Documento ADL
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FACULTAD DE INGENIERÍA
DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA QUÍMICA Y AMBIENTAL
INTRODUCCIÓN A LA INGENIERÍA DE MATERIALES.
Resumen: Este trabajo consiste en una revisión bibliográfica sobre la técnica de deposición de capas
atómicas. Además de la definición y los fundamentos físico-químicos, se describe el proceso en
general de DCA incluyendo los equipos. Adicionalmente se describen un gran número de aplicaciones
y se estudiará en detalle uno de ellas.
3.2 PARÁMETROS
Los elementos principales en este sistema son: Mejorar el reparto de los precursores:
sistemas sundew ha desarrollado un sistema
Dos baños líquidos a temperatura controlada de reparto de los reactivos y de flujo de los
proveen vapor al sistema. precursores que mejora notablemente la
Cada precursor (líquido) está aislado del eficiencia del proceso. Este método consiste
sistema por válvulas de expansión. Mediante en enviar al reactor flujos bajos de precursor
éstas se proveen los pulsos de vapor de sin diluir. La presión en el sistema se
precursor al sistema. mantiene mediante un flujo de gas inerte en
El sustrato está puesto en un pequeño el área después de la cámara de reacción.
volumen de la cámara de reacción.
La cámara de reacción se calienta para
iniciar la reacción en la superficie del
sustrato.
Una bomba de vacío mantiene el flujo en el
sistema y facilita la purga entre ciclos.
Figura 7. Representación de los flujos de gas en el
proceso de sistemas sundaw y esquema del proceso.
4. APLICACIONES
Figura 9. Membrana de AAO antes (a) y después (b) del La capacidad de recubrir aerogeles de sílice de
recubrimiento de 18nm con Al2O3 por DCA. densidad ultrabaja con capas de diferentes metales y
óxidos de metales usando DCA permitirá la
Por otro lado, las membranas de OAA recubiertas fabricación de nuevos sensores de gases y
con capas de paladio de 2nm mediante DCA catalizadores. En este estudio aerogeles de sílice de
presentan propiedades prometedoras que permiten película delgada y monolítica fueron recubiertos con
usarlas como sensores de hidrógeno de alta respuesta ZnO, pero antes se aplicó un recubrimiento de Al 2O3
y sensibilidad, además muestran cambios rápidos y de 3Å como capa de nucleación.
reversibles de conductividad al ser expuestos a
hidrógeno como se observa en las figuras 10 (a) y Los aerogeles de sílice poseen una estructura
(b). Antes del recubrimiento Pd/DCA se aplicó un filamentosa abierta. El recubrimiento con ZnO
recubrimiento de 1nm de Al 2O3 al OAA para incrementa el diámetro del filamento a medida que
promover la rápida nucleación del Pd. El proceso se aumentan los ciclos de ZnO. Después de 80 ciclos de
realizó mediante exposiciones alternadas de DCA, los nanocristales de ZnO son visibles sobre la
Pd(hfac)2 [Hexafluoroacetilacetona de paladio II] y superficie del aerogel recubierto. A medida que el
formDCAehido. recubrimiento con ZnO del aerogel aumenta tanto la
conductividad como la absorción óptica aumentan.
Los nanotubos de menor diámetro obtenidos por Figura 17. Ciclos de histéresis para nanotubos con
DCA muestran comportamientos magnéticos diferentes espesores de capas de Ni. El campo magnético
anisotrópicos y coercividades mejoradas. Como se fue aplicado paralelo al eje del nanotubo.
muestra en la figura 16 para nanotubos de cobalto (y
en general para los de Ni y Fe) la magnetización En la figura 18 se muestra el comportamiento de la
remanente debido a la aplicación de un campo coercividad y la magnetización remanente en
externo paralelo al eje del tubo es más grande que función del espesor de la capa para nanotubos de Fe,
para lo cual se mantuvo un diámetro de poro fijo en
50nm, una longitud de 3µm y se varió el número de
ciclos de DCA. Se observa de la figura que a mayor
número de ciclos de DCA tanto la coercividad como
la magnetización remanente aumentan.
