fotoemisor, un
fotoreceptor y entre ambos hay un camino por donde se transmite la luz. Todos estos
elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP.
Tipos:
Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un
transistor BJT.
Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac
Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de
cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmutas al triac sólo en los cruces por
cero de la corriente alterna.

Figura 11.9°- Configuración del fototriac.

Practica No.10 MultiSim Trabajo de SCR con corriente de DC.
Capítulo 12 GTO, DIAC y TRIAC.
12.0- Como funciona el GTO y sus características.
El diodo Schockley es un diodo tipo pnpn de cuatro capas con solo dos terminales externas,
así como se muestra en la figura 12.0.

Figura 12.0°- Construcción básica y su símbolo.

Las características del dispositivo son exactamente las mismas que para el SCR con 𝐼𝐺 = 0.
Como las características lo indican, el dispositivo está en “apagado” (representación de
circuito abierto) hasta que se alcanza el voltaje de conducción, momento en el cual se
desarrollan las condiciones de avalancha y el dispositivo se enciende (representación de corto
circuito).

Figura 12.0.1°- Curva característica.

12.1- Representación de un Oscilador con un diodo Shockley.

Figura 12.1°- Diodo Shockley con Osciloscopio.

12.2- El DIAC y sus componentes.

Este se trata de una combinación inversa en paralelo de dos terminales de capas
semiconductoras que permite la activación en cualquier dirección. Las características del
dispositivo se presentan en la figura 12.2.
Se puede comprobar que hay un voltaje de
conducción en cualquiera de las dos
direcciones, donde se puede aprovechar al
máximo la condición de encendido en
cualquiera de las dos direcciones en
aplicaciones de CA.

Figura 12.2°- Curva Característica.

La disposición básica de las capas semiconductoras del DIAC la podemos apreciar en la
siguiente figura.

Figura 12.2.1°- Símbolos y construcción básica.

Ninguna de las terminales se designa como cátodo, en cambio hay un ánodo (o electrodo 1)
y un ánodo (o electrodo 2). Cuando el ánodo 1 es positivo con respecto al ánodo 2, las capas
semiconductoras de interés particular son 𝑝2 𝑛2 𝑝1 𝑛1 .
Para la unidad que aparece en la figura 12.2, el voltaje de ruptura es muy parecido en cuanto
a magnitud aunque pueden variar desde un mínimo de 28 V, hasta un máximo de 42 V. están
relacionados por la siguiente ecuación.

𝑉𝐵𝑅1 = 𝑉𝐵𝑅2 ± 0.1𝑉𝐵𝑅2

Los niveles de corriente (𝐼𝐵𝑅1 y 𝐼𝐵𝑅2 ) y 200𝜇𝐴 = 0.2𝑚𝐴, también son de magnitud muy
parecida para cada dispositivo.
12.3- Oscilador con DIAC.

Figura 12.3°- Oscilador de DIAC.

12.4- El TRIAC y sus propiedades.

Se trata de un DIAC con una terminal de compuerta para controlar las condiciones de
encendido del dispositivo bilateral en cualquiera de las dos direcciones que se comporte la
corriente, entonces no importa para donde valla la corriente de compuerta puede controlar la
acción del dispositivo de una manera parecida a la demostrada por el SCR.
Las características del TRIAC trata que en el primer y tercer cuadrante en un cuadro
cartesiano el comportamiento de la misma es algo diferente en comparación a las del DIAC.

Figura 12.4°- Curva Característica del TRIAC.

Podemos observar que la corriente de mantenimiento en cada dirección no aparece en las

características del DIAC.
 el símbolo gráfico y la distribución de las capas semiconductoras
se muestran en la figura 12.4.1. Para cada una de las posibles
direcciones de conducción hay una combinación de capas
semiconductoras cuyo estado controlara la señal aplicada a la
terminal de la compuerta.

Figura 12.4.1°- Símbolo TRIAC.

12.5- Control de fase TRIAC-DIAC.

Figura 12.4.1°- Aplicación de un TRIAC: control de fase (potencia).

