IGBT MODULE

GCA75BA60
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GCA75BA60 is designed for high speed, high current switching
applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs connected in
94.5MAX
series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse connected across 80±0.3

4±0.6
12 3-M5depth12mm
each IGBT.
2- 6.5 2

67
● IC＝75A VCES＝600V

35.5MAX
17±0.6
● VCE〔sat〕＝2.4V Typ

45
1 3
● t f ＝0.10μs Typ

4±0.6
23±0.3 23±0.3 18±0.3

● Soft recovery diode

TAB#110
（0.5t）fit
18 4 19 4 17.5

（Applications）
Inverter for motor control (VVVF)

31MAX

32MAX
u G2
y E2 NAME PLATE
UPS, AC servo C2 E1
q
E2
w e C1

DC power supply, Welder t E1

r G1

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GCA75BA60
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 600 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 75
A
ICP Current Pulse（１ms） 150
−Ic Reverse Collector Current 75 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 315 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Mounting Mounting（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） N･m
Torque Terminal（Ｍ5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） 2.7（28） （kgf･cm）
Mass Typical Value 210 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝600V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝１mA 600 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝7.5mA 3.0 7.00 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝75A，VGE＝15V 2.40 2.80 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 4.00 7.50 nF
tr Rise Time 0.10 0.20
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝75A，VGE＝＋15V/−5V 0.20 0.40
μs
tf Time Fall Time Vcc＝300V，RG＝8Ω 0.10 0.20
（off）
td Turn-off Delay Time 0.40 0.80
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝75A，VGE＝0V 1.80 2.80 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝75A，VGE＝−10V，di / dt＝150A/μs 0.10 0.15 μs
IGBT-Case 0.40
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.55

1
 GCA75BA60

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

１５０ １５０
VCE=１０V
２０Ｖ １５Ｖ Pulse Test
Collector Current Ic（A）

Collector Current Ic（A）

Tj=２５℃
１２０ １２Ｖ １２０ Tj=１２５℃

Tj=２５℃
９０ Pulse Test ９０

６０ １０Ｖ ６０

９Ｖ
３０ ３０
VGE=８Ｖ

０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３ １４ １５
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５ １０
（V）

（V）
Tj=２５℃
IC=１
５０A
９ Pulse Test
Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Collector-Emitter Voltage VＣＥ IC=３０A

Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８
VGE=１ ５V
Pulse Test ７
３ ６
５
２ ４
IC=７５A
３
１ ２
１
０ ０
０ ３０ ６０ ９０ １２０ １５０ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

Free Wheeling Diode（Typical） Reverse Transfer Capacitance（Typical）
５ １０４
Reverse Collector Current -Ic（A）

５ Cies
２
（pＦ）

Pulse Test ２
１０２
１０３
Capacitance Ｃ

５ ５
Coes
２
Tj=２５℃
２ Tj=１２５℃
１０２ VGE=０V
f=1MHZ
１０１ ５ Tj=２５℃ Cres

５ ２
０ １ ２ ３ ４ ５ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

2
 GCA75BA60

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

Gate-Emitter Voltage VGE（V）

１６ ５
tf
td
（off）
１２ ２

８ １０２ td
（on）
Vcc=２００V Tj=１
２５℃
Tj=２５℃ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
５
４ RG=８Ω
VCC=３００Ｖ

tr
０ ２
０ ５０ １００ １５０ ２００ ２５０ ５ １０１ ２ ５ １０２ ２
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）
（℃/Ｗ）

（℃/Ｗ）
Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）
１００ １００
５ ５
ｊ-ｃ

ｊ-ｃ
２ ２
Transient Thermal Impedance θ

Transient Thermal Impedance θ

１０−１ １０−１
Max. ５ Max.
５
Junction to Case Junction to Case
２ ２
１０−２ １０−２
５ ５
２ ２
１０−３ １０−３
５ ５
２ ２
１０−４ −６ １０−４ −６
１０ ２ ５ １０−５ ２ ５ １０−４ ２ ５ １０−３ ２ ５ １０−２ ２ ５ １０ ２ ５ １０−５ ２ ５ １０−４ ２ ５ １０−３ ２ ５ １０−２ ２ ５
−１ ０ １
５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ ５ １０ ２ −１
５ １０ ２０
５ １０ ２１
５
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
５ ５
（A）

（ns）

Tj=２５℃
- d i / d t = １５０A / μ S
ｒｒ

VGE= -１０V
ｒ
Reverse Recovery CurrentＩ

２ ２
Reverse Recovery Time tｒ

trr

１０２ １０２

５ ５

２ ２

１０１ １０１
Irr

５ ５
５ １０１ ２ ５ １０２
Reverse Collector Current -Ic（A）

3
 IGBT MODULE
GCA100BA60
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GCA100BA60 is designed for high speed, high current
switching applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs
94.5MAX
connected in series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse 80±0.3

4±0.6
12 3-M5depth12mm
connected across each IGBT.
2- 6.5 2

67
● IC＝100A VCES＝600V

35.5MAX
17±0.6
● VCE〔sat〕＝2.3V Typ

45
1 3
● t f ＝0.10μs Typ

4±0.6
23±0.3 23±0.3 18±0.3

● Soft recovery diode

TAB#110
（0.5t）fit
18 4 19 4 17.5

（Applications）
Inverter for motor control (VVVF)

31MAX

32MAX
u G2
y E2 NAME PLATE
UPS, AC servo C2 E1
q
E2
w e C1

DC power supply, Welder t E1

r G1

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GCA100BA60
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 600 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 100
A
ICP Current Pulse（１ms） 200
−Ic Reverse Collector Current 100 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 400 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Mounting Mounting（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） N･m
Torque Terminal（Ｍ5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） 2.7（28） （kgf･cm）
Mass Typical Value 210 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝600V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝１mA 600 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝10mA 3.0 7.00 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝100A，VGE＝15V 2.30 2.80 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 7.00 10.00 nF
tr Rise Time 0.10 0.20
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝100A，VGE＝＋15V/−5V 0.20 0.40
μs
tf Time Fall Time Vcc＝300V，RG＝6Ω 0.10 0.20
（off）
td Turn-off Delay Time 0.40 0.80
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝100A，VGE＝0V 2.00 2.80 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝100A，VGE＝−10V，di / dt＝200A/μs 0.10 0.15 μs
IGBT-Case 0.31
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.55
 GCA100BA60

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

２００ ２００
２０Ｖ
１
５Ｖ
１８０ Pulse Test
Tj=２５℃

Collector Current Ic（A）

Tj=２５℃
Collector Current Ic（A）

１
２Ｖ
１６０ １６０ Tj=１２５℃

１４０
１２０ １２０
１００
８０ ８０
１
０Ｖ VCE=１０V
６０
Pulse Test
４０ ４０
９Ｖ
２０
VGE=８Ｖ
０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５ １０
（V）

（V）
Tj=２５℃
９ IC＝２００A Pulse Test
Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Collector-Emitter Voltage VＣＥ IC＝４０A

Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８
７
３ ６
５
２ ４
IC＝１
００A
VGE=１５V ３
Pulse Test
１ ２
１
０ ０
０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ １６０ １８０ ２００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

Free Wheeling Diode（Typical） Reverse Transfer Capacitance（Typical）
５ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

２
２
（pＦ）

Pulse Test １０４ Cies

２
１０
５
Capacitance Ｃ

５ ２
Coes
１０３
Tj=２５℃
２ Tj=１２５℃ ５
Cres
VGE=０V
f=1MHZ
１０１ ２ Tj=２５℃

５ １０２
０ １ ２ ３ ４ ５ １０ー１ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

5
 GCA100BA60

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

Gate-Emitter Voltage VGE（V）

５
１６ td
（off）

tf
２
１２
td
（on）
１０２
８
５
Vcc=２００V Tj=１
２５℃
Tj=２５℃ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
４ RG=６Ω
VCC=３００Ｖ
２
tr