Figura 18. Histéresis magnética de nanotubos de Fe3O4 Los óxidos conductores transparentes (TCO) son
para varios espesores de capa en un campo magnético ampliamente utilizados como electrodos en
paralelo al eje de los nanotubos. dispositivos fotovoltaicos de película delgada, como
células solares y diodos emisores de luz. Entre las
películas de TCO, el óxido de indio y estaño (ITO)
4.3 Recubrimiento protector de silicio para es el más utilizado debido a su combinación de
nano diamantes [9] propiedades tecnológicamente importantes. Sin
embargo, el desarrollo de otros semiconductores es
Un recubrimiento ultrafino de silicio fue depositado importante ya que la disponibilidad de ITO es
al vacío en nano-diamantes usando la deposición limitada, lo cual lo hace un material caro. Por otra
atómica de capas (DCA) desde monosilano gaseoso parte, el indio es perjudicial para el medio ambiente
(SiH4) como precursor. El revestimiento se realiza y para los seres humanos.
por reacción secuencial de adsorción saturada de Fueron estudiadas películas de óxido de zinc dopado
SiH4 y descomposición in situ. La difracción de con aluminio (AZO) como material del electrodo
rayos X (DRX) y microscopía electrónica de transparente alternativo al ITO en dispositivos
transmisión (TEM) se utilizaron para investigar las fotovoltaicos orgánicos. Las películas AZO fueron
propiedades estructurales y morfológicas del preparadas por deposición de capas atómicas a partir
recubrimiento. El análisis termogravimétrico (TGA) de precursores de dietilzinc, agua y trimetil
y la calorimetría diferencial de barrido (DSC) se aluminio. El mismo número de ciclos de deposición
utilizaron para comparar la estabilidad térmica de los resultó en películas de 170 y 90nm de espesor a
nano-diamantes antes y después del recubrimiento temperaturas de depósito de 150 y 250°C,
de silicio. Los resultados confirmaron que el respectivamente. Las películas crecieron de manera
recubrimiento de silicio en fase cúbica depositado uniforme con una rugosidad de superficie
fue uniforme y continuo. El recubrimiento protector razonablemente baja.
de silicio podría efectivamente mejorar la resistencia Películas uniformes con cristales en forma de cuña
a la oxidación de nano-diamantes en el flujo de aire se observaron en ambas temperaturas. La
(por debajo de 1300°C), lo que facilita las funcionalidad de los electrodos AZO en aplicaciones
aplicaciones de la nano-diamantes que comúnmente fotovoltaicas se puso a prueba utilizando capas
se ven obstaculizadas por su pobre estabilidad orgánicas fotoactivas conocidas.
térmica.
Los dispositivos con electrodo AZO mostraron un publicadas padecen alguna debilidad: unos
rendimiento comparable al dispositivo de referencia subproductos o catalizadores corrosivos, pobre
donde ITO fue utilizado como electrodo reproducibilidad, o impurezas en la película
transparente. Además, los dispositivos con electrodo
depositada, que son superadas con el método
AZO se mantuvieron estables al aire libre mostrando
no degradación durante intervalos de tiempo de 40 planteado.
días.
En un método de DCA basado en un alcoxisilano
(Si-OR) como precursor, dos pasos implican la
ruptura del enlace Si−OR por un grupo hidroxilo
(OH) y por lo tanto requieren catalizadores ácidos o
básicos, se incluyen: el amoniaco, carbonato de
amonio, triertanolamina, hidróxido de calcio, óxido
de magnesio, diciclohexilamina y acetato de
amonio. También ácido clorhídrico diluido o ácido
acético porque estos facilitan la formación del
silanol (SiOH).
Figura 20. Imagen SEM de óxido de zinc dopado con
aluminio depositado a 150°C Sobre la base de la hidrólisis catalizada por NH3 de
un alcóxido de silicio (alcoxisilanos, Si-OR)
tetraetoxisilano Si(OC2H5)4 (Si (OEt) 4).
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