Practica No.11 MultiSim Control de fase TRIAC-DIAC.
 Capítulo 13 Transistor UJT.
13.0- Transistor de Monounion y Construcción básica.
El UJT es un dispositivo de tres terminales cuya construcción básica se muestra en la figura
13.0.
Una pastilla de material de silicio tipo n
levemente dopado (característica de
resistencia incrementada) tiene dos
contactos base fijados a los dos extremos de
una superficie y una barra de aluminio
ligada a la superficie opuesta. La unión tipo
p-n se forma en el limite de la barra de
aluminio y la pastilla de silicio tipo n.
Originalmente se llamaba diodo de base
doble (duo) por la presencia de dos
contactos de base. En la figura 13.0
13.0°- Transistor de monounion (UJT), construcción básica.
podemos ver que la barra de aluminio está
ligada a la pastilla de silicio en un punto más cercano al contacto de base 2 que el contacto
de base 1 y que la terminal de base 2 se hizo más positiva con respecto a la terminal de base
1 por 𝑉𝐵𝐵 volts.

13.1- Circuito equivalente del UJT y ecuaciones de desarrollo.

De acuerdo a la figura 13.1 donde se
muestra el diagrama equivalente del UJT,
podemos observar la simplicidad relativa
del circuito, el cual contiene dos
resistores uno fijo y uno variable y
además de un diodo único. La resistencia
𝑅𝐵1 se muestra como un resistor variable
puesto que su magnitud variara con la
corriente 𝐼𝐸 . Este puede hacerlo entre una
13.1°- Circuito equivalente del UJT.
oscilación entre 5 𝑘Ω a 50 Ω por un cambio
correspondiente de la 𝐼𝐸 que va desde 0 𝜇𝐴 a 50 𝜇𝐴. La resistencia entre las bases 𝑅𝐵𝐵 es la
resistencia del dispositivo entre las terminales 𝐵1 y 𝐵2 cuando 𝐼𝐸 = 0.

𝑅𝐵𝐵 = (𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 )|𝐼𝐸 =0

En general 𝑅𝐵𝐵 oscila entre 4 𝑘Ω a 50 Ω. La posición de la barra de aluminio de la figura
13.0 determinara los valores relativos de 𝑅𝐵1 y 𝑅𝐵2 con 𝐼𝐸 = 0. La magnitud de 𝑉𝑅𝐵1 cuando
la 𝐼𝐸 = 0, determinara la regla de divisor de voltaje.
𝑅𝐵1
𝑉𝑅𝐵1 = ∗ 𝑉 = 𝜂𝑉𝐵𝐵 |𝐼𝐸=0
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝐵𝐵
La letra griega 𝜂 (eta) denota la relación de retiro intrínseca del dispositivo.
𝑅𝐵1 𝑅𝐵1
𝜂= |𝐼𝐸 =0 =
𝑅𝐵1 + 𝑅𝐵2 𝑅𝐵𝐵
En potenciales 𝑉𝐸 aplicados de emisor mayores que 𝑉𝑅𝐵1 (= 𝜂𝑉𝐵𝐵 ) por la caída de voltaje en
directa del diodo 𝑉𝐷 (0.35 → 0.70 𝑉), el diodo se encenderá. Supongamos que hacemos un
cortocircuito en una base ideal, la corriente 𝐼𝐸 comenzará a fluir a través de 𝑅𝐵1 , entonces el
potencial de encendido del emisor queda.

𝑉𝑃 = 𝜂𝑉𝐵𝐵 + 𝑉𝐷

13.2- Curva característica del UJT.

13.2°- Curva característica del emisor estático del UJT.

13.3- Fases de carga y descarga de disparo de un SCR por medio de un UJT.

13.3°- Fases de carga y descarga para la red de disparo.

13.4- Oscilador de relajación.

