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    Taller Mosfer

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    Laura Gutierrez
    El documento presenta tres problemas de diseño de circuitos con MOSFET. El primer problema pide diseñar un circuito tal que la corriente de drenaje ID sea de 1mA y la tensión drenaje-surce VDS sea de 1,5V, dados los parámetros del transistor. El segundo problema pide diseñar un circuito tal que ID sea de 0,5mA y VDS sea de 4V, considerando ciertos valores de tensión de alimentación y umbral. El tercer problema pide diseñar un circuito tal que VDS sea de 1,6V, dados los parámetros

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    El documento presenta tres problemas de diseño de circuitos con MOSFET. El primer problema pide diseñar un circuito tal que la corriente de drenaje ID sea de 1mA y la tensión drenaje-surce VDS sea de 1,5V, dados los parámetros del transistor. El segundo problema pide diseñar un circuito tal que ID sea de 0,5mA y VDS sea de 4V, considerando ciertos valores de tensión de alimentación y umbral. El tercer problema pide diseñar un circuito tal que VDS sea de 1,6V, dados los parámetros

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    UD - Electrónica de Potencia 2020-1

    Ingenierı́a Eléctrica por ciclos propedéuticos Taller

    Taller - Transistores MOSFET


    28 de mayo de 2020
    1. Considere el circuito de la siguiente figura.

    RD

    Suponga que VDD = 5V , VT = −0,8V , K = 0,2mA/V 2 . Diseñar el circuito de tal


    manera que ID = 1mA y VDS = 1,5V
    2. Para el siguiente circuito.

    RD

    RG
    RS

    Diseñarlo de tal manera que ID = 0,5mA y VDS = 4V . Tenga en cuenta que VDD = 5V ,
    VSS = −5V , VT = 1,2V , K = 6,25µA/V 2

    Prof. Angélica Mercedes Nivia Vargas Pag. 1


    UD - Electrónica de Potencia 2020-1
    Ingenierı́a Eléctrica por ciclos propedéuticos Taller

    3. Considere el siguiente circuito:

    Los parámetros del transistor son: VT = 0,4V , K = 100µA/V 2 . Diseñe el circuito de


    tal manera que VDS = 1,6V . Suponga VDD = 3,3V

    Prof. Angélica Mercedes Nivia Vargas Pag. 2

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