０ １０１
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ５ １０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）
（℃/Ｗ）

（℃/Ｗ）
Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）
１００ １００
５ ５
ｊ-ｃ

ｊ-ｃ
２ ２
Transient Thermal Impedance θ

Transient Thermal Impedance θ

１０−１ １０−１
Max. ５ Max.
５
Junction to Case Junction to Case
２ ２
１０−２ １０−２
５ ５
２ ２
１０−３ １０−３
５ ５
２ ２
１０−４ −６ −５ −４ −３ −２ １０−４ −６
１０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０−５ ２ ５ １０−４ ２ ５ １０−３ ２ ５ １０−２ ２ ５
−１ ０ １
５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ −１
５ １０ ２ ０
５ １０ ２ １
５ １０ ２ ５
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
５ ５
（A）

（ns）

Tj=２５℃
- d i / d t = ２００A / μ S
ｒ

VGE= -１０V
ｒ

ｒ
Reverse Recovery CurrentＩ

２ ２
Reverse Recovery Time tｒ

１０２ trr １０２

５ ５

２ ２

１０１ １０１
Irr

５ ５
５ １０１ ２ ５ １０２
Reverse Collector Current -Ic（A）

6
 IGBT MODULE
GCA150BA60
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GCA150BA60 is designed for high speed, high current
95MAX
switching applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs
80±0.3

connected in series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse 12 3-M5depth12mm

4±0.6
connected across each IGBT.

2-
6.
5

6 7
● IC＝150A VCES＝600V 2 3

18±0.6
13±0.6

49MAX
● VCE〔sat〕＝2.4V Typ

4 5
● t f ＝0.10μs Typ

4±0.6
● Soft recovery diode
23±0.3 23±0.3 17±0.3

（Applications） 16 7 16 7 16
TAB#110
（0.5t）
fit

Inverter for motor control (VVVF) u G2

31.7MAX

31.5MAX
y E2
UPS, AC servo C2 E1
q
E2
w e C1
NAME PLATE
DC power supply, Welder t E1
r G1

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GCA150BA60
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 600 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 150
A
ICP Current Pulse（１ms） 300
−Ic Reverse Collector Current 150 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 600 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Mounting Mounting（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） N･m
Torque Terminal（Ｍ5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） 2.7（28） （kgf･cm）
Mass Typical Value 225 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝600V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝１mA 600 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝15mA 3.0 7.00 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝150A，VGE＝15V 2.40 2.80 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 9.00 15.00 nF
tr Rise Time 0.10 0.20
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝150A，VGE＝＋15V/−5V 0.20 0.40
μs
tf Time Fall Time Vcc＝300V，RG＝4Ω 0.10 0.20
（off）
td Turn-off Delay Time 0.40 0.80
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝150A，VGE＝0V 2.30 2.80 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝150A，VGE＝−10V，di / dt＝300A/μs 0.10 0.15 μs
IGBT-Case 0.21
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.50

7
 GCA150BA60

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

３００ ３００
２０Ｖ １
５Ｖ
Pulse Test
Tj=２５℃
Collector Current Ic（A）

１
２Ｖ Tj=２５℃

Collector Current Ic（A）

２５０ ２５０
Tj=１２５℃

２００ ２００

１５０ １５０

１
０Ｖ
１００ １００
VCE=１０V
Pulse Test
９Ｖ
５０ ５０
VGE=８Ｖ
０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５ １０
（V）
（V）

Tj=２５℃
９ IC＝２００A Pulse Test
Collector-Emitter Voltage VＣＥ IC＝４０A
Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８
７
３ ６
５
２ ４
IC＝１
００A
VGE=１５V ３
Pulse Test
１ ２
１
０ ０
０ ５０ １００ １５０ ２００ ２５０ ３００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

Free Wheeling Diode（Typical） Reverse Transfer Capacitance（Typical）
５ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

２
２
（pＦ）

Cies
Pulse Test １０４
２
１０
Capacitance Ｃ

５ ２ Coes

３
１０
Tj=２５℃
２ Tj=１２５℃ ５ VGE=０V
f=1MHZ Cres
１
１０ ２ Tj=２５℃

５ １０２
０ １ ２ ３ ４ ５ １０ー１ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

8
 GCA150BA60

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

Gate-Emitter Voltage VGE（V）

１６ ５
td
（off）

tf
１２ ２
td
（on）
tr
８ １０２
Vcc=２００V
Tj=２５℃
５ Tj=１
２５℃
４ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
RG=４Ω
VCC=３００Ｖ
０ ２
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ５ １０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）

（℃/Ｗ）
（℃/Ｗ）

Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）

１００ １００
５ ｊ-ｃ ５
ｊ-ｃ

２
Transient Thermal Impedance θ
２
Transient Thermal Impedance θ

１０−１ １０−１
Max. ５ Max.
５
Junction to Case Junction to Case
２ ２
１０−２ １０−２
５ ５
２ ２
１０−３ １０−３
５ ５
２ ２
１０−４ −６ １０−４ −６
１０ ２ ５ １０−５ ２ ５ １０−４ ２ ５ １０−３ ２ ５ １０−２ ２ ５ １０ ２ ５ １０−５ ２ ５ １０−４ ２ ５ １０−３ ２ ５ １０−２ ２ ５
−１ ０ １
−１
５ １０ ２ ５ １０ ２０
５ １０ ２１
５ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
５ ５
（A）

（ns）

Tj=２５℃
- d i / d t = ３００A / μ S
ｒｒ

VGE= -１０V
Reverse Recovery CurrentＩ

Reverse Recovery Time tｒ

２ ２

１０２ trr １０２

５ ５

２ ２
Irr

１０１ １０１

５ ５
１０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

9
 IGBT MODULE
GCA200BA60
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GCA200BA60 is designed for high speed, high current
95MAX
switching applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs
80±0.3

connected in series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse 12 3-M5depth12mm

4±0.6
connected across each IGBT.

2-
6.
5

6 7
● IC＝200A VCES＝600V 2 3

18±0.6
13±0.6

49MAX
● VCE〔sat〕＝2.3V Typ

4 5
● t f ＝0.10μs Typ

4±0.6
● Soft recovery diode
23±0.3 23±0.3 17±0.3

（Applications） 16 7 16 7 16
TAB#110
（0.5t）
fit

Inverter for motor control (VVVF) u G2

31.7MAX

31.5MAX
y E2
UPS, AC servo C2 E1
q
E2
w e C1
NAME PLATE
DC power supply, Welder t E1
r G1

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GCA200BA60
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 600 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 200
A
ICP Current Pulse（１ms） 400
−Ic Reverse Collector Current 200 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 780 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Mounting Mounting（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） N･m
Torque Terminal（Ｍ5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） 2.7（28） （kgf･cm）
Mass Typical Value 225 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝600V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝１mA 600 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝20mA 3.0 7.00 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝200A，VGE＝15V 2.30 2.80 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 15.00 20.00 nF
tr Rise Time 0.10 0.20
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝200A，VGE＝＋15V/−5V 0.20 0.40
μs
tf Time Fall Time Vcc＝300V，RG＝3Ω 0.10 0.20
（off）
td Turn-off Delay Time 0.40 0.80
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝200A，VGE＝0V 2.30 2.80 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝200A，VGE＝−10V，di / dt＝400A/μs 0.10 0.15 μs
IGBT-Case 0.16
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.40

