Chapitre 3 Physique Des Semi-Conducteurs

Introduction :
Les semi-conducteurs sont largement utilisés en électronique pour réaliser des composants
tels que des diodes, des transistors, des circuits intégrés….
Structure des semi- conducteurs
Principe de la structure en bandes
La conductivité électrique d'un matériau est due aux électrons qui ont une énergie suffisante
pour pouvoir se détacher de leur atome d'origine et se déplacer sous l'influence d'un champ
électrique extérieur.
J:densité de courant
σ: conductivité
E : le champ électrique
Conduction dans les semi-conducteurs

Un semi-conducteur est un matériau solide cristallin dont la conductivité électrique est
intermédiaire entre celle des conducteurs et celle des isolants.
La conductivité des matériaux est déterminée par les électrons des deux bandes:
- Les électrons de la bande de valence : sont des électrons liés par des liaisons covalentes
- Les électrons de la bande de conduction : sont des électrons libres, ils sont mobiles et
peuvent se déplacer dans le cristal. Les électrons présents dans la bande de conduction
permettent la conduction du courant.
Les deux bandes sont séparées par un gap, une bande interdite que les électrons ne peuvent
franchir que grâce à une excitation extérieure.
Niveau
d’énergie
d’un électron
bande de
des
conduction
électrons
bande mobiles
Δw
interdite
des
bande de
électrons
valence
fixes
Modèle des bandes d'énergie

Δw : hauteur de la bande interdite (le Gap)
Semi-conducteur intrinsèque
Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau pur : il ne comporte aucune impureté.
Si Si Si
Si Si Si
Si Si Si
Semi-conducteur intrinsèque (Si)
Conduction électrique intrinsèque

Dans un matériau semi-conducteur intrinsèque, les atomes sont liés entre eux par des liaisons
covalentes.
À température ambiante, certaines liaisons covalentes peuvent se casser du fait de l’agitation
thermique. Quelques électrons brisent alors leurs liens et se déplacent aléatoirement à travers
le cristal rendent possible la conduction. L’électron qui a quitté sa place laisse derrière lui un
vide (trou).
Le courant électrique qui traverse le semi-conducteur est la somme des courants des deux
types de porteurs de charge (les électrons libres et trous). Son intensité dépend de la
conductivité σ.
La conductivité électrique d’un semi-conducteur intrinsèque est:
La résistivité  est l'inverse de la conductivité
Dans un semi-conducteur intrinsèque : T n= p =ni

Alors
Conductivité intrinsèque
Concentration intrinsèque
Concentration des électrons (nombre de porteurs négatifs par unité de volume)
Concentration des trous (nombre de porteurs positifs par unité de volume)
Mobilité des électrons
Mobilité des trous
e : charge d’électron
avec : A : constante dépendant du matériau,

T : température absolue en kelvins,
ΔW: hauteur de la bande interdite en eV,
k : constante de Boltzmann (k= 1.38 × 10-23 JK-1 )
Semi conducteur extrinsèque (dopé):

Le dopage est une méthode permettant d'augmenter la conductivité d'un semi-conducteur.
Cela consiste à introduire des impuretés dans un cristal intrinsèque pour modifier ses
propriétés électriques.
On introduit un certain nombre d’impuretés de sorte que leur concentration N soit
ni : concentration intrinsèque
NSi : densité de silicium

- Semi-conducteur extrinsèque de type N :
Le dopage N consiste à ajouter au semi-conducteur des atomes possédants 5 électrons
périphériques. Quatre de ces électrons vont participer à la structure cristalline, et un électron
supplémentaire va se retrouver libre et pouvoir se déplacer dans le cristal.
Si Si Si
Si +5 Si
électron libre
Si Si Si
Semi-conducteur extrinsèque (N)
L’atome de phosphore qui a fourni un électron libre est appelé atome donneur (ion positif
fixe)
Dans ce cas les électrons sont des porteurs majoritaires et les trous des porteurs minoritaires.
ND =n
ND : concentration des atomes donneurs
n.p=ni2 : loi d’action de masse ⇒ p= ni2/ND
- Semi-conducteur extrinsèque de type P

Le dopage P consiste à ajouter au semi-conducteur des atomes possédants 3 électrons
périphériques. Ces trois électrons participent à la structure cristalline, mais un "trou" est créé
par chaque atome étranger puisqu'il lui manque un électron périphérique.
Si Si Si
Si +3 Si
Trou
Si Si Si
Semi-conducteur extrinsèque (P)
L’atome de Bore est appelé atome accepteur (ion négatif fixe)

Dans ce cas les trous sont des porteurs majoritaires et les électrons des porteurs minoritaires.
NA =P
NA : concentration des atomes accepteurs
n.p=ni2 : loi d’action de masse ⇒ n= ni2/NA

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Introduction :

Conduction dans les semi-conducteurs

Modèle des bandes d'énergie

Un semi-conducteur intrinsèque est un matériau pur : il ne comporte aucune impureté.

Semi-conducteur intrinsèque (Si)

Conduction électrique intrinsèque

Dans un semi-conducteur intrinsèque : T n= p =ni

Concentration des électrons (nombre de porteurs négatifs par unité de volume)

Concentration des trous (nombre de porteurs positifs par unité de volume)

Mobilité des électrons

Mobilité des trous

avec : A : constante dépendant du matériau,

Semi conducteur extrinsèque (dopé):

NSi : densité de silicium

Semi-conducteur extrinsèque (N)

- Semi-conducteur extrinsèque de type P

Semi-conducteur extrinsèque (P)

L’atome de Bore est appelé atome accepteur (ion négatif fixe)

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