Calcular el tiempo de carga y el tiempo de descarga.
Datos: 𝑉𝑃 = 𝑉𝐷 + 𝜂𝑉𝐵𝐵

𝑅1 = 10 𝑘Ω 𝑉𝑃 = 0.7 𝑉 + (0.5)(20 𝑉)
𝑉𝑃 = 10.7 𝑉
𝑅2 = 10 Ω

𝐶 = 1 𝜇𝐹
Carga: 𝑉𝑃
𝑉 = 20 𝑉 𝑡 = −𝑅𝐶 𝐿𝑛 (1 − )
𝑉𝑉
𝑛 = 0.5 10.7 𝑉
𝑡 = −10(10)3 × 1(10)−6 × 𝐿𝑛(1 − )
20 𝑉
𝑡 = 7.6571 × 103

Descarga:
𝑛
𝑡 = −𝑅𝐶 𝐿𝑛 (1 − )
𝑉𝑃
0.5
𝑡 = −10 × 1(10)3 × 𝐿𝑛(1 − )
10.7 𝑉
𝑡𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = 𝑡1 + 𝑡2 𝑡 = 4.7856 × 10−7
 𝑡𝑡𝑜𝑡𝑎𝑙 = (7.6571 × 103 ) + (4.7856 × 10−7 )

𝑡 = 7.6575 × 10−3

1
𝐹=
𝑇
1
𝐹=
7.6575 × 10−3
𝐹 = 130.5609 𝐻𝑧

13.5- Circuito para controlar la fase con un SCR y un UJT.

13.5°- Circuito equivalente para controlar una fase con SCR y un UJT .
13.6- Símbolo del interruptor apagado con compuerta (GTO).

13.6°- GTO como interruptor apagado.

El interruptor apagado como compuerta (GTO) es el tercer dispositivo pnpn que tiene solo
tres terminales externas. El símbolo equivalente de transistor es exactamente igual a las del
SCR o SCS y sus características son similares.

13.7- Ventajas de un GTO sobre el SCR y el SCS.

La ventaja más obvia del GTO, es que se puede encender o apagar al aplicar pulso apropiado
a la compuerta de cátodo. Una consecuencia de esta capacidad de apagado es un incremento
en la magnitud de la corriente de compuerta de disparo requerida.
Una segunda característica muy importante acerca del GTO son sus cualidades de
conmutación mejoradas. El tiempo de encendido es semejante al del SCR (en general de 1𝜇𝑠)
pero el tiempo de apagado de casi la misma duración (1 𝜇𝑠) es mucho menor que el tiempo
de un SCR (5 𝜇𝑠 𝑎 30 𝜇𝑠).

13.8- Generador de dientes de sierra con GTO.

Practica No.12 MultiSim Generador de Dientes sierra GTO.

Medición de Voltaje Pico (Máximo) al 50%.

Capítulo 14 Circuitos Integrados (Circuito Interno 555).

14.0- Circuito Interno 555.

El circuito integrado es
una combinación de
comparadores analógicos
y circuitos biestables
digitales. Todo circuito el
circuito en general se
encuentra alojado en un
paquete de ocho
terminales de conexión.
Una conexión en serie de
tres resistores ajusta los
Figura 14.0°- Detalles de un circuito integrado temporizador 555. niveles de voltaje de
2𝑉𝑐𝑐⁄ 𝑉𝐶𝐶⁄
referencia de los dos comparadores a 3y 3 y la salida de estos comparadores ajusta
o reajusta la unidad biestable. Se hace que la salida del circuito biestable sea a través de una
etapa de amplificador de salida. El circuito biestable también opera un transistor en el interior
de un circuito integrado, el colector del transistor en general esta ajustado a un nivel bajo
para que descargue un capacitor de temporización.
Los intervalos de tiempo durante los cuales la salida alcanza un valor alto y un valor bajo se
calculan mediante:

𝑇𝑎𝑙𝑡𝑎 = 0.7(𝑅𝐴 + 𝑅𝐵 )𝐶

𝑇𝑏𝑎𝑗𝑎 = 0.7(𝑅𝐵 )(𝐶)

14.1- Circuito astable que oscila diferentes frecuencias.

Figura 14.1°- Generador de pulsos de corriente libre.

14.2- Capacidades del Circuito 555.

Generando un tiempo alto de 0.5 segundos y un tiempo bajo de 1 segundo.
14.3 Circuito monoestable.

Figura 14.2°- Generador de un solo pulso con tiempo alto de 2 segundos.