10
 GCA200BA60

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

４００ ４００
２０Ｖ １
２Ｖ
１
５Ｖ

Collector Current Ic（A）

Tj=２５℃
Collector Current Ic（A）

Tj=１２５℃
３００ ３００

Pulse Test
Tj=２５℃
２００ ２００

１
０Ｖ
VCE=１０V
１００ １００ Pulse Test
９Ｖ

VGE=８Ｖ
０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５ １０

（V）
（V）

IC=４００A Tj=２５℃
Collector-Emitter Voltage VＣＥ ９ IC=８０A
Pulse Test
Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Tj=２５℃
４ ８
Tj=１２５℃
７
３ ６
５
２ ４
IC=２００A
VGE=１５V ３
Pulse Test
１ ２
１
０ ０
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

Free Wheeling Diode（Typical） Reverse Transfer Capacitance（Typical）
５ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

Cies
２
２
（pＦ）

Pulse Test １０４

２
１０
５
Capacitance Ｃ

５ ２
１０３ Coes
Tj=２５℃
２ Cres
Tj=１２５℃ ５ VGE=０V
f=1MHZ
１
１０ ２ Tj=２５℃

５ １０２
０ １ ２ ３ ４ ５ １０ー１ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

11
 GCA200BA60

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

Gate-Emitter Voltage VGE（V）

５ td
（off）

１６
tf

２
１２ td
（on）

１０２
８
５
Vcc=２００V Tj=１
２５℃
Tj=２５℃ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
４ tr RG=３Ω
VCC=３００Ｖ
２

０ １０１
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ ５ １０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）

（℃/Ｗ）
（℃/Ｗ）

Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）

５ １００
２ ｊ-ｃ ５
ｊ-ｃ

１０−１ ２
Transient Thermal Impedance θ
Transient Thermal Impedance θ

５ １０−１
２ Max. ５ Max.
１０−２ Junction to Case Junction to Case
２
５
１０−２
２
５
１０−３
５ ２
２ １０−３
１０−４ ５
５ ２
２ １０−４ −６
１０−６ ２ ５ １０−５ ２ ５ １０−４ ２ ５ １０−３ ２ ５ １０−２ ２ ５ １０ ２ ５ １０−５ ２ ５ １０−４ ２ ５ １０−３ ２ ５ １０−２ ２ ５
−１ ０ １ −１ ０ １
５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５
Time t（sec） Time t（sec）

Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）

５ ５
（A）

（ns）

Tj=２５℃
- d i / d t = ４００A / μ S
ｒｒ

VGE= -１０V
Reverse Recovery CurrentＩ

Reverse Recovery Time tｒ

２ ２

１０２ trr
１０２

５ ５

２ Irr ２

１０１ １０１

５ ５
１０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

12
 IGBT MODULE
GCA300BA60
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GCA300BA60 is designed for high speed, high current
95MAX
switching applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs
80±0.3

connected in series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse 12 3-M5depth12mm

4±0.6
connected across each IGBT.

2-
6.
5

6 7
● IC＝300A VCES＝600V 2 3

18±0.6
13±0.6

49MAX
● VCE〔sat〕＝2.4V Typ

4 5
● t f ＝0.10μs Typ

4±0.6
● Soft recovery diode
23±0.3 23±0.3 17±0.3

（Applications） 16 7 16 7 16
TAB#110
（0.5t）
fit

Inverter for motor control (VVVF) u G2

31.7MAX

31.5MAX
y E2
UPS, AC servo C2 E1
q
E2
w e C1
NAME PLATE
DC power supply, Welder t E1
r G1

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GCA300BA60
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 600 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 300
A
ICP Current Pulse（１ms） 600
−Ic Reverse Collector Current 300 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 1100 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Mounting Mounting（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） N･m
Torque Terminal（Ｍ5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） 2.7（28） （kgf･cm）
Mass Typical Value 225 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝600V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝１mA 600 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝30mA 3.0 7.00 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝300A，VGE＝15V 2.40 2.80 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 20.00 30.00 nF
tr Rise Time 0.10 0.20
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝300A，VGE＝＋15V/−5V 0.20 0.40
μs
tf Time Fall Time Vcc＝300V，RG＝2Ω 0.10 0.20
（off）
td Turn-off Delay Time 0.40 0.80
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝300A，VGE＝0V 2.30 2.80 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝300A，VGE＝−10V，di / dt＝600A/μs 0.10 0.15 μs
IGBT-Case 0.11
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.40

13
 GCA300BA60

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

５００ ５００
２０Ｖ １
５Ｖ
４５０ Tj=２５℃
Pulse Test
Collector Current Ic（A）

Collector Current Ic（A）

VCE=１０V
４００ １
２Ｖ
４００ Pulse Test
３５０
Tj=２５℃
３００ ３００ Tj=１２５℃

２５０
２００ ２００
１５０ １
０Ｖ

１００ １００
９Ｖ
５０ VGE=８Ｖ
０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３ １４
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５ １０

（V）
（V）

Tj=２５℃
VCE=１５V IC=５
００A
Pulse Test Collector-Emitter Voltage VＣＥ ９ IC=１
２０A
Pulse Test
Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８
７
３ ６
５

２ ４
IC=３
００A
３
１ ２
１
０ ０
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

Free Wheeling Diode（Typical） Reverse Transfer Capacitance（Typical）
１０３
５
Reverse Collector Current -Ic（A）

Cies
５ ２
（pＦ）

１０４
２
Pulse Test ５
Capacitance Ｃ

１０２
２
５ Coes
１０３
Tj=２５℃
Tj=１２５℃
２ ５ VGE=０V
f=1MHZ Cres
１ Tj=２５℃
１０ ２

５ １０２
０ １ ２ ３ ４ ５ １０ー１ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

14
 GCA300BA60

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

（V）

td
（off）

１６ ５
Gate-Emitter Voltage VGE

tf
１２ ２ td
（on）

８ １０２
Vcc=２００V
Tj=２５℃ Tc=１
２５℃
ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
５ RG=２Ω
４ tr
VCC=３００Ｖ

０ ２ １
０ ２００ ４００ ６００ ８００ １０００ １０ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge Q（
G nC） Collector Current Ic（A）

（℃/Ｗ）
（℃/Ｗ）

Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）

５ １００
２ ５
ｊ-ｃ
ｊ-ｃ

１０−１ ２
Transient Thermal Impedance θ
Transient Thermal Impedance θ

５ １０−１
２ Max. ５ Max.
１０−２ Junction to Case Junction to Case
５ ２
１０−２
２
５
１０−３
５ ２
２ １０−３
１０−４ ５
５ ２
２ −５ −４ −３ −２ １０−４ −６
１０−６ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０−５ ２ ５ １０−４ ２ ５ １０−３ ２ ５ １０−２ ２ ５
−１ ０ １
５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ −１
５ １０ ２ ５ １０ ２０
５ １０ ２１
５
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
５ ５
（A）

（ns）

Tj=２５℃
- d i / d t = ６００A / μ S
ｒｒ

VGE= -１０V
ｒ
Reverse Recovery CurrentＩ

Reverse Recovery Time tｒ

２ ２

１０２ trr １０２

５ ５

Irr
２ ２

１０１ １０１

５ ５
１０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

15
 IGBT MODULE
GCA75AA120
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GCA75AA120 is designed for high speed, high current
switching applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs
94.5MAX
connected in series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse 80±0.3

4±0.6
12 3-M5depth12mm
connected across each IGBT.
2- 6.5
● Ic＝75A VCES＝1200V 2

67

35.5MAX
17±0.6
● VCE〔sat〕＝3.0V Typ

45
● tf＝0.10μs Typ 1 3

4±0.6
● Soft recovery diode 23±0.3 23±0.3 18±0.3

（Applications） 18 4 19 4 17.5
TAB#110
（0.5t）fit

Inverter for motor control (VVVF)

31MAX

32MAX
UPS, AC servo u G2 NAME PLATE
y E2
C2 E1 E2
DC power supply, Welder q w e C1
t E1
r G1

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GCA75AA120
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 1200 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 75
A
ICP Current Pulse（１ms） 150
−Ic Reverse Collector Current 75 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 600 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Mounting Mounting（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） N･m
Torque Terminal（Ｍ5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） 2.7（28） （kgf･cm）
Mass Typical Value 210 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝1200V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝１mA 1200 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝7.5mA 4.5 7.50 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝75A，VGE＝15V 3.00 3.40 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 8.00 15.00 nF
tr Rise Time 0.10 0.25
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝75A，VGE＝＋15V/−5V 0.20 0.35
μs
tf Time Fall Time Vcc＝600V，RG＝4.2Ω 0.10 0.35
（off）
td Turn-off Delay Time 0.25 0.30
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝75A，VGE＝0V 2.50 3.50 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝75A，VGE＝−10V，di / dt＝150A/μs 0.15 0.25 μs
IGBT-Case 0.21
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.60

16
 GCA75AA120

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

１５０ １
５Ｖ
１５０
１１Ｖ
２０Ｖ １
２Ｖ

Collector Current Ic（A）

Collector Current Ic（A）

Tj=２５℃
１２０ Tj=２５℃
１２０ Tj=１２５℃
Pulse Test

９０ ９０
１
０Ｖ

６０ ６０
VCE=１０V
Pulse Test
３０ 9Ｖ ３０

VGE=８Ｖ
０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５ １０

（V）
（V）

Collector-Emitter Voltage VＣＥ ９

Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Tj=２５℃ Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８ Pulse Test

７
３ ６
５
２ ４
IC=１５０A
VGE=１５V ３
IC=７５A
Pulse Test
１ ２ IC=３０A
１
０ ０
０ ３０ ６０ ９０ １２０ １５０ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

Free Wheeling Diode（Typical） Reverse Transfer Capacitance（Typical）
５ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

２ ２
（pＦ）

Pulse Test
１０２ １０３ Cies

５
Capacitance Ｃ

５
２
２
Tj=２５℃ １０２
Coes
１０１ Tj=１２５℃
５ VGE=０V
f=1MHZ
５ Tj=２５℃ Cres

２ ２
０ １ ２ ３ ４ ５ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

17
 GCA75AA120

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

Gate-Emitter Voltage VGE（V）

１６ ５
td
（off）
tf

１２ ２ td
（on）

８ １０２
tr
Vcc=２００V
Tj=２５℃
４ ５ Tj=１
２５℃
ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
RG=４２. Ω
VCC=６００Ｖ
０ ２
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ５ １０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）

（℃/Ｗ）
（℃/Ｗ）

Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FED）

５ １００
５
２ ｊ-ｃ
ｊ-ｃ

５０msec-２０sec
５０msec-２０sec ２
Transient Thermal Impedance θ
１０−１
Transient Thermal Impedance θ

１０−１
５
Max. ５ Max.
２
Junction to Case ２ Junction to Case
１０−２ ２μsec-５０msec
２μsec-５０msec １０−２
５ ５
２ ２
１０−３ １０−３
５ ５
２ ２
１０−４ １０−４
２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ ２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ
５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０ ５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
５ ５
（A）

（ns）

Tj=２５℃
- d i / d t =１５０A /μS
ｒｒ

VGE= -１０V
Reverse Recovery CurrentＩ

Reverse Recovery Time tｒ

２ ２
trr
２
１０ １０２

５ ５

２ ２
Irr
１０１ １０１

５ ５
５ １０１ ２ ５ １０２
Reverse Collector Current -Ic（A）

18
 IGBT MODULE
GCA100AA120
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GCA100AA120 is designed for high speed, high current
switching applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs 95MAX

80±0.3
connected in series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse 12 3-M5depth12mm

4±0.6
connected across each IGBT.

2-
● Ic＝100A VCES＝1200V

6.
5

6 7
● VCE〔sat〕＝3.0V Typ 2 3

18±0.6
13±0.6

49MAX
● tf＝0.10μs Typ

4 5
● Soft recovery diode

4±0.6
（Applications） 23±0.3 23±0.3 17±0.3

Inverter for motor control (VVVF) 16 7 16 7 16

TAB#110
（0.5t）
fit

UPS, AC servo

31.7MAX

31.5MAX
u G2
DC power supply, Welder C2 E1 E2
y E2

q w e C1 NAME PLATE
t E1
r G1

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GCA100AA120
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 1200 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 100
A
ICP Current Pulse（１ms） 200
−Ic Reverse Collector Current 100 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 780 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Mounting Mounting（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） N･m
Torque Terminal（Ｍ5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） 2.7（28） （kgf･cm）
Mass Typical Value 225 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝1200V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝１mA 1200 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝10mA 4.5 7.50 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝100A，VGE＝15V 3.00 3.40 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 11.00 20.00 nF
tr Rise Time 0.10 0.25
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝100A，VGE＝＋15V/−5V 0.20 0.35
μs
tf Time Fall Time Vcc＝600V，RG＝3.0Ω 0.10 0.35
（off）
td Turn-off Delay Time 0.25 0.40
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝100A，VGE＝0V 2.20 3.50 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝100A，VGE＝−10V，di / dt＝200A/μs 0.15 0.25 μs
IGBT-Case 0.16
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.40

19
 GCA100AA120

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

２００ １
２Ｖ
２００
２０Ｖ
１８０ １
５Ｖ １１Ｖ Pulse Test
Tj=２５℃
Collector Current Ic（A）

Tj=２５℃

Collector Current Ic（A）

１
０Ｖ
１６０ １６０ Tj=１２５℃

１４０
１２０ １２０
１００
８０ ９Ｖ ８０
６０ VCE=１０V
Pulse Test
４０ ４０
VGE=８Ｖ
２０
０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５ １０

（V） ９
Collector-Emitter VCE（V）

Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Tj=２５℃ Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８ Pulse Test

７
３ ６
５
２ ４
IC=２００A
VGE=１５V ３ IC=１００A
Pulse Test
１ ２ IC=４０A

１
０ ０
０ ２０ ４０ ６０ ８０ １００ １２０ １４０ １６０ １８０ ２００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

Free Wheeling Diode（Typical） Reverse Transfer Capacitance（Typical）
５ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

２
２ Cies
（pＦ）

Pulse Test
１０４
１０２
５
Capacitance Ｃ

５ ２
１０３
Coes
２
５ VGE=０V Cres
Tj=２５℃ f=1MHZ
１０１ Tj=１２５℃
２
Tj=２５℃

５ １０２
０ １ ２ ３ ４ ５ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

20
 GCA100AA120

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

Gate-Emitter Voltage VGE（V）

５ td
（off）
１６
tf

１２ ２
td
（on）

８ １０２
tr
Vcc=２００V Tc=１
２５℃
Tj=２５℃ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
５ RG=３.０Ω
４
VCC=６００Ｖ

０ ２ １
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ １０ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）
（℃/Ｗ）

（℃/Ｗ）
Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）
５ １００
２ ５
ｊ-ｃ

ｊ-ｃ ５０msec-２０sec
１０−１ ２
Transient Thermal Impedance θ

Transient Thermal Impedance θ

５０msec-２０sec
５ １０−１
Max. ５ Max.
２ Junction to Case
２ Junction to Case
１０−２ ２μsec-５０msec
２μsec-５０msec １０−２
５
５
２ ２
１０−３ １０−３
５
５
２ ２
１０−４ １０−４
２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ ２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ
５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０ ５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
５ ５
（A）

（ns）

Tj=２５℃
- d i / d t = ２００A / μS
ｒｒ

VGE= -１０V
Reverse Recovery CurrentＩ

ｒ
Reverse Recovery Time tｒ

２ trr
２
２
１０ １０３

５ ５

２ Irr ２

１０１ １０２

５ ５
１０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

21
 IGBT MODULE
GCA150AA120
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GCA150AA120 is designed for high speed, high current
switching applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs 95MAX

80±0.3
connected in series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse 12 3-M5depth12mm

4±0.6
connected across each IGBT.

2-
● Ic＝150A VCES＝1200V

6.
5

6 7
● VCE〔sat〕＝3.0V Typ 2 3

18±0.6
13±0.6

49MAX
● tf＝0.10μs Typ

4 5
● Soft recovery diode

4±0.6
（Applications） 23±0.3 23±0.3 17±0.3

Inverter for motor control (VVVF) 16 7 16 7 16

TAB#110
（0.5t）
fit

UPS, AC servo

31.7MAX

31.5MAX
u G2
DC power supply, Welder C2 E1 E2
y E2

q w e C1 NAME PLATE
t E1
r G1

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GCA150AA120
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 1200 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 150
A
ICP Current Pulse（１ms） 300
−Ic Reverse Collector Current 150 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 1100 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Mounting Mounting（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） N･m
Torque Terminal（Ｍ5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25） 2.7（28） （kgf･cm）
Mass Typical Value 225 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝1200V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝１mA 1200 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝15mA 4.5 7.50 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝150A，VGE＝15V 3.00 3.40 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 17.00 30.00 nF
tr Rise Time 0.10 0.25
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝150A，VGE＝＋15V/−5V 0.15 0.35
μs
tf Time Fall Time Vcc＝600V，RG＝2.1Ω 0.10 0.35
（off）
td Turn-off Delay Time 0.25 0.50
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝150A，VGE＝0V 2.40 3.50 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝150A，VGE＝−10V，di / dt＝300A/μs 0.15 0.25 μs
IGBT-Case 0.11
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.30

22
 GCA150AA120

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

３００ ２０Ｖ １
３００
５Ｖ １
２Ｖ
Pulse Test
Tj=２５℃
Collector Current Ic（A）

Tj=２５℃

Collector Current Ic（A）

２５０ ２５０
Tj=１２５℃

１１Ｖ
２００ ２００

１５０ １５０

１００ １００
１
０Ｖ VCE=１０V
Pulse Test
５０ ５０
９Ｖ
VGE=８Ｖ
０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５ １０

（V）
（V）

Collector-Emitter Voltage VＣＥ ９

Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Tj=２５℃ Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８ Pulse Test

７
３ ６
５
２ ４
IC=３００A
VGE=１５V ３ IC=１５０A
Pulse Test
１ ２ IC=６０A

１
０ ０
０ ５０ １００ １５０ ２００ ２５０ ３００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

３
Free Wheeling Diode（Typical） ２
Reverse Transfer Capacitance（Typical）
１０ １０
Reverse Collector Current ーIc（A）

５
５
Cies
（pＦ）

Pulse Test ２
１
１０
２
Capacitance Ｃ

５
１０２

２
５ Coes
１００
VGE=０V
Tj=２５℃ f=1MHZ
Tj=１２５℃ ５ Tj=２５℃
２ Cres

２
０ １ ２ ３ ４ ５ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

23
 GCA150AA120

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３ td
（off）

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

Gate-Emitter Voltage VGE（V）

１６ ５

td
（on）
１２ tf
２

８ １０２
Vcc=２００V Tc=１
２５℃
Tj=２５℃ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
５ RG=２．１Ω
４ tr
VCC=６００Ｖ

０ ２ １
０ ２００ ４００ ６００ ８００ １０ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）
（℃/Ｗ）

（℃/Ｗ）
Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）
５ ５
ｊ-ｃ

２
５０msec-２０sec
ｊ-ｃ ２ ５０msec-２０sec
Transient Thermal Impedance θ

１０−１
Transient Thermal Impedance θ
１０−１
５ ５
Max. Max.
２ ２ ５μsec-５０msec
Junction to Case Junction to Case
１０−２ １０−２
５μsec-５０msec
５ ５

２ ２
１０−３ １０−３
５ ５
２ ２
１０−４ １０−４
５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ ５０ｍ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ ５０ｍ
５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０ ５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
１０３ １０３
（A）

（ns）

Tj=２５℃
ｒ

５ ５
ｒ
Reverse Recovery CurrentＩ

- d i / d t = ３００A / μ S
ｒ
Reverse Recovery Time tｒ

VGE= -１０V

２ ２
trr
１０２ １０２

５ ５

２ Irr ２

１０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

24
 IGBT MODULE
GCA200AA120
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GCA200AA120 is designed for high speed, high current
switching applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs
connected in series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse 109MAX
93±0.3

5
6.
connected across each IGBT. 3-M6 14

4-
depth13mm

● Ic＝200A VCES＝1200V

6±0.6
● VCE〔sat〕＝3.0V Typ

6 7
1 2 3

15±0.6

63MAX
● tf＝0.10μs Typ

48

4 5
● Soft recovery diode

6±0.6
（Applications） 25±0.3 25±0.3 24±0.3

TAB#110
（0.5t）fit
Inverter for motor control (VVVF) 18 7 18 7 18

UPS, AC servo

31MAX

32MAX
u G2
DC power supply, Welder

23.5
y E2
C2 E1 E2 NAME PLATE
q w e C1
t E1
r G1

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GCA200AA120
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 1200 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 200
A
ICP Current Pulse（１ms） 400
−Ic Reverse Collector Current 200 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 1500 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Mounting Mounting（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） N･m
Torque Terminal（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） （kgf･cm）
Mass Typical Value 400 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝1200V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝１mA 1200 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝20mA 4.5 7.50 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝200A，VGE＝15V 3.00 3.40 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 20.00 40.00 nF
tr Rise Time 0.10 0.25
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝200A，VGE＝＋15V/−5V 0.15 0.35
μs
tf Time Fall Time Vcc＝600V，RG＝1.6Ω 0.10 0.35
（off）
td Turn-off Delay Time 0.35 0.50
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝200A，VGE＝0V 2.20 3.50 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝200A，VGE＝−10V，di / dt＝400A/μs 0.15 0.25 μs
IGBT-Case 0.08
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.20

25
 GCA200AA120

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

４００ ４００
１
５Ｖ １１Ｖ
２０Ｖ １２Ｖ Pulse Test
Tj=２５℃

Collector Current Ic（A）

Collector Current Ic（A）

１
０Ｖ Tj=２５℃
Tj=１２５℃
３００ ３００

２００ ２００

９Ｖ
VCE=１０V
１００ １００ Pulse Test

VGE=８Ｖ

０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５ １０

（V）
（V）

Collector-Emitter Voltage VＣＥ ９

Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Tj=２５℃ Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８ Pulse Test

７
３ ６
５
２ ４
IC=４００A
VGE=１５V ３
IC=２００A
Pulse Test
１ ２ IC=80A

１
０ ０
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

３
Free Wheeling Diode（Typical） Reverse Transfer Capacitance（Typical）
１０ １０２
Reverse Collector Current -Ic（A）

５
５
（pＦ）

Pulse Test Cies

２
２ １０１
Capacitance Ｃ

１０２ ５

５ ２ Coes

１００ VGE=０V
Tj=２５℃ Cres
f=1MHZ
Tj=１２５℃ ５ Tj=２５℃
２

２
０ １ ２ ３ ４ ５ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

26
 GCA200AA120

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

Gate-Emitter Voltage VGE（V）

tf

１６ ５

td
（off）
１２ ２

td
（on）
８ １０２
Vcc=２００V Tj=１
２５℃
Tj=２５℃ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
５ RG=１６. Ω
４ tr VCC=６００Ｖ

０ ２ １
０ ２００ ４００ ６００ ８００ １０００ １０ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）

（℃/Ｗ）
（℃/Ｗ）

Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）

５ ５
２ ｊ-ｃ
ｊ-ｃ

２
５０msec-２０sec
１０−１ ５０msec-２０sec
Transient Thermal Impedance θ
Transient Thermal Impedance θ

１０−１
５
５
２ Max. Max.
１０−２ ２
Junction to Case Junction to Case
５ １０−２
２μsec-５０msec ２μsec-５０msec
２ ５
１０−３
２
５
１０−３
２
１０−４ ５
５ ２
２ １０−４
２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ ２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ
５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０ ５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
１０３ １０４
（A）

（ns）

Tj=２５℃
ｒ

５
ｒ

５
Reverse Recovery CurrentＩ

- d i / d t = ４００ A / μ S
Reverse Recovery Time tｒ

VGE= -１０V

２ ２
trr

１０２ １０３

５ ５
Irr

２ ２

１０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

27
 IGBT MODULE
GCA300AA120
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GCA300AA120 is designed for high speed, high current
switching applications. This Module is electrically isolated and contains two IGBTs 110MAX
93±0.3

5
6.
14
connected in series with a fast switching, soft recovery diode (trr=0.1μs) reverse 3-M6

4-
depth11mm

connected across each IGBT.

6±0.6
● Ic＝300A VCES＝1200V

6 7
2 3

● VCE〔sat〕＝3.0V Typ

62±0.3
80MAX

15±0.6
● tf＝0.10μs Typ

4 5
1

6±0.6
● Soft recovery diode

（Applications） 25±0.3 25±0.3 22.5±0.3

Inverter for motor control (VVVF) TAB#110

（0.5t）fit

18 7 18 7 18
UPS, AC servo
u G2

30MAX
30MAX
DC power supply, Welder y E2

21.2
C2 E1 E2
q w e C1 NAME PLATE
t E1
r G1

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GCA300AA120
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 1200 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 300
A
ICP Current Pulse（１ms） 600
−Ic Reverse Collector Current 300 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 2100 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Mounting Mounting（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） N･m
Torque Terminal（Ｍ6） Recommended Value 2.5-3.9（25-40） 4.7（48） （kgf･cm）
Mass Typical Value 450 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝1200V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝１mA 1200 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝30mA 4.5 7.50 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝300A，VGE＝15V 3.00 3.40 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 30.00 60.00 nF
tr Rise Time 0.10 0.25
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝300A，VGE＝＋15V/−5V 0.15 0.35
μs
tf Time Fall Time Vcc＝600V，RG＝1.0Ω 0.10 0.35
（off）
td Turn-off Delay Time 0.30 0.60
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝300A，VGE＝0V 2.50 3.50 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝300A，VGE＝−10V，di / dt＝600A/μs 0.15 0.25 μs
IGBT-Case 0.06
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.15

28
 GCA300AA120

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

６００ ２０Ｖ
６００
１
５Ｖ １
２Ｖ
Pulse Test
Tj=２５℃

Collector Current Ic（A）

Tj=２５℃
５００ ５００
Collector Current Ic（A）

Tj=１２５℃

１１Ｖ
４００ ４００

３００ ３００

２００ ２００
１
０Ｖ VCE=１０V
Pulse Test
１００ １００
９Ｖ
VGE=８Ｖ
０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）

（V）
５ １０
（V）

Collector-Emitter Voltage VＣＥ ９

Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Tj=２５℃ Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８ Pulse Test

７
３ ６
５
２ ４
IC=６００A
VGE=１５V ３ IC=３００A
Pulse Test
１ ２ IC=１２０A

１
０ ０
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

３
Free Wheeling Diode（Typical） ２
Reverse Transfer Capacitance（Typical）
１０ １０
Reverse Collector Current -Ic（A）

５ Cies
５
（pＦ）

Pulse Test ２
Capacitance Ｃ

２ １０１

１０２ ５
Coes

５ ２
１００ VGE=０V Cres
Tj=２５℃ f=1MHZ
５ Tj=２５℃
Tj=１２５℃
２
２
０ １ ２ ３ ４ ５ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

29
 GCA300AA120

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

td
（off）
Gate-Emitter Voltage VGE（V）

１６ ５

td
（on）
tf
１２ ２

８ １０２
Vcc=２００V Tj=１
２５℃
Tj=２５℃ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
５ RG=１０. Ω
４ tr
VCC=６００Ｖ

０ ２ １
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ １０ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）
（℃/Ｗ）

（℃/Ｗ）
Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）
５ ５
２ ２
ｊ-ｃ

５０msec-２０sec
ｊ-ｃ
１０−１ １０−１
Transient Thermal Impedance θ

Transient Thermal Impedance θ

５０msec-２０sec
５
５
２ Max. Max.
１０−２ ２
Junction to Case Junction to Case
５ １０−２
２μsec-５０msec
２ ２μsec-５０msec ５
１０−３
２
５
１０−３
２
５
１０−４
５ ２
２ １０−４
２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ ２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ
５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０ ５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
１０３ １０４
（A）

（ns）

Tj=２５℃
ｒ

５ ５
ｒ

- d i / d t = ６００ A / μ S
Reverse Recovery CurrentＩ

ｒ
Reverse Recovery Time tｒ

VGE= -１０V

２ ２
trr

１０２ １０３

５ ５
Irr

２ ２

１０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

30
 IGBT MODULE
GSA400BA60
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GSA400BA60 is designed for high speed, high current
switching applications. This Module is electrically isolated and with a fast switching, soft 109MAX
93±0.3
recovery diode (trr=0.1μs) reverse connected across IGBT. 9 16
2-M6
depth11mm

● Ic＝400A VCES＝600V
● VCE〔sat〕＝2.3V Typ 2
3

48±0.3
34±0.3
● tf＝0.10μs Typ

63MAX
● Soft recovery diode 4
1

（Applications）
Inverter for motor control (VVVF)

4-
13±0.3 21±0.3 29±0.3 17.5±0.3
2-M4depth7mm

6.5
UPS, AC servo 24 3 24

DC power supply, Welder E C

w q

36MAX
25MAX

23.5
Ee NAME PLATE
Gr

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GSA400BA60
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 600 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 400
A
ICP Current Pulse（１ms） 800
−Ic Reverse Collector Current 400 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 1500 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Recommended Value 2.5-3.9 4.7 N･m
Mounting（Ｍ6）
Recommended Value 25-40 48 （kgf･cm）
Mounting Main Terminal Recommended Value 2.5-3.9 4.7 N･m
Torque （Ｍ6） Recommended Value 25-40 48 （kgf･cm）
G（E） Recommended Value 1.0-1.4 1.5 N･m
Terminal（Ｍ4） Recommended Value 10-14 15 （kgf･cm）
Mass Typical Value 400 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝600V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝1mA 600 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝5V，Ic＝40mA 3.0 7.00 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝400A，VGE＝15V 2.30 2.80 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 32.000 40.000 nF
tr Rise Time 0.10 0.20
td（on） Switching Turn-on Delay Time Ic＝400A，VGE＝＋15V/−5V 0.20 0.40
μs
tf Time Fall Time Vcc＝300V，RG＝1.6Ω 0.10 0.20
（off）
td Turn-off Delay Time 0.40 0.80
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝400A，VGE＝0V 2.30 2.80 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝400A，VGE＝−10V，di / dt＝800A/μs 0.10 0.15 μs
IGBT-Case 0.08
Rth（j-c） Thermal Resistance ℃/W
Diode-Case 0.20

31
 GSA400BA60

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

８００ ４００
２０Ｖ １
５Ｖ １
２Ｖ
Collector Current Ic（A）

Tj=２５℃

Collector Current Ic（A）

Tj=１２５℃
６００ ３００
Pulse Test
Tj=２５℃

４００ ２００

１
０Ｖ
VCE=１０V
２００ １００ Pulse Test
９Ｖ

VGE=８Ｖ
０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３ １４ １５
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５ １０

（V）
（V）

Tj=２５℃
９ Pulse Test
Collector-Emitter Voltage VＣＥ IC=１６０A IC=８
００A
Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８
７
３ ６
５
２ ４
IC=４００A
VGE=１５V ３
Pulse Test
１ ２
１
０ ０
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

３
Free Wheeling Diode（Typical） Reverse Transfer Capacitance（Typical）
１０ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

Cies
５ ２
（pＦ）

Pulse Test １０４

２ ５
Capacitance Ｃ

２
１０ ２
Coes
１０３
５
５ VGE=０V
Tj=２５℃ f=1MHZ Cres
Tj=１２５℃ Tj=２５℃
２ ２
１０２
０ １ ２ ３ ４ ５ １０ー１ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

32
 GSA400BA60

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

Gate-Emitter Voltage VGE（V）

５ td
（off）
１６

１２ ２
td
（on）
tf
８ １０２
Vcc=２００V Tc=１
２５℃
Tj=２５℃ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
５ RG=１.６Ω
４
VCC=３００Ｖ
tr

０ ２ １
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ １０ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）
（℃/Ｗ）

（℃/Ｗ）
Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）
５ １０
２ ５
ｊ-ｃ

ｊ-ｃ
１０−１ ２
Transient Thermal Impedance θ

Transient Thermal Impedance θ

５ １０−１
２ Max. ５ Max.
１０−２ Junction to Case Junction to Case
２
５
１０−２
２
５
１０−３
５ ２
２ １０−３
１０−４ ５
５ ２
２ １０−４ −６
１０−６ ２ ５ １０−５ ２ ５ １０−４ ２ ５ １０−３ ２ ５ １０−２ ２ ５ １０ ２ ５ １０−５ ２ ５ １０−４ ２ ５ １０−３ ２ ５ １０−２ ２ ５
−１ ０ １
５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ １０ ２ ５ −１
５ １０ ２ ５ １０ ２０
５ １０ ２１
５
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
５ ５
（ns）
（A）

Tj=２５℃
- d i / d t = ２００A / μ S
ｒ

VGE= -１０V
ｒ
Reverse Recovery CurrentＩ

Reverse Recovery Time tｒ

２ ２

１０２ trr １０２

５ ５
Irr

２ ２

１０１ １０１

５ ５
１０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

33
 IGBT MODULE
GSA300AA120
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GSA300AA120 is designed for high speed, high current
switching applications. This Module is electrically isolated and with a fast switching, soft
109MAX
recovery diode (trr=0.1μs) reverse connected across IGBT. 93±0.3
2-M6
9 16 depth11mm
● Ic＝300A VCES＝1200V
● VCE〔sat〕＝3.0V Typ 2
3
● t f ＝0.10μs Typ

48±0.3
34±0.3

63MAX
● Soft recovery diode 4
1

（Applications）

4-
13±0.3 21±0.3
Inverter for motor control (VVVF) 2-M4depth7mm
29±0.3 17.5±0.3

6 .5
UPS, AC servo 24 3 24

DC power supply, Welder E C

36MAX
w q

25MAX

23.5
NAME PLATE
Ee
Gr

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GSA300AA120
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 1200 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 300
A
ICP Current Pulse（１ms） 600
−Ic Reverse Collector Current 300 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 2100 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Recommended Value 2.5-3.9 4.7 N･m
Mounting（Ｍ6）
Recommended Value 25-40 48 （kgf･cm）
Mounting Main Terminal Recommended Value 2.5-3.9 4.7 N･m
Torque （Ｍ6） Recommended Value 25-40 48 （kgf･cm）
G（E） Recommended Value 1.0-1.4 1.5 N･m
Terminal（Ｍ4） Recommended Value 10-14 15 （kgf･cm）
Mass Typical Value 400 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝1200V，VGE＝0V 1.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝1mA 1200 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝30mA 4.5 7.50 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝300A，VGE＝15V 3.00 3.40 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 35.000 60.000 nF
tr Rise Time 0.10 0.25
（on）
td Switching Turn-on Delay Time Ic＝300A，VGE＝＋15V/−5V 0.15 0.35
μs
tf Time Fall Time Vcc＝600V，RG＝1.0Ω 0.10 0.35
（off）
td Turn-off Delay Time 0.30 0.60
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝300A，VGE＝0V 2.50 3.50 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝300A，VGE＝−10V，di / dt＝600A/μs 0.15 0.25 μs
IGBT-Case 0.06
（j-c） Thermal Resistance
Rth ℃/W
Diode-Case 0.15

34
 GSA300AA120

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

６００ ２０Ｖ
６００
１
５Ｖ １
２Ｖ
Pulse Test
Tj=２５℃

Collector Current Ic（A）

Tj=２５℃
５００ ５００
Collector Current Ic（A）

Tj=１２５℃

１１Ｖ
４００ ４００

３００ ３００

２００ ２００
１
０Ｖ VCE=１０V
Pulse Test
１００ １００
９Ｖ
VGE=８Ｖ
０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）

（V）
５ １０
（V）

Collector-Emitter Voltage VＣＥ ９

Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Tj=２５℃ Tj=２５℃
４ Tj=１２５℃ ８ Pulse Test

７
３ ６
５
２ ４
IC=６００A
VGE=１５V ３ IC=３００A
Pulse Test
１ ２ IC=１２０A

１
０ ０
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

３
Free Wheeling Diode（Typical） ２
Reverse Transfer Capacitance（Typical）
１０ １０
Reverse Collector Current -Ic（A）

５ Cies
５
（pＦ）

Pulse Test ２
Capacitance Ｃ

２ １０１

１０２ ５
Coes

５ ２
１００ VGE=０V Cres
Tj=２５℃ f=1MHZ
５ Tj=２５℃
Tj=１２５℃
２
２

０ １ ２ ３ ４ ５ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２

Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

35
 GSA300AA120

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

td
（off）
Gate-Emitter Voltage VGE（V）

１６ ５

td
（on）
tf
１２ ２

８ １０２
Vcc=２００V Tj=１
２５℃
Tj=２５℃ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
５ RG=１０. Ω
４ tr
VCC=６００Ｖ

０ ２ １
０ １００ ２００ ３００ ４００ ５００ ６００ １０ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）
（℃/Ｗ）

（℃/Ｗ）
Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）
５ ５
２ ２
ｊ-ｃ

５０msec-２０sec ｊ-ｃ
１０−１ １０−１
Transient Thermal Impedance θ

Transient Thermal Impedance θ

５０msec-２０sec
５
５
２ Max. Max.
１０−２ ２
Junction to Case Junction to Case
５ １０−２
２μsec-５０msec
２ ２μsec-５０msec ５
１０−３
２
５
１０−３
２
５
１０−４
５ ２
２ １０−４
２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ ２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ
５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０ ５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
１０３ １０４
（A）

（ns）

Tj=２５℃
ｒ

５ ５
ｒ

- d i / d t = ６００ A / μ S
Reverse Recovery CurrentＩ

ｒ
Reverse Recovery Time tｒ

VGE= -１０V

２ ２
trr

１０２ １０３

５ ５
Irr

２ ２

１０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

36
 IGBT MODULE
GSA400AA120
（M）
UL;E76102
SanRex IGBT Module GSA400AA120 is designed for high speed, high current
switching applications. This Module is electrically isolated and with a fast switching, soft 109MAX
93±0.3
recovery diode (trr=0.1μs) reverse connected across IGBT. 9 16
2-M6
depth11mm

● Ic＝400A VCES＝1200V
● VCE〔sat〕＝3.0V Typ 2
3
● t f ＝0.15μs Typ

48±0.3
34±0.3

63MAX
● Soft recovery diode 4
1

（Applications）
Inverter for motor control (VVVF)

4-
13±0.3 21±0.3 29±0.3 17.5±0.3
2-M4depth7mm

6.5
UPS, AC servo 24 3 24

DC power supply, Welder E C

w q

36MAX
25MAX

23.5
Ee NAME PLATE
Gr

Unit：mm

■Maximum Ratings （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
GSA400AA120
VCES Collector-Emitter Voltage with gate terminal shorted to emitter 1200 V
VGES Gate-Emitter Voltage with collector shorted to emitter ±20 V
Ic Collector DC 400
A
ICP Current Pulse（１ms） 800
−Ic Reverse Collector Current 400 A
Pc Total Power Dissipation Tc＝25℃ 2800 W
Tj Junction Temperature 150 ℃
Tstg Storage Temperature −40 to ＋125 ℃
VISO Isolation Voltage（R.M.S.） A.C.１minute 2500 V
Recommended Value 2.5-3.9 4.7 N･m
Mounting（Ｍ6）
Recommended Value 25-40 48 （kgf･cm）
Mounting Main Terminal Recommended Value 2.5-3.9 4.7 N･m
Torque （Ｍ6） Recommended Value 25-40 48 （kgf･cm）
G（E） Recommended Value 1.0-1.4 1.5 N･m
Terminal（Ｍ4） Recommended Value 10-14 15 （kgf･cm）
Mass Typical Value 400 g

■Electrical Characteristics （Tj＝25℃ unless otherwise specified）

Ratings
Symbol Item Conditions Unit
Min. Typ. Max.
IGES Gate Leakage Current VGE＝±20V，VCE＝0V ±500 nA
ICES Collector Cut-Off Current VCE＝1200V，VGE＝0V 2.00 mA
V（BR）CES Collector-Emitter Breakdown Voltage VGE＝0V，Ic＝2mA 1200 V
VGE（th） Gate Threshold Voltage VCE＝10V，Ic＝40mA 4.5 7.50 V
VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage Ic＝400A，VGE＝15V 3.00 3.40 V
Cies Input Capacitance VCE＝10V，VGE＝0V，f＝1MHz 35.000 80.000 nF
tr Rise Time 0.20 0.30
（on）
td Switching Turn-on Delay Time Ic＝400A，VGE＝＋15V/−5V 0.25 0.35
μs
tf Time Fall Time Vcc＝600V，RG＝0.78Ω 0.15 0.35
（off）
td Turn-off Delay Time 0.50 0.70
VECS Emitter-Collector Voltage −Ic＝400A，VGE＝0V 2.40 3.50 V
trr Reverse Recovery Time −Ic＝400A，VGE＝−10V，di / dt＝800A/μs 0.15 0.25 μs
IGBT-Case 0.04
（j-c） Thermal Resistance
Rth ℃/W
Diode-Case 0.10

37
 GSA400AA120

Output Characteristics（Typical） Forward Transfer Characteristics（Typical）

８００ ８００
１５Ｖ １１Ｖ
２０Ｖ １２Ｖ Pulse Test
Tj=２５℃
Collector Current Ic（A）

Collector Current Ic（A）

１
０Ｖ Tj=２５℃
Tj=１２５℃
６００ ６００

４００ ４００
９Ｖ
VCE=１０V
２００ ２００ Pulse Test

VGE=８Ｖ

０ ０
０ １ ２ ３ ４ ５ ６ ７ ８ ９ １０ ５ ６ ７ ８ ９ １０ １１ １２ １３
Collector-Emitter Voltage VCE（V） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Collector-Emitter Saturation Voltage

Saturation Voltage Characteristics（Typical） Characteristics（Typical）
５
（V）

（V）
１０
９
Collector-Emitter Voltage VＣＥ

Collector-Emitter Voltage VＣＥ

４ Tj=２５℃
Tj=２５℃ ８ Pulse Test
Tj=１２５℃ ７
３ ６
５
２ ４
VGE=１５V IC=８００A
Pulse Test ３ IC=４００A
１ ２ IC=１６０A

１
０ ０
０ ２００ ４００ ６００ ８００ ５ １０ １５ ２０
Collector Current Ic（A） Gate-Emitter Voltage VGE（V）

Forward Voltage of Input Capacitance, Output Capacitance,

３
Free Wheeling Diode（Typical） Reverse Transfer Capacitance（Typical）
１０ １０２
Reverse Collector Current -Ic（A）

５
５ Cies
（pＦ）

２
Pulse Test
２ １０１
Capacitance Ｃ

１０２ ５
Coes

５ ２
Cres
１００ VGE=０V
Tj=２５℃ f=1MHZ
Tj=１２５℃ ５ Tj=２５℃
２

２
０ １ ２ ３ ４ ５ ２ ５ １００ ２ ５ １０１ ２ ５ １０２
Emitter-Collector Voltage VECS（V） Collector-Emitter Voltage VCE（V）

38
 GSA400AA120

（ns）
Gate Charge vs. Gate-Emitter Voltage（Typical） Switching Characteristics（Typical）
２０ １０３

Switching Time tr,td（on）, tf,td（off）

tf
Gate-Emitter Voltage VGE（V）

５
１６

２ td
（off）
１２
１０２ td
（on）

８
５
Vcc=２００V Tj=１
２５℃
Tj=２５℃ ＶGE/-VGE=１
５Ｖ/-５Ｖ
４ RG=０.７８Ω
VCC=６００Ｖ
２ tr

０
０ ５００ １０００ １５００ ２０００ １０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Gate Charge QG（nC） Collector Current Ic（A）

（℃/Ｗ）
（℃/Ｗ）

Transient Thermal Impedance（IGBT） Transient Thermal Impedance（FWD）

５ ５
２ ｊ-ｃ ２
ｊ-ｃ

１０−１ １０−１
Transient Thermal Impedance θ
Transient Thermal Impedance θ

５ ５０msec-２０sec ５０msec-２０sec
５
２ Max. Max.
１０−２ ２
Junction to Case Junction to Case
５ １０−２
２μsec-５０msec
２μsec-５０msec ５
２
１０−３
２
５
１０−３
２
５
１０−４
５ ２
２ １０−４
２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ ２μ ５μ １０μ ２０μ ５０μ１００μ２００μ ５００μ １ｍ ２ｍ ５ｍ １０ｍ ２０ｍ５０ｍ
５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０ ５０ｍ１００ｍ２００ｍ ５００ｍ １ ２ ５ １０ ２０
Time t（sec） Time t（sec）
Reverse Recovery Characteristics of Free-Wheel Diode（Typical）
１０３ １０４
（A）

（ns）

Tj=２５℃
ｒ

５ ５
ｒ
Reverse Recovery CurrentＩ

- d i / d t = ８００A / μ S
ｒ
Reverse Recovery Time tｒ

VGE= -１０V

２ ２
trr

１０２ １０３

５ Irr ５

２ ２

１０１ ２ ５ １０２ ２ ５
Reverse Collector Current -Ic（